KR101218116B1 - Semiconductor processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이중 밀봉으로 인한 가스 누설을 방지하고자 챔버 본체와 별도로 구성된 가스 유도부를 포함하는 반도체 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체, 챔버 본체를 복개하는 복개판, 복개판의 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로, 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하고 챔버 본체와 분리된 가스 유도부, 및 제 1 가스 유로와 연통되며 챔버 본체 내부에 가스를 공급하는 가스 공급 수단을 포함한다.The present invention relates to a semiconductor processing apparatus including a gas induction part configured separately from the chamber body to prevent gas leakage due to double sealing. The semiconductor processing apparatus according to the present invention includes a chamber main body, a cover plate covering the chamber body, a first gas flow path formed through the periphery of the cover plate, and a second gas flow path communicating with the first gas flow path and separated from the chamber body. And a gas supply means in communication with the gas induction part and the first gas flow path for supplying gas into the chamber body.

Description

반도체 처리 장치 {SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS}Semiconductor Processing Equipment {SEMICONDUCTOR PROCESSING APPARATUS}

본 발명은 반도체 처리 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 이중 밀봉으로 인한 가스 누설을 방지하고자 챔버 본체와 별도로 구성된 가스 유도부를 포함하는 반도체 처리 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor processing apparatus, and more particularly, to a semiconductor processing apparatus including a gas induction unit configured separately from a chamber body to prevent gas leakage due to double sealing.

일반적으로 기판에 박막을 제조하는 방법은 물리 기상 증착(PVD, Physical Vapor Deposition)법과 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)법으로 크게 나눌 수 있으나, 최근에는 스텝 커버리지(step coverage)이나 박막 균일도가 우수한 CVD법이 주로 사용되고 있다.In general, a method of manufacturing a thin film on a substrate may be classified into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), but in recent years, step coverage and film uniformity Excellent CVD methods are mainly used.

CVD도 APCVD(Atmospheric Pressure CVD), LPCVD(Low Pressure CVD), PECVD(Plasma Enhanced CVD), ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 등의 방법으로 나눌 수 있는데, 이 중에서도 저온 증착이 가능하고 박막 형성 속도가 빠른 PECVD법과, 종래 방식에 비하여 박막 균일도나 스텝 커버리지가 매우 우수하며 미세패턴이 요구되는 게이트 산화막(gate-oxide layer), 커패시터 유전막(capacitor dielectric layer), 확산 방지막(diffusion barrier layer) 등의 증착 공정에 사용되는 ALD법이 최근 많이 사용되고 있다.CVD can also be divided into APCVD (Atmospheric Pressure CVD), LPCVD (Low Pressure CVD), PECVD (Plasma Enhanced CVD), ALD (Atomic Layer Deposition), among others low temperature deposition and thin film formation Compared to the high-speed PECVD method and the conventional method, the thin film uniformity and step coverage are much better and the gate-oxide layer, the capacitor dielectric layer, the diffusion barrier layer, etc., which require a fine pattern, are required. The ALD method used for a deposition process is used a lot recently.

도 1은 이러한 CVD 장치의 챔버 본체의 개략적 사시도이며, 도 2는 CVD 장치의 개략적 단면도이며, 도 3은 CVD 장치의 개략적 사시도이다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, CVD 장치는 일반적으로 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(20)와, 상기 챔버 본체(20) 상단에 결합되는 복개판(30)과, 상기 복개판(30)을 통해 상기 챔버(20) 내부로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단(50)을 포함한다.1 is a schematic perspective view of a chamber body of such a CVD apparatus, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the CVD apparatus, and FIG. 3 is a schematic perspective view of the CVD apparatus. 1 to 3, a CVD apparatus generally includes a chamber body 20 having a susceptor (not shown) on which a substrate is seated, and a cover plate 30 coupled to an upper end of the chamber body 20. And gas supply means 50 for supplying gas into the chamber 20 through the cover plate 30.

상기 가스 공급 수단(50)은 도 2에 도시된 바와 같이, 챔버(20)의 측면에 형성된 가스 유로(21) 및 이와 연통하는 복개판(30)의 가스 유로(31)와 연결되어 공정에 필요한 가스를 챔버 내부로 분사시킨다. 이때, 챔버 본체(20) 및 복개판(30)에 형성된 가스 유로(21, 31)를 밀봉시키고 챔버 내부를 밀봉시키기 위해, 챔버 본체(20)의 가스 유로(21) 주변에 그리고 챔버 본체(20)와 복개판(30) 사이에 각각 이중 O-링 즉, 제 1 및 제 2 O-링(60 및 70)이 마련된다.As shown in FIG. 2, the gas supply means 50 is connected to the gas flow passage 21 formed at the side of the chamber 20 and the gas flow passage 31 of the cover plate 30 communicating with the gas flow passage 21. Gas is injected into the chamber. At this time, in order to seal the gas passages 21 and 31 formed in the chamber body 20 and the cover plate 30 and to seal the inside of the chamber, around the gas passage 21 of the chamber body 20 and the chamber body 20. ) And a double o-ring, i.e., first and second o-rings 60 and 70, respectively.

