KR101215110B1 - Method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell - Google Patents

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KR101215110B1
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이준신
박형식
최규호
송규완
백승신
장주연
정준희
김민범
신종훈
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성균관대학교산학협력단
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a compliant substrate for a solar cell is provided to simplify manufacturing process by omitting a dry etching mode, a mechanical grooving mode, and a wet etching mode. CONSTITUTION: A frame in which an uneven portion is formed on the surface is prepared(S110). A polymer film is formed on the frame with a spin coating process(S120). The polymer film is hardened(S130). A metal layer is formed on the front side of the polymer film(S140). A first transparent conductive film is formed on the metal layer(S150). A protective film is formed on the rear side of the polymer film(S160). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S110) Preparing a frame with an uneven portion; (S120) Forming a polymer film on a frame with a spin coating process; (S130) Hardening a polymer film; (S140) Forming a metal film on the front side of the polymer film; (S150) Forming a first transparent conductive film on the metal film; (S160) Forming a protection film on the rear of the polymer film

Description

태양전지용 유연 기판의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING A FLEXIBLE SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL}Manufacturing method of flexible substrate for solar cell {METHOD OF MANUFACTURING A FLEXIBLE SUBSTRATE FOR A SOLAR CELL}

본 발명은 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 을 형성하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a flexible substrate for solar cells. More particularly, the present invention relates to a method for forming.

최근 지구환경문제와 화석에너지의 고갈, 원자력발전의 폐기물처리 및 신규발전소 건설에 따른 위치선정 등의 문제로 인하여 신 재생에너지에 대한 관심이 고조되고 있으며, 그 중에서도 무공해 에너지원인 태양광발전에 대한 연구개발이 국내외적으로 활발하게 진행되고 있다. Recently, interest in renewable energy is increasing due to global environmental problems, depletion of fossil energy, waste disposal of nuclear power generation, and location selection due to the construction of new power plants. Among them, research on solar power generation as a pollution-free energy source Development is underway at home and abroad.

태양전지(solar cell)는 태양광 에너지를 직접 전기에너지로 전환시키는 반도체 소자로서, p형 반도체와 n형 반도체의 접합형태를 가지며 그 기본구조는 다이오드와 동일하다. 전기적 성질이 서로 다른 p형의 반도체와 n형의 반도체를 접합시킨 구조를 갖는 태양전지에 태양광이 조사되면 광에너지에 의한 전자-정공쌍이 생겨나고, 전자와 정공이 이동하여 n형 반도체층과 p형 반도체층을 가로질러 전류가 흐르게 되는 광기전력 효과(photovoltaic effect)에 의해 기전력이 발생하여 외부에 접속된 부하에 전류가 흐르게 된다.A solar cell is a semiconductor device that converts solar energy directly into electrical energy. The solar cell has a junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, and its basic structure is the same as that of a diode. When solar light is irradiated to a solar cell having a structure in which p-type semiconductors and n-type semiconductors having different electrical properties are bonded to each other, electron-hole pairs are generated by light energy, and electrons and holes move to move n-type semiconductor layers and Electromotive force is generated by a photovoltaic effect in which current flows across the p-type semiconductor layer, and current flows to a load connected to the outside.

상세하게는, 외부에서 빛이 태양전지에 입사되었을 때 p형 반도체의 전도대(conduction band) 전자(electron)는 입사된 광에너지에 의해 가전도대(valence band)로 여기된다. 이렇게 여기된 전자는 p형 반도체 내부에 한 개의 전자-정공쌍(electron hole pair)을 생성하게 된다. 전자-정공쌍 중 전자는 p-n 접합부 사이에 존재하는 전기장(electric field)에 의해 n형 반도체로 넘어가게 되어 외부에 전류를 공급하게 된다. In detail, when light is incident on the solar cell from outside, the conduction band electrons of the p-type semiconductor are excited to a valence band by the incident light energy. The excited electrons generate one electron hole pair inside the p-type semiconductor. The electrons in the electron-hole pair are transferred to the n-type semiconductor by an electric field existing between the p-n junctions to supply current to the outside.

