KR101190866B1 - Conveyer for semiconductor bonding - Google Patents
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Abstract
반도체 본딩용 컨베이어는 고정레일과, 상기 고정레일과 일정 폭으로 이격되어 자재의 이송경로가 형성되도록 마련되는 가동레일과, 상기 이송경로의 폭을 자재의 폭에 따라 조절할 수 있도록 가동레일의 위치를 가변시키는 가변유닛 및 상기 이송경로 상에 배치되어 이송되는 자재를 가열하는 히터블럭을 포함한다. The semiconductor bonding conveyor has a fixed rail, a movable rail spaced apart from the fixed rail by a predetermined width to form a material transport path, and a position of the movable rail to adjust the width of the transport path according to the material width. A variable unit for varying and a heater block for heating the material to be conveyed disposed on the conveying path.
컨베이어, 히터블럭, 히터블럭, 가변, 리드프레임, 본딩Conveyor, Heater Block, Heater Block, Variable, Lead Frame, Bonding
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 본딩용 컨베이어를 보인 사시도. 1 is a perspective view showing a semiconductor bonding conveyor according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 측 단면도. Fig. 2 is a side sectional view of Fig. 1; Fig.
도 3은 도 1의 히터블럭의 고정상태를 보이기 위해 레일을 제거한 상태의 배면도.Figure 3 is a rear view of the rail removed to show the fixed state of the heater block of Figure 1;
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 본딩용 컨베이어를 가변상태를 보인 단면도.Figure 4 is a cross-sectional view showing a variable state of the semiconductor bonding conveyor in accordance with an embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art
100: 컨베이어 10: 고정레일100: conveyor 10: fixed rail
11, 21: 이송경로 12: 출입홀11, 21: transfer path 12: entrance hall
20: 가동레일 30: 가변유닛20: movable rail 30: variable unit
40: 히터블럭 41: 발열체40: heater block 41: heating element
본 발명은 반도체 본딩용 컨베이어에 관한 것으로서, 더 상세하게는 이송경로의 폭과 이송경로 상에 마련되는 히터블럭의 폭을 리드프레임 또는 테이프(이하 "리드프레임"이라 함.)의 폭에 따라 가변 할 수 있도록 한 반도체 본딩용 컨베이어에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor bonding conveyor, and more particularly, the width of the transport path and the width of the heater block provided on the transport path vary according to the width of the lead frame or tape (hereinafter referred to as "lead frame"). The present invention relates to a conveyor for bonding semiconductors.
일반적으로 반도체 소자 패키지 공정은 웨이퍼 제조공정을 거쳐 완성된 웨이퍼를 각각의 칩으로 분리되도록 절단한다. 그리고 절단된 칩을 리드프레임에 접착한다. 이후 접착된 상태의 칩의 단자와 리드프레임의 내부리드를 와이어로 연결한다. 그리고 칩을 보호하기 위해 합성수지 또는 세라믹으로 몰딩한 후 리드프레임의 외부 리드를 절단하여 반도체 소자 패키지공정이 완료된다. In general, the semiconductor device package process cuts the finished wafer into separate chips through a wafer manufacturing process. The chip is then bonded to the leadframe. After that, the terminals of the bonded chip and the inner lead of the lead frame are connected by wires. In order to protect the chip, the semiconductor device package process is completed by molding the resin or ceramic and cutting the external lead of the lead frame.
그런데 최근에는 상기한 와이어 본딩(Wire Bonding)방식으로는 경박단소화 및 다핀화되고 있는 추세에 한계가 있어, 플립칩 본딩이라고 하는 솔더범프(Solder Bump) 방식으로 패키징 한다. However, in recent years, the above-mentioned wire bonding method has a limit in the trend of being light and thin and small in size, and is packaged in a solder bump method called flip chip bonding.
즉, 솔더범프 방식이란, 반도체 칩의 입출력 단자인 패드(Pad) 위에 별도의 솔더범프를 형성시킨 다음 이 반도체 칩을 뒤집어서 리드프레임이나 서킷 테이프(Circuit Tape)의 회로패턴(Pattern)에 직접 붙이는 방식이다. In other words, the solder bump method is a method in which a separate solder bump is formed on a pad, which is an input / output terminal of a semiconductor chip, and then the semiconductor chip is inverted and directly attached to a circuit pattern of a lead frame or a circuit tape. to be.
