KR101243638B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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Abstract

본 개시는 바닥부와, 바닥부와 경사를 이루도록 바닥부로부터 돌출된 테두리부를 구비하는 프레임 전극; 바닥부에 위치하며, 프레임 전극에 전기적으로 연결된 발광칩; 그리고 적어도 발광칩이 위치한 바닥부가 노출되도록 프레임 전극에 입혀진 몰드 몸체;로서, 테두리부를 커버하며 바닥부에 접하는 결합 강화부를 구비하며, 결합 강화부는 몰드 몸체의 다른 부분과 동일한 재질로 일체로 이루어진 몰드 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure provides a frame electrode having a bottom portion and an edge portion protruding from the bottom portion so as to be inclined with the bottom portion; A light emitting chip positioned on the bottom and electrically connected to the frame electrode; And a mold body coated on the frame electrode so that at least the bottom portion at which the light emitting chip is located is exposed to the frame electrode, the mold body covering the edge portion and having a bonding reinforcing portion contacting the bottom portion, wherein the bonding reinforcing portion is integrally formed with the same material as the other parts of the mold body. It relates to a semiconductor light emitting device comprising a.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE} Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 구성요소가 견고하게 결합되어 외력에 의한 손상이 감소되어 신뢰성이 향상된 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure generally relates to a semiconductor light emitting device, and more particularly, to a semiconductor light emitting device in which reliability is improved because components are firmly coupled to reduce damage due to external force.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

일반적으로, 조명 장치에서 다수의 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)를 어레이로 조립하여 균일한 조도를 제공하도록 할 수 있다. 대체로, LED들은 인쇄 회로 기판(printed circuit board) 상에 장착되어 서로 전기적으로 연결되며, 다른 전기 시스템에 접속된다.In general, a plurality of light emitting diodes (LEDs) may be assembled into an array in a lighting device to provide uniform illumination. In general, the LEDs are mounted on a printed circuit board to be electrically connected to each other and to other electrical systems.

도 1은 종래의 발광소자를 나타내는 도면이다. LED들은 칩(chip) 형태로 인쇄회로기판(2)에 직접 실장되거나, 도 1에 도시된 것과 같이, LED 패키지(package) 형태로 제작되어 인쇄회로기판(2)에 본딩될 수 있다. LED 패키지는 LED 칩(50)과, LED 칩(50)이 전기적으로 연결되는 리드 전극(30)과, 리드 전극(30)에 사출 성형된 몰드 몸체(20)를 포함한다.1 is a view showing a conventional light emitting device. The LEDs may be directly mounted on the printed circuit board 2 in the form of a chip, or may be manufactured in the form of an LED package and bonded to the printed circuit board 2 as shown in FIG. 1. The LED package includes an LED chip 50, a lead electrode 30 to which the LED chip 50 is electrically connected, and a mold body 20 injection molded to the lead electrode 30.

리드 전극의 제조를 위해, 다수의 리드 전극이 패터닝된 구리 재질의 리드 프레임(lead frame)에 플라스틱 사출물을 결합하여 몰드 몸체를 형성하고, 몰드 몸체로부터 노출된 리드 전극에 LED 칩을 전기적으로 연결한다. 형광체와 수지가 혼합된 투광성 봉지재를 몰드 몸체의 캐비티에 적하시켜 LED 칩을 커버한다. 이후, 패키지 단위로 리드 프레임을 절단하여 LED 패키지가 제조된다.In order to manufacture the lead electrode, a plurality of lead electrodes are combined with a plastic injection molded product to a lead frame made of copper to form a mold body, and an LED chip is electrically connected to the lead electrodes exposed from the mold body. . The translucent encapsulant mixed with the phosphor and the resin is dropped into the cavity of the mold body to cover the LED chip. Subsequently, the LED package is manufactured by cutting the lead frame in package units.

