KR101169935B1 - Contact resistance type sensor for measuring intensity of force, contact resistance type sensor for measuring intensity of force and position, and method for manufacturing and using the same - Google Patents

Contact resistance type sensor for measuring intensity of force, contact resistance type sensor for measuring intensity of force and position, and method for manufacturing and using the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 2개의 기판 각각에 신호선 전극을 증착 또는 인쇄하고 적어도 어느 한 기판에 감압형 저항층 또는 위치측정용 저항층을, 그리고 그 위로 스크린 인쇄된 다수의 도트 스페이서를 형성하는 방식으로 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그리고 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서를 이용하는 방법을 제공한다. 이에 의하면, 단일 터치의 터치 입력기기에 적용되도록 선의 갯수를 줄이면서 넓은 면적을 감지할 수 있으며 불투명한 키패드, 터치패드 등에 용이하게 적용될 수 있을 뿐만 아니라 제조 방법이 간단하여 대량생산이 가능하므로 상용화에 적합하다.The present invention measures contact force by depositing or printing signal line electrodes on each of two substrates, forming a pressure-sensitive resistive layer or a resistive resistive layer on at least one substrate, and forming a plurality of dot spacers screen-printed thereon. The present invention provides a contact resistance sensor capable of contact resistance, a contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position, and a manufacturing method of those sensors and a method of using the sensors. According to this, it is possible to detect a large area while reducing the number of lines to be applied to a touch input device of a single touch, can be easily applied to an opaque keypad, a touch pad, etc. As well as a simple manufacturing method, it can be mass-produced. Suitable.

터치 입력기기, 접촉저항형 센서, 힘센서, 감압형 저항, 위치측정용 저항, 온도 보상, 마우스, 터치 패드 Touch input device, contact resistance sensor, force sensor, pressure-sensitive resistance, resistance for position measurement, temperature compensation, mouse, touch pad

Description

접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서의 이용방법{CONTACT RESISTANCE TYPE SENSOR FOR MEASURING INTENSITY OF FORCE, CONTACT RESISTANCE TYPE SENSOR FOR MEASURING INTENSITY OF FORCE AND POSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME}Contact resistance sensors capable of measuring contact force, contact resistance sensors capable of measuring contact force and contact position, methods of manufacturing these sensors, and methods of using these sensors MEASURING INTENSITY OF FORCE AND POSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING AND USING THE SAME}

본 발명은 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서를 이용하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 2개의 기판 각각에 신호선 전극을 증착 또는 인쇄하고 적어도 어느 한 기판에 감압형 저항층 또는 위치측정용 저항층을, 그리고 그 위로 스크린 인쇄된 다수의 도트 스페이서를 형성한 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그리고 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서를 이용하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a contact resistance sensor capable of measuring contact force, a contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position, a manufacturing method of those sensors, and a method of using those sensors. More specifically, contact force measurement is performed by depositing or printing a signal line electrode on each of two substrates, forming a pressure-sensitive resistive layer or a positioning resistance layer on at least one substrate, and forming a plurality of dot spacers screen-printed thereon. The present invention relates to a possible contact resistance sensor, a contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position, and a method of manufacturing the sensor and a method of using the sensor.

기존의 ON/OFF 형태의 위치 측정방식을 갖는 터치 입력기기는 다음과 같은 문제점이 있다. 기존 터치 입력기기 방식을 크게 2 가지로 나누면 저항 방식과 정전용량 방식이 있을 수 있다. 그 중에서도 최근 저항방식의 터치스크린의 경우 힘 을 측정할 수 있으나 선형성 및 반복성이 좋지 않으며, 멀티 터치를 갖는 정전용량형 터치스크린의 경우에도 접촉면적에 따른 힘을 측정할 수 있으나 접촉대상이 딱딱하거나 손이 아닌 것(예: 스타일러스 펜)에는 힘의 세기 데이터가 제대로 나오지 않는 단점이 있다.Conventional touch input devices having ON / OFF position measurement methods have the following problems. Dividing the existing touch input device into two categories may include a resistive method and a capacitive method. Among them, the resistive touch screen can measure the force, but the linearity and repeatability are not good, and the capacitive touch screen with multi touch can measure the force according to the contact area. Non-hands (such as stylus pens) have the disadvantage of not displaying the strength data.

또한, 기존 입력장치의 경우 외부환경에 의한 온도변화를 고려하기 위하여 별도의 온도센서를 부착하고 있어 모듈크기가 커지고 복잡해 지는 경향이 있다. 따라서 센서에 온도센싱 기능이 있는 것이 요구되어 지고 있다.In addition, in case of the existing input device, a separate temperature sensor is attached to consider the temperature change caused by the external environment, and thus the module size tends to be large and complicated. Therefore, it is required for the sensor to have a temperature sensing function.

한편, 여러 개의 힘센서를 활용한 접촉힘 및 접촉위치 측정 방식을 갖는 터치 입력기기의 경우에도 여러 개의 힘센서를 통한 접촉힘 및 접촉위치 측정 방식에 있어서 선의 개수가 많아지는 결과 상용으로 나오는 칩(포트가 적음)에 적합하지 않다. 그리고 마우스, 터치패드는 제작시 힘센서와 기구부의 체결이 절대적으로 필요한데 결합시 편차를 일으켜 대량생산이 어려운 단점이 있다.On the other hand, even in the case of a touch input device having a contact force and a contact position measuring method using a plurality of force sensors, as a result of the increase in the number of lines in the contact force and contact position measuring method using a plurality of force sensors, a chip that is commercially available ( Not enough ports). In addition, a mouse and a touch pad are absolutely required to be fastened with a force sensor and a mechanical part during manufacturing.

따라서 모바일 기기의 경우 일반적으로 그 크기가 소형이기 때문에 멀티 터치보다 단일 터치가 적합한데, 단일 터치의 터치 입력기기에 적용될 수 있고 선의 개수가 적으면서도 접촉힘 및 접촉위치를 동시에 측정할 수 있는 접촉저항형 센서와 이를 제조하는 방법 등의 필요성이 대두된다.Therefore, in the case of a mobile device, since a small size is generally small, a single touch is more suitable than a multi-touch, which can be applied to a touch input device of a single touch. There is a need for a type sensor and a method of manufacturing the same.

본 발명은 상기와 같은 필요에 의하여 안출된 것으로서, 본 발명의 제 1목적은 단일 터치의 터치 입력기기에 적용되도록 배선의 갯수를 줄이면서 넓은 면적을 감지할 수 있는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서의 이용방법을 제공하는 데 있다.The present invention has been made in view of the above needs, the first object of the present invention is a contact resistance type capable of measuring a contact force that can detect a large area while reducing the number of wires to be applied to a touch input device of a single touch The present invention provides a sensor, a contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position, a method of manufacturing the sensor, and a method of using the sensor.

본 발명의 제 2목적은 센서에 손가락 등의 접촉에 따른 연속적인 접촉힘의 세기를 측정할 수 있으며 아울러 접촉위치를 동시에 측정할 수 있는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서의 이용방법을 제공하는 데 있다.The second object of the present invention is to measure the strength of the continuous contact force according to the contact of the finger, such as the contact resistance sensor, contact force and contact position capable of measuring the contact force to measure the contact position at the same time The present invention provides a contact resistance sensor that can measure, a method of manufacturing these sensors, and a method of using these sensors.

본 발명의 제 3목적은 외부환경 온도를 측정하여 온도 변화에 따른 저항 변화를 보상하여 정확한 접촉힘 측정 및 접촉위치 측정이 가능하도록 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서의 이용방법을 제공하는 데 있다.The third object of the present invention is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force to measure the external environment temperature and compensate for the resistance change according to the temperature change so that accurate contact force measurement and contact position measurement, contact force and contact position measurement are possible. The present invention provides a possible contact resistance sensor, a manufacturing method of these sensors, and a method of using these sensors.

상기와 같은 본 발명의 목적은 소정 갭(120)을 유지하면서 서로 평행하게 배열되는 제 1기판(100) 및 제 2기판(110); 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 사이에 배치되며 온도 또는 접촉힘에 따라 저항이 변화되는 감압형 저항층(130); 제 1기판(100)에 형성되고 저항 변화에 기초하여 감압형 저항층에 부가되는 전압신호를 선택적으로 입력받을 수 있는 제 3신호선 전극(160); 제 2기판(110)에 형성되며 감압형 저항층(130)에 개별적으로 연결되어 전압신호를 선택적으로 입력받을 수 있는 제 1신호선 전극(140) 및 제 2신호선 전극(150); 제 1기판(100)으로 접촉힘에 대응한 복원력 전달을 위해 감압형 저항층(130)에 형성된 다수의 도트 스페이서(170); 및 제 1기판(100) 및 제 2기판(110)과의 사이에서 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프로 합착되어 갭을 형성하는 갭 스페이서(175);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서를 제공함으로써 달성될 수 있다.An object of the present invention as described above is a first substrate 100 and a second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap (120); A pressure-sensitive resistance layer 130 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 110 and having a resistance changed according to a temperature or a contact force; A third signal line electrode 160 formed on the first substrate 100 and selectively receiving a voltage signal added to the pressure-sensitive resistance layer based on the resistance change; A first signal line electrode 140 and a second signal line electrode 150 formed on the second substrate 110 and individually connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 to selectively receive a voltage signal; A plurality of dot spacers 170 formed on the pressure-sensitive resistive layer 130 to transmit restoring force corresponding to the contact force to the first substrate 100; And a gap spacer 175 which is bonded to the contact surface between the first substrate 100 and the second substrate 110 with a heat-adhesive tape or a double-sided tape to form a gap. It can be achieved by providing a possible contact resistance sensor.

제 1기판(100) 및 제 2기판(110)은 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름 및 유리 중 어느 하나인 것이 바람직하다.It is preferable that the first substrate 100 and the second substrate 110 are any one of a polyimide film, a polyester film, and glass.

제 1신호선 전극(140), 제 2신호선 전극(150) 및 제 3신호선 전극(160)은 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성하는 것이 바람직하다.The first signal line electrode 140, the second signal line electrode 150, and the third signal line electrode 160 may be formed by metal deposition or silver paste printing.

감압형 저항층(130)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1000 kΩ/sq 인 것이 바람직하다.The pressure-sensitive resistive layer 130 preferably has a sheet resistance in the range of 100 kW / sq to 1000 kK / sq.

감압형 저항층(130)은 갭(120)을 유지하면서 제 1기판(100)에 형성된 제 1감압형 저항층(132)과 제 2기판(110)에 형성된 제 2감압형 저항층(134)으로 구성되며, 도트 스페이서(170)는 제 2감압형 저항층(134)에 형성된 것일 수 있다.The pressure-sensitive resistive layer 130 includes the first pressure-sensitive resistive layer 132 formed on the first substrate 100 and the second pressure-sensitive resistive layer 134 formed on the second substrate 110 while maintaining the gap 120. The dot spacer 170 may be formed in the second pressure-sensitive resistive layer 134.

