KR101231258B1 - 태양전지 및 그의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 기판의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층을 포함한다.
상기와 같은 발명은 기판의 하부면에 보호층을 형성함으로써, 고온 공정 중 기판에 발생되는 크랙으로부터 파손이 더 진행되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기와 같은 발명은 기판의 하부면에 보호층을 형성함으로써, 고온 공정 중 기판에 발생되는 크랙으로부터 파손이 더 진행되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
실시예는 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지의 불량을 방지하기 위한 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 역할을 하며, 이러한 태양전지는 최근 에너지의 수요가 증가함에 따라 상업적으로 널리 이용되고 있다.
종래 태양전지는 이면 전극층, 광 흡수층, 투명 전극층이 투명한 유리 기판 상에 적층되어 형성되며, 이면 전극층과 투명 전극층을 전기적으로 연결함으로써 태양전지가 완성된다.
하지만, 태양전지는 고온의 공정 조건하에서 이루어지기 때문에 유리 기판은 크랙(Crack) 등의 파손이 일어날 수 있으며, 파손된 기판을 통해 수분이나 이물질이 침투하여 태양전지의 불량을 발생시킨다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 수분 및 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 태양전지 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 기판의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층을 포함한다.
또한, 본 발명의 태양전지 제조방법은 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계와, 상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성시키는 단계와, 상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성시키는 단계와, 상기 기판의 하부에 소수성 고분자 물질을 포함하는 보호층을 형성시키는 단계를 포함한다.
본 발명은 기판에 보호층을 형성함으로써, 크랙이 발생된 기판을 통해 수분 및 이물질이 침투되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성된 이면 전극층(200)과, 상기 이면 전극층(200) 상에 형성된 광 흡수층(300)과, 상기 광 흡수층(300) 상에 형성된 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)과, 상기 제2 버퍼층(500) 상에 형성된 투명 전극층(600)과, 상기 기판(100)의 어느 하나의 일면에 형성된 보호층(700)을 포함한다.
기판(100)은 플레이트 형상으로 형성되며, 투명한 유리 재질로 형성될 수 있다. 기판(100)은 리지드(Rigid)하거나 플렉서블(Flexible)할 수 있으며, 유리 기판 이외에 플라스틱 또는 금속 재질의 기판이 사용될 수 있다.
또한, 기판(100)으로 나트륨 성분이 포함된 소다 라임 글래스(Soda Lime Glass) 기판이 사용될 수 있다.
기판(100) 상에는 이면 전극층(200)이 형성된다. 이면 전극층(200)은 도전성 물질인 몰리브덴(Mo)을 사용하여 형성할 수 있다. 물론, 이면 전극층(200)은 몰리브덴 외에 다양한 금속 재질을 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 이면 전극층(200)은 동종 또는 이종 금속을 이용하여 두 개 이상의 층을 이루도록 형성될 수도 있다.
이면 전극층(200) 상에는 광 흡수층(300)이 형성된다. 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하며, 예컨대 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
광 흡수층(300)의 상부에는 제1 버퍼층(400)이 직접 접촉되어 형성되며, 광 흡수층(300)과 이후 설명될 투명 전극층(600)의 에너지 갭 차이를 완화시키는 역할을 한다.
제1 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 물질로 형성될 수 있으며, 제1 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 이면 전극층(200)과 투명 전극층(600)의 중간 정도의 크기를 가질 수 있다.
제1 버퍼층(400)의 상부에는 제2 버퍼층(500)이 형성된다. 제2 버퍼층(500)은 고저항 버퍼층으로서 광 투과율과 전기 전도성이 높은 산화아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
이러한 제2 버퍼층(500)은 투명 전극층(600) 과의 절연 및 충격 데미지(Damege)를 방지할 수 있는 효과가 있다.
투명 전극층(600)은 p형 전극 기능을 수행하는 투명한 형태의 도전성 재질로서, 알루미늄이 도핑된 산화 아연인 AZO(ZnO:Al) 재질의 물질이 사용될 수 있다.