한편, 현재 양산되고 있는 대부분의 태양전지인 실리콘계 태양전지는 반도체기판으로서 실리콘을 사용하는데, 실리콘은 간접 밴드간 천이반도체(indirect interband transition semiconductor)로서, 실리콘의 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 빛만이 전자-정공쌍을 발생시킬 수 있어서, 광의 흡수율이 낮은 편이다. 따라서 실리콘계 태양전지는 태양전지 내부로 입사되는 빛 중 30% 이상을 기판인 실리콘 웨이퍼 표면에서 반사시키므로 태양전지의 효율이 저하된다.On the other hand, silicon-based solar cells, which are the most mass-produced solar cells, use silicon as a semiconductor substrate, and silicon is an indirect interband transition semiconductor, and only light having energy above the band gap of silicon is electron- Hole pairs can be generated, and light absorption is low. Therefore, since the silicon-based solar cell reflects 30% or more of the light incident into the solar cell on the surface of the silicon wafer as the substrate, the efficiency of the solar cell decreases.

이러한 광학적 손실을 감소시키기 위하여 실리콘 태양전지에서 주로 사용하는 텍스쳐링(texturing)이 있다. 텍스쳐링은 실리콘 태양전지의 실리콘 기판 표면에 요철을 형성시키는 것으로서, 태양전지의 표면반사량의 감소, 캐리어 수집효과의 향상 및 태양전지의 내부반사에 의한 빛가둠효과가 구현된다. In order to reduce such optical loss, there is texturing mainly used in silicon solar cells. Texturing is to form irregularities on the surface of the silicon substrate of the silicon solar cell, it is possible to reduce the surface reflection of the solar cell, improve the carrier collection effect and light confinement effect by the internal reflection of the solar cell.

상기 실리콘 기판을 텍스쳐링하는 방법으로는 건식식각법, 기계적 그루빙(mechanical grooving), 습식식각법 등이 있다. 이 중에서도 습식 식각법은 별도의 설비가 불필요하며, 대량생산시 공정관리가 수월하고 생산성이 높기 때문에 광범위하게 사용되고 있다. The silicon substrate may be textured by a dry etching method, a mechanical grooving method, a wet etching method, or the like. Among them, the wet etching method is widely used because no separate equipment is required, and the process management is easy and the productivity is high in mass production.

한편, 휴대 기기에 상기 태양 전지를 적용할 경우, 휴대성을 보다 개선하기 위하여 플렉서블한 특성을 갖는 유연 기판이 요구되고 있다. On the other hand, when the solar cell is applied to a portable device, in order to further improve portability, a flexible substrate having a flexible characteristic is required.

본 발명의 일 목적은 텍스쳐를 갖는 태양 전지용 유연 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.One object of the present invention is to provide a method for producing a flexible substrate for solar cells having a texture.

본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 있어서, 표면에 요철이 형성된 프레임을 준비한 후, 상기 프레임 상에 고분자 물질을 이용하여 스핀 코팅 공정으로 상기 프레임 상에 고분자막을 형성한다. 이어서, 상기 고분자막을 경화시키고, 상기 경화된 고분자막 전면 상에 금속막을 형성한다. 이후, 상기 금속막 상에 제1 투명 도전막을 형성한다. In the method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to an embodiment of the present invention, after preparing a frame having irregularities on the surface, a polymer film is formed on the frame by a spin coating process using a polymer material on the frame. Subsequently, the polymer film is cured, and a metal film is formed on the entire surface of the cured polymer film. Thereafter, a first transparent conductive film is formed on the metal film.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자막의 후면 상에 투명한 보호막을 더 형성할 수 있다. In one embodiment of the present invention, a transparent protective film may be further formed on the rear surface of the polymer film.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자막을 폴리이미드 물질을 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the polymer film may include a polyimide material.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자막은 불활성 가스 분위기에서 100 내지 150°C의 온도 범위에서 경화될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the polymer film may be cured in a temperature range of 100 to 150 ° C in an inert gas atmosphere.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속막을 형성하기 전, 상기 경화된 고분자막 전면에 제2 투명 도전막을 추가적으로 형성할 수 있다. In one embodiment of the present invention, before forming the metal film, a second transparent conductive film may be further formed on the entire surface of the cured polymer film.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 투명 도전막은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(Al-doped Zinc Oxide; AZO), 알루미늄 도핑 주석 산화물(Al-doped Tin Oxide; ATO) 또는 이들을 혼합물을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first transparent conductive film is Indium Tin Oxide (ITO), Al-doped Zinc Oxide (AZO), Al-doped Tin Oxide ATO) or mixtures thereof.