다수의 도트 스페이서(170)는 스크린 인쇄를 통해 형성하는 것이 바람직하다.The plurality of dot spacers 170 may be formed through screen printing.

다수의 도트 스페이스(170)는 직경이 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이고 높이가 10 ㎛ ~ 50 ㎛ 이며, 인접하는 각 도트 스페이스 사이의 피치거리가 20 ㎛ ~ 2000 ㎛인 것 이 바람직하다.The plurality of dot spaces 170 have a diameter of 10 μm to 100 μm and a height of 10 μm to 50 μm, and a pitch distance between adjacent dot spaces is preferably 20 μm to 2000 μm.

다수의 도트 스페이서(170)의 재질은 폴리우레탄 또는 실리콘 고무인 것이 바람직하다.The material of the plurality of dot spacers 170 is preferably polyurethane or silicone rubber.

또한, 본 발명의 목적은 소정 갭(220)을 유지하면서 서로 평행하게 배열되는 제 1기판(200) 및 제 2기판(210); 제 1기판 및 제 2기판 사이에 배치되며 온도 또는 접촉힘에 따라 제 1저항 변화를 보이는 감압형 저항층(230); 감압형 저항층(230)과 제 2기판(210) 사이에 배치되며 접촉위치에 따라 제 2저항 변화를 보이는 위치측정용 저항층(280); 제 1기판(200)에 형성되고 제 1저항 변화 및 제 2저항 변화에 기초하여 감압형 저항층(230) 및 위치측정용 저항층(280)에 부가되는 전압신호를 선택적으로 입력받는 제 3신호선 전극(260); 제 2기판(210)에 형성되며 위치측정용 저항층(280)에 개별적으로 연결되어 전압신호를 선택적으로 입력받는 제 1신호선 전극(240) 및 제 2신호선 전극(250); 제 1기판(200)으로 복원력을 전달하기 위해 감압형 저항층(230)에 형성된 다수의 도트 스페이서(270); 및 제 1기판(100) 및 제 2기판(110)과의 사이에서 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프로 합착되어 갭을 형성하는 갭 스페이서(275);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서를 제공함으로써 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is to maintain a predetermined gap 220 while the first substrate 200 and the second substrate 210 are arranged in parallel; A pressure-sensitive resistance layer 230 disposed between the first substrate and the second substrate and exhibiting a first resistance change according to temperature or contact force; A resistance measurement layer 280 disposed between the pressure-sensitive resistance layer 230 and the second substrate 210 and exhibiting a second resistance change according to a contact position; A third signal line formed on the first substrate 200 and selectively receiving a voltage signal added to the pressure-sensitive resistance layer 230 and the position measurement resistance layer 280 based on the first resistance change and the second resistance change Electrode 260; A first signal line electrode 240 and a second signal line electrode 250 formed on the second substrate 210 and individually connected to the position measuring resistance layer 280 to selectively receive a voltage signal; A plurality of dot spacers 270 formed on the pressure-sensitive resistance layer 230 to transfer the restoring force to the first substrate 200; And a gap spacer 275 which is bonded to the contact surface with the heat-adhesive tape or double-sided tape between the first substrate 100 and the second substrate 110 to form a gap. It can be achieved by providing a contact resistance sensor capable of position measurement.

여기서, 제 1기판(200) 및 제 2기판(210)은 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름 및 유리 중 어느 하나인 것이 바람직하다.Here, the first substrate 200 and the second substrate 210 is preferably any one of polyimide film, polyester film and glass.

그리고, 제 1신호선 전극(240), 제 2신호선 전극(250) 및 제 3신호선 전극(260)은 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성하는 것이 바람직하다.The first signal line electrode 240, the second signal line electrode 250, and the third signal line electrode 260 may be formed by metal deposition or silver paste printing.

또한, 감압형 저항층(230)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1000 kΩ/sq 인 것이 바람직하다.In addition, the pressure-sensitive resistance layer 230 preferably has a sheet resistance of 100 kW / sq to 1000 kK / sq.

감압형 저항층(230)은 갭(220)을 유지하면서 제 1기판(200)에 형성된 제 1감압형 저항층(232)과 제 2기판(210)에 형성된 제 2감압형 저항층(234)으로 구성되며, 도트 스페이서(270)는 제 2감압형 저항층(234)에 형성된 것일 수 있다.The pressure-sensitive resistive layer 230 includes a first pressure-sensitive resistive layer 232 formed on the first substrate 200 and a second pressure-sensitive resistive layer 234 formed on the second substrate 210 while maintaining the gap 220. The dot spacer 270 may be formed in the second pressure-sensitive resistive layer 234.

위치측정용 저항층(280)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1 kΩ/sq 인 것이 바람직하다. 또한, 다수의 도트 스페이서(270)는 스크린 인쇄를 통해 형성하는 것이 바람직하다.It is preferable that the position resistance layer 280 has a sheet resistance of 100 kW / sq to 1 kK / sq. In addition, the plurality of dot spacers 270 may be formed through screen printing.

다수의 도트 스페이스(270)는 직경이 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이고 높이가 10 ㎛ ~ 50 ㎛ 이며, 인접하는 각 도트 스페이스 사이의 피치거리가 20 ㎛ ~ 2000 ㎛인 것이 바람직하다.The plurality of dot spaces 270 have a diameter of 10 μm to 100 μm, a height of 10 μm to 50 μm, and a pitch distance between adjacent dot spaces is preferably 20 μm to 2000 μm.

다수의 도트 스페이서(270)의 재질은 폴리우레탄 또는 실리콘 고무인 것이 바람직하다.The material of the plurality of dot spacers 270 is preferably polyurethane or silicone rubber.

한편 본 발명의 목적은 다른 카테고리로서, 제 1기판(300)에 제 3신호선 전극(360)이 형성된 제 1가공 기판(305)과 제 2기판(310)에 제 1신호선 전극(340), 제 2신호선 전극(350), 적어도 하나의 저항층 및 다수의 도트 스페이서(370)가 형성된 제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10); 및 제조된 제 1가공 기판(305) 및 제 2가공 기판(315)을 서로 평행하게 나열하되 소정 갭(320)을 갖도록 갭 스페이서(375)를 제 1가공 기판(305) 및 제 2가공 기판(315) 사이에 위치시키고, 갭 스페이서(375)와의 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면테이프를 이용하여 상호 합착하는 단계(S20);를 포함하고, 제 1가공 기판(305)의 제조단계(S10)는, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 1기판에 금속 또는 실버페이스트로 제 3신호선 전극을 형성하는 단계(S110);이며, 제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10)는, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(310)에 금속의 증착 또는 실버페이스트의 인쇄로 제 1신호선 전극(340) 및 제 2신호선 전극(350)을 형성하는 단계(S210); 제 2기판(310) 상부에, 그리고 제 1신호선 전극(340) 및 제 2신호선 전극(350) 사이에 감압형 저항층(330)을 형성하는 단계(S220); 및 감압형 저항층(330) 상부에 스크린 인쇄를 통해 다수의 도트 스페이서(370)를 형성하는 단계(S230);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법에 의해서도 달성될 수 있다.Meanwhile, an object of the present invention is another category, wherein the first signal line electrode 340 and the first signal line electrode 340 and the first signal substrate 305 and the second substrate 310 having the third signal line electrode 360 formed on the first substrate 300. A manufacturing step (S10) of a second processing substrate 315 on which two signal line electrodes 350, at least one resistive layer and a plurality of dot spacers 370 are formed; The first and second processing substrates 305 and 315 may be arranged in parallel with each other, and the gap spacer 375 may be arranged to have a predetermined gap 320. Located between the 315, and bonding to each other using a heat-adhesive tape or double-sided tape to the contact surface with the gap spacer 375 (S20), and the manufacturing step (S10) of the first processing substrate 305 Forming a third signal line electrode on a first substrate made of a polymer film or a glass material with a metal or silver paste (S110); and the manufacturing step (S10) of the second processed substrate 315 may include a polymer film or a glass material. Forming a first signal line electrode 340 and a second signal line electrode 350 by depositing metal or printing silver paste on the second substrate 310 of the second substrate 310 (S210); Forming a pressure-sensitive resistance layer 330 on the second substrate 310 and between the first signal line electrode 340 and the second signal line electrode 350 (S220); And forming a plurality of dot spacers 370 through screen printing on the pressure-sensitive resistive layer 330 (S230). The method may also include a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring a contact force. Can be achieved.

제 1가공 기판(305)의 제조단계(S10)는 제 3신호선 전극(360) 형성단계(S110) 이후에, 제 3신호선 전극(360) 상에 제 1감압형 저항층(132)을 형성하는 단계(S120);를 더 포함하고, 감압형 저항층(330)은 제 2감압형 저항층(134)인 것일 수 있다.In the manufacturing step S10 of the first processing substrate 305, after forming the third signal line electrode 360, the first pressure-sensitive resistance layer 132 is formed on the third signal line electrode 360. Step (S120); further, the pressure-sensitive resistive layer 330 may be a second pressure-sensitive resistive layer 134.

그리고, 본 발명의 목적은 제 2가공 기판(415)의 제조단계(S10)가, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(410)에 금속 또는 실버페이스트로 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450)을 형성하는 단계(S310); 제 2기판(410) 상부에, 그리고 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450) 사이에 위치측정용 저항층(480)을 형성하는 단계(S320); 위치측정용 저항층(480) 상부에 감압형 저항층(430)을 형성하는 단계(S330); 및 감압형 저항층(430) 상부에 스크린 인쇄를 통해 다수의 도트 스페이서(470)를 형성하는 단계(S340);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is that the manufacturing step (S10) of the second processing substrate 415, the first signal line electrode 440 and the second as a metal or silver paste on the second substrate 410 of a polymer film or glass material Forming a signal line electrode 450 (S310); Forming a resistance measurement layer 480 on the second substrate 410 and between the first signal line electrode 440 and the second signal line electrode 450 (S320); Forming a pressure-sensitive resistance layer 430 on the position measuring resistance layer 480 (S330); And forming a plurality of dot spacers 470 through screen printing on the pressure-sensitive resistive layer 430 (S340). By providing a method.

그리고 본 발명의 목적은, 소정 갭(120)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형되는 제 1변형단계(S510); 변형된 제 1기판(100)으로부터 열 또는 접촉힘을 전달받아 제 1기판(100)과 제 2기판(110) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(130)이 변형되는 제 2변형단계(S520); 제 1기판(100)에 형성된 제 3신호선 전극(160), 제 2기판(110)에 형성되어 감압형 저항층(130)에 연결된 제 1신호선 전극(140) 및 제 2기판(110)에 형성되어 감압형 저항층(130)에 연결된 제 2신호선 전극(150) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단이 감압형 저항층(130)의 변형에 따른 감압형 저항층(130)에 걸리는 전압을 측정하는 단계(S530); 및 제어수단이 측정된 전압에 기초하여 감압형 저항층(130)의 물리량으로서, 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 접촉힘 중 어느 하나를 도출하는 단계(S540);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.In addition, an object of the present invention is that any one of the first substrate 100 and the second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining the predetermined gap 120 is caused by the temperature change or the contact force of the predetermined pointing object. A first deformation step S510 to be deformed; The second deformation step (S520) in which the pressure-sensitive resistance layer 130 formed between the first substrate 100 and the second substrate 110 is deformed by receiving heat or contact force from the deformed first substrate 100. ); The third signal line electrode 160 formed on the first substrate 100 and the second substrate 110 are formed on the first signal line electrode 140 and the second substrate 110 connected to the pressure-sensitive resistance layer 130. One of the second signal line electrodes 150 connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 in an open state, and a voltage measuring means between the two pressure-sensitive resistance layers 130 according to the deformation of the pressure-sensitive resistance layer 130 ( Measuring the voltage across the circuit 130 (S530); And deriving, by the control means, any one of a temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and a contact force corresponding to the contact of the pointing object as the physical quantity of the pressure-sensitive resistance layer 130 based on the measured voltage (S540). It can be achieved by providing a method of using a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that it comprises a.

