KR101171255B1 - System and Method for Designing Semiconductor Integrated Circuit, Recording Medium Therefor - Google Patents

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Abstract

반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템으로서, 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스 및 칩 데이터베이스를 참조하여, 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 획득하여 상기 칩 데이터베이스를 갱신하는 특성 분석부를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템 및 방법과 이를 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체를 제시한다.A semiconductor integrated circuit design system including a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored, the semiconductor integrated circuit being designed by referring to a chip database and a chip database in which device information of each unit element included in a designed semiconductor integrated circuit is stored. Disclosed are a semiconductor integrated circuit design system and method including a characteristic analyzer configured to update operation of a chip database by acquiring operation information of each unit element included therein, and a computer-readable recording medium therefor.

Description

반도체 집적 회로 설계 시스템 및 방법, 이를 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체{System and Method for Designing Semiconductor Integrated Circuit, Recording Medium Therefor}System and Method for Designing Semiconductor Integrated Circuit, Recording Medium Therefor}

본 발명은 집적 회로 설계 시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 집적 회로 설계 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an integrated circuit design system, and more particularly to a semiconductor integrated circuit design system and method.

반도체 집적 회로를 이용한 반도체 칩은 컴퓨터 설계 툴을 이용하여 설계 과정이 이루어진다. 이러한 반도체 칩 설계 과정은 전자 회로 설계, 검증 및 이를 물리적으로 구현하는 과정을 통해 이루어진다.Semiconductor chips using semiconductor integrated circuits are designed using computer design tools. The semiconductor chip design process is performed through electronic circuit design, verification, and physical implementation thereof.

도 1은 일반적인 반도체 집적 회로 설계 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a general semiconductor integrated circuit design method.

도시한 것과 같이, CAD와 같은 컴퓨터 설계 툴을 이용하여 설계 데이터를 생성한다(S101). 설계된 하드웨어 시스템은 정확하게 동작하는지를 확인하기 위해 시뮬레이터를 이용하여 검증되며(S103), 검증된 설계 데이터를 물리적으로 구현하기 위해, 각 구성 요소를 배치하고 배선한다(S105). 배치 및 배선이 완료되면 실제 칩을 제작하는 공정이 수행된다(S107).As shown in the drawing, design data is generated using a computer design tool such as CAD (S101). The designed hardware system is verified by using a simulator (S103) to check whether it operates correctly, and in order to physically implement the verified design data, each component is disposed and wired (S105). When the arrangement and wiring is completed, the process of manufacturing the actual chip is performed (S107).

이러한 설계 과정을 제공하기 위한 설계 시스템은 셀 라이브러리를 구비하고 있어, 반도체 집적 회로에 사용 가능한 각 소자들의 정보를 설계자에게 제공한다. 따라서, 설계자들은 셀 라이브러리를 참조하여 원하는 반도체 칩을 설계할 수 있다. 아울러, 반도체 칩의 설계가 완료되면, 해당 칩에 포함된 소자들의 정보가 데이터베이스화(칩 데이터베이스)되어 설계 시스템에 저장된다.The design system for providing such a design process includes a cell library, and provides the designer with information on each device available for the semiconductor integrated circuit. Thus, designers can design the desired semiconductor chip with reference to the cell library. In addition, when the design of the semiconductor chip is completed, the information of the elements included in the chip is database (chip database) is stored in the design system.

한편, 설계가 완료된 반도체 칩이 보다 빠르고 안정적인 동작을 수행할 수 있도록 하기 위해서는 설계된 반도체 칩의 각 소자에 대한 지연량, 전류 소모량 등과 같은 특성 정보 즉, 동작 정보를 분석할 필요가 있다. 칩 데이터베이스에 이러한 특성 정보가 저장되어 있다면, 특정 신호가 입력되어 복수의 단위 소자를 거쳐 출력되기까지의 타이밍 마진, 또는 입력 신호의 지연량이 변화되어 출력 신호를 예측할 수 없는 레이싱 현상 등을 용이하게 확인할 수 있어, 설계시의 에러를 방지할 수 있다.On the other hand, in order for the designed semiconductor chip to perform faster and more stable operation, it is necessary to analyze characteristic information, that is, operation information, such as a delay amount and a current consumption amount, for each device of the designed semiconductor chip. If such characteristic information is stored in the chip database, the timing margin until a specific signal is input and output through a plurality of unit elements, or the delay amount of the input signal is changed to easily check a racing phenomenon in which the output signal cannot be predicted. This can prevent errors in design.

이를 위해, 통상의 시뮬레이터, 예를 들어 HSPICE 등을 이용하여 설계된 반도체 집적 회로의 각 노드에 대한 지연값과 전류량을 측정하여 칩 데이터베이스에 반영하는 방법을 고려할 수 있다.To this end, a method of measuring a delay value and a current amount for each node of a semiconductor integrated circuit designed using a conventional simulator, for example, HSPICE, etc., may be considered and reflected in a chip database.

