KR101238838B1 - Method for measuring terrace of epitaxial wafer - Google Patents

Method for measuring terrace of epitaxial wafer Download PDF

Info

Publication number
KR101238838B1
KR101238838B1 KR1020110016941A KR20110016941A KR101238838B1 KR 101238838 B1 KR101238838 B1 KR 101238838B1 KR 1020110016941 A KR1020110016941 A KR 1020110016941A KR 20110016941 A KR20110016941 A KR 20110016941A KR 101238838 B1 KR101238838 B1 KR 101238838B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
epitaxial wafer
angle
terrace
obtaining
rays
Prior art date
Application number
KR1020110016941A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120097625A (en
Inventor
심우영
박정길
Original Assignee
주식회사 엘지실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지실트론 filed Critical 주식회사 엘지실트론
Priority to KR1020110016941A priority Critical patent/KR101238838B1/en
Publication of KR20120097625A publication Critical patent/KR20120097625A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101238838B1 publication Critical patent/KR101238838B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/08—Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/10—Different kinds of radiation or particles
    • G01N2223/101—Different kinds of radiation or particles electromagnetic radiation
    • G01N2223/1016—X-ray

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

실시예는 XRD 방법으로 에피택셜 웨이퍼 표면의 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계; 및 상기 오프 각도와 오프 방향으로부터 상기 에피택셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 구하는 단계를 포함하는 에피택셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법을 제공한다.Embodiments include obtaining an off angle and an off direction of an epitaxial wafer surface by an XRD method; And obtaining a terrace structure of the epitaxial wafer surface from the off angle and the off direction.

Description

에피텍셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법{Method for measuring terrace of epitaxial wafer}Method for measuring terrace of epitaxial wafer

실시예는 반도체 소자의 기판으로 사용되는 웨이퍼에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼의 테라스(terrace) 구조를 측정하는 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a wafer used as a substrate of a semiconductor device, and more particularly, to a method of measuring a terrace structure of a silicon wafer.

에피텍셜 웨이퍼(Epitaxial wafer)는 기존의 웨이퍼 표면 위에 단결정 실리콘을 증착시키는 에피텍시(Epitaxy) 공정을 거친 웨이퍼이다.An epitaxial wafer is an epitaxial process that deposits single crystal silicon on a conventional wafer surface.

에피텍셜 웨이퍼는 장치의 종류에 따라 다양한 구조로 제작 가능하고, 폴리시드(polished) 웨이퍼의 표면 또는 표면 근처에 존재하는 미소 결함을 제어하여 장치 제조 후 GOI(Gate Oxide Integrity) 특성을 개선시킬 수 있다.The epitaxial wafer can be manufactured in various structures according to the type of the device, and can improve the gate oxide integrity (GOI) properties after the device is manufactured by controlling the micro defects present on or near the surface of the polished wafer. .

상기 에피텍셜 웨이퍼는 제조 방법의 특성에 의하여 표면에 헤이즈(haze)가 형성되는 경우가 많다. 이러한 헤이즈는 반도체용 웨이퍼를 측정하는 장치들에 영향을 줄 수 있다.In the epitaxial wafer, haze is often formed on the surface due to the characteristics of the manufacturing method. This haze can affect devices for measuring wafers for semiconductors.

상술한 문제점을 방지하기 위하여, 에피텍셜 웨이퍼의 제조시에 결정 축과 일정 각도를 틀어서 제조한다. 결정 축과 일정 각도를 틀어주는 것을 오프(off)를 준다고 하는데, 오프 각도가 문제된다.In order to prevent the above-mentioned problem, the epitaxial wafer is manufactured by twisting the crystal axis with a predetermined angle during the manufacture of the epitaxial wafer. Turning off a certain angle with the crystal axis is said to give off, which is a problem.

