KR101202016B1

KR101202016B1 - 은 나노 로드의 제조 방법

Info

Publication number: KR101202016B1
Application number: KR1020100104390A
Authority: KR
Inventors: 정봉용; 장정호
Original assignee: 한국세라믹기술원
Priority date: 2010-10-26
Filing date: 2010-10-26
Publication date: 2012-11-20
Also published as: KR20120043212A

Abstract

은 나노 로드의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적을 분사하여, 유기 은의 액적이 분사된 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하고, 소성 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 은 나노 로드의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 보다 정확한 막대 형상을 가지고, 은 나노 로드의 제조 공정이 보다 간단해지며, 은 나노 로드의 표면적이 극대화되어 은 나노 로드의 촉매성이 증가되는 장점이 있다.

Description

은 나노 로드의 제조 방법{Method for manufacturing Ag nano-rod}

본 발명은 은 나노 로드의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)을 이용하여 은 나노 로드를 제조하는 방법에 관한 것이다.

나노(nano) 기술이란 10억분의 1을 의미하는 나노 미터 크기 수준의 정밀도를 요구하는 극미세 가공 과학 기술을 말한다.

나노 기술은 나노미터 크기의 범주에서 조작?분석하고 이를 제어함으로써 새롭거나 개선된 물리적?화학적, 생물학적 특성을 나타내는 소재, 소자 또는 시스템을 만들어 내는 기술이다.

특히 1차원 구조(one dimensional nanostructure)를 갖는 나노 소재는 특이한 양자(quantum) 특성을 보이기 때문에 광범위한 응용 가능성이 있어 최근 세계적으로 관련 기술의 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다.

한편, 나노 입자는 그 형태에 따라 속이 비어 있는 나노 크기의 튜브인 나노 튜브(nano-tube), 막대 형상의 나노 로드(nano-rod), 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않은 나노 와이어(nano-wire), 나노 로드와 같이 성장 방향이 일정하나 단부로 갈수록 가늘어지는 나노 니들(nano-neddle), 그리고 나노 크기의 분말인 나노 파우더(nano-powder) 등의 형태로 나뉜다.

이러한 나노 단위의 입자 소재로서 최근 다양한 분야로의 응용되고 있는 것이 은 나노 입자이다.

은 나노 입자는 인체에 비교적 무해하고, 살균과 유해 성분 제거 및 탈취 등의 효과로 인하여 다양한 분야에 은 나노 입자가 이용되고 있다.

이러한 은 나노 입자 중 막대 형상의 은 나노 로드의 경우 종래의 은 나노 로드의 제조 방법으로서 유기 은(organic silver)과 에탄올 등의 용매 및 이들의 열처리를 통해 합성하는 방법이 알려져 있다.

그러나 종래의 이러한 은 나노 로드의 제조 방법의 경우 제조된 은 나노 로드의 길이가 매우 불균일할 뿐만 아니라 포아송 비(poison ratio)가 너무 작아 원형에 가까운 형태로 합성되는 문제점이 있다.

상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 보다 정확한 막대 형상을 가지는 은 나노 로드를 제조할 수 있게 하는 은 나노 로드의 제조 방법을 제안하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면 은 나노 로드의 제조 방법이 제공된다.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 은 나노 로드의 제조 방법에 있어서, 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계; 상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계; 및 상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법이 제공된다.

상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성될 수 있다.

상기 알루미늄 양극 산화물은, 알루미늄을 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 한 후 건조시키는 단계; 상기 건조된 알루미늄을 백금망(Pt mesh)과 함께 각각 양극과 음극에 연결하고, 과염소산(HClO4)와 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 20V의 정전압을 인가하는 단계; 상기 20V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계; 상기 40V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 크롬산, 인산 및 초순수(Deionized water)가 혼합된 용액에 침지하는 단계; 및 상기 침지하였던 알루미늄을 상기 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물일 수 있다.

상기 유기 은(organic silver)의 액적은 유기 은에 에탄올(ethanol)을 용매로 하여 생성된 용액의 액적일 수 있다.

상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계는, 19um 크기의 오리피스(orifice)를 갖는 압전 노즐(piezoelectric nozzle)이 장착된 프린팅 기기를 이용하여 수행될 수 있다.

상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계에서, 상기 유기 은 액적은 1.5~2ms 동안 30 pl의 양만큼 분사될 수 있다.

상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계는, 150 내지 200°C 온도에서, 20분 내지 1시간 동안 수행될 수 있다.

상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는, 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행될 수 있다.

상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계를 더 수행할 수 있다.

그리고 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계는, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어질 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 은 나노 로드의 제조 방법에 의하면, 보다 정확한 막대 형상을 가지는 은 나노 로드를 제조할 수 있는 장점이 있다.