하지만, 하나의 반도체 칩에는 수십만개의 소자가 배치되며, 이러한 반도체 칩의 각 노드마다 지연값이나 전류량을 측정한다면 막대한 시간이 소요될 수 밖에 없다. 또한, 회로 설계시의 PVT 등에 의해 지연값이나 전류량이 바뀔 수 있기 때문에 모든 조건에 따른 지연값이나 전류량을 측정하는 것은 거의 불가능한 작업이다.However, hundreds of thousands of elements are disposed in one semiconductor chip, and if a delay value or an amount of current is measured at each node of the semiconductor chip, a huge amount of time is required. In addition, since the delay value and the current amount can be changed by PVT or the like at the time of circuit design, it is almost impossible to measure the delay value or the current amount according to all conditions.

본 발명은 반도체 칩 내에 포함되는 소자의 동작 정보를 용이하게 파악할 수 있는 반도체 집적 회로 설계 장치 및 방법과, 이를 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체를 제공하는 데 그 기술적 과제가 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a semiconductor integrated circuit design apparatus and method capable of easily grasping operation information of a device included in a semiconductor chip, and a computer readable recording medium therefor.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 시스템은 반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템으로서, 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스; 및 상기 칩 데이터베이스를 참조하여, 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 특성 정보를 획득하여 상기 칩 데이터베이스를 갱신하는 특성 분석부;를 포함한다.The semiconductor integrated circuit design system according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem is a semiconductor integrated circuit design system including a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored, each unit included in the designed semiconductor integrated circuit A chip database that stores device information about devices; And a characteristic analyzer configured to update the chip database by acquiring characteristic information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit by referring to the chip database.

한편, 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 방법은 반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리, 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스 및 특성 분석부를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템에서의 설계 방법으로서, 상기 반도체 집적 회로 설계 툴에 의해 반도체 집적 회로가 설계됨에 따라 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자의 소자정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 과정; 및 상기 특성 분석부가 상기 칩 데이터베이스를 참조하여 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 특성정보를 획득하여 상기 칩 데이터베이스를 갱신하는 과정;을 포함한다.Meanwhile, a semiconductor integrated circuit design method according to an embodiment of the present invention includes a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored, a chip database in which device information of each unit element included in a designed semiconductor integrated circuit is stored, and a characteristic analysis unit. A design method in a semiconductor integrated circuit design system comprising: storing device information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit in the chip database as the semiconductor integrated circuit is designed by the semiconductor integrated circuit design tool; And updating the chip database by acquiring characteristic information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit by referring to the chip database.

아울러, 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계를 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체는 반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리 및 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템을 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로서, 상기 반도체 집적 회로 설계 툴에 의해 반도체 집적 회로가 설계됨에 따라 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자의 소자정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 기능; 및 상기 칩 데이터베이스를 참조하여 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 특성정보를 획득하여 상기 칩 데이터베이스를 갱신하는 기능;을 수행한다.In addition, a computer-readable recording medium for designing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention stores a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored and device information for each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit. A computer-readable recording medium for a semiconductor integrated circuit design system including a chip database, the device of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit as the semiconductor integrated circuit is designed by the semiconductor integrated circuit design tool. Storing information in the chip database; And updating the chip database by acquiring characteristic information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit by referring to the chip database.

본 발명에서는 설계된 반도체 칩에 사용된 단위 소자를 종류 및 사이즈 별로 압축하여 압축된 단위 소자에 대해 지연값, 전류량 등과 같은 특성 정보 즉, 동작 정보를 수집한다. 그리고, 이러한 동작 정보를 칩 데이터베이스에 반영한다.In the present invention, the unit devices used in the designed semiconductor chip are compressed by type and size to collect characteristic information, that is, operation information, such as a delay value and an amount of current, for the compressed unit device. The operation information is then reflected in the chip database.

따라서, 설계된 반도체 칩의 신호 마진, 특정 노드 간의 지연값이나 전류량 등을 확인하고자 할 때 시뮬레이터를 이용하지 않고 칩 데이터베이스만을 참조하여 설계된 반도체 칩의 동작 특성을 간단하게 확인할 수 있다.Therefore, when checking the signal margin of the designed semiconductor chip, the delay value or the current amount between specific nodes, it is possible to simply check the operating characteristics of the designed semiconductor chip by referring only to the chip database without using a simulator.

또한, 이러한 동작 특성을 반영하여 보다 고속으로, 나아가 안정적으로 동작할 수 있는 반도체 칩을 설계할 수 있다.In addition, by reflecting such operating characteristics, it is possible to design a semiconductor chip capable of operating at a higher speed and more stably.

