KR101182714B1 - Method for packaging semiconductors using anisotropic conductive adhesive - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법은 대향하는 단자 등의 단자 간의 충분한 전기적 접속을 확보할 수 있고, 인접 단자 간의 절연성도 충분히 확보하여 초미세 피치화에 적용할 수 있고 리페어 특성이 뛰어나며, 특히 방열 기능을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a semiconductor mounting method using an anisotropic conductive connector, the semiconductor mounting method using an anisotropic conductive connector according to the present invention can ensure a sufficient electrical connection between terminals such as opposing terminals, insulating between adjacent terminals It can also be secured enough to be applied to ultra-fine pitching, has excellent repair characteristics, and in particular, can improve heat dissipation.

이방성 도전 접속제, 반도체 실장, 웨팅, 도전성 입자, 방열 입자 Anisotropic conductive connection agent, semiconductor mounting, wetting, electroconductive particle, heat dissipation particle

Description

이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법{Method for packaging semiconductors using anisotropic conductive adhesive}Method for packaging semiconductors using anisotropic conductive adhesive

본 발명은 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 대향하는 단자 등의 단자 간의 충분한 전기적 접속을 확보할 수 있고, 인접 단자 간의 절연성도 충분히 확보하여 초미세 피치화에 적용할 수 있고 리페어 특성이 뛰어나며, 특히 방열 기능을 향상시킬 수 있는 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법에 관한 것이다BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor mounting method using an anisotropic conductive connecting agent, and more particularly, it is possible to secure sufficient electrical connection between terminals such as opposing terminals, and to ensure sufficient insulation between adjacent terminals and to apply it to ultrafine pitches. The present invention relates to a semiconductor mounting method using an anisotropic conductive connecting agent which can be repaired and has excellent repair characteristics and can improve heat dissipation.

일반적으로 도전성 접속제는 이방성 도전 접속제와 등방성 도전 접속제로 구분할 수 있으며, 특히 이방성 도전 접속제는 반도체와 같은 전자부품, 예를 들어 LCD, PDP, EL 등의 평판표시소자의 실장에 사용된다. Generally, an electrically conductive connection agent can be classified into an anisotropic conductive connection agent and an isotropic conductive connection agent, In particular, an anisotropic conductive connection agent is used for mounting electronic components, such as a semiconductor, for example, flat panel display elements, such as LCD, a PDP, and an EL.

이방성 도전 접속제는 도전성분과 열에 의해 경화되는 접착 성분을 포함하고 있으며, 주로 LCD 패널과 TCP 또는 PCB와 TCP 등의 전기적인 접속에 사용되고 있다.The anisotropic conductive connecting agent contains an adhesive component which is cured by the conductive powder and heat, and is mainly used for the electrical connection of LCD panels and TCP, or PCB and TCP.

전자분야에서는 고속화, 대용량화, 소형화 또는 경량화의 요구에 부응하여, 반도체 팁과 같은 전자 부품의 고집적화나 고밀도화를 실현하기 위한 실장기술의 개발이 진행되고 있으며, 특히 내열 온도가 낮은 전자 디바이스 등의 실장을 수행하는 경우에는 열화를 방지하기 위하여 저온에서 접합될 것이 요구되고 있다.In the electronic field, in order to meet the demand for high speed, large capacity, miniaturization, and light weight, development technologies for realizing high integration and high density of electronic components such as semiconductor tips are in progress. When performing, it is required to be bonded at low temperature in order to prevent deterioration.

또한, 전자기기부품 및 소자 등에서 발생되는 열을 효과적으로 방출시킬 것이 요구되고 있다.In addition, it is required to effectively release the heat generated from electronic components and devices.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 대향하는 단자 등의 단자 간의 충분한 전기적 접속을 확보할 수 있고, 인접 단자 간의 절연성도 충분히 확보하여 초미세 피치화에 적용할 수 있고 리페어 특성이 뛰어나며, 특히 방열 기능을 향상시킬 수 있는 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법을 제공하는 것이다.The present invention is to solve the above problems, the object of the present invention is to ensure sufficient electrical connection between the terminals such as opposing terminals, and to ensure sufficient insulation between adjacent terminals can be applied to ultra-fine pitch The present invention provides a semiconductor mounting method using an anisotropic conductive connection agent which is excellent in repair characteristics and particularly capable of improving heat dissipation.

