KR101250204B1 - 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체는 MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 아르곤+4%수소 가스분위기에서 마그네슘분말과 함께 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법은, MgB2분말 을 1축가압하여 성형체를 준비하는 재료준비단계와, 상기 성형체를 순철튜브에 장입하는 튜브장입단계와, 상기 성형체가 장입된 순철튜브를 열처리로 내부에 장입하는 열처리로장입단계와, 상기 열처리로 내부에서 성형체를 열처리하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 제조하는 열처리단계와. 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 냉각하는 냉각단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법은, MgB2분말 을 1축가압하여 성형체를 준비하는 재료준비단계와, 상기 성형체를 순철튜브에 장입하는 튜브장입단계와, 상기 성형체가 장입된 순철튜브를 열처리로 내부에 장입하는 열처리로장입단계와, 상기 열처리로 내부에서 성형체를 열처리하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 제조하는 열처리단계와. 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 냉각하는 냉각단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 불활성가스 분위기에서 특정 온도 및 시간 동안 열처리하여 초전도 임계전류밀도가 향상되도록 한 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 성형체와 마그네슘을 동시에 장입하여 열처리함으로써 초전도 임계전류밀도가 보다 향상되도록 한 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
마그네슘 다이보라이드(MgB2) 초전도체는 금속 붕화물로서 경도가 높고 연성이 거의 없는 물질로서 초전도 전이온도가 39K로 비교적 높은 값을 보이고 있으며 초기 사용되는 원료물질도 값싼 이유로 초전도 응용물질로서 주목받고 있다.
그러나 실질적인 응용분야에 사용되기 위해서는 자기장하에서 높은 임계전류밀도를 갖고 있어야 하나 그러지 못하였다.
특히 상용화급인 저온초전도체 NbTi 및 고온초전도체인 YBCO 등에 비하여 자기장하 낮은 임계전류밀도 특성은 오랫동안 해결해야할 숙제로 남아 있다.
이에 따라 마그네슘 다이보라이드 초전도체 내부에 나노 크기의 탄화규소, 탄소, 탄소나노튜브, 탄화수소 등 탄소계 화합물 나노분말을 첨가하여 자장하에서의 임계전류 특성을 월등히 향상시킬 수 있다는 것이 보고되었다.
이 경우 마그네슘 다이보라이드의 붕소 일부를 탄소가 치환하여 격자 결함을 형성하고 그 결과 초전도체의 자장하 임계전류 특성이 향상되는 것으로 알려져 있다.
그러나, 이러한 첨가제의 경우 보통 수십㎚ 크기의 분말 상태로 첨가되기 때문에 자체 응집이 쉽게 발생하여 균일하게 첨가되기 어렵고, 따라서 붕소분말과의 균일한 반응이 힘들고 첨가량 중 일부만이 마그네슘 다이보라이드의 결정격자에 치환되므로 초전도 선재 특성 향상에 기여하지 못하는 등 효율성이 낮은 문제점이 있다.
그리고, MgB2 초전도체에 도핑물질을 넣어 외부에서 가해준 자기장에 대하여 자속고정점 역할을 하게 하여 자기장하 임계전류밀도가 향상되도록 하는 기술이 있으나, 높은 자기장(적어도 5 Tesla 이상)에서는 효과를 보인 반면 오히려 낮은 자기장(5 Tesla 이하)에서는 넣어준 도핑물질이 불순물로 작용하여 초전도 전류가 흐를 수 있는 유효면적을 감소시키는 효과로 인하여 임계전류밀도는 감소하는 현상을 나타낸다.