도 1은 일반적인 반도체 집적 회로 설계 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 시스템의 구성도,
도 3은 도 2에 도시한 특성 분석부의 예시도,
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 방법을 설명하기 위한 흐름도,
도 5는 도 4에 도시한 동작 정보 반영 과정을 설명하기 위한 흐름도,
도 6은 본 발명에 적용되는 칩 데이터베이스의 일 예시도,
도 7은 도 6에 도시한 칩 데이터베이스의 갱신 예를 설명하기 위한 도면이다.
1 is a flowchart illustrating a general semiconductor integrated circuit design method;
2 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit design system according to an embodiment of the present invention;
3 is an exemplary view of a characteristic analyzer shown in FIG. 2;
4 is a flowchart illustrating a semiconductor integrated circuit design method according to an embodiment of the present invention;
5 is a flowchart illustrating a process of reflecting operation information shown in FIG. 4;
6 is an exemplary diagram of a chip database applied to the present invention;
FIG. 7 is a diagram for explaining an example of updating the chip database shown in FIG. 6.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 시스템의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit design system according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 반도체 집적 회로 설계 시스템(10)은 전체적인 동작을 제어하는 컨트롤러(110), 설계에 사용 가능한 각 단위 소자의 관련 정보가 저장되는 셀 라이브러리(120), CAD와 같은 컴퓨터 설계 툴이 저장되는 메모리(130), 특성 분석부(140), 시뮬레이터(150), 사용자 인터페이스(UI, 160) 및 칩 데이터베이스(170)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the semiconductor integrated circuit design system 10 may include a controller 110 for controlling overall operation, a cell library 120 storing related information of each unit element available for design, and a computer design tool such as CAD. The memory 130 includes a memory 130, a characteristic analyzer 140, a simulator 150, a user interface (UI) 160, and a chip database 170.

메모리(130)에 저장된 CAD와 같은 컴퓨터 설계 툴은 설계자가 셀 라이브러리(120)를 참조하여 설계 데이터를 생성하도록 한다. 시뮬레이터(150)는 설계된 하드웨어 시스템이 정확하게 동작하는지 검증할 수 있도록 한다. 아울러, 컴퓨터 설계 툴을 통해 집적 회로가 설계되고, 검증 과정을 거쳐 정확히 동작하는 것으로 확인되면, 설계된 회로 내에 사용된 각 단위 소자에 대한 정보가 칩 데이터베이스(170)로 구축된다. 이 때, 칩 데이터베이스(170)에 저장되는 정보는 소자명, 기능, 사이즈, 팬아웃 값, 입출력 단자 정의, 입출력 단자의 위치 등이 포함될 수 있다.Computer design tools such as CAD stored in memory 130 allow designers to refer to cell library 120 to generate design data. The simulator 150 allows to verify that the designed hardware system is operating correctly. In addition, if the integrated circuit is designed through a computer design tool, and verified to operate correctly through the verification process, information about each unit element used in the designed circuit is built into the chip database 170. In this case, the information stored in the chip database 170 may include a device name, a function, a size, a fanout value, an input / output terminal definition, a location of the input / output terminal, and the like.

특성 분석부(140)는 칩 데이터베이스(170)를 참조하여, 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 단위 소자 중 동작 정보 측정 대상이 되는 적어도 하나의 단위 소자를 추출한다. 그리고, 추출된 단위 소자에 대한 동작 정보를 확인한다.The characteristic analyzer 140 extracts at least one unit device, which is an object of measurement of operation information, from among the unit devices used in the designed semiconductor integrated circuit by referring to the chip database 170. Then, the operation information on the extracted unit device is checked.

이를 위해, 특성 분석부(140)는 도 3과 같이 구성할 수 있다.To this end, the characteristic analyzer 140 may be configured as shown in FIG. 3.

도 3은 도 2에 도시한 특성 분석부의 예시도이다.3 is an exemplary view of a characteristic analyzer illustrated in FIG. 2.

도 3을 참조하면, 특성 분석부(140)는 소자정보 리스팅부(141), 표본 추출부(143), 측정부(145), 보정부(147) 및 리스트업부(149)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the characteristic analyzer 140 may include an element information listing unit 141, a sampling unit 143, a measurement unit 145, a correction unit 147, and a list-up unit 149. .

소자정보 리스팅부(141)는 칩 데이터베이스(170)를 참조하여 설계된 반도체 칩에 사용된 각 단위 소자의 정보를 수집한다. 아울러, 소자정보 리스팅부(141)는 수집한 각 단위 소자의 정보를 종류별, 사이즈별로 정렬할 수 있다.The device information listing unit 141 collects information of each unit device used in the semiconductor chip designed by referring to the chip database 170. In addition, the device information listing unit 141 may sort the information of each unit device collected by type and size.

표본 추출부(143)는 소자정보 리스팅부(141)에서 각 단위 소자의 정보가 수집됨에 따라, 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 추출하여 측정 대상으로 결정한다. 즉, 동일한 종류 및 사이즈를 갖는 복수의 단위 소자가 존재하는 경우 이 중 하나만을 동작 정보 분석 대상으로 추출하는 것이다.As the sampling unit 143 collects the information of each unit device in the device information listing unit 141, the sampling unit 143 extracts unit devices having different types and sizes to determine the measurement target. That is, when there are a plurality of unit elements having the same type and size, only one of them is extracted as an operation information analysis target.

설계된 반도체 칩에는 동일 종류 및 동일 사이즈(트랜지스터의 경우 채널 폭/길이 등)의 단위 소자가 복수개 사용될 수 있다. 동일한 종류 및 사이즈의 단위 소자는 지연값, 소모 전류량 등이 동일하므로, 이러한 소자에 대해 지연값이나 소모 전류량 등을 반복적으로 측정하는 것은 소모적인 일이 될 것이다. 따라서, 표본 추출부(143)는 동일한 종류/사이즈를 갖는 복수의 단위 소자가 존재하는 경우 이들 중 하나만을 선택하여 측정 대상 단위 소자의 개수를 감축하는 것이다.A plurality of unit devices of the same type and the same size (channel width / length in the case of transistors) may be used for the designed semiconductor chip. Since the unit elements of the same type and size have the same delay value, the amount of current consumption, and the like, it will be wasteful to repeatedly measure the delay value, the amount of current consumption, and the like for such elements. Accordingly, when there are a plurality of unit elements having the same type / size, the sampling unit 143 selects only one of them and reduces the number of unit elements to be measured.