이러한 리드프레임 또는 테이프에 칩을 본딩하기 위해서는 리드프레임 또는 테이프에 칩을 올려놓은 후 가압 가열하여 본딩공정을 수행하는데 이러한 본딩을 수행하기 위해 급 가열시키고, 본딩 후 급 냉각시키면, 리드프레임 또는 테이프에 무리가 가게 되어 수율이 떨어지므로 본딩 전후에 일정온도로 예열될 수 있도록 가열하고 있다. In order to bond the chip to the lead frame or tape, the chip is placed on the lead frame or the tape, and then pressurized and heated to perform the bonding process. As the yield goes down, it is heated so that it can be preheated to a certain temperature before and after bonding.
그래서 본딩공정과 본딩 전후에서 일정온도로 예열할 수 있도록 컨베이어 이송경로상에 히터블럭을 설치하여 리드프레임을 가열하고 있고, 히터블럭은 본딩공정을 비롯해 본딩공정 전후에 각각 설치되고 있다. Thus, a heater block is installed on the conveyor transfer path to preheat the substrate at a predetermined temperature before and after the bonding process, and the heater block is heated before and after the bonding process, including the bonding process.
그런데 컨베이어에 이송되는 리드프레임은 그 폭이 각각 달라 컨베이어를 해체 후 조립의 방법으로 이송경로의 폭을 조절하고 있고, 이송경로의 폭을 조절함에 따라 리드프레임 또는 테이프를 가열하는 히터블럭을 리드프레임 또는 테이프의 폭에 준하는 히터블럭으로 교체하여야 하는 번거로움이 있다. By the way, the lead frames conveyed to the conveyor are different in width, and after disassembling the conveyor, the width of the transport path is controlled by assembling method, and the heater block for heating the lead frame or tape is controlled by adjusting the width of the transport path. Alternatively, there is a hassle that needs to be replaced with a heater block corresponding to the width of the tape.
또한, 히터블럭을 교체시 고온으로 가열된 히터블럭이 냉각되기까지 생산이 지연되어야 하고, 고온상태의 히터블럭을 교체할 경우 고온에 의한 안전사고 위험에 노출된다. In addition, when the heater block is replaced, production must be delayed until the heater block heated to a high temperature is cooled, and when the heater block is replaced in a high temperature state, the risk of safety accident due to high temperature is exposed.
이러한 리드프레임을 가열하는 히터블럭이 교체되는 단점을 해결하고자 국내등록실용신안 제128208호 "패키지 제조용 히터블럭"이 제시되었고 이는 히터블럭의 상부면에 결합부재로 폭 조절이 가능하도록 하는 가이드 블록을 구성한 것으로 히터블럭의 폭 조절이 가능하게 한 것이다. In order to solve the disadvantage that the heater block for heating the lead frame is replaced, the domestic registered utility model No. 128208, "Heater block for manufacturing a package" has been proposed, which is a guide block to the width adjustment by the coupling member on the upper surface of the heater block. In this configuration, the width of the heater block can be adjusted.
그러나 상기 발명은 소정간격으로 되는 결합공에 고정하여야 함으로 폭 조절이 자유롭지 못한 한계가 있고, 수동으로 폭을 조절하여야 함으로 폭을 조절하는데 번거로움이 따르는 문제가 있다.However, the present invention has a limitation in that the width cannot be freely adjusted by fixing to the coupling hole at a predetermined interval, and there is a problem in that it is cumbersome to adjust the width by manually adjusting the width.
또한, 히터블럭에 형성함으로서 히터블럭이 설치되는 컨베이어의 폭을 리드프레임 또는 테이프의 폭에 따라 별도로 조절하여야 하는 문제가 있다. In addition, by forming the heater block there is a problem that the width of the conveyor on which the heater block is installed to be adjusted separately according to the width of the lead frame or the tape.