또한, 위의 종래 기술은 공정이 복잡하여 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 보다 상세하게는 MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 불활성가스 분위기에서 특정 온도 및 시간 동안 열처리하여 초전도 임계전류밀도가 향상되도록 한 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 다른 목적은, 성형체와 마그네슘을 동시에 장입하여 열처리함으로써 초전도 임계전류밀도가 보다 향상되도록 한 마그네슘 다이보라이드 초전도체 및 이의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체는 MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 아르곤+4%수소 가스분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체는, MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체 및 마그네슘분말을 아르곤+4%수소 가스분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 동시에 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체는, MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체 및 마그네슘분말을 아르곤가스 분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 동시에 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법은, MgB2분말 을 1축가압하여 성형체를 준비하는 재료준비단계와, 상기 성형체를 순철튜브에 장입하는 튜브장입단계와, 상기 성형체가 장입된 순철튜브를 열처리로 내부에 장입하는 열처리로장입단계와, 상기 열처리로 내부에서 성형체를 열처리하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 제조하는 열처리단계와. 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 냉각하는 냉각단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 열처리로장입단계에서, 상기 순철튜브 내부는 열처리로 내부와 연통하는 것을 특징으로 한다.
상기 열처리단계에서, 상기 열처리로 내부에는 아르곤가스가 충진되며 수소가스가 선택적으로 추가공급됨을 특징으로 한다.
상기 튜브장입단계에서 순철튜브 내부에는 마그네슘 분말이 선택적으로 장입됨을 특징으로 한다.
상기 냉각단계는, 상기 열처리로 내부에서 열처리단계와 동일한 가스분위기로 상온까지 자연냉각하는 과정임을 특징으로 한다.
상기 열처리단계에서, 상기 열처리로 내부에는 아르곤+4%수소 가스가 충진됨을 특징으로 한다.
상기 열처리단계는 600 ~ 1000℃의 온도 범위 내에서 실시됨을 특징으로 한다.
본 발명에서는 MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 불활성가스 분위기에서 특정 온도 및 시간 동안 열처리하여 초전도 임계전류밀도가 향상된다.
즉, 열처리공정의 변수 중에서 사용되는 분위기 가스와 추가로 넣어준 마그네슘에 의해 자기장하에서 초전도 임계전류 밀도가 향상되는 이점이 있다.
또한, 불활성 가스인 아르곤에 수소를 첨가함으로써 마그네슘 다이보라이드 초전도체에 에칭효과를 줄 수 있으며, 추가로 넣어준 마그네슘으로부터 발생한 마그네슘 증기가 에칭된 부분을 통해 보다 효과적으로 침투함으로써 초전도체의 연결성을 향상시키게 된다.
따라서 자기장을 가하지 않은 zero 자기장하 및 낮은 자기장하에서도 높은 임계전류밀도를 얻을 수 있다.
뿐만 아니라, 침투해 들어간 마그네슘은 자속고정점 역할을 수행함으로써 높은 자기장하에서도 높은 임계전류밀도를 얻을 수 있는 이점이 있다.
도 1 은 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 외관을 보인 실물사진.
도 2 는 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도.
도 3 은 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법에서 일 단계인 열처리단계에서 장입 가스의 종류와 마그네슘의 장입 여부를 달리하여 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 상분석을 위한 XRD 그래프.
도 4 는 도 3의 비교예 및 실시예에 대하여 실험한 온도 변화에 따른 저항특성곡선을 나타낸 그래프.
도 5 는 도 4의 결과를 비교하여 나타낸 표.
도 6 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예 대하여 측정온도 5 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프.
도 7 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예에 대하여 측정온도 20 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프.
도 2 는 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도.
도 3 은 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법에서 일 단계인 열처리단계에서 장입 가스의 종류와 마그네슘의 장입 여부를 달리하여 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 상분석을 위한 XRD 그래프.
도 4 는 도 3의 비교예 및 실시예에 대하여 실험한 온도 변화에 따른 저항특성곡선을 나타낸 그래프.
도 5 는 도 4의 결과를 비교하여 나타낸 표.
도 6 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예 대하여 측정온도 5 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프.
도 7 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예에 대하여 측정온도 20 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프.
이하 첨부된 도 1을 참조하여 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 살펴본다.
이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1에는 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 외관을 보인 실물사진이 도시되어 있다.
도면과 같이 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체(10)는 높이가 낮은 직육면체 형상을 가지며, MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체를 아르곤가스분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 열처리한 후 냉각함으로써 제조된다.
그리고, 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체는 열처리시에 아르곤-수소 혼합가스를 공급하여 실시될 수도 있으며, 성형체와 별개로 마그네슘 분말을 같이 장입하여 열처리될 수도 있다.
