KR101203522B1 - In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof - Google Patents

In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101203522B1
KR101203522B1 KR1020050136119A KR20050136119A KR101203522B1 KR 101203522 B1 KR101203522 B1 KR 101203522B1 KR 1020050136119 A KR1020050136119 A KR 1020050136119A KR 20050136119 A KR20050136119 A KR 20050136119A KR 101203522 B1 KR101203522 B1 KR 101203522B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
common electrode
pixel
liquid crystal
electrode
Prior art date
Application number
KR1020050136119A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070072133A (en
Inventor
송인덕
이선용
이세응
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020050136119A priority Critical patent/KR101203522B1/en
Publication of KR20070072133A publication Critical patent/KR20070072133A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101203522B1 publication Critical patent/KR101203522B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Abstract

본 발명은 금속재질의 블랙매트릭스를 사용하여 실링재 터짐을 방지할 수 있는 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 제1기판; 금속재질의 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직인 제2방향으로 배열되어 상기 게이트라인과 함께 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인; 상기 데이터라인을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 보호막; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 상기 화소영역 내에 형성되어 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며, 상기 공통전극은 상기 화소영역의 중심영역에 형성된 제1공통전극과 상기 데이터라인과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극으로 구성되며, 상기 제1공통전극은 상기 게이트라인과 동일층에 형성되는 한편, 상기 제2공통전극은 상기 보호막 상에 화소전극과 함께 형성되고 상기 제2공통전극의 폭이 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 셀갭보다 큰 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a horizontal field type liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which can prevent the sealing material from bursting by using a black matrix of a metal material, comprising: a first substrate; A second substrate including a metal black matrix; A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; A plurality of data lines arranged in a second direction perpendicular to the gate line to define a plurality of pixel regions together with the gate line; A protective film formed on an entire surface of the first substrate including the data line; A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; A common electrode and a pixel electrode formed in the pixel region to generate a horizontal electric field; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, wherein the common electrode includes a first common electrode formed in a center region of the pixel region and a second common electrode formed in a region adjacent to the data line. The first common electrode is formed on the same layer as the gate line, while the second common electrode is formed together with the pixel electrode on the passivation layer, and the width of the second common electrode is greater than that of the first substrate and the second substrate. It is characterized in that it is larger than the cell gap between the substrates.

블랙매트릭스, 공통전극, 실링재 Black Matrix, Common Electrode, Sealing Material

Description

수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}Horizontal field type liquid crystal display device and its manufacturing method {IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF}

도 1a 및 도 1b는 일반적인 수평전계방식 액정표시소자를 나타낸 도면. 1A and 1B illustrate a general horizontal field type liquid crystal display device.

도 2는 실링재가 형성된 액정패널의 단면을 나타낸 도면.2 is a cross-sectional view of a liquid crystal panel in which a sealing material is formed.

도 3은 본 발명에 따른 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 평면도.3 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device according to the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명에 따른 액정표시소자를 나타낸 것으로, 도 4a는 박막트랜지스터 어레이기판의 단위화소를 보여주는 평면도이고, 도 4b는 도 4a의 II-II'의 단면도.4A and 4B illustrate a liquid crystal display device according to the present invention. FIG. 4A is a plan view showing unit pixels of a thin film transistor array substrate, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line II-II ′ of FIG. 4A.

도 5는 시야각 보상원리를 설명하는 도면.5 is a view for explaining a viewing angle compensation principle.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

101: 게이트 라인 103: 데이터 라인101: gate line 103: data line

106, 106': 공통전극 107: 화소전극106, 106 ': common electrode 107: pixel electrode

113: 액정층 121: 블랙매트릭스113: liquid crystal layer 121: black matrix

123: 칼라필터 128: 보조전극123: color filter 128: auxiliary electrode

본 발명은 수평전계방식 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 금속재질의 블랙매트릭스를 사용함으로써, 실링재의 터짐을 방지할 수 있도록 한 수평전계방식 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a horizontal field type liquid crystal display device, and more particularly, to a horizontal field type liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, which can prevent the sealing material from bursting by using a metal black matrix.

고화질, 저전력의 평판표시소자(flat panel display device)로서 주로 액정표시소자가 사용되고 있다. 액정표시소자는 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터 기판이 대향하여 균일한 간격을 갖도록 합착되며, 그 박막트랜지스터 어레이 기판과 칼라필터기판 사이에 액정층이 형성된다.Liquid crystal display devices are mainly used as flat panel display devices having high quality and low power. The liquid crystal display device is bonded so that the thin film transistor array substrate and the color filter substrate face each other at uniform intervals, and a liquid crystal layer is formed between the thin film transistor array substrate and the color filter substrate.

박막트랜지스터 어레이기판은 화소들이 매트릭스 형태로 배열되며, 그 단위화소에는 박막트랜지스터, 화소전극 및 커패시터가 형성되고, 상기 칼라필터기판은 상기 화소전극과 함께 액정층에 전계를 인가하는 공통전극과 실제 칼라를 구현하는 RGB 칼라필터 및 블랙매트릭스가 형성되어 있다.In the thin film transistor array substrate, pixels are arranged in a matrix form, and a thin film transistor, a pixel electrode, and a capacitor are formed in a unit pixel, and the color filter substrate is a common electrode and an actual color for applying an electric field to the liquid crystal layer together with the pixel electrode. An RGB color filter and a black matrix are implemented to implement the.