그러나, 상기와 같은 밀봉 구조에서 챔버 내부 및 가스 유로를 밀봉하기 위해 이중 O-링을 통해 밀봉하면 각각의 O-링의 레벨이 맞지 않을 경우 챔버 외부 또는 내부에 누설이 발생하여 공정에 악영향을 미친다.However, if the sealing structure is sealed through the double O-rings to seal the chamber and the gas flow path in such a sealing structure, leakage occurs outside or inside the chamber when the levels of the respective O-rings are not matched, which adversely affects the process. .

또한, 챔버 본체 자체에 가스 유로를 형성한 결과 챔버 본체와 상이하게 가스의 온도 제어가 곤란한 문제점이 있다.In addition, as a result of forming the gas flow path in the chamber main body itself, there is a problem that temperature control of the gas is difficult unlike the chamber main body.

한편, 가스 유로를 추가로 형성하기 위해서는 챔버 본체 이외의 부품을 챔버 본체로부터 분리하고 챔버 본체 자체에 가스 유로를 형성해야 하므로 많은 난점이 있다.
On the other hand, in order to further form a gas flow path, there are many difficulties since components other than the chamber body must be separated from the chamber body and a gas flow path is formed in the chamber body itself.

따라서, 본 발명의 목적은 챔버 본체와 별도로 가스 유도부를 형성하여 이들을 각각 밀봉함으로써 이중 밀봉으로 인한 누설 문제를 해결할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a semiconductor processing apparatus capable of solving the leakage problem due to double sealing by forming a gas induction part separately from the chamber body and sealing them respectively.

또한, 본 발명의 다른 목적은 가스 유도부를 챔버 본체와 분리함으로써 챔버 내부로 공급되는 가스의 온도를 용이하게 제어할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a semiconductor processing apparatus that can easily control the temperature of the gas supplied into the chamber by separating the gas induction portion from the chamber body.

한편, 본 발명의 다른 목적은 가스 유로를 추가하고자 할 때 가스 유로를 챔버 본체와는 무관하게 별도로 형성함으로써 챔버 본체를 개조하는 문제를 해결할 수 있는 반도체 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.
On the other hand, another object of the present invention is to provide a semiconductor processing apparatus that can solve the problem of remodeling the chamber body by forming the gas flow path separately from the chamber body when adding the gas flow path.

본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체; 상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단; 상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로; 상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부; 및 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재를 포함하며, 상기 가스 유도부는 상기 밀봉 부재를 가압하기 위한 밀폐 결합 수단을 더 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체; 상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단; 상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로; 상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부; 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재; 및 상기 가스 유도부를 통하여 상기 밀봉 부재를 가압하기 위한 밀폐 결합 수단을 포함한다.
그리고, 본 발명의 또다른 실시 예에 따른 반도체 처리 장치는 챔버 본체; 상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단; 상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로; 상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부; 상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재; 및 상기 밀봉 부재를 가압하는 가스 누설 방지 수단을 포함한다.
상기 챔버 본체는 복개판을 포함하며, 상기 제 1 가스 유로는 상기 복개판 내부에 형성된다.
상기 밀폐 결합 수단은 탄성 부재를 포함하고, 상기 가스 누설 방지 수단은 탄성 부재를 포함한다.
In an embodiment, a semiconductor processing apparatus includes a chamber body; Gas supply means formed outside the chamber body; A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body; A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path; And a sealing member for sealingly connecting the first gas flow path and the second gas flow path, wherein the gas inducing part further includes sealing coupling means for pressurizing the sealing member.
In addition, a semiconductor processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a chamber body; Gas supply means formed outside the chamber body; A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body; A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path; A sealing member for sealingly connecting the first gas passage and the second gas passage; And hermetic coupling means for urging the sealing member through the gas induction part.
In addition, a semiconductor processing apparatus according to another embodiment of the present invention may include a chamber body; Gas supply means formed outside the chamber body; A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body; A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path; A sealing member for sealingly connecting the first gas passage and the second gas passage; And gas leakage preventing means for pressurizing the sealing member.
The chamber body includes a cover plate, and the first gas flow path is formed inside the cover plate.
The hermetic coupling means includes an elastic member, and the gas leakage preventing means includes an elastic member.

본 발명에 의해 챔버 본체와 별도로 가스 유도부를 형성하여 이들을 각각 밀봉함으로써 이중 밀봉의 레벨 차이로 인한 누설 문제를 방지할 수 있다.According to the present invention, a gas induction part is formed separately from the chamber main body and each of them is sealed, thereby preventing a leakage problem due to the level difference of the double seal.

또한, 가스 유도부를 챔버 본체와 분리함으로써 챔버 내부로 공급되는 가스의 온도를 용이하게 제어할 수 있다.In addition, by separating the gas induction part from the chamber body, it is possible to easily control the temperature of the gas supplied into the chamber.