전술된 LED 패키지에서 리드 전극과 몰드 몸체, 몰드 몸체와 투광성 봉지재 간의 정밀하고 견고한 결합이 패키지의 신뢰성에 매우 중요하다. 특히, 최근에는 조명 장치 등의 발광 장치에서 사용되는 LED의 개수가 증가함에 따라 LED 패키지가 소형화되고 있다. 이로 인해 리드 전극이 미세화되고 손상되기 쉬워지며, 패키지의 취급 중에 리드 전극 및 봉지재가 몰드 몸체로부터 이탈되는 불량이 종종 발생하고 있다.In the above-described LED package, the precise and tight coupling between the lead electrode and the mold body, the mold body and the transparent encapsulant is very important for the reliability of the package. In particular, in recent years, as the number of LEDs used in light emitting devices such as lighting devices increases, the LED package is miniaturized. This leads to miniaturization and damage of the lead electrode, and often causes a defect that the lead electrode and the encapsulant are separated from the mold body during handling of the package.

따라서 몰드 몸체, 리드 전극 및 봉지재 간의 견고한 결합을 이루는 패키지 기술에 대한 요구가 증가하고 있다.Thus, there is an increasing demand for packaging technology that achieves a tight coupling between the mold body, lead electrode and encapsulant.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 바닥부와, 바닥부와 경사를 이루도록 바닥부로부터 돌출된 테두리부를 구비하는 프레임 전극; 바닥부에 위치하며, 프레임 전극에 전기적으로 연결된 발광칩; 그리고 적어도 발광칩이 위치한 바닥부가 노출되도록 프레임 전극에 입혀진 몰드 몸체;로서, 테두리부를 커버하며 바닥부에 접하는 결합 강화부를 구비하며, 결합 강화부는 몰드 몸체의 다른 부분과 동일한 재질로 일체로 이루어진 몰드 몸체;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided an according to one aspect of the present disclosure. A light emitting chip positioned on the bottom and electrically connected to the frame electrode; And a mold body coated on the frame electrode so that at least the bottom portion at which the light emitting chip is located is exposed to the frame electrode, the mold body covering the edge portion and having a bonding reinforcing portion contacting the bottom portion, wherein the bonding reinforcing portion is integrally formed with the same material as the other parts of the mold body. There is provided a semiconductor light emitting device comprising a.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 발광소자를 나타내는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 도 2에 도시된 반도체 발광소자의 전면(front face)을 보여주는 도면,
도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 A-A 선으로 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 B-B 선으로 절단한 단면을 나타내는 도면,
도 6은 도 2에 도시된 반도체 발광소자의 후면을 보여주는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면.1 is a view showing a conventional light emitting device,
2 illustrates an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure;
3 is a view showing a front face of the semiconductor light emitting device shown in FIG.
4 is a cross-sectional view taken along line AA of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3;
5 is a cross-sectional view taken along line BB of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3;
6 is a view illustrating a rear surface of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2;
7 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing (s).

도 2는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다. 2 is a view illustrating an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(100)는 프레임 전극(10), 리드 전극(70), 발광칩(30) 및 몰드 몸체(50)를 포함한다.The semiconductor light emitting device 100 includes a frame electrode 10, a lead electrode 70, a light emitting chip 30, and a mold body 50.

프레임 전극(10)은 바닥부(11) 및 테두리부(13)를 포함한다. 바닥부(11)는 일 예로, 일측으로 길게 대략 긴 변과 짧은 변을 갖는 직사각 형상을 갖는다. 테두리부(13)는 바닥부(11)로부터 상측으로 돌출되며 바닥부(11)의 바깥쪽으로 기울어져 경사를 이룬다. 도 2에서 테두리부(13)는 몰드 몸체(50)에 매입되어 있으므로 점선으로 도시되어 있다. 도 2에 도시된 것과 다르게 테두리부(13)는 바닥부(11)와 수직을 이루도록 돌출될 수도 있다. 테두리부(13)는 바닥부(11) 둘레에 전체적으로 형성될 수도 있고, 일부에만 형성될 수도 있다. 도 2에는 테두리부(13)가 바닥부(11) 둘레에 전체적으로 형성된 예가 도시되어 있다.The frame electrode 10 includes a bottom portion 11 and an edge portion 13. The bottom portion 11 has, for example, a rectangular shape having a long side and a short side that are long to one side. The edge portion 13 protrudes upward from the bottom portion 11 and is inclined outward of the bottom portion 11 to form an inclination. In FIG. 2, the rim 13 is embedded in the mold body 50 and is shown in dashed lines. Unlike the illustrated in FIG. 2, the edge portion 13 may protrude to be perpendicular to the bottom portion 11. The edge portion 13 may be formed around the bottom portion 11 as a whole, or may be formed only in part. 2 shows an example in which the edge portion 13 is formed around the bottom portion 11 as a whole.