개방 상태인 것은 제 3신호선 전극(160)이고, 측정되는 전압은 제 1신호선 전극(140)과 제 2신호선 전극(150) 사이의 전압이며, 도출되는 물리량은 온도 보상값인 것이 바람직하다.It is preferable that the open state is the third signal line electrode 160, and the measured voltage is a voltage between the first signal line electrode 140 and the second signal line electrode 150, and the derived physical quantity is a temperature compensation value.

개방 상태인 것은 제 1신호선 전극(140)이고, 측정되는 전압은 제 3신호선 전극(160)과 제 2신호선 전극(170) 사이의 전압이며, 도출되는 물리량은 접촉힘인 것이 바람직하다.It is preferable that the first signal line electrode 140 is in an open state, and the measured voltage is a voltage between the third signal line electrode 160 and the second signal line electrode 170, and the derived physical quantity is a contact force.

한편 본 발명의 목적은, 소정 갭(220)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(200) 및 제 2기판(210) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형되는 제 3변형단계(S610); 변형된 제 1기판(200)으로부터 열 또는 접촉힘을 전달받아 제 1기판(200)과 제 2기판(210) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(230) 및 위치측정용 저항층(280)이 변형되는 제 4변형단계(S620); 제 1기판(200)에 형성된 제 3신호선 전극(260), 제 2기판(210)에 형성되어 위치측정용 저항층(280)에 연결된 제 1신호선 전극(240) 및 제 2기판(210)에 형성되어 위치측정용 저항층(280)에 연결된 제 2신호선 전극(250) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단이 감압형 저항층(230) 및 위치측정용 저항층(280)에 걸리는 전압을 측정하는 단계(S630); 및 제어수단이 측정된 전압에 기초하여 감압형 저항층(230)의 물리량으로서 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 접촉힘 중 어느 하나를 도출하고, 그리고 위치측정용 저항층(280)의 물리량으로서 포인팅 오브젝트의 접촉위치를 도출하는 단계(S640);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.On the other hand, an object of the present invention, any one of the first substrate 200 and the second substrate 210 arranged in parallel with the predetermined gap 220 is maintained by the temperature change or the contact force of the predetermined pointing object. A third deformation step S610 of being deformed; The pressure-sensitive resistance layer 230 and the position measurement resistance layer 280 formed between the first substrate 200 and the second substrate 210 by receiving heat or contact force from the deformed first substrate 200. The fourth modified step (S620) is deformed; On the first signal line electrode 240 and the second substrate 210 formed on the third signal line electrode 260 and the second substrate 210 formed on the first substrate 200 and connected to the resistance layer 280 for position measurement. The second signal line electrode 250 is formed to be connected to the position measuring resistance layer 280 in an open state, and the voltage measuring means includes a pressure-sensitive resistance layer 230 and a position measuring resistance layer between the two. Measuring the voltage applied to the step 280 (S630); And the control means derives any one of the temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and the contact force corresponding to the contact of the pointing object as the physical quantity of the pressure-sensitive resistive layer 230 based on the measured voltage, and the position measurement. Deriving the contact position of the pointing object as a physical quantity of the resistance layer 280 (S640); can be achieved by providing a method of using a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that it comprises a. have.

상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따르면 단일 터치의 터치 입력기기에 적용되도록 배선의 갯수를 줄이면서 넓은 면적을 감지할 수 있는 효과가 있다. 따라 서 본 발명의 센서는 불투명한 키패드, 터치패드에 용이하게 적용될 수 있고 제조 방법이 간단하여 대량생산이 가능므로 상용화에 적합하다.According to the exemplary embodiment of the present invention as described above, a large area can be detected while reducing the number of wires to be applied to a touch input device having a single touch. Therefore, the sensor of the present invention can be easily applied to the opaque keypad, touch pad, and the manufacturing method is simple, so that mass production is possible, so it is suitable for commercialization.

또한, 센서에 손가락 등의 접촉에 따른 연속적인 접촉힘의 세기를 측정할 수 있으며 접촉힘 및 접촉위치를 동시에 측정할 수 있는 효과가 있다.In addition, it is possible to measure the intensity of the continuous contact force according to the contact of the finger and the like, there is an effect that can simultaneously measure the contact force and the contact position.

또한, 신호선 전극과 같은 포트의 적절한 제어를 통해 접촉힘을 측정할 수 있을 뿐만 아니라 온도에 따라 변하는 저항을 보상하여 정확한 측정을 보장한다.In addition, contact force can be measured by appropriate control of ports such as signal line electrodes, as well as compensation for resistance that varies with temperature to ensure accurate measurements.

아래에서는 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 따른 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서, 그들 센서의 제조방법 및 그들 센서의 이용방법의 바람직한 실시예에 관하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, a contact resistance sensor capable of measuring the contact force according to the present invention, a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, a manufacturing method of those sensors and a preferred method of using the sensor It will be described in detail with respect to.

<< 접촉힘Contact 측정이 가능한Measurable 접촉저항형 센서의  Of contact resistance sensor 실시예Example >>

도 1a는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 일실시예는 상하로 평행하게 나열된 제 1기판(100) 및 제 2기판(110), 그리고 그 각각의 기판에 형성된 제 1신호선 전극(140), 제 2신호선 전극(150), 제 3신호선 전극(160), 그리고 제 1기판(100)과 제 2기판(110) 사이에 형성된 감압형 저항층(130), 그리고 감압형 저항층(130) 상부로 스크린 인쇄된 다수의 도트 스페이서(170), 그리고 제 1기판(100)과 제 2기판(110) 사이에 소정의 갭(120)을 만드는 갭 스페이서(175)를 주요 구성으로 한다. Figure 1a is a cross-sectional view showing a contact resistance sensor capable of measuring the contact force in one embodiment according to the present invention. As shown in FIG. 1A, one embodiment of a contact resistance sensor capable of measuring contact force includes a first substrate 100 and a second substrate 110 arranged in parallel up and down, and a first formed on each substrate thereof. The signal line electrode 140, the second signal line electrode 150, the third signal line electrode 160, and the pressure-sensitive resistance layer 130 formed between the first substrate 100 and the second substrate 110, and the pressure-sensitive type The main components include a plurality of dot spacers 170 screen-printed on the resistive layer 130 and a gap spacer 175 for forming a predetermined gap 120 between the first substrate 100 and the second substrate 110. It is done.

이들 구성은 외부에서 열 또는 접촉힘이 주어질 때, 감압형 저항층(130)의 변형에 따라 저항의 변화가 생기면, 각 전극 사이에서의 전압 변화를 유도하여 이에 기초한 접촉힘을 측정하기 위한 것이며, 동시에 소정의 갭(120)을 유지하도록 하는 도트 스페이서(170), 갭 스페이서(175)를 통해 반복되는 접촉힘 측정을 가능케 하기 위한 것이다.These configurations are intended to measure the contact force based on the induced voltage change between each electrode when a change in resistance occurs due to deformation of the pressure-sensitive resistive layer 130 when heat or contact force is applied from the outside. At the same time, it is to enable repeated contact force measurement through the dot spacer 170 and the gap spacer 175 to maintain the predetermined gap 120.

제 1기판(100) 및 제 2기판(110)은 소정 갭(120)을 유지하면서 서로 평행하게 배열되는데 기본적으로 내부 구성을 보호하는 역할을 하고, 소정 갭(120)을 유지케하여 외부 접촉힘에 대응한 복원력을 갖도록 하기 위함이다. 그리고 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 각각은 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름과 같은 고분자 필름을 사용할 수도 있으며 유리를 사용할 수도 있다.The first substrate 100 and the second substrate 110 are arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap 120. The first substrate 100 and the second substrate 110 basically serve to protect the internal configuration, and maintain the predetermined gap 120 to provide external contact force. This is to have a restoring force corresponding to. Each of the first substrate 100 and the second substrate 110 may use a polymer film such as a polyimide film or a polyester film, or may use glass.

감압형 저항층(130)은 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 사이에 배치되어 적층 가능하며 외부에서 전달되는 열 또는 접촉힘에 의해 저항이 변화된다. 기본적으로 제 1신호선 전극(140) 및 제 2신호선 전극(150)과 연결되어 형성되며, 접촉힘이 가해질 때는 상부의 제 3신호선 전극(160)과도 맞닿게 되어 전압의 변화를 유도하게 된다. 본 발명에 따른 적절한 면저항의 범위는 100 Ω/sq ~ 1000 kΩ/sq 인 것이 바람직하다. 이를 이용하여 측정힘을 측정하는 방법에 대해서는 후술한다.The pressure-sensitive resistive layer 130 is disposed between the first substrate 100 and the second substrate 110 to be stacked, and the resistance is changed by heat or contact force transmitted from the outside. Basically, the first signal line electrode 140 and the second signal line electrode 150 are connected to each other, and when a contact force is applied, the third signal line electrode 160 is also in contact with the upper to induce a change in voltage. The range of suitable sheet resistance according to the present invention is preferably 100 kPa / sq to 1000 kPa / sq. The method of measuring the measurement force using this will be described later.

제 1신호선 전극(140) 및 제 2신호선 전극(150)은 제 2기판(110)에 형성되며 감압형 저항층(130)에 개별적으로 연결되어 전압신호를 선택적으로 입력받기 위한 구성이다. 여기서 각각의 전극은 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성할 수 있다.The first signal line electrode 140 and the second signal line electrode 150 are formed on the second substrate 110 and individually connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 to selectively receive a voltage signal. Here, each electrode may be formed by metal deposition or silver paste printing.

제 3신호선 전극(160)은 제 1기판(100)에 형성되고 감압형 저항층(130)의 저항 변화에 기초하여 감압형 저항층(130)에 부가되는 전압신호를 선택적으로 입력받기 위한 구성이다. 그리고 제 1신호선 전극(140) 및 제 2신호선 전극(150)과 마찬가지로 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성할 수 있으며 본 실시예에서는 감압형 저항층(130)과 대향하는 제 1기판 부위에 직사각형 띠모양(또는 원형)의 전면 전극으로 형성하였다.The third signal line electrode 160 is configured to selectively receive a voltage signal formed on the first substrate 100 and added to the pressure-sensitive resistance layer 130 based on the resistance change of the pressure-sensitive resistance layer 130. . Similarly to the first signal line electrode 140 and the second signal line electrode 150, metal deposition or silver paste printing may be performed. In this embodiment, a rectangular band is formed on a portion of the first substrate facing the pressure-sensitive resistive layer 130. It was formed as a front electrode of a shape (or circle).