이에 따라 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체는 300kelvin 이하의 온도에서 230uΩ㎝ 이하의 비저항값을 갖게 되며, 아래의 실시예를 토대로 자세히 설명하기로 한다.
이하 첨부된 도 2를 참조하여 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법을 설명한다.
도 2에는 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법을 나타낸 공정 순서도가 도시되어 있다.
도면과 같이 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체는, MgB2분말을 1축가압하여 성형체를 준비하는 재료준비단계(S100)와, 상기 성형체를 순철튜브에 장입하는 튜브장입단계(S200)와, 상기 성형체가 장입된 순철튜브를 열처리로 내부에 장입하는 열처리로장입단계(S300)와, 상기 열처리로 내부에서 성형체를 열처리하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 제조하는 열처리단계(S400)와. 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 냉각하는 냉각단계(S500)를 순차적으로 실시하여 제조된다.
상기 재료준비단계(S100)는 본 발명의 실시예에서 MgB2 초전도 분말을 사발을 넣어 약 3시간 동안 grinding하여 입도를 균일화한 후 프레스 장비를 사용하여 1축 가압성형을 통하여 직경 10㎜에 두께 5㎜의 MgB2 bulk(덩어리형태)를 제조하였다.
그리고, 상기 튜브장입단계(S200)에서 순철튜브 내부에 성형체와 별개로 마그네슘 분말이 선택적으로 장입될 수 있으므로, 마그네슘 분말을 더 준비할 수도 있다.
상기 재료준비단계(S100) 이후에는 튜브장입단계(S200)가 실시된다.
상기 튜브장입단계(S200)는 본 발명의 실시예에서 순철 튜브를 채택하였다.보다 구체적으로는 상기 순철튜브는 관형상을 가지며 직경 15㎜이고 길이는 약 150㎜이다.
그리고, 순철 튜브의 일단부는 막혀 있고, 타단부는 순철 튜브 내부와 열처리로 내부가 서로 연통할 수 있도록 구멍이 구비된다.
또한, 순철 튜브의 어느 한 쪽단은 선택적으로 분리되어 성형체와 마그네슘 분말의 장입이 가능하도록 구성된다.
상기 튜브장입단계(S200)에서 순철 튜브 내부에는 성형체가 반드시 장입되고, 아래의 다양한 실시예와 같이 마그네슘 분말을 선택적으로 장입할 수 있다.
상기 튜브장입단계(S200) 이후에는 열처리로장입단계(S300)가 실시된다. 상기 열처리로장입단계(S300)는 성형체가 장입된 순철 튜브를 열처리로 내부에 장입하는 과정으로, 상기 순철 튜브 내부는 열처리로 내부와 연통하게 된다.
이것은 이후 실시되는 열처리단계(S400) 중에 공급되는 불활성 가스가 순철 튜브 내부로 유입될 수 있도록 하기 위함이다.
상기 열처리로장입단계(S300) 이후에는 열처리단계(S400)가 실시된다. 상기 열처리단계(S400)는 불활성가스 분위기에서 성형체를 가열하는 과정으로, 600 ~ 1000℃의 온도 범위 내에서 10분 내지 10시간 동안 열처리 되며, 상기 열처리로 내부에는 아르곤가스 또는 아르곤-수소 혼합가스가 공급된다.
상기 열처리단계(S400) 이후에는 냉각단계(S500)가 실시된다. 상기 냉각단계(S500)는 열처리로 내부에서 열처리단계(S400)와 동일한 가스분위기로 상온까지 자연냉각하는 과정이다.
상기와 같은 과정에 따라 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조가 완료된다.
이하 첨부된 도 3 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명에 의한 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법에서 일 단계인 열처리단계에서 장입 가스의 종류와 마그네슘의 장입 여부를 달리하여 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 상분석을 위한 XRD 그래프이고, 도 4는 도 3의 비교예 및 실시예에 대하여 실험한 온도 변화에 따른 저항특성곡선을 나타낸 그래프이며, 도 5는 도 4의 결과를 비교하여 나타낸 표이다.
