KR101164075B1 - Apparatus for attenuating distributedly and bi-directionally - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제11기준부, 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제1감쇄부, 입력되는 전기 신호를 제11기준부나 제1감쇄부로 전달하는 제11입출력부, 제11기준부나 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제12기준부, 제11기준부나 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제2감쇄부, 제11기준부나 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 제12기준부나 제2감쇄부로 전달하는 제11포웨이 스위칭부 및 제12기준부나 제12감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 출력하는 제12입출력부를 포함하는 양방향 분산 감쇄 장치를 제공한다.The present invention provides an eleventh reference unit for transmitting the transmitted electric signal without attenuation, a first attenuator for attenuating and transmitting the transmitted electric signal by a predetermined size, and transmitting an input electric signal to the eleventh reference unit or the first attenuator. Attenuates the electrical signal transmitted from the eleventh input / output unit, the eleventh reference unit or the first attenuator without magnitude attenuation, and attenuates the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator by a predetermined magnitude. The eleventh four-way switching unit and the eleventh reference part or the twelfth attenuation part transmit the electrical signal transmitted from the second attenuator, the eleventh reference part or the first attenuator to the twelfth reference part or the second attenuator. Provided is a bidirectional distributed attenuation apparatus including a twelfth input and output unit for outputting a signal.

Description

양방향 분산 감쇄 장치{APPARATUS FOR ATTENUATING DISTRIBUTEDLY AND BI-DIRECTIONALLY}Bidirectional Distributed Attenuation Device {APPARATUS FOR ATTENUATING DISTRIBUTEDLY AND BI-DIRECTIONALLY}

본 발명은 양방향 분산 감쇄 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 인가되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄시키기 위해서 다단계로 감쇄 회로를 구성하는 경우에 포웨이(four-way) 스위칭 소자를 채용한 양방향 분산 감쇄 장치에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bidirectional distributed attenuation device, and more particularly, to a bidirectional distributed device employing a four-way switching element in a case where a multiplier attenuation circuit is configured to attenuate an applied electric signal by a predetermined size. It relates to a damping device.

인가되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄시키기 위해서는 일반적으로, 다단계로 감쇄 회로가 구성된다.In order to attenuate an applied electric signal by a predetermined magnitude, attenuation circuit is generally configured in multiple stages.

이러한 다단계의 감쇄 회로는 종래에는 각각의 감쇄 회로마다 2 개의 SPDT(Single Pole Double Throw) 스위칭 소자를 채용하고 있었다.Such a multistage attenuation circuit has conventionally adopted two single pole double throw (SPDT) switching elements for each attenuation circuit.

그런데, 각각의 감쇄 회로마다 2 개의 SPDT 스위칭 장치를 이용하여 연결하는 경우에는 SPDT 각각에서 스위칭 손실이 발생하여 여러 단계의 감쇄 회로를 연결시키는 것이 어려웠다.
However, when two SPDT switching devices are connected to each attenuation circuit, switching losses occur in each of the SPDTs, so that it is difficult to connect the attenuation circuits of various stages.

따라서 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 인가되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄시키기 위해서 다단계로 감쇄 회로를 구성하는 경우에 포웨이(four-way) 스위칭 소자를 채용한 양방향 분산 감쇄 장치를 제공하는 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems of the prior art, and the technical problem to be achieved by the present invention is to construct a four-way attenuation circuit in order to attenuate an applied electric signal by a predetermined size. To provide a bidirectional distributed attenuation device employing a switching element.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are not intended to limit the invention to the precise forms disclosed. Other objects, which will be apparent to those skilled in the art, It will be possible.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제11기준부, 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제1감쇄부, 입력되는 전기 신호를 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로 전달하는 제11입출력부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제12기준부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제2감쇄부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로 전달하는 제11포웨이 스위칭부 및 상기 제12기준부나 상기 제12감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 출력하는 제12입출력부를 포함한다.In order to achieve the above object, the bidirectional distributed attenuation apparatus according to an embodiment of the present invention includes an eleventh reference unit which transmits an electric signal transmitted without attenuation, and attenuates and transmits the electric signal by a predetermined size. Attenuation unit, an eleventh input and output unit for transmitting the input electrical signal to the eleventh reference unit or the first attenuator, a twelfth reference for transmitting the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator without magnitude attenuation The second attenuator which attenuates and transmits an electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator by a predetermined magnitude, and the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator. An eleventh four-way switching unit for transmitting to the reference unit or the second attenuating unit and a twelfth input / output unit for outputting an electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the twelfth attenuating unit; .