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본 발명의 일 측면에 따른 반도체 실장방법은, 고체 상태이고 가열시 용융 가능한 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점보다 높은 경화온도를 갖는 폴리머와, 상기 폴리머의 경화 온도보다 융점이 높은 방열 입자, 및 상기 도전성 입자의 융점보다 높고 상기 폴리머의 경화 온도보다 낮은 비점을 갖는 플럭스와 표면활성제를 포함하는 이방성 도전 접속제를 사이에 두고 제 1 기판에 형성된 제 1 웨팅영역과 이에 대응되는 제 2 기판의 제 2 웨팅영역을 대향시켜 배치하는 단계;
상기 이방성 도전성 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않은 온도까지 가열/가압하여, 상기 도전성 입자가 용융되어 제 1 및 제 2 웨팅영역을 전기적으로 접속하고, 상기 방열 입자와 경화되지 않은 폴리머가 유동되어 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 충진되며 상기 전기적 접속부분들 간을 절연하는 단계; 및
상기 폴리머를 경화시켜 상기 제 1 및 제 2 기판을 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, a semiconductor mounting method includes conductive particles that are solid and meltable upon heating, a polymer having a curing temperature higher than the melting point of the conductive particles, heat dissipation particles having a melting point higher than the curing temperature of the polymer, and A first wetting region formed on the first substrate with a flux having a boiling point higher than the melting point of the conductive particles and lower than the curing temperature of the polymer, and an anisotropic conductive connector including a surface active agent, and a second substrate corresponding to the second wetting region. 2 placing the wetting areas facing each other;
The anisotropic conductive connector is heated / pressurized to a temperature at which curing of the polymer is not completed, the conductive particles are melted to electrically connect the first and second wetting regions, and the heat-dissipating particles and the uncured polymer flow. Filling between the first and second substrates to insulate the electrical connections; And
Curing the polymer to adhere the first and second substrates.

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이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 이방성 도전 접속제를 이용한 반도체 실장방법은 대향하는 단자 등의 단자 간의 충분한 전기적 접속을 확보할 수 있고, 인접 단자 간의 절연성도 충분히 확보하여 초미세 피치화에 적용할 수 있고 리페어 특성이 뛰어나며, 특히 방열 성능을 향상시킬 수 있다.As described above, the semiconductor mounting method using the anisotropic conductive connecting agent according to the present invention can secure sufficient electrical connection between terminals such as opposing terminals, and also sufficiently secure the insulation between adjacent terminals and apply to ultrafine pitching. It has excellent repair characteristics and especially heat dissipation performance.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 접속제 및 이를 이용한 반도체 실장방법을 첨부된 도면을 참고하여 상세히 설명한다. 첨부된 도면은 본 발명의 예시적인 형태를 도시한 것으로, 이는 본 발명을 보다 상세히 설명하기 위해 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 기술적인 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an anisotropic conductive connector according to an embodiment of the present invention and a semiconductor mounting method using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The accompanying drawings, which are included to provide a further understanding of the invention and are incorporated in and constitute a part of this application, illustrate embodiments of the invention and, together with the description, serve to explain the principles of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 접속제의 구성도이다.1 is a block diagram of an anisotropic conductive coupling agent according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 접속제(1)는 용융 가능한 도전성 입자(2)와 상기 도전성 입자보다 융점이 높은 방열 입자(3); 및 상기 도전성 입자의 융점보다 낮은 경화온도를 갖는 폴리머(4)를 포함한다.Anisotropic conductive connection agent 1 according to an embodiment of the present invention is a meltable conductive particles (2) and heat dissipation particles (3) having a higher melting point than the conductive particles; And a polymer 4 having a curing temperature lower than the melting point of the conductive particles.

이와는 다르게, 이방성 도전 접속제(1)는 용융 가능한 도전성 입자(2)와 상기 도전성 입자(2)의 융점보다 높은 경화온도를 갖는 폴리머(4) 및 상기 폴리머의 경화온도보다 융점이 높은 방열 입자(3)를 포함한다.Alternatively, the anisotropic conductive connector 1 is a polymer 4 having a curing temperature higher than the melting point of the meltable conductive particles 2 and the conductive particles 2 and heat-dissipating particles having a melting point higher than the curing temperature of the polymer ( Include 3).

