KR101180734B1 - Lift-off device and soaking bath unit thereof - Google Patents

Lift-off device and soaking bath unit thereof Download PDF

Info

Publication number
KR101180734B1
KR101180734B1 KR1020100027669A KR20100027669A KR101180734B1 KR 101180734 B1 KR101180734 B1 KR 101180734B1 KR 1020100027669 A KR1020100027669 A KR 1020100027669A KR 20100027669 A KR20100027669 A KR 20100027669A KR 101180734 B1 KR101180734 B1 KR 101180734B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
precipitation
treatment
lift
wafers
Prior art date
Application number
KR1020100027669A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20110108464A (en
Inventor
이의강
박지호
노성덕
Original Assignee
주식회사 제우스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제우스 filed Critical 주식회사 제우스
Priority to KR1020100027669A priority Critical patent/KR101180734B1/en
Publication of KR20110108464A publication Critical patent/KR20110108464A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101180734B1 publication Critical patent/KR101180734B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes

Abstract

본 발명은 프레임과, 상기 프레임에 장착되며, 상기 웨이퍼에 형성된 포토레지스트막을 제거하도록 상기 웨이퍼를 약액에 침전 처리시키는 침전 처리 유닛을 포함하고, 상기 침전 처리 유닛은 상기 침전 처리를 위한 약액을 수용하는 처리조와,복수의 웨이퍼들이 장착 가능한 카세트를 구비하며 상기 웨이퍼들의 투입 위치와 침전 처리 위치 사이를 이동 가능하게 구성되는 캐리어, 및 상기 처리조의 내부에 장착되며 상기 침전 처리시 상기 침전 처리 위치를 한정하도록 배열되어 상기 웨이퍼들의 측면을 향해 초음파를 발생시키는 복수의 초음파 발생부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛에 관한 것으로서, 포토레지스트막을 효과적으로 제거할 수 있도록 침전 처리 균일도와 효율을 극대화시킬 수 있는 구조를 제공한다.The present invention includes a frame, and a precipitation processing unit mounted on the frame and for depositing the wafer in the chemical liquid to remove the photoresist film formed on the wafer, wherein the precipitation processing unit receives the chemical liquid for the precipitation treatment. A treatment tank, a carrier having a cassette on which a plurality of wafers are mountable, the carrier configured to be movable between an input position and a precipitation treatment position of the wafers, and mounted inside the treatment tank to define the precipitation treatment position during the precipitation treatment. A lift-off apparatus comprising a plurality of ultrasonic generators arranged to generate ultrasonic waves toward side surfaces of the wafers, and a precipitation processing unit constituting the same, wherein the uniformity of the deposition treatment is such that the photoresist film can be effectively removed. To maximize efficiency Provides structure.

Description

리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛{LIFT-OFF DEVICE AND SOAKING BATH UNIT THEREOF}LIFT-OFF DEVICE AND SOAKING BATH UNIT THEREOF}

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어 메탈 패턴을 형성하기 위하여 불필요한 금속막질과 포토레지스트막을 제거하기 위한 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lift-off apparatus for removing unnecessary metal film and photoresist film in order to form a metal pattern in a semiconductor manufacturing process, and a precipitation processing unit constituting the same.

반도체 공정에 있어서 웨이퍼에 회로패턴이나 전극을 형성하기 위해 패터닝 공정이 수행된다. 일반적으로 패터닝 공정은 포토레지스트막을 이용한 포토리소그라피 공정과, 포토리소그라피 공정에 의해 형성된 포토레지스트막 패턴을 이용한 에칭 공정에 수행된다.In a semiconductor process, a patterning process is performed to form circuit patterns or electrodes on a wafer. In general, the patterning process is performed in a photolithography process using a photoresist film and an etching process using a photoresist film pattern formed by a photolithography process.

최근에는 보다 효율적인 패터닝 공정을 수행하기 위해 리프트-오프(LIFT-OFF) 장치를 이용한 패터닝 공정이 사용되고 있다. 이에 따르면, 포토레지스트막 패턴 상에 금속막을 증착하고, 포토레지스트막 패턴을 제거함에 의해 이루어지며, 이에 따라 포토레지스트막 패턴이 형상에 대해 역전된 형상의 금속 패턴이 형성되게 된다. 리프트-오프 공정은 금속막이 증착된 포토레지스트막 패턴을 제거하는 공정을 말한다. Recently, a patterning process using a lift-off device has been used to perform a more efficient patterning process. According to this, a metal film is deposited on the photoresist film pattern and the photoresist film pattern is removed, thereby forming a metal pattern in which the photoresist film pattern is inverted with respect to the shape. The lift-off process refers to a process of removing a photoresist film pattern on which a metal film is deposited.

이러한 리프트-오프 공정에 있어서, 포토레지스트막 패턴을 제거할 때 금속막 부분도 함께 제거해야 하므로, 금속막 및 포토레지스트막 패턴을 보다 유효하게 제거할 수 있는 방법 및 이를 위한 장치가 요구되고 있는 실정이다.In this lift-off process, since the metal film portion must be removed together with the photoresist film pattern, there is a need for a method and an apparatus capable of more effectively removing the metal film and the photoresist film pattern. to be.

본 발명은 상기와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로서, 약액을 이용하여 웨이퍼를 침전 처리함에 있어서 포토레지스트막을 보다 균일하고 효과적으로 제거할 수 있는 구조의 침전 처리 유닛 및 이를 구비한 리프트-오프 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention has been made in view of the above, and provides a precipitation treatment unit having a structure capable of removing a photoresist film more uniformly and effectively in precipitation treatment of a wafer using a chemical solution, and a lift-off apparatus having the same. It is to.