다수의 도트 스페이서(170)는 제 1기판(100)으로 접촉힘에 대응한 복원력 전달을 위해 감압형 저항층(130) 상에 형성된다. 스크린 인쇄를 통해 형성되며, 다수의 도트 스페이스(170)는 직경이 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이고 높이가 10 ㎛ ~ 50 ㎛ 이며, 인접하는 각 도트 스페이스(170) 사이의 피치거리가 20 ㎛ ~ 2000 ㎛인 것이 바람직하다. 그리고 다수의 도트 스페이서(170)의 재질은 폴리우레탄 또는 실리콘 고무를 사용한다.A plurality of dot spacers 170 are formed on the pressure-sensitive resistive layer 130 to transfer the restoring force corresponding to the contact force to the first substrate 100. It is formed through screen printing, the plurality of dot spaces 170 has a diameter of 10 ㎛ ~ 100 ㎛ and a height of 10 ㎛ ~ 50 ㎛, the pitch distance between each adjacent dot space 170 is 20 ㎛ ~ 2000 ㎛ Is preferably. The material of the plurality of dot spacers 170 uses polyurethane or silicone rubber.

갭 스페이서(175)는 제 1기판(100) 및 제 2기판(110)과의 사이에서 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프로 합착되어 갭(120)을 형성하기 위한 구성이다. 그리고 이러한 갭 스페이서(175)는 고분자 필름으로 형성한다.The gap spacer 175 is a component for bonding the first substrate 100 and the second substrate 110 to a contact surface with a heat adhesive tape or a double-sided tape to form a gap 120. The gap spacer 175 is formed of a polymer film.

<< 접촉힘Contact 측정이 가능한Measurable 접촉저항형 센서의  Of contact resistance sensor 변형예Variant >>

도 1b는 본 발명에 따른 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 1b에 도시된 바와 같이, 도 1a의 실시예 구성과 비교하면 제 1기판(100)에 제 1감압형 저항층(132)이 추가적으로 형성되어 있다. 따라서, 전체적으로 각각의 기판(100, 110)에 제 1감압형 저항층(132) 및 제 2감압형 저항층(134)이 형성된 것을 제외하고는 도 1a에 도시된 실시예의 구성과 동일하다.1B is a cross-sectional view showing a modified example of a contact resistance sensor capable of measuring contact force according to the present invention. As shown in FIG. 1B, a first pressure-sensitive resistive layer 132 is additionally formed on the first substrate 100 as compared with the embodiment of FIG. 1A. Therefore, the first and second resistive resistive layers 132 and 134 are formed on the substrates 100 and 110 as a whole, and are the same as those of the embodiment of FIG. 1A.

<< 접촉힘Contact 및 접촉위치 측정이 And contact position measurement 가능한 possible 접촉저항형 센서의  Of contact resistance sensor 실시예Example >>

도 2a는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 일실시예는 위치측정용 저항층을 제외하고는 도 1a에 도시된 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서와 동일하다.Figure 2a is a cross-sectional view showing a cross-sectional view of a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring the contact force and contact position as an embodiment according to the present invention. As shown in FIG. 2A, one embodiment of the contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position is the same as the contact resistance sensor capable of measuring contact force shown in FIG. 1A except for the resistance measurement layer. Do.

즉, 상하로 평행하게 나열된 제 1기판(200) 및 제 2기판(210), 그리고 그 각각의 기판에 형성된 제 1신호선 전극(240), 제 2신호선 전극(250), 제 3신호선 전극(260), 그리고 제 1기판(200)과 제 2기판(210) 사이에 형성된 감압형 저항층(230), 그리고 감압형 저항층(230) 상부로 스크린 인쇄된 다수의 도트 스페이서(270), 그리고 제 1기판(200)과 제 2기판(210) 사이에 소정의 갭(220)을 만드는 갭 스페이서(275)는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 구성과 동일하다.That is, the first signal line electrode 240, the second signal line electrode 250, and the third signal line electrode 260 formed on the first and second substrates 200 and 210, and their respective substrates arranged in parallel with each other. And a pressure sensitive resistive layer 230 formed between the first substrate 200 and the second substrate 210, and a plurality of dot spacers 270 screen printed on the pressure sensitive resistive layer 230. The gap spacer 275 forming a predetermined gap 220 between the first substrate 200 and the second substrate 210 is the same as the configuration of the contact resistance sensor capable of measuring the contact force.

다만, 위치측정용 저항층(280)이 감압형 저항층(230)과 제 2기판 사이에 형성되어 있으며, 따라서 감압형 저항층(230)에 의한 접촉힘 도출뿐만 아니라 위치측정용 저항층에 의해 포인팅 오브젝트(예: 손가락 등)의 접촉위치도 도출할 수 있게 된다. 위치측정용 저항층(280)의 면저항 범위는 100 Ω/sq ~ 1 kΩ/sq 인 것이 바람직하다. 위치측정용 저항층(280)을 이용한 포인팅 오브젝트의 접촉위치 도출 방법은 후술한다.However, the position measurement resistance layer 280 is formed between the pressure-sensitive resistance layer 230 and the second substrate, and thus not only the contact force derived by the pressure-sensitive resistance layer 230 but also the position measurement resistance layer. It is also possible to derive the contact position of the pointing object (eg finger). It is preferable that the sheet resistance range of the resistance layer 280 for position measurement is 100 kW / sq-1 kKw / sq. A method of deriving a contact position of the pointing object using the position measuring resistance layer 280 will be described later.

<< 접촉힘Contact 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서의  And contact resistance type sensor 변형예Variant >>

도 2b는 본 발명에 따른 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예의 단면을 나타낸 단면도이다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 도 2a의 실시예 구성과 비교하면 제 1기판(200)에 제 1감압형 저항층(232)이 추가적으로 형성되어 있다. 따라서, 전체적으로 제 2기판(210)의 위치측정용 저항층(280)에 제 2감압형 저항층(234)이 형성되어 있고 제 1기판(200)에 제 2감압형 저항층(134)이 형성된 것을 제외하고는 도 2a에 도시된 실시예의 구성과 동일하다.2B is a cross-sectional view showing a modified example of a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position according to the present invention. As shown in FIG. 2B, a first pressure-sensitive resistive layer 232 is additionally formed on the first substrate 200 as compared with the embodiment of FIG. 2A. Accordingly, the second pressure-sensitive resistive layer 234 is formed on the resistance measuring layer 280 of the second substrate 210, and the second pressure-sensitive resistive layer 134 is formed on the first substrate 200. Except that the configuration is the same as the embodiment shown in Figure 2a.

<< 접촉힘Contact 측정이 가능한Measurable 접촉저항형 센서의 제조방법> Manufacturing Method of Contact Resistance Sensor>

도 3a는 본 발명에 따른 일실시예로서 도 1a에 도시된 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 나타낸 순서도이다. 도 3a를 참조하면, 우선 제 1기판(300)에 제 3신호선 전극(360)이 형성된 제 1가공 기판(305)과 제 2기판(310)에 제 1신호선 전극(340), 제 2신호선 전극(350), 적어도 하나의 저항층 및 다수의 도트 스페이서(370)가 형성된 제 2가공 기판(315)을 제조한다(S10).Figure 3a is a flow chart showing a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring the contact force shown in Figure 1a as an embodiment according to the present invention. Referring to FIG. 3A, first, a first signal line electrode 340 and a second signal line electrode are formed on a first processed substrate 305 and a second substrate 310 having a third signal line electrode 360 formed on a first substrate 300. A second processing substrate 315 on which 350, at least one resistive layer and a plurality of dot spacers 370 are formed is manufactured (S10).

다음, 제조된 제 1가공 기판(305) 및 제 2가공 기판(315)을 서로 평행하게 나열하되 소정 갭(320)을 갖도록 갭 스페이서(375)를 제 1가공 기판(305) 및 제 2가공 기판(315) 사이에 위치시키되, 갭 스페이서(375)와의 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면테이프를 이용하여 상호 합착한다(S20).Next, the manufactured first and second processing substrates 305 and 315 may be arranged in parallel with each other, and the gap spacer 375 may be arranged to have a predetermined gap 320. While positioned between the 315, the contact surface with the gap spacer 375 is bonded to each other using a heat-adhesive tape or double-sided tape (S20).

특히, 여기서 제 1가공 기판(305) 제조단계(S10) 및 제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10)는 다음과 같다.In particular, the manufacturing process (S10) of the first processing substrate 305 and the second processing substrate 315 are as follows.

제 1가공 기판(305)의 제조단계(S10)의 경우, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 1기판(300)에 금속의 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 제 3신호선 전극(360)을 형성할 수 있으며(S110), 이로써 제 1가공 기판(305)이 완성될 수 있다.In the manufacturing step (S10) of the first processing substrate 305, the third signal line electrode 360 may be formed on the first substrate 300 made of a polymer film or glass by metal deposition or silver paste printing ( S110, thereby completing the first processing substrate 305.

한편, 상술한 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예(도 1b)를 제조하는 경우에는 제 3신호선 전극(360) 형성단계(S110) 이후에 제 1감압형 저항층(132)을 형성하는 단계(S120)를 추가할 수 있다.On the other hand, in the case of manufacturing a modified example (Fig. 1b) of the contact resistance sensor capable of measuring the contact force described above, the first pressure-sensitive resistive layer 132 is formed after the third signal line electrode 360 forming step (S110). Step S120 may be added.

제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10)의 경우, 도 3b를 참조하여 설명한다.In the case of manufacturing the second processing substrate 315 (S10), it will be described with reference to Figure 3b.

도 3b는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법 중 제 2가공 기판(315) 제조단계를 나타낸 순서도이다. 도 3b에 도시된 바와 같이, 우선 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(310)에 금속의 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 제 1신호선 전극(340) 및 제 2신호선 전극(350)을 형성한다(S210).Figure 3b is a flow chart showing the manufacturing process of the second processing substrate 315 of the method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring the contact force in one embodiment according to the present invention. As shown in FIG. 3B, first, the first signal line electrode 340 and the second signal line electrode 350 are formed on the second substrate 310 made of a polymer film or glass by metal deposition or silver paste printing (S210). ).

다음, 제 2기판(310) 상부에, 그리고 제 1신호선 전극(340) 및 제 2신호선 전극(350) 사이에 감압형 저항층(330)을 형성한다(S220).Next, a pressure-sensitive resistance layer 330 is formed on the second substrate 310 and between the first signal line electrode 340 and the second signal line electrode 350 (S220).

다음, 감압형 저항층(330) 상부에 스크린 인쇄를 통해 다수의 도트 스페이서(370)를 형성한다(S340).Next, a plurality of dot spacers 370 are formed through screen printing on the pressure-sensitive resistive layer 330 (S340).