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제1감쇄부 또는 제2감쇄부 중 어느 하나가 제11저항 내지 제13저항이 T 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuating device according to an embodiment of the present invention, it is preferable that any one of the first attenuating part or the second attenuating part is configured with a T shape of the eleventh resistor to the thirteenth resistor.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제1감쇄부 또는 제2감쇄부 중 어느 하나가 제21저항, 상기 제21저항의 일측과 접지 사이에 연결되는 제22저항 및 상기 제21저항의 다른측과 접지 사이에 연결되는 제23저항을 포함하는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuation device according to an embodiment of the present invention, either the first attenuator or the second attenuator is a 21st resistor, a 22nd resistor connected between one side of the 21st resistor, and the ground, and the 21st resistor. It is preferable to include a twenty-third resistor connected between the other side of the resistor and the ground.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부가 제11포트와 제21포트사이에 연결되는 제1모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제11스위칭부, 상기 제11포트와 제22포트사이에 연결되는 제2모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제2모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제12스위칭부, 제12포트와 상기 제21포트사이에 연결되는 제3모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제3모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제21스위칭부 및 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 연결되는 제4모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제4모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제22스위칭부를 포함하는 것이 바람직하다.The bidirectional distributed attenuating device according to an embodiment of the present invention includes a first MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-first port, and the eleventh poway switching unit, and the first MOS transistor is turned on when the first MOS transistor is turned on. An eleventh switching unit configured to transfer an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port, and a second MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-second port, wherein the second MOS transistor is turned on. A twelfth switching unit which transmits an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port, and a third MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-first port, and wherein the third MOS transistor is turned on. A fourth switching transistor configured to transfer an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port, and a fourth MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-second port; The transistor may include a twenty-second switching unit configured to transfer an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port when the transistor is turned on.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부가 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 상기 제2모스트랜지스터의 드레인에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제21포트와 상기 제12포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키는 제11접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 상기 제3모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제3모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제12접지부나, 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 상기 제1모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제1모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제21접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 상기 제2모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제22접지부를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuating device according to an embodiment of the present invention, the eleventh four-way switching unit is connected to the drain of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor, and the fourth MOS transistor is connected to the twelfth port and the When the electrical signal is transferred between the 22nd port or when the third MOS transistor transfers the electrical signal between the 21st port and the 12th port, the drain and ground of the first MOS transistor are connected or An eleventh ground portion connecting the drain and the ground of the second MOS transistor, or a drain of the fourth MOS transistor and a source of the third MOS transistor, and the first MOS transistor is connected between the eleventh port and the twenty-first port. When the electrical signal is transmitted to the second MOS transistor or when the electrical signal is transferred between the eleventh port and the twenty-second port. A twelfth ground portion connecting the drain and the ground of the fourth MOS transistor or a source and the ground of the third MOS transistor, or a drain of the third MOS transistor and a source of the first MOS transistor, When the fourth MOS transistor transmits an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port, or when the second MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port. A twenty-first ground portion configured to connect a drain and a ground of a MOS transistor or a ground and a source of the first MOS transistor; or a source of the fourth MOS transistor and a source of the second MOS transistor, and connected to the first MOS transistor. When the electrical signal is transmitted between the eleventh port and the twenty-first port or the third MOS transistor is connected to the twelfth port and the If the transmit electrical signals between the ports 21 to 22 further including the ground unit for connection to the source and ground of the fourth MOS transistor, or connect the source and ground of the second MOS transistor is preferable.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부가 상기 제11포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제11포트의 임피던스를 조절하는 제11임피던스부나, 상기 제12포트와 상기 제21스위칭부 및 상기 제22스위칭부사이에 배치되어 상기 제12포트의 임피던스를 조절하는 제12임피던스부나, 상기 제21포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제21스위칭부사이에 배치되어 상기 제21포트의 임피던스를 조절하는 제21임피던스부나, 상기 제22포트와 상기 제22스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제22포트의 임피던스를 조절하는 제22임피던스부를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuation device according to an embodiment of the present invention, the eleventh four-way switching unit is disposed between the eleventh port, the eleventh switching unit, and the twelfth switching unit to adjust the impedance of the eleventh port. An impedance part, a twelfth impedance part disposed between the twelfth port, the twenty-first switching part, and the twenty-second switching part to adjust the impedance of the twelfth port, or the twenty-first port, the eleventh switching part, and the twenty-first part; A twenty-first impedance unit disposed between the switching units to adjust the impedance of the twenty-first port, or a twenty-second impedance disposed between the twenty-second port and the twenty-second switching unit and the twelfth switching unit to adjust the impedance of the twenty-second port; It is preferable to further contain a part.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제11기준부, 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제1감쇄부, 입력되는 전기 신호를 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로 전달하는 제11입출력부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제12기준부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제12감쇄부, 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로 전달하는 제11포웨이 스위칭부, 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제13기준부, 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제3감쇄부, 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로 전달하는 제12포웨이 스위칭부, 상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제14기준부, 상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제4감쇄부, 상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로 전달하는 제13포웨이 스위칭부, 상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제15기준부, 상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제5감쇄부, 상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제15기준부나 상기 제5감쇄부로 전달하는 제14포웨이 스위칭부 및 상기 제15기준부나 상기 제5감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 출력하는 제12입출력부를 포함한다.In order to achieve the above object, the bidirectional distributed attenuation apparatus according to another embodiment of the present invention includes an eleventh reference unit for transmitting an electric signal to be transmitted without attenuation, and attenuating and transmitting the electric signal to a predetermined size. Attenuation unit, an eleventh input and output unit for transmitting the input electrical signal to the eleventh reference unit or the first attenuator, a twelfth reference for transmitting the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator without magnitude attenuation The twelfth attenuation unit attenuates and transmits the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator by a predetermined size, and the twelfth attenuation unit transmits the electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator. An eleventh four-way switching unit for transmitting to the reference unit or the second attenuator, and the thirteenth unit for transmitting the electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuator without magnitude attenuation. The third attenuation unit attenuates and transmits the electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuator by a predetermined size, and the thirteenth electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuator. 12th Poway switching unit for transmitting to the reference unit or the third attenuator, 14th reference unit for transmitting the electrical signal transmitted from the 13th reference unit or the third attenuator without magnitude attenuation, the 13th reference unit or the third A fourth attenuator for attenuating and transmitting the electrical signal transmitted from the attenuator by a predetermined size; and a second attenuator for transmitting the electrical signal transmitted from the thirteenth reference part or the third attenuator to the fourteenth reference part or the fourth attenuator. 13 Four-way switching unit, the fifteenth reference unit for transmitting the electrical signal transmitted from the fourteenth reference unit or the fourth attenuator without magnitude attenuation, the electricity transmitted from the fourteenth reference unit or the fourth attenuator A fifth attenuator for attenuating and transmitting a signal by a predetermined magnitude; a fourteenth four-way switching unit for transmitting an electric signal transmitted from the fourteenth reference part or the fourth attenuator to the fifteenth reference part and the fifth attenuator; And a twelfth I / O unit configured to output an electric signal transmitted from the fifteenth reference unit or the fifth attenuator.

본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제1감쇄부 내지 제5감쇄부 중 어느 하나가 제11저항 내지 제13저항이 T 형상으로 구성되는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuating device according to another embodiment of the present invention, it is preferable that any one of the first to fifth attenuating parts is configured to have a T shape of the eleventh to thirteenth resistors.

본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제1감쇄부 내지 제5감쇄부 중 어느 하나가 제21저항, 상기 제21저항의 일측과 접지 사이에 연결되는 제22저항 및 상기 제21저항의 다른측과 접지 사이에 연결되는 제23저항을 포함하는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuating device according to another embodiment of the present invention, any one of the first to fifth attenuating parts is a 21st resistor, a 22nd resistor connected between one side of the 21st resistor and a ground, and the 21st. It is preferable to include a twenty-third resistor connected between the other side of the resistor and the ground.

본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나가 제11포트와 제21포트사이에 연결되는 제1모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제11스위칭부, 상기 제11포트와 제22포트사이에 연결되는 제2모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제2모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제12스위칭부, 제12포트와 상기 제21포트사이에 연결되는 제3모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제3모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제21스위칭부 및 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 연결되는 제4모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제4모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제22스위칭부를 포함하는 것이 바람직하다.Bidirectional distributed attenuation apparatus according to another embodiment of the present invention includes a first morph transistor which any one of the eleventh Poway switching unit to 14th four-way switching unit is connected between the eleventh port and the twenty-first port, And an eleventh switching unit configured to transfer an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port when the first MOS transistor is turned on, and a second MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-second port. And a twelfth switching unit configured to transfer an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port when the second MOS transistor is turned on, and a third MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-first port. And a twenty-first switching unit for transmitting an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port when the third MOS transistor is turned on, and a fourth connected between the twelfth port and the twenty-second port. And a twenty-second switching unit configured to transfer an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port when the fourth MOS transistor is turned on.

본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나가 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 상기 제2모스트랜지스터의 드레인에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제21포트와 상기 제12포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키는 제11접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 상기 제3모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제3모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제12접지부나, 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 상기 제1모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제1모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제21접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 상기 제2모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제22접지부를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the bidirectional distributed attenuation apparatus according to another embodiment of the present invention, any one of the eleventh poway switching unit to the fourteenth poway switching unit is connected to the drain of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor, When the fourth MOS transistor transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port, or when the third MOS transistor transfers an electrical signal between the twenty-first port and the twelfth port. An eleventh ground portion connecting a drain and a ground of a MOS transistor or a ground and a drain of the second MOS transistor; or a drain of the fourth MOS transistor and a source of the third MOS transistor and connected to the source of the first MOS transistor; When the electrical signal is transmitted between the eleventh port and the twenty-first port or the second MOS transistor is the eleventh port and the A twelfth ground portion connecting the drain and the ground of the fourth MOS transistor or the source and the ground of the third MOS transistor when the electrical signal is transmitted between the twenty-second ports or the drain of the third MOS transistor Is connected to the source of the first MOS transistor and the fourth MOS transistor transmits an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port, or the second MOS transistor is connected between the eleventh port and the twenty-second port. A 21st ground portion connecting the drain and the ground of the third MOS transistor or the source and the ground of the first MOS transistor when the electrical signal is transmitted to the first MOS transistor or the source and the second MOS of the fourth MOS transistor Is connected to a source of a transistor and the first MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port; or A twenty-second ground connecting the source and the ground of the fourth MOS transistor or the source and the ground of the second MOS transistor when the third MOS transistor transmits an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port; It is preferable to further contain a part.