상기한 과제를 실현하기 위해 본 발명은 프레임과, 상기 프레임에 장착되며 상기 웨이퍼에 형성된 포토레지스트막을 제거하도록 상기 웨이퍼를 약액에 침전 처리시키는 침전 처리 유닛을 포함하고, 상기 침전 처리 유닛은 상기 침전 처리를 위한 약액을 수용하는 처리조와, 복수의 웨이퍼들이 장착 가능한 카세트를 구비하며, 상기 웨이퍼들의 투입 위치와 침전 처리 위치 사이를 이동 가능하게 구성되는 캐리어, 및 상기 처리조의 내부에 장착되며 상기 침전 처리시 상기 침전 처리 위치를 한정하도록 배열되어 상기 웨이퍼들의 측면을 향해 초음파를 발생시키는 복수의 초음파 발생부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛을 개시한다.In order to realize the above object, the present invention includes a frame, and a precipitation processing unit for precipitating the wafer to the chemical liquid so as to remove the photoresist film attached to the frame and formed on the wafer, wherein the precipitation processing unit includes the precipitation treatment. A processing tank accommodating a chemical liquid for the carrier, a carrier on which a plurality of wafers can be mounted, a carrier configured to be movable between an input position and a precipitation processing position of the wafers, and mounted inside the processing tank and during the precipitation processing. Disclosed is a lift-off device and a precipitation processing unit constituting the lift-off device, characterized in that it comprises a plurality of ultrasonic generators arranged to define the deposition treatment position to generate ultrasonic waves toward the sides of the wafers.

상기 초음파 발생부들은 상기 침전 처리시 상기 카세트의 외곽을 둘러싸도록 배열될 수 있으며, 상기 처리조의 내부 공간에 일정 간격만큼 이격되게 배열될 수 있다.The ultrasonic generators may be arranged to surround the outer periphery of the cassette during the precipitation treatment, and may be arranged to be spaced apart by a predetermined interval in the inner space of the treatment tank.

상기 침전 처리 유닛의 상측에는 상기 처리조의 내부 공간에 하강 기류를 형성하기 위한 팬 유닛이 추가적으로 설치될 수 있다.An upper side of the sedimentation treatment unit may be additionally provided with a fan unit for forming a downdraft in the inner space of the treatment tank.

상기 침전 처리 유닛은 상기 캐리어를 상하 구동시키기 위한 구동 유닛을 더 포함하고, 상기 구동 유닛은 상기 처리조와 팬 유닛의 연통 공간을 확보하도록 상기 처리조의 사이드에 설치될 수 있다. 이를 위해, 상기 구동 유닛은 상기 캐리어에 연결되는 리프트 암과, 상기 리프트 암에 연결되며 상기 처리조에 상하 이동 가능하게 장착되는 리프트 샤프트, 및 상기 리프트 샤프트를 상하 구동시키는 리프트 구동부를 포함할 수 있다.The sedimentation treatment unit further includes a drive unit for driving the carrier up and down, and the drive unit may be installed at the side of the treatment tank to secure a communication space between the treatment tank and the fan unit. To this end, the drive unit may include a lift arm connected to the carrier, a lift shaft connected to the lift arm and mounted to the processing tank so as to be movable up and down, and a lift driver configured to vertically drive the lift shaft.

상기 침전 처리 유닛은 상기 처리조의 측면에 장착되며 상기 웨이퍼를 투입하기 위한 투입구를 개폐하는 셔터와, 상기 셔터를 개폐 동작을 구동시키기 위한 셔터 구동부를 더 포함할 수 있다.The sedimentation treatment unit may further include a shutter mounted to the side of the treatment tank and opening and closing the inlet for inserting the wafer, and a shutter driver for driving the opening and closing operation of the shutter.

상기 프레임에는 수평 방향을 따라 복수의 장착 공간들이 구비되며, 상기 침전 처리 유닛은 상기 장착 공간들 중 어느 하나에 장착될 수 있다. 그리고, 상기 침전 처리 유닛의 일측에는 상기 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위한 로딩 유닛이 장착되고, 타측에는 상기 침전 처리 유닛에서 처리된 웨이퍼에 약액을 분사하는 스핀 처리 유닛이 장착될 수 있다. 아울러, 상기 프레임에는 상기 웨이퍼들을 상기 로딩 유닛, 침전 처리 유닛, 및 스핀 처리 유닛 간에 이동시키기 위한 로봇 유닛이 추가적으로 장착될 수 있다.The frame may include a plurality of mounting spaces along a horizontal direction, and the precipitation treatment unit may be mounted in any one of the mounting spaces. In addition, a loading unit for loading or unloading the wafer may be mounted at one side of the precipitation processing unit, and a spin processing unit for injecting a chemical liquid to the wafer processed at the precipitation processing unit may be mounted at the other side. In addition, the frame may be further equipped with a robot unit for moving the wafers between the loading unit, the precipitation processing unit, and the spin processing unit.

상기와 같은 구성의 본 발명에 의하면, 처리조 내에 초음파 발생부들을 침전 처리 위치를 한정하도록 배열함으로써, 에너지가 웨이퍼 전체에 균일하게 전달되어 침전 처리 공정의 효율을 극대화시킬 수 있다. According to the present invention having the above configuration, by arranging the ultrasonic generators in the treatment tank to limit the deposition treatment position, energy is uniformly transferred to the entire wafer, thereby maximizing the efficiency of the precipitation treatment process.