한편, 상기 도전성 입자(2)는 상대적으로 저융점(약 250℃ 이하)을 갖는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상으로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 도전층(11)은 주석(Sn), 인듐(In), 비스무스(Bi), 은(Ag), 동(Cu), 아연(Zn), 납(Pb), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga), 은(Ag) 및 타륨(Tl) 등으로 형성될 수 있고, 저온에서 용융 가능한 합금으로는 예를 들어, Sn/58Bi, Sn/48In, Sn/57Bi/1Ag, Sn/9Zn, Sn/8Zn/3Bi 및 Sn/3.5Ag 등을 들 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Meanwhile, the conductive particles 2 may be formed of one or more selected from the group consisting of metals, nonmetals, and alloys having a relatively low melting point (about 250 ° C. or less), but are not limited thereto, and include, for example, conductive layers ( 11) tin (Sn), indium (In), bismuth (Bi), silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), lead (Pb), cadmium (Cd), gallium (Ga), silver ( Ag) and tarium (Tl), and the like, and meltable at low temperatures include, for example, Sn / 58Bi, Sn / 48In, Sn / 57Bi / 1Ag, Sn / 9Zn, Sn / 8Zn / 3Bi and Sn /3.5Ag and the like, but is not limited thereto.

또한, 상기 폴리머(4)는 도전성 입자의 융점보다 낮거나 높은 경화온도를 갖는 것이면 제한 없이 사용될 수 있고, 이에 제한되지 않으나, 예를 들어 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광경화성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다.In addition, the polymer 4 may be used without limitation as long as it has a curing temperature lower or higher than the melting point of the conductive particles, but is not limited thereto. For example, one selected from the group consisting of a thermoplastic resin, a thermosetting resin and a photocurable resin It may be abnormal.

열가소성 수지로는 초산비닐계 수지, 폴리비닐 부티날계 수지, 염화 비닐계 수지, 스틸렌계 수지, 비닐 메틸 에테르계 수지, 그리브틸 수지, 에틸렌-초산비닐 공중합계 수지, 스틸렌-부타디엔 공중합계 수지, 폴리 부타디엔 수지 및 폴리비닐 알코올계 수지 등을 들 수가 있으며, 열경화성 수지로서는, 에폭시계수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 페놀계 수지, 멜라민계 수지, 알키드계 수지, 요소수지 및 불포화 폴리에스테르수지 등을 사용할 수 있다.Examples of the thermoplastic resin include vinyl acetate resin, polyvinyl butynal resin, vinyl chloride resin, styrene resin, vinyl methyl ether resin, grevyl resin, ethylene-vinyl acetate copolymer resin, styrene-butadiene copolymer resin, poly Butadiene resin and polyvinyl alcohol resin, and the like, and thermosetting resins include epoxy resins, urethane resins, acrylic resins, silicone resins, phenolic resins, melamine resins, alkyd resins, urea resins and unsaturated polyester resins. Etc. can be used.

또한, 광경화성 수지는 광중합성 모노머나 광중합성 올리고머와 광중합 개시제등을 혼합한 것으로, 광조사에 의해 중합 반응이 개시되는 특성을 갖는다. 이러한 광중합성 모노머나 광중합성 올리고머로는 (메타)아크릴산 에스테르류 모노머, 에테르 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 에폭시 (메타)아크릴레이트, 아미노 수지 (메타)아크릴레이트, 불포화 폴리에스테르, 실리콘계 수지 등을 사용할 수 있다. Moreover, photocurable resin mixes a photopolymerizable monomer, a photopolymerizable oligomer, a photoinitiator, etc., and has a characteristic that a polymerization reaction is started by light irradiation. Such photopolymerizable monomers and photopolymerizable oligomers include (meth) acrylic acid ester monomers, ether (meth) acrylates, urethane (meth) acrylates, epoxy (meth) acrylates, amino resins (meth) acrylates, and unsaturated polyesters. , Silicone resins and the like can be used.