도 3은 도 2에 도시된 반도체 발광소자의 전면(front face)을 보여주는 도면이다.FIG. 3 is a view illustrating a front face of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2.

리드 전극(70)은 프레임 전극(10)과 떨어져 위치하며, 일 예로, 짧은 변측 테두리부(13)와 마주하게 위치한다. The lead electrode 70 is positioned away from the frame electrode 10 and, for example, is positioned to face the short side edge portion 13.

프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)은 구리와 같이 전기 및 열 전도성이 우수한 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 구리 박판이 패터닝되어 다수의 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)을 갖는 리드 프레임이 형성된다. The frame electrode 10 and the lead electrode 70 may be formed of a metal having excellent electrical and thermal conductivity such as copper. For example, a thin copper sheet is patterned to form a lead frame having a plurality of frame electrodes 10 and lead electrodes 70.

다수의 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)은 각 반도체 발광소자(100)가 형성될 위치에 대응하게 형성된다. 리드 프레임에 프레스(press) 공정이 수행될 수 있다. 그 결과 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)의 형상이 일부 변경되어 도 2 및 3에 도시된 것과 같은 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)이 형성될 수 있다.The plurality of frame electrodes 10 and lead electrodes 70 are formed corresponding to the positions where the semiconductor light emitting devices 100 are to be formed. A press process may be performed on the lead frame. As a result, the shapes of the frame electrode 10 and the lead electrode 70 may be partially changed to form the frame electrode 10 and the lead electrode 70 as shown in FIGS. 2 and 3.

발광칩(30)은, 예를 들어, n형 반도체층, p형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 구비하는 pn 접합 발광소자이다. 발광칩(30)은 프레임 전극(10)의 바닥부(11)에 본딩될 수 있다. 발광칩(30)은 바닥부(11)에 본딩되어 전기적으로 연결되거나 와이어 연결에 의해 바닥부(11)와 전기적으로 연결될 수도 있다. The light emitting chip 30 is, for example, a pn junction light emitting device including an n-type semiconductor layer, a p-type semiconductor layer, and an active layer interposed therebetween. The light emitting chip 30 may be bonded to the bottom 11 of the frame electrode 10. The light emitting chip 30 may be electrically connected by being bonded to the bottom 11, or may be electrically connected to the bottom 11 by a wire connection.

몰드 몸체(50)는 플라스틱 사출물, 예를 들어, 백색 수지로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전술된 리드 프레임을 패키지 사출 틀에 배치하고 백색 수지를 패키지 사출 틀에 사출시켜 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)에 백색 수지를 입혀 도 2 및 3에 도시된 것과 같이 몰드 몸체(50), 프레임 전극(10) 및 리드 전극(70)이 결합된다.The mold body 50 may be made of plastic injection molding, for example white resin. For example, the above-described lead frame is placed in the package injection mold and the white resin is injected into the package injection mold so that the white resin is coated on the frame electrode 10 and the lead electrode 70 to be molded as shown in FIGS. 2 and 3. The body 50, the frame electrode 10 and the lead electrode 70 are combined.

도 4는 도 3에 도시된 반도체 발광소자를 A-A 선으로 절단한 단면을 나타내는 도면이다. 도 5는 도 3에 도시된 반도체 발광소자(100)를 B-B 선으로 절단한 단면을 나타내는 도면이다. 4 is a cross-sectional view taken along line A-A of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3. 5 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 100 illustrated in FIG. 3 taken along line B-B.

