KR101231258B1 - 태양전지 및 그의 제조방법 - Google Patents

태양전지 및 그의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101231258B1
KR101231258B1 KR1020110030884A KR20110030884A KR101231258B1 KR 101231258 B1 KR101231258 B1 KR 101231258B1 KR 1020110030884 A KR1020110030884 A KR 1020110030884A KR 20110030884 A KR20110030884 A KR 20110030884A KR 101231258 B1 KR101231258 B1 KR 101231258B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
layer
electrode layer
solar cell
protective layer
Prior art date
Application number
KR1020110030884A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120113132A (ko
Inventor
이진우
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110030884A priority Critical patent/KR101231258B1/ko
Publication of KR20120113132A publication Critical patent/KR20120113132A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101231258B1 publication Critical patent/KR101231258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03923Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIBIIICVI compound materials, e.g. CIS, CIGS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0749Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type including a AIBIIICVI compound, e.g. CdS/CulnSe2 [CIS] heterojunction solar cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 기판의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층을 포함한다.
상기와 같은 발명은 기판의 하부면에 보호층을 형성함으로써, 고온 공정 중 기판에 발생되는 크랙으로부터 파손이 더 진행되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Description

태양전지 및 그의 제조방법{SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
실시예는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지의 불량을 방지하기 위한 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 역할을 하며, 이러한 태양전지는 최근 에너지의 수요가 증가함에 따라 상업적으로 널리 이용되고 있다.
종래 태양전지는 이면 전극층, 광 흡수층, 투명 전극층이 투명한 유리 기판 상에 적층되어 형성되며, 이면 전극층과 투명 전극층을 전기적으로 연결함으로써 태양전지가 완성된다.
하지만, 태양전지는 고온의 공정 조건하에서 이루어지기 때문에 유리 기판은 크랙(Crack) 등의 파손이 일어날 수 있으며, 파손된 기판을 통해 수분이나 이물질이 침투하여 태양전지의 불량을 발생시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 수분 및 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 기판의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층을 포함한다.
또한, 본 발명의 태양전지 제조방법은 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계와, 상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성시키는 단계와, 상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성시키는 단계와, 상기 기판의 하부에 소수성 고분자 물질을 포함하는 보호층을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명은 기판에 보호층을 형성함으로써, 크랙이 발생된 기판을 통해 수분 및 이물질이 침투되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성된 이면 전극층(200)과, 상기 이면 전극층(200) 상에 형성된 광 흡수층(300)과, 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)과, 상기 제2 버퍼층(500) 상에 형성된 투명 전극층(600)과, 상기 기판(100)의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층(700)을 포함한다.
기판(100)은 플레이트 형상으로 형성되며, 투명한 유리 재질로 형성될 수 있다. 기판(100)은 리지드(Rigid)하거나 플렉서블(Flexible)할 수 있으며, 유리 기판 이외에 플라스틱 또는 금속 재질의 기판이 사용될 수 있다.
또한, 기판(100)으로 나트륨 성분이 포함된 소다 라임 글래스(Soda Lime Glass) 기판이 사용될 수 있다.
기판(100) 상에는 이면 전극층(200)이 형성된다. 이면 전극층(200)은 도전성 물질인 몰리브덴(Mo)을 사용하여 형성할 수 있다. 물론, 이면 전극층(200)은 몰리브덴 외에 다양한 금속 재질을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 이면 전극층(200)은 동종 또는 이종 금속을 이용하여 두 개 이상의 층을 이루도록 형성될 수도 있다.
이면 전극층(200) 상에는 광 흡수층(300)이 형성된다. 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하며, 예컨대 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
광 흡수층(300)의 상부에는 제1 버퍼층(400)이 직접 접촉되어 형성되며, 광 흡수층(300)과 이후 설명될 투명 전극층(600)의 에너지 갭 차이를 완화시키는 역할을 한다.
제1 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 물질로 형성될 수 있으며, 제1 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 이면 전극층(200)과 투명 전극층(600)의 중간 정도의 크기를 가질 수 있다.
제1 버퍼층(400)의 상부에는 제2 버퍼층(500)이 형성된다. 제2 버퍼층(500)은 고저항 버퍼층으로서 광 투과율과 전기 전도성이 높은 산화아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