또한, 본 발명은 팬 유닛의 장착을 통해 웨이퍼에 불순물 입자가 달라붙는 것을 방지할 수 있으며, 구동 유닛을 침전조의 사이드에 배치함으로써 팬 유닛이 최적의 효과를 발휘할 수 있는 구조적 이점을 제공한다.In addition, the present invention can prevent the impurity particles from adhering to the wafer through the mounting of the fan unit, and provides a structural advantage that the fan unit can achieve the optimal effect by placing the drive unit on the side of the settling tank.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트-오프 장치를 정면에서 바라본 정면도.
도 2는 도 1에 도시된 중간 장착부의 평면도.
도 3은 도 2에 도시된 침전 처리 유닛의 사시도.
도 4는 도 3에 도시된 침전 처리 유닛의 평면도.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 라인을 따르는 침전 처리 유닛의 단면도.1 is a front view of the lift-off device according to an embodiment of the present invention as viewed from the front;
2 is a plan view of the intermediate mounting portion shown in FIG.
3 is a perspective view of the precipitation treatment unit shown in FIG. 2;
4 is a plan view of the precipitation treatment unit shown in FIG. 3;
5 is a cross-sectional view of the precipitation treatment unit along line V-V of FIG.

이하, 본 발명과 관련된 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛 에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the lift-off apparatus which concerns on this invention, and the precipitation treatment unit which comprises it are demonstrated in detail with reference to drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트-오프 장치를 정면에서 바라본 정면도이다.1 is a front view of a lift-off device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 리프트-오프 장치는 프레임(100), 로딩 유닛(200), 침전 처리 유닛(300), 스핀 처리 유닛(400) 등을 포함한다.Referring to FIG. 1, the lift-off apparatus includes a frame 100, a loading unit 200, a precipitation treatment unit 300, a spin treatment unit 400, and the like.

프레임(100)은 리프트-오프 공정을 위한 여러 가지 장치들을 장착, 지지하기 위한 공간을 제공한다. 프레임(100)은 중간 장착부(101), 상부 장착부(102), 및 하부 장착부(103)를 포함할 수 있다. The frame 100 provides space for mounting and supporting various devices for the lift-off process. The frame 100 may include an intermediate mounting portion 101, an upper mounting portion 102, and a lower mounting portion 103.

중간 장착부(101)에는 로딩 유닛(200), 침전 처리 유닛(300), 스핀 처리 유닛(400) 등이 장착되며, 이들에 대해서는 추후 상세히 설명하기로 한다. 상부 장착부(102)에는 침전 처리 유닛(300), 스핀 처리 유닛(400) 내에 하강 기류를 형성하기 위한 팬 유닛들(110,120)과, 리프트-오프 장치의 제어를 위한 제어부(미도시)가 장착된다. 그리고, 하부 장착부(103)에는 침전 처리 유닛(300)과 스핀 처리 유닛(400)에 약액을 공급하기 위한 공급 탱크와, 약액 공급을 위한 공급배관, 약액 배출을 위한 배출 배관 등이 장착된다.The intermediate mounting portion 101 is equipped with a loading unit 200, a precipitation treatment unit 300, a spin treatment unit 400, and the like, which will be described in detail later. The upper mounting unit 102 is equipped with a precipitation processing unit 300, fan units 110 and 120 for forming a downdraft in the spin processing unit 400, and a control unit (not shown) for controlling the lift-off device. . The lower mounting unit 103 is equipped with a supply tank for supplying a chemical solution to the precipitation processing unit 300 and the spin processing unit 400, a supply pipe for supplying the chemical solution, and a discharge pipe for discharging the chemical solution.

프레임(100)의 일측에는 사용자가 리프트-오프 장치를 제어하도록 하기 위한 컴퓨터(130)가 연결될 수 있으며, 사용자는 이를 통해 공정을 제어하거나 공정의 상태를 모니터링 할 수 있다.One side of the frame 100 may be connected to a computer 130 for allowing the user to control the lift-off device, through which the user can control the process or monitor the state of the process.

도 2는 도 1에 도시된 중간 장착부의 평면도이다.FIG. 2 is a plan view of the intermediate mounting portion shown in FIG. 1. FIG.

도 2를 참조하면, 중간 장착부(101) 상에는 수평 방향을 따라 복수의 장착 공간들이 구비되며, 장착 공간들에는 로딩 유닛(200), 침전 처리 유닛(300), 및 스핀 처리 유닛(400)이 차례로 장착된다. 다시 말해, 침전 처리 유닛(300)은 복수의 장착공간들 중 어느 하나에 장착되며, 침전 처리 유닛(300)이 장착된 부분을 중심으로 그 일측에는 로딩 유닛(200)이 장착되고, 그 타측에는 스핀 처리 유닛(400)이 장착된다.Referring to FIG. 2, a plurality of mounting spaces are provided on the intermediate mounting portion 101 along a horizontal direction, and the loading spaces include the loading unit 200, the precipitation processing unit 300, and the spin processing unit 400 in turn. Is mounted. In other words, the precipitation treatment unit 300 is mounted in any one of the plurality of mounting spaces, and the loading unit 200 is mounted on one side of the mounting portion 300, the other side, the other side The spin processing unit 400 is mounted.