여기서, 상술한 오프 각도는 에피텍셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조에 직접적인 영향을 주며, 이러한 구조적인 특징 때문에 에피텍셜 웨이퍼의 표면에 헤이즈가 발생할 수 있다. 즉, 에피텍셜 웨이퍼를 제조할 때 기판으로 사용되는 웨이퍼에 구조적으로 오프 각도를 주며, 이때 공정 중에 에피텍셜 웨이퍼의 표면에 테라스 구조가 형성되며, 테라스 구조는 웨이퍼의 검사나 공정 중에 헤이즈를 유발하는 것이다.Here, the above-described off angle directly affects the terrace structure of the epitaxial wafer surface, and because of this structural feature, haze may occur on the surface of the epitaxial wafer. That is, when the epitaxial wafer is manufactured, the wafer is used as a structural off angle, and a terrace structure is formed on the surface of the epitaxial wafer during the process, and the terrace structure causes haze during the inspection or the process of the wafer. will be.

헤이즈가 발생된 웨이퍼는 주로 AFM(Atomic Force Microscope)을 통하여 표면 텍스쳐(texture)를 분석하며, 테라스 구조를 분석한다. 원자 현미경의 한 종류인 AFM은 날카로운 탐침(Tip)이 시료 표면에 수 옹스트롱(Å 이내로 접근할 때 작용하는 원자력에 의한 cantilever의 굽힘을 측정하고, 피드백 제어하여 웨이퍼 표면의 3차원 이미지를 얻는 초정밀 장치이다.Haze-produced wafers mainly analyze surface textures through atomic force microscopy (AFM) and terrace structures. AFM, a type of atomic microscope, measures the bending of cantilever by nuclear power acting when a sharp tip approaches the sample surface within a few angstroms and provides feedback control to obtain a three-dimensional image of the wafer surface. Device.

그러나, 상술한 AFM을 이용한 웨이퍼 표면의 테라스 구조 분석은 측정 시간이 오래 걸리며 측정하고자 하는 샘플의 표면 상태에 따라 테라스 구조를 성공적으로 분석하는데 어려움이 따른다.However, the terrace structure analysis of the wafer surface using the above-described AFM takes a long time and it is difficult to successfully analyze the terrace structure according to the surface state of the sample to be measured.

그리고, 상기 AFM은 상기 cantilever의 상태에 따라 정확한 평가가 어렵고, 작업자의 능력에 평가의 정확도가 좌우되어서 데이터(data)의 정량화가 어렵다.Further, the AFM is difficult to accurately evaluate according to the state of the cantilever, and the accuracy of the evaluation depends on the ability of the worker, making it difficult to quantify the data.

실시예는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에피텍셜 웨이퍼의 테라스 구조를 정확히 측정하는 방법을 제공하고자 한다.The embodiment is to solve the above-described problem, to provide a method for accurately measuring the terrace structure of the epitaxial wafer.

실시예는 XRD 방법으로 에피택셜 웨이퍼 표면의 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계; 및 상기 오프 각도와 오프 방향으로부터 상기 에피택셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 구하는 단계를 포함하는 에피택셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법을 제공한다.Embodiments include obtaining an off angle and an off direction of an epitaxial wafer surface by an XRD method; And obtaining a terrace structure of the epitaxial wafer surface from the off angle and the off direction.

여기서, 상기 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계는 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에 X선을 방향을 달리하여 적어도 2회 입사할 수 있다.Here, the step of obtaining the off angle and the off direction may be incident on the surface of the epitaxial wafer at least twice by changing the X-ray direction.

그리고, 상기 에피택셜 웨이퍼의 노치 방향 또는 플랫 방향 중 어느 하나를 기준으로, 상기 X선의 입사 방향을 변경할 수 있다.The incidence direction of the X-rays may be changed based on either the notch direction or the flat direction of the epitaxial wafer.

그리고, 상기 테라스 구조를 구하는 단계는 tan θ=h/L으로부터 구할 수 있다. (여기서, θ는 상기 오프 각도이고, h는 테라스 구조의 높이이며, L은 테라스 구조의 간격이다.)The step of obtaining the terrace structure can be obtained from tan θ = h / L. (Where θ is the off angle, h is the height of the terrace structure, and L is the spacing of the terrace structure.)