본 발명의 다른 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나가 상기 제11포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제11포트의 임피던스를 조절하는 제11임피던스부나, 상기 제12포트와 상기 제21스위칭부 및 상기 제22스위칭부사이에 배치되어 상기 제12포트의 임피던스를 조절하는 제12임피던스부나, 상기 제21포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제21스위칭부사이에 배치되어 상기 제21포트의 임피던스를 조절하는 제21임피던스부나, 상기 제22포트와 상기 제22스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제22포트의 임피던스를 조절하는 제22임피던스부를 더 포함하는 것이 바람직하다.
In the bidirectional distributed attenuation device according to another embodiment of the present invention, any one of the eleventh four-way switching unit and the fourteenth four-way switching unit is disposed between the eleventh port, the eleventh switching unit, and the twelfth switching unit. An eleventh impedance part for adjusting the impedance of the eleventh port, a twelfth impedance part disposed between the twelfth port, the twenty-first switching part, and the twenty-second switching part for adjusting the impedance of the twelfth port, or the twenty-first A 21-impedance part disposed between a port and the eleventh switching part and the 21-th switching part to adjust the impedance of the 21-th port, or between the 22nd port and the 22nd switching part and the 12th switching part, and Preferably, the device further includes a twenty-second impedance unit which adjusts the impedance of the twenty-second port.

본 발명의 실시예들에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 인가되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄시키기 위해서 다단계로 감쇄 회로를 구성하는 경우에 포웨이(four-way) 스위칭 소자를 채용하여 연결함으로써, 각각의 감쇄 회로에서 스위칭 손실을 효과적으로 감소시킬 수 있다.
In the bidirectional distributed attenuation apparatus according to the embodiments of the present invention, in the case of configuring the attenuation circuit in a multi-step in order to attenuate an applied electric signal by a predetermined size, the two-way distributed attenuation apparatus employs a four-way switching element, It is possible to effectively reduce the switching loss in the attenuation circuit of.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치의 회로도.
도 2는 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제1감쇄부의 일 실시예의 회로도.
도 3은 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제1감쇄부의 다른 실시예의 회로도.
도 4는 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제11포웨이 스위칭부의 회로도.1 is a circuit diagram of a bidirectional distributed attenuation apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of a first attenuator of the bidirectional distributed attenuator of FIG. 1. FIG.
3 is a circuit diagram of another embodiment of a first attenuator of the bidirectional distributed attenuator of FIG.
4 is a circuit diagram of an eleventh four-way switching unit of the bidirectional distributed attenuation apparatus of FIG. 1.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 장점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치의 회로도이며, 도 2는 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제1감쇄부의 일 실시예의 회로도이고, 도 3은 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제1감쇄부의 다른 실시예의 회로도이며, 도 4는 도 1의 양방향 분산 감쇄 장치의 제11포웨이 스위칭부의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a bidirectional distributed attenuator according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a circuit diagram of an embodiment of a first attenuator of the bidirectional distributed attenuator of Figure 1, Figure 3 is a bidirectional distributed attenuator of Figure 1 FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the first attenuation unit, and FIG. 4 is a circuit diagram of an eleventh four-way switching unit of the bidirectional distributed attenuation device of FIG.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 스위칭 장치는 도 1에 도시된 것처럼, 제11기준부(Ref11), 제1감쇄부(A1), 제11입출력부(TR11), 제12기준부(Ref12), 제2감쇄부(A2), 제11포웨이 스위칭부(DP11), 제13기준부(Ref13), 제3감쇄부(A3), 제12포웨이 스위칭부(DP12), 제14기준부(Ref14), 제4감쇄부(A4), 제13포웨이 스위칭부(DP13), 제15기준부(Ref15), 제5감쇄부(A5), 제14포웨이 스위칭부(DP14) 및 제12입출력부(TR12)를 포함하여 구성될 수 있다.In the bidirectional distributed switching device according to an exemplary embodiment of the present invention, as shown in FIG. 1, the eleventh reference unit Ref11, the first attenuating unit A1, the eleventh input / output unit TR11, and the twelfth reference unit Ref12 ), The second attenuator A2, the eleventh four-way switching unit DP11, the thirteenth reference unit Ref13, the third attenuator A3, the twelfth four-way switching unit DP12, and the fourteenth reference unit. (Ref14), the fourth attenuator A4, the thirteenth four-way switching unit DP13, the fifteenth reference unit Ref15, the fifth attenuating unit A5, the fourteenth four-way switching unit DP14, and the twelfth It may be configured to include an input and output unit TR12.

제11기준부(Ref11)는 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하며, 전송 선로 등을 이용하여 구성할 수 있고, 제1감쇄부(A1)는 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달한다.The eleventh reference unit Ref11 transmits the transmitted electric signal without attenuating the size, and may be configured by using a transmission line. The first attenuating unit A1 attenuates and transmits the transmitted electric signal by a predetermined size. do.

제11입출력부(TR11)는 입력되는 전기 신호를 제11기준부(Ref11)나 제1감쇄부(A1)로 전달하며, SPDT(Single Pole Double Throw) 스위칭 소자를 이용하여 구성할 수 있다.The eleventh input and output unit TR11 transmits an input electrical signal to the eleventh reference unit Ref11 or the first attenuator A1 and may be configured using a single pole double throw (SPDT) switching element.

제12기준부(Ref12)는 제11기준부(Ref11)나 제1감쇄부(A1)로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하며, 전송 선로 등을 이용하여 구성할 수 있고, 제2감쇄부(A2)는 제11기준부(Ref11)나 제1감쇄부(A1)로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달한다.The twelfth reference part Ref12 transmits an electric signal transmitted from the eleventh reference part Ref11 or the first attenuating part A1 without magnitude attenuation, and may be configured by using a transmission line. A2 attenuates and transmits the electric signal transmitted from the eleventh reference unit Ref11 or the first attenuating unit A1 by a predetermined size.

제11포웨이 스위칭부(DP11)는 제11기준부(Ref11)나 제1감쇄부(A1)로부터 전달되는 전기 신호를 제12기준부(Ref12)나 제2감쇄부(A2)로 전달한다.The eleventh four-way switching unit DP11 transfers an electrical signal transmitted from the eleventh reference unit Ref11 or the first attenuator A1 to the twelfth reference unit Ref12 or the second attenuator A2.

제13기준부(Ref13)는 제12기준부(Ref12)나 제2감쇄부(A2)로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하며, 전송 선로 등을 이용하여 구성할 수 있고, 제3감쇄부(A3)는 제12기준부(Ref12)나 제2감쇄부(A2)로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달한다.The thirteenth reference unit Ref13 transmits an electric signal transmitted from the twelfth reference unit Ref12 or the second attenuator A2 without attenuating the size, and may be configured using a transmission line, and the third attenuator. A3 attenuates and transmits the electric signal transmitted from the twelfth reference unit Ref12 or the second attenuator A2 by a predetermined magnitude.

제12포웨이 스위칭부(DP12)는 제12기준부(Ref12)나 제2감쇄부(A2)로부터 전달되는 전기 신호를 제13기준부(Ref13)나 제3감쇄부(A3)로 전달한다.The twelfth four-way switching unit DP12 transfers an electric signal transmitted from the twelfth reference unit Ref12 or the second attenuator A2 to the thirteenth reference unit Ref13 or the third attenuator A3.

제14기준부(Ref14)는 제13기준부(Ref13)나 제3감쇄부(A3)로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하며, 전송 선로 등을 이용하여 구성할 수 있고, 제4감쇄부(A4)는 제14기준부(Ref14)나 제4감쇄부(A4)로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달한다.The fourteenth reference unit Ref14 may transmit an electric signal transmitted from the thirteenth reference unit Ref13 or the third attenuator A3 without attenuation, and may be configured using a transmission line, and the fourth attenuation unit. A4 attenuates and transmits an electric signal transmitted from the fourteenth reference unit Ref14 or the fourth attenuator A4 by a predetermined size.

제13포웨이 스위칭부(DP13)는 제13기준부(Ref13)나 제3감쇄부(A3)로부터 전달되는 전기 신호를 제14기준부(Ref14)나 제4감쇄부(A4)로 전달한다.The thirteenth four-way switching unit DP13 transfers an electric signal transmitted from the thirteenth reference unit Ref13 or the third attenuator A3 to the fourteenth reference unit Ref14 or the fourth attenuator A4.