중간 장착부(101) 중 로딩 유닛(200), 침전 처리 유닛(300), 및 스핀 처리 유닛(400)의 후방에는 이들 간에 웨이퍼를 이동시키기 위한 로봇 유닛(500)이 장착된다. 로봇 유닛(500)은 좌우 방향으로 이동하도록 구성되며, 진공 흡입의 방식을 통해 웨이퍼를 집거나 놓을 수 있는 로봇 암(510)을 구비한다. 중간 장착부(101) 상에는 로봇 유닛(500)이 이동하기 위한 이동 레일(510)이 설치될 수 있다.The robot unit 500 for moving the wafer therebetween is mounted at the rear of the loading unit 200, the precipitation processing unit 300, and the spin processing unit 400 among the intermediate mounting units 101. The robot unit 500 is configured to move in the left and right directions and includes a robot arm 510 capable of picking up or placing a wafer through a vacuum suction method. On the intermediate mounting portion 101, a moving rail 510 for moving the robot unit 500 may be installed.

로딩 유닛(200)은 리프트-오프 처리가 이루어질 웨이퍼들을 로딩시키거나, 처리가 이루어진 웨이퍼들이 언로딩시키기 위한 것으로서, 웨이퍼들을 안착시키기 위한 카세트를 갖는 캐리어(210)를 구비한다. 캐리어(210)는 모터 등의 구동유닛에 의해 상하로 이동하도록 구성된다. 웨이퍼들이 카세트에 로딩되면, 캐리어(210)는 로봇 암(510)의 위치까지 상측으로 이동하게 된다. 로봇 암(510)은 웨이퍼들을 침전 처리 유닛(300)까지 이동시켜 침전 처리 유닛(300)으로 투입한다.The loading unit 200 is for loading wafers to be lifted-off or for unloading the wafers to be processed and includes a carrier 210 having a cassette for seating the wafers. The carrier 210 is configured to move up and down by a drive unit such as a motor. When the wafers are loaded into the cassette, the carrier 210 moves upwards to the position of the robot arm 510. The robot arm 510 moves the wafers to the precipitation processing unit 300 and inserts the wafers into the precipitation processing unit 300.

침전 처리 유닛(300)은 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼들을 약액 내에 잠기도록 함으로써 포토레지스트막을 제거시킨다. 침전 처리 유닛(300)은 복수의 웨이퍼들을 동시에 침전 처리할 수 있게 구성된다. 침전 처리가 완료된 웨이퍼들은 로봇 유닛(500)에 의해 스핀 처리 유닛(400)으로 이동한다.The precipitation processing unit 300 removes the photoresist film by allowing the wafers on which the photoresist film is formed to be immersed in the chemical liquid. The precipitation treatment unit 300 is configured to be capable of simultaneously depositing a plurality of wafers. The wafers on which the deposition process is completed are moved to the spin processing unit 400 by the robot unit 500.

스핀 처리 유닛(400)은 로봇 유닛(500)에 의해 이송된 웨이퍼를 회전시키고, 회전 상태의 웨이퍼에 약액을 분사하는 구성을 갖는다. 본 실시예에 따르면, 스핀 처리 유닛(400)은 제1스핀 처리 유닛(410), 제2스핀 처리 유닛(420), 및 제3스핀 처리 유닛(430)을 포함한다. 본 실시예는 3개의 스핀 처리 유닛들(410,420,430)을 예시하고 있지만, 스핀 처리 유닛(400)은 필요에 따라 그 이상 또는 그 이하의 개수를 가질 수 있다.The spin processing unit 400 rotates the wafer conveyed by the robot unit 500 and has a structure in which the chemical liquid is injected onto the wafer in the rotated state. According to the present embodiment, the spin processing unit 400 includes a first spin processing unit 410, a second spin processing unit 420, and a third spin processing unit 430. Although the present embodiment illustrates three spin processing units 410, 420, and 430, the spin processing unit 400 may have more or less than necessary.

제1 및 제2스핀 처리 유닛(410,420)은 고속으로 회전하는 상태의 웨이퍼에 약액을 분사함으로써, 침전 처리에 의해 제거되지 못한 포토레지스트막과 금속막이 물리적 힘에 완전히 떨어져 나가도록 한다. 제1 및 제2스핀 처리 유닛(410,420)은 동일한 구성을 가지며, 동시에 내부의 웨이퍼들에 대한 스핀 처리 공정을 각각 수행할 수 있다. 이러한 스핀 처리 공정에 따라, 웨이퍼 상에는 금속막 패턴만이 잔류하게 되며, 스핀 처리 공정이 완료된 웨이퍼는 로봇 유닛(500)에 의해 제3스핀 처리 유닛(400)으로 이송되게 된다.The first and second spin processing units 410 and 420 spray the chemical liquid onto the wafer in a state of rotating at high speed, so that the photoresist film and the metal film that are not removed by the precipitation process are completely separated from the physical force. The first and second spin processing units 410 and 420 have the same configuration, and may simultaneously perform spin processing on the wafers therein. According to the spin process, only the metal film pattern remains on the wafer, and the wafer on which the spin process is completed is transferred to the third spin process unit 400 by the robot unit 500.

제3스핀 처리 유닛(430)은 제1 및 제2스핀 처리 유닛(410,420)에 대응되는 구성을 가지며, 스핀 처리 공정이 완료된 웨이퍼를 세정 및 건조하는 공정을 수행한다. 제1 및 제2스핀 처리 유닛(410,420)이 금속막질과 포토레지스트막의 제거를 위한 약액을 분사하는 구성을 갖는 반면, 제3스핀 처리 유닛(430)은 웨이퍼의 세정을 위한 세정액을 분사하는 구성을 갖는다. 웨이퍼의 건조는 웨이퍼의 고속 회전에 의해 이루어지게 된다.The third spin processing unit 430 has a configuration corresponding to the first and second spin processing units 410 and 420, and performs a process of cleaning and drying the wafer on which the spin processing is completed. While the first and second spin processing units 410 and 420 have a structure for injecting a chemical solution for removing the metal film and the photoresist film, the third spin processing unit 430 has a structure for spraying a cleaning solution for cleaning the wafer. Have Drying of the wafer is accomplished by high speed rotation of the wafer.