본 발명의 실시예는 순철 튜브 내부에 성형체만 장입하되 열처리단계(S400)에서 아르곤과 수소 혼합 가스를 공급하여 제조된 비교예2과, 순철 튜브 내부에 성형체와 마그네슘 분말을 동시에 장입하고 열처리단계(S400)에서 아르곤-수소 혼합가스(Ar+4%H2가스)를 공급하여 제조된 실시예1과, 순철 튜브 내부에 성형체와 마그네슘 분말을 동시에 장입하되 열처리단계(S400)에서 아르곤 가스만 공급하여 제조된 실시예2로 구성된다.
그리고 이에 대한 비교예1는 순철 튜브 내부에 성형체만 장입하고 열처리단계(S400)에서 아르곤 가스만 공급하여 제조된 것을 채택하였다.
상기 비교예1, 비교예2, 실시예1 및 실시예2는 모두 900℃의 온도로 3시간 동안 열처리단계(S400)를 실시하였으며 상기 열처리단계(S400)와 동일한 가스 분위기 상태에서 자연 냉각으로 상온까지 냉각하였다.
상기 비교예1, 비교예2, 실시예1 및 실시예2에 대하여 XRD를 측정한 결과 도 3에서 보는 바와 같이 4가지 열처리조건의 변화에 따른 특별히 다른 회절 peak은 관찰되지 않았으며, 이로부터 대부분의 회절 peaks가 MgB2상에 해당함을 알 수 있다.
다만 불순물인 MgO peak은 비교예 및 실시예 모두에서 발견되고 있으며 이는 초기 사용된 MgB2분말에 이미 존재하였던 것으로 보여진다.
주목할 만한 것은 실시예1 및 실시예2에서 Mg분말을 추가로 공급하였으나 Mg peak가 발견되지 않은 것이다. 즉 추가로 넣어준 Mg은 높은 온도에서 열처리 시 증발하여 MgB2 초전도체와 반응에 사용되었거나 일부는 뚫어놓은 구멍을 통해서 외부로 빠져나간 것으로 보인다.
그리고 도 4와 같이 다른 열처리 조건에서 제조된 MgB2 초전도체의 온도-저항 특성을 살펴보면, 비교예2, 실시예1 및 실시예2에서 전형적인 초전도 전이곡선을 모든 시료에서 관찰할 수 있었으며, 비교예1은 실시예보다 상대적으로 높은 비저항값을 나타내었다.
도 5에는 MgB2 초전도체의 온도 300K와 40K에서의 비저항값과, 초전도 전이가 시작하는 Tc , on과 초전도로 전이가 끝난 Tc , off 그리고 전이온도 폭 Tc이 기재되어 있다.
도 5의 결과와 같이 순수 Ar가스를 사용한 비교예1에 비하여 수소 4%를 혼합한 비교예2의 비저항값이 낮은것을 확인할 수 있었다.
이는 수소가스의 환원효과에 의하여 불순물인 MgO의 경우 환원되어 Mg으로 변환되고 따라서 전체적인 초전도체의 연결성이 향상되어 비저항값이 감소한 것으로 사료된다.
따라서, 상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 초전도 특성을 향상시키기 위해서는 아르곤과 수소를 혼합한 혼합기체 분위기가 적용됨이 더욱 바람직하다.
또한 순수 Ar가스에 Mg을 추가로 넣어준 경우(실시예2)에도 비저항값이 감소하였는데, 이는 높은 온도에서 열처리 시 휘발성이 강한 Mg에 의해 생길 수 있는 MgB2의 Mg의 부족분을 추가로 넣어준 Mg이 채워준 영향으로 생각된다.
이에 따라 순수 Ar가스에 수소가 혼합되고 Mg 분말이 추가로 공급된 경우(실시예1)에는 전체적인 비저항값이 감소한 것을 확인할 수 있었다.
특히 Mg이 추가로 넣어준 경우(실시예1 및 실시예2)에는 초전도 전이폭도 2K에서 1K로 감소한 것으로 측정되었고 이는 전체적인 초전도 특성이 좋아진 것으로 판단된다.