본 발명은 상기의 필요성을 감안하여 창출된 것으로서 컨베이어 이송경로 폭과 이송경로 상에 마련되는 히터블럭의 폭을 리드프레임의 폭에 따라 가변할 수 있도록 한 반도체 본딩용 컨베이어에 관한 것이다. The present invention has been made in view of the above necessity, and relates to a conveyor for semiconductor bonding in which the width of the conveyor transport path and the width of the heater block provided on the transport path can be varied according to the width of the lead frame.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 본딩용 컨베이어는 고정레일과, 상기 고정레일과 일정 폭으로 이격되어 자재의 이송경로가 형성되도록 마련되는 가동레일과, 상기 이송경로의 폭을 자재의 폭에 따라 조절할 수 있도록 가동레일의 위치를 가변시키는 가변유닛 및 상기 이송경로 상에 배치되어 이송되는 자재를 가열하는 히터블럭을 포함한다. The semiconductor bonding conveyor of the present invention for achieving the above object is a fixed rail, a movable rail provided to form a material transport path spaced apart from the fixed rail by a predetermined width, the width of the transport path to the width of the material It includes a variable unit for varying the position of the movable rail to be adjusted according to and a heater block for heating the material to be transported disposed on the transport path.
여기서, 상기 히터블럭은 상기 가동레일에 고정되어 상기 가변유닛이 상기 가동레일의 위치를 가변시켜 이송경로의 폭을 조절함에 따라 함께 위치 가변되는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the heater block is fixed to the movable rail and the variable unit is variable in position as the variable unit varies the position of the movable rail to adjust the width of the transport path.
그리고 상기 고정레일은 상기 이송경로의 폭을 조절할 경우 상기 히터블럭이 출입할 수 있도록 출입홀이 형성되는 것이 바람직하다. In addition, the fixing rail is preferably formed with an access hole so that the heater block can enter and exit when the width of the transport path is adjusted.
또한, 상기 히터블럭은 이송경로를 따라 이송하는 자재와의 거리를 조절할 수 있도록 조절부가 마련되는 것이 바람직하다. In addition, the heater block is preferably provided with an adjusting unit to adjust the distance to the material to be transported along the transport path.
또한, 상기 조절부는 상기 가동레일에 수직하게 고정되는 가이드부재와, 상기 히터블럭을 상기 가동레일에 고정하며, 상기 가이드 부재에 의해 가이드 되어 상하 승강하는 브래킷과, 상기 브래킷을 상하 승강시키는 스크류를 포함하여 되는 것이 바람직하다.In addition, the adjusting unit includes a guide member fixed perpendicularly to the movable rail, the heater block fixed to the movable rail, a guide guided by the guide member to move up and down, and a screw to lift the bracket up and down. It is preferable to.
이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 것으로, 본 발명의 기술적 구성요소를 한정하는 의미로 이해되어서는 아니 될 것이다.In describing the present invention, the defined terms are defined in consideration of the function of the present invention, and should not be understood in a limiting sense of the technical elements of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 본딩용 컨베이어를 보인 사시도이고, 도 2는 도 1의 측 단면도이며, 도 3은 도 1의 히터블럭의 고정상태를 보이기 위해 레일을 제거한 상태의 배면도이다. 1 is a perspective view showing a semiconductor bonding conveyor according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a side cross-sectional view of Figure 1, Figure 3 is a rear view with the rail removed to show the fixed state of the heater block of Figure 1 to be.