세정 및 건조 공정이 완료된 웨이퍼들은 로봇 유닛(500)에 의해 로딩 유닛(200)으로 이송되게 되어 리프트-오프 공정이 완료되게 된다.After the cleaning and drying processes are completed, the wafers are transferred to the loading unit 200 by the robot unit 500 to complete the lift-off process.

도 3은 도 2에 도시된 침전 처리 유닛의 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시된 침전 처리 유닛의 평면도이다. 그리고, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ 라인을 따르는 침전 처리 유닛의 단면도이다.3 is a perspective view of the precipitation treatment unit shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a plan view of the precipitation treatment unit shown in FIG. 3. 5 is a cross-sectional view of the precipitation treatment unit along the line VV of FIG. 4.

도 3 내지 5를 참조하면, 침전 처리 유닛(300)은 처리조(310), 캐리어(320), 및 초음파 발생부들(330)을 포함한다.3 to 5, the precipitation treatment unit 300 includes a treatment tank 310, a carrier 320, and ultrasonic generators 330.

처리조(310)는 침전 처리를 위한 약액이 수용되는 내부 공간을 구비한다. 처리조(310)는 일측이 개방된 박스 형태를 가지며, 개방된 부분에는 일부분이 개구된 커버(미도시)가 장착될 수 있다. 처리조(310)에는 약액 공급을 위한 약액공급배관(311), 오버 플로우(over flow)된 약액을 배출하기 위한 오버 플로우 배관(312), 및 내부 공기를 배출하기 위한 배기구(313)가 구비된다.The treatment tank 310 has an inner space in which the chemical liquid for the precipitation treatment is accommodated. The treatment tank 310 may have a box shape in which one side is opened, and a cover (not shown) in which a part is opened may be mounted in the open portion. The treatment tank 310 is provided with a chemical liquid supply pipe 311 for supplying a chemical liquid, an overflow pipe 312 for discharging the overflowed chemical liquid, and an exhaust port 313 for discharging internal air. .

앞서 설명한 바와 같이, 침전 처리 유닛(300), 즉, 처리조(310)의 상측 공간에는 처리조(310)의 내부에 하강 기류를 형성하기 위한 팬 유닛(110)이 장착된다. 팬 유닛(110)은 하강 기류를 형성시켜 처리조(310) 내부의 공기 중에 존재하는 불순물 입자들이 배기구(313)를 통해 배출되도록 한다. 이에 따라, 웨이퍼들(301)에 불순물 입자들이 달라붙는 것을 방지할 수 있다. 이와 같이, 팬 유닛(110)을 이용하여 하강 기류를 형성하는 개념은 스핀 처리 유닛(400) 상측의 팬유닛들(120)에도 동일하게 적용될 수 있다.As described above, in the space above the precipitation treatment unit 300, that is, the treatment tank 310, a fan unit 110 for forming a downdraft is installed inside the treatment tank 310. The fan unit 110 forms a downdraft so that impurity particles existing in the air inside the treatment tank 310 are discharged through the exhaust port 313. Accordingly, it is possible to prevent the impurity particles from sticking to the wafers 301. As such, the concept of forming the downdraft using the fan unit 110 may be equally applied to the fan units 120 above the spin processing unit 400.

캐리어(320)는 복수의 웨이퍼들(301)을 장착하기 위한 카세트(321)를 구비하며, 웨이퍼들(301)을 처리조(310) 상부의 투입 위치에서 처리조(310) 하부의 침전 처리 위치까지 이동시키는 기능을 한다. 캐리어(320)는 구동 유닛(340)에 의해 상하 방향으로 이동하도록 구성된다.The carrier 320 includes a cassette 321 for mounting a plurality of wafers 301, and the wafers 301 are deposited at the bottom of the processing tank 310 at a loading position above the processing tank 310. It functions to move up to. The carrier 320 is configured to move in the vertical direction by the drive unit 340.

구동 유닛(340)은 팬 유닛(110)의 설치 공간을 확보함과 아울러 팬 유닛(110)과 처리조(310)를 연통시키기 위하여 처리조(310)의 사이드에 설치된다. 구동 유닛(340)은 리프트 암(341), 리프트 샤프트(342), 및 리프트 구동부(343)를 포함할 수 있다.The driving unit 340 is installed on the side of the processing tank 310 to secure the installation space of the fan unit 110 and to communicate the fan unit 110 and the processing tank 310. The drive unit 340 may include a lift arm 341, a lift shaft 342, and a lift driver 343.

리프트 암(341)은 캐리어(320)에 연결되어 있으며, 리프트 샤프트(342)는 리프트 암(341)에 연결되어 있다. 리프트 샤프트(342)는 처리조(310)의 상하 방향을 길이 방향으로 가지며, 처리조(310)에 상하 이동 가능하게 장착된다. 리프트 암(341)은 리프트 샤프트(342)의 단부에서 수평 방향으로 연장된다. 리프트 구동부(343)는 리프트 샤프트(342)를 상하 구동시키며, 그에 따라 리프트 샤프트(342)에 연결된 리프트 암(341)이 처리조(310)의 상하 방향으로 이동하게 된다.Lift arm 341 is connected to carrier 320, and lift shaft 342 is connected to lift arm 341. The lift shaft 342 has a vertical direction of the processing tank 310 in the longitudinal direction, and is mounted to the processing tank 310 so as to be movable up and down. Lift arm 341 extends in the horizontal direction at the end of lift shaft 342. The lift driver 343 drives the lift shaft 342 up and down, and the lift arm 341 connected to the lift shaft 342 moves in the up and down direction of the treatment tank 310.

