KR101208946B1 - 클러스터 이오나이저 - Google Patents

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Abstract

클러스터 이오나이저가 개시된다. 본 발명의 클러스터 이오나이저는, 원통 형상의 제1 전극부; 제1 전극부와 이격되게 배치되며 제1 전극부를 감싸도록 원통 형상으로 이루어지는 제2 전극부; 제1 전극부 및 제2 전극부 사이에 배치되며 원통 형상으로 이루어지는 이중관 구조의 제1 및 제2 유전체부; 및 제1 전극부와 제2 전극부로 고전압을 인가시켜 방전을 발생시키는 고전압 공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 제1 및 제2 유전체부를 서로 이격되게 이중관 구조로 형성함으로써 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 절연 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 클러스터 이오나이저의 표면을 형성하는 제2 전극부에 방열핀이 형성됨으로써 제2 전극부에 형성되는 열을 보다 신속하게 외부로 방출하여 전체적인 내구성을 향상시킬 수 있다.

Description

클러스터 이오나이저{CLUSTER IONIZER}
본 발명은, 클러스터 이오나이저에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 고전압전극과 접지전극 사이의 절연 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 전체적인 외관 사이즈를 보다 컴팩트하게 구현할 수 있는 클러스터 이오나이저에 관한 것이다.
일반적으로, 방전소자는 담배 냄새, 땀 냄새 등의 탈취 효과와 더불어 바이러스, 곰팡이, 진드기 등을 살균하여 공기를 쾌적하게 만드는 것으로서, 이러한 방전소자는 유전체를 사이에 두고 위치하는 고전압전극과 접지전극으로 구성되며, 외부에 별도로 존재하는 고전압 발생을 위한 회로부를 통해 고전압전극에 고전압을 인가하여 플라즈마 방전을 하는 과정에서 다량의 산화기 및 수산화기이온이 다량 생성되어 산화 처리됨으로써 실내 공기를 살균, 탈취, 정화시키게 된다.
그러나, 종래의 방전소자는 고전압전극과 접지전극 사이에 유전체가 배치되어 있다고 할지라도 고전압전극과 접지전극 사이의 절연 상태가 불안정할 수 있는 단점을 갖고 있으며, 전술한 바와 같이 회로부가 별도로 구비됨으로써 전체적인 외관 사이즈가 증가할 수 밖에 없는 단점을 갖고 있다.
본 발명의 목적은, 고전압전극과 접지전극 사이의 절연 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 전체적인 외관 사이즈를 보다 컴팩트하게 구현할 수 있는 클러스터 이오나이저를 제공하는 것이다.
본 발명의 해결과제는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다.
상기 목적은, 본 발명에 따라, 원통 형상의 제1 전극부; 상기 제1 전극부와 이격되게 배치되며 상기 제1 전극부를 감싸도록 원통 형상으로 이루어지는 제2 전극부; 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부 사이에 배치되며 원통 형상으로 이루어지는 이중관 구조의 제1 및 제2 유전체부; 및 상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부로 고전압을 인가시켜 방전을 발생시키는 고전압 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 제1 및 제2 유전체부는 상호 간에 일정 간격 이격되게 배치되며 석영 또는 세라믹 재질로 이루어지며, 상기 제1 유전체부는 상기 제1 전극부의 내주면에 접촉하고, 상기 제2 유전체부는 상기 제2 전극부의 외주면에 접촉하도록 배치될 수 있다.
상기 제1 전극부에는 복수의 관통공이 형성될 수 있다.
상기 제2 전극부에는 복수의 관통공이 형성되며 외부로의 열 방출을 위한 복수의 방열핀이 형성될 수 있다.
상기 방열핀은, 상기 제2 전극부에 엠보싱(embossing) 또는 코킹(cocking) 작업을 수행하여 형성되거나, 용접을 통해 상기 제2 전극부 표면에 부착될 수 있다.
상기 고전압 공급부는, 상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부에 각각 접촉되는 고전압출력단자 및 접지단자; 외부로부터 입력된 전압을 일정 이상의 고전압으로 변환한 후 상기 고전압출력단자 및 접지단자로 출력하는 고압 변환부; 및 외부로부터 전압을 입력받는 전압입력단자부를 포함하되, 상기 고전압출력단자, 접지단자, 고압 변환부 및 전압입력단자부는 하나의 몰딩체로 형성될 수 있다.