이러한 제2 버퍼층(500)은 투명 전극층(600) 과의 절연 및 충격 데미지(Damege)를 방지할 수 있는 효과가 있다.
투명 전극층(600)은 p형 전극 기능을 수행하는 투명한 형태의 도전성 재질로서, 알루미늄이 도핑된 산화 아연인 AZO(ZnO:Al) 재질의 물질이 사용될 수 있다.
투명 전극층(600)의 재질은 이에 한정되지 않으며, 광 투과율과 전기 전도성이 높은 물질인 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 전극층(600)은 1.0㎛의 두께로 형성될 수 있다.
투명 전극층(600)이 형성된 이후에는 소정 간격으로 이격되도록 투명 전극층(600) 상에 금속선(미도시)을 배치시켜 이면 전극층(200)과 연결시킨다. 여기서, 금속선은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같은 반사율이 높은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 기판(100)의 하부에는 수분 및 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 보호층(700)이 형성된다. 보호층(700)은 기판(100)의 하부 전체면에 걸쳐 형성될 수 있으며 보호층(700)의 두께는 0.5㎛ 내지 2.0㎛로 형성될 수 있다.
보호층(700)이 0.5㎛ 미만으로 형성될 경우, 보호층(700)의 두께가 너무 얇아 기판(100)에 형성될 수 있는 크랙을 안정적으로 메울 수 없는 단점이 있다. 또한, 보호층(700)이 2.0㎛ 이상으로 형성될 경우, 보호층(700)이 필요 이상으로 두꺼워져 태양전지의 박형화를 이룰 수 없다.
이러한 보호층(700)은 수분 침투를 방지하기 위해 소수성 고분자 물질로 형성할 수 있으며, 이러한 소수성 고분자 물질로는 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 등을 포함할 수 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 소수성 고분자 물질을 기판(100)의 하부면에 증착시켜 형성할 수 있다. 또한, 보호층(700)으로서 소수성 고분자 물질을 포함하는 시트를 형성하고 이를 기판(100)에 직접 부착시켜 형성시킬 수도 있다.
상기에서는 보호층(700)을 기판(100)의 하부 전체면에 걸쳐 형성하였지만 이에 한정되지 않고, 기판(100)의 하부 일부에만 형성될 수 있다. 또한, 보호층(700)은 이면 전극층(200)이 형성되지 않은 기판(100)의 일면 예컨대, 기판(100)의 측면에도 형성될 수 있다.
상기에서는 보호층(700)을 하나의 층으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 2개 이상의 층으로 형성할 수 있다. 보호층(700)이 2개 이상의 층으로 형성될 경우, 서로 다른 소수성 고분자 물질을 사용하여 보호층(700)을 형성할 수 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 기판(100)의 하부면 전면에 걸쳐 형성되어 있기 때문에 고온 공정 중 기판(100)에 크랙 등의 발생될 경우, 파손 상태가 더 악화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 보호층(700)은 파손된 기판을 통해 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지의 공정을 살펴본다. 도 2 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)이 마련되면 기판(100) 상에 몰리브덴(Mo)을 스터피링 법에 의해 일정 두께를 증착하여 이면 전극층(200)을 형성한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 이면 전극층(200)이 형성되면, 이면 전극층(200)이 스트립 형태로 분할되도록 패터닝 공정을 수행하여 제1 패턴라인(P1)을 형성한다. 여기서, 패터닝 공정은 레이저 빔에 의해 수행될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 제1 패턴라인(P1)이 형성되면, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)을 순차적으로 형성한다.
광 흡수층(300)은 CIGS를 동시 증착법에 의해 형성할 수 있다. 제1 버퍼층(400)은 황하 카드뮴(CdS)(400)을 화학 용액 성장법(Chemical Bath Deposition; CBD)에 의해 형성할 수 있다. 또한, 제2 버퍼층(500)은 ZnO를 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)이 순차대로 적층 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)의 일부에 패터닝 공정에 의해 제2 패턴라인(P2)을 형성한다.
제2 패턴라인(P2)은 제1 패턴라인(P1)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 제2 패턴라인(P2)은 스크라이빙 법에 의해 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500) 상에 제2 패턴라인(P2)이 형성되면, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)을 형성한다.
여기서, 투명 전극층(600)은 제2 버퍼층(500) 상에 AZO를 스퍼터링 법에 의해 증착시켜 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)이 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500) 및 투명 전극층(600) 상에 제3 패턴라인(P3)을 형성한다. 제3 패턴라인(P3)은 제2 패턴라인(P2)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 스크라이빙 법에 의해 형성될 수 있다.
여기서, 기판(100)의 하부에는 고온 노출, 증착 공정 또는 패터닝 공정이 수행되는 동안 크랙(800)이 발생될 수 있으며, 이러한 크랙(800)은 기판(100)의 불특정 영역에 형성될 수 있다.
이로 인해 도 8에 도시된 바와 같이, 보호층(700)은 기판(100)의 하부면에 불특정하게 형성된 크랙(800)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 보호층(700)은 별도의 가스 분사기(900)로부터 기화된 소수성 고분자 물질을 분사시켜 기판(100)의 하부면에 형성할 수 있다. 물론, E-Beam, 스퍼터링에 의해 보호층(700)을 형성할 수도 있다.
상기에서는 보호층(700)을 기판(100)에 투명 전극층(600)이 형성된 이후에 형성하였지만, 이면 전극층(200)을 형성시키는 단계 이전에 형성될 수 있다.
이는 기판(100)에 보호층(700)을 미리 형성함으로써, 고온 공정 중 기판(100)에 발생될 수 있는 크랙 등의 파손을 원천적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 크랙(800)이 형성된 기판(100)의 파손이 더 진행되는 것을 방지할 수 있으며, 파손된 기판(100)을 통해 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 200: 이면 전극층
300: 광 흡수층 400: 제1 버퍼층
500: 제2 버퍼층 600: 투명 전극층
700: 보호층 P: 패턴라인