이로써 제 2가공 기판(315)이 완성된다. 이하 공정단면도를 통해 부연 설명한다.This completes the second processing substrate 315. Hereinafter, the process cross section will be described in detail.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 일실시예로서 도 1a에 도시된 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 제 1가공 기판(305)은 제 1기판(300)에 제 3신호선 전극(360)을 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄하여 제조될 수 있다. 다만, 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예(도 1b)를 제조할 경우에는 제 3신호선 전 극(360) 형성 이후에 제 3신호선 전극(360) 상에 제 1감압형 저항층(132)을 형성하는 공정(미도시)이 추가될 수 있다.4A to 4E are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring contact force as shown in FIG. 1A according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4A, the first processing substrate 305 may be manufactured by metal deposition or silver paste printing of the third signal line electrode 360 on the first substrate 300. However, when manufacturing a modified example of the contact resistance sensor capable of measuring the contact force (FIG. 1B), after the formation of the third signal line electrode 360, the first pressure-sensitive resistance layer (3) is formed on the third signal line electrode 360. A process (not shown) for forming 132 may be added.

그리고 도 4b 내지 도 4d에 도시된 바와 같이, 제 2가공 기판(315)은 제 2기판(310)에 제 1신호선 전극(340) 및 제 2신호선 전극(350)을 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄를 통해 형성하고, 그 위에 감압형 저항층(330)을 형성한 다음, 도트 스페이서(370)를 스크린 인쇄를 통해 형성하여 제조한다. 물론 제 1가공 기판(305) 제조단계와 제 2가공 기판(315) 제조단계의 선후는 바뀔 수 있다.4B to 4D, the second processing substrate 315 may be formed by depositing metal or silver paste printing the first signal line electrode 340 and the second signal line electrode 350 on the second substrate 310. It is formed through, the pressure-sensitive resistive layer 330 is formed thereon, and then the dot spacer 370 is formed by screen printing. Of course, the front and rear of the manufacturing process of the first processing substrate 305 and the manufacturing process of the second processing substrate 315 may be changed.

상기와 같이 제 1가공 기판(305)과 제 2가공 기판(315)이 제조되면 둘 사이의 테두리에 일정 갭(320)을 형성할 수 있도록 갭 스페이서(375)를 위치시키고 그 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프를 이용하여 합착한다. 이렇게 하여 도 4e에 도시된 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서가 만들어진다.As described above, when the first processing substrate 305 and the second processing substrate 315 are manufactured, the gap spacer 375 is positioned to form a predetermined gap 320 at the edge between the two and the heat-adhesive tape. Or by using double-sided tape. In this way, a contact resistance sensor capable of measuring the contact force shown in FIG. 4E is made.

<< 접촉힘Contact 및 접촉위치 측정이 And contact position measurement 가능한 possible 접촉저항형 센서의 제조방법> Manufacturing Method of Contact Resistance Sensor>

본 발명인 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법은 먼저 도 1a 및 도 2a를 통해 구조를 비교하면, 위치측정용 저항층(280)이 추가되는 것 이외에는 구조상의 차이가 없다. 다만, 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예(도 2b)의 경우 제 1기판(200)에 제 1감압형 저항층(232)이 형성되어 있으나 이는 상술한 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예(도 1b) 제조방법과 동일하다.In the present invention, a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position, when comparing the structure through FIGS. 1A and 2A, there is no difference in structure except that a resistance layer 280 for position measurement is added. . However, in the modified example of the contact resistance sensor (FIG. 2B) capable of simultaneously measuring the contact force and the contact position, the first pressure-sensitive resistive layer 232 is formed on the first substrate 200. It is the same as the manufacturing method of the modified example (FIG. 1B) of this possible contact resistance sensor.

즉, 제 1기판(410)에 제 3신호선 전극(460)을 형성하거나 형성된 제 3신호선 전극(460) 위에 제 1감압형 저항층(232)을 형성하는 제 1가공 기판(405)의 제조단 계는 상술한 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법과 동일하다.That is, a manufacturing stage of the first processing substrate 405 in which the third signal line electrode 460 is formed on the first substrate 410 or the first pressure-sensitive resistance layer 232 is formed on the formed third signal line electrode 460. The system is the same as the manufacturing method of the contact resistance sensor which can measure the contact force mentioned above.

따라서 위치측정용 저항층(480)의 형성과정을 중심으로 설명한다. 특히 위치측정용 저항층(480)의 형성과정은 제 2가공 기판(415)의 제조단계에 한정될 수 있으므로 이를 중심으로 설명한다.Therefore, a description will be given focusing on the formation of the position measuring resistance layer 480. In particular, the process of forming the position measuring resistance layer 480 may be limited to the manufacturing step of the second processing substrate 415, which will be described below.

도 5는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법 중 제 2가공 기판(415) 제조과정을 나타낸 순서도이다. 도 5를 참조하여 설명하면, 제 2가공 기판(415)의 제조단계(S10)는 우선, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(410)에 금속 또는 실버페이스트로 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450)을 형성한다(S310).5 is a flowchart illustrating a process of manufacturing a second processed substrate 415 in a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position, according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, in operation S10 of manufacturing the second processing substrate 415, first, the first signal line electrode 440 and the metal or silver paste may be formed on the second substrate 410 made of a polymer film or glass. A second signal line electrode 450 is formed (S310).

다음, 제 2기판(410) 상부에, 그리고 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450) 사이에 위치측정용 저항층(480)을 형성한다(S320).Next, a position measuring resistor layer 480 is formed on the second substrate 410 and between the first signal line electrode 440 and the second signal line electrode 450 (S320).

다음, 위치측정용 저항층(480) 상부에 감압형 저항층(430)을 형성한다(S330). Next, a pressure-sensitive resistive layer 430 is formed on the position measuring resistive layer 480 (S330).

다음, 감압형 저항층(430) 상부에 스크린 인쇄를 통해 다수의 도트 스페이서(470)를 형성한다(S340).Next, a plurality of dot spacers 470 is formed through screen printing on the pressure-sensitive resistive layer 430 (S340).

제 2가공 기판(415)이 완성되면 제 1가공 기판(405)과의 사이에서 갭 스페이서(475)로 갭(420)을 형성하고 열접착테이프 등으로 합착하는 과정은 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조과정과 동일하다. 이하 공정 단면도를 통해 부연 설명한다.When the second processing substrate 415 is completed, the process of forming the gap 420 with the gap spacer 475 between the first processing substrate 405 and bonding with a heat adhesive tape may be performed. Same as the manufacturing process of the type sensor. It will be described further through the cross-sectional view below.

도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따른 일실시예로서 도 2a에 도시된 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도이다. 우선 도 6a에 도시된 바와 같이, 제 1가공 기판(405)의 제조과정은 상술하였듯이 제 1기판(400)에 제 3신호선 전극(440)을 형성하는 것으로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법에서의 제 1가공 기판(305)의 제조단계와 동일하다.6A through 6F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position shown in FIG. 2A according to one embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 6A, the manufacturing process of the first processing substrate 405 is performed by forming a third signal line electrode 440 on the first substrate 400 as described above. It is the same as the manufacturing step of the first processed substrate 305 in the manufacturing method.

그리고 제 2가공 기판(415)의 제조과정은 도 6b 내지 도 6f에 도시된 바와 같이, 제 1기판에 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(410)에 금속 또는 실버페이스트로 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450)을 형성하고(도 6b), 제 2기판(410) 상부에, 그리고 제 1신호선 전극(440) 및 제 2신호선 전극(450) 사이에 위치측정용 저항층(480)을 형성한다(도 6c). 이어서 위치측정용 저항층(480) 상부에 감압형 저항층(430)을 형성하고(도 6d), 그 위로 스크린 인쇄를 통해 다수의 도트 스페이서(470)를 형성하여(도 6e) 완성된다.6B to 6F, the first signal line electrode (eg, a metal or silver paste) is formed on the second substrate 410 made of a polymer film or glass. 440 and the second signal line electrode 450 are formed (FIG. 6B), and the resistance layer for position measurement on the second substrate 410 and between the first signal line electrode 440 and the second signal line electrode 450. 480 is formed (FIG. 6C). Subsequently, a pressure-sensitive resistive layer 430 is formed on the position measuring resistance layer 480 (FIG. 6D), and a plurality of dot spacers 470 are formed thereon through screen printing (FIG. 6E).

그리고 마지막으로 제 1가공 기판(405)과 제 2가공 기판(415) 사이에 갭 스페이서(475)를 위치시켜 열접착 테이프 등으로 합착하여 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서가 완성된다(도 6f).Finally, the gap spacer 475 is positioned between the first processing substrate 405 and the second processing substrate 415 and bonded with a thermal adhesive tape, thereby completing a contact resistance sensor capable of measuring contact force and contact position. (FIG. 6F).

<센서의 이용방법><How to use sensor>

도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서 또는 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서에 있어서, 온도 보상 방법, 접촉힘 측정방법 및 접촉위치 측정방법을 설명하기 위해 단위 센서의 구성 및 그 결합된 상태를 간략히 나타낸 평면도이다. 즉, 도 7a는 제 1 신호선 전극(540)과 제 2신호선 전극(550)이 형성되어 있는 제 2가공 기판(515)을, 도 7b는 제 3신호선 전극(560)이 기판에 사각형의 띠모양으로 전면 형성되어 있는 제 1가공 기판(505)을, 그리고 도 7c는 상부에 제 1가공 기판(505)과 하부에 제 2가공 기판(515)이 평행하게 갭을 형성하여 배치된 상태를 간략히 도시한 것이다. 7A to 7C illustrate a contact resistance sensor capable of measuring contact force or a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position, according to an embodiment of the present invention. In order to explain the position measuring method, it is a plan view briefly showing the configuration of the unit sensor and its coupled state. That is, FIG. 7A illustrates a second processing substrate 515 in which the first signal line electrode 540 and the second signal line electrode 550 are formed. In FIG. 7B, the third signal line electrode 560 has a rectangular stripe shape on the substrate. 7C schematically illustrates a state in which the first processing substrate 505 is formed on the entire surface thereof, and FIG. 7C is formed by forming a gap in parallel with the first processing substrate 505 at the top and the second processing substrate 515 at the bottom thereof. It is.

도 7d는 도 7c에 도시된 단위 센서의 저항층(감압형 저항층 또는 위치측정용 저항층)과 신호선 전극을 등가 저항 개념을 이용하여 나타낸 회로 도면이다. 도 7a 내지 7d에 도시된 회로 도면을 참조하여, 센서의 이용방법으로서 온도 보상 방법을 설명한다.FIG. 7D is a circuit diagram illustrating the resistance layer (resistance type resistive layer or position measuring resistance layer) and the signal line electrode of the unit sensor illustrated in FIG. 7C using the equivalent resistance concept. Referring to the circuit diagrams shown in Figs. 7A to 7D, a temperature compensation method as a method of using the sensor will be described.