본 발명의 실시예들에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 따르면, 스핀 코팅 공정에 의하여, 별도의 텍스쳐를 형성하기 위한 건식식각법, 기계적 그루빙(mechanical grooving), 습식식각법을 생략할 수 있음으로써 상대적인 간단한 공정으로 고분자막 표면 주위에 텍스쳐가 형성될 수 있다. 또한, 스핀 코팅 공정으로 형성된 고분자막은 유리 기판과 다르게 플렉스블한 특성을 가짐으로써 상기 태양전지용 유연 기판이 개선된 휴대성을 확보할 수 있다. 나아가, 상기 광투과성 보호막이 고분자막의 후면에 형성됨에 따라 외부에 충격에 대하여 태양전지용 유연 기판을 보호함으로써 태양전지용 유연 기판이 개선된 내구성을 가질 수 있다.According to the method of manufacturing the flexible substrate for a solar cell according to the embodiments of the present invention, by the spin coating process, it is possible to omit the dry etching, mechanical grooving, wet etching method for forming a separate texture. As a result, a texture may be formed around the surface of the polymer film in a relatively simple process. In addition, the polymer film formed by the spin coating process has a flexible property different from that of the glass substrate, thereby ensuring improved portability of the flexible substrate for the solar cell. Furthermore, as the light-transmissive protective film is formed on the rear surface of the polymer film, the flexible substrate for the solar cell may have improved durability by protecting the flexible substrate for the solar cell against impact to the outside.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2는 도 1의 텍스쳐를 갖는 유기막을 설명하기 위한 사시도이다.
도 3은 도 1의 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 따라 제조된 태양전지용 유연 기판을 설명하기 위한 단면도이다.
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating an organic film having the texture of FIG. 1. FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a flexible substrate for a solar cell manufactured according to the method of manufacturing the flexible substrate for a solar cell of FIG. 1.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 시트들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. Hereinafter, a method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the sheets are enlarged than actual for clarity of the invention.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2는 도 1의 텍스쳐를 갖는 유기막을 설명하기 위한 사시도이다. 도 3은 도 1의 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 따라 제조된 태양전지용 유연 기판을 설명하기 위한 단면도이다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a perspective view illustrating an organic film having the texture of FIG. 1. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a flexible substrate for a solar cell manufactured according to the method of manufacturing the flexible substrate for a solar cell of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 따르면, 먼저 표면에 요청이 형성된 프레임을 준비한다(S110). 상기 프레임(105)은 그 표면에 요철이 형성됨에 따라 상기 프레임(105) 상에 형성되는 고분자막(110)이 텍스쳐를 가질 수 있다. 상기 프레임(105)은 예를 들면 사출 성형 공정으로 형성될 수 있다.1 to 3, according to the method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to embodiments of the present disclosure, first, a frame having a request formed on a surface thereof is prepared (S110). As the irregularities are formed on the surface of the frame 105, the polymer film 110 formed on the frame 105 may have a texture. The frame 105 may be formed by, for example, an injection molding process.

이어서, 상기 프레임(105) 상에 고분자 물질을 공급하여 상기 프레임(105) 상에 고분자막(110)을 형성한다(S120). 상기 고분자 물질은 스핀 코팅 공정으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 프레임(105)이 회전하면서 상기 고분자 물질을 상기 프레임(105) 상에 분사시킨다. 따라서 상기 프레임(105) 상에 고분자막(110)이 형성될 수 있다. 상기 고분자 물질의 예로는 폴리이미드를 포함할 수 있다. 따라서 상기 고분자 물질은 플렉서블한 성질을 가질 수 있다. Subsequently, a polymer material is supplied onto the frame 105 to form the polymer film 110 on the frame 105 (S120). The polymer material may be formed by a spin coating process. For example, as the frame 105 rotates, the polymer material is sprayed onto the frame 105. Therefore, the polymer film 110 may be formed on the frame 105. Examples of the polymer material may include polyimide. Therefore, the polymer material may have a flexible property.

상기 스핀 코팅 공정에 의하여, 별도의 텍스쳐를 형성하기 위한 건식식각법, 기계적 그루빙(mechanical grooving), 습식식각법을 생략할 수 있음으로써 상대적인 간단한 공정으로 고분자막(110)에 텍스쳐가 형성될 수 있다.By the spin coating process, a dry etching method, a mechanical grooving method, and a wet etching method for forming a separate texture may be omitted, so that the texture may be formed on the polymer film 110 in a relatively simple process. .