한편, 본 발명에 의해 가스 유로를 추가하고자 할 때 가스 유로를 챔버 본체와는 별도로 형성함으로써 챔버 본체 자체의 개조 없이 가스 유로를 추가할 수 있다.
Meanwhile, when the gas flow path is to be added by the present invention, the gas flow path can be added without modifying the chamber body itself by forming the gas flow path separately from the chamber body.

도 1은 CVD 장치의 챔버 본체 일부의 개략적 사시도.
도 2는 CVD 장치의 개략적 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 CVD 장치의 개략적 사시도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 CVD 장치의 개략적 단면도.
도 5는 본 발명에 따른 가스 유도부의 사시도.
도 6은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조이기 전의 단면도.
도 7은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조인 후의 단면도.1 is a schematic perspective view of a portion of a chamber body of a CVD apparatus.
2 is a schematic cross-sectional view of a CVD apparatus.
3 is a schematic perspective view of the CVD apparatus shown in FIG.
4 is a schematic cross-sectional view of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
5 is a perspective view of a gas induction part according to the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view before tightening the hermetic coupling means in the gas induction part according to the present invention.
Figure 7 is a cross-sectional view after tightening the sealing coupling means in the gas induction part according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 본 실시 예들은 단지 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면 상에서 동일 부호는 동일한 부재를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. As those skilled in the art would realize, the described embodiments may be modified in various different ways, all without departing from the spirit or scope of the present invention. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention. Like numbers refer to like elements in the drawings.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 CVD 장치의 개략적 단면도이다. 도 4를 참조하면, CVD 장치는 일반적으로 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(120)와, 상기 챔버 본체(120)를 복개하는 복개판(130)과, 상기 복개판(130)의 내부에 형성되어 챔버 본체(120) 내부에 가스를 공급하는 제 1 가스 유로(310)와, 상기 복개판(130)을 통해 상기 챔버 본체(120) 내부로 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단(150)을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 CVD 장치는 챔버 본체(120)의 측면에 이격 배치되고 제 2 가스 유로(210)가 내부에 관통 형성되는 가스 유도부(200)를 더 포함한다. 상기 복개판(130)의 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로(310)는 가스 유도부(200)에 관통 형성된 제 2 가스 유로(210)와 연통되며, 이들 가스 유로를 밀봉하기 위해 상기 가스 유도부(200)의 상면에 O-링(160)이 마련된다. 또한, 상기 복개판(130)과 챔버 본체(120) 사이에도 이들을 밀봉하기 위해 챔버 본체(120) 상면에 O-링(170)이 마련된다. 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)는 가스 공급 수단(150)과 연결되어 챔버 내부에 소정의 가스를 공급한다.4 is a schematic cross-sectional view of a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, a CVD apparatus generally includes a chamber body 120 having a susceptor (not shown) on which a substrate is seated, a cover plate 130 covering the chamber body 120, and the cover plate. A gas for supplying gas into the chamber body 120 through the first gas flow passage 310 and the cover plate 130 formed in the interior of the chamber 130 to supply gas into the chamber body 120. Supply means 150. In addition, the CVD apparatus according to the present invention further includes a gas induction part 200 which is spaced apart from the side of the chamber body 120 and the second gas flow path 210 penetrates therein. The first gas flow passage 310 formed through the periphery of the cover plate 130 communicates with the second gas flow passage 210 formed through the gas guide portion 200, and the gas guide portion 200 is sealed to seal the gas flow passages. O-ring 160 is provided on the upper surface. In addition, an O-ring 170 is provided on the upper surface of the chamber body 120 to seal the gap between the cover plate 130 and the chamber body 120. The first and second gas flow paths 310 and 210 are connected to the gas supply means 150 to supply a predetermined gas into the chamber.

한편, 도 4에서는 제 1 가스 유로(310)가 관통 형성된 복개판(130)의 주변부가 별도의 부재로 제조되어 절연체인 온도 제어 스페이서(180)에 의해 복개판(130)에 결합된 것으로 도시되나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 제작을 용이하게 하기 위하여 제 1 가스 유로(310)가 관통 형성된 복개판(130)의 주변부가 복개판(130)과 일체로 형성될 수도 있다.Meanwhile, in FIG. 4, the peripheral portion of the cover plate 130 having the first gas flow passage 310 penetrated therein is manufactured as a separate member and is coupled to the cover plate 130 by the temperature control spacer 180 as an insulator. The present invention is not limited thereto, and the periphery of the cover plate 130 through which the first gas flow passage 310 is formed may be integrally formed with the cover plate 130 in order to facilitate manufacturing.