한편, 상기 박막트랜지스터 어레이기판과 칼라필터기판의 대향면에는 배향막이 형성되고, 러빙이 실시되어 상기 액정층이 일정한 방향으로 배열되도록 한다. 이때, 액정은 박막트랜지스터 어레이 기판의 단위 화소별로 형성된 화소전극과 칼라필터 기판의 전면에 형성된 공통전극 사이에 전계가 인가될 경우에 유전 이방성에 의해 회전함으로써, 단위화소별로 빛을 통과시키거나 차단시켜 문자나 화상을 표시하게 된다. 그러나, 상기와 같은 트위스트 네마틱 모드(twisted nematic mode) 액정표시소자(liquid crystal display device)는 시야각이 좁다는 단점이 있다.On the other hand, an alignment layer is formed on the opposite surface of the thin film transistor array substrate and the color filter substrate, and rubbing is performed so that the liquid crystal layer is arranged in a constant direction. In this case, the liquid crystal is rotated by dielectric anisotropy when an electric field is applied between the pixel electrode formed for each unit pixel of the thin film transistor array substrate and the common electrode formed on the front surface of the color filter substrate, thereby allowing light to pass through or blocked for each unit pixel. Characters or images are displayed. However, the above-described twisted nematic mode liquid crystal display device has a disadvantage in that the viewing angle is narrow.

따라서, 액정분자를 기판과 거의 횡방향으로 배향하여 시야각 문제를 해결하는 전계방식 액정표시소자(In Plane Switching mode LCD)가 최근에 활발하게 연구 되고 있다.Accordingly, in-plane switching mode LCD (LCD), which solves a viewing angle problem by aligning liquid crystal molecules in a substantially horizontal direction with a substrate, has been actively studied in recent years.

도 1은 일반적인 수평전계방식 액정표시소자의 단위화소를 개략적으로 도시한 것으로, 도 1a는 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 I-I'의 단면도이다.FIG. 1 schematically illustrates a unit pixel of a general horizontal field type liquid crystal display device. FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1A.

도면에 도시된 바와 같이, 투명한 제1기판(10) 상에 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)이 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의한다. 실제의 액정표시소자에서는 n개의 게이트라인(1)과 m개의 데이터라인(3)이 교차하여 n×m개의 화소가 존재하지만, 도면에는 설명을 간단하게 하기 위해 단지 한 화소만을 나타내었다.As shown in the figure, the gate line 1 and the data line 3 are vertically and horizontally arranged on the transparent first substrate 10 to define a pixel area. In an actual liquid crystal display device, n gate lines 1 and m data lines 3 intersect with n x m pixels, but only one pixel is shown in the figure for simplicity.

상기 게이트라인(1)과 데이터라인(3)의 교차점에는 게이트전극(1a), 반도체층(5) 및 소스/드레인전극(2a,2b)으로 구성된 박막트랜지스터(thin film transistor;9)가 배치되어 있으며, 상기 게이트전극(1a) 및 소스/드레인전극(2a,2b)은 각각 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)에 접속된다. 또한, 게이트절연막(8)은 기판 전체에 걸쳐서 적층되어 있다.A thin film transistor 9 composed of a gate electrode 1a, a semiconductor layer 5, and source / drain electrodes 2a and 2b is disposed at an intersection point of the gate line 1 and the data line 3. The gate electrode 1a and the source / drain electrodes 2a and 2b are connected to the gate line 1 and the data line 3, respectively. In addition, the gate insulating film 8 is laminated over the entire substrate.

화소영역 내에는 상기 게이트라인(1)과 평행하게 공통라인(4)이 배열되고, 액정분자를 스위칭 시키는 적어도 한쌍의 전극 즉, 공통전극(6)과 화소전극(7)이 데이터라인과 평행하게 배열되어 있다. 상기 공통전극(6)은 게이트라인(1)과 동시에 형성되어 공통라인(4)에 접속되며, 화소전극(7)은 소스/드레인전극(2a,2b)과 동시에 형성되어 박막트랜지스터(9)의 드레인전극(2b)과 접속된다. 그리고, 상기 소스/드레인전극(2a,2b)을 포함하는 기판 전체에 걸쳐서 보호막(11)이 형성되어 있다. 또한, 상기 공통라인(4)과 중첩되어 형성되며, 화소전극(7)과 접속하는 화소전극라인(14)은 그 사이에 개재된 절연막(8)을 사이에 두고 축적용량(Cst)를 형성한 다.The common line 4 is arranged in parallel with the gate line 1 in the pixel area, and at least one pair of electrodes for switching the liquid crystal molecules, that is, the common electrode 6 and the pixel electrode 7 are parallel with the data line. Are arranged. The common electrode 6 is formed at the same time as the gate line 1 and connected to the common line 4, and the pixel electrode 7 is formed at the same time as the source / drain electrodes 2a and 2b to form the thin film transistor 9. It is connected to the drain electrode 2b. A protective film 11 is formed over the entire substrate including the source / drain electrodes 2a and 2b. In addition, the pixel electrode line 14 overlapping the common line 4 and connected to the pixel electrode 7 forms an accumulation capacitor Cst with an insulating film 8 interposed therebetween. All.

또한, 제2기판(20)에는 박막트랜지스터(9), 게이트라인(1) 및 데이터라인(3)으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙매트릭스(21)와 칼라를 구현하기 위한 칼라필터(23)가 형성되어 있으며, 그 위에는 칼라필터(23)를 평탄화하기 위한 오버코트막(25)이 도포되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(10) 및 제2기판(20)의 대향면에는 액정의 초기 배향방향을 결정짓는 배향막(12a,12b)이 도포되어 있다.In addition, the second substrate 20 includes a black matrix 21 for preventing light leakage into the thin film transistor 9, the gate line 1, and the data line 3, and a color filter 23 for realizing color. The overcoat film 25 for planarizing the color filter 23 is apply | coated on it. On the opposing surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 20, alignment films 12a and 12b for determining the initial alignment direction of the liquid crystal are coated.

또한, 상기 제1기판(10) 및 제2기판(20) 사이에는 상기 공통전극(6) 및 화소전극(7)에 인가되는 전압에 의해 빛의 투과율을 조절하는 액정층(13)이 형성되어 있다.In addition, a liquid crystal layer 13 is formed between the first substrate 10 and the second substrate 20 to control light transmittance by a voltage applied to the common electrode 6 and the pixel electrode 7. have.