뿐만 아니라, 상기 폴리머(4)로서 도전성 입자(2)의 표면이나 전극패드의 표면을 활성화시키는 표면활성화 효과를 가지는 표면활성화 수지를 사용할 수도 있다. 표면활성화 수지는 도전성 입자의 표면이나 전극패드의 표면을 환원시키는 환원성을 가지는 것으로, 예를 들어, 가열하여 유기산을 유리시키는 수지를 사용할 수 있다. 이러한 표면활성화 수지를 이용하면 도전성 성분의 표면이나 전극패드의 표면을 활성화시켜 전극패드의 도전성 성분의 웨팅(wetting) 특성을 향상시킬 수 있다. In addition, a surface activation resin having a surface activation effect of activating the surface of the conductive particles 2 or the surface of the electrode pad may be used as the polymer 4. The surface-activated resin has a reducing property for reducing the surface of the conductive particles or the surface of the electrode pad, and for example, a resin that is heated to liberate an organic acid can be used. By using such a surface activation resin, the surface of the conductive component or the surface of the electrode pad can be activated to improve the wetting characteristics of the conductive component of the electrode pad.

한편 경화방법으로는, 열경화성 수지를 이용했을 경우에는 수지의 경화 온도까지 가온하여 경화하게 되고, 열가소성 수지를 이용했을 경우에는 수지의 경화하는 온도까지 냉각하여 경화하며, 광경화성 수지를 이용했을 경우에는, 광조사를 실시해 중합 반응을 개시시켜 경화하게 된다. On the other hand, when the thermosetting resin is used, the resin is heated and cured to the curing temperature of the resin, and when the thermoplastic resin is used, the resin is cooled and cured to the curing temperature of the resin, and the photocurable resin is used. Light irradiation is carried out to initiate the polymerization reaction and to cure.

특히, 열가소성 수지를 사용하였을 경우에는 접속부의 미세 크렉, 파단 및 불량 시 재가열을 통한 보수성이 우수한 특성을 기대할 수 있으며, 광경화성 수지를 사용하는 경우에는 도전성 입자 성분이 용융될 때까지만 가열을 하면 되므로 융점이 낮은 것을 사용하면 내열성이 좋지 않은 디바이스에 적용할 수 있는 특성을 기대할 수 있다. In particular, when a thermoplastic resin is used, it is expected to have excellent water-retaining property through re-heating in case of fine cracks, breaks, and defects of the connection part. In the case of using a photocurable resin, heating is performed only until the conductive particle component is melted. Using a low melting point can be expected to be applicable to devices with poor heat resistance.

한편, 본 발명의 실시예에 따른 이방성 도전 접속제는 주 구성물질 이외에 도전입자 함유 접착층 및 절연층에 플럭스, 표면활성제, 경화제 등을 더 함유할 수 있다. On the other hand, the anisotropic conductive coupling agent according to an embodiment of the present invention may further contain a flux, a surface active agent, a curing agent and the like in the conductive particle-containing adhesive layer and the insulating layer in addition to the main constituent material.

플럭스는 특별히 한정하지는 않지만 예를 들어, 수지, 무기산, 아민, 유기산 등의 환원제를 들 수 있다. 플럭스는 용융된 도전입자의 표면이나 상하 전극패드의 표면의 산화물 등의 표면 이물질을 환원시켜 가용성 및 가융성의 화합물로 변화시켜 제거한다. 또한, 표면 이물질이 제거되어 청정하게 된 상기 도전성 입자의 표면 및 상하 전극패드 표면을 덮어 재산화를 방지한다. The flux is not particularly limited, and examples thereof include reducing agents such as resins, inorganic acids, amines, and organic acids. Flux is reduced by removing surface foreign substances such as oxides on the surface of the molten conductive particles or the surface of the upper and lower electrode pads to change into soluble and fusible compounds. In addition, surface foreign matter is removed to cover the surface of the conductive particles and the upper and lower electrode pads to be cleaned to prevent reoxidation.

그리고, 표면활성제는 특별히 한정하지 않지만 예를 들어, 에틸렌 글리콜이나 글리세린 등의 글리콜, 마레인산이나 아지핀산 등의 유기산, 아민, 아미노산, 아민의 유기산염, 아민의 할로겐염 등의 아민계 화합물, 무기산이나 무기산염 등으로, 용융된 도전성 입자의 표면이나 대향되는 상하 전극패드 표면의 산화물 등의 표면의 이물질을 용해시켜 제거한다. The surface active agent is not particularly limited, and examples thereof include glycols such as ethylene glycol and glycerin, organic acids such as maleic acid and azipine acid, amine compounds such as amines, amino acids, organic acid salts of amines, and halogen salts of amines and inorganic acids. With a mineral acid salt or the like, foreign substances on the surface of the molten conductive particles and the surface of the surface of the upper and lower electrode pads facing each other are dissolved and removed.