도면을 참조하면 도 1 내지 도 2에 도시한 바와 같이 본 발명의 반도체 본딩용 컨베이어(100)는 이송경로(11, 21)가 형성될 수 있도록 고정레일(10)과, 가동레일(20)로 구성되며, 상기 가동레일(20)의 위치를 가변시키는 가변유닛(30)과, 고정레일(10)과, 가동레일(20)사이의 이송경로(11, 21) 상에 배치되는 히터블럭(40)으로 구성된다. 1 to 2, the
상기 고정레일(10)과 가동레일(20)은 마주보는 방향으로 홈을 형성하여 리드프레임(R)이 이송되는 이송경로(11, 21)가 형성된다. 그리고 리드프레임(R)이 이송경로(11, 21)를 타고 이송될 수 있도록 리드프레임(R)의 폭만큼 이격되게 설치된다. The
고정레일(10)과 가동레일(20)의 사이에는 이송경로(11, 21)를 타고 이송하는 리드프레임(R)을 가열할 수 있도록 히터블럭(40)이 설치된다. 그리고 히터블럭(40)은 이송되는 리드프레임(R)의 하부에서 일정거리로 이격된 상태로 간접가열 시킨다.The
여기서 상기 리드프레임(R)과 히터블럭(40)을 이격시키는 이유는 이송되는 리드프레임(R)이 히터블럭(40)에 의해 간섭되는 것을 방지하고, 리드프레임(R) 또는 히터블럭(40)에 스크래치 등의 발생을 방지하기 위함이다. Here, the reason for separating the lead frame (R) and the
따라서 히터블럭(40)은 경로 홈(11, 21)을 타고 이송하는 리드프레임(R)과 1~5mm의 거리로 이격시키며, 리드프레임(R)이 균일하게 가열될 수 있도록 판상으로 마련된다. Therefore, the
그리고 히터블럭(40)은 구리 또는 세라믹 등으로 마련되며, 내부에 발열체(41)가 삽입되어 발열체(41)의 발열로 히터블럭(40)이 열 교환되어 리드프레임(R)이 가열된다. 또한, 히터블럭(40)은 열전도율이 좋은 은, 금, 알루미늄 등의 재질로 마련될 수 있다. The
발열체(41)는 판상의 히터블럭(40)의 중앙에서 치우치게 설치된다. 그 이유는 발열체(41)가 히터블럭(40)의 중앙에 설치되면 리드 프레임(R)의 폭이 변경되어 이송경로(11, 21)의 폭이 좁아지는 경우 리드 프레임(R)의 일부만을 가열되는 것을 방지하기 위함이다.The
여기서 히터블럭(40)은 가동레일(20)에 일측이 고정되어 이송경로(11, 21)의 폭 가변에 따라 히터블럭(40)의 위치가 함께 가변된다. 그리고 고정레일(20)에는 가동레일(20)이 위치 가변함에 따라 판상의 히터블럭(40) 위치가 가변되어 출입할 수 있도록 출입홀(12)이 형성된다. Here, the
그래서 출입홀(12)을 통해 히터블럭(40)이 출입하게 되어 이송경로(11, 21)의 폭을 가변함과 동시에 히터블럭(40)의 폭이 가변된다. 이때 발열체(41)를 히터블럭(40)의 중앙에서 치우치게 설치되어 이송경로(11, 21)의 폭이 좁아지더라도 리드프레임(R)을 균일하게 가열할 수 있다. 이때 발열체(41)는 히터블럭(40)이 고정되는 쪽으로 치우치게 설치된다. Thus, the
여기서 히터블럭(40)의 일측이 고정레일(10)에 고정되고, 출입홀이 가동레일(20)에 형성될 수 있다.Here, one side of the
히터블럭(40)에는 도 2 내지 도 3에 도시한 바와 같이 가동레일(20)에 고정할 경우 리드프레임(R)과 히터블럭(40)의 상부면과의 거리를 상하 가변시켜 조절할 수 있도록 조절부(50)가 마련된다. 2 and 3, the
여기서 조절부(50)는 가변레일(20)에 수직하게 고정되는 가이드부재(51)와 히터블럭(40)이 고정되며, 히터블럭(40)이 고정된 상태로 가이드부재(51)상에서 승강하는 브래킷(52)과, 상기 브래킷(52)을 상하 가변시키는 스크류(53)로 구성된다. Here, the adjusting
그리고 가이드부재(51)에는 스크류(53)를 견고하게 지지하는 지지돌기(51a)가 돌출 형성되고, 브래킷(52)은 상하 가변된 상태로 볼트 또는 나사 등으로 고정할 수 있도록 체결장공(52a)이 형성되며 일측에는 스크류(53)가 나사 결합하여 승강시키는 나선부(52b)가 형성된다. And the
또한, 상기 조절부(50)는 리드 스크류 등을 적용하여 스크류의 회동으로 상하 가변시킬 수 있다. 또한, 공압실린더 및 모터의 구동에 상하 가변시킬 수 있다. In addition, the
한편, 가변유닛(30)은 도1 내지 도2에 도시한 바와 같이 가변레일(20)의 위치를 가변시켜 리드프레임(R)의 폭에 따라 이송경로(11, 21)의 폭을 가변시킨다. 여기서 이송경로(11, 21)의 폭은 고정레일(10)과 가변레일(20)의 위치를 동시에 가변시켜 이송경로(11, 21)의 폭을 가변시킬 수 있다.Meanwhile, as shown in FIGS. 1 and 2, the
따라서 가변유닛(30)은 전원을 인가받아 구동하는 구동부(31)와, 이송경로(11, 21)의 폭을 조절하는 가변부(32)와, 상기 구동부(31)의 동력을 가변부(32)에 전달하는 동력 전달부(33)로 구성된다.Accordingly, the
여기서 구동부(31)는 모터로 마련된다. 그리고 가변부(32)는 가변레일(20)의 위치를 가변시켜 이송경로(11, 21)의 폭을 조절할 수 있도록 리드스크류(32a)와 리드스크류(32a)에 결합되어 가변되는 너트블럭(32b)으로 구성되며, 너트블럭(32b)은 가변레일(20)에 고정된다.Here, the