상기와 같는 구조를 갖는 종래 수평전계방식 액정표시소자는 공통전극(6a,6b) 및 화소전극(7)이 동일평면 상에 배치되어 횡전계를 발생시키기 때문에 시야각을 향상시킬 수 있는 장점을 가진다.The conventional horizontal field type liquid crystal display device having the structure as described above has the advantage of improving the viewing angle because the common electrodes 6a and 6b and the pixel electrode 7 are arranged on the same plane to generate a transverse electric field.

반면에, 화면이 표시되는 화소영역 내에 공통전극(6) 및 화소전극(7)이 배치되어 있기 때문에 개구율(aperture ratio)이 저하되어 휘도가 떨어지는 문제점이 있었다.On the other hand, since the common electrode 6 and the pixel electrode 7 are disposed in the pixel area where the screen is displayed, there is a problem that the aperture ratio is lowered and the luminance is lowered.

또한, 상기 제1 및 제2기판(10,20)은 그 외곽에 형성된 실링재에 합착되는데, 노트북과 같이 패널의 사이즈가 작아짐에 따라, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2기판(20)의 외곽에 형성된 블랙매트릭스(21)는 실링재(19)와 겹치게 된다. In addition, the first and second substrates 10 and 20 are bonded to the sealing material formed on the outer side thereof, and as the size of the panel becomes smaller, such as a notebook, as shown in FIG. 2, the second substrate 20 The black matrix 21 formed on the outer surface overlaps the sealing material 19.

그러나, 상기 블랙매트릭스(21)는 블랙수지로 이루어져 있기 때문에 제2기판(20)과의 접착성이 약할 뿐만 아니라 액정주입시 기판의 잦은 요동으로 인하여 블 랙매트릭스(21)와 제2기판(20) 사이에 들뜸이 발생하거나, 상기 블랙매트릭스(21)의 들뜸으로 인하여 크랙이 발생되어 결과적으로 실링재(19)의 터짐과 같은 불량을 발생시키게 된다.However, since the black matrix 21 is made of black resin, not only the adhesion to the second substrate 20 is weak, but also the black matrix 21 and the second substrate 20 are caused by frequent fluctuations of the substrate during liquid crystal injection. Lifting occurs between) or cracks are generated due to the lifting of the black matrix 21, resulting in a failure such as bursting of the sealing material (19).

따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 금속재질의 블랙매트릭스를 사용함으로써, 실링재의 터짐을 방지할 수 있도록 한 수평전계방식 액정표시소자를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a horizontal field type liquid crystal display device capable of preventing the sealing material from bursting by using a black matrix of a metallic material. .

또한, 본 발명은 데이터라인과 인접하는 공통전극 또는 보조전극의 폭을 셀갭보다 크게 함으로써, 금속재질의 블랙매트릭스에 의한 수평전계의 왜곡을 방지할 수 있도록 한 수평전계방식 액정표시소자를 제공하는 데 있다.In addition, the present invention provides a horizontal field type liquid crystal display device in which the width of the common electrode or the auxiliary electrode adjacent to the data line is larger than the cell gap, thereby preventing distortion of the horizontal electric field due to the black matrix of the metal material. have.

기타 본 발명의 목적 및 특징은 이하의 발명의 구성 및 특허청구범위에서 상세히 기술될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in detail in the configuration and claims of the following invention.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 수평전계방식 액정표시소자는 제1기판; 금속재질의 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직인 제2방향으로 배열되어 상기 게이트라인과 함께 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인; 상기 데이터라인을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 보호막; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 상기 화소영역 내에 형성되어 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극; 및 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며, 상기 공통전극은 상기 화소영역의 중심영역에 형성된 제1공통전극과 상기 데이터라인과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극으로 구성되며, 상기 제1공통전극은 상기 게이트라인과 동일층에 형성되는 한편, 상기 제2공통전극은 상기 보호막 상에 화소전극과 함께 형성되고 상기 제2공통전극의 폭이 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 셀갭보다 큰 것을 특징으로 한다.Horizontal field type liquid crystal display device of the present invention for achieving the above object is a first substrate; A second substrate including a metal black matrix; A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; A plurality of data lines arranged in a second direction perpendicular to the gate line to define a plurality of pixel regions together with the gate line; A protective film formed on an entire surface of the first substrate including the data line; A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; A common electrode and a pixel electrode formed in the pixel region to generate a horizontal electric field; And a liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, wherein the common electrode includes a first common electrode formed in a center region of the pixel region and a second common electrode formed in a region adjacent to the data line. The first common electrode is formed on the same layer as the gate line, while the second common electrode is formed together with the pixel electrode on the passivation layer, and the width of the second common electrode is wider than the first substrate and the second electrode. It is characterized in that it is larger than the cell gap between the substrates.

상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질로 이루어질 수 있으며, 또한, 상기 공통전극 및 화소전극은 꺽임구조로 형성될 수도 있다. 이때, 데이터라인도 상기 공통전극 및 화소전극과 동일한 꺽임구조를 가질 수 있다.The common electrode and the pixel electrode may be made of a transparent conductive material, and the common electrode and the pixel electrode may be formed in a bent structure. In this case, the data line may have the same bending structure as that of the common electrode and the pixel electrode.

그리고, 상기 제2기판은 상기 블랙매트릭스 상에 형성된 컬러필터를 더 포함하여 구성된다.The second substrate further includes a color filter formed on the black matrix.