전술한 감압형 저항층(430) 내지는 위치측정용 저항층(480)은 온도에 따라 저항이 변화되는데 미리 온도에 따른 저항의 변화 데이터를 온도 테이블(예: 10℃ 단위로 저항값 데이터를 가짐)로 만들어 본 발명의 센서가 내장되는 터치 입력기기(미도시)에 저장하여 활용하는 방식이 있으며, 온도 함수값을 내장하여 실제 온도에 따른 정확한 저항값을 보상하는 방식이 있다. 사용 온도 범위는 -30 ℃ ~ 80 ℃가 적절하며 본 발명의 센서에 의해 접촉힘의 측정이 있기 전(예: 휴대 전자기기 전원을 켤때)에 온도 보상을 하는 것이 바람직하다.In the above-described pressure-sensitive resistance layer 430 or the resistance measuring layer 480 for position measurement, the resistance changes according to temperature. There is a method of storing and utilizing in the touch input device (not shown) in which the sensor of the present invention is built, and there is a method of compensating the accurate resistance value according to the actual temperature by embedding the temperature function value. The operating temperature range is -30 ° C. to 80 ° C., and it is preferable to compensate the temperature before the contact force is measured by the sensor of the present invention (eg, when the portable electronic device is turned on).

도 7d에 도시된 R-X와 R+X 는 일차원의 접촉위치를 나타내고, RZ는 접촉힘이 작용시에 변화되는 저항을 나타낸 것이다. 본 발명의 센서의 크기는 작기 때문에 제 3신호선 전극을 개방(off)한 상태에서 제 1신호선 전극과 제 2신호선 전극 사이에서만 전압측정수단(미도시)에 의해 전압을 측정하면 온도 테이블을 통해 온도에 따른 저항값을 알 수 있게 된다. 이는 제어수단(미도시)에 의해 본 발명의 센서를 이용해 접촉힘을 측정할 때 이용되어 질 수 있다.R- X and R + X shown in FIG. 7D represent one-dimensional contact positions, and R Z represents a resistance that changes when a contact force is applied. Since the size of the sensor of the present invention is small, when the voltage is measured by the voltage measuring means (not shown) only between the first signal line electrode and the second signal line electrode while the third signal line electrode is turned off, You can see the resistance value according to. This can be used when measuring the contact force by the control means (not shown) using the sensor of the present invention.

도 7a 내지 7d에 도시된 회로 도면을 참조하여, 센서의 이용방법으로서 접촉힘과 접촉위치 측정방법을 설명한다. 상술하였듯이, 도 7d에 도시된 R-X와 R+X 는 일차원의 접촉위치를 나타내고, RZ는 접촉힘이 작용시에 변화되는 저항을 나타낸 것이다. 따라서 제 3신호선 전극(560)을 기준 전압으로 하여 제 1신호선 전극(540)(또는 제 2신호선 전극)을 접지한 상태에서 제 2신호선 전극(550)(또는 제 1신호선 전극)에서 전압측정수단(미도시)을 통해 전압을 측정하면 RZ의 저항 변화를 알 수 있고 이에 따라 접촉힘을 측정할 수 있게 된다.With reference to the circuit diagrams shown in Figs. 7A to 7D, a contact force and a contact position measuring method will be described as a method of using the sensor. As described above, R- X and R + X shown in FIG. 7D represent one-dimensional contact positions, and R Z represents a resistance that changes when a contact force is applied. Accordingly, the voltage measuring means of the second signal line electrode 550 (or the first signal line electrode) while the first signal line electrode 540 (or the second signal line electrode) is grounded using the third signal line electrode 560 as a reference voltage. By measuring the voltage through (not shown) it is possible to know the change in the resistance of R Z and thus the contact force can be measured.

그리고, 제 1신호선 전극(540)(또는 제 2신호선 전극)을 기준 전압으로 하고 제 2신호선 전극(550)(또는 제 1신호선 전극)을 접지한 상태에서 제 3신호선 전극(560)에서 전압측정수단(미도시)을 통해 전압을 측정하면 R-X와 R+X 의 비로서 접촉위치가 계산되어 질 수 있다.The voltage measurement is performed on the third signal line electrode 560 with the first signal line electrode 540 (or the second signal line electrode) as the reference voltage and the second signal line electrode 550 (or the first signal line electrode) grounded. By measuring the voltage via means (not shown), the contact position can be calculated as the ratio of R -X and R + X.

도 8은 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 나타낸 순서도이다. 도 8에 도시된 바를 참조하여 도 1a에 도시된 센서를 기초로 설명한다. 8 is a flowchart illustrating a method of using a contact resistance sensor capable of measuring contact force as an embodiment according to the present invention. A description will be given based on the sensor shown in FIG. 1A with reference to FIG. 8.

우선 소정 갭(120)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형된다(S510).First, any one of the first substrate 100 and the second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining the predetermined gap 120 is deformed by the temperature change or the contact force of the predetermined pointing object (S510).

다음, 변형된 제 1기판(100)으로부터 열 또는 접촉힘을 전달받아 제 1기판(100)과 제 2기판(110) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(130)이 변형된다(S520).Next, the pressure-sensitive resistive layer 130 formed between the first substrate 100 and the second substrate 110 is deformed by receiving heat or contact force from the deformed first substrate 100 (S520).

다음, 제 1기판(100)에 형성된 제 3신호선 전극(160), 제 2기판(110)에 형성되어 감압형 저항층(130)에 연결된 제 1신호선 전극(140) 및 제 2기판(110)에 형성되어 감압형 저항층(130)에 연결된 제 2신호선 전극(150) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단(미도시)이 감압형 저항층(130)의 변형에 따른 감압형 저항층(130)에 걸리는 전압을 측정한다(S530).Next, the first signal line electrode 140 and the second substrate 110 formed on the third signal line electrode 160 and the second substrate 110 formed on the first substrate 100 and connected to the pressure-sensitive resistance layer 130. One of the second signal line electrodes 150 formed at the second connection line electrode 150 connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 is in an open state, and a voltage measuring means (not shown) is used to deform the pressure-sensitive resistance layer 130 between the other two. The voltage applied to the pressure-sensitive resistive layer 130 is measured (S530).

다음, 제어수단(미도시)이 측정된 전압에 기초하여 감압형 저항층(130)의 물리량으로서, 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 접촉힘 중 어느 하나를 도출한다(S540).Next, the control means (not shown) is a physical quantity of the pressure-sensitive resistive layer 130 based on the measured voltage, and any one of the temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and the contact force corresponding to the contact of the pointing object. Derived (S540).

도 9는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 나타낸 순서도이다. 도 9를 참조하여 도 2a에 도시된 센서를 기초로 설명한다.9 is a flowchart illustrating a method of using a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position as an embodiment according to the present invention. A description will be given based on the sensor shown in FIG. 2A with reference to FIG. 9.

우선, 소정 갭(220)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(200) 및 제 2기판(210) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형된다(S610).First, any one of the first substrate 200 and the second substrate 210 arranged in parallel with each other while maintaining the predetermined gap 220 is deformed by a temperature change or a contact force of the predetermined pointing object (S610). .

다음, 변형된 제 1기판(200)으로부터 열 또는 접촉힘을 전달받아 제 1기판(200)과 제 2기판(210) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(230) 및 위치측정용 저항층(280)이 변형된다(S620).Next, the pressure-sensitive resistance layer 230 and the position measurement resistance layer formed between the first substrate 200 and the second substrate 210 by receiving heat or contact force from the deformed first substrate 200. 280 is deformed (S620).

다음, 제 1기판(200)에 형성된 제 3신호선 전극(260), 제 2기판(210)에 형성되어 위치측정용 저항층(280)에 연결된 제 1신호선 전극(240) 및 제 2기판(210)에 형성되어 위치측정용 저항층(280)에 연결된 제 2신호선 전극(250) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단(미도시)이 감압형 저항층(230) 및 위치측정용 저항층(280)에 걸리는 전압을 측정한다(S630).Next, the first signal line electrode 240 and the second substrate 210 formed on the third signal line electrode 260 and the second substrate 210 formed on the first substrate 200 and connected to the resistance measurement layer 280 for position measurement. And one of the second signal line electrodes 250 connected to the resistance measuring layer 280 for position measurement to be in an open state, and a voltage measuring means (not shown) is provided between the pressure-sensitive resistance layer 230 and the other two. The voltage applied to the position measuring resistance layer 280 is measured (S630).

다음, 제어수단(미도시)이 측정된 전압에 기초하여 감압형 저항층(230)의 물리량으로서 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 접촉힘 중 어느 하나를, 그리고 위치측정용 저항층(280)의 물리량으로서 포인팅 오브젝트의 접촉위치를 도출한다(S640). Next, the control means (not shown) any one of the temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and the contact force corresponding to the contact of the pointing object as the physical quantity of the pressure-sensitive resistance layer 230 based on the measured voltage, Then, the contact position of the pointing object is derived as the physical quantity of the resistance measuring layer 280 (S640).

첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기의 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the above-described technical configuration of the present invention may be carried out in other specific forms by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing its technical spirit or essential features. I can understand that it can be. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the appended claims rather than the detailed description above. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1a는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 단면을 나타낸 단면도,1A is a cross-sectional view showing a cross section of a contact resistance sensor capable of measuring contact force as an embodiment according to the present invention;

도 1b는 본 발명에 따른 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예의 단면을 나타낸 단면도,1B is a cross-sectional view showing a cross section of a modification of a contact resistance sensor capable of measuring contact force according to the present invention;

도 2a는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 단면을 나타낸 단면도,Figure 2a is a cross-sectional view showing a cross section of a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position at the same time according to an embodiment of the present invention,

도 2b는 본 발명에 따른 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 변형예의 단면을 나타낸 단면도,Figure 2b is a cross-sectional view showing a modified example of a contact resistance type sensor capable of simultaneously measuring the contact force and contact position according to the present invention,

도 3a는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 나타낸 순서도,Figure 3a is a flow chart showing a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring the contact force as an embodiment according to the present invention,

도 3b는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법 중 제 2가공 기판 제조단계를 나타낸 순서도,Figure 3b is a flow chart showing the second manufacturing substrate manufacturing step of the manufacturing method of the contact resistance sensor capable of measuring the contact force as an embodiment according to the present invention,

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도,4A to 4E are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring contact force as an embodiment according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법 중 제 2가공 기판 제조단계를 나타낸 순서도,Figure 5 is a flow chart showing the second manufacturing substrate manufacturing step of the manufacturing method of the contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position at the same time according to an embodiment of the present invention,

도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따른 일실시예로서 도 2에 도시된 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법을 순차적으로 나타낸 공정 단면도,6A through 6F are cross-sectional views sequentially illustrating a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position as shown in FIG. 2 according to one embodiment of the present invention;

도 7a 내지 도 7c는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서 또는 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서에 있어서, 온도 보상 방법, 접촉힘 측정방법 및 접촉위치 측정방법을 설명하기 위해 단위 센서의 구성 및 그 결합된 상태를 간략히 나타낸 평면도,7A to 7C illustrate a contact resistance sensor capable of measuring contact force or a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position, according to an embodiment of the present invention. In order to explain the position measuring method, a plan view briefly showing the configuration of the unit sensor and its combined state,

도 7d는 도 7c에 도시된 단위 센서의 저항층과 신호선 전극을 등가 저항 개념을 이용하여 나타낸 회로 도면,FIG. 7D is a circuit diagram illustrating the resistance layer and the signal line electrode of the unit sensor illustrated in FIG. 7C by using an equivalent resistance concept.