여기서, 플럭스 또는 표면활성제는 도전입자의 융점보다 높고 수지의 최고 경화온도 보다 낮은 비점을 가지도록 하는 것이 바람직하다. Here, the flux or surface active agent is preferably such that it has a boiling point higher than the melting point of the conductive particles and lower than the maximum curing temperature of the resin.

또한, 경화제는 특별히 한정하지 않지만 예를 들어, 지시안지아미드나 이미다졸 등으로 에폭시 수지의 경화를 촉진시킬 수 있다. Moreover, although a hardening | curing agent is not specifically limited, For example, an indication resin amide, imidazole, etc. can accelerate hardening of an epoxy resin.

한편, 상기 방열 입자(3)는 상기 도전성 입자보다 융점이 높고, 웨팅 특성이 도전성 입자에 비하여 떨어지며, 열전도도가 높은 금속 등을 사용할 수 있으며, 예를 들어 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT), 알루미나, 실리카, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 질화붕소, 탄화규소, 실리콘 카바이드, 질화알루미늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상일 수 있다. On the other hand, the heat dissipation particles (3) has a higher melting point than the conductive particles, wetting properties are inferior to the conductive particles, and may be used a metal with high thermal conductivity, for example, gold, silver, copper, tungsten, carbon nano Tube (CNT), alumina, silica, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, silicon carbide, silicon carbide, aluminum nitride, and mixtures thereof.

또한, 상기 방열 입자(3)는 열전도율이 10 W/mK 이상인 것이 바람직하다. 상기 열전도율의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 상기 수치보다 작은 열전도율을 갖는 경우에는 접속제 내에서 방열 특성을 구현시키기 어려운 문제가 발생될 수 있다.In addition, it is preferable that the thermal radiation particles 3 have a thermal conductivity of 10 W / mK or more. The upper limit of the thermal conductivity is not particularly limited, but when the thermal conductivity is smaller than the above numerical value, it may be difficult to implement heat dissipation characteristics in the connection agent.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 실장방법을 나타내는 개념도이다.2 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor mounting method according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 실장방법은 용융 가능한 도전성 입자(301)와 상기 도전성 입자(301)보다 융점이 높은 방열 입자(302) 및 상기 도전성 입자(301)의 융점보다 낮은 경화온도를 갖는 폴리머(303)를 포함하는 이방성 도전 접속제(300)를 사이에 두고 제 1 기판(100)에 형성된 제 1 웨팅영역(101)과 이에 대응되는 제 2 기판(200)의 제 2 웨팅영역(201)을 대향시켜 배치하는 단계를 포함한다.The semiconductor mounting method according to the exemplary embodiment of the present invention has a melting point of the heat-dissipating particles 302 having a higher melting point than that of the conductive particles 301 and the conductive particles 301 and a melting point of the conductive particles 301. The first wetting region 101 formed on the first substrate 100 with the anisotropic conductive connector 300 including the polymer 303 therebetween and the second wetting region 201 of the second substrate 200 corresponding thereto. ) To face each other.

이와는 다르게, 용융 가능한 도전성 입자(301)와 상기 도전성 입자(301)의 융점보다 높은 경화온도를 갖는 폴리머(303) 및 상기 폴리머의 경화온도보다 융점이 높은 방열 입자(302)를 포함하는 이방성 도전 접속제를 사이에 두고 제 1 기판에 형성된 제 1 웨팅영역과 이에 대응되는 제 2 기판의 제 2 웨팅영역을 대향시켜 배치할 수 있다.Alternatively, the anisotropic conductive connection includes a meltable conductive particle 301 and a polymer 303 having a curing temperature higher than the melting point of the conductive particle 301 and heat dissipating particles 302 having a melting point higher than the curing temperature of the polymer. The first wetting region formed on the first substrate and the second wetting region of the second substrate corresponding thereto may be disposed to face each other.

