KR101157959B1 - Liquid Crystal Display Device - Google Patents

Liquid Crystal Display Device Download PDF

Info

Publication number
KR101157959B1
KR101157959B1 KR1020050134414A KR20050134414A KR101157959B1 KR 101157959 B1 KR101157959 B1 KR 101157959B1 KR 1020050134414 A KR1020050134414 A KR 1020050134414A KR 20050134414 A KR20050134414 A KR 20050134414A KR 101157959 B1 KR101157959 B1 KR 101157959B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive substrate
gate
liquid crystal
crystal display
display device
Prior art date
Application number
KR1020050134414A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070071186A (en
Inventor
백승한
김창동
서현식
김경록
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020050134414A priority Critical patent/KR101157959B1/en
Publication of KR20070071186A publication Critical patent/KR20070071186A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101157959B1 publication Critical patent/KR101157959B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

본 발명은 전도성 기판; 상기 전도성 기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 서로 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전도성 기판이 접지된 것을 특징으로 하는 액정표시소자에 관한 것으로서,The present invention is a conductive substrate; An insulating layer formed on the conductive substrate; Gate wiring and data wiring crossing the insulating layer vertically and horizontally with each other to define a pixel region; A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; And a pixel electrode connected to the thin film transistor, wherein the conductive substrate is grounded.

본 발명에 따르면, 전도성 기판을 접지시킴으로써, 전도성 기판과 게이트 전극 사이에 불필요하게 발생되는 기생 커패시턴스를 제거하여 화면의 화질 향상을 얻을 수 있다.According to the present invention, by grounding the conductive substrate, the parasitic capacitance generated between the conductive substrate and the gate electrode can be eliminated, thereby improving image quality of the screen.

Description

액정표시소자{Liquid Crystal Display Device}Liquid Crystal Display Device

도 1a 내지 도 1b는 종래 기술에 따른 액정표시소자의 하부기판을 개략적으로 도시한 평면도 및 A-A'라인의 단면도이다.1A to 1B are plan views schematically illustrating a lower substrate of a liquid crystal display device according to the related art and a cross sectional view taken along line A-A '.

도 2a 내지 도 2b는 본 발명에 따른 액정표시소자의 하부기판을 개략적으로 도시한 평면도 및 B-B'라인의 단면도이다.2A to 2B are plan views schematically illustrating the lower substrate of the liquid crystal display device according to the present invention and a cross sectional view taken along line B-B '.

<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.

100 : 게이트 배선 110 : 게이트 링크 배선100: gate wiring 110: gate link wiring

120 : 게이트 전극 150 : 게이트 구동부120: gate electrode 150: gate driver

200 : 데이터 배선 210 : 데이터 링크 배선200: data wiring 210: data link wiring

220 : 소스전극 240 : 드레인 전극220: source electrode 240: drain electrode

250 : 데이터 구동부 500 : 전도성 기판250: data driver 500: conductive substrate

600 : 게이트 절연막 650 : 절연층600: gate insulating film 650: insulating layer

700 : 보호막 700: shield

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로 보다 구체적으로는 전도성 기판을 이 용한 플렉시블(Flexible) 액정표시소자에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a flexible liquid crystal display device using a conductive substrate.

표시화면의 두께가 수 센티미터(cm)에 불과한 초박형의 평판표시소자(Flat Panel Display), 그 중에서도 액정표시소자는 동작 전압이 낮아 소비 전력이 적고 휴대용으로 쓰일 수 있는 등의 이점으로 노트북 컴퓨터, 모니터, 우주선, 항공기 등에 이르기까지 응용분야가 넓고 다양하다.Ultra-thin flat panel displays with a thickness of only a few centimeters (cm). Among them, liquid crystal displays have low operating voltages, which consume less power and can be used as portable devices. Applications range from ships to spacecraft to aircraft.

상기 액정표시소자는 유리로 된 상부기판, 하부기판 및 양 기판 사이에 형성된 액정층을 포함하여 구성된다.The liquid crystal display device includes a liquid crystal layer formed between an upper substrate, a lower substrate, and both substrates made of glass.

상기 상부기판 상에는 광이 누설되는 것을 차단하기 위한 차광층이 형성되어 있고, 상기 차광층 위에 컬러필터층이 형성되어 있으며, 상기 컬러필터층 상부에 공통전극이 형성되어 있다.A light blocking layer for blocking light leakage is formed on the upper substrate, a color filter layer is formed on the light blocking layer, and a common electrode is formed on the color filter layer.