또한, 스핀 코팅 공정으로 형성된 고분자막(110)은 유리 기판과 다르게 플렉스블한 특성을 가짐으로써 상기 태양전지용 유연 기판이 개선된 휴대성을 확보할 수 있다. In addition, the polymer film 110 formed by the spin coating process has a flexible property different from that of the glass substrate, thereby ensuring improved portability of the flexible substrate for the solar cell.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 상기 고분자막(110)이 경화 공정을 통하여 경화된다(S130). 예를 들면, 상기 경화 공정은 불활성 가스 분위기에서 100 내지 150°C의 온도 범위에서 수행될 수 있다. 상기 경화 공정은 약 40 내지 80초 동안 수행될 수 있다. 이를 통하여 상기 경화된 고분자막(110)이 상기 프레임(105)의 표면으로부터 박리될 수 있다. 상기 불활성 가스의 예로는 아르곤, 질소, 헬륨 또는 네온 가스를 들 수 있다.1 to 3, the polymer film 110 is cured through a curing process (S130). For example, the curing process may be carried out in a temperature range of 100 to 150 ° C in an inert gas atmosphere. The curing process may be performed for about 40 to 80 seconds. Through this, the cured polymer film 110 may be peeled off from the surface of the frame 105. Examples of the inert gas include argon, nitrogen, helium or neon gas.

이어서, 상기 경화된 고분자막(110) 상에 금속막(130)을 형성한다(S140). 상기 금속막(130)은 예를 들면, 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 이들의 합금 또는 코어셀 구조의 금속물질을 포함할 수 있다. 상기 금속막(130)은 태양전지의 전극으로서 이용될 수 있다. Subsequently, a metal film 130 is formed on the cured polymer film 110 (S140). The metal layer 130 may include, for example, silver (Ag), aluminum (Al), copper (Cu), an alloy thereof, or a metal material having a core cell structure. The metal film 130 may be used as an electrode of a solar cell.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속막(130)은 열증착 공정을 통하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속막(130)은 열증착기를 이용하여 상기 고분자막(110) 상에 형성될 수 있다. 상기 열증착 공정에 따르면, 챔버(미도시) 내에 10-6 torr 이하의 진공 상태에서 금속막을 이루는 물질에 전류를 인가시켜 용융시킨다. 용융된 물질은 상기 챔버 내에 증발하여 상기 고분자막(110) 상에 증착할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the metal film 130 may be formed through a thermal deposition process. For example, the metal film 130 may be formed on the polymer film 110 using a thermal evaporator. According to the thermal deposition process, a current is applied to a material forming a metal film in a vacuum state of 10 −6 torr or less in a chamber (not shown) and melted. The molten material may be deposited on the polymer film 110 by evaporation in the chamber.

본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 금속막(130)은 스퍼터링 공정와 같은 물리적 기상 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 스퍼터링 공정에 따르면, 척(미도시) 상에 상기 고분자막(110)을 배치하고, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 챔버 내에 공급한다. 또한 타겟(미도시)에 금속물질을 배치하여 전원을 공급하면 아르곤 가스가 플라즈마 상태로 해리되어 타겟에 배치된 금속 물질과 충돌하여 금속물질이 고분자막(130) 상에 증착할 수 있다. In another embodiment of the present invention, the metal film 130 may be formed through a physical vapor deposition process, such as a sputtering process. According to the sputtering process, the polymer film 110 is disposed on a chuck (not shown), and an inert gas such as argon gas is supplied into the chamber. In addition, when a metal material is disposed on a target (not shown) to supply power, the argon gas may dissociate into a plasma state and collide with the metal material disposed on the target to deposit the metal material on the polymer film 130.