그리고, 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 사인(sine) 함수로 구하고, 상기 사인 함수의 진폭을 오프 각도의 크기로 결정할 수 있다.The X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer may be obtained by a sine function, and the amplitude of the sine function may be determined as the magnitude of the off angle.

또한, 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 사인(sine) 함수로 구하고, 상기 사인 함수의 진폭이 최소인 방향을 오프 방향으로 결정할 수 있다.In addition, the X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer may be obtained by a sine function, and the direction in which the amplitude of the sine function is minimum may be determined as the off direction.

실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법은, XRD 방법을 이용하여 결정 배열과 오프 방향/각도를 통하여 테라스 구조를 분석하므로, 종래의 AFM을 이용하는 방법과 달리 장비 특성이나 샘플 상태 또는 작업자의 역량에 관계 없이 정확하게 웨이퍼의 테라스를 측정할 수 있다.The epitaxial wafer terrace measurement method according to the embodiment analyzes the terrace structure through crystal arrangement and off direction / angle by using the XRD method. Irrespective of whether the terrace of the wafer can be measured accurately.

도 1은 에피텍셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 나타낸 도면이고,
도 2a 및 도 2b는 XRD 방법을 이용한 에피텍셜 웨이퍼 표면의 오프 각도를 구하는 방법을 나타낸 도면이고,
도 3은 XRD 방법을 통하여 측정한 에피텍셜 웨이퍼 표면의 오프 각도를 나타낸 표이다.1 is a view showing the terrace structure of the epitaxial wafer surface,
2A and 2B are diagrams showing a method of obtaining an off angle of an epitaxial wafer surface using the XRD method.
3 is a table showing the off angle of the epitaxial wafer surface measured by the XRD method.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 종래와 동일한 구성 요소는 설명의 편의상 동일 명칭 및 동일 부호를 부여하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The same components as in the prior art are given the same names and the same reference numerals for convenience of description, and detailed description thereof will be omitted.

도 1은 에피텍셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 나타낸 도면이고, 도 2a 및 도 2b는 XRD 방법을 이용한 에피텍셜 웨이퍼 표면의 오프 각도를 구하는 방법을 나타낸 도면이다.1 illustrates a terrace structure of an epitaxial wafer surface, and FIGS. 2A and 2B illustrate a method of obtaining an off angle of an epitaxial wafer surface using an XRD method.

이하에서, 도 1 내지 도 2b를 참조하여 에피텍셜 웨이퍼 표면의 오프 각도/방향을 구하는 방법을 설명한다.Hereinafter, a method of obtaining the off angle / direction of the epitaxial wafer surface will be described with reference to FIGS. 1 to 2B.

본 실시예에서는 XRD(X선 Diffracton) 방법으로 에피택셜 웨이퍼 표면의 오프 각도와 오프 방향을 구하고, 상기 오프 각도와 오프 방향으로부터 상기 에피택셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 구한다.In this embodiment, the off angle and off direction of the epitaxial wafer surface are obtained by XRD (X-ray Diffracton) method, and the terrace structure of the epitaxial wafer surface is obtained from the off angle and off direction.

즉, X선(X선)은 전자기파이므로 파동의 특성을 갖고, 결정 표면에 입사된 X-선은 각 결정 상에서 산란된다. 이때, 산란된 X-선은 각각의 지점/방향에서 위상이 서로 다르므로 X-선은 서로 상쇄되는데, 특정 방향에서는 보강 관계를 이루게 된다.That is, since X-rays (X-rays) are electromagnetic waves, they have wave characteristics, and X-rays incident on the crystal surface are scattered on each crystal. In this case, since the scattered X-rays are different in phase at each point / direction, the X-rays cancel each other, and in a specific direction, a reinforcement relationship is achieved.