Claims (9)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 이면 전극층;
    상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층; 및
    상기 기판의 하부에 형성된 보호층을 포함하고,
    상기 보호층의 두께는 0.5㎛ 내지 2㎛로 형성되는 태양전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 소수성 고분자 물질을 포함하는 태양전지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 중 어느 하나를 포함하는 태양전지.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 보호층은 소수성 고분자 물질을 포함하는 시트인 태양전지.
  6. 기판을 마련하는 단계;
    상기 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계;
    상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성시키는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성시키는 단계; 및
    상기 기판의 하부에 소수성 고분자 물질을 포함하는 보호층을 형성시키는 단계를 포함하고,
    상기 보호층의 두께는 0.5㎛ 내지 2㎛로 형성되는 태양전지 제조방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 소수성 고분자 물질은 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 중 어느 하나를 포함하는 태양전지 제조방법.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 보호층은 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계 이전에 형성하는 태양전지 제조방법.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 보호층은 기판의 하부면에 접착 또는 증착되어 형성되는 태양전지 제조방법.
KR1020110030884A 2011-04-04 2011-04-04 태양전지 및 그의 제조방법 KR101231258B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110030884A KR101231258B1 (ko) 2011-04-04 2011-04-04 태양전지 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110030884A KR101231258B1 (ko) 2011-04-04 2011-04-04 태양전지 및 그의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120113132A KR20120113132A (ko) 2012-10-12
KR101231258B1 true KR101231258B1 (ko) 2013-02-07

Family

ID=47282818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110030884A KR101231258B1 (ko) 2011-04-04 2011-04-04 태양전지 및 그의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101231258B1 (ko)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001111075A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜系太陽電池モジュール
JP2004111577A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Asahi Kasei Chemicals Corp 防汚性能を有する太陽電池カバー
WO2010096433A2 (en) 2009-02-20 2010-08-26 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
KR20100131045A (ko) * 2009-06-05 2010-12-15 강성수 태양전지의 방진방오층 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001111075A (ja) * 1999-10-07 2001-04-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜系太陽電池モジュール
JP2004111577A (ja) 2002-09-17 2004-04-08 Asahi Kasei Chemicals Corp 防汚性能を有する太陽電池カバー
WO2010096433A2 (en) 2009-02-20 2010-08-26 Miasole Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells
KR20100131045A (ko) * 2009-06-05 2010-12-15 강성수 태양전지의 방진방오층 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120113132A (ko) 2012-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101173401B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
US8779282B2 (en) Solar cell apparatus and method for manufacturing the same
KR101154654B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
KR101305880B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101231258B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR101241714B1 (ko) 태양전지 및 그의 수리방법
KR101125407B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR101262569B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
EP2669957A2 (en) Solar cell and method of manufacturing same
US20140230891A1 (en) Solar cell and method of fabricating the same
EP2695201B1 (en) Solar cell
KR101210073B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR101786099B1 (ko) 탠덤형 태양전지 및 그의 제조방법
CN103069577B (zh) 太阳能电池及其制造方法
KR101262573B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR20150039536A (ko) 태양전지
KR20150039534A (ko) 태양전지
KR20130070461A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20120116806A (ko) 태양 전지
KR101219861B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR101765930B1 (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
US20130008504A1 (en) Solar power generating apparatus and method for manufacturing same
KR20120137943A (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
KR101417321B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조 방법
US20130306147A1 (en) Solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160107

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170105

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190114

Year of fee payment: 7