도 8은 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 나타낸 순서도,8 is a flowchart showing a method of using a contact resistance sensor capable of measuring contact force as an embodiment according to the present invention;

도 9는 본 발명에 따른 일실시예로서 접촉힘 및 접촉위치 동시 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법을 나타낸 순서도이다.9 is a flowchart illustrating a method of using a contact resistance sensor capable of simultaneously measuring contact force and contact position as an embodiment according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100, 200, 300, 400: 제 1기판100, 200, 300, 400: first substrate

110, 210, 310, 410: 제 2기판110, 210, 310, 410: second substrate

120, 220, 320, 420: 갭120, 220, 320, 420: gap

130, 230, 330, 430: 감압형 저항층130, 230, 330, 430: pressure sensitive resistive layer

132: 제 1감압형 저항층132: first pressure-sensitive resistance layer

134: 제 2감압형 저항층134: second pressure-sensitive resistance layer

140, 240, 340, 440, 540: 제 1신호선 전극140, 240, 340, 440, and 540: first signal line electrode

150, 250, 350, 450, 550: 제 2신호선 전극150, 250, 350, 450, and 550: second signal line electrode

160, 260, 360, 460, 560: 제 3신호선 전극160, 260, 360, 460, and 560: third signal line electrode

170, 270, 370, 470: 도트 스페이서170, 270, 370, 470: dot spacer

175, 275, 375, 475: 갭 스페이서175, 275, 375, 475: gap spacer

280, 480: 위치측정용 저항층280, 480: Resistive layer for position measurement

305, 405, 505: 제 1가공 기판305, 405, 505: first substrate

315, 415, 515: 제 2가공 기판315, 415, 515: second substrate

Claims (24)