도 5는 본 발명에 따른 가스 유도부의 사시도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 가스 유도부(200) 아래에는 상기 가스 유도부(200)를 지지하기 위한 지지 블록(400)이 마련되며, 상기 지지 블록(400)은 챔버 본체(120)와 함께 챔버 프레임(도시 않음) 상에 고정된다. 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200)가 챔버 프레임(도시 않음) 상에 장착될 때, 이들은 동일 높이에 있지 않고 가스 유도부(200)가 챔버 본체(120) 보다 약 1mm 정도 높게 배치된다. 이에 대해서는 후술한다.5 is a perspective view of a gas induction part according to the present invention. 4 and 5, a support block 400 for supporting the gas induction part 200 is provided under the gas induction part 200, and the support block 400 is provided with a chamber body 120. It is fixed on a frame (not shown). When the chamber body 120 and the gas guide 200 are mounted on a chamber frame (not shown), they are not at the same height and the gas guide 200 is disposed about 1 mm higher than the chamber body 120. This will be described later.

도 5에 도시된 바와 같이, 가스 유도부(200) 단변의 중앙 하단에는 가스 유도부(200)의 상하 이동을 가이드하는 가이드 핀(510)이 삽입될 수 있는 제 3 개구(500)가 형성되어 있다. 또한, 상기 지지 블록(400)에도 상기 가이드 핀(510)의 나사산과 대응하는 나사산이 형성된 제 4 개구(520)가 형성되어 있다. 상기 지지 블록(400)의 제 4 개구(520)를 통해 상기 가이드 핀(510)을 삽입시켜 조인 후 가스 유도부(200)의 제 3 개구(500)에 상기 가이드 핀(510)을 삽입함으로써 상기 가이드 핀(510)이 가스 유도부(200)를 가이드하는 역할을 한다.As illustrated in FIG. 5, a third opening 500 may be formed at the center lower end of the short side of the gas induction part 200 to insert a guide pin 510 to guide the vertical movement of the gas induction part 200. In addition, the support block 400 is also provided with a fourth opening 520 in which a thread corresponding to the thread of the guide pin 510 is formed. The guide pin 510 is inserted and tightened through the fourth opening 520 of the support block 400, and then the guide pin 510 is inserted into the third opening 500 of the gas induction part 200. The pin 510 serves to guide the gas induction part 200.

도 6은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조으기 전의 단면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 가스 유도부(200)의 모서리 부근에는 본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)이 삽입될 수 있는 제 1 및 제 2 개구(610 및 620)가 가스 유도부(200) 및 지지 블록(400)에 각각 형성되어 있다. 상기 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에는 나사산이 형성되어 있다.6 is a cross-sectional view before tightening the sealing coupling means in the gas induction part according to the present invention. 5 and 6, first and second openings 610 and 620 through which the sealing coupling means 600 according to the present invention may be inserted near the edges of the gas induction part 200 include the gas induction part 200. And the support block 400, respectively. A thread is formed on an upper portion of the first opening 610 of the gas induction part 200.

본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)은 제 2 고정 부재(630), 탄성 부재(640) 및 제 1 고정 부재(650)를 포함한다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 볼트 형태이나 나사산은 지지 블록(400)과 체결되는 부분에만 형성되어 있다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610)와 지지 블록(400)의 제 2 개구(620)를 통해 삽입된다. 상기 제 1 개구(610)의 하단에는 단턱부(611)가 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상향 이동을 저지시킨다. 또한, 상기 제 1 고정 부재(650)의 헤드와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이에는 약 2mm 정도의 간격이 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상승을 보장한다.The hermetic coupling means 600 according to the present invention includes a second fixing member 630, an elastic member 640, and a first fixing member 650. The first fixing member 650 is formed in a bolt shape, but only a portion of the screw thread is fastened to the support block 400. The first fixing member 650 is inserted through the first opening 610 of the gas guide part 200 and the second opening 620 of the support block 400. A stepped portion 611 is formed at a lower end of the first opening 610 to prevent upward movement of the gas induction part 200. In addition, a gap of about 2 mm is formed between the head of the first fixing member 650 and the stepped portion 611 of the first opening 610 to ensure the rise of the gas guide part 200.