또한, 상기 하부기판 상에는 게이트 배선, 데이터 배선, 박막트랜지스터 및 화소전극 등이 형성되어 있다.In addition, a gate wiring, a data wiring, a thin film transistor, a pixel electrode, and the like are formed on the lower substrate.

도 1a는 종래 기술에 따른 액정표시소자의 하부기판을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 1b는 A-A'라인의 단면도이다.1A is a plan view schematically illustrating a lower substrate of a liquid crystal display device according to the related art, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA ′.

도 1a에서 알 수 있듯이, 하부기판에는 서로 교차되어 화소영역을 정의하는 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(20)이 형성되어 있고, 상기 게이트 배선(10) 및 데이터 배선(20)의 교차부마다 박막트랜지스터(40)가 형성되어 있다.As can be seen in FIG. 1A, a gate wiring 10 and a data wiring 20 are formed on the lower substrate so as to cross each other to define a pixel area, and each intersection of the gate wiring 10 and the data wiring 20 is formed. The thin film transistor 40 is formed.

또한, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 하부기판(50) 상에는 상기 게이트 배선(10)에 연결된 게이트 전극(12)과, 상기 게이트 전극(12) 상부의 게이트 절연막(60)과, 상기 게이트 절연막(60) 상부의 반도체층(19)과, 상기 데이터 배선(20) 에 연결된 소스 전극(22)과 상기 소스 전극(22)으로부터 일정간격 이격되어 화소전극(30)에 연결된 드레인 전극(24)이 형성된다.As shown in FIG. 1B, a gate electrode 12 connected to the gate line 10, a gate insulating layer 60 on the gate electrode 12, and a gate insulating layer (on the lower substrate 50) are disposed on the lower substrate 50. 60, the semiconductor layer 19 on the upper portion, the source electrode 22 connected to the data line 20, and the drain electrode 24 connected to the pixel electrode 30 spaced apart from the source electrode 22 by a predetermined distance are formed. do.

상기 화소전극(30)은 투명한 전도성 물질로 이루어져 있으며, 보호막(70)을 관통하는 콘택홀(26)을 통해 상기 박막트랜지스터(40)의 드레인 전극(24)과 연결된다.The pixel electrode 30 is made of a transparent conductive material and is connected to the drain electrode 24 of the thin film transistor 40 through a contact hole 26 penetrating through the passivation layer 70.

여기서 상기 게이트 배선(10)은 박막트랜지스터(40)의 게이트 전극(12)에 게이트 신호를 공급하고, 상기 데이터 배선(20)은 박막트랜지스터(40)의 드레인 전극(24)을 통해 화소전극(30)에 화소신호를 공급한다.The gate line 10 supplies a gate signal to the gate electrode 12 of the thin film transistor 40, and the data line 20 passes through the drain electrode 24 of the thin film transistor 40. Supply a pixel signal.

또한, 상기 박막트랜지스터(40)는 게이트 배선(10)의 게이트 신호에 응답하여 데이터 배선(20)의 화소신호가 화소전극(30)에 충전되어 유지되게 한다.In addition, the thin film transistor 40 keeps the pixel signal of the data line 20 charged and maintained in the pixel electrode 30 in response to the gate signal of the gate line 10.

최근의 정보화 사회에서 디스플레이는 시각정보 전달매체로서 그 중요성이 한층 더 강조되고 있으며, 향후 주요한 위치를 점하기 위해서는 저소비전력화, 경량화, 박형화, 고화질화 등의 요건을 충족시켜야 한다.In today's information society, the importance of display is more important as a visual information transmission medium. In order to occupy a major position in the future, it is necessary to satisfy requirements such as low power consumption, light weight, thinness, and high quality.