제15기준부(Ref15)는 제14기준부(Ref14)나 제4감쇄부(A4)로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하며, 전송 선로 등을 이용하여 구성할 수 있고, 제5감쇄부(A5)는 제14기준부(Ref14)나 제4감쇄부(A4)로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달한다.The fifteenth reference unit Ref15 may transmit an electric signal transmitted from the fourteenth reference unit Ref14 or the fourth attenuator A4 without attenuating the size, and may be configured using a transmission line, and the fifth attenuator. A5 attenuates and transmits an electric signal transmitted from the fourteenth reference unit Ref14 or the fourth attenuator A4 by a predetermined size.

제14포웨이 스위칭부(DP14)는 제14기준부(Ref14)나 제4감쇄부(A4)로부터 전달되는 전기 신호를 제15기준부(Ref15)나 제5감쇄부(A5)로 전달한다.The fourteenth four-way switching unit DP14 transfers an electric signal transmitted from the fourteenth reference unit Ref14 or the fourth attenuator A4 to the fifteenth reference unit Ref15 or the fifth attenuator A5.

제12입출력부(TR12)는 제15기준부(Ref15)나 제5감쇄부(A5)로부터 전달되는 전기 신호를 출력하며, SPDT(Single Pole Double Throw) 스위칭 소자를 이용하여 구성할 수 있다.The twelfth input / output unit TR12 outputs an electric signal transmitted from the fifteenth reference unit Ref15 or the fifth attenuator A5 and may be configured using a single pole double throw (SPDT) switching element.

본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 반드시 제11입출력부(TR11)를 통해서 전기 신호가 입력되고 제12입출력부(TR12)를 통해서 전기 신호가 출력될 필요는 없으며, 필요에 따라서 제11입출력부(TR11)를 통해서 전기 신호가 입력되고 제12입출력부(TR12)를 통해서 전기 신호가 출력될 수도 있고, 제12입출력부(TR12)를 통해서 전기 신호가 입력되고 제11입출력부(TR11)를 통해서 전기 신호가 출력될 수도 있다.In the bidirectional distributed attenuation apparatus according to the embodiment of the present invention, the electrical signal is not necessarily input through the eleventh input and output unit TR11 and the electrical signal is not output through the twelfth input and output unit TR12. An electrical signal may be inputted through the 11th input / output unit TR11 and an electrical signal may be outputted through the twelfth input / output unit TR12, or an electrical signal may be inputted through the twelfth input / output unit TR12 and the eleventh input / output unit TR11. The electrical signal may be output through

도 2 및 도3을 참조하여, 제1감쇄부(A1)에 대해서 상세하게 설명한다.2 and 3, the first attenuation portion A1 will be described in detail.

일 실시예에 따른 제1감쇄부(A1)는 제11저항 내지 제13저항(R11, R12, R13)이 도 2에 도시된 것처럼, T 형상으로 구성되며, 제11저항(R11)의 저항값과 제12저항(R12)의 저항값은 동일하게 구성하는 것이 바람직하고, 제11저항 내지 제13저항(R11, R12, R13)의 저항값을 조정하여 제1감쇄부(A1)의 감쇄 크기를 조절할 수 있다.As illustrated in FIG. 2, the first attenuator A1 according to an exemplary embodiment has a T shape, and the resistance values of the eleventh resistor R11 are shown in FIG. 2. The resistance values of the first and second resistors R12 are preferably configured to be the same. I can regulate it.

여기에서, 제2감쇄부 내지 제5감쇄부(A2, A3, A4, A5)는 제1감쇄부(A1)와 동일하게 구성하는 것이 바람직하다.Here, the second to fifth attenuators A2, A3, A4, and A5 are preferably configured in the same manner as the first attenuator A1.

한편, 다른 실시예에 따른 제1감쇄부(A1)는 도 3에 도시된 것처럼, 제21저항(R21), 제21저항(R21)의 일측과 접지 사이에 연결되는 제22저항(R22) 및 제21저항(R21)의 다른측과 접지 사이에 연결되는 제23저항(R23)을 포함하며, 제22저항(R22)의 저항값과 제23저항(R23)의 저항값은 동일하게 구성하는 것이 바람직하고, 제21저항 내지 제23저항(R21, R22, R23)의 저항값을 조정하여 제1감쇄부(A1)의 감쇄 크기를 조절할 수 있다.Meanwhile, as illustrated in FIG. 3, the first attenuator A1 according to another embodiment includes the twenty-first resistor R21, a twenty-second resistor R22 connected between one side of the twenty-first resistor R21, and a ground; And a twenty-third resistor (R23) connected between the other side of the twenty-first resistor (R21) and ground, wherein the resistance value of the twenty-second resistor (R22) and the resistance value of the twenty-third resistor (R23) are configured to be the same. Preferably, the magnitude of attenuation of the first attenuation portion A1 may be adjusted by adjusting the resistance values of the twenty-first to twenty-third resistors R21, R22, and R23.

여기에서, 제2감쇄부 내지 제5감쇄부(A2, A3, A4, A5)는 제1감쇄부(A1)와 동일하게 구성하는 것이 바람직하다.Here, the second to fifth attenuators A2, A3, A4, and A5 are preferably configured in the same manner as the first attenuator A1.

도 4를 참조하여, 제11포웨이 스위칭부(DP11)에 대해서 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 4, the eleventh four-way switching unit DP11 will be described in detail.

제11포웨이 스위칭부(DP11)는 제11스위칭부(1110), 제12스위칭부(1120), 제21스위칭부(1210) 및 제22스위칭부(1220)를 포함한다.The eleventh four-way switching unit DP11 includes an eleventh switching unit 1110, a twelfth switching unit 1120, a twenty-first switching unit 1210, and a twenty-second switching unit 1220.

제11스위칭부(1110)는 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 연결되는 제1모스트랜지스터(M1)를 포함하며, 제1모스트랜지스터(M1)가 턴온되는 경우에 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달한다.The eleventh switching unit 1110 includes a first MOS transistor M1 connected between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21, and the eleventh switching transistor M1 is turned on when the first MOS transistor M1 is turned on. An electrical signal is transmitted between the port P11 and the twenty-first port P21.

여기에서, 저항(R1111)은 바이어스 전압(Bias111)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R1112)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R1111 is for delivering the bias voltage Bias111, and the resistor R1112 is for suppressing the leakage current.

제12스위칭부(1120)는 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 연결되는 제2모스트랜지스터(M2)를 포함하며, 제2모스트랜지스터(M2)가 턴온되는 경우에 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달한다.The twelfth switching unit 1120 includes a second MOS transistor M2 connected between the eleventh port P11 and the twenty-second port P22, and the eleventh when the second MOS transistor M2 is turned on. An electrical signal is transmitted between the port P11 and the twenty-second port P22.

여기에서, 저항(R1121)은 바이어스 전압(Bias112)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R1122)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R1121 is for delivering the bias voltage Bis112, and the resistor R1122 is for suppressing the leakage current.

제21스위칭부(1210)는 제12포트(P12)와 상기 제21포트(P21)사이에 연결되는 제3모스트랜지스터(M3)를 포함하며, 제3모스트랜지스터(M3)가 턴온되는 경우에 제12포트(P12)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달한다.The twenty-first switching unit 1210 includes a third MOS transistor M3 connected between the twelfth port P12 and the twenty-first port P21, and is formed when the third MOS transistor M3 is turned on. An electrical signal is transmitted between the 12th port P12 and the 21st port P21.

여기에서, 저항(R1211)은 바이어스 전압(Bias121)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R1212)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R1211 is for delivering the bias voltage Bias121, and the resistor R1212 is for suppressing the leakage current.