상기 제 1 고정 부재(650) 상에는 탄성 부재(640)가 설치된다. 상기 제 1 고정 부재(650)와 탄성 부재(640) 사이에는 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(660)이 개재될 수도 있다. 상기 탄성 부재(640)는 코일 스프링(coiled spring)인 것이 바람직하다. 상기 탄성 부재(640) 상에는 제 2 고정 부재(630)가 설치된다. 상기 제 2 고정 부재(630)에는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에 형성된 나사산과 치합되는 나사산이 형성되어 있다. 본 발명에 따른 가스 유도부(200)가 복개판(130, 도 4 참조)과 조립될 때, 상기 제 2 고정 부재(630)는 상기 가스 유도부(200)와 동일 평면 또는 그 아래에 있도록 조여진 상태에 있게 된다. 이때, 제 2 고정 부재(630)의 조여진 정도가 너무 크면 탄성 부재(640)의 복원력이 너무 커서 복개판(130)을 상승시켜 O-링(160)이 존재하는 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 틈이 형성되어 누설이 발생하게 된다. 또한, 제 2 고정 부재(630)의 조여진 정도가 너무 작으면 탄성 부재(640)의 복원력이 작아 가스 유도부(200)가 O-링(160)을 가압하는 힘이 작게 된다. 이 경우에는 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 O-링(160)이 개재되어 있어도 균일한 접촉을 보장할 수 없게 된다. 따라서, 제 2 고정 부재(630)의 조임 정도는 상기 두 경우 사이의 정도로 유지되어야 한다. 한편, 상기 탄성 부재(640)와 제 2 고정 부재(630) 사이에도 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(670)이 개재될 수도 있다.An elastic member 640 is installed on the first fixing member 650. A face plate 660 for flatly supporting the elastic member 640 may be interposed between the first fixing member 650 and the elastic member 640. The elastic member 640 is preferably a coiled spring. The second fixing member 630 is installed on the elastic member 640. The second fixing member 630 is formed with a screw thread engaged with a screw thread formed on the first opening 610 of the gas guide part 200. When the gas induction part 200 according to the present invention is assembled with the cover plate 130 (see FIG. 4), the second fixing member 630 is tightened to be coplanar with or below the gas induction part 200. Will be. At this time, if the tightening degree of the second fixing member 630 is too large, the restoring force of the elastic member 640 is too large to raise the cover plate 130 so that the cover plate 130 and the gas induction part in which the O-ring 160 is present. A gap is formed between the 200 to cause leakage. In addition, when the tightening degree of the second fixing member 630 is too small, the restoring force of the elastic member 640 is small, so that the force for the gas induction part 200 to press the O-ring 160 is small. In this case, even if the O-ring 160 is interposed between the cover plate 130 and the gas induction part 200, uniform contact cannot be guaranteed. Therefore, the degree of tightening of the second fixing member 630 should be maintained between the two cases. Meanwhile, a face plate 670 may be interposed between the elastic member 640 and the second fixing member 630 to flatly support the elastic member 640.

도 5를 다시 참조하면, 상기 가스 유도부(200) 중앙에는 가스 공급원(도시 않음)에 연결된 가스 유입 라인(410)과 연결되는 제 2 가스 유로(210)가 형성되어 있다. 가스 유도부(200)의 상면에는 상기 제 2 가스 유로(210)를 밀봉시키기 위해 제 2 가스 유로(210) 둘레에 O-링(160)이 마련된다. 비록 도 5에서는 가스 유도부(200)의 상면에 5개의 제 2 가스 유로(210)가 형성되어 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 공정에서 요구되는 가스의 종류에 따라 다양한 개수로 제 2 가스 유로(210)를 형성할 수 있다. 또한, 도 5에서는 도 4와 달리 가스 유도부(200)의 저면으로부터 가스 유입 라인(410)이 연결되나 본 발명은 이에 한정되지 않고 가스 유도부(200)의 측면 및 저면 중 어느 하나 이상에 형성될 수 있다.Referring to FIG. 5 again, a second gas flow path 210 connected to a gas inflow line 410 connected to a gas supply source (not shown) is formed at the center of the gas induction part 200. The upper surface of the gas induction part 200 is provided with an O-ring 160 around the second gas flow path 210 to seal the second gas flow path 210. Although five second gas flow paths 210 are formed on the upper surface of the gas induction part 200 in FIG. 5, the present invention is not limited thereto, and the second gas flow paths 210 may be formed in various numbers depending on the type of gas required in the process. ) Can be formed. In addition, in FIG. 5, unlike FIG. 4, the gas inflow line 410 is connected from the bottom of the gas induction part 200, but the present invention is not limited thereto. have.

도 7은 본 발명에 따른 가스 유도부에서 밀폐 결합 수단을 조인 후의 단면도이다. 상기 탄성 부재(640)가 복개판(130)과 가스 유도부(200) 사이에 일정한 접촉 탄성력을 제공하도록 상기 제 2 고정 부재(630)를 조임으로써 상기 탄성 부재(640)는 도 7에 도시된 바와 같이 압축된 상태에 있게 된다. 상기 제 2 고정 부재(630)를 조임에 따라 탄성 부재(640)가 압축되며, 상기 탄성 부재(640)의 복원력에 의해 제 1 고정 부재(650)가 하향 가압된다. 제 1 고정 부재(650)가 가압됨으로써 가스 유도부(200)를 상승시키게 된다. 이때, 가스 유도부(200)는 제 1 고정 부재(650)와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이의 간격 만큼 상승된다. 이러한 가스 유도부(200)의 상승은 가이드 핀(510) 및 제 1 고정 부재(650)와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이의 간격으로 인해 가능하다.7 is a cross-sectional view after tightening the sealing coupling means in the gas induction part according to the present invention. By tightening the second fixing member 630 such that the elastic member 640 provides a constant contact elastic force between the cover plate 130 and the gas induction part 200, the elastic member 640 is shown in FIG. 7. It will be in the compressed state together. As the second fixing member 630 is tightened, the elastic member 640 is compressed, and the first fixing member 650 is pressed downward by the restoring force of the elastic member 640. The first fixing member 650 is pressurized to raise the gas guide part 200. In this case, the gas guide part 200 is raised by the distance between the first fixing member 650 and the stepped portion 611 of the first opening 610. The rise of the gas guide part 200 is possible due to the gap between the guide pin 510 and the stepped portion 611 of the first fixing member 650 and the first opening 610.