프레임 전극(10)의 바닥부(11)가 몰드 몸체(50)로부터 노출되며, 몰드 몸체(50)는 결합 강화부(59)를 포함한다. 결합 강화부(59)는 몰드 몸체(50)의 일부로서 몰드 몸체(50)의 사출공정에서 프레임 전극(10)의 테두리부(13)를 커버하도록 형성된다. 결합 강화부(59)는 테두리부(13)를 따라 형성되며, 바닥부(11)에 대해 바닥부(11) 바깥쪽으로 기울어진 경사를 이룬다.The bottom 11 of the frame electrode 10 is exposed from the mold body 50, and the mold body 50 includes a bond reinforcement 59. The coupling reinforcement 59 is formed as a part of the mold body 50 to cover the edge portion 13 of the frame electrode 10 in the injection process of the mold body 50. Coupling reinforcement portion 59 is formed along the edge portion 13, and forms a slope inclined outward to the bottom portion 11 with respect to the bottom portion (11).

노출된 바닥부(11)와 결합 강화부(59)는 반도체 발광소자(100)의 캐비티(cavity)(4)를 형성한다. 캐비티(4)로 노출된 바닥부(11)에는 발광칩(30)이 위치한다. 리드 전극(70)의 일부가 몰드 몸체(50)로부터 노출되어 있고, 발광칩(30)과 노출된 리드 전극(70)이 와이어(31)로 전기적으로 연결되어 있다.The exposed bottom part 11 and the coupling reinforcing part 59 form a cavity 4 of the semiconductor light emitting device 100. The light emitting chip 30 is positioned at the bottom 11 exposed by the cavity 4. A part of the lead electrode 70 is exposed from the mold body 50, and the light emitting chip 30 and the exposed lead electrode 70 are electrically connected to the wire 31.

이와 같이 프레임 전극(10)의 테두리부(13)를 몰드 몸체(50)로 커버하면 프레임 전극(10)과 몰드 몸체(50)의 결합을 더욱 견고하게 할 수 있다. 특히, 도 4 및 5에 도시된 것과 같이, 프레임 전극(10)이 몰드 몸체(50)의 하부에 위치하는 경우 프레임 전극(10)에 외력이 크게 가해질 수 있는데, 테두리부(13)를 커버하는 몰드 몸체(50)의 결합 강화부(59)에 의해 몰드 몸체(50)와 프레임 전극(10)을 더욱 확실하게 결합시킬 수 있다.As such, when the edge 13 of the frame electrode 10 is covered with the mold body 50, the coupling between the frame electrode 10 and the mold body 50 may be more firmly performed. In particular, as shown in FIGS. 4 and 5, when the frame electrode 10 is positioned below the mold body 50, an external force may be applied to the frame electrode 10, which covers the edge portion 13. By the coupling reinforcement 59 of the mold body 50, the mold body 50 and the frame electrode 10 can be more securely coupled.

또한, 결합 강화부(59)는 도 4 및 도 5에 도시된 것과 같이 바닥부(11)의 일부까지 커버할 수 있으며, 이에 의해 몰드 몸체(50)와 프레임 전극(10) 간의 결합이 더욱 견고해 질 수 있다.In addition, the coupling reinforcement 59 may cover up to a part of the bottom 11 as shown in FIGS. 4 and 5, whereby the coupling between the mold body 50 and the frame electrode 10 is more robust. Can be done.

도 6은 도 2에 도시된 반도체 발광소자의 후면을 보여주는 도면이다.FIG. 6 is a view illustrating a rear surface of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 2.

몰드 몸체(50)는 발광칩(30) 및 바닥부(11)가 노출되는 전면(51)과, 전면(51)과 대향하는 후면(53), 전면(51)과 후면(53)을 연결하는 측면(55, 57)을 구비한다. 바닥부(11)는 발광칩(30)이 위치하는 상면과 상면과 대향하는 하면을 구비한다.The mold body 50 connects the front surface 51 to which the light emitting chip 30 and the bottom portion 11 are exposed, and a rear surface 53 facing the front surface 51 and a front surface 51 and the rear surface 53. Sides 55, 57 are provided. The bottom 11 has a top surface on which the light emitting chip 30 is located and a bottom surface facing the top surface.