또한, 본 발명의 다른 수평전계방식 액정표시소자는 제1기판; 금속재질의 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인; 상기 게이트라인과 수직인 제2방향으로 배열되어 상기 게이트라인과 함께 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인; 상기 데이터라인을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 보호막; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자; 상기 화소영역 내에 형성되어 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극; 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층; 및 상기 데이터라인과 인접하는 공통전극의 상부에 형성된 보조전극을 포함하며, 상기 공통전극은 상기 화소영역의 중심영역에 형성된 제1공통전극과 상기 데이터라인과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극으로 구성되며, 상기 공통전극은 상기 게이트라인과 동일층에 형성되는 한편, 상기 제2공통전극 상부에 형성된 상기 보조전극의 폭이 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 셀갭보다 큰 것을 특징으로 한다.In addition, another horizontal field type liquid crystal display device of the present invention is a first substrate; A second substrate including a metal black matrix; A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; A plurality of data lines arranged in a second direction perpendicular to the gate line to define a plurality of pixel regions together with the gate line; A protective film formed on an entire surface of the first substrate including the data line; A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; A common electrode and a pixel electrode formed in the pixel region to generate a horizontal electric field; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; And an auxiliary electrode formed on an upper portion of the common electrode adjacent to the data line, wherein the common electrode is a first common electrode formed in the center region of the pixel region and a second common electrode formed in the region adjacent to the data line. The common electrode is formed on the same layer as the gate line, and the width of the auxiliary electrode formed on the second common electrode is greater than the cell gap between the first substrate and the second substrate.

상기 공통전극과 보조전극 사이에 형성된 게이트절연막 및 보호막을 더 포함하여 구성되며, 이때, 상기 화소전극은 투명한 전도성물질로 형성될 수 있다.A gate insulating layer and a protective layer formed between the common electrode and the auxiliary electrode are further included. In this case, the pixel electrode may be formed of a transparent conductive material.

상기한 바와 같이 본 발명은 금속재질의 블랙매트릭스를 사용함으로써, 제2기판과의 접착력을 향상시켜 실링재의 터짐을 방지한다.As described above, the present invention improves adhesion to the second substrate by using a black matrix made of metal, thereby preventing the sealing member from bursting.

더욱이, 본 발명은 데이터라인과 인접하는 공통전극의 폭을 셀갭보다 크게 설계함으로써, 금속재질의 블랙매트릭스에 의한 전계의 왜곡을 방지하기 한다. 또 한, 본 발명은 보조전극을 별도로 구성하고, 이를 셀갭보다 크게 설계함으로써, 상기 블랙매트릭스에 의한 전계왜곡을 방지할 수도 있다.In addition, the present invention design the width of the common electrode adjacent to the data line larger than the cell gap, thereby preventing the distortion of the electric field due to the black matrix of the metal material. In addition, according to the present invention, by configuring the auxiliary electrode separately, and designing it larger than the cell gap, the electric field distortion caused by the black matrix may be prevented.

이하, 첨부한 도면을 통해 상기한 바와 같은 본 발명에 대하여 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 액정표시소자를 개략적으로 나타낸 평면도이다.3 is a plan view schematically showing a liquid crystal display device according to the present invention.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 액정표시소자(100)는 박막트랜지스터 어레이기판(110)과 컬러필터기판(120) 및 이들 사이에 개재된 액정층(미도시)으로 구성된다.As shown in the figure, the liquid crystal display device 100 according to the present invention includes a thin film transistor array substrate 110 and a color filter substrate 120 and a liquid crystal layer (not shown) interposed therebetween.

상기 박막트랜지스터 어레이기판(110)은 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인(101)과 상기 게이트라인(101)과 수직으로 교차된 복수의 데이터라인(103)에 의해 정의된 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되는 화상표시부(113)와, 그 화상표시부(113)의 게이트라인(101)과 연결되어 외부신호를 전달하는 게이트패드(114)와, 상기 데이터라인(103)들과 연결되는 데이터패드(115)를 포함한다. The thin film transistor array substrate 110 includes a plurality of gate lines 101 arranged in a first direction and a plurality of liquid crystal cells defined by a plurality of data lines 103 vertically intersecting the gate lines 101. An image display unit 113 arranged to be connected to the image display unit 113, a gate pad 114 connected to the gate line 101 of the image display unit 113 to transmit an external signal, and a data pad connected to the data lines 103. 115).

이때, 상기 게이트패드부(114)와 데이터패드부(115)는 단위패널로 절단된 후, 컬러필터기판(120)과 중첩되지 않는 박막트랜지스터 어레이기판(110)의 가장자리 영역에 형성되며, 게이트패드(114)는 게이트구동회로(미도시)로부터 공급되는 게이트신호를 화상표시부(113)의 게이트라인(101)들에 공급하고, 상기 데이터패드부(115)는 데이터구동회로(미도시)로부터 공급되는 데이터신호를 화상표시부(113)의 데이터라인(103)들에 공급한다. 이때, 상기 게이트구동회로는 외부에 별도로 형성되거나 기판 상에 형성될 수 있다.In this case, the gate pad part 114 and the data pad part 115 are cut into unit panels, and are formed in the edge region of the thin film transistor array substrate 110 that does not overlap the color filter substrate 120. 114 supplies a gate signal supplied from a gate driver circuit (not shown) to the gate lines 101 of the image display unit 113, and the data pad unit 115 is supplied from a data driver circuit (not shown). The data signal to be supplied is supplied to the data lines 103 of the image display unit 113. In this case, the gate driving circuit may be formed separately on the outside or on the substrate.