초음파 발생부들(330)은 처리조(310)의 내부에 장착되며, 침전 처리시 침전 처리 위치를 한정하도록 배열된다. 초음파 발생부들(330)는 초음파를 발생시킬 수 있도록 진동자를 구비하며, 침전 처리시 웨이퍼들(301)의 측면을 향해 초음파를 발생시킨다. 초음파 발생부들(330)은 침전 처리시 약액에 초음파를 인가함으로써 웨이퍼(301)의 포토레지스트막이 균일하고 효과적으로 제거될 수 있도록 한다. The ultrasonic generators 330 are mounted inside the treatment tank 310, and are arranged to limit the precipitation treatment position during the precipitation treatment. The ultrasonic generators 330 may include a vibrator to generate ultrasonic waves, and generate ultrasonic waves toward side surfaces of the wafers 301 during the precipitation process. The ultrasonic generators 330 may apply the ultrasonic wave to the chemical liquid during the precipitation process so that the photoresist film of the wafer 301 may be uniformly and effectively removed.

초음파 발생부들(330)은 침전 처리시 캐리어(320)의 카세트(321)의 외곽을 둘러싸도록 배열된다. 초음파 발생부들(330)은 처리조(310)의 내부 공간에 서로 일정 간격만큼 이격되게 배열 가능하다. 본 실시예는 4개의 초음파 발생부들이 90도 각도만큼 떨어진 상태로 배열된 것을 예시하고 있으나, 필요에 따라 그 이상 또는 그 이하의 개수로 배열하는 것도 가능하다. 본 발명에 따르면, 초음파 발생부들(330)이 웨이퍼들의 외곽을 둘러싸도록 배치되므로 초음파가 인가되는 웨이퍼의 면적을 증가시킬 수 있으며, 이에 따라 포토레지스트막의 보다 균일하고 효율적인 제거가 가능한 이점이 있다.The ultrasonic generators 330 are arranged to surround the outside of the cassette 321 of the carrier 320 during the precipitation process. The ultrasonic generators 330 may be arranged to be spaced apart from each other in the internal space of the treatment tank 310 by a predetermined interval. In the present exemplary embodiment, four ultrasonic generators are arranged at a 90-degree angle, but may be arranged in a number of more or less as necessary. According to the present invention, since the ultrasonic generators 330 are disposed to surround the outer edges of the wafers, the area of the wafer to which ultrasonic waves are applied can be increased, and thus, there is an advantage that more uniform and efficient removal of the photoresist film is possible.

처리조(310)의 측면에는 웨이퍼(301)의 투입 및 배출을 위한 투입구를 개폐하기 위한 셔터(351)가 장착되며, 처리조(310)의 외부에는 셔터(351)의 개폐 동작을 구동시키기 위한 셔터 구동부(352)가 장착된다.The side of the processing tank 310 is equipped with a shutter 351 for opening and closing the opening for the input and discharge of the wafer 301, the outside of the processing tank 310 for driving the opening and closing operation of the shutter 351 The shutter driver 352 is mounted.

처리조(310)의 하부에는 처리조(310)의 안착 및 지지를 위한 처리조 지지부(360)가 구비되며, 처리조 지지부(360)에는 열을 발생시켜 약액의 온도를 유지하기 위한 히터(361)가 장착된다. 히터(361)에는 약액의 온도를 센싱하기 위한 온도 센서(362)가 전기적으로 연결된다.The lower part of the processing tank 310 is provided with a processing tank support part 360 for seating and supporting the processing tank 310, and the processing tank support part 360 generates heat to maintain a temperature of the chemical liquid. ) Is mounted. The heater 361 is electrically connected to a temperature sensor 362 for sensing the temperature of the chemical liquid.

처리조 지지부(360)의 내측 공간에는 배기구(313)에 연결된 배기관(363), 배기관(363) 내부의 액체를 드레인시키기 위한 드레인 배관(364), 및 배기관(363)의 압력을 감지하기 위한 압력 감지부(365) 등이 장착된다.Pressure for sensing the pressure of the exhaust pipe 363 connected to the exhaust port 313, the drain pipe 364 for draining the liquid inside the exhaust pipe 363, and the exhaust pipe 363 is provided in the inner space of the treatment tank support 360. The detection unit 365 is mounted.

이상에서 설명한 구성의 침전 처리 유닛(300)의 동작을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the precipitation treatment unit 300 of the configuration described above as follows.

셔터(351)가 개방 동작된 상태에서 로봇 유닛(500)의 로봇 암(510)은 처리조(310)의 투입구를 통과하여 웨이퍼(301)를 캐리어(320)에 안착시킨다. 로봇 암(510)은 안착 동작을 반복하여 캐리어(320)에 일정 갯수의 웨이퍼들(301)이 안착되도록 한다. 웨이퍼들(301)의 안착이 완료되면, 셔터(351)가 투입구를 폐쇄시켜 처리조(310)가 밀폐되도록 한다. 이 때, 팬 유닛(110)은 처리조(310) 내부에 하강 기류를 형성시키고 있으므로, 웨이퍼들(301)에 불순물 입자가 들러붙는 것이 방지된다.In the state in which the shutter 351 is opened, the robot arm 510 of the robot unit 500 passes through the inlet of the processing tank 310 to seat the wafer 301 on the carrier 320. The robot arm 510 repeats the seating operation so that a certain number of wafers 301 are seated on the carrier 320. When the mounting of the wafers 301 is completed, the shutter 351 closes the inlet so that the treatment tank 310 is sealed. At this time, since the fan unit 110 forms a downdraft in the processing tank 310, the impurity particles are prevented from adhering to the wafers 301.