이때 가변부(32)는 랙과 피니언을 모터 구동하여 동작할 수 있고, 공압실린더를 이용하여 이송경로(11, 21)의 폭을 가변시킬 수 있다.In this case, the
그리고 동력전달부(33)는 구동부(31)에 설치되는 구동풀리(33a)와, 가변부(32)에 설치되는 종동풀리(33b)와, 구동풀리(33a)의 구동을 종동풀리(33b)에 전달하는 벨트(33c)로 구성된다.The
이때 동력전달부(33)는 구동부(31)의 동력을 가변부(32)에 전달하기 위해 기어를 적용하여 동력을 전달할 수 있다. 또한 체인을 적용하여 동력을 전달 할 수 있다. In this case, the
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 본딩용 컨베이어를 가변상태를 보인 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view showing a variable state of the semiconductor bonding conveyor according to an embodiment of the present invention.
이하 본 발명의 반도체 본딩용 컨베이어에 리드프레임을 이송할 수 있도록 이송경로 폭 조절에 따른 작용을 도 2와 도4를 참고로 설명한다. Hereinafter, an operation of adjusting the width of the transfer path to transfer the lead frame to the semiconductor bonding conveyor of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 4.
먼저 리드프레임(R)의 폭에 따라 가동레일(20)의 위치를 가변시켜서 고정레일(10)과의 이송경로(11, 21)의 폭이 가변되도록 하되, 리드프레임(R)의 폭이 좁아 이송경로(11, 21)의 폭이 좁게 가변되는 경우를 도4를 참고로 설명한다. First, by varying the position of the
따라서 이송경로(11, 21)의 폭을 가변하기 위해서 가변유닛(30)의 구동부(31)에 전원이 인가되어 구동된다.Therefore, in order to vary the width of the conveying paths (11, 21) power is applied to the
이후 구동부(31)에 구동축에 고정된 동력전달부(33)의 구동풀리(31a)가 구동되고, 구동풀리(31a)는 벨트(33c)에 의해 종동풀리(33b)를 회전시킨다. Thereafter, the drive pulley 31a of the
이후 종동풀리(33b)가 고정된 가변부(32)의 리드스크류(32a)가 회전하면서 리드스크류(32a)에 결합된 너트블럭(32b)을 가변레일(20)에 고정된 상태로 가변시킨다. 이때 가변레일(20)에 고정된 히터블럭(40)이 함께 위치 가변된다. Thereafter, the
여기서 이송경로(11, 21)의 폭이 가변되면서, 히터블럭(40)의 일측부분이 고정레일(10)의 출입홀(12)에 삽입되면서 가변되어 이송경로(11, 21)의 폭이 좁아지게 된다.Here, while the widths of the
이때 이송경로(11, 21)의 폭이 좁아지더라도, 히터블럭(40)은 늘 이송경로(11, 21)상에서 이송되는 리드프레임(R)의 하부에 위치하게 되고, 히터블럭(40)의 발열체(41)를 가동레일의 고정되는 부위에 치우치게 설치됨으로서 일정한 온도로 가열할 수 있게 된다. At this time, even if the widths of the
이하 리드프레임(R)의 폭이 넓어져 이송경로(11, 21)의 폭이 넓어지게 가변되는 경우를 도 2를 참고로 설명한다. Hereinafter, a case in which the width of the lead frame R is widened and the widths of the
이송경로(11, 21)의 폭을 가변하기 위해서 가변유닛(30)의 구동부(31)에 전원이 인가되어 구동부(31)는 역회전 구동된다. Power is applied to the
이후 구동부(31)에 구동축에 고정된 동력전달부(33)의 구동풀리(31a)가 구동되고, 구동풀리(31a)는 벨트(33c)에 의해 종동풀리(33b)를 회전시킨다. Thereafter, the drive pulley 31a of the
이후 종동풀리(33b)가 고정된 가변부(32)의 리드스크류(32a)가 회전하면서 리드스크류(32a)에 결합된 너트블럭(32b)을 가변레일(20)에 고정된 상태로 가변시킨다. 그리고 가변레일(20)에 고정된 히터블럭(40)이 함께 위치 가변된다. Thereafter, the
여기서 이송경로(11, 21)의 폭이 가변되면서, 히터블럭(40)의 삽입된 부분이 고정레일(10)의 출입홀(12)에서 분리된다. 또한, 가변레일(20)의 위치가 가변되어 이송경로(11, 21)의 폭이 넓어진다. Herein, while the widths of the
이때 이송경로(11, 21)가 넓어지면서 히터블럭(40)은 늘 이송경로(11, 21)상에서 이송되는 리드프레임(R)의 하부에 위치하게 되고, 히터블럭(40)을 열전도율이 높은 구리재로 함으로서 히터블럭(40)의 전체에 열교환 되어 리드프레임을 균일한 온도로 가열할 수 있게 된다. At this time, as the