Bragg의 공식에 따르면, nλ=2d×sinθ의 관계를 이룰 때, 보강 간섭이 발생하는데, 여기서 n은 정수이고, λ는 X선의 파장이고, d는 주기 구조의 폭 즉 결정의 간격이며, θ는 결정면과 입사된 빛 사이의 각도이다.According to Bragg's formula, constructive interference occurs when a relationship nλ = 2d × sinθ occurs, where n is an integer, λ is the wavelength of the X-ray, d is the width of the periodic structure, ie the spacing of the crystals, and θ is The angle between the crystal plane and the incident light.

여기서, 도 2a와 도 2b에 도시된 바와 같이 웨이퍼의 표면에 노치 또는 플랫 방향을 기준으로 하여, X선를 방향을 바꿔가면서 복수 회 입사한다.Here, as shown in FIGS. 2A and 2B, the X-rays are incident on the surface of the wafer on the basis of the notch or flat direction, and the X-rays are incident in multiple times.

그리고, 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 사인(sine) 함수로 구하면, 상기 사인 함수의 진폭이 오프 각도가 되며, 상기 사인 함수의 진폭이 최소인 방향이 오프 방향이 된다.When the X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer are obtained by a sine function, the amplitude of the sine function is an off angle, and the direction in which the amplitude of the sine function is minimum is an off direction.

즉, 에피텍셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 측정하면 사인(sine) 함수 (y=A*sin((x-xc)/w)+p)로 곡선을 이룰 수 있다. 이때, 사인 함수의 진폭 A가 오프 각도의 크기가 된다.That is, by measuring the X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer, a curve may be formed by a sine function (y = A * sin ((x−xc) / w) + p). At this time, the amplitude A of the sine function is the magnitude of the off angle.

그리고, 사인 함수에서 w 값의 최대, 최소 값을 통하여 오프 방향을 파악할 수 있다. 즉, 도 2a에 도시된 바와 같이 에피텍셜 웨이퍼의 노치 또는 플랫 방향으로 X선을 입사하고, 도 2b에 도시된 바와 같이 상기 노치 또는 플랫 방향과 소정 각도(δ)로 X선을 입사한다.In the sine function, the off direction can be determined through the maximum and minimum values of the w value. That is, as shown in FIG. 2A, X-rays are incident in the notch or flat direction of the epitaxial wafer, and as shown in FIG. 2B, X-rays are incident at the predetermined angle δ with the notch or flat direction.

도 2a에서 노치 방향으로 X선을 입사하고, 웨이퍼의 결정면에 X선이 입사되는 각도(w)는 오프 각도(θ)와 동일하고, 도 2b에서 X선이 이루는 각도 W= θ-δ로부터 구할 수 있다.In FIG. 2A, the angle w in which the X-ray is incident in the notch direction and the X-ray is incident on the crystal plane of the wafer is equal to the off angle θ, and is obtained from the angle W = θ-δ formed in FIG. 2B. Can be.

그리고, 상술한 방법으로 구한, 오프 각도 θ와 테라스 구조의 높이 h로부터, 테라스 구조의 간격 L을 구할 수 있다. 테라스 구조의 간격은 도 1에 도시된 바와 같이 tan θ=h/L에서 계산할 수 있다. 이때, 테라스 구조의 높이 h 값은 실리콘 원자의 단층 높이인 0.14 나노미터를 적용할 수 있다.And the spacing L of a terrace structure can be calculated | required from the off angle (theta) calculated by the method mentioned above, and the height h of a terrace structure. The spacing of the terrace structures can be calculated at tan θ = h / L as shown in FIG. 1. At this time, the height h value of the terrace structure may be applied to 0.14 nanometers, the height of a single layer of silicon atoms.

도 3은 XRD 방법을 통하여 측정한 에피텍셜 웨이퍼 표면의 오프 각도를 나타낸 표이다.3 is a table showing the off angle of the epitaxial wafer surface measured by the XRD method.