리프트 구동부(343)가 리프트 샤프트(342)를 하강시킴에 따라 캐리어(320)는 하부 방향으로 이동하게 되며, 이에 따라 웨이퍼들은 처리조(310) 내부의 약액으로 침수되게 된다. 그리고, 초음파 발생부들(330)이 동작되어 초음파를 발생시켜 침전 처리 공정을 수행한다.As the lift driver 343 lowers the lift shaft 342, the carrier 320 moves downward, so that the wafers are submerged in the chemical liquid inside the treatment tank 310. Then, the ultrasonic generators 330 are operated to generate ultrasonic waves to perform the precipitation treatment process.

침전 처리가 완료되면, 리프트 구동부(343)가 리프트 샤프트(342)를 상승 구동시켜 웨이퍼들(301)을 약액으로부터 꺼내어 낸다. 아울러, 셔터(351)가 개방되고, 로봇 암(510)이 웨이퍼(301)를 처리조(310)의 외부로 방출시켜 스핀 처리 유닛(400)으로 이송시키게 된다. When the precipitation process is completed, the lift driver 343 drives the lift shaft 342 up to take out the wafers 301 from the chemical liquid. In addition, the shutter 351 is opened, and the robot arm 510 releases the wafer 301 to the outside of the processing tank 310 to transfer it to the spin processing unit 400.

본 발명의 침전 처리 유닛의 구성에 따르면, 침전 처리 위치를 한정하도록 초음파 발생부들(330)을 적절히 배열함으로써, 침전 처리 공정의 균일도와 효율을 극대화시킬 수 있다. 아울러, 팬 유닛(110)의 장착을 통해 침전 처리 중 또는 침전 처리 후 웨이퍼들(301)에 불순물 입자가 달라붙는 것을 방지할 수 있으며, 구동 유닛(340)을 처리조(310)의 사이드에 배치함으로써 처리조(310)와 팬 유닛(110)의 연통 공간을 제공함과 아울러 팬 유닛(110)이 최적의 효과를 발휘할 수 있는 구조적 이점을 제공한다. According to the configuration of the precipitation treatment unit of the present invention, by properly arranging the ultrasonic generators 330 to define the precipitation treatment position, it is possible to maximize the uniformity and efficiency of the precipitation treatment process. In addition, the mounting of the fan unit 110 may prevent the impurity particles from adhering to the wafers 301 during or after the precipitation treatment, and the driving unit 340 may be disposed on the side of the treatment tank 310. By providing a communication space between the treatment tank 310 and the fan unit 110, and also provides a structural advantage that the fan unit 110 can exhibit the optimum effect.

이상에서는 본 발명에 따른 리프트-오프 장치 및 이를 구성하는 침전 처리 유닛을 첨부한 도면들을 참조로 하여 설명하였으나, 본 발명은 본 명세서에 개시된 실시예와 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 당업자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있다.
In the above described with reference to the accompanying drawings, the lift-off device and the sedimentation treatment unit constituting the same according to the present invention, the present invention is not limited by the embodiments and drawings disclosed herein, the description of the present invention Various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the idea.

Claims (11)