상기 금속막(130)은 예를 들면, 8-12 nm의 두께를 갖도록 형성될 수 있다. 상기 금속막(130)의 두께는 용도에 따라 조절될 수 있다.The metal layer 130 may be formed to have a thickness of, for example, 8-12 nm. The thickness of the metal film 130 may be adjusted according to the use.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 이후 상기 금속막(130) 상에 제1 투명 도전막(140)을 형성한다(S150). 상기 제1 투명 도전막(140)은 빛을 투과할 수 있는 광투과성을 갖는다. 또한 상기 제1 투명 도전막(140)은 전기를 통할 수 있는 도전성을 갖는다. 예를 들면, 상기 제1 투명 도전막(140)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(Al-doped Zinc Oxide; AZO), 알루미늄 도핑 주석 산화물(Al-doped Tin Oxide; ATO) 또는 이들을 혼합물을 포함할 수 있다. 1 to 3, a first transparent conductive film 140 is formed on the metal film 130 (S150). The first transparent conductive layer 140 has a light transmittance that can transmit light. In addition, the first transparent conductive film 140 has electrical conductivity. For example, the first transparent conductive layer 140 may be formed of indium tin oxide (ITO), aluminum doped zinc oxide (AZO), aluminum doped tin oxide (Al-doped Tin Oxide); ATO) or mixtures thereof.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 투명 도전막(140)은 스퍼터링 공정와 같은 물리적 기상 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 스퍼터링 공정에 따르면, 척(미도시) 상에 상기 금속막(130) 및 고분자막(110)으로 이루어진 막 구조물을 배치하고, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 챔버 내에 공급한다. 또한 타겟으로서 투명 도전막을 이루는 물질을 배치하여 전원을 공급하면 아르곤 가스가 플라즈마 상태로 해리되어 타겟과 충돌하여 제1 투명 도전막(140)을 이루는 물질이 금속막(130) 상에 증착할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the first transparent conductive layer 140 may be formed through a physical vapor deposition process, such as a sputtering process. According to the sputtering process, a film structure including the metal film 130 and the polymer film 110 is disposed on a chuck (not shown), and an inert gas such as argon gas is supplied into the chamber. In addition, when a material that forms a transparent conductive film is disposed as a target to supply power, argon gas may dissociate into a plasma state and collide with the target to deposit a material that forms the first transparent conductive film 140 on the metal film 130. .

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 고분자막(110)의 후면 상에 광투과성 보호막(150)이 추가적으로 형성될 수 있다(S160). 상기 광투과성 보호막(150)은 전기를 통할 수 있는 도전성을 갖는다. 예를 들면, 상기 광투과성 보호막(150)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(Al-doped Zinc Oxide; AZO), 알루미늄 도핑 주석 산화물(Al-doped Tin Oxide; ATO) 또는 이들을 혼합물을 포함할 수 있다. 즉 상기 광투과성 보호막(150)은 상기 제1 투명 도전막(140)과 실질적으로 동일한 물질로 이루어질 수 있다. In one embodiment of the present invention, a light-transmissive protective film 150 may be additionally formed on the rear surface of the polymer film 110 (S160). The light transmissive protective film 150 has a conductivity that can pass through electricity. For example, the light-transmissive protective film 150 may be formed of indium tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), and aluminum-doped tin oxide (ATO). Or mixtures thereof. That is, the light transmissive protective film 150 may be made of substantially the same material as the first transparent conductive film 140.

상기 광투과성 보호막(150)은 외부에 충격에 대하여 태양전지용 유연 기판(100)을 보호함으로써 태양전지용 유연 기판(100)이 개선된 내구성을 가질 수 있다.The light transmissive protective layer 150 may have improved durability of the solar cell flexible substrate 100 by protecting the solar cell flexible substrate 100 against an impact to the outside.

상기 금속막(130)을 상기 고분자막(110) 상에 형성하기 전에, 상기 고분자막(110) 상에 제2 투명 도전막(120)을 형성한다. 상기 제2 투명 도전막(120)은 빛을 투과할 수 있는 광투과성을 갖는다. 또한 상기 제2 투명 도전막(120)은 전기를 통할 수 있는 도전성을 갖는다. 예를 들면, 상기 제2 투명 도전막(120)은 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(Al-doped Zinc Oxide; AZO), 알루미늄 도핑 주석 산화물(Al-doped Tin Oxide; ATO) 또는 이들을 혼합물을 포함할 수 있다. Before forming the metal film 130 on the polymer film 110, a second transparent conductive film 120 is formed on the polymer film 110. The second transparent conductive film 120 has a light transmittance that can transmit light. In addition, the second transparent conductive film 120 has electrical conductivity. For example, the second transparent conductive layer 120 may be formed of indium tin oxide (ITO), aluminum doped zinc oxide (AZO), aluminum doped tin oxide (Al-doped Tin Oxide); ATO) or mixtures thereof.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제2 투명 도전막(120)은 스퍼터링 공정와 같은 물리적 기상 증착 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 스퍼터링 공정에 따르면, 척 상에 상기 고분자막(110)을 배치하고, 아르곤 가스와 같은 불활성 가스를 챔버 내에 공급한다. 또한 타겟으로서 제2 투명 도전막(120)을 이루는 물질을 배치하여 전원을 공급하면 아르곤 가스가 플라즈마 상태로 해리되어 타겟과 충돌하여 투명 도전막을 이루는 물질이 고분자막(110) 상에 증착할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the second transparent conductive film 120 may be formed through a physical vapor deposition process, such as a sputtering process. According to the sputtering process, the polymer film 110 is disposed on the chuck, and an inert gas such as argon gas is supplied into the chamber. In addition, when the material constituting the second transparent conductive film 120 is disposed as a target to supply power, argon gas may dissociate into a plasma state and collide with the target to form a transparent conductive film on the polymer film 110.