그리고, 도면에 도시되어 있진 않지만, 상기 게이트라인(101)과 데이터라인(109)이 교차하는 영역에는 각각의 액정셀들을 스위칭하기 위한 스위칭소자로써, 박막트랜지스터가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터는 게이트전극, 반도체층 및 소스/드레인전극으로 구성되어 있으며, 상기 게이트전극과 반도체층은 이들 사이에 개재된 게이트절연막(미도시)에 의해 절연되어 있다. 이때, 상기 게이트절연막(미도시)은 박막트랜지스터 어레이기판(110) 전면에 걸쳐서 형성되며, 상기 박막트랜지스터를 보호하기 위한 보호막(미도시)이 기판 전면에 걸쳐 형성되어 있다. 따라서, 화상표시부(113)의 외곽의 박막트랜지스터 어레이기판(110) 상에는 게이트절연막 및 보호막이 적층되어 있다.Although not shown in the drawings, a thin film transistor is formed as a switching element for switching each liquid crystal cell in an area where the gate line 101 and the data line 109 cross each other. The thin film transistor includes a gate electrode, a semiconductor layer, and a source / drain electrode, and the gate electrode and the semiconductor layer are insulated by a gate insulating film (not shown) interposed therebetween. In this case, the gate insulating film (not shown) is formed over the entire surface of the thin film transistor array substrate 110, and a protective film (not shown) for protecting the thin film transistor is formed over the entire surface of the substrate. Therefore, a gate insulating film and a protective film are stacked on the thin film transistor array substrate 110 on the outside of the image display unit 113.

또한, 컬러필터기판(120)에는 셀영역별로 분리되어 도포된 컬러필터와, 박막트랜지스터 어레이기판(110)의 스위칭소자, 게이트라인(101), 데이터라인(103), 그리고 화상표시부(113)와 패드부(114,115) 사이에 빛샘을 방지하기 위한 블랙매트릭스(Black Matrix;121)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(121)는 크롬(Cr)과 같은 금속재질로 형성된다.In addition, the color filter substrate 120 includes a color filter coated separately for each cell region, a switching element of the thin film transistor array substrate 110, a gate line 101, a data line 103, and an image display unit 113. A black matrix 121 is formed between the pad parts 114 and 115 to prevent light leakage, and the black matrix 121 is formed of a metal material such as chromium (Cr).

한편, 상기 박막트랜지스터 어레이기판(110)의 외곽에 대응하는 상부기판(컬러필터기판;120) 상에는 상기 박막트랜지스터 어레이기판(110)과의 합착을 위해 실링재(119)가 형성되어 있으며, 화상표시부의 외곽에서 상기 실링재(119)와 블랙매트릭스(121)가 중첩하더라도, 상기 블랙매트릭스(121)가 금속재질로 형성되기 때문에 실링재(119)의 터짐을 방지할 수 있다.On the other hand, a sealing material 119 is formed on the upper substrate (color filter substrate; 120) corresponding to the outside of the thin film transistor array substrate 110 for bonding to the thin film transistor array substrate 110, and the image display unit Even if the sealing material 119 and the black matrix 121 overlap each other, since the black matrix 121 is formed of a metal material, it is possible to prevent the sealing material 119 from bursting.

상기 실링재(119)는 액정층을 형성하는 방법에 따라 그 일측에 개구부를 가 질 수 있다. 즉, 실링재(119)에 의해 박막트랜지스터 어레이기판(110)과 컬러필터기판(120)을 합착한 후, 액정주입법에 의해 액정층을 형성하는 경우, 실링재(119)의 일측에 액정이 주입될 수 있는 액정주입구가 별도로 마련되어야 한다. 반면에, 액정을 적하한 후, 실링재(119)에 의해 두기판(박막트랜지스터 어레이기판, 컬러필터기판)을 합착하는 경우, 도시된 바와 같이, 실링재(119)는 폐곡형태로 형태로 형성되어야 한다. 본 발명에서는 액정층의 형성방법에 상관없이 언급된 두 형태의 실링재를 모두 포함한다.The sealing member 119 may have an opening at one side thereof according to a method of forming a liquid crystal layer. That is, when the thin film transistor array substrate 110 and the color filter substrate 120 are bonded to each other by the sealing material 119 and then the liquid crystal layer is formed by the liquid crystal injection method, the liquid crystal may be injected into one side of the sealing material 119. Liquid crystal inlet must be provided separately. On the other hand, after dropping the liquid crystal, when the two substrates (thin film transistor array substrate, color filter substrate) to be bonded by the sealing material 119, as shown, the sealing material 119 should be formed in a closed shape. . The present invention includes both the sealing materials of the two types mentioned, regardless of the method of forming the liquid crystal layer.

도 4a 및 도 4b는 도 3에서 게이트라인과 데이터라인에 의해 정의된 단위화소(A)를 상세하게 나타낸 것으로, 도 4a는 박막트랜지스터 어레이기판의 단위화소를 보여주는 평면도이고, 도 4b는 도 4a의 II-II'의 단면도로, 칼라필터기판을 함께 도시한 것이다.4A and 4B illustrate in detail the unit pixels A defined by the gate lines and the data lines in FIG. 3. FIG. 4A is a plan view illustrating the unit pixels of the thin film transistor array substrate, and FIG. 4B is a plan view of FIG. A cross-sectional view of II-II 'shows a color filter substrate together.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 액정표시소자는 투명한 제1기판(110)상에 제1방향을 배열된 게이트라인(101)과 상기 게이트라인(101)과 교차하는 데이터라인(103)에 의해 화소영역이 정의된다. As shown in the figure, the liquid crystal display device according to the present invention has a gate line 101 arranged in a first direction on a transparent first substrate 110 and a data line 103 crossing the gate line 101. The pixel area is defined by this.

상기 게이트라인(101)과 데이터라인(103)의 교차영역에는 스위칭소자(109)가 형성되어 있으며, 상기 스위칭소자(109)는 게이트라인(101)의 일부로 형성된 게이트전극과 상기 게이트전극 위에 형성된 반도체층 및 상기 반도체층 상에 소정간격 이격하여 형성된 소스/드레인전극(102a,102b)으로 구성된다.A switching element 109 is formed at an intersection of the gate line 101 and the data line 103, and the switching element 109 is a gate electrode formed as part of the gate line 101 and a semiconductor formed on the gate electrode. And source / drain electrodes 102a and 102b formed on the semiconductor layer at predetermined intervals.