여기서, 상기 이방성 도전 접속제(300)는 도 1을 통하여 설명한 이방성 도전 접속제(1)와 동일하며, 중복된 설명은 생략하도록 한다.Here, the anisotropic conductive coupling agent 300 is the same as the anisotropic conductive coupling agent 1 described with reference to FIG. 1, and overlapping description thereof will be omitted.

폴리머(303)의 경화온도보다 낮은 융점을 갖는 도전성 입자인 경우를 예로 들어 반도체 실장방법을 구체적으로 설명한다.A semiconductor mounting method will be described in detail with reference to the case of conductive particles having a melting point lower than the curing temperature of the polymer 303.

본 반도체 실장방법은 상기 이방성 도전성 접속제(300)를 상기 폴리머(303)의 경화가 완료되지 않은 온도까지 가열/가압하면, 상기 폴리머의 경화온도보다 낮은 융점을 갖는 도전성 입자(301)가 용융되며, 경화가 완료되지 않은 폴리머 내에 용융된 도전성 입자(301)가 자유롭게 유동될 수 있으며, 각 웨팅영역(101, 201)의 표면에 도전성 입자(301)가 퍼져 웨팅 상태가 되어 제 1 및 제 2 웨팅영역(101, 201)을 전기적으로 접속하고, 상기 방열 입자(302)와 경화되지 않은 폴리머(303)가 유동되어 상기 제 1 및 제 2기판(100 및 200) 사이에 충진되며 상기 전기적 접합부분들 간을 절연하는 단계를 포함한다.In the semiconductor mounting method, when the anisotropic conductive connector 300 is heated / pressurized to a temperature at which curing of the polymer 303 is not completed, conductive particles 301 having a melting point lower than the curing temperature of the polymer are melted. The molten conductive particles 301 may freely flow in the polymer that is not cured, and the conductive particles 301 are spread on the surfaces of each of the wetting regions 101 and 201 to become a wetting state, thereby forming the first and second wetting. The regions 101 and 201 are electrically connected, and the heat-dissipating particles 302 and the uncured polymer 303 flow and fill between the first and second substrates 100 and 200 and between the electrical junctions. Insulating the.

여기서, 각 웨팅영역은 도전성 패드 또는 범프일 수 있으며, 각 기판은 회로 기판 또는 칩일 수 있다.Here, each wetting region may be a conductive pad or bump, and each substrate may be a circuit board or a chip.

또한, 본 반도체 실장방법은 상기 폴리머를 경화시켜 상기 제 1 및 제 2 기판(100 및 200)을 접착시키는 단계를 포함한다.In addition, the present semiconductor mounting method includes curing the polymer to bond the first and second substrates 100 and 200.

즉, 접속되는 접속부에 구속된 도전성 입자는 용융이 되어 단자 사이에 금속 결합 등의 화학적인 결합을 형성할 수가 있어 서로 대향하는 단자 간은 화학적 결합에 의해 접속된 상태가 된다. 이에 따라 상기 단자 간의 전기 저항을 금속 접합과 동등 레벨에서 얻을 수 있으므로 상기 단자 간에 신뢰성이 높은 전기적 접속을 얻을 수 있다.That is, the electroconductive particle restrained by the connection part connected is melted, and can form chemical bonds, such as a metal bond, between terminals, and the terminal which mutually opposes is connected by the chemical bond. As a result, the electrical resistance between the terminals can be obtained at the same level as that of the metal junction, thereby obtaining a highly reliable electrical connection between the terminals.

그리고 본 발명에 의하면 접합부의 미세 균열, 파단, 불량 시 재 가열을 통해 입자의 재용융에 의한 접합부의 보수성을 얻을 수도 있으며, 특히 상기 도전입자의 융점보다 높은 온도로 부분적 또는 전체적으로 재가열하여, 상기 전기적 접합부분을 재용융시켜 대향되는 상기 복수의 기판전극패드와 상기 복수의 부품전극패드 간의 전기적인 접속을 리페어할 수 있는 장점이 있다. And according to the present invention It is also possible to obtain repairability of the joint by remelting the particles through fine cracking, fracture, or failure of reheating the joint. Particularly, the electrical joint is remelted by partially or totally reheating at a temperature higher than the melting point of the conductive particles. The electrical connection between the plurality of substrate electrode pads facing each other and the plurality of component electrode pads can be repaired.