상기 고전압 공급부는, 상기 제1 전극부, 제2 전극부, 제1 유전체부 및 제2 유전체부의 개구된 일측을 폐쇄하도록 상기 제1 전극부 내측에 삽입되게 장착되되, 상기 전압입력단자부는 외부에 노출되도록 배치될 수 있다.
상기 전압입력단자부는 상용 전기 공급을 위해 콘센트에 체결 가능하도록 형성된 전기플러그일 수 있다.
상기 고전압 공급부는 상기 고전압출력단자, 접지단자, 고압 변환부 및 전압입력단자부가 내장 설치되는 하우징을 포함하되, 상기 하우징은 절연 가능한 재질로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 클러스터 이오나이저에 따르면 다음과 같은 기술적 효과가 있다.
첫째, 제1 및 제2 유전체부를 서로 이격되게 이중관 구조로 형성함으로써, 제1 전극부와 제2 전극부 사이의 절연 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있다.
둘째, 클러스터 이오나이저의 표면을 형성하는 제2 전극부에 방열핀이 형성됨으로써, 제2 전극부에 형성되는 열을 보다 신속하게 외부로 방출하여 전체적인 내구성을 향상시킬 수 있다.
셋째, 고전압 공급부가 제1 전극부 내측에 삽입되게 장착됨으로써, 전체적인 외관 사이즈를 보다 컴팩트하게 구현할 수 있다.
넷째, 고전압 공급부의 전압입력단자부가 전기플러그 형태로 마련됨으로써, 사용자가 가정, 회사 및 공장 등의 전기콘센트에 쉽게 연결하여 사용할 수 있게 된다.
본 발명의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해되어 질 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저의 결합 상태를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 클러스터 이오나이저의 사용상태를 나타내는 사시도이다.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부 도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 사시도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 클러스터 이오나이저의 결합 상태를 나타내는 단면도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 나타내는 단면도이며, 도 5는 본 발명에 따른 클러스터 이오나이저의 사용상태를 나타내는 사시도이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 클러스터 이오나이저는, 고전압 인가에 의한 플라즈마 방전을 통해 양/음이온을 발생시킴으로써 대기 중 오염 물질 제거, 살균, 부패방지, 탈취 등의 용도로 사용하기 위해 의료기기 및 가정용/산업용 공기청정기 등에 적용이 가능한 것으로서, 원통 형상의 제1 전극부(100)와, 제1 전극부(100)와 이격되게 배치되며 제1 전극부(100)를 감싸도록 원통 형상으로 이루어지는 제2 전극부(200)와, 제1 전극부(100) 및 제2 전극부(200) 사이에 배치되며 원통 형상으로 이루어지는 이중관 구조의 제1 및 제2 유전체부(300,400)와, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)로 고전압을 인가시켜 방전을 발생시키는 고전압 공급부(500)를 포함한다.
먼저, 제1 전극부(100)는, 고전압 공급부(500)로부터 대략 3000V 이하의 고전압을 인가받으며, 이온 발생량을 최대화하기 위해 전기저항이 낮고 내구성이 양호한 은, 니켈, 동, 알루미늄 재질 중 하나로 이루어지거나 금속판의 표면에 전술한 구성 중 하나를 코팅하여 형성되는 것으로서 내부 수용공간을 갖는 원통 형상으로 이루어진다.
제2 전극부(200)는 접지 전극으로 기능하는 것으로서, 제1 전극부(100)와 일정 간격 이격되어 제1 전극부(100)를 감싸도록 원통 형상으로 형성되며 마찬가지로 이온 발생량을 증가시키도록 스테인리스, 동 또는 알루미늄 망으로 이루어질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 전극부(200)는 일 예로 스테인레스 24종의 재질로 형성될 수 있다.
본 실시예에서, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)는 망 형태로 구현되도록, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)에는 각각 복수의 관통공(110,210)이 형성되어 있다.
한편, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 클러스터 이오나이저의 표면을 형성하는 제2 전극부(200)에는 그 표면으로부터 돌출된 구조의 복수의 방열핀(220)이 형성되어 있다. 제2 전극부(200)에는 고전압 공급부(500)를 통해 상당한 세기의 고전압이 인가되는데, 통상 금속재에 고압이 인가되는 경우 금속재에는 인가되는 전압의 세기에 대응하여 열이 발생하게 된다. 본 실시예에서는 제2 전극부(200)가 복수의 방열핀(220)을 포함하도록 형성됨으로써, 고전압 공급부(500)를 통해 일정 이상의 고전압이 제2 전극부(200)에 인가될 때 제2 전극부(200)에서 발생하는 열을 보다 신속하게 외부로 방출할 수 있게 된다. 이에 따라 제2 전극부(200)를 포함하는 클러스터 이오나이저의 내구성(수명)을 향상시킬 수 있게 된다.