그리고, 화소 내에는 수평전계를 발생시키는 적어도 한쌍의 공통전극(106,106') 및 화소전극(107)이 형성되어 있으며, 상기 화소영역의 중심영역에 형 성된 제1공통전극(106)과 상기 데이터라인(103)과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극(106')로 구성된다.At least one pair of common electrodes 106 and 106 'and a pixel electrode 107 are formed in the pixel, and the first common electrode 106 and the data line are formed in the center region of the pixel region. And a second common electrode 106 'formed in a region adjacent to the 103. As shown in FIG.

또한, 상기 공통전극(106,106')의 양쪽 끝단에는 상기 게이트라인(101)과 나란하게 배치되며, 상기 공통전극(106,106')의 일측을 연결하는 제1공통전극 연결라인(116a)과 상기 공통전극(106,106')의 타측을 연결하는 제2공통전극 연결라인(116b)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(107)의 양쪽 끝단에는 화소전극(107)의 일측을 전기적으로 연결하고, 상기 제1공통전극 연결라인(116a)과 중첩하여 제1스토리지커패시터(Cst1)를 형성하는 제1화소전극 연결라인(117a)과, 화소전극(107)의 타측을 전기적으로 연결하고, 상기 제2공통전극 연결라인(116b)과 중첩하여 제2스토리지커패시터(Cst2)를 형성하는 제2화소전극 연결라인(117b)이 형성되어 있다.In addition, the first common electrode connecting line 116a and the common electrode disposed at both ends of the common electrode 106 and 106 'in parallel with the gate line 101 and connecting one side of the common electrode 106 and 106'. A second common electrode connecting line 116b is formed to connect the other side of the 106 and 106 ', and both ends of the pixel electrode 107 are electrically connected to one side of the pixel electrode 107, and the first common The first pixel electrode connection line 117a overlapping the electrode connection line 116a to form the first storage capacitor Cst1, and the other side of the pixel electrode 107 are electrically connected to each other. A second pixel electrode connection line 117b overlapping with 116b to form a second storage capacitor Cst2 is formed.

상기 공통전극(106,106')은 게이트라인(101)과 동일층에 형성되며, 상기 데이터라인(103)을 포함하는 기판 전면에는 보호막(111)이 형성되어 있으며, 상기 화소전극(107)은 보호막 상에 형성된다. 이때, 상기 화소전극(107)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)와 같은 투명한 전도성물질로 형성된다. 그리고, 상기 화소전극(107)은 보호막 상에 형성된 드레인콘택홀(118)을 통해 드레인전극(102b)과 전기적으로 연결된다.The common electrodes 106 and 106 ′ are formed on the same layer as the gate line 101, and a passivation layer 111 is formed on the entire surface of the substrate including the data line 103, and the pixel electrode 107 is formed on the passivation layer. Is formed. In this case, the pixel electrode 107 is formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The pixel electrode 107 is electrically connected to the drain electrode 102b through the drain contact hole 118 formed on the passivation layer.

한편, 상기 제2공통전극(106') 상부와 대응하는 상기 보호막(111) 상에는 콘택홀(128)을 통해 상기 제2공통전극(106`)과 접촉하는 보조전극(129)이 형성되어 있으며, 이때, 상기 보조전극(129)은 셀갭(d)보다 큰 폭(ℓ)을 가지고 있다. 이것은 금속재질의 블랙매트릭스(121)에 의한 전계왜곡을 방지하기 위해서이다.On the other hand, an auxiliary electrode 129 is formed on the passivation layer 111 corresponding to an upper portion of the second common electrode 106 'to contact the second common electrode 106' through a contact hole 128. In this case, the auxiliary electrode 129 has a width l larger than the cell gap d. This is to prevent the electric field distortion caused by the black matrix 121 of the metal material.

또한, 도면에 도시하지는 않았지만, 상기 보조전극(129)을 형성하는 대신, 상기 데이터라인과 인접하는 제2공통전극(106')을 보호막(111) 상에 형성하고, 그 폭을 셀갭(d) 보다 넓게 형성할 수도 있으며, 본 발명은 이 두 경우를 모두 포함한다. Although not shown in the drawing, instead of forming the auxiliary electrode 129, a second common electrode 106 ′ adjacent to the data line is formed on the passivation layer 111, and the width thereof is defined by the cell gap d. It is possible to form a wider, the present invention includes both cases.

다시 말해, 본 발명은 데이터라인(103)과 인접하는 제2공통전극(106') 상부의 보호막(111) 상에 셀갭(d)보다 큰 폭을 갖는 보조전극(129)을 형성하거나, 보조전극(129)을 생략하고, 상기 제2공통전극(106')을 보호막(111) 상에 형성하되, 그 폭을 셀갭보다 크게 형성할 수도 있다. 제2공통전극(106')이 보호막(111) 상에 형성되는 경우, 공통전극(106,106')은 화소전극(107)과 함께 투명한 전도성물질로 형성될 수 있다. In other words, the present invention forms an auxiliary electrode 129 having a width larger than the cell gap d on the passivation layer 111 on the second common electrode 106 ′ adjacent to the data line 103, or the auxiliary electrode. The second common electrode 106 ′ may be formed on the passivation layer 111, and the width of the second common electrode 106 ′ may be greater than that of the cell gap. When the second common electrode 106 ′ is formed on the passivation layer 111, the common electrodes 106 and 106 ′ may be formed of a transparent conductive material together with the pixel electrode 107.