제22스위칭부(1220)는 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 연결되는 제4모스트랜지스터(M4)를 포함하며, 제4모스트랜지스터(M4)가 턴온되는 경우에 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달한다.The twenty-second switching unit 1220 includes a fourth MOS transistor M4 connected between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22, and when the fourth MOS transistor M4 is turned on, the twelfth switching unit 1220 An electrical signal is transmitted between the port P12 and the twenty-second port P22.

여기에서, 저항(R1221)은 바이어스 전압(Bias122)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R1222)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R1221 is for delivering the bias voltage Bias122, and the resistor R1222 is for suppressing the leakage current.

한편, 제1모스트랜지스터(M1)의 드레인과 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인에 연결되며, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제21포트(P21)와 제12포트(P12)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제1모스트랜지스터(M1)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인과 접지를 연결시키는 제11접지부(2110)가 더 포함될 수 있으며, 이러한 제11접지부(2110)는 제5모스트랜지스터(M5)를 포함할 수 있다.Meanwhile, the drain of the first MOS transistor M1 and the drain of the second MOS transistor M2 are connected, and the fourth MOS transistor M4 is an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22. In the case of transmitting the or when the third MOS transistor M3 transmits an electrical signal between the twenty-first port P21 and the twelfth port P12, the drain and ground of the first MOS transistor M1 may be connected. Alternatively, an eleventh ground portion 2110 connecting the drain and the ground of the second MOS transistor M2 may be further included, and the eleventh ground portion 2110 may include a fifth MOS transistor M5.

여기에서, 저항(R2111)은 바이어스 전압(Bias211)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R2112)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R2111 is for transmitting the bias voltage Bis211 and the resistor R2112 is for suppressing the leakage current.

상술한 것처럼, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제21포트(P21)와 제12포트(P12)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제11접지부(2110)가 제1모스트랜지스터(M1)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제2모스트랜지스터(M2)의 드레인과 접지를 연결시킴으로써, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제21포트(P21)와 제12포트(P12)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 전기 신호가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이나 제21포트(P21)와 제12포트(P12)사이에서 누설되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.As described above, when the fourth MOS transistor M4 transmits an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22, or when the third MOS transistor M3 is connected to the twenty-first port P21 and the first port. When the electrical signal is transmitted between the twelve ports P12, the eleventh grounding unit 2110 connects the drain and ground of the first MOS transistor M1 or the drain and ground of the second MOS transistor M2. By connecting, the fourth MOS transistor M4 transmits an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22, or the third MOS transistor M3 is connected to the twenty-first port P21 and the twelfth. In the case of transmitting an electric signal between the ports P12, the electric signal leaks between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22 or the twenty-first port P21 and the twelfth port P12. It can be effectively suppressed.

또한, 제4모스트랜지스터(M4)의 드레인과 제3모스트랜지스터(M3)의 소스에 연결되며, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제4모스트랜지스터(M4)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제3모스트랜지스터(M3)의 소스와 접지를 연결시키는 제12접지부(2120)가 더 포함될 수 있으며, 이러한 제12접지부(2120)는 제6모스트랜지스터(M6)를 포함할 수 있다.In addition, the drain of the fourth MOS transistor M4 and the source of the third MOS transistor M3 are connected, and the first MOS transistor M1 is an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21. In this case, the second MOS transistor M2 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-second port P22, and connects the drain and ground of the fourth MOS transistor M4. Alternatively, a twelfth ground portion 2120 may be further included to connect the source and the ground of the third MOS transistor M3, and the twelfth ground portion 2120 may include a sixth MOS transistor M6.

여기에서, 저항(R2121)은 바이어스 전압(Bias212)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R2122)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R2121 is for transmitting the bias voltage Bis212 and the resistor R2122 is for suppressing the leakage current.

상술한 것처럼, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제12접지부(2120)가 제4모스트랜지스터(M4)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제3모스트랜지스터(M3)의 소스와 접지를 연결시킴으로써, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 전기 신호가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이나 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에서 누설되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.As described above, when the first MOS transistor M1 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21, or the second MOS transistor M2 is connected to the eleventh port P11 and the first port. When the electrical signal is transferred between the 22 ports P22, the twelfth ground portion 2120 connects the drain and ground of the fourth MOS transistor M4 or the source and ground of the third MOS transistor M3. The first MOS transistor M1 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21, or the second MOS transistor M2 is connected to the eleventh port P11 and the twenty-second port. In the case where an electrical signal is transmitted between the ports P22, the electrical signals leak between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21 or between the eleventh port P11 and the twenty-second port P22. It can be effectively suppressed.

또한, 제3모스트랜지스터(M3)의 드레인과 제1모스트랜지스터(M1)의 소스에 연결되며, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제3모스트랜지스터(M3)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제1모스트랜지스터(M1)의 소스와 접지를 연결시키는 제21접지부(2210)가 더 포함될 수 있으며, 이러한 제21접지부(2210)는 제7모스트랜지스터(M7)를 포함할 수 있다.In addition, the drain of the third MOS transistor M3 and the source of the first MOS transistor M1 are connected, and the fourth MOS transistor M4 is an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22. When the second MOS transistor M2 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-second port P22, the drain and the ground of the third MOS transistor M3 are connected to each other. Alternatively, a twenty-first ground portion 2210 may be further included to connect the source and the ground of the first MOS transistor M1, and the twenty-first ground portion 2210 may include a seventh MOS transistor M7.

여기에서, 저항(R2211)은 바이어스 전압(Bias221)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R2212)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R2211 is for transmitting the bias voltage Bias221, and the resistor R2212 is for suppressing the leakage current.

상술한 것처럼, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제21접지부(2210)가 제3모스트랜지스터(M3)의 드레인과 접지를 연결시키거나 제1모스트랜지스터(M1)의 소스와 접지를 연결시킴으로써, 제4모스트랜지스터(M4)가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제2모스트랜지스터(M2)가 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 전기 신호가 제12포트(P12)와 제22포트(P22)사이나 제11포트(P11)와 제22포트(P22)사이에서 누설되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.As described above, when the fourth MOS transistor M4 transmits an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22, or the second MOS transistor M2 is connected to the eleventh port P11 and the eleventh port P11. When the electrical signal is transferred between the 22 ports P22, the twenty-first ground part 2210 connects the drain and the ground of the third MOS transistor M3, or the source and the ground of the first MOS transistor M1. The fourth MOS transistor M4 transmits an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22, or the second MOS transistor M2 is connected to the eleventh port P11 and the twenty-second port. When the electrical signal is transferred between the ports P22, the electrical signals leak between the twelfth port P12 and the twenty-second port P22 or the eleventh port P11 and the twenty-second port P22. It can be effectively suppressed.

또한, 제4모스트랜지스터(M4)의 소스와 제2모스트랜지스터(M2)의 소스에 연결되며, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제12포트(P12)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제4모스트랜지스터(M4)의 소스와 접지를 연결시키거나 제2모스트랜지스터(M2)의 소스와 접지를 연결시키는 제22접지부(2220)가 더 포함될 수 있으며, 이러한 제22접지부(2220)는 제8모스트랜지스터(M8)를 포함할 수 있다.In addition, the source of the fourth MOS transistor M4 and the source of the second MOS transistor M2 are connected, and the first MOS transistor M1 is an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21. In the case of transmitting a signal or when the third MOS transistor M3 transmits an electrical signal between the twelfth port P12 and the twenty-first port P21, the source and the ground of the fourth MOS transistor M4 are connected. Alternatively, a twenty-second ground portion 2220 may be further connected to connect the source and the ground of the second MOS transistor M2, and the twenty-second ground portion 2220 may include an eighth MOS transistor M8.

여기에서, 저항(R2221)은 바이어스 전압(Bias222)을 전달하기 위한 것이며, 저항(R2222)은 누설 전류를 억제하기 위한 것이다.Here, the resistor R2221 is for delivering the bias voltage Bis222, and the resistor R2222 is for suppressing the leakage current.