본 실시예에서, 방열핀(220)은, 제2 전극부(200)와 동일 또는 상이한 금속재질로 형성될 수 있으며, 일 예로 제2 전극부(200)에 엠보싱(embossing) 또는 코킹(cocking) 작업과 같은 프레스 작업을 통해 형성될 수 있다. 또한 방열핀(220)은 별도의 용접을 통해 제2 전극부(200) 표면에 부착될 수도 있다.
도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 일단부가 폐쇄된 원통 형상으로 이루어지되 서로 간에 일정 간격 이격되게 제1 전극부(100) 및 제2 전극부(200) 사이에 배치된다. 즉, 본 실시예에서 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 이중관 구조로 이루어져 있으며, 제1 유전체부(300)의 내측에는 제1 전극부(100)가 배치되고 제2 유전체부(400)의 외측에는 제2 전극부(200)가 배치된 구조를 갖는다.
제1 및 제2 유전체부(300,400)는, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200) 사이를 절연시킴과 더불어 그 사이에서 오존이 발생하는 것을 최대한 감소시키도록 인가 전압을 낮추기 위해 두께를 일정 이상 얇게하여 형성되는 것으로서, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)와 접촉하는 표면에는 편극전하가 발생하게 된다. 구체적으로, 제1 유전체부(300)는 제1 전극부의 외주면에 밀착하도록 접촉되고, 제2 유전체부(400)는 제2 전극부(200)의 내주면에 밀착하도록 접촉된다.
본 실시예에서, 도 1 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 상호 간에 일정 간격 이격되게 배치됨과 더불어 각각 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)에 밀착하여 접촉함으로써, 고전압 공급부(500)를 통해 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)에 상당한 고전압이 인가될 시 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200) 사이에서 오존이 발생하는 것을 더욱 감소시킬 수 있다. 이러한 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 석영 또는 세라믹 재질로 이루어질 수 있다. 부연해서, 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200) 사이에 배치되어 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)를 서로 절연시킴과 더불어, 제1 및 제2 유전체부(300,400)가 서로 일정 간격 이격되게 이중관 구조로 형성됨으로써 결국에는 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200) 사이의 절연 공간을 더욱 확보하여 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200) 사이의 절연 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있게 된다.
도 1 내지 도 4에 도시한 바와 같이, 고전압 공급부(500)는, 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)로 고전압을 인가시켜 플라즈마 방전에 의해 음/양이온을 발생시키는 것으로서, 구체적으로 일반적인 상용 주파수인 60Hz 정도의 저주파, 대략 3000V 이하의 고전압을 발생시켜 제1 전극부(100) 및 제2 전극부(200)에 인가한다.
도 1, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 이러한 고전압 공급부(500)는, 제1 전극부(100) 및 제2 전극부(200)에 각각 접촉되는 고전압출력단자(510) 및 접지단자(520)와, 외부로부터 입력된 전압을 일정 이상의 고전압으로 변환한 후 고전압출력단자(510) 및 접지단자(520)로 출력하는 고압 변환부(530)와, 외부로부터 전압을 입력받는 전압입력단자부(540)를 포함한다.
본 실시예에서 고전압 공급부(500)는, 고전압출력단자(510), 접지단자(520), 고압 변환부(530)가 내장 설치되는 하우징(550)을 포함하되, 하우징(550)은 절연 가능한 재질로 이루어진다. 즉, 고전압 공급부(500)는 하나의 몰딩체로 형성되어 제1 전극부(100)의 내측 영역에 삽입된다. 부연하자면, 도 3에 도시한 바와 같이, 고전압 공급부(500)는, 제1 전극부(100), 제2 전극부(200), 제1 유전체부(300) 및 제2 유전체부(400)의 개구된 일측을 폐쇄하도록 제1 전극부(100) 내측에 삽입되게 장착된다. 이때, 전압입력단자부(540)는 외부 상용전원을 용이하게 공급받을 수 있도록 하우징(550)의 외부에 노출되도록 배치되는 것이 바람직하다.