종래 기술에 따른 상기 액정표시소자는 상기 상부기판 및 하부기판으로 투명하고 높은 온도에 민감하지 않은 유리기판을 많이 이용하고 있으나, 상기 유리기판은 내구성에 문제가 있고, 경량화, 박형화에 한계가 있다.The liquid crystal display device according to the related art uses a glass substrate which is transparent and insensitive to high temperature as the upper substrate and the lower substrate, but the glass substrate has a problem in durability, and there is a limit in weight reduction and thinning.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로,SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems,

본 발명의 목적은 전도성 기판을 이용하고 이를 접지시킴으로써, 접거나 말아도 손상되지 않고, 종래의 액정표시소자보다 얇고 가벼우며, 기생 커패시턴스를 제거하여 고화질을 구현한 액정표시소자를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device using a conductive substrate and grounded, which is not damaged even when folded or rolled, is thinner and lighter than a conventional liquid crystal display device, and eliminates parasitic capacitance.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 전도성 기판; 상기 전도성 기판 상에 형성된 절연층; 상기 절연층 상에 서로 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터; 및 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극을 포함하여 이루어지고, 상기 전도성 기판이 접지된 것을 특징으로 하는 액정표시소자를 제공한다.The present invention to achieve the above object, a conductive substrate; An insulating layer formed on the conductive substrate; Gate wiring and data wiring crossing the insulating layer vertically and horizontally with each other to define a pixel region; A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; And a pixel electrode connected to the thin film transistor, and the conductive substrate is grounded.

본 발명의 첫 번째 특징은 전도성 기판을 사용함으로써, 종이처럼 접거나 말아도 손상되지 않는 플렉시블 액정표시소자를 제공하는 데 있다.The first aspect of the present invention is to provide a flexible liquid crystal display device which is not damaged even when folded or rolled like a paper by using a conductive substrate.

얇은 전도성 기판은 유리기판과는 달리 쉽게 휘는 성질을 가지고 있어, 플렉시블 디스플레이 제조에 기판으로 이용할 수 있기 때문이다.Unlike a glass substrate, a thin conductive substrate is easily bent, and thus can be used as a substrate for manufacturing flexible displays.

따라서 상기 전도성 기판은 금속 박막으로 이루어질 수 있다.Therefore, the conductive substrate may be formed of a metal thin film.

상기 금속 박막으로 이루어진 전도성 기판을 플렉시블 디스플레이 제조에 기판으로 이용하는 경우, 종래보다 더욱 얇고 가벼운 액정표시소자를 제조할 수 있다.When the conductive substrate made of the metal thin film is used as a substrate for manufacturing a flexible display, a thinner and lighter liquid crystal display device can be manufactured.

본 발명의 두 번째 특징은 상기 전도성 기판을 접지시킴으로써, 상기 전도성 기판 상부에 형성된 절연층으로 인해 발생하는 기생 커패시턴스를 제거하여, 고화질의 액정표시소자를 제공하는데 있다.The second aspect of the present invention is to provide a high-quality liquid crystal display device by removing the parasitic capacitance caused by the insulating layer formed on the conductive substrate by grounding the conductive substrate.

금속으로 된 게이트 전극과 상기 전도성 기판 사이에 형성된 절연층으로 인 해, 상기 게이트 전극과 상기 전도성 기판 사이에 불필요한 기생 커패시턴스가 형성되어 화질 저하가 발생한다.Due to the insulating layer formed between the gate electrode made of metal and the conductive substrate, unnecessary parasitic capacitance is formed between the gate electrode and the conductive substrate, resulting in deterioration of image quality.

상기 전도성 기판을 접지시키는 경우, 상기 전도성 기판 상에 충전될 전하가 모두 접지선을 통해 빠져나가므로, 상기 절연층으로 인해 발생하는 기생커패시턴스가 제거되어, 고화질의 화면을 얻을 수 있다.When the conductive substrate is grounded, all the charges to be charged on the conductive substrate are passed through the ground line, so that parasitic capacitance generated by the insulating layer is removed, thereby obtaining a high quality screen.

상기 접지된 전도성 기판은 게이트 구동부 또는 데이터 구동부에 포함된 드라이버 집적회로의 접지 지점에 연결되어 접지될 수 있다.The grounded conductive substrate may be connected to a ground point of a driver integrated circuit included in the gate driver or the data driver to be grounded.

또한, 상기 접지된 전도성 기판은 별도로 형성된 접지지점에 연결되어 접지될 수도 있다.In addition, the grounded conductive substrate may be grounded by being connected to a ground point formed separately.

이 때, 상기 전도성 기판 상에 형성된 절연층은 유기막과 무기막이 적층되어 형성될 수 있다.In this case, the insulating layer formed on the conductive substrate may be formed by stacking an organic layer and an inorganic layer.