반도체 발광소자(100)는 별도의 히트싱크를 구비하지 않고, 프레임 전극(10)이 넓은 면적을 가지므로 프레임 전극(10)을 통해 방열을 효과적으로 할 수 있다. 방열효율 향상을 위해 프레임 전극(10)의 일부를 몰드 몸체(50)의 외측으로 노출하는 것이 바람직하다. 상기 설명된 반도체 발광소자(100)는 바닥부(11)의 하면이 몰드 몸체(50)의 후면(53)으로 노출되어 있다. 따라서 몰드 몸체(50)의 후면(53)으로 노출된 바닥부(11)를 통해 발광칩(30)에서 발생된 열이 효과적으로 방열될 수 있다.Since the semiconductor light emitting device 100 does not have a separate heat sink and the frame electrode 10 has a large area, heat dissipation can be effectively performed through the frame electrode 10. In order to improve the heat radiation efficiency, it is preferable to expose a part of the frame electrode 10 to the outside of the mold body 50. In the semiconductor light emitting device 100 described above, the bottom surface of the bottom portion 11 is exposed to the rear surface 53 of the mold body 50. Therefore, heat generated from the light emitting chip 30 may be effectively dissipated through the bottom 11 exposed to the rear surface 53 of the mold body 50.

프레임 전극(10)은 외부로부터 전원이 인가되는 제1 접속단(15)을 구비한다. 제1 접속단(15)은 테두리부(13)로부터 돌출되어 몰드 몸체(50)의 후면(53)을 향해 굴곡된 후 일 측면(55)으로 노출되어 있다.The frame electrode 10 has a first connection end 15 to which power is applied from the outside. The first connection end 15 protrudes from the edge portion 13 and is bent toward the rear surface 53 of the mold body 50 and then exposed to one side 55.

리드 전극(70)은 본딩부(71) 및 제2 접속단(75)을 포함한다. 본딩부(71)는 전술된 것과 같이 발광칩(30)과 와이어(31)로 연결된다. 제2 접속단(75)은 본딩부(71)로부터 돌출되어 후면(53)을 향해 굴곡된 후 제1 접속단(15)과 대향하는 측면(57)으로 노출되어 있다.The lead electrode 70 includes a bonding portion 71 and a second connection end 75. The bonding part 71 is connected to the light emitting chip 30 and the wire 31 as described above. The second connection end 75 protrudes from the bonding portion 71 and is bent toward the rear surface 53, and then exposed to the side surface 57 facing the first connection end 15.

제1 접속단(15) 및 제2 접속단(75)이 몰드 몸체(50)의 외부로 노출되어 방열에 유리하며, 전술한 것과 같이, 굴곡된 형상을 가져서 몰드 몸체(50)와의 결합이 더욱 견고하게 된다.The first connection end 15 and the second connection end 75 are exposed to the outside of the mold body 50, which is advantageous for heat dissipation. As described above, the first connection end 15 and the second connection end 75 have a bent shape, so that the connection with the mold body 50 is further improved. Will be firm.

캐비티(4)에는 투광성의 봉지재(80)가 채워져 있다. 봉지재(80)에 의해 발광칩(30)이 보호되며, 봉지재(80)에는 형광물질이 함유될 수 있다. 봉지재(80)는 바닥부(11), 결합 강화부(59) 및 본딩부(71)에 접한다. 봉지재(80)는 투광성 수지로 이루어질 수 있으며, 투광성 수지는 프레임 전극(10)과 같은 금속보다는 몰드 몸체(50)와 같은 수지와 더욱 잘 결합될 수 있다. 따라서 프레임 전극(10)의 테두리부(13)를 결합 강화부(59)가 커버하면 결합 강화부(59)가 투광성 봉지재(80)와 접하므로 투광성 봉지재(80)가 몰드 몸체(50)로부터 이탈되는 결함이 더욱 감소된다.The cavity 4 is filled with the transparent sealing material 80. The light emitting chip 30 is protected by the encapsulant 80, and the encapsulant 80 may contain a fluorescent material. The encapsulant 80 is in contact with the bottom 11, the coupling reinforcement 59 and the bonding 71. The encapsulant 80 may be made of a light transmissive resin, and the light transmissive resin may be better combined with a resin such as the mold body 50 than a metal such as the frame electrode 10. Therefore, when the coupling reinforcement 59 covers the edge portion 13 of the frame electrode 10, the coupling reinforcement 59 contacts the light-transmissive encapsulant 80, so that the light-transmissive encapsulant 80 is molded into the mold body 50. Defects from deviating are further reduced.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 예를 나타내는 도면이다.7 illustrates another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

반도체 발광소자(300)는 결합 강화부(359)에 단이 형성된 것을 제외하고는 도 2 내지 도 6에서 설명된 반도체 발광소자(100)와 실질적으로 동일하다. 따라서 중복된 설명은 생략한다.The semiconductor light emitting device 300 is substantially the same as the semiconductor light emitting device 100 described with reference to FIGS. 2 to 6 except that a stage is formed in the coupling reinforcement 359. Therefore, redundant description is omitted.