본 발명의 실시예들에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법에 따르면, 스핀 코팅 공정에 의하여, 상대적인 간단한 공정으로 고분자막 표면 주위에 텍스쳐가 형성될 수 있다. 또한, 스핀 코팅 공정으로 형성된 고분자막은 유리 기판과 다르게 플렉스블한 특성을 가짐으로써 상기 태양전지용 유연 기판이 개선된 휴대성을 확보할 수 있다. 나아가, 상기 광투과성 보호막이 고분자막의 후면에 형성됨에 따라 외부에 충격에 대하여 태양전지용 유연 기판을 보호함으로써 태양전지용 유연 기판이 개선된 내구성을 가질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따른 태양전지용 유연 기판의 제조 방법은 실리콘 박막형 태양 전지 또는 염료 감응형 태양 전지에 적용될 수 있다.According to the method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to embodiments of the present invention, a texture may be formed around a surface of a polymer film by a spin coating process in a relatively simple process. In addition, the polymer film formed by the spin coating process has a flexible property different from that of the glass substrate, thereby ensuring improved portability of the flexible substrate for the solar cell. Furthermore, as the light-transmissive protective film is formed on the rear surface of the polymer film, the flexible substrate for the solar cell may have improved durability by protecting the flexible substrate for the solar cell against impact to the outside. The method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to embodiments of the present invention may be applied to a silicon thin film solar cell or a dye-sensitized solar cell.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

Claims (6)

표면에 요철이 형성된 프레임을 준비하는 단계;
상기 프레임 상에 고분자 물질을 이용하여 스핀 코팅 공정으로 상기 프레임 상에 고분자막을 형성하는 단계;
상기 고분자막을 경화시키는 단계;
상기 경화된 고분자막 전면 상에 금속막을 형성하는 단계; 및
상기 금속막 상에 제1 투명 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법.
Preparing a frame having irregularities formed on a surface thereof;
Forming a polymer film on the frame by a spin coating process using a polymer material on the frame;
Curing the polymer film;
Forming a metal film on the entire surface of the cured polymer film; And
A method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell comprising the step of forming a first transparent conductive film on the metal film.
제1항에 있어서, 상기 고분자막의 후면 상에 투명한 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to claim 1, further comprising forming a transparent protective film on a rear surface of the polymer film. 제1항에 있어서, 상기 고분자막을 폴리이미드 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to claim 1, wherein the polymer film comprises a polyimide material. 제1항에 있어서, 상기 고분자막을 경화시키는 단계는 불활성 가스 분위기에서 100 내지 150°C의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법. The method of claim 1, wherein the curing of the polymer film is performed at a temperature in a range of 100 to 150 ° C. in an inert gas atmosphere. 제1항에 있어서, 상기 금속막을 형성하기 전, 상기 경화된 고분자막 전면에 제2 투명 도전막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법.The method of manufacturing a flexible substrate for a solar cell according to claim 1, further comprising forming a second transparent conductive film on the entire surface of the cured polymer film before forming the metal film. 제1항에 있어서, 상기 제1 투명 도전막을 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 알루미늄 도핑 아연 산화물(Al-doped Zinc Oxide; AZO), 알루미늄 도핑 주석 산화물(Al-doped Tin Oxide; ATO) 또는 이들을 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 유연 기판의 제조 방법.The method of claim 1, wherein the first transparent conductive film is formed of indium tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), and aluminum-doped tin oxide (ATO). Or a mixture thereof. A method for producing a flexible substrate for a solar cell.
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