도 1, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 하우징(550)은, 고압 변환부(530)가 내장되는 바디부(551)와 전압입력단자부(540)가 설치되는 커버부(552)를 포함한다. 한편, 관련 도면에서는 고전압출력단자(510) 및 접지단자(520)가 각각 하우징(550)의 좌우 단부 영역에 각각 형성되는 것으로 도시하였지만, 이에 한정되지 않으며 고전압출력단자(510)는 제1 전극부(100)로 고전압을 인가시키고 접지단자(520)는 제2 전극부(200)로 고전압을 인가시킬 수만 있다면 그 배치 위치는 어디라도 상관없다. 일 예로, 고전압출력단자(510)와 접지단자(520)는 커버부(552)에 내장 설치될 수도 있다. 본 실시예에서, 하우징(550)은 실리콘, 에폭시, 플라스틱 합성수지 등의 절연 가능한 재질로 이루어지며, 제1 전극부(100)의 내측에 강제 압입되거나 별도의 접착제를 통해 접착되어 제1 전극부(100), 제2 전극부(200), 제1 유전체부(300) 및 제2 유전체부(400)의 개구된 일측을 폐쇄할 수 있다.
본 실시예에서, 도 3에 도시한 바와 같이, 고전압 공급부(500)가 하나의 몰딩체로 이루어짐에 따라, 제1 전극부(100), 제2 전극부(200), 제1 유전체부(300) 및 제2 유전체부(400) 조립체에 대해 하나의 몰딩체로 형성된 고전압 공급부(500)를 보다 신속하고 용이하게 조립할 수 있게 된다. 또한, 본 실시예에 따른 클러스터 이오나이저는, 고전압 공급부(500)가 제1 전극부(100)의 내측 영역에 삽입된 구조를 가지므로 전체적인 외관이 보다 컴팩트하게 구현될 수 있다.
전압입력단자부(540)는 별도의 외부 전원공급장치(미도시)에 연결되어 대략 220V 전후의 상용 전원을 인가받은 후 인가받은 전원을 고압 변환부(530)로 전달하게 되는데, 도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서 이러한 전압입력단자부(540)는 상용 전기 공급을 위해 콘센트(600)에 체결 가능하도록 형성된 전기플러그(540) 형태로 적용될 수도 있다. 이러한 구조를 통해 사용자는 본 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 가정, 회사, 공장 등의 전원콘센트에 연결하여 손쉽게 사용할 수 있게 된다.
이하, 본 실시예에 따른 클러스터 이오나이저를 통해 음/양이온이 발생하는 원리에 대해 간략하게 설명하기로 한다.
본 실시예에 따른 클러스터 이오나이저는, 고전압 공급부(500)에서 발생된 저주파 고전압을 고전압 공급부(500)와 전기적으로 연결되어 있는 속이 빈 원통 형상의 제1 전극부(100)를 통해 일정시간 동안 인가받게 되며, 제1 전극부(100)과 일정 간격을 두고서 제1 전극부(100)를 감싸는 접지전극인 제2 전극부(200)를 통해 접지되어 전기적 무성방전에 의해 이온 클러스터(C)를 발생시킨다.
이온 클러스터(C)의 발생원리를 살펴보면, 제1 전극부(100)에 고전압 교류를 인가하면 서로 이격된 이중관 구조의 제1 및 제2 유전체부(300,400) 표면에 강한 전기장이 형성되고 부분적인 방전이 발생하면서 공기 분자들에게서 전자를 빼앗거나 전자를 결합시켜서 기체분자 양이온과 음이온을 만들어 낸다.
O2 + e- →O2 -
O2 →O2 + + e-
여기서, 발생된 산소 음이온은 공기 중의 물과 반응하여 유기 분자(Organic molecules)들을 쉽게 산화시킬 수 있는 과산화기(per-hydroxyl)와 수산화기(hydroxyl)를 발생시킨다.
2O2 - + 2H2O →O2 + HO2 - + OH-
또한, 산소 음이온은 부산물로 발생된 오존과 직접 반응하여 수산화기를 발생시킨다.
2O2 - + O3 + H2O →2O2 + OH- + OH
상기에 언급한 반응으로 발생된 산소 음이온과 양이온, 그리고 과산화기와 수산화기는 강력한 친화력을 지니므로 집단의 형태로 뭉쳐서 이온 클러스터(Ion cluster, C)를 형성하게 된다.
고전압 교류전원에 의해 방전을 시켜 발생된 산소 음이온에 의해 상기 반응이 일어나며 이로 인해 발생된 이온 클러스터(산소 음이온과 산소 양이온, 과산화기, 그리고 수산화기의 집단)는 강력한 산화작용을 지녀 가스상 물질인 휘발성유기화합물(Volatile organic compound) 및 냄새물질과 직접 반응을 일으켜 다음과 같은 산화반응으로 제거하게 된다.