결합 강화부(359)에는 프레임 전극(310)의 테두리부(313) 상단에 대응하는 위치에 단이 형성되어 몰드 몸체(350)의 상면(351)까지 연결된다. 이와 같이 결합 강화부(359)에 단을 형성되고 투광성 봉지재(380)가 단이 형성된 위치까지만 채워질 수 있다.In the coupling reinforcement 359, a stage is formed at a position corresponding to an upper end of the edge portion 313 of the frame electrode 310 to be connected to the upper surface 351 of the mold body 350. As such, a stage is formed in the coupling reinforcing portion 359 and the light-transmissive encapsulant 380 may be filled only to the position where the stage is formed.

이에 의해 도 2 내지 6에서 설명된 반도체 발광소자의 장점에 더하여 봉지재(380)를 절약할 수 있고, 봉지재가 다른 물건에 닿아 손상되는 결함이 감소될 수 있다.As a result, in addition to the advantages of the semiconductor light emitting device described with reference to FIGS. 2 to 6, the encapsulant 380 may be saved, and defects in which the encapsulant contacts and damages other objects may be reduced.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the coupling reinforcing portion and the bottom portion form a cavity.

(2) 프레임 전극과 떨어져 위치하며, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 전기적으로 연결된 리드 전극; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) a lead electrode positioned away from the frame electrode and partially exposed from the mold body and electrically connected to the light emitting chip; A semiconductor light emitting device comprising a further.

(3) 결합 강화부는 바닥부의 일부까지 커버하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the coupling reinforcing part covers up to a part of the bottom part.

(4) 몰드 몸체는 발광칩 및 바닥부가 노출되는 전면과, 전면과 대향하는 후면을 구비하고, 바닥부는 발광칩이 위치하는 상면과 상면과 대향하는 하면을 구비하며, 바닥부의 하면의 적어도 일부가 몰드 몸체의 후면으로 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The mold body has a front surface to which the light emitting chip and the bottom part are exposed, and a rear surface opposite to the front surface, and the bottom part has a top surface on which the light emitting chip is located and a bottom surface opposite to the top surface, and at least a part of the bottom surface of the bottom portion is A semiconductor light emitting device, characterized in that exposed to the back of the mold body.

(5) 몰드 몸체는 백색 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) A semiconductor light emitting element, characterized in that the mold body is made of white resin.

(6) 프레임 전극과 떨어져 위치하며, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 전기적으로 연결된 리드 전극;을 더 포함하며, 결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 형성하고, 결합 강화부는 리드 전극의 일부를 커버하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(6) a lead electrode positioned apart from the frame electrode and partially exposed from the mold body and electrically connected to the light emitting chip, wherein the coupling reinforcement and the bottom form a cavity, and the coupling reinforcement is a lead electrode. A semiconductor light emitting device characterized in that it covers a part of.

(7) 몰드 몸체는 발광칩 및 바닥부가 노출되는 전면과, 전면과 대향하는 후면과, 전면과 후면을 연결하는 측면을 구비하고, 프레임 전극은 테두리부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 측면으로 노출되는 제1 접속단을 구비하며, 리드 전극은 결합 강화부에 의해 부분적으로 커버되며 발광칩과 와이어 본딩되는 본딩부와, 본딩부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 제1 접속단과 대향하는 측면으로 노출되는 제2 접속단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The mold body has a front surface where the light emitting chip and the bottom are exposed, a rear surface facing the front surface, and a side surface connecting the front surface and the rear surface, and the frame electrode protrudes from the edge portion and is bent toward the rear surface to the side surface. The lead electrode has an exposed first connection end, and the lead electrode is partially covered by the coupling reinforcement part, the bonding part wire-bonded with the light emitting chip, and the side facing the first connection end after protruding from the bonding part toward the rear surface. And a second connection end exposed to the semiconductor light emitting device.