상술한 것처럼, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제12포트(P12)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 제22접지부(2220)가 제4모스트랜지스터(M4)의 소스와 접지를 연결시키거나 제2모스트랜지스터(M2)의 소스와 접지를 연결시킴으로써, 제1모스트랜지스터(M1)가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 제3모스트랜지스터(M3)가 제12포트(P12)와 제21포트(P21)사이에 전기 신호를 전달하는 경우에, 전기 신호가 제11포트(P11)와 제21포트(P21)사이나 제12포트(P12)와 제21포트(P21)사이에서 누설되는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.As described above, when the first MOS transistor M1 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21, or the third MOS transistor M3 is connected to the twelfth port P12 and the first port. When the electrical signal is transferred between the 21 ports P21, the 22nd ground portion 2220 connects the source and the ground of the fourth MOS transistor M4 or the source and the ground of the second MOS transistor M2. The first MOS transistor M1 transmits an electrical signal between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21, or the third MOS transistor M3 is connected to the twelfth port P12 and the 21st port. When the electrical signal is transmitted between the ports P21, the electrical signals leak between the eleventh port P11 and the twenty-first port P21 or between the twelfth port P12 and the twenty-first port P21. It can be effectively suppressed.

한편, 제11포트(P11)와 제11스위칭부(1110) 및 제12스위칭부(1120)사이에 배치되어, 제11포트(P11)의 임피던스를 조절하는 제11임피던스부(3110)가 더 포함될 수 있으며, 구체적으로, 제11임피던스부(3110)는 제1인덕터(L1)를 포함할 수 있다.Meanwhile, an eleventh impedance part 3110 disposed between the eleventh port P11, the eleventh switching part 1110, and the twelfth switching part 1120 to adjust the impedance of the eleventh port P11 is further included. In detail, the eleventh impedance part 3110 may include a first inductor L1.

이러한 제11임피던스부(3110)는 제1모스트랜지스터(M1)나 제2모스트랜지스터(M2)에 의해서 발생되는 기생 커패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.The eleventh impedance part 3110 may cancel the parasitic capacitance generated by the first MOS transistor M1 or the second MOS transistor M2.

또한, 제12포트(P12)와 제21스위칭부(1210) 및 제22스위칭부(1220)사이에 배치되어, 상기 제12포트(P12)의 임피던스를 조절하는 제12임피던스부(3120)가 더 포함될 수 있으며, 구체적으로, 제12임피던스부(3120)는 제2인덕터(L2)를 포함할 수 있다.In addition, a twelfth impedance part 3120 disposed between the twelfth port P12, the twenty-first switching part 1210, and the twenty-second switching part 1220 to adjust the impedance of the twelfth port P12 is further included. In detail, the twelfth impedance part 3120 may include a second inductor L2.

이러한 제12임피던스부(3120)는 제4모스트랜지스터(M4)나 제3모스트랜지스터(M3)에 의해서 발생되는 기생 커패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.The twelfth impedance part 3120 may cancel the parasitic capacitance generated by the fourth MOS transistor M4 or the third MOS transistor M3.

또한, 제21포트(P21)와 제11스위칭부(1110) 및 제21스위칭부(1210)사이에 배치되어, 제21포트(P21)의 임피던스를 조절하는 제21임피던스부(3210)가 더 포함될 수 있으며, 구체적으로, 제21임피던스부(3210)는 제3인덕터(L3)를 포함할 수 있다.In addition, a twenty-first impedance part 3210 disposed between the twenty-first port P21, the eleventh switching part 1110, and the twenty-first switching part 1210 to adjust the impedance of the twenty-first port P21 is further included. In detail, the twenty-first impedance part 3210 may include a third inductor L3.

이러한 제21임피던스부(3210)는 제1모스트랜지스터(M1)나 제3모스트랜지스터(M3)에 의해서 발생되는 기생 커패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.The twenty-first impedance part 3210 may cancel the parasitic capacitance generated by the first MOS transistor M1 or the third MOS transistor M3.

또한, 제22포트(P22)와 제22스위칭부(1220) 및 제12스위칭부(1120)사이에 배치되어, 제22포트(P22)의 임피던스를 조절하는 제22임피던스부(3220)가 더 포함될 수 있으며, 구체적으로, 제22임피던스부(3220)는 제4인덕터(L4)를 포함할 수 있다.Further, a twenty-second impedance unit 3220 disposed between the twenty-second port P22, the twenty-second switching unit 1220, and the twelfth switching unit 1120 may be further included. In detail, the 22nd impedance part 3220 may include a fourth inductor L4.

이러한 제22임피던스부(3220)는 제4모스트랜지스터(M4)나 제2모스트랜지스터(M2)에 의해서 발생되는 기생 커패시턴스를 상쇄시킬 수 있다.The 22nd impedance part 3220 may cancel the parasitic capacitance generated by the fourth MOS transistor M4 or the second MOS transistor M2.

여기에서, 제12포웨이 스위칭부 내지 제4포웨이 스위칭부(DP12, DP13, DP14)는 제11포웨이 스위칭부(DP11)와 동일하게 구성하는 것이 바람직하다.Herein, it is preferable that the 12th four-way switching unit DP12, DP13, and DP14 be configured in the same manner as the eleventh four-way switching unit DP11.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 양방향 분산 감쇄 장치는 반드시 제11기준부 내지 제15기준부(Ref11,Ref12, Ref13, Ref14, Ref15)나 제1감쇄부 내지 제5감쇄부(A1, A2, A3, A4, A5)를 포함할 필요는 없으며, 필요에 따라서 감쇄 회로를 2 단계로 구성하거나 3 단계로 구성하거나 4 단계로 구성할 수 있다.On the other hand, the bidirectional distributed attenuating device according to an embodiment of the present invention must be the eleventh reference unit to the fifteenth reference unit (Ref11, Ref12, Ref13, Ref14, Ref15) or the first to fifth attenuator (A1, A2) It is not necessary to include A3, A4, A5), and the attenuation circuit may be configured in two stages, three stages, or four stages as necessary.

예를 들어, 감쇄 회로가 2 단계로 구성될 경우에는 제11입출력부(TR11), 제11기준부(Ref11), 제1감쇄부(A1), 제12기준부(Ref12), 제2감쇄부(A2), 제11포웨이 스위칭부(DP11) 및 제12입출력부(TR12)를 포함하여 구성될 수 있으며, 감쇄 회로가 3 단계로 구성될 경우에는 제11입출력부(TR11), 제11기준부(Ref11), 제1감쇄부(A1), 제12기준부(Ref12), 제2감쇄부(A2), 제11포웨이 스위칭부(DP11), 제13기준부(Ref13), 제3감쇄부(A3), 제12포웨이 스위칭부(DP12) 및 제12입출력부(TR12)를 포함하여 구성될 수 있고, 감쇄 회로가 4 단계로 구성될 경우에는 제11입출력부(TR11), 제11기준부(Ref11), 제1감쇄부(A1), 제12기준부(Ref12), 제2감쇄부(A2), 제11포웨이 스위칭부(DP11), 제13기준부(Ref13), 제3감쇄부(A3), 제12포웨이 스위칭부(DP12), 제14기준부(Ref14), 제4감쇄부(A4), 제13포웨이 스위칭부(DP13) 및 제12입출력부(TR12)를 포함하여 구성될 수 있다.
For example, when the attenuation circuit is configured in two stages, the eleventh input / output unit TR11, the eleventh reference unit Ref11, the first attenuation unit A1, the twelfth reference unit Ref12, and the second attenuation unit (A2), the eleventh four-way switching unit DP11, and the twelfth input / output unit TR12, and when the attenuation circuit is configured in three stages, the eleventh input / output unit TR11 and the eleventh standard. Ref11, first attenuator A1, twelfth reference part Ref12, second attenuator A2, eleventh four-way switching part DP11, thirteenth reference part Ref13, third attenuation Unit A3, a twelfth four-way switching unit DP12, and a twelfth input / output unit TR12. When the attenuation circuit is configured in four stages, the eleventh input / output unit TR11 and the eleventh unit are included. Reference part Ref11, first attenuation part A1, twelfth reference part Ref12, second attenuation part A2, eleventh four-way switching part DP11, thirteenth reference part Ref13, third The attenuator A3, the 12th four-way switching unit DP12, the fourteenth reference unit Ref14, the fourth attenuating unit A4, the thirteenth four-way switching unit DP13, and the twelfth input / output unit TR12 artillery Can be configured together.