한편, 제2기판(120)에는 빛이 새는 것을 막아주는 블랙매트릭스(121)와 칼라필터(123)가 형성되어 있으며, 상기 블랙매트릭스(121)는 크롬과 같은 금속재질로 형성되어 있다. 그리고, 상기 제1기판(110) 및 제2기판(120)의 대향면에는 액정의 초기 배향방향을 결정하는 제1 및 제2배향막(112a,112b)이 도포되어 있으며, 그 사이에는 액정층(113)이 형성되어 있다.Meanwhile, a black matrix 121 and a color filter 123 are formed on the second substrate 120 to prevent light leakage, and the black matrix 121 is formed of a metal material such as chromium. The first and second alignment layers 112a and 112b for determining the initial alignment direction of the liquid crystal are coated on opposite surfaces of the first substrate 110 and the second substrate 120, and the liquid crystal layer (B) is disposed therebetween. 113) is formed.

상기한 바와 같이 구성된 본 발명은 상기 공통전극(106) 및 화소전극(107) 중 적어도 하나를 투명한 물질로 형성함으로써, 개구율을 향상시킬 있는 잇점이 있다.The present invention configured as described above has an advantage of improving the aperture ratio by forming at least one of the common electrode 106 and the pixel electrode 107 with a transparent material.

더욱이, 본 발명은 블랙매트릭스(121)를 금속재질로 형성하되, 상기 블랙매트릭스(121)와 대응하는 공통전극(106') 상부에 셀갭보다 큰 폭을 갖는 보조전극 (129)을 추가로 구성하거나, 데이터라인(103)과 인접하는 공통전극(106b)을 보호막(111) 상에 형성하고, 그 폭을 셀갭보다 크게 설계함으로써, 블랙매트릭스(121)에 의한 전계왜곡을 방지하면서, 실링재의 터짐을 막을 수 있다.Furthermore, in the present invention, the black matrix 121 is formed of a metal material, and the auxiliary electrode 129 having a width larger than a cell gap is further formed on the black matrix 121 and the common electrode 106 ′. By forming the common electrode 106b adjacent to the data line 103 on the protective film 111 and designing the width larger than the cell gap, the sealing material bursts while preventing the electric field distortion caused by the black matrix 121. You can stop it.

또한, 본 발명은 상기 공통전극, 화소전극 및 데이터라인(103)을 꺽임구조로 형성하여 액정의 구동방향이 대칭성을 가지는 멀티-도메인(multi-domain) 구조를 형성함으로써, 액정의 복굴절(birefringence) 특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시켜 색전이(color shift) 현상을 최소한다. 즉, 액정의 복굴절 특성에 액정을 바라보는 시야에 따라서, 색전이가 발생하게 되는데, 특히, 액정의 단축방향으로는 예로우 쉬프트(yellow shift)가 관찰되고, 장축방향으로는 블루 쉬프트(blue shift)가 관찰된다. 따라서, 상기 액정의 단축과 장축이 적절하게 배치되는 경우, 복굴절값을 보상하여 색전이를 감소시킬 수 있게 된다.The present invention also provides a birefringence of the liquid crystal by forming the common electrode, the pixel electrode, and the data line 103 in a bent structure to form a multi-domain structure in which the driving direction of the liquid crystal is symmetrical. The abnormal light due to the characteristics is canceled with each other to minimize the color shift phenomenon. That is, the color shift occurs depending on the birefringence characteristics of the liquid crystal, and the color shift occurs. In particular, a yellow shift is observed in the short axis direction of the liquid crystal and a blue shift in the long axis direction. ) Is observed. Therefore, when the short axis and the long axis of the liquid crystal are appropriately arranged, it is possible to reduce the color transition by compensating the birefringence value.

예를들어, 액정분자가 서로 대칭인 배열을 갖는 2-도메인의 경우, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1액정분자(213a)의 A₁의 복굴절값은 상기 제1액정분자(213a)의 반대방향으로 분자배열을 취하는 제2액정분자(213a)의 A₂의 복굴절값이 보상되어 결과적으로 복굴절값이 약 0이 된다. 또한, c1의 복굴절값은 c2가 보상하게 된다. 따라서, 액정의 복굴절 특성에 의한 색전이 현상을 최소화 해줌으로써, 시야각에 따른 화질 저하를 막을 수가 있다.For example, in the case of 2-domain in which the liquid crystal molecules are symmetrical to each other, as shown in FIG. 5, the birefringence value of A ′ of the first liquid crystal molecule 213a is opposite to that of the first liquid crystal molecule 213a. The birefringence value of A2 of the second liquid crystal molecules 213a taking the molecular arrangement in the direction is compensated, and as a result, the birefringence value becomes about zero. In addition, the birefringence value of c1 is compensated by c2. Therefore, by minimizing the color transition phenomenon due to the birefringence characteristics of the liquid crystal, it is possible to prevent the deterioration of the image quality according to the viewing angle.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 금속재질의 블랙매트릭스를 사용하고, 상기 블랙매트릭스와 대응하는 영역에 셀갭보다 폭이 넓은 보조전극을 추가하거나, 데이터라인과 인접하는 공통전극의 폭을 셀갭보다 크게 설계함으로써, 블랙매트릭스에 의한 신호왜곡을 방지할 뿐 아니라, 블랙수지와 기판과의 접착성 저하로 인한 실링재의 터짐을 방지할 수 있게 된다.As described above, according to the present invention, a metal black matrix is used, and an auxiliary electrode having a width wider than the cell gap is added to a region corresponding to the black matrix, or the width of the common electrode adjacent to the data line is larger than the cell gap. By designing large, not only the signal distortion caused by the black matrix can be prevented, but also the bursting of the sealing material due to the decrease in adhesion between the black resin and the substrate can be prevented.

이와 같이, 본 발명은 실링재의 터짐을 방지하여 제품의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.As such, the present invention has the effect of preventing the bursting of the sealing material to improve the yield of the product.