도 6 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예에 대하여 측정온도 5 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프이고, 도 7 은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 마그네슘 다이보라이드 초전도체와 비교예에 대하여 측정온도 20 kelvin 일 때 외부자기장 변화에 따른 초전도 임계전류밀도값의 변화를 측정하여 나타낸 그래프이다.
도 6 및 도 7과 같이 측정온도가 변화하더라도 곡선의 경향은 비슷한 양상을 나타내었다.
그리고 열처리단계(S400)에서 아르곤-수소 혼합가스를 공급한 경우에는 순수 아르곤 가스를 공급한 경우보다 전체 자기장 영역에서 초전도 임계전류밀도가 감소한 것을 알 수 있다.
이것은 수소가스의 환원효과에 의하여 MgO 불순물이 Mg으로 환원되어 연결성이 높아진 것으로 생각되나 외부자기장에 의해 초전도체로 침투해 들어오는 자기장, 즉 자속을 잡아주는 자속고정힘은 오히려 감소된 것으로 보인다.
한편, Mg을 추가로 넣어준 경우에는 순수 Ar가스를 사용한 경우(실시예2)와 Ar과 수소 혼합가스를 사용한 경우(실시예1) 모두에서 자기장하 초전도 임계전류밀도값이 증가하였다.
앞에서 살펴본 바와 같이 높은 온도에서 열처리 시 생길 수 있는 Mg의 부족분을 보충해 줌으로써 MgB2의 조성비가 최적화된 것으로 판단된다.
또한 Ar+H2+Mg의 경우(실시예1)에는 수소의 환원효과와 더불어 에칭에 의해 생긴 부분에 Mg이 효과적으로 침투해 들어간 것으로 사료된다.
이러한 본 발명의 범위는 상기에서 예시한 실시예에 한정되지 않고, 상기와 같은 기술범위 안에서 당업계의 통상의 기술자에게 있어서는 본 발명을 기초로 하는 다른 많은 변형이 가능할 것이다.
10. 마그네슘 다이보라이드 초전도체 S100. 재료준비단계
S200. 튜브장입단계 S300. 열처리로장입단계
S400. 열처리단계 S500. 냉각단계
S200. 튜브장입단계 S300. 열처리로장입단계
S400. 열처리단계 S500. 냉각단계
Claims (10)
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- MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체 및 마그네슘분말을 아르곤+4%수소 가스분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 동시에 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체.
- MgB2분말을 1축 가압성형한 성형체 및 마그네슘분말을 아르곤가스 분위기에서 600 ~ 1000℃의 온도 범위로 10분 내지 10시간 동안 동시에 열처리한 후 냉각하여 제조됨을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체.
- MgB2분말을 1축 가압 성형한 성형체 및 마그네슘분말을 준비하는 재료준비단계와,
상기 성형체 및 마그네슘분말을 순철튜브에 장입하는 튜브장입단계와,
상기 성형체 및 마그네슘분말이 장입된 순철튜브를 열처리로 내부에 장입하는 열처리로장입단계와,
아르곤가스 분위기 또는 아르곤+4%수소 가스분위기의 열처리로 내부에서 성형체 및 마그네슘분말을 600 ~ 1000℃의 온도 범위 내에서 10분 내지 10시간 동안 열처리하여 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 제조하는 열처리단계와.
상기 마그네슘 다이보라이드 초전도체를 냉각하는 냉각단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서, 상기 열처리로장입단계에서,
상기 순철튜브 내부는 열처리로 내부와 연통하는 것을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법.
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- 제 5 항에 있어서, 상기 냉각단계는,
상기 열처리로 내부에서 열처리단계와 동일한 가스분위기로 상온까지 자연냉각하는 과정임을 특징으로 하는 마그네슘 다이보라이드 초전도체의 제조 방법.
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| JP4033375B2 (ja) | 2001-10-15 | 2008-01-16 | 学校法人東海大学 | ＭｇＢ２系超伝導体及びその製造方法 |
| KR100812798B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-03-12 | 한국기계연구원 | 마그네슘 다이보라이드 초전도 분말 제조방법 |
| KR20090092945A (ko) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | 한국원자력연구원 | 글리세린이 첨가된 ＭｇＢ₂초전도체 제조방법 |
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