상기 유기막은, 유리기판이 아닌 전도성 기판을 이용하더라도 상기 게이트 전극이 올바르게 작동하도록 하기 위해 형성된다.The organic layer is formed to allow the gate electrode to operate properly even when using a conductive substrate instead of a glass substrate.

상기 전도성 기판 및 상기 게이트 전극이 모두 금속으로 이루어져 있어, 상기 전도성 기판 상에 바로 게이트 전극을 형성할 경우, 상기 게이트 전극이 상기 전도성 기판과 접촉되어, 상기 게이트 전극으로 들어온 게이트 신호가 상기 전도성 기판으로 누설될 수 있기 때문이다.The conductive substrate and the gate electrode are both made of metal, and when the gate electrode is directly formed on the conductive substrate, the gate electrode is in contact with the conductive substrate, and a gate signal entering the gate electrode is transferred to the conductive substrate. It may be leaked.

상기 게이트 신호가 상기 전도성 기판으로 누설될 경우, 상기 전도성 기판 자체가 게이트 전극이 될 수 있어, 게이트 전극이 올바르게 작동할 수 없다.When the gate signal leaks to the conductive substrate, the conductive substrate itself may be a gate electrode, so that the gate electrode may not operate correctly.

또한, 상기 유기막은, 상기 전도성 기판의 표면이 매끄럽지 못하여 기판 상 에 바로 게이트 전극을 형성할 수 없기 때문에, 기판의 상부를 편평하게 만들기 위해서도 필요하다.In addition, the organic film is also necessary for making the top of the substrate flat because the surface of the conductive substrate is not smooth and a gate electrode cannot be formed directly on the substrate.

상기 무기막은, 상기 유기막을 보호하기 위해 형성된다.The inorganic film is formed to protect the organic film.

상기 유기막이 열에 매우 취약하여, 상기 무기막 없이 후속공정을 진행할 경우, 상기 유기막이 손상될 수 있기 때문이다.This is because the organic film is very vulnerable to heat, and thus, the organic film may be damaged when the subsequent process is performed without the inorganic film.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a는 본 발명에 따른 액정표시소자의 하부기판을 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 2b는 B-B'라인의 단면도이다.FIG. 2A is a plan view schematically illustrating a lower substrate of a liquid crystal display according to the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line B-B '.

도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자의 하부기판(도 2b의 500) 상에 화소영역을 정의하기 위하여 일정한 간격을 갖고 일 방향으로 복수개의 게이트 배선(100)이 배열되고, 상기 게이트 배선(100)에 수직한 방향으로 일정한 간격을 갖고 복수개의 데이터 배선(200)이 배열된다.As shown in FIG. 2A, a plurality of gate lines 100 are arranged in one direction at regular intervals to define a pixel region on a lower substrate 500 of the liquid crystal display according to the present invention. The plurality of data lines 200 are arranged at regular intervals in a direction perpendicular to the gate lines 100.

그리고 상기 게이트 배선(100)과 데이터 배선(200)이 교차되어 정의된 각 화소영역에는 매트릭스 형태로 형성되는 화소전극(300)과, 상기 게이트 배선(100)의 신호에 의해 스위칭되어 상기 데이터 배선(200)의 신호를 상기 각 화소전극(300)에 전달하는 복수개의 박막트랜지스터(400)가 형성된다.Each pixel region defined by crossing the gate line 100 and the data line 200 is switched by a pixel electrode 300 formed in a matrix form and a signal of the gate line 100 so that the data line ( A plurality of thin film transistors 400 for transmitting signals of the 200 to the pixel electrodes 300 are formed.

상기 게이트 배선(100)은 게이트 링크배선(110)을 통하여 게이트 구동부(150)와 연결되고, 상기 데이터 배선(200)은 데이터 링크배선(210)을 통하여 데이터 구동부(250)와 연결된다.The gate wiring 100 is connected to the gate driver 150 through the gate link wiring 110, and the data wiring 200 is connected to the data driver 250 through the data link wiring 210.

이 때, 상기 게이트 구동부(150) 및 데이터 구동부(250)는 드라이버 집적회로를 포함하여 구성된다.In this case, the gate driver 150 and the data driver 250 may include a driver integrated circuit.

또한, 도 2b에서 알 수 있듯이, 상기 하부기판 즉 전도성 기판(500) 상에는 절연층(650)이 형성되어 있다. 2B, an insulating layer 650 is formed on the lower substrate, that is, the conductive substrate 500.