프레임;
상기 프레임에 장착되며, 웨이퍼에 형성된 포토레지스트막을 제거하도록 상기 웨이퍼를 약액에 침전 처리시키는 침전 처리 유닛; 및
상기 침전 처리 유닛의 상측에 설치되는 팬 유닛을 포함하고,
상기 침전 처리 유닛은,
상기 침전 처리를 위한 약액을 수용하며, 상기 팬 유닛에서 발생한 기류에 의해 내부 공간에 하강 기류가 형성되는 처리조;
복수의 웨이퍼들이 장착 가능한 카세트를 구비하며, 상기 웨이퍼들의 투입 위치와 침전 처리 위치 사이를 이동 가능하게 구성되는 캐리어; 및
상기 캐리어를 상하 구동시키며, 상기 처리조와 팬 유닛의 연통 공간을 확보하도록 상기 처리조의 사이드에 설치되는 구동 유닛을 포함하며,
상기 구동 유닛은,
상기 처리조의 상하 방향을 길이 방향으로 가지며, 상기 처리조에 상하 이동 가능하게 장착되는 리프트 샤프트;
상기 리프트 샤프트의 상단에서 수평 방향으로 연장되어 상기 캐리어에 연결되는 리프트 암: 및
상기 처리조의 내측벽에 설치되며, 상기 리프트 샤프트를 상하 구동시키는 리프트 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.frame;
A precipitation processing unit mounted to the frame and configured to deposit the wafer on the chemical liquid so as to remove the photoresist film formed on the wafer; And
A fan unit installed above the precipitation treatment unit,
The precipitation treatment unit,
A treatment tank accommodating the chemical liquid for the sedimentation treatment, and a downward airflow is formed in the internal space by the airflow generated in the fan unit;
A carrier having a cassette on which a plurality of wafers can be mounted, the carrier being configured to be movable between an input position and a precipitation treatment position of the wafers; And
A drive unit installed at a side of the treatment tank to vertically drive the carrier and to secure a communication space between the treatment tank and the fan unit,
The drive unit,
A lift shaft having a vertical direction of the processing tank in a longitudinal direction and mounted to the processing tank to be movable up and down;
A lift arm extending in a horizontal direction from the top of the lift shaft to the carrier; and
The lift-off device is installed on the inner wall of the treatment tank, characterized in that it comprises a lift drive for driving the lift shaft up and down. 제1항에 있어서,
상기 침전 처리시 상기 카세트의 외곽을 둘러싸도록 상기 처리조의 내부에 장착되며, 상기 웨이퍼들의 측면을 향해 초음파를 발생시키는 복수의 초음파 발생부들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.The method of claim 1,
And a plurality of ultrasonic generators mounted inside the treatment tank so as to surround the outside of the cassette during the precipitation treatment and generating ultrasonic waves toward side surfaces of the wafers. 제2항에 있어서,
상기 초음파 발생부들은 상기 처리조의 내부 공간에 일정 간격만큼 이격되게 배열되는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.The method of claim 2,
The ultrasonic generators are arranged in the interior space of the treatment tank spaced apart by a predetermined interval, the lift-off device. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 침전 처리 유닛은,
상기 처리조의 측면에 장착되며, 상기 웨이퍼를 투입하기 위한 투입구를 개폐하는 셔터; 및
상기 셔터를 개폐 동작을 구동시키기 위한 셔터 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.The method of claim 1, wherein the precipitation treatment unit,
A shutter mounted to a side surface of the treatment tank and opening and closing an inlet for injecting the wafer; And
And a shutter driver for driving the shutter to open and close. 제1항에 있어서,
상기 프레임에는 수평 방향을 따라 복수의 장착 공간들이 구비되며,
상기 침전 처리 유닛은 상기 장착 공간들 중 어느 하나에 장착되는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.The method of claim 1,
The frame is provided with a plurality of mounting spaces along the horizontal direction,
And said precipitation treatment unit is mounted in any one of said mounting spaces. 제8항에 있어서,
상기 장착 공간들 중 상기 침전 처리 유닛의 일측에 장착되며, 상기 웨이퍼를 로딩 또는 언로딩하기 위한 로딩 유닛; 및
상기 장착 공간들 중 상기 침전 처리 유닛의 타측에 장착되며, 상기 침전 처리 유닛에서 처리된 웨이퍼에 약액을 분사하는 스핀 처리 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.9. The method of claim 8,
A loading unit mounted to one side of the precipitation treatment unit among the mounting spaces, for loading or unloading the wafer; And
And a spin processing unit mounted on the other side of the precipitation processing unit among the mounting spaces and spraying the chemical liquid on the wafer processed by the precipitation processing unit. 제9항에 있어서,
상기 웨이퍼들을 상기 로딩 유닛, 침전 처리 유닛, 및 스핀 처리 유닛 간에 이동시키기 위한 로봇 유닛을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리프트-오프 장치.10. The method of claim 9,
And a robot unit for moving the wafers between the loading unit, the precipitation processing unit, and the spin processing unit. 삭제delete
KR1020100027669A 2010-03-29 2010-03-29 Lift-off device and soaking bath unit thereof KR101180734B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027669A KR101180734B1 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Lift-off device and soaking bath unit thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100027669A KR101180734B1 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Lift-off device and soaking bath unit thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110108464A KR20110108464A (en) 2011-10-06
KR101180734B1 true KR101180734B1 (en) 2012-09-07

Family

ID=45317262

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100027669A KR101180734B1 (en) 2010-03-29 2010-03-29 Lift-off device and soaking bath unit thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101180734B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008251655A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
KR100950929B1 (en) * 2009-08-14 2010-04-01 최철규 Settling bath in lift-off apparatus for manufacturing light emission diode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008251655A (en) * 2007-03-29 2008-10-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment device
KR100950929B1 (en) * 2009-08-14 2010-04-01 최철규 Settling bath in lift-off apparatus for manufacturing light emission diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110108464A (en) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7275553B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JPH1154471A (en) Treatment device and treatment method
JP2010287686A (en) Coating/developing device, and method for cleaning back of substrate
KR101376631B1 (en) Liquid treatment apparatus
KR102354226B1 (en) Substrate processing apparatus, deposit removing method of substrate processing apparatus and recording medium
TWI629741B (en) Substrate liquid processing device
CN110890292B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3777542B2 (en) NOZZLE DEVICE, COATING DEVICE, AND COATING METHOD
CN112997277B (en) Substrate processing apparatus and cleaning method for substrate processing apparatus
CN108292598B (en) Method for cleaning chamber of substrate processing apparatus
KR101747083B1 (en) Auto modified surface inspection system of wafer
KR101180734B1 (en) Lift-off device and soaking bath unit thereof
JP3892687B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6866051B1 (en) Megasonic substrate processing module
TWI543287B (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3667164B2 (en) Processing liquid discharge nozzle, liquid processing apparatus, and liquid processing method
KR101140305B1 (en) Lift-off device and spin unit thereof
CN113874985A (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, program, and computer-readable storage medium
KR101052821B1 (en) Substrate processing apparatus and method
JP2003203893A (en) Substrate-processing device and substrate-processing method
JP6395673B2 (en) Substrate processing equipment
KR102193031B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
JP2019125659A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7124946B2 (en) Liquid processing method
TWI781783B (en) Substrate processing module and apparatus including same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150903

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160902

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170904

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180928

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191002

Year of fee payment: 8