투명 전극층(600)의 재질은 이에 한정되지 않으며, 광 투과율과 전기 전도성이 높은 물질인 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 투명 전극층(600)은 1.0㎛의 두께로 형성될 수 있다.
투명 전극층(600)이 형성된 이후에는 소정 간격으로 이격되도록 투명 전극층(600) 상에 금속선(미도시)을 배치시켜 이면 전극층(200)과 연결시킨다. 여기서, 금속선은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같은 반사율이 높은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 기판(100)의 하부에는 수분 및 이물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 보호층(700)이 형성된다. 보호층(700)은 기판(100)의 하부 전체면에 걸쳐 형성될 수 있으며 보호층(700)의 두께는 0.5㎛ 내지 2.0㎛로 형성될 수 있다.
보호층(700)이 0.5㎛ 미만으로 형성될 경우, 보호층(700)의 두께가 너무 얇아 기판(100)에 형성될 수 있는 크랙을 안정적으로 메울 수 없는 단점이 있다. 또한, 보호층(700)이 2.0㎛ 이상으로 형성될 경우, 보호층(700)이 필요 이상으로 두꺼워져 태양전지의 박형화를 이룰 수 없다.
이러한 보호층(700)은 수분 침투를 방지하기 위해 소수성 고분자 물질로 형성할 수 있으며, 이러한 소수성 고분자 물질로는 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 등을 포함할 수 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 소수성 고분자 물질을 기판(100)의 하부면에 증착시켜 형성할 수 있다. 또한, 보호층(700)으로서 소수성 고분자 물질을 포함하는 시트를 형성하고 이를 기판(100)에 직접 부착시켜 형성시킬 수도 있다.
상기에서는 보호층(700)을 기판(100)의 하부 전체면에 걸쳐 형성하였지만 이에 한정되지 않고, 기판(100)의 하부 일부에만 형성될 수 있다. 또한, 보호층(700)은 이면 전극층(200)이 형성되지 않은 기판(100)의 일면 예컨대, 기판(100)의 측면에도 형성될 수 있다.
상기에서는 보호층(700)을 하나의 층으로 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 2개 이상의 층으로 형성할 수 있다. 보호층(700)이 2개 이상의 층으로 형성될 경우, 서로 다른 소수성 고분자 물질을 사용하여 보호층(700)을 형성할 수 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 기판(100)의 하부면 전면에 걸쳐 형성되어 있기 때문에 고온 공정 중 기판(100)에 크랙 등의 발생될 경우, 파손 상태가 더 악화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 보호층(700)은 파손된 기판을 통해 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지의 공정을 살펴본다. 도 2 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(100)이 마련되면 기판(100) 상에 몰리브덴(Mo)을 스터피링 법에 의해 일정 두께를 증착하여 이면 전극층(200)을 형성한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 기판(100) 상에 이면 전극층(200)이 형성되면, 이면 전극층(200)이 스트립 형태로 분할되도록 패터닝 공정을 수행하여 제1 패턴라인(P1)을 형성한다. 여기서, 패터닝 공정은 레이저 빔에 의해 수행될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 제1 패턴라인(P1)이 형성되면, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)을 순차적으로 형성한다.
광 흡수층(300)은 CIGS를 동시 증착법에 의해 형성할 수 있다. 제1 버퍼층(400)은 황하 카드뮴(CdS)(400)을 화학 용액 성장법(Chemical Bath Deposition; CBD)에 의해 형성할 수 있다. 또한, 제2 버퍼층(500)은 ZnO를 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)이 순차대로 적층 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)의 일부에 패터닝 공정에 의해 제2 패턴라인(P2)을 형성한다.
제2 패턴라인(P2)은 제1 패턴라인(P1)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 제2 패턴라인(P2)은 스크라이빙 법에 의해 형성될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500) 상에 제2 패턴라인(P2)이 형성되면, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)을 형성한다.