또한, 은 나노 로드의 제조 공정이 보다 간단해지고, 은 나노 로드의 표면적이 극대화되어 은 나노 로드의 촉매성이 증가되는 장점이 있다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은을 액적 분사한 후 알루미늄 양극 산화물의 표면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은을 액적 분사한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은을 액적 분사한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 또 다른 도면.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.

예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.

및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.

일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법이 이루어지는 순서를 살펴보기로 한다.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도이다.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법은 먼저 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사한다(S100).

본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 바람직하게는 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 얇은 판의 형상을 가지는 템플릿(template)일 수 있다.

이러한 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿을 제조하는 방법으로는 예를 들면 다음과 같은 방법이 이용될 수 있다.

먼저 알루미늄을 아세톤에 침지하여 10분간 초음파 세척을 한 후 건조시켜 특수하게 제작된 양극 산화용 반응기에 장착한다.

이렇게 세척 건존된 알루미늄의 시편과 백금망(Pt mesh)에 각각 양극과 음극을 연결하고 과염소산(HClO4)과 에탄올(C2H5OH)를 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 20V의 정전압을 인가한다.

이러한 정전압의 인가로 알루미늄의 표면을 미끄러운 면인 경면을 만드는 전해연마가 이루어진다.

전해연마 후 0.3M의 옥살산에 침지하여 40V이 정전압을 인가하여 적절한 시간 동안 양극 산화를 실시하여 나노 기공이 형성된 알루미나(alumina) 를 제조한다.

이렇게 제조된 나노 다공성 알루미나는 크롬산, 인산, 초순수(DI water: deionized water)가 혼합된 용액에 적절한 시간 동안 침지하여 기존에 생성되었던 알루미나를 완전히 제거한다.

그런 다음 전술한 0.3M의 옥살산에 침지하여 40V이 정전압을 인가하하는 양극 산화 단계를 동일한 조건으로 적절한 시간 동안 실시하여 최종적으로 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿을 제조한다.

이러한 방법으로 제조된 알루미늄 양극 산화물의 템플릿은 기공의 크기가 매우 균일하며 처리 시간과 기타 공정 조건을 조절하여 기공의 크기를 제어할 수 있다.

한편, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿(template)의 제조는 이러한 방법에 제한되는 것은 아니며, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 알루미늄 양극 산화물을 제조할 수 있는 방법이라면 아무런 제한이 없다.

그리고 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적을 분사하는 것은 잉크젯(ink-jet) 프린터에서의 프린팅 방식과 같이 액상으로 형성된 유기 은을 물방울 즉 액적으로 고르게 알루미늄 양극 산화물의 표면에 분사하는 방법을 통해 이루어질 수 있다.

이때 잉크젯 프린팅 방법으로는 19um 크기의 오리피스(orifice)를 갖는 압전 노즐(piezoelectric nozzle)이 장착된 프린팅 기기를 이용할 수 있으며 유기 은 액적은 1.5~2ms 동안 30 pl의 양만큼 분사될 때 바람직하게 액적이 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기의 기공에 인입될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

유기 은의 액상으로 형성하기 위해 에탄올(ethanol)을 용매로 하여 유기 은을 액상으로 형성할 수 있다.

한편, 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적 분사가 완료되면 유기 은 액적이 표면에 분사된 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리한다(S102).

알루미늄 양극 산화물의 소성 열처리는 알루미늄 양극 산화물을 가열하고 압력을 가하는 등의 작업을 수행하는 것이다.

이러한 알루미늄 양극 산화물의 소성 열처리시 온도는 바람직하게는 150~200°C 범위의 온도에서 이루어질 수 있으며 이때 이러한 온도의 유지 시간은 20분에서 1시간의 범위에서 이루어 질 수 있다.

이러한 소성 열처리는 유기 은에 포함된 첨가제 등을 증발시키며 본래의 은으로 환원시키기 위한 과정이다.

한편, 알루미늄 양극 산화물의 소성 열처리가 완료되면 알루미늄 양극 산화물을 용해하여, 은 나노 로드를 회수한다(S104).

먼저 알루미늄 양극 산화물의 용해는 바람직하게는 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 용액을 60°C로 가열 유지하여 5~24시간의 범위에서 알루미늄 양극 산화물의 두께에 따라 적정 시간 동안 침지하여 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

그리고 용해된 알루미늄 양극 산화물에서 은 나노 로드만을 회수하는 방법으로서는 소성 열처리 후 알루미나 템플릿을 용해시킨 후 통상의 화학 실험용 거름종이에 수 차례 거르고 건조시키는 과정을 반복함으로서 회수할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.