(8) 캐비티에 채워지며, 바닥부 및 결합 강화부 및 리드 전극에 접하는 투광성 봉지재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) a light-transmitting encapsulant filled in the cavity and in contact with the bottom portion, the bonding reinforcement portion, and the lead electrode.

(9) 결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 이루며, 몰드 몸체는 캐비티가 형성된 전면과, 전면과 대향하는 후면과, 전면과 후면을 연결하는 측면을 구비하고, 바닥부는 발광칩이 위치하는 상면과 상면과 대향하는 하면을 구비하며, 바닥부의 하면이 몰드 몸체의 후면으로 노출되며, 프레임 전극은 테두리부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 측면으로 노출되는 제1 접속단을 구비하며, 프레임 전극과 떨어져 위치하는 리드 전극;으로서, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 와이어 본딩되는 본딩부와, 본딩부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 제1 접속단과 대향하는 측면으로 노출되는 제2 접속단을 구비하는 리드 전극;을 포함하며, 몰드 몸체는 백색 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) the coupling reinforcing portion and the bottom portion forms a cavity, the mold body has a front surface with a cavity formed, a rear surface facing the front surface, a side connecting the front surface and the rear surface, and the bottom portion is a light emitting chip A top surface and a bottom surface opposite to the top surface, the bottom surface of the bottom portion is exposed to the rear surface of the mold body, and the frame electrode has a first connection end that protrudes from the edge portion and is bent toward the rear surface and then is exposed to the side surface. A lead electrode positioned away from the electrode, the second portion being partially exposed from the mold body to be wire-bonded with the light emitting chip, and protruding from the bonding part to be bent toward the rear surface and then exposed to a side facing the first connection end; And a lead electrode having a connection end, wherein the mold body is made of a white resin.

본 개시에 따른 반도체 발광소자에 의하면, 반도체 발광소자의 구성요소들 간의 결합의 신뢰성이 향상되어 외력에 의한 손상이 감소된다.According to the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the reliability of the coupling between the components of the semiconductor light emitting device is improved to reduce damage caused by external force.

100 : 발광소자 10 : 프레임 전극
11 : 바닥부 13 : 테두리부
30 : 발광칩 50 : 몰드 몸체
59 : 결합 강화부 70 : 리드 전극100 light emitting element 10 frame electrode
11: bottom portion 13: border portion
30: light emitting chip 50: mold body
59: coupling reinforcement 70: lead electrode

Claims (10)