CxHy + (x+y/4)O2 →xCO2 + (y/2)H2O
또한, 상기의 반응으로 형성된 이온 클러스터(C)는 입자상 물질(Particulate matter)에 부착되거나 둘러싸게 되고 산화반응을 일으켜 제거하게 된다. 이에 따라 공기의 청정화가 이루어진다.
그리고, 상기 제1 전극부(100)과 제2 전극부(200) 사이에 위치한 제1 및 제2 유전체부(300,400)는 제1 전극부(100)와 제2 전극부(200)에 최대한 밀착되어 있고, 그 두께도 최대한 얇게 형성되어 있으므로 인가되는 전압을 대략 3000V 이하로 크게 낮추게 되어 오존 발생량을 줄이게 된다. 인가 전압이 낮을수록 오존 발생량은 줄어들기 때문이다. 따라서, 본 실시예에 따른 클러스터 이오나이저에서 생성된 이온 클러스터(C)는 오염된 실내공기와 혼합하면서 강력한 산화력과 살균력을 발휘하여 실내공기 중의 악취와 휘발성유기화합물(VOC) 등을 산화시켜 제거하고 세균과 바이러스 등을 살균하게 된다.
본 실시예 및 본 명세서에 첨부된 도면은 본 발명에 포함되는 기술적 사상의 일부를 명확하게 나타내고 있는 것에 불과하며, 본 발명의 명세서 및 도면에 포함된 기술적 사상의 범위 내에서 당업자가 용이하게 유추할 수 있는 변형 예와 구체적인 실시 예는 모두 본 발명의 권리범위에 포함되는 것이 자명하다고 할 것이다.
100: 제1 전극부 200: 제2 전극부
220: 방열핀 300:제1 유전체부
400: 제2 유전체부 500: 고전압 공급부
510: 고전압출력단자 520: 접지단자
530: 고압 변환부 540: 전압입력단자부
550: 하우징 551: 바디부
552: 커버부

Claims (9)

  1. 원통 형상의 제1 전극부;
    상기 제1 전극부와 이격되게 배치되며 상기 제1 전극부를 감싸도록 원통 형상으로 이루어지는 제2 전극부;
    상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부 사이에 배치되며 원통 형상으로 이루어지는 이중관 구조의 제1 및 제2 유전체부; 및
    상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부로 고전압을 인가시켜 방전을 발생시키는 고전압 공급부를 포함하되,
    상기 고전압 공급부는,
    상기 제1 전극부 및 상기 제2 전극부에 각각 접촉되는 고전압출력단자 및 접지단자;
    외부로부터 입력된 전압을 일정 이상의 고전압으로 변환한 후 상기 고전압출력단자 및 접지단자로 출력하는 고압 변환부; 및
    외부로부터 전압을 입력받는 전압입력단자부를 포함하며,
    상기 고전압출력단자, 접지단자, 고압 변환부 및 전압입력단자부는 하나의 몰딩체로 형성되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유전체부는 상호 간에 일정 간격 이격되게 배치되며 석영 또는 세라믹 재질로 이루어지며,
    상기 제1 유전체부는 상기 제1 전극부의 외주면에 접촉하고, 상기 제2 유전체부는 상기 제2 전극부의 내주면에 접촉하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극부에는 복수의 관통공이 형성되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극부에는 복수의 관통공이 형성되며 외부로의 열 방출을 위한 복수의 방열핀이 형성되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 방열핀은, 상기 제2 전극부에 엠보싱(embossing) 또는 코킹(cocking) 작업을 수행하여 형성되거나, 용접을 통해 상기 제2 전극부 표면에 부착되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고전압 공급부는, 상기 제1 전극부, 제2 전극부, 제1 유전체부 및 제2 유전체부의 개구된 일측을 폐쇄하도록 상기 제1 전극부 내측에 삽입되게 장착되되, 상기 전압입력단자부는 외부에 노출되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 전압입력단자부는 상용 전기 공급을 위해 콘센트에 체결 가능하도록 형성된 전기플러그인 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 고전압 공급부는 상기 고전압출력단자, 접지단자 및 고압 변환부가 내장 설치되는 하우징을 포함하되, 상기 하우징은 절연 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 클러스터 이오나이저.
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KR200418654Y1 (ko) * 2006-03-09 2006-06-14 (주)수도프리미엄엔지니어링 플라즈마 방전소자

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