하나의 반도체 칩에는 수십만 개, 1GByte의 메모리 장치의 경우 17~20만 개의 단위 소자가 사용된다. 하지만, 표본 추출부(143)를 통해 동일 종류 및 사이즈의 단위 소자를 제거하게 되면 측정 대상 단위 소자의 개수는 수천개로 감소된다. 따라서, 트랜지스터 하나의 지연값을 측정하는 데 약 1초가 소요된다고 가정하면, 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 측정하는 데 소요되는 시간은 약 1/20로 감소시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.Hundreds of thousands of devices are used for one semiconductor chip, and 17 to 200,000 unit devices are used for a 1 GByte memory device. However, when the unit device of the same type and size is removed through the sampling unit 143, the number of unit devices to be measured is reduced to thousands. Therefore, assuming that it takes about 1 second to measure the delay value of one transistor, the time required to measure the operation information for each unit element can be reduced to about 1/20.

측정부(145)는 표본 추출부(143)에서 추출한 각 단위 소자에 대하여 라이징 펄스 및 폴링 펄스에 대한 동작 정보를 측정한다. 예를 들어, 라이징 펄스가 인가된 경우의 지연값과 전류 소모량, 폴링 펄스가 인가된 경우의 지연값과 전류 소모량을 측정하는 것이다.The measuring unit 145 measures operation information regarding the rising pulse and the falling pulse with respect to each unit element extracted by the sampling unit 143. For example, the delay value and current consumption when a rising pulse is applied, and the delay value and current consumption when a falling pulse is applied are measured.

이를 위해, 측정부(145)는 표본 추출부(143)에서 추출한 각 단위 소자에 대하여 임의의 라이징(또는 폴링) 펄스 신호를 입력하고 출력 펄스를 측정한다. 그리고, 입력 펄스와 출력 펄스를 비교하여 지연값을 계산한다. 이와 유사한 방법으로, 단위 소자로 임의의 라이징(또는 폴링) 펄스 신호를 입력할 때의 전류량과 펄스 신호가 출력될 때의 전류량 차이를 계산하여 전류 소모량을 측정할 수 있다.To this end, the measuring unit 145 inputs an arbitrary rising (or falling) pulse signal to each unit element extracted by the sampling unit 143 and measures an output pulse. Then, the delay value is calculated by comparing the input pulse with the output pulse. Similarly, the current consumption can be measured by calculating the difference between the amount of current when an arbitrary rising (or falling) pulse signal is input to the unit element and the amount of current when the pulse signal is output.

보정부(147)는 표본 추출부(143)에서 추출된 단위 소자에 대해 팬아웃 값을 고려하여 동작 정보를 보정한다. 즉, 각 단위 소자에 대한 팬아웃 값을 참조하여 지연량 비율, 전류 소모량 비율과 같은 보정값을 산출하고, 이를 측정부(145)에서 측정한 동작 정보에 반영하는 것이다.The correction unit 147 corrects the operation information in consideration of the fanout value for the unit element extracted by the sampling unit 143. That is, a correction value such as a delay amount ratio and a current consumption ratio is calculated by referring to the fanout value for each unit element and reflected in the operation information measured by the measuring unit 145.

예를 들어, 특정 단위 소자에 대해 측정부(145)에서 측정한 지연값이 D이고, 보정부(147)에서 팬아웃 값을 고려한 지연량 비율이 Fa(F는 팬아웃값, a는 양의 정수)라면, 해당 단위 소자의 최종 지연값은 D+Fa로 보정될 수 있다. 전류 소모량 또한 유사하게, 측정부(145)에서 측정한 전류 소모량이 I이고, 보정부(147)에서 보정된 값이 Fb(F는 팬아웃값, b는 양의 정수)라면 최종 전류 소모량은 I+Fb로 보정될 수 있다.For example, the delay value measured by the measurement unit 145 for the specific unit element is D, and the ratio of the delay amount considering the fanout value in the correction unit 147 is Fa (F is a fanout value, and a is a positive value. Integer), the final delay value of the unit device can be corrected to D + Fa. Similarly, if the current consumption measured by the measuring unit 145 is I and the value corrected by the correction unit 147 is Fb (F is a fanout value and b is a positive integer), the final current consumption is I. Can be corrected to + Fb.

리스트업부(149)는 보정부(147)에서 획득한 단위 소자별 동작 정보를 칩 데이터베이스(170)에 반영한다. 칩 데이터베이스(170)에는 설계된 반도체 칩 내에 포함되는 모든 단위 소자에 대한 정보가 포함되어 있다. 아울러, 보정부(147)에서는 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자에 대한 동작 정보가 획득되었다.The list-up unit 149 reflects the operation information for each unit element acquired by the correction unit 147 in the chip database 170. The chip database 170 includes information on all unit devices included in the designed semiconductor chip. In addition, the correction unit 147 obtains operation information about unit elements having different types and sizes.