챔버 프레임(도시 않음) 상에 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200)가 장착된 상태에서 복개판(130)을 챔버 본체(120)와 가스 유도부(200) 상에 장착한다. 여기서, 복개판(130)이 가스 유도부(200) 상에 놓이게 되면, 가스 유도부(200)는 챔버 본체(120)보다 약 1mm 높게 배치되어 있으므로 복개판(130)의 무게로 인해 압축된다. 즉, 탄성 부재(640)는 더 압축된 상태에 있게 된다. 이때, 지지 블록(400)은 챔버 프레임(도시 않음)에 고정되어 있으므로 움직일 수 없다. 따라서, 가스 유도부(200) 자체가 탄성 부재(640)의 추가 압축에 의해 가스 유도부(200)와 지지 블록(400) 사이의 간격에 의해 아래로 이동하게 된다. 이러한 가스 유도부(200)의 하향 이동으로 인해 압축된 탄성 부재(640)에는 복원력이 작용하여 가스 유도부(200)와 복개판(130) 사이에서 제 2 가스 유로(210)를 밀봉하기 위해 개재된 O-링(160)을 가압하게 된다. 이를 통해, 가스 유도부(200)의 제 2 가스 유로(210) 둘레에 마련된 O-링(160)과 복개판(130)의 하부면이 균일하게 접촉하게 된다. 따라서, 챔버 본체(120) 자체에 이중 O-링을 형성함으로써 발생할 수 있는 가스 누설을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.The cover plate 130 is mounted on the chamber body 120 and the gas induction part 200 in a state where the chamber body 120 and the gas induction part 200 are mounted on the chamber frame (not shown). Here, when the cover plate 130 is placed on the gas guide unit 200, the gas guide unit 200 is disposed about 1 mm higher than the chamber main body 120, and thus is compressed due to the weight of the cover plate 130. That is, the elastic member 640 is in a more compressed state. At this time, since the support block 400 is fixed to the chamber frame (not shown), it cannot move. Therefore, the gas induction part 200 itself is moved downward by the gap between the gas induction part 200 and the support block 400 by the additional compression of the elastic member 640. The restoring force acts on the compressed elastic member 640 due to the downward movement of the gas induction part 200 so that the O gas interposed to seal the second gas flow path 210 between the gas induction part 200 and the cover plate 130. To press the ring 160. Through this, the O-ring 160 provided around the second gas flow path 210 of the gas induction part 200 and the lower surface of the cover plate 130 may be uniformly contacted. Therefore, it is possible to more effectively prevent the gas leakage that may occur by forming a double O-ring in the chamber body 120 itself.

또한, 본 발명에 따른 가스 유도부(200)를 챔버 본체(120)와 별도로 구성함으로써 챔버 본체(120)의 온도와 독립적으로 가스 유도부(200)를 통해 공급되는 가스의 온도를 제어할 수 있다. 또한, 가스 유로를 추가하고자 할 때에도 챔버 본체 자체를 변경함이 없이 본 발명에 따른 가스 유도부를 추가 설치하면 되므로 보다 용이하게 가스 유로를 추가할 수 있다.In addition, by configuring the gas induction unit 200 according to the present invention separately from the chamber body 120, the temperature of the gas supplied through the gas induction unit 200 may be controlled independently of the temperature of the chamber body 120. In addition, when the gas flow path is to be added, the gas flow path may be added more easily because the gas induction part according to the present invention may be additionally installed without changing the chamber body itself.

한편, 상기 복개판(130)의 상부에는 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)와 연결되어 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 수단(150)이 마련된다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 지지 블록(400)을 별도의 부재로 구성하였으나, 챔버 본체(120)와 일체로 형성할 수도 있다.On the other hand, the upper portion of the cover plate 130 is connected to the first and second gas flow paths 310 and 210 is provided with a gas supply means 150 for supplying gas into the chamber. In addition, in the embodiment of the present invention, the support block 400 is configured as a separate member, but may be formed integrally with the chamber body 120.

이하에서는 도 4 내지 도 7을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 처리 장치의 조립 순서에 대해 설명한다.Hereinafter, the assembling procedure of the semiconductor processing apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 4 to 7.