도 3에서 3가지 샘플의 XRD 방법에 의하여 구한 X선의 사인 함수와 테라스 각도를 나타내고 있으며, Remark는 AFM 분석을 통하여 검증한 결과이다. X선의 사인 함수에서 w(X선이 조사되는 면과 결정 면이 이루는 각) 값을 노치를 기준으로 그래프를 그리고, 이때 최소 값이 되는 결정 방향이 오프 방향이다. 도시된 바와 같이 XRD 방법에 의하여 구한 테라스의 각도와 AFM 분석을 통한 값이 거의 일치하고 있다.In FIG. 3, the sine function and the terrace angle of the X-ray obtained by the XRD method of the three samples are shown, and Remark is a result verified through AFM analysis. In the sine function of the X-ray, a graph is drawn based on the notch of the value w (the angle between the plane to which the X-ray is irradiated and the crystal plane), and the minimum crystal direction is the off direction. As shown, the angles of the terraces obtained by the XRD method and the values obtained by the AFM analysis are almost identical.

상술한 바와 같이 XRD 방법으로 오프 각도와 오프 방향을 측정할 수 있으며, 오프 각도와 오프 방향으로 에피텍셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조의 형태 및 방향을 구할 수 있는데, 작업자의 역량에 관계없이 일정한 값을 구할 수 있다.As described above, the off angle and the off direction can be measured by the XRD method, and the shape and direction of the terrace structure of the epitaxial wafer surface can be obtained from the off angle and the off direction. Can be.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.As described above, the present invention has been described by way of limited embodiments and drawings, but the present invention is not limited to the above embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains various modifications and variations from such descriptions. This is possible.

그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be determined not only by the claims below but also by the equivalents of the claims.

Claims (6)

XRD 방법으로 에피택셜 웨이퍼 표면의 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계; 및
상기 오프 각도와 오프 방향으로부터 상기 에피택셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 구하는 단계를 포함하고,
상기 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계는 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에 X선을 방향을 달리하여 적어도 2회 입사하고, 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 사인(sine) 함수로 구하고, 상기 사인 함수의 진폭을 오프 각도의 크기로 결정하는 에피택셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법.Obtaining an off angle and an off direction of the epitaxial wafer surface by an XRD method; And
Obtaining a terrace structure of the epitaxial wafer surface from the off angle and the off direction,
The calculating of the off angle and the off direction may include injecting X-rays into the surface of the epitaxial wafer at least twice in different directions, and obtaining the X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer by a sine function. The terrace measuring method of the epitaxial wafer to determine the amplitude of the sine function as the size of the off angle. XRD 방법으로 에피택셜 웨이퍼 표면의 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계; 및
상기 오프 각도와 오프 방향으로부터 상기 에피택셜 웨이퍼 표면의 테라스 구조를 구하는 단계를 포함하고,
상기 오프 각도와 오프 방향을 구하는 단계는 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에 X선을 방향을 달리하여 적어도 2회 입사하고, 상기 에피택셜 웨이퍼의 표면에서 방출된 X선을 사인(sine) 함수로 구하고, 상기 사인 함수의 진폭이 최소인 방향을 오프 방향으로 결정하는 에피텍셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법.Obtaining an off angle and an off direction of the epitaxial wafer surface by an XRD method; And
Obtaining a terrace structure of the epitaxial wafer surface from the off angle and the off direction,
The calculating of the off angle and the off direction may include injecting X-rays into the surface of the epitaxial wafer at least twice in different directions, and obtaining the X-rays emitted from the surface of the epitaxial wafer by a sine function. The terrace measuring method of an epitaxial wafer which determines the direction in which the amplitude of the said sine function minimum is an off direction. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 에피택셜 웨이퍼의 노치 방향 또는 플랫 방향 중 어느 하나를 기준으로, 상기 X선의 입사 방향을 변경하는 에피택셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법.3. The method according to claim 1 or 2,
The terrace measuring method of the epitaxial wafer which changes the incidence direction of the X-rays based on either the notch direction or the flat direction of the epitaxial wafer. 제1 항 또는 제2 항에 있어서, 상기 테라스 구조를 구하는 단계는,
tan θ=h/L으로부터 구하는 에피텍셜 웨이퍼의 테라스 측정 방법. (여기서, θ는 상기 오프 각도이고, h는 테라스 구조의 높이이며, L은 테라스 구조의 간격이다.)The method of claim 1 or 2, wherein the step of obtaining the terrace structure,
The terrace measuring method of an epitaxial wafer calculated | required from tan (theta) = h / L. (Where θ is the off angle, h is the height of the terrace structure, and L is the spacing of the terrace structure.) 삭제delete 삭제delete
KR1020110016941A 2011-02-25 2011-02-25 Method for measuring terrace of epitaxial wafer KR101238838B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110016941A KR101238838B1 (en) 2011-02-25 2011-02-25 Method for measuring terrace of epitaxial wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110016941A KR101238838B1 (en) 2011-02-25 2011-02-25 Method for measuring terrace of epitaxial wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120097625A KR20120097625A (en) 2012-09-05
KR101238838B1 true KR101238838B1 (en) 2013-03-04