따라서, 리스트업부(149)는 보정부(147)에서 획득된 각 단위 소자별 동작 정보를 칩 데이터베이스(170)에 저장하며, 이때 표본 추출부(143)에서 선택된 단위 소자와 동일한 종류 및 사이즈의 단위 소자에 대해서도 동일한 동작 정보를 반영시키는 방법으로 칩 데이터베이스(170)를 갱신할 수 있다.Accordingly, the list-up unit 149 stores the operation information for each unit element obtained by the correction unit 147 in the chip database 170, and at this time, the unit of the same type and size as the unit element selected by the sampling unit 143. The chip database 170 may be updated by reflecting the same operation information for the device.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 집적 회로 설계 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.4 is a flowchart illustrating a semiconductor integrated circuit design method according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 반도체 집적 회로 설계 시스템(10)의 메모리(130)에 저장된 CAD와 같은 컴퓨터 설계 툴을 이용하여 설계 데이터를 생성한다(S201). 설계된 하드웨어 시스템은 정확하게 동작하는지를 확인하기 위해 시뮬레이터(150)를 이용하여 검증된다(S203).Referring to FIG. 4, design data is generated using a computer design tool such as CAD stored in the memory 130 of the semiconductor integrated circuit design system 10 (S201). The designed hardware system is verified using the simulator 150 to check whether it is operating correctly (S203).

검증 결과 단계 S201에서 설계된 회로가 정확히 동작하는 것으로 확인되면, 컴퓨터 설계 툴을 이용하여 각 구성 요소를 배치하고 배선하여 검증된 설계 데이터를 물리적으로 구현한다(S205). 아울러, 배치 및 배선이 완료되면 해당 반도체 칩 내에 사용된 각 단위 소자들의 정보가 칩 데이터베이스(170)로 구축될 수 있다.If it is confirmed that the circuit designed in step S201 operates correctly, each component is arranged and wired using a computer design tool to physically implement the verified design data (S205). In addition, when the arrangement and wiring is completed, information of each unit element used in the semiconductor chip may be built into the chip database 170.

이후, 특성 분석부(140)는 칩 데이터베이스(170)를 참조하여 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 각 단위 소자의 동작 정보를 확인하고 칩 데이터베이스(170)에 반영한다(S207). 이 때, 특성 분석부(140)는 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 단위 소자에 대해 소자의 종류 및 사이즈를 고려하여 동작 정보 측정 대상이 되는 적어도 하나의 단위 소자를 추출한다. 그리고, 추출된 단위 소자에 대한 동작 정보를 확인한다.Thereafter, the characteristic analyzer 140 checks the operation information of each unit element used in the semiconductor integrated circuit designed with reference to the chip database 170 and reflects it to the chip database 170 (S207). In this case, the characteristic analyzer 140 extracts at least one unit device, which is an object of measurement of operation information, in consideration of the type and size of the device for the designed unit integrated circuit. Then, the operation information on the extracted unit device is checked.

도 5는 도 4에 도시한 동작 정보 반영 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating a process of reflecting operation information illustrated in FIG. 4.

먼저, 소자정보 리스팅부(141)는 칩 데이터베이스(170)를 참조하여 설계된 반도체 칩에 사용된 각 단위 소자의 정보를 수집한다(S301). 이때, 수집된 소자 정보는 각 단위 소자의 정보를 종류별, 사이즈별로 정렬하는 것이 바람직하다.First, the device information listing unit 141 collects information of each unit device used in the semiconductor chip designed with reference to the chip database 170 (S301). In this case, the collected device information may be arranged to sort information of each unit by type and size.

다음, 단계 S301에서 수집된 단위 소자의 정보를 참조하여 표본 추출부(143)가 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 추출하여 측정 대상으로 결정한다(S303). 즉, 동일한 종류 및 사이즈를 갖는 복수의 단위 소자에 대해 중복 측정이 이루어지지 않도록 하기 위해, 동일한 종류 및 사이즈를 갖는 복수의 단위 소자가 존재하는 경우 이 중 하나만을 분석 대상으로 선택하는 것이다.Next, the sampling unit 143 extracts unit elements having different types and sizes from each other by referring to the information of the unit elements collected in step S301 (S303). That is, in order to prevent duplicate measurement of a plurality of unit elements having the same type and size, when there are a plurality of unit elements having the same type and size, only one of them is selected for analysis.

분석 대상 단위 소자가 선택되면, 측정부(145)는 선택된 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 측정한다(S305). 예를 들어, 라이징 펄스가 인가된 경우의 지연값과 전류 소모량, 폴링 펄스가 인가된 경우의 지연값과 전류 소모량을 측정하는 것이다.When the analysis target unit device is selected, the measurement unit 145 measures operation information on each selected unit device (S305). For example, the delay value and current consumption when a rising pulse is applied, and the delay value and current consumption when a falling pulse is applied are measured.