이상에서 본 발명의 반도체 본딩용 컨베이어에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만, 이는 본 발명의 가장 양호한 실시 예를 예시적으로 설명한 것이지 본 발명을 한정하는 것은 아니다. Although the technical idea of the semiconductor bonding conveyor of the present invention has been described above with the accompanying drawings, this is illustrative of the best embodiment of the present invention and is not intended to limit the present invention.
따라서 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자이면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 치수 및 모양 그리고 구조 등의 다양한 변형 및 모방할 수 있음은 명백한 사실이다.Therefore, it is obvious that any person skilled in the art can make various modifications and imitations such as dimensions, shapes, structures, etc. without departing from the scope of the technical idea of the present invention.
상술한 바와 같이 이송경로 상을 이송하는 리드프레임의 폭에 따라 컨베이어 의 이송경로 폭을 가변함과 동시에 히터블럭의 폭을 가변할 수 있도록 함으로서 리드프레임의 폭에 따라 히터블럭의 교체를 방지하여 본딩공정의 생산성을 향상시키는 효과가 있다. As described above, by varying the width of the conveyor path and the width of the heater block according to the width of the lead frame for conveying the path on the transport path, the replacement of the heater block according to the width of the lead frame is prevented and bonded. There is an effect of improving the productivity of the process.
또한, 히터블럭을 리드프레임의 폭에 따라 교체하면서 발생할 수 있는 안전사고가 방지되는 효과가 있다. In addition, a safety accident that may occur while replacing the heater block according to the width of the lead frame is prevented.
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060013284A KR101190866B1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Conveyer for semiconductor bonding |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060013284A KR101190866B1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Conveyer for semiconductor bonding |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070081378A KR20070081378A (en) | 2007-08-16 |
KR101190866B1 true KR101190866B1 (en) | 2012-10-12 |
Family
ID=38611316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060013284A KR101190866B1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Conveyer for semiconductor bonding |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101190866B1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101422357B1 (en) * | 2012-11-30 | 2014-07-22 | 세메스 주식회사 | Apparatus for supplying a substrate |
CN117936443A (en) * | 2024-03-22 | 2024-04-26 | 深圳新控半导体技术有限公司 | Full-automatic die bonding equipment |
-
2006
- 2006-02-10 KR KR1020060013284A patent/KR101190866B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070081378A (en) | 2007-08-16 |
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