여기서, 투명 전극층(600)은 제2 버퍼층(500) 상에 AZO를 스퍼터링 법에 의해 증착시켜 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)이 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500) 및 투명 전극층(600) 상에 제3 패턴라인(P3)을 형성한다. 제3 패턴라인(P3)은 제2 패턴라인(P2)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 스크라이빙 법에 의해 형성될 수 있다.
여기서, 기판(100)의 하부에는 고온 노출, 증착 공정 또는 패터닝 공정이 수행되는 동안 크랙(800)이 발생될 수 있으며, 이러한 크랙(800)은 기판(100)의 불특정 영역에 형성될 수 있다.
이로 인해 도 8에 도시된 바와 같이, 보호층(700)은 기판(100)의 하부면에 불특정하게 형성된 크랙(800)을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 즉, 보호층(700)은 별도의 가스 분사기(900)로부터 기화된 소수성 고분자 물질을 분사시켜 기판(100)의 하부면에 형성할 수 있다. 물론, E-Beam, 스퍼터링에 의해 보호층(700)을 형성할 수도 있다.
상기에서는 보호층(700)을 기판(100)에 투명 전극층(600)이 형성된 이후에 형성하였지만, 이면 전극층(200)을 형성시키는 단계 이전에 형성될 수 있다.
이는 기판(100)에 보호층(700)을 미리 형성함으로써, 고온 공정 중 기판(100)에 발생될 수 있는 크랙 등의 파손을 원천적으로 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기와 같은 보호층(700)은 크랙(800)이 형성된 기판(100)의 파손이 더 진행되는 것을 방지할 수 있으며, 파손된 기판(100)을 통해 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 200: 이면 전극층
300: 광 흡수층 400: 제1 버퍼층
500: 제2 버퍼층 600: 투명 전극층
700: 보호층 P: 패턴라인
300: 광 흡수층 400: 제1 버퍼층
500: 제2 버퍼층 600: 투명 전극층
700: 보호층 P: 패턴라인
Claims (9)
- 기판;
상기 기판 상에 형성된 이면 전극층;
상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층;
상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층; 및
상기 기판의 하부에 형성된 보호층을 포함하고,
상기 보호층의 두께는 0.5㎛ 내지 2㎛로 형성되는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 보호층은 소수성 고분자 물질을 포함하는 태양전지. - 청구항 1에 있어서,
상기 보호층은 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 중 어느 하나를 포함하는 태양전지. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 보호층은 소수성 고분자 물질을 포함하는 시트인 태양전지. - 기판을 마련하는 단계;
상기 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계;
상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성시키는 단계;
상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성시키는 단계; 및
상기 기판의 하부에 소수성 고분자 물질을 포함하는 보호층을 형성시키는 단계를 포함하고,
상기 보호층의 두께는 0.5㎛ 내지 2㎛로 형성되는 태양전지 제조방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 소수성 고분자 물질은 SiO2, H2O3, SiNx, Al2O3, AiN 중 어느 하나를 포함하는 태양전지 제조방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 보호층은 기판 상에 이면 전극층을 형성시키는 단계 이전에 형성하는 태양전지 제조방법. - 청구항 6에 있어서,
상기 보호층은 기판의 하부면에 접착 또는 증착되어 형성되는 태양전지 제조방법.
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JP2004111577A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 防汚性能を有する太陽電池カバー |
WO2010096433A2 (en) | 2009-02-20 | 2010-08-26 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
KR20100131045A (ko) * | 2009-06-05 | 2010-12-15 | 강성수 | 태양전지의 방진방오층 제조방법 |
-
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- 2011-04-04 KR KR1020110030884A patent/KR101231258B1/ko active IP Right Grant
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---|---|---|---|---|
JP2001111075A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜系太陽電池モジュール |
JP2004111577A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 防汚性能を有する太陽電池カバー |
WO2010096433A2 (en) | 2009-02-20 | 2010-08-26 | Miasole | Protective layer for large-scale production of thin-film solar cells |
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