단계 S305에서 측정한 동작 정보는 단순히 입력 신호(입력 전류량)에 대한 출력 신호(출력 전류량)의 비교치이므로, 각 단위 소자의 보다 정확한 특성을 측정하기 위해 보정이 이루어진다(S307). 보정 과정(S307)은 각 단위 소자의 팬아웃 값을 고려하여 수행될 수 있으며, 따라서, 각 단위 소자에 대해 팬아웃 값이 고려된 동작 정보가 획득된다.Since the operation information measured in step S305 is simply a comparison value of the output signal (output current amount) with respect to the input signal (input current amount), correction is made to measure more accurate characteristics of each unit element (S307). The correction process S307 may be performed in consideration of the fanout value of each unit element, and thus, operation information considering the fanout value is obtained for each unit element.

표본으로 추출된 각 단위 소자에 대한 동작 정보가 획득되면, 리스트업부(149)는 단계 S307에서 획득한 단위 소자별 동작 정보를 칩 데이터베이스(170)에 반영하여 갱신한다(S309). 이때, 단계 S303에서 선택된 단위 소자와 동일한 종류 및 사이즈의 단위 소자에 대해서도 동일한 동작 정보를 반영시킴으로써 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 모든 단위 소자에 대한 동작 정보를 칩 데이터베이스(170)에 구축할 수 있다.When operation information of each unit element extracted as a sample is obtained, the list-up unit 149 updates the operation information for each unit element obtained in operation S307 to the chip database 170 (S309). In this case, the operation information of all the unit elements included in the semiconductor integrated circuit designed by reflecting the same operation information for the unit element of the same type and size as the unit element selected in step S303 may be constructed in the chip database 170.

도 6은 본 발명에 적용되는 칩 데이터베이스의 일 예시도이다.6 is an exemplary diagram of a chip database applied to the present invention.

설계자에 의해 전자 회로가 설계, 검증되고 배치 및 배선이 이루어지면, 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 모든 단위 소자에 대한 정보는 도 6에 도시한 것과 같이 칩 데이터베이스(170)로 구축될 수 있다.When the electronic circuit is designed, verified, arranged, and wired by the designer, information about all the unit devices included in the designed semiconductor integrated circuit may be built into the chip database 170 as illustrated in FIG. 6.

도 6을 참조하면, 배선 및 배치가 완료된 상태의 칩 데이터베이스(170)에는 각 단위 소자의 소자명, 기능, 사이즈, 입출력 단자 정의, 입출력 단자의 위치, 팬아웃 값 등을 포함하는 소자 정보가 저장될 수 있다.Referring to FIG. 6, in the chip database 170 in which wiring and arrangement are completed, device information including a device name, a function, a size, an input / output terminal definition, an input / output terminal position, a fanout value, and the like of each unit element is stored. Can be.

한편, 본 발명에서와 같이, 설계된 반도체 집적 회로로부터 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 선택하고 동작 정보를 획득한 후에는 칩 데이터베이스(170)가 도 7과 같이 변경될 수 있다.Meanwhile, as in the present invention, after selecting unit devices having different types and sizes from the designed semiconductor integrated circuit and obtaining operation information, the chip database 170 may be changed as shown in FIG. 7.

도 7은 도 6에 도시한 칩 데이터베이스의 갱신 예를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 7 is a diagram for explaining an example of updating the chip database shown in FIG. 6.

도 7에서 알 수 있는 바와 같이, 갱신된 칩 데이터베이스(170)에는 최소 배치 및 배선 완료 후 칩 데이터베이스(170)에 저장되어 있던 소자 정보(소자명, 기능, 사이즈, 입출력 단자 정의, 입출력 단자의 위치, 팬아웃 값 등) 외에 지연값, 전류 소모량 등과 같은 동작 정보가 포함된 것을 알 수 있다.As can be seen in FIG. 7, the updated chip database 170 has element information (element name, function, size, input / output terminal definition, input / output terminal position) stored in the chip database 170 after the minimum arrangement and wiring completion. , Fanout value, etc.), as well as operation information such as a delay value and current consumption.

이와 같이, 본 발명에서는 설계된 반도체 집적 회로 내에 포함된 각 단위소자의 지연값, 전류 소모량 등을 데이터베이스화한다. 설계된 반도체 집적 회로에 대하여, 특정 노드에서 단위 소자로 신호를 입력하여 복수의 단위 소자를 통과한 후의 지연시간을 측정할 필요가 있는 경우를 가정한다. 본 발명에서와 같이 동작 정보를 DB화하지 않은 경우에는 시뮬레이터를 이용하여 이를 직접 측정하여야 하며, 이 과정에서 PVT 등에 의한 영향을 배제할 수 없다.As described above, in the present invention, a delay value, a current consumption amount, and the like of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit are databased. For the designed semiconductor integrated circuit, it is assumed that it is necessary to measure a delay time after passing a plurality of unit devices by inputting a signal to a unit device at a specific node. If the operation information is not made into a DB as in the present invention, it should be measured directly by using a simulator, and the influence of PVT cannot be excluded in this process.

하지만, 본 발명에서와 같이 동작 정보가 DB화 되어 있는 경우에는 각 단위 소자들에 대해 기 구축된 지연값을 합산하기만 하면 별도의 시뮬레이션 과정 없이 지연시간을 획득할 수 있다.However, when the operation information is made into a DB as in the present invention, the delay time can be obtained without a separate simulation process simply by summing pre-established delay values for each unit element.