또한, 상기 도전성 입자보다 융점이 높고, 웨팅 특성이 도전성 입자보다 떨어지며, 열전도도가 높은 방열 입자가 도전 경로를 방해하지 않고, 분산되어 있으므로 방열 특성이 우수해지는 장점이 있다.In addition, since the heat dissipation particles are higher than the electroconductive particles, the wettability is lower than the electroconductive particles, and the heat dissipation particles having high thermal conductivity do not interfere with the conductive path and are dispersed, the heat dissipation characteristics are excellent.

위에서 설명된 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것 이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.Preferred embodiments of the present invention described above are disclosed for purposes of illustration, and those skilled in the art will be able to make various modifications, changes, and additions within the spirit and scope of the present invention. Modifications and additions should be considered to be within the scope of the following claims.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 이방성 도전 접속제의 구성도.1 is a block diagram of an anisotropic conductive coupling agent according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 실장방법을 나타내는 개념도.2 is a conceptual diagram illustrating a semiconductor mounting method according to an embodiment of the present invention.

Claims (17)

고체 상태이고 가열시 용융 가능한 도전성 입자와, 상기 도전성 입자의 융점보다 높은 경화온도를 갖는 폴리머와, 상기 폴리머의 경화 온도보다 융점이 높은 방열 입자, 및 상기 도전성 입자의 융점보다 높고 상기 폴리머의 경화 온도보다 낮은 비점을 갖는 플럭스와 표면활성제를 포함하는 이방성 도전 접속제를 사이에 두고, 제 1 기판에 형성된 제 1 웨팅영역과 이에 대응되는 제 2 기판의 제 2 웨팅영역을 대향시켜 배치하는 단계;Conductive particles that are solid and meltable upon heating, a polymer having a curing temperature higher than the melting point of the conductive particles, heat dissipation particles having a melting point higher than the curing temperature of the polymer, and a curing temperature of the polymer higher than the melting point of the conductive particles Interposing a first wetting region formed on the first substrate and a second wetting region of the second substrate corresponding thereto with an anisotropic conductive connector comprising a flux having a lower boiling point and a surface active agent therebetween; 상기 이방성 도전성 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않은 온도까지 가열/가압하여, 상기 도전성 입자가 용융되어 제 1 및 제 2 웨팅영역을 전기적으로 접속하고, 상기 방열 입자와 경화되지 않은 폴리머가 유동되어 상기 제 1 및 제 2기판 사이에 충진되며 상기 전기적 접속부분들 간을 절연하는 단계; 및 The anisotropic conductive connector is heated / pressurized to a temperature at which curing of the polymer is not completed, the conductive particles are melted to electrically connect the first and second wetting regions, and the heat-dissipating particles and the uncured polymer flow. Filling between the first and second substrates to insulate the electrical connections; And 상기 폴리머를 경화시켜 상기 제 1 및 제 2 기판을 접착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.Hardening the polymer to bond the first and second substrates to each other. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이방성 도전 접속제는 페이스트 상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.The said anisotropic conductive connection agent is a paste form, The semiconductor mounting method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이방성 도전 접속제는 필름 상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.The said anisotropic conductive connection agent is a film form, The semiconductor mounting method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.The conductive particle is a semiconductor mounting method, characterized in that at least one selected from the group consisting of metals, non-metals and alloys. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.And said polymer is at least one selected from the group consisting of a thermoplastic resin, a thermosetting resin and a photoreactive resin. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열 입자는 금, 은, 구리, 텅스텐, 탄소나노튜브(CNT), 알루미나, 실리카, 산화마그네슘, 산화베릴륨, 질화붕소, 탄화규소, 실리콘 카바이드, 질화알루미늄 및 이들의 혼합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.The heat dissipation particle is one selected from the group consisting of gold, silver, copper, tungsten, carbon nanotubes (CNT), alumina, silica, magnesium oxide, beryllium oxide, boron nitride, silicon carbide, silicon carbide, aluminum nitride, and mixtures thereof The semiconductor mounting method characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 방열입자는 열전도율이 10 W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.The heat dissipation particle is a semiconductor mounting method, characterized in that the thermal conductivity is 10 W / mK or more. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 각 웨팅영역은 도전성 패드 또는 범프인 것을 특징으로 하는 반도체 실장방법.Wherein each wetting region is a conductive pad or bump. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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