이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments.

오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.Rather, it will be apparent to those skilled in the art that many changes and modifications to the present invention are possible without departing from the spirit and scope of the appended claims.

따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
Accordingly, all such appropriate modifications and changes, and equivalents thereof, should be regarded as within the scope of the present invention.

Claims (12)

전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제11기준부;
전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제1감쇄부;
입력되는 전기 신호를 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로 전달하는 제11입출력부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제12기준부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제2감쇄부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로 전달하는 제11포웨이 스위칭부; 및
상기 제12기준부나 상기 제12감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 출력하는 제12입출력부를 포함하는 양방향 분산 감쇄 장치.
An eleventh reference unit which transmits the transmitted electric signal without magnitude attenuation;
A first attenuator for attenuating and transmitting the transmitted electric signal by a predetermined size;
An eleventh input / output unit configured to transfer an input electrical signal to the eleventh reference unit or the first attenuator;
A twelfth reference part which transmits the electric signal transmitted from the eleventh reference part or the first attenuation part without magnitude attenuation;
A second attenuator configured to attenuate and transmit an electric signal transmitted from the eleventh reference part or the first attenuator by a predetermined size;
An eleventh four-way switching unit configured to transfer an electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator to the twelfth reference unit or the second attenuator; And
And a twelfth input and output unit configured to output an electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the twelfth attenuator.
제 1 항에 있어서,
상기 제1감쇄부 또는 제2감쇄부 중 어느 하나는 제11저항 내지 제13저항이 T 형상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 1,
Either of the first attenuator or the second attenuator is a bidirectional distributed attenuating device, characterized in that the eleventh to thirteenth resistance is configured in a T shape.
제 1 항에 있어서,
상기 제1감쇄부 또는 제2감쇄부 중 어느 하나는
제21저항;
상기 제21저항의 일측과 접지 사이에 연결되는 제22저항; 및
상기 제21저항의 다른측과 접지 사이에 연결되는 제23저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 1,
Any one of the first attenuator or the second attenuator
21st resistance;
A twenty-second resistor connected between one side of the twenty-first resistor and a ground; And
And a twenty-third resistor connected between the other side of the twenty-first resistor and a ground.
제 1 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부는
제11포트와 제21포트사이에 연결되는 제1모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제11스위칭부;
상기 제11포트와 제22포트사이에 연결되는 제2모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제2모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제12스위칭부;
제12포트와 상기 제21포트사이에 연결되는 제3모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제3모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제21스위칭부; 및
상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 연결되는 제4모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제4모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제22스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 1,
The eleventh four-way switching unit
An eleventh switching unit including a first MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-first port, and transferring an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port when the first MOS transistor is turned on;
A twelfth switching part including a second MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-second port and transferring an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port when the second MOS transistor is turned on; ;
And a third MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-first port, wherein the twenty-first switching unit transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port when the third MOS transistor is turned on. ; And
A twenty-second switching device comprising a fourth MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-second port, and transferring an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port when the fourth morph transistor is turned on; Bidirectional distributed attenuation device comprising a portion.
제 4 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부는 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 상기 제2모스트랜지스터의 드레인에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제21포트와 상기 제12포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키는 제11접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 상기 제3모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제3모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제12접지부나, 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 상기 제1모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제1모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제21접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 상기 제2모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제22접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 4, wherein
The eleventh four-way switching unit is connected to the drain of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor, and the fourth MOS transistor transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port. An eleventh connecting the drain and the ground of the first MOS transistor or the drain and the ground of the second MOS transistor when the third MOS transistor transfers an electrical signal between the twenty-first port and the twelfth port; A ground portion, a drain of the fourth MOS transistor and a source of the third MOS transistor, wherein the first MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port, or the second MOS transistor. Connects the drain and ground of the fourth MOS transistor when the electrical signal is transferred between the eleventh port and the twenty-second port. A twelfth ground portion that connects or connects the source of the third MOS transistor and ground, or the drain of the third MOS transistor and the source of the first MOS transistor, and the fourth MOS transistor is connected to the twelfth port and the first MOS transistor. When the electrical signal is transferred between the 22 ports or when the second MOS transistor transmits the electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port, the drain and ground of the third MOS transistor are connected to each other. A twenty-first ground portion connecting a source of the first MOS transistor and a ground; or a source of the fourth MOS transistor and a source of the second MOS transistor, wherein the first MOS transistor is connected between the eleventh port and the twenty-first port. The fourth when the electrical signal is transmitted or when the third MOS transistor transfers the electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port. To connect the source and ground of the transistor switch 22 or the ground more two-way attenuation distribution device characterized in that it includes a connection to the source and ground of the second MOS transistor.
제 4 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부는 상기 제11포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제11포트의 임피던스를 조절하는 제11임피던스부나, 상기 제12포트와 상기 제21스위칭부 및 상기 제22스위칭부사이에 배치되어 상기 제12포트의 임피던스를 조절하는 제12임피던스부나, 상기 제21포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제21스위칭부사이에 배치되어 상기 제21포트의 임피던스를 조절하는 제21임피던스부나, 상기 제22포트와 상기 제22스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제22포트의 임피던스를 조절하는 제22임피던스부를 더 포함하는 것을 특징으로 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 4, wherein
The eleventh four-way switching unit may be disposed between the eleventh port, the eleventh switching unit, and the twelfth switching unit to adjust an impedance of the eleventh port, or the twelfth port and the twenty-first switching unit. And a twelfth impedance part disposed between the twenty-second switching part to adjust the impedance of the twelfth port, or between the twenty-first port and the eleventh switching part and the twenty-first switching part to adjust the impedance of the twenty-first port. And a twenty-first impedance unit or a twenty-second impedance unit disposed between the twenty-second port, the twenty-second switching unit, and the twelfth switching unit to adjust the impedance of the twenty-second port.
전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제11기준부;
전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제1감쇄부;
입력되는 전기 신호를 상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로 전달하는 제11입출력부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제12기준부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제12감쇄부;
상기 제11기준부나 상기 제1감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로 전달하는 제11포웨이 스위칭부;
상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제13기준부;
상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제3감쇄부;
상기 제12기준부나 상기 제2감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로 전달하는 제12포웨이 스위칭부;
상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제14기준부;
상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제4감쇄부;
상기 제13기준부나 상기 제3감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로 전달하는 제13포웨이 스위칭부;
상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 크기 감쇄 없이 전달하는 제15기준부;
상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 소정의 크기만큼 감쇄하여 전달하는 제5감쇄부;
상기 제14기준부나 상기 제4감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 상기 제15기준부나 상기 제5감쇄부로 전달하는 제14포웨이 스위칭부; 및
상기 제15기준부나 상기 제5감쇄부로부터 전달되는 전기 신호를 출력하는 제12입출력부를 포함하는 양방향 분산 감쇄 장치.
An eleventh reference unit which transmits the transmitted electric signal without magnitude attenuation;
A first attenuator for attenuating and transmitting the transmitted electric signal by a predetermined size;