바닥부와, 바닥부와 경사를 이루도록 바닥부로부터 돌출된 테두리부를 구비하는 프레임 전극;
바닥부에 위치하며, 프레임 전극에 전기적으로 연결된 발광칩;
적어도 발광칩이 위치한 바닥부가 노출되도록 프레임 전극에 입혀진 몰드 몸체;로서, 테두리부를 커버하며 바닥부에 접하는 결합 강화부를 구비하며, 결합 강화부는 몰드 몸체의 다른 부분과 동일한 재질로 일체로 이루어진 몰드 몸체; 및
프레임 전극과 떨어져 위치하며, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 전기적으로 연결된 리드 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A frame electrode having a bottom portion and an edge portion protruding from the bottom portion so as to be inclined with the bottom portion;
A light emitting chip positioned on the bottom and electrically connected to the frame electrode;
A mold body coated on the frame electrode to expose at least a bottom portion at which the light emitting chip is located, the mold body covering the edge portion and having a bonding reinforcing portion contacting the bottom portion, wherein the coupling reinforcing portion is integrally formed of the same material as the other portions of the mold body; And
And a lead electrode positioned apart from the frame electrode and partially exposed from the mold body and electrically connected to the light emitting chip. 청구항 1에 있어서,
결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
And a coupling reinforcing portion and a bottom portion forming a cavity. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
결합 강화부는 바닥부의 일부까지 커버하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
The coupling reinforcing part covers a part of the bottom portion, the semiconductor light emitting device. 청구항 1에 있어서,
몰드 몸체는 발광칩 및 바닥부가 노출되는 전면과, 전면과 대향하는 후면을 구비하고, 바닥부는 발광칩이 위치하는 상면과 상면과 대향하는 하면을 구비하며, 바닥부의 하면의 적어도 일부가 몰드 몸체의 후면으로 노출된 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The mold body has a front surface to which the light emitting chip and the bottom part are exposed, and a rear surface opposite to the front surface, and the bottom part has a top surface on which the light emitting chip is located and a bottom surface opposite to the top surface, and at least a part of the bottom surface of the bottom part of the mold body A semiconductor light emitting device, characterized in that exposed to the back. 청구항 1에 있어서,
몰드 몸체는 백색 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The mold body is a semiconductor light emitting device, characterized in that made of white resin. 청구항 1에 있어서,
프레임 전극과 떨어져 위치하며, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 전기적으로 연결된 리드 전극;을 더 포함하며, 결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 형성하고, 결합 강화부는 리드 전극의 일부를 커버하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
A lead electrode positioned away from the frame electrode and partially exposed from the mold body and electrically connected to the light emitting chip; the coupling reinforcement part and the bottom part form a cavity, and the coupling reinforcement part of the lead electrode; Covering a semiconductor light emitting device. 청구항 7에 있어서,
몰드 몸체는 발광칩 및 바닥부가 노출되는 전면과, 전면과 대향하는 후면과, 전면과 후면을 연결하는 측면을 구비하고,
프레임 전극은 테두리부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 측면으로 노출되는 제1 접속단을 구비하며,
리드 전극은 결합 강화부에 의해 부분적으로 커버되며 발광칩과 와이어 본딩되는 본딩부와, 본딩부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 제1 접속단과 대향하는 측면으로 노출되는 제2 접속단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 7,
The mold body has a front surface where the light emitting chip and the bottom are exposed, a rear surface facing the front surface, and a side surface connecting the front surface and the rear surface,
The frame electrode has a first connection end protruding from the edge portion and bent toward the rear side and then exposed to the side surface.
The lead electrode is partially covered by the coupling reinforcement, and includes a bonding portion wire-bonded with the light emitting chip, and a second connection end protruding from the bonding portion to be bent toward the rear side and then exposed to a side opposite to the first connection end. A semiconductor light emitting device, characterized in that. 청구항 7에 있어서,
캐비티에 채워지며, 바닥부 및 결합 강화부 및 리드 전극에 접하는 투광성 봉지재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 7,
And a light-transmissive encapsulant filled in the cavity and in contact with the bottom portion, the coupling reinforcement portion, and the lead electrode. 청구항 1에 있어서,
결합 강화부 및 바닥부는 캐비티(cavity)를 이루며,
몰드 몸체는 캐비티가 형성된 전면과, 전면과 대향하는 후면과, 전면과 후면을 연결하는 측면을 구비하고, 바닥부는 발광칩이 위치하는 상면과 상면과 대향하는 하면을 구비하며, 바닥부의 하면이 몰드 몸체의 후면으로 노출되며,
프레임 전극은 테두리부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 측면으로 노출되는 제1 접속단을 구비하며,
프레임 전극과 떨어져 위치하는 리드 전극;으로서, 몰드 몸체로부터 일부가 노출되어 발광칩과 와이어 본딩되는 본딩부와, 본딩부로부터 돌출되어 후면을 향해 굴곡된 후 제1 접속단과 대향하는 측면으로 노출되는 제2 접속단을 구비하는 리드 전극;을 포함하며,
몰드 몸체는 백색 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The joint reinforcement and the bottom form a cavity,
The mold body has a front surface where the cavity is formed, a rear surface facing the front surface, and a side surface connecting the front surface and the rear surface, and the bottom portion has a top surface on which the light emitting chip is located and a bottom surface facing the top surface. Exposed to the back of the body,
The frame electrode has a first connection end protruding from the edge portion and bent toward the rear side and then exposed to the side surface.
A lead electrode spaced apart from the frame electrode, the bonding part being exposed from the mold body and wire-bonded with the light emitting chip, and protruding from the bonding part to be bent toward the rear surface and exposed to the side facing the first connection end; A lead electrode having two connection ends;
The mold body is a semiconductor light emitting device, characterized in that made of white resin.
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