Claims (8)

제1기판;A first substrate; 금속재질의 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판;A second substrate including a metal black matrix; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인;A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; 상기 게이트라인과 수직인 제2방향으로 배열되어 상기 게이트라인과 함께 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인;A plurality of data lines arranged in a second direction perpendicular to the gate line to define a plurality of pixel regions together with the gate line; 상기 데이터라인을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 보호막;A protective film formed on an entire surface of the first substrate including the data line; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자;A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; 상기 화소영역 내에 형성되어 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극; 및A common electrode and a pixel electrode formed in the pixel region to generate a horizontal electric field; And 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층을 포함하며,A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate, 상기 공통전극은 상기 화소영역의 중심영역에 형성된 제1공통전극과 상기 데이터라인과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극으로 구성되며,The common electrode includes a first common electrode formed in a center region of the pixel region and a second common electrode formed in a region adjacent to the data line. 상기 제1공통전극은 상기 게이트라인과 동일층에 형성되는 한편, 상기 제2공통전극은 상기 보호막 상에 화소전극과 함께 형성되고 상기 제2공통전극의 폭이 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 셀갭보다 큰 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.The first common electrode is formed on the same layer as the gate line, while the second common electrode is formed together with the pixel electrode on the passivation layer, and the width of the second common electrode is between the first substrate and the second substrate. A horizontal field type liquid crystal display device, characterized in that it is larger than the cell gap. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 공통전극 및 화소전극은 투명한 전도성물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And the common electrode and the pixel electrode are made of a transparent conductive material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 공통전극 및 화소전극은 꺽임구조인 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And the common electrode and the pixel electrode have a bending structure. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 데이터라인은 꺽임구조인 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And the data line has a bending structure. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2기판은,The second substrate, 상기 블랙매트릭스 상에 형성된 컬러필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And a color filter formed on the black matrix. 제1기판;A first substrate; 금속재질의 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판;A second substrate including a metal black matrix; 상기 제1기판 상에 제1방향으로 배열된 복수의 게이트라인;A plurality of gate lines arranged in a first direction on the first substrate; 상기 게이트라인과 수직인 제2방향으로 배열되어 상기 게이트라인과 함께 복수의 화소영역을 정의하는 복수의 데이터라인;A plurality of data lines arranged in a second direction perpendicular to the gate line to define a plurality of pixel regions together with the gate line; 상기 데이터라인을 포함하는 제1기판 전면에 형성된 보호막;A protective film formed on an entire surface of the first substrate including the data line; 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차영역에 형성된 스위칭소자;A switching element formed at an intersection of the gate line and the data line; 상기 화소영역 내에 형성되어 수평전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극;A common electrode and a pixel electrode formed in the pixel region to generate a horizontal electric field; 상기 제1기판 및 제2기판 사이에 형성된 액정층; 및A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate; And 상기 데이터라인과 인접하는 공통전극의 상부에 형성된 보조전극을 포함하며,An auxiliary electrode formed on the common electrode adjacent to the data line; 상기 공통전극은 상기 화소영역의 중심영역에 형성된 제1공통전극과 상기 데이터라인과 인접하는 영역에 형성된 제2공통전극으로 구성되며,The common electrode includes a first common electrode formed in a center region of the pixel region and a second common electrode formed in a region adjacent to the data line. 상기 공통전극은 상기 게이트라인과 동일층에 형성되는 한편, 상기 제2공통전극 상부에 형성된 상기 보조전극의 폭이 상기 제1기판 및 제2기판 사이의 셀갭보다 큰 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.The common electrode is formed on the same layer as the gate line, and the width of the auxiliary electrode formed on the second common electrode is larger than the cell gap between the first substrate and the second substrate. Display element. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 제2공통전극은 그 상부의 보호막에 형성된 콘택홀을 통해 상기 보조전극과 접촉하는 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And the second common electrode is in contact with the auxiliary electrode through a contact hole formed in the passivation layer thereon. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 화소전극은 투명한 전도성물질로 형성된 것을 특징으로 하는 수평전계방식 액정표시소자.And said pixel electrode is formed of a transparent conductive material.
KR1020050136119A 2005-12-30 2005-12-30 In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof KR101203522B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050136119A KR101203522B1 (en) 2005-12-30 2005-12-30 In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050136119A KR101203522B1 (en) 2005-12-30 2005-12-30 In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070072133A KR20070072133A (en) 2007-07-04
KR101203522B1 true KR101203522B1 (en) 2012-11-21

Family

ID=38507203

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050136119A KR101203522B1 (en) 2005-12-30 2005-12-30 In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101203522B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102531664B1 (en) 2016-05-04 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 Display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070072133A (en) 2007-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7663723B2 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP3883244B2 (en) Liquid crystal display
EP1087255B1 (en) Liquid crystal display device
EP2889681B1 (en) Curved liquid crystal display
US9298052B2 (en) Display apparatus
KR101439605B1 (en) Liquid crystal display device
KR101247698B1 (en) Liquid crystal display
US9664965B2 (en) Liquid crystal display device with a shielding electrode
US8149345B2 (en) Transflective liquid crystal display device
KR101248456B1 (en) Multi domain liquid crystal display device
JP5791593B2 (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
KR20050045471A (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof
KR20140032901A (en) Lateral electric field type liquid crystal display device
US20050078257A1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof
JP4202354B2 (en) Liquid crystal display
KR101203522B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof
KR100585872B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device and method for fabricating thereof
KR20060078712A (en) In-plain switching liquid crystal display device
KR101166584B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR101297737B1 (en) Liquid crystal display
KR100411974B1 (en) Liquid crystal display device
US7268847B2 (en) In-plane switching mode thin film transistor liquid crystal display device with two domains
KR101192754B1 (en) In-plane switching mode liquid crystal display device
KR101253044B1 (en) In plane switching mode liquid crystal display device
KR101233728B1 (en) Liquid crystal display device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151028

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161012

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171016

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181015

Year of fee payment: 7