이러한 유기 은 액적을 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 표면에 분사하여 은 나노 로드를 제조하는 경우 보다 간단하고 단순한 공정을 통해 은 나노 로드를 제조하는 것이 가능하게 된다.

뿐만 아니라 생성되는 은 나노 로드가 보다 막대 형대에 가까운 형상으로 제조되게 된다.

이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드 제조 방법에 의해 제조되는 은 나노 로드의 형상에 대해 살펴보기로 한다.

먼저 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은을 액적 분사한 후 알루미늄 양극 산화물의 표면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이다.

도 2의 전자 현미경으로 촬상한 도면에도 나타나는 바와 같이 본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 미세한 다공(210)을 가지며 도 2에 도시된 이러한 미세공(210)의 직경은 약 70nm이다.

이러한 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적을 분사하게 되면 유기 은이 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기를 가지는 미세공(210)에 인입되게 된다.

도 3과 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 로드의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은을 액적 분사한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이다.

도 3과 도 4에 도시된 바 알루미늄 양극 산화물의 표면에 유기 은의 액적을 분사하게 되면 유기 은이 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기를 가지는 미세공(210)에 인입되어 막대 형상의 나노 크기를 가지는 은 나노 로드(200)가 생성되게 되는 것이다.

한편, 액상의 유기 은이 알루미늄 양극 산화물에 생성되어 있는 나노 크기의 미세공(210)에 보다 더 잘 인입되도록 하고 또한 알루미늄 양극 산화물의 미세공(210)에 인입된 유기 은에 포함된 첨가제 등을 증발시키며 본래의 은으로 환원시키기 위해 알루미늄 양극 산화물에 힘과 열을 가하는 소성 열처리 과정을 수행하는 것도 가능함은 전술한 바와 같다.

한편, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명에 의한 은 나노 로드의 제조 방법에 의하면 알루미늄 양극 산화물의 미세공의 크기인 약 70nm의 직경을 가지는 다수의 은 나노 로드를 용이하게 제조할 수 있다.

또한, 종래와 달리 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 의해 은 나노 로드가 형성되므로 은 나노 로드가 보다 막대의 형상을 가까운 형상을 가지게 된다.

또한, 거의 동일한 직경을 가지는 다양한 길이의 은 나노 로드를 간단한 공정을 통해 한번에 다수 제조할 수 있는 것이 가능하게 된다.

그리고 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 의해 은 나노 로드가 형성되므로 종래와 같이 포아송 비가 너무 작아 은 나노 로드가 원형에 가까운 형태로 생성되지 않는다.

또한, 은 나노 로드의 형성시 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 의해 길이 방향으로 은 나노 로드가 생성됨에 따라 은 나노 로드 자체에도 나노 크기의 다수의 미세공이 발생되어 은 나노 로드의 표면적이 극대화되게 된다.

은 나노 로드의 표면적이 증가됨에 따라 뛰어난 촉매성 증가 효과를 얻을 수 있게 되어 은 나노 로드가 이용되는 다양한 분야에서 은 나노 로드의 이용 효과가 증대될 수 있게 된다.

상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

200: 은 나노 로드 210: 알루미늄 양극 산화물의 미세공

Claims

은 나노 로드의 제조 방법에 있어서,
알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계;
상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계; 및
상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은,
알루미늄을 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 한 후 건조시키는 단계;
상기 건조된 알루미늄을 백금망(Pt mesh)과 함께 각각 양극과 음극에 연결하고, 과염소산(HClO4)와 에탄올(C2H5OH)을 각각 1:3 부피 분율로 혼합한 전해액에 침지한 후 20V의 정전압을 인가하는 단계;
상기 20V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계;
상기 40V의 정전압을 인가하였던 알루미늄을 크롬산, 인산 및 초순수(Deionized water)가 혼합된 용액에 침지하는 단계; 및
상기 침지하였던 알루미늄을 상기 옥살산에 침지하여 40V의 정전압을 인가하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물인 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 유기 은(organic silver)의 액적은 유기 은에 에탄올(ethanol)을 용매로 하여 생성된 용액의 액적인 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계는,
19um 크기의 오리피스(orifice)를 갖는 압전 노즐(piezoelectric nozzle)이 장착된 프린팅 기기를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)의 표면에 유기 은(organic silver)의 액적을 분사하는 단계에서,
상기 유기 은 액적은 1.5~2ms 동안 30 pl의 양만큼 분사되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 유기 은의 액적이 분사된 상기 알루미늄 양극 산화물을 소성 열처리하는 단계는,
150 내지 200°C 온도에서, 20분 내지 1시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는,
크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제1항에 있어서,
상기 소성 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.
제9항에 있어서,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 로드를 회수하는 단계는,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노 로드의 제조 방법.