더욱이, 각 단위 소자에 대해 라이징 펄스에 대한 지연값, 폴링 펄스에 대한 지연값을 각각 측정해 두었으므로, 라이징 펄스를 인가하여 복수의 단위 소자를 통과한 후의 지연 시간을 알고자 하는 경우, 홀수단의 단위 소자로부터 측정된 라이징 지연값과 짝수단의 단위 소자로부터 측정된 폴링 지연값을 각각 획득하여 합산할 수 있다.Furthermore, since the delay value for the rising pulse and the delay value for the falling pulse have been measured for each unit element, the delay means after passing the plurality of unit elements by applying the rising pulse is required. The rising delay values measured from the unit devices of and the falling delay values measured from the unit devices of the paired units may be obtained and summed, respectively.

전류 소모량 또한 유사한 방법으로 측정할 수 있음은 물론이다.Current consumption can also be measured in a similar manner.

이와 같이, 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자 중 종류 및 사이즈가 다른 단위 소자를 표본으로 추출하고, 이들에 대한 지연값/전류 소모량 등과 같은 동작 정보를 측정하며, 나아가 팬아웃 값을 고려하여 동작 정보를 정확히 보정하는 과정을 통해 각 단위 소자의 동작 정보를 DB화 할 수 있다.As described above, the unit devices having different types and sizes are sampled among the unit devices included in the semiconductor integrated circuit, the operation information such as the delay value / current consumption is measured, and the operation is performed in consideration of the fanout value. By correcting the information accurately, the operation information of each unit device can be DBized.

그리고, 이러한 DB를 참조하여 설계 상의 오류를 확인할 수 있고, 보다 안정적이면서도 고속의 동작을 위해 회로의 설계를 최적화할 수 있다.In addition, the design error can be identified by referring to the DB, and the circuit design can be optimized for more stable and high speed operation.

이상에서 설명한 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Those skilled in the art to which the present invention described above belongs will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. Therefore, the above-described embodiments are to be understood as illustrative in all respects and not as restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

10 : 반도체 집적 회로 설계 시스템
110 : 제어부
120 : 셀 라이브러리
130 : 메모리
140 : 특성 분석부
150 : 시뮬레이터
160 : 사용자 인터페이스
170 : 칩 데이터베이스
141 : 소자정보 리스팅부
143 : 표본 추출부
145 : 측정부
147 : 보정부
149 : 리스트업부
10: semiconductor integrated circuit design system
110:
120: cell library
130: memory
140: characterization unit
150: simulator
160: user interface
170: chip database
141: device information listing
143: sampling unit
145 measuring unit
147: correction unit
149: List Up

Claims (14)