먼저, 기판이 안착되는 서셉터(도시 않음)를 구비하는 챔버 본체(120), 상기 챔버 본체(120)와 별도로 구성된 가스 유도부(200) 및 지지 블록(400)을 챔버 프레임(도시 않음) 상에 장착한다. 이때, 가스 유도부(200)의 높이는 챔버 본체(120)의 높이 보다 약 1mm 정도 높게 배치된다. 이는 가스 유도부(200)가 챔버 본체(120)와 동일 평면 상에 있게 되면 복개판(130)을 장착할 때 가스 유도부(200)에 아무런 힘도 가할 수 없기 때문이다. 상기 가스 유도부(200)의 상면에는 제 2 가스 유로(210)를 밀봉시키기 위한 O-링(160)이 마련되고, 상기 챔버 본체(120) 상면에는 챔버 공간을 밀봉하기 위한 O-링(170)이 마련된다. 상기 챔버 본체(120) 상단에는 주변부에 관통 형성된 제 1 가스 유로(310)를 포함하는 복개판(130)이 결합된다. 제 1 가스 유로(310)가 형성된 주변부는 복개판(130)과 별도의 부재로 형성되어 온도 제어 스페이서(180)에 의해 복개판(130)에 결합될 수도 있다. 상기 복개판(130)의 상부에는 상기 제 1 및 제 2 가스 유로(310 및 210)와 연결되어 챔버 내부로 가스를 공급하는 가스 공급 수단(150)이 마련된다.First, a chamber body 120 having a susceptor (not shown) on which a substrate is seated, a gas induction part 200 and a support block 400 separately configured from the chamber body 120 are placed on a chamber frame (not shown). Mount it. In this case, the height of the gas induction part 200 is disposed about 1 mm higher than the height of the chamber body 120. This is because when the gas induction part 200 is coplanar with the chamber body 120, no force may be applied to the gas induction part 200 when the cover plate 130 is mounted. An O-ring 160 for sealing the second gas flow path 210 is provided on an upper surface of the gas induction part 200, and an O-ring 170 for sealing a chamber space on an upper surface of the chamber body 120. Is provided. An upper plate 130 including the first gas flow passage 310 formed through the periphery is coupled to the upper end of the chamber body 120. The peripheral portion where the first gas flow passage 310 is formed may be formed as a separate member from the cover plate 130 and may be coupled to the cover plate 130 by the temperature control spacer 180. Gas supply means 150 is provided at an upper portion of the cover plate 130 to be connected to the first and second gas flow paths 310 and 210 to supply gas into the chamber.

상기 가스 유도부(200)와 지지 블록(400)의 조립에 대해 보다 구체적으로 설명하면, 상기 지지 블록(400)의 제 4 개구(520)를 통해 상기 가이드 핀(510)을 삽입시켜 조인 후 가스 유도부(200)의 제 3 개구(300)에 삽입함으로써 상기 가이드 핀(510)이 가스 유도부(200)를 가이드하는 역할을 한다. 즉, 상기 가스 유도부(200)는 가이드 핀(510)과 관계 없이 후술하는 밀폐 결합 수단(600)에 의해 상하 이동할 수 있다.In more detail, the assembly of the gas induction part 200 and the support block 400 will be described. After inserting and guiding the guide pin 510 through the fourth opening 520 of the support block 400, the gas induction part will be described. The guide pin 510 guides the gas guide part 200 by inserting it into the third opening 300 of the 200. That is, the gas induction part 200 may move up and down by the sealing coupling means 600 which will be described later regardless of the guide pin 510.

본 발명에 따른 밀폐 결합 수단(600)은 제 2 고정 부재(630), 탄성 부재(640) 및 제 1 부재(650)를 포함한다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 볼트 형태이나 나사산은 지지 블록(400)과 체결되는 부분에만 형성되어 있다. 상기 제 1 고정 부재(650)는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610)와 지지 블록(400)의 제 2 개구(620)를 통해 삽입된다. 상기 제 1 개구(610)의 하단에는 단턱부(611)가 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상향 이동을 저지시킨다. 또한, 상기 제 1 고정 부재(650)의 헤드와 제 1 개구(610)의 단턱부(611) 사이에는 약 2mm 정도의 간격이 형성되어 있어 가스 유도부(200)의 상승을 보장한다.The hermetic coupling means 600 according to the present invention includes a second fixing member 630, an elastic member 640, and a first member 650. The first fixing member 650 is formed in a bolt shape, but only a portion of the screw thread is fastened to the support block 400. The first fixing member 650 is inserted through the first opening 610 of the gas guide part 200 and the second opening 620 of the support block 400. A stepped portion 611 is formed at a lower end of the first opening 610 to prevent upward movement of the gas induction part 200. In addition, a gap of about 2 mm is formed between the head of the first fixing member 650 and the stepped portion 611 of the first opening 610 to ensure the rise of the gas guide part 200.

상기 제 1 고정 부재(650) 상에는 탄성 부재(640)가 설치된다. 상기 제 1 고정 부재(650)와 탄성 부재(640) 사이에는 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(660)이 개재될 수도 있다. 상기 탄성 부재(640)는 코일 스프링(coiled spring)인 것이 바람직하다.An elastic member 640 is installed on the first fixing member 650. A face plate 660 for flatly supporting the elastic member 640 may be interposed between the first fixing member 650 and the elastic member 640. The elastic member 640 is preferably a coiled spring.