Family

ID=47108817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110016941A KR101238838B1 (en) 2011-02-25 2011-02-25 Method for measuring terrace of epitaxial wafer

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101238838B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110133017B (en) * 2019-05-31 2022-07-01 西安奕斯伟材料科技有限公司 Method for detecting melting parameter of polycrystalline silicon, monocrystalline silicon and manufacturing method thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Kuroda. R. et al., ‘Technologies for High Performance CMISFETs’, 2007.11.*
Kuroda. R. et al., 'Technologies for High Performance CMISFETs', 2007.11. *

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120097625A (en) 2012-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Losurdo et al. Spectroscopic ellipsometry and polarimetry for materials and systems analysis at the nanometer scale: state-of-the-art, potential, and perspectives
Mullin et al. A non-contact, thermal noise based method for the calibration of lateral deflection sensitivity in atomic force microscopy
CN107085003B (en) X-ray diffraction in-situ characterization method for film oriented crystal growth
Taboada et al. GaAs/Ge crystals grown on Si substrates patterned down to the micron scale
Schulze et al. Non-destructive characterization of extended crystalline defects in confined semiconductor device structures
Nour et al. Piezoelectric and opto-electrical properties of silver-doped ZnO nanorods synthesized by low temperature aqueous chemical method
KR101238838B1 (en) Method for measuring terrace of epitaxial wafer
Ageev et al. Studying the effect of geometric parameters of oriented GaAs nanowhiskers on Young’s modulus using atomic force microscopy
Medikonda et al. Measurement of periodicity and strain in arrays of single crystal silicon and pseudomorphic Si1− xGex/Si fin structures using x-ray reciprocal space maps
TW201640092A (en) Method for measuring laminated substrate, laminated substrate, and measurement device
JP2008241711A (en) Microwave waveguide probe of microwave atomic force microscope
Mathew et al. Nanoscale surface morphology modulation of graphene–i-SiC heterostructures
Vaxelaire et al. Effect of structural in-depth heterogeneities on electrical properties of Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3 thin films as revealed by nano-beam X-ray diffraction
Kwak et al. Calibration of high magnification in the measurement of critical dimension by AFM and SEM
Hecker et al. Analytics and Metrology of Strained Silicon Structures by Raman and Nano‐Raman Spectroscopy
JP6182677B2 (en) Method for measuring wafer damage depth
Ferrarini et al. Thin Films Characterization and Metrology
Lin Growth and characterization of GeSn and SiGeSn alloys for optical interconnects
Kojima et al. High resolution thickness and interface roughness characterization in multilayer thin films by grazing incidence X-ray reflectivity
de Dood et al. Superstructure and finite-size effects in a Si photonic woodpile crystal
US8716661B1 (en) Method for measuring size of specimen
Kim et al. In-line atomic resolution local nanotopography variation metrology for CMP process
Armigliato et al. Convergent beam electron diffraction investigation of strain induced by Ti self-aligned silicides in shallow trench Si isolation structures
CN116295036A (en) Optical measurement method for quantum well width and application thereof
Kim et al. In-line critical dimension and sidewall roughness metrology study for compound nanostructure process control by in-line 3D atomic force microscope

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171222

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 7