An eleventh input / output unit configured to transfer an input electrical signal to the eleventh reference unit or the first attenuator;
A twelfth reference part which transmits the electric signal transmitted from the eleventh reference part or the first attenuation part without magnitude attenuation;
A twelfth attenuator which attenuates and transmits an electric signal transmitted from the eleventh reference part or the first attenuator by a predetermined size;
An eleventh four-way switching unit configured to transfer an electrical signal transmitted from the eleventh reference unit or the first attenuator to the twelfth reference unit or the second attenuator;
A thirteenth reference unit which transmits the electric signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuation unit without magnitude attenuation;
A third attenuator configured to attenuate and transmit an electric signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuator by a predetermined size;
A twelfth four-way switching unit which transmits an electrical signal transmitted from the twelfth reference unit or the second attenuator to the thirteenth reference unit or the third attenuator;
A fourteenth reference unit which transmits the electric signal transmitted from the thirteenth reference unit or the third attenuation unit without magnitude attenuation;
A fourth attenuator for attenuating and transmitting an electric signal transmitted from the thirteenth reference unit or the third attenuator by a predetermined size;
A thirteenth four-way switching unit which transmits an electrical signal transmitted from the thirteenth reference unit or the third attenuator to the fourteenth reference unit or the fourth attenuator;
A fifteenth reference unit which transmits an electric signal transmitted from the fourteenth reference unit or the fourth attenuation unit without magnitude attenuation;
A fifth attenuator configured to attenuate and transmit an electric signal transmitted from the fourteenth reference part or the fourth attenuator by a predetermined size;
A fourteenth four-way switching unit which transmits an electrical signal transmitted from the fourteenth reference unit or the fourth attenuator to the fifteenth reference unit or the fifth attenuator; And
And a twelfth input and output unit configured to output an electrical signal transmitted from the fifteenth reference unit or the fifth attenuator.
제 7 항에 있어서,
상기 제1감쇄부 내지 제5감쇄부 중 어느 하나는 제11저항 내지 제13저항이 T 형상으로 구성되는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 7, wherein
Any one of the first to fifth attenuators includes an eleventh to thirteenth resistors having a T shape.
제 7 항에 있어서,
상기 제1감쇄부 내지 제5감쇄부 중 어느 하나는
제21저항;
상기 제21저항의 일측과 접지 사이에 연결되는 제22저항; 및
상기 제21저항의 다른측과 접지 사이에 연결되는 제23저항을 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 7, wherein
Any one of the first to fifth attenuator
21st resistance;
A twenty-second resistor connected between one side of the twenty-first resistor and a ground; And
And a twenty-third resistor connected between the other side of the twenty-first resistor and a ground.
제 7 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나는
제11포트와 제21포트사이에 연결되는 제1모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제1모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제11스위칭부;
상기 제11포트와 제22포트사이에 연결되는 제2모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제2모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제12스위칭부;
제12포트와 상기 제21포트사이에 연결되는 제3모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제3모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 제21스위칭부; 및
상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 연결되는 제4모스트랜지스터를 포함하며, 상기 제4모스트랜지스터가 턴온되는 경우에 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 제22스위칭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 양방향 분산 감쇄 장치.
The method of claim 7, wherein
Any one of the eleventh four-way switching unit and the fourteenth four-way switching unit
An eleventh switching unit including a first MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-first port, and transferring an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port when the first MOS transistor is turned on;
A twelfth switching part including a second MOS transistor connected between the eleventh port and the twenty-second port and transferring an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port when the second MOS transistor is turned on; ;
And a third MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-first port, wherein the twenty-first switching unit transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port when the third MOS transistor is turned on. ; And
A twenty-second switching device comprising a fourth MOS transistor connected between the twelfth port and the twenty-second port, and transferring an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port when the fourth MOS transistor is turned on; Bidirectional distributed attenuation device comprising a portion.
제 10 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나는
상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 상기 제2모스트랜지스터의 드레인에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제21포트와 상기 제12포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제1모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키는 제11접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 상기 제3모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제3모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제12접지부나, 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 상기 제1모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제4모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제2모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제22포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제3모스트랜지스터의 드레인과 접지를 연결시키거나 상기 제1모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제21접지부나, 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 상기 제2모스트랜지스터의 소스에 연결되며 상기 제1모스트랜지스터가 상기 제11포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우나 상기 제3모스트랜지스터가 상기 제12포트와 상기 제21포트사이에 전기 신호를 전달하는 경우에 상기 제4모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키거나 상기 제2모스트랜지스터의 소스와 접지를 연결시키는 제22접지부를 더 포함하는 것을 특징으로 양방향 분산 감쇄 장치.
11. The method of claim 10,
Any one of the eleventh four-way switching unit and the fourteenth four-way switching unit
The fourth MOS transistor is connected to the drain of the first MOS transistor and the drain of the second MOS transistor, and the fourth MOS transistor transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port, or the third MOS transistor is connected to the drain of the second MOS transistor. An eleventh ground portion connecting the drain and ground of the first MOS transistor or the drain and ground of the second MOS transistor when the electrical signal is transferred between the 21 port and the twelfth port, or the fourth MOS Connected to a drain of a transistor and a source of the third MOS transistor, wherein the first MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port, or the second MOS transistor is connected to the eleventh port and the When the electrical signal is transferred between the 22nd port, the drain and the ground of the fourth MOS transistor are connected or the third MOS transistor is connected. 12th ground portion connecting the source and the ground of the capacitor, or the drain of the third MOS transistor and the source of the first MOS transistor, and the fourth MOS transistor is an electrical signal between the twelfth port and the twenty-second port. Or when the second MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-second port, connects the drain and ground of the third MOS transistor, or the source of the first MOS transistor. A 21st ground portion connecting a ground or a source of the fourth MOS transistor and a source of the second MOS transistor, and the first MOS transistor transfers an electrical signal between the eleventh port and the twenty-first port. Or when the third MOS transistor transfers an electrical signal between the twelfth port and the twenty-first port, the third MOS transistor contacts the source of the fourth MOS transistor. To connect the ground of claim 22 or more bi-directional distributed damping device characterized in that it includes a connection to the source and ground of the second MOS transistor.
제 10 항에 있어서,
상기 제11포웨이 스위칭부 내지 제14포웨이 스위칭부 중 어느 하나는
상기 제11포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제11포트의 임피던스를 조절하는 제11임피던스부나, 상기 제12포트와 상기 제21스위칭부 및 상기 제22스위칭부사이에 배치되어 상기 제12포트의 임피던스를 조절하는 제12임피던스부나, 상기 제21포트와 상기 제11스위칭부 및 상기 제21스위칭부사이에 배치되어 상기 제21포트의 임피던스를 조절하는 제21임피던스부나, 상기 제22포트와 상기 제22스위칭부 및 상기 제12스위칭부사이에 배치되어 상기 제22포트의 임피던스를 조절하는 제22임피던스부를 더 포함하는 것을 특징으로 양방향 분산 감쇄 장치.11. The method of claim 10,
Any one of the eleventh four-way switching unit and the fourteenth four-way switching unit
An eleventh impedance part disposed between the eleventh port, the eleventh switching part, and the twelfth switching part to adjust the impedance of the eleventh port, or between the twelfth port, the twenty-first switching part, and the twenty-second switching part; A twelfth impedance part disposed to adjust the impedance of the twelfth port, or a twenty-first impedance part disposed between the twenty-first port, the eleventh switching part, and the twenty-first switching part to adjust the impedance of the twenty-first port, or And a twenty-second impedance unit disposed between the twenty-second port, the twenty-second switching unit, and the twelfth switching unit to adjust the impedance of the twenty-second port.
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Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173868A (en) 2004-12-14 2006-06-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Variable attenuator
KR100648833B1 (en) 2005-09-14 2006-11-24 한국전자통신연구원 Digital attenuating apparatus having ultra broadband and excellent attenuation characteristics
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