상기 탄성 부재(640) 상에는 제 2 고정 부재(630)가 설치된다. 상기 제 2 고정 부재(630)에는 가스 유도부(200)의 제 1 개구(610) 상부에 형성된 나사산과 치합되는 나사산이 형성되어 있다. 본 발명에 따른 가스 유도부(200)가 복개판(130, 도 4 참조)과 조립될 때, 상기 제 2 고정 부재(630)는 상기 가스 유도부(200)와 동일 평면 또는 그 아래에 있도록 조여진 상태에 있게 된다. 한편, 상기 탄성 부재(640)와 제 2 고정 부재(630) 사이에도 탄성 부재(640)를 평탄하게 지지하기 위한 면판(670)이 개재될 수 있다.The second fixing member 630 is installed on the elastic member 640. The second fixing member 630 is formed with a screw thread engaged with a screw thread formed on the first opening 610 of the gas guide part 200. When the gas induction part 200 according to the present invention is assembled with the cover plate 130 (see FIG. 4), the second fixing member 630 is tightened to be coplanar with or below the gas induction part 200. Will be. Meanwhile, a face plate 670 may be interposed between the elastic member 640 and the second fixing member 630 to flatly support the elastic member 640.

본 발명의 바람직한 실시예에서는 CVD 장치를 중심으로 본 발명을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 에칭, PVD 등을 수행하기 위해 챔버와 복개판으로 구성되는 모든 반도체 및 표시 소자 처리 장치에 적용될 수 있음을 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이다.
In the preferred embodiment of the present invention, the present invention has been described with reference to the CVD apparatus, but the present invention is not limited thereto, and the present invention can be applied to all semiconductor and display device processing apparatuses including a chamber and a cover plate for performing etching, PVD, and the like. It will be readily appreciated by those skilled in the art.

200 : 가스 유도부 400 : 지지 블록
500 : 제 3 개구 510 : 가이드 핀
520 : 제 4 개구 600 : 밀폐 결합 수단
610 : 제 1 개구 611 : 단턱부
620 : 제 2 개구 630 : 제 2 고정 부재
640 : 탄성 부재 650 : 제 1 고정 부재
660, 670 : 면판200: gas induction part 400: support block
500: third opening 510: guide pin
520: fourth opening 600: sealing coupling means
610: first opening 611: stepped portion
620: second opening 630: second fixing member
640: elastic member 650: first fixing member
660, 670: faceplate

Claims (6)

챔버 본체;
상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단;
상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로;
상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부; 및
상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재를 포함하며,
상기 가스 유도부는 상기 밀봉 부재를 가압하기 위한 밀폐 결합 수단을 더 포함하고,
상기 밀폐 결합 수단은 탄성 부재를 포함하는 반도체 처리 장치.
A chamber body;
Gas supply means formed outside the chamber body;
A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body;
A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path; And
A sealing member for sealingly connecting between the first gas passage and the second gas passage,
The gas induction part further comprises a sealing coupling means for pressing the sealing member,
And the hermetic coupling means comprises an elastic member.
챔버 본체;
상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단;
상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로;
상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부;
상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재; 및
상기 가스 유도부를 통하여 상기 밀봉 부재를 가압하기 위한 밀폐 결합 수단을 포함하고,
상기 밀폐 결합 수단은 탄성 부재를 포함하는 반도체 처리 장치.
A chamber body;
Gas supply means formed outside the chamber body;
A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body;
A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path;
A sealing member for sealingly connecting the first gas passage and the second gas passage; And
A hermetic coupling means for urging the sealing member through the gas induction part,
And the hermetic coupling means comprises an elastic member.
챔버 본체;
상기 챔버 본체 외부에 형성된 가스 공급 수단;
상기 챔버 본체 내부로 가스를 공급하기 위하여 상기 챔버 본체에 형성된 제 1 가스 유로;
상기 챔버 본체와 분리되어 마련되며, 상기 제 1 가스 유로와 연통되는 제 2 가스 유로를 포함하는 가스 유도부;
상기 제 1 가스 유로와 상기 제 2 가스 유로 사이를 밀봉 연결하기 위한 밀봉 부재; 및
상기 밀봉 부재를 가압하는 가스 누설 방지 수단을 포함하고,
상기 가스 누설 방지 수단은 탄성 부재를 포함하는 반도체 처리 장치.
A chamber body;
Gas supply means formed outside the chamber body;
A first gas flow path formed in the chamber body to supply gas into the chamber body;
A gas induction part provided separately from the chamber body and including a second gas flow path communicating with the first gas flow path;
A sealing member for sealingly connecting the first gas passage and the second gas passage; And
Gas leakage preventing means for pressurizing the sealing member;
The gas leakage preventing means includes an elastic member.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 챔버 본체는 복개판을 포함하며, 상기 제 1 가스 유로는 상기 복개판 내부에 형성된 반도체 처리 장치.
The semiconductor processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the chamber body includes a cover plate, and the first gas flow path is formed inside the cover plate.
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