소정 갭(120)을 유지하면서 서로 평행하게 배열되는 제 1기판(100) 및 제 2기판(110);A first substrate 100 and a second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap 120; 상기 제 1기판(100) 및 상기 제 2기판(110) 사이에 배치되며 온도 또는 접촉힘에 따라 저항이 변화되는 감압형 저항층(130);A pressure-sensitive resistance layer 130 disposed between the first substrate 100 and the second substrate 110 and having a resistance changed according to a temperature or a contact force; 상기 제 1기판(100)에 형성되고 상기 저항 변화에 기초하여 상기 감압형 저항층에 부가되는 전압신호를 선택적으로 입력받을 수 있는 제 3신호선 전극(160);A third signal line electrode 160 formed on the first substrate 100 and selectively receiving a voltage signal added to the pressure-sensitive resistance layer based on the resistance change; 상기 제 2기판(110)에 형성되며 상기 감압형 저항층(130)에 개별적으로 연결되어 상기 전압신호를 선택적으로 입력받을 수 있는 제 1신호선 전극(140) 및 제 2신호선 전극(150);A first signal line electrode 140 and a second signal line electrode 150 formed on the second substrate 110 and individually connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 to selectively receive the voltage signal; 상기 제 1기판(100)으로 상기 접촉힘에 대응한 복원력 전달을 위해 상기 감압형 저항층(130)에 형성된 다수의 도트 스페이서(170); 및A plurality of dot spacers 170 formed on the pressure-sensitive resistive layer 130 to transfer the restoring force corresponding to the contact force to the first substrate 100; And 상기 제 1기판(100) 및 상기 제 2기판(110)과의 사이에서 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프로 합착되어 상기 갭(120)을 형성하는 갭 스페이서(175);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.A gap spacer 175 which is bonded to the contact surface between the first substrate 100 and the second substrate 110 with a heat-adhesive tape or a double-sided tape to form the gap 120. Contact resistance sensor that can measure contact force. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1기판(100) 및 상기 제 2기판(110)은 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름 및 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The first substrate 100 and the second substrate 110 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that any one of polyimide film, polyester film and glass. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1신호선 전극(140), 상기 제 2신호선 전극(150) 및 상기 제 3신호선 전극(160)은 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성된 것임을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The first signal line electrode 140, the second signal line electrode 150 and the third signal line electrode 160 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that formed by metal deposition or silver paste printing. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감압형 저항층(130)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1000 kΩ/sq 인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The pressure-sensitive resistance layer 130 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that the range of the sheet resistance of 100 kW / sq ~ 1000 kW / sq. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 감압형 저항층(130)은 상기 갭(120)을 유지하면서 상기 제 1기판(100)에 형성된 제 1감압형 저항층(132)과 상기 제 2기판(110)에 형성된 제 2감압형 저항층(134)으로 구성되며,The pressure-sensitive resistive layer 130 has a first pressure-sensitive resistive layer 132 formed on the first substrate 100 and a second pressure-sensitive resistor formed on the second substrate 110 while maintaining the gap 120. Consists of layers 134, 상기 도트 스페이서(170)는 상기 제 2감압형 저항층(134)에 형성된 것을 특 징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The dot spacer 170 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that formed on the second pressure-sensitive resistive layer (134). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 도트 스페이서(170)는 스크린 인쇄를 통해 형성된 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The plurality of dot spacers 170 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that formed through screen printing. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 도트 스페이스(170)는 직경이 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이고 높이가 10 ㎛ ~ 50 ㎛ 이며, 인접하는 상기 각 도트 스페이스 사이의 피치거리가 20 ㎛ ~ 2000 ㎛인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The plurality of dot spaces 170 has a diameter of 10 μm to 100 μm, a height of 10 μm to 50 μm, and a contact force measurement of a pitch distance between adjacent adjacent dot spaces of 20 μm to 2000 μm. Possible contact resistance sensor. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 다수의 도트 스페이서(170)의 재질은 폴리우레탄 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서.Contact resistance type sensor capable of measuring the contact force, characterized in that the material of the plurality of dot spacers 170 is polyurethane or silicone rubber. 소정 갭(220)을 유지하면서 서로 평행하게 배열되는 제 1기판(200) 및 제 2 기판(210);A first substrate 200 and a second substrate 210 arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap 220; 상기 제 1기판(200) 및 상기 제 2기판(210) 사이에 배치되며 온도 또는 접촉힘에 따라 제 1저항 변화를 보이는 감압형 저항층(230);A pressure-sensitive resistance layer 230 disposed between the first substrate 200 and the second substrate 210 and exhibiting a first resistance change according to temperature or contact force; 상기 감압형 저항층(230)과 상기 제 2기판(210) 사이에 배치되며 접촉위치에 따라 제 2저항 변화를 보이는 위치측정용 저항층(280);A resistance measurement layer 280 disposed between the pressure-sensitive resistance layer 230 and the second substrate 210 and exhibiting a second resistance change according to a contact position; 상기 제 1기판(200)에 형성되고 상기 제 1저항 변화 및 상기 제 2저항 변화에 기초하여 상기 감압형 저항층(230) 및 상기 위치측정용 저항층(280)에 부가되는 전압신호를 선택적으로 입력받는 제 3신호선 전극(260);A voltage signal formed on the first substrate 200 and selectively added to the pressure-sensitive resistance layer 230 and the position measuring resistance layer 280 based on the first resistance change and the second resistance change. An input third signal line electrode 260; 상기 제 2기판(210)에 형성되며 상기 위치측정용 저항층(280)에 개별적으로 연결되어 상기 전압신호를 선택적으로 입력받는 제 1신호선 전극(240) 및 제 2신호선 전극(250);A first signal line electrode 240 and a second signal line electrode 250 formed on the second substrate 210 and individually connected to the position measuring resistance layer 280 to selectively receive the voltage signal; 상기 제 1기판(200)으로 복원력을 전달하기 위해 상기 감압형 저항층(230)에 형성된 다수의 도트 스페이서(270); 및A plurality of dot spacers 270 formed on the pressure-sensitive resistive layer 230 to transfer a restoring force to the first substrate 200; And 상기 제 1기판(200) 및 상기 제 2기판(210)과의 사이에서 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면 테이프로 접착하여 상기 갭(220)을 형성하는 갭 스페이서(275);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.A gap spacer 275 which is formed between the first substrate 200 and the second substrate 210 by a heat-adhesive tape or a double-sided tape to a contact surface to form the gap 220. Contact resistance sensor that can measure the contact force and contact position. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 제 1기판(200) 및 상기 제 2기판(210)은 폴리이미드 필름, 폴리에스터 필름 및 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The first substrate 200 and the second substrate 210 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that any one of polyimide film, polyester film and glass. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 제 1신호선 전극(240), 상기 제 2신호선 전극(250) 및 상기 제 3신호선 전극(260)은 금속 증착 또는 실버페이스트 인쇄로 형성된 것임을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The first signal line electrode 240, the second signal line electrode 250 and the third signal line electrode 260 is a contact resistance type capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that formed by metal deposition or silver paste printing sensor. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 감압형 저항층(230)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1000 kΩ/sq 인 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The pressure-sensitive resistance layer 230 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and the contact position, characterized in that the sheet resistance range of 100 Ω / sq ~ 1000 k Ω / sq. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 감압형 저항층(230)은 상기 갭(220)을 유지하면서 상기 제 1기판(200)에 형성된 제 1감압형 저항층(232)과 상기 제 2기판(210)에 형성된 제 2감압형 저항층(234)으로 구성되며,The pressure-sensitive resistive layer 230 maintains the gap 220 and has a first pressure-sensitive resistive layer 232 formed on the first substrate 200 and a second pressure-sensitive resistive formed on the second substrate 210. Consists of layer 234, 상기 도트 스페이서(270)는 상기 제 2감압형 저항층(234)에 형성된 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The dot spacer 270 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that formed on the second pressure-sensitive resistive layer (234). 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 위치측정용 저항층(280)은 면저항의 범위가 100 Ω/sq ~ 1 kΩ/sq 인 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The resistance measuring layer 280 is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that the sheet resistance range of 100 Ω / sq ~ 1 k Ω / sq. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 다수의 도트 스페이서(270)는 스크린 인쇄를 통해 형성된 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The plurality of dot spacers (270) is a contact resistance sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that formed through screen printing. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 다수의 도트 스페이스(270)는 직경이 10 ㎛ ~ 100 ㎛ 이고 높이가 10 ㎛ ~ 50 ㎛ 이며, 인접하는 상기 각 도트 스페이스 사이의 피치거리가 20 ㎛ ~ 2000 ㎛인 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.The plurality of dot spaces 270 has a diameter of 10 μm to 100 μm and a height of 10 μm to 50 μm, and a contact force between the adjacent dot spaces is 20 μm to 2000 μm, and Contact resistance sensor capable of measuring contact position. 제 9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 다수의 도트 스페이서(270)의 재질은 폴리우레탄 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 접촉힘 및 접촉위치 측정이 가능한 접촉저항형 센서.Contact resistance type sensor capable of measuring the contact force and contact position, characterized in that the material of the plurality of dot spacers (270) is polyurethane or silicone rubber. 제 1기판(300)에 제 3신호선 전극(360)이 형성된 제 1가공 기판(305)과 제 2기판(310)에 제 1신호선 전극(340), 제 2신호선 전극(350), 적어도 하나의 저항층 및 다수의 도트 스페이서(370)가 형성된 제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10); 및At least one of the first signal line electrode 340, the second signal line electrode 350, and the first processing substrate 305 and the second substrate 310 having the third signal line electrode 360 formed on the first substrate 300. Manufacturing a second processing substrate 315 having a resistive layer and a plurality of dot spacers 370 (S10); And 상기 제조된 제 1가공 기판(305) 및 상기 제 2가공 기판(315)을 서로 평행하게 나열하되 소정 갭(320)을 갖도록 갭 스페이서(375)를 상기 제 1가공 기판(305) 및 상기 제 2가공 기판(315) 사이에 위치시키고, 상기 갭 스페이서(375)와의 접촉면에 열접착 테이프 또는 양면테이프를 이용하여 상호 합착하는 단계(S20);를 포함하고,The first and second substrates 305 and 315 may be arranged in parallel with each other, and a gap spacer 375 may be formed to have a predetermined gap 320. Located between the processing substrate 315, and bonding to each other using a heat-adhesive tape or double-sided tape to the contact surface with the gap spacer 375 (S20), and 상기 제 1가공 기판(305)의 제조단계(S10)는,Manufacturing step (S10) of the first processed substrate 305, 고분자 필름 또는 유리 재질의 상기 제 1기판(300)에 금속의 증착 또는 실버페이스트의 인쇄로 상기 제 3신호선 전극(360)을 형성하는 단계(S110);를 포함하며,And forming the third signal line electrode 360 by depositing metal or printing silver paste on the first substrate 300 made of a polymer film or glass (S110). 상기 제 2가공 기판(315)의 제조단계(S10)는,Manufacturing step (S10) of the second processing substrate 315, 고분자 필름 또는 유리 재질의 상기 제 2기판(310)에 금속의 증착 또는 실버 페이스트의 인쇄로 상기 제 1신호선 전극(340) 및 상기 제 2신호선 전극(350)을 형성하는 단계(S210);Forming the first signal line electrode (340) and the second signal line electrode (350) by depositing a metal or printing silver paste on the second substrate (310) of a polymer film or glass material (S210); 상기 제 2기판(310) 상부에, 그리고 상기 제 1신호선 전극(340) 및 상기 제 2신호선 전극(350) 사이에 감압형 저항층(330)을 형성하는 단계(S220); 및Forming a pressure-sensitive resistance layer (330) on the second substrate (310) and between the first signal line electrode (340) and the second signal line electrode (350); And 상기 감압형 저항층(330) 상부에 스크린 인쇄를 통해 상기 다수의 도트 스페이서(370)를 형성하는 단계(S230);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법.Forming the plurality of dot spacers (370) through the screen printing on the pressure-sensitive resistive layer (330) (S230); Method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring a contact force comprising a. 제 18항에 있어서,19. The method of claim 18, 상기 제 1가공 기판(305)의 제조단계(S10)는 상기 제 3신호선 전극(360) 형성단계(S110) 이후에,Manufacturing step (S10) of the first processing substrate 305 is after the third signal line electrode 360 forming step (S110), 상기 제 3신호선 전극(360) 상에 제 1감압형 저항층(132)을 형성하는 단계(S120);를 더 포함하고,And forming a first pressure-sensitive resistive layer 132 on the third signal line electrode 360 (S120). 상기 감압형 저항층(330)은 제 2감압형 저항층(134)인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법.The pressure-sensitive resistive layer (330) is a method of manufacturing a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that the second pressure-sensitive resistive layer (134). 제 18항 또는 제 19항에 있어서,The method of claim 18 or 19, 상기 제 2가공 기판(415)의 제조단계(S10)는,Manufacturing step (S10) of the second processing substrate 415, 고분자 필름 또는 유리 재질의 제 2기판(410)에 금속 또는 실버페이스트로 상기 제 1신호선 전극(440) 및 상기 제 2신호선 전극(450)을 형성하는 단계(S310);Forming the first signal line electrode 440 and the second signal line electrode 450 with a metal or silver paste on a second substrate 410 made of a polymer film or glass (S310); 상기 제 2기판(410) 상부에, 그리고 상기 제 1신호선 전극(440) 및 상기 제 2신호선 전극(450) 사이에 위치측정용 저항층(480)을 형성하는 단계(S320);Forming a resistance measurement layer (480) on the second substrate (410) and between the first signal line electrode (440) and the second signal line electrode (450) (S320); 상기 위치측정용 저항층(480) 상부에 감압형 저항층(430)을 형성하는 단계(S330); 및Forming a pressure-sensitive resistance layer (430) on the resistance measuring layer (480) for position measurement (S330); And 상기 감압형 저항층(430) 상부에 스크린 인쇄를 통해 상기 다수의 도트 스페이서(470)를 형성하는 단계(S340);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 제조방법.Forming the plurality of dot spacers (470) through the screen printing on the pressure-sensitive resistive layer (430) (S340); manufacturing method of a contact resistance sensor capable of measuring a contact force comprising a. 소정 갭(120)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형되는 제 1변형단계(S510);A first deformation step in which any one of the first substrate 100 and the second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap 120 is deformed by a temperature change or a contact force of a predetermined pointing object ( S510); 상기 변형된 제 1기판(100) 또는 상기 변형된 제 2기판으로부터 열 또는 상기 접촉힘을 전달받아 상기 제 1기판(100)과 상기 제 2기판(110) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(130)이 변형되는 제 2변형단계(S520);Pressure-sensitive resistance layer formed between the first substrate 100 and the second substrate 110 by receiving heat or the contact force from the deformed first substrate 100 or the deformed second substrate ( A second deformation step S520 in which 130 is deformed; 상기 제 1기판(100)에 형성된 제 3신호선 전극(160), 상기 제 2기판(110)에 형성되어 상기 감압형 저항층(130)에 연결된 제 1신호선 전극(140) 및 상기 제 2기판(110)에 형성되어 상기 감압형 저항층(130)에 연결된 제 2신호선 전극(150) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단이 상기 감압형 저항층(130)의 변형에 따른 상기 감압형 저항층(130)에 걸리는 전압을 측정하는 단계(S530); 및A third signal line electrode 160 formed on the first substrate 100, a first signal line electrode 140 formed on the second substrate 110 and connected to the pressure-sensitive resistance layer 130, and the second substrate ( One of the second signal line electrodes 150 formed in the 110 and connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 is in an open state, and a voltage measuring means is used to deform the pressure-sensitive resistance layer 130 between the other two. Measuring a voltage applied to the pressure-sensitive resistive layer 130 according to step S530; And 제어수단이 상기 측정된 전압에 기초하여 상기 감압형 저항층(130)의 물리량으로서, 상기 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 상기 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 상기 접촉힘 중 어느 하나를 도출하는 단계(S540)를 포함하고,The control means derives any one of the temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and the contact force corresponding to the contact of the pointing object as the physical quantity of the pressure-sensitive resistance layer 130 based on the measured voltage. In step S540, 상기 개방 상태인 것은 상기 제 3신호선 전극(160)이고,The open state is the third signal line electrode 160, 상기 측정되는 전압은 상기 제 1신호선 전극(140)과 상기 제 2신호선 전극(150) 사이의 전압이며,The measured voltage is a voltage between the first signal line electrode 140 and the second signal line electrode 150, 상기 도출되는 물리량은 상기 온도 보상값인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법.The derived physical quantity is a method of using a contact resistance sensor capable of measuring the contact force, characterized in that the temperature compensation value. 삭제delete 소정 갭(120)을 유지한 상태로 상호 평행하게 배열된 제 1기판(100) 및 제 2기판(110) 중 어느 하나가 온도 변화 또는 소정 포인팅 오브젝트의 접촉힘에 의해 변형되는 제 1변형단계(S510);A first deformation step in which any one of the first substrate 100 and the second substrate 110 arranged in parallel with each other while maintaining a predetermined gap 120 is deformed by a temperature change or a contact force of a predetermined pointing object ( S510); 상기 변형된 제 1기판(100) 또는 상기 변형된 제 2기판으로부터 열 또는 상기 접촉힘을 전달받아 상기 제 1기판(100)과 상기 제 2기판(110) 사이에 형성되어 있는 감압형 저항층(130)이 변형되는 제 2변형단계(S520);Pressure-sensitive resistance layer formed between the first substrate 100 and the second substrate 110 by receiving heat or the contact force from the deformed first substrate 100 or the deformed second substrate ( A second deformation step S520 in which 130 is deformed; 상기 제 1기판(100)에 형성된 제 3신호선 전극(160), 상기 제 2기판(110)에 형성되어 상기 감압형 저항층(130)에 연결된 제 1신호선 전극(140) 및 상기 제 2기판(110)에 형성되어 상기 감압형 저항층(130)에 연결된 제 2신호선 전극(150) 중 어느 하나를 개방 상태로 하고, 나머지 둘 사이에서 전압 측정수단이 상기 감압형 저항층(130)의 변형에 따른 상기 감압형 저항층(130)에 걸리는 전압을 측정하는 단계(S530); 및A third signal line electrode 160 formed on the first substrate 100, a first signal line electrode 140 formed on the second substrate 110 and connected to the pressure-sensitive resistance layer 130, and the second substrate ( One of the second signal line electrodes 150 formed in the 110 and connected to the pressure-sensitive resistance layer 130 is in an open state, and a voltage measuring means is used to deform the pressure-sensitive resistance layer 130 between the other two. Measuring a voltage applied to the pressure-sensitive resistive layer 130 according to step S530; And 제어수단이 상기 측정된 전압에 기초하여 상기 감압형 저항층(130)의 물리량으로서, 상기 온도 변화에 대응하는 저항의 온도 보상값 및 상기 포인팅 오브젝트의 접촉에 대응하는 상기 접촉힘 중 어느 하나를 도출하는 단계(S540)를 포함하고,The control means derives any one of the temperature compensation value of the resistance corresponding to the temperature change and the contact force corresponding to the contact of the pointing object as the physical quantity of the pressure-sensitive resistance layer 130 based on the measured voltage. In step S540, 상기 개방 상태인 것은 상기 제 1신호선 전극(140)이고,The open state is the first signal line electrode 140, 상기 측정되는 전압은 상기 제 3신호선 전극(160)과 상기 제 2신호선 전극(170) 사이의 전압이며,The measured voltage is a voltage between the third signal line electrode 160 and the second signal line electrode 170, 상기 도출되는 물리량은 상기 접촉힘인 것을 특징으로 하는 접촉힘 측정이 가능한 접촉저항형 센서의 이용방법.And the derived physical quantity is the contact force. 삭제delete
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