반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템으로서,
설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스;
상기 칩 데이터베이스를 참조하여 상기 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 각 단위 소자의 상기 소자정보를 수집하는 소자정보 리스팅부;
상기 소자정보 리스팅부에서 수집된 소자정보를 참조하여, 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 추출하는 표본 추출부;
상기 표본 추출부에서 추출한 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 측정하는 측정부;
상기 표본 추출부에서 추출된 각 단위 소자의 팬아웃 값에 기초하여 상기 측정부에서 측정한 동작 정보를 보정하는 보정부; 및
상기 보정부에서 보정된 단위 소자별 동작 정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 리스트업부;
를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템.
A semiconductor integrated circuit design system comprising a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored,
A chip database storing device information on each unit device included in the designed semiconductor integrated circuit;
An element information listing unit for collecting the element information of each unit element used in the designed semiconductor integrated circuit by referring to the chip database;
A sampling unit extracting unit elements having different types and sizes from each other by referring to the device information collected by the device information listing unit;
A measuring unit measuring operation information on each unit element extracted by the sampling unit;
A correction unit correcting the operation information measured by the measurement unit based on a fanout value of each unit element extracted by the sampling unit; And
A list-up unit for storing operation information for each unit element corrected by the correction unit in the chip database;
Semiconductor integrated circuit design system comprising a.
삭제delete 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 3 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 1 항에 있어서,
상기 소자정보는 각 단위 소자의 종류, 사이즈 및 팬아웃값을 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템.
The method of claim 1,
And the device information includes a type, a size, and a fan out value of each unit device.
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 4 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 3 항에 있어서,
상기 동작 정보는 지연값 또는 전류 소모량을 포함하며,
상기 측정부는 상기 표본 추출부에서 추출한 각 단위 소자에 대해 라이징 펄스 및/또는 폴링 펄스에 대한 지연값 또는 전류 소모량을 측정하는 반도체 집적 회로 설계 시스템.
The method of claim 3, wherein
The operation information includes a delay value or a current consumption amount,
And the measuring unit measures a delay value or a current consumption for a rising pulse and / or a falling pulse for each unit element extracted by the sampling unit.
반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리, 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스 및 특성 분석부를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템에서의 설계 방법으로서,
상기 반도체 집적 회로 설계 툴에 의해 반도체 집적 회로가 설계됨에 따라 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자의 소자정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 과정;
상기 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 단위 소자의 종류, 사이즈 및 팬아웃값을 포함하는 상기 소자정보를 수집하는 과정;
상기 수집된 소자정보를 참조하여, 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 추출하는 과정; 및
상기 추출된 단위 소자에 대해 동작 정보를 획득하는 과정;
을 포함하는 반도체 집적 회로 설계 방법.
A design method in a semiconductor integrated circuit design system including a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored, a chip database in which device information of each unit element included in a designed semiconductor integrated circuit is stored, and a characteristic analyzer,
Storing device information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit in the chip database as the semiconductor integrated circuit is designed by the semiconductor integrated circuit design tool;
Collecting the device information including the type, size, and fanout value of a unit device used in the designed semiconductor integrated circuit;
Extracting unit devices having different types and sizes from each other by referring to the collected device information; And
Obtaining operation information on the extracted unit device;
Semiconductor integrated circuit design method comprising a.
삭제delete 삭제delete 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 8 was abandoned when the registration fee was paid. 제 5 항에 있어서,
상기 추출된 단위 소자에 대해 동작 정보를 획득하는 단계는, 상기 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자가 추출됨에 따라, 추출한 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 측정하는 단계;
상기 추출한 각 단위 소자의 팬아웃 값에 기초하여 상기 측정한 동작 정보를 보정하는 단계;
상기 보정한 각 단위 소자별 동작 정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 단계;
를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 방법.
The method of claim 5, wherein
The acquiring of the operation information on the extracted unit device may include: measuring operation information of each extracted unit device as the unit devices having different types and sizes are extracted;
Correcting the measured operation information based on the extracted fan out value of each unit element;
Storing the corrected operation information for each unit element in the chip database;
Semiconductor integrated circuit design method comprising a.
청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 9 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 8 항에 있어서,
상기 동작 정보는 지연값 또는 전류 소모량을 포함하며,
상기 동작 정보를 측정하는 단계는, 상기 추출한 각 단위 소자에 대해 라이징 펄스 및/또는 폴링 펄스에 대한 지연값 또는 전류 소모량을 측정하는 단계인 반도체 집적 회로 설계 방법.
The method of claim 8,
The operation information includes a delay value or a current consumption amount,
The measuring of the operation information may include measuring a delay value or a current consumption of a rising pulse and / or a falling pulse for each extracted unit device.
반도체 집적 회로 설계 툴이 저장되는 메모리 및 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자에 대한 소자정보가 저장되는 칩 데이터베이스를 포함하는 반도체 집적 회로 설계 시스템을 위한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체로서,
상기 반도체 집적 회로 설계 툴에 의해 반도체 집적 회로가 설계됨에 따라 상기 설계된 반도체 집적 회로에 포함된 각 단위 소자의 소자정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 기능;
상기 설계된 반도체 집적 회로에 사용된 단위 소자의 종류, 사이즈 및 팬아웃값을 포함하는 상기 소자정보를 수집하는 기능;
상기 수집된 소자정보를 참조하여, 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자를 추출하는 기능; 및
상기 추출된 단위 소자에 대해 동작 정보를 획득하는 기능;
을 수행하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
A computer-readable recording medium for a semiconductor integrated circuit design system comprising a memory in which a semiconductor integrated circuit design tool is stored and a chip database in which device information for each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit is stored.
Storing device information of each unit element included in the designed semiconductor integrated circuit in the chip database as the semiconductor integrated circuit is designed by the semiconductor integrated circuit design tool;
A function of collecting the device information including the type, size, and fanout value of the unit device used in the designed semiconductor integrated circuit;
A function of extracting unit devices having different types and sizes by referring to the collected device information; And
Obtaining operation information on the extracted unit device;
A computer readable recording medium that carries the data.
삭제delete 삭제delete 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 13 was abandoned upon payment of a registration fee. 제 10 항에 있어서,
상기 추출된 단위 소자에 대해 동작 정보를 획득하는 기능은, 상기 종류 및 사이즈가 각기 다른 단위 소자가 추출됨에 따라, 추출한 각 단위 소자에 대한 동작 정보를 측정하는 기능;
상기 추출한 각 단위 소자의 팬아웃 값에 기초하여 상기 측정한 동작 정보를 보정하는 기능;
상기 보정한 각 단위 소자별 동작 정보를 상기 칩 데이터베이스에 저장하는 기능;
을 포함하는 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
11. The method of claim 10,
The function of acquiring operation information on the extracted unit device may include a function of measuring operation information on each extracted unit device as the unit device having different types and sizes is extracted;
Correcting the measured operation information based on the extracted fan out value of each unit element;
Storing the corrected operation information for each unit element in the chip database;
Computer-readable recording medium comprising a.
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.Claim 14 has been abandoned due to the setting registration fee. 제 13 항에 있어서,
상기 동작 정보는 지연값 또는 전류 소모량을 포함하며,
상기 동작 정보를 측정하는 기능은, 상기 추출한 각 단위 소자에 대해 라이징 펄스 및/또는 폴링 펄스에 대한 지연값 또는 전류 소모량을 측정하는 기능인 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체.
The method of claim 13,
The operation information includes a delay value or a current consumption amount,
And the function of measuring the operation information is a function of measuring a delay value or current consumption for a rising pulse and / or a falling pulse for each of the extracted unit elements.
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