이 때, 상기 전도성 기판(500)은 금속 박막으로 이루어져 있다.At this time, the conductive substrate 500 is made of a metal thin film.

보다 구체적으로는 스테인리스 박막으로 형성하는 것이 바람직하다.More specifically, it is preferable to form a stainless thin film.

상기 절연층은 유기막(650a)과 무기막(650b)으로 구성되어 있다.The insulating layer is composed of an organic film 650a and an inorganic film 650b.

상기 유기막(650a)은, 상기 게이트 전극(120)이 올바르게 작동하도록 하기 위해 형성된다.The organic layer 650a is formed to allow the gate electrode 120 to operate correctly.

상기 게이트 전극(120)이 상기 전도성 기판(500)과 접촉되어, 상기 게이트 전극(120)으로 들어온 게이트 신호가 상기 전도성 기판(500)으로 누설되는 것을 방지하고, 표면이 매끄럽지 못한 상기 전도성 기판(500)의 상부를 편평하게 만들기 위해 형성된다.The gate electrode 120 is in contact with the conductive substrate 500 to prevent the gate signal entering the gate electrode 120 from leaking to the conductive substrate 500, and the conductive substrate 500 whose surface is not smooth. It is formed to make the top of the flat).

상기 무기막(650b)은, 열에 매우 취약한 상기 유기막(650a)을 후속공정으로부터 보호하기 위해 형성된다.The inorganic film 650b is formed to protect the organic film 650a which is very susceptible to heat from subsequent processes.

이 때, 상기 절연막(650) 상부에 상기 게이트 배선(100)에 연결된 게이트 전극(120)이 형성되고, 상기 게이트 전극(120) 상부의 게이트 절연막(600)이 형성된다.In this case, a gate electrode 120 connected to the gate line 100 is formed on the insulating layer 650, and a gate insulating layer 600 is formed on the gate electrode 120.

또한, 상기 게이트 절연막(600) 상부에는 반도체층(190)과, 상기 데이터 배선(200)에 연결된 소스 전극(220)과 상기 소스 전극(220)으로부터 일정간격 이격되 어 화소전극(300)에 연결된 드레인 전극(240)이 형성된다.In addition, an upper portion of the gate insulating layer 600 is spaced apart from the source electrode 220 and the source electrode 220 connected to the data line 200 and the source electrode 220 to be connected to the pixel electrode 300. The drain electrode 240 is formed.

상기 화소전극(300)은 투명한 전도성 물질로 이루어져 있으며, 보호막(700)을 관통하는 콘택홀(260)을 통해 상기 박막트랜지스터(400)의 드레인 전극(240)과 연결된다.The pixel electrode 300 is made of a transparent conductive material and is connected to the drain electrode 240 of the thin film transistor 400 through a contact hole 260 penetrating through the passivation layer 700.

이 때, 전도성 기판(500)은 게이트 구동부(150) 또는 데이터 구동부(250)에 포함된 드라이버 집적회로의 접지지점과 연결된다.In this case, the conductive substrate 500 is connected to the ground point of the driver integrated circuit included in the gate driver 150 or the data driver 250.

도 3은 상기 전도성 기판이 게이트 구동부와 연결된 것을 개략적으로 도시한 단면도이다.3 is a cross-sectional view schematically illustrating that the conductive substrate is connected to a gate driver.

도 3에서 알 수 있듯이, 상기 전도성 기판(240)과 상기 게이트 구동부(150)에 포함된 게이트 드라이버 집적회로의 접지지점을 전선(800)으로 연결하면, 상기 전도성 기판(500)을 접지시킬 수 있다.As shown in FIG. 3, when the ground point of the gate driver integrated circuit included in the conductive substrate 240 and the gate driver 150 is connected to the wire 800, the conductive substrate 500 may be grounded. .

금속으로 된 게이트 전극(120)과 상기 전도성 기판(500) 사이에 형성된 절연층으로 인해, 상기 게이트 전극(120)과 상기 전도성 기판(500) 사이에 불필요한 기생 커패시턴스가 형성된다.Due to the insulating layer formed between the gate electrode 120 made of metal and the conductive substrate 500, unnecessary parasitic capacitance is formed between the gate electrode 120 and the conductive substrate 500.

기생 커패시턴스가 형성될 경우, 박막트랜지스터(400)가 올바로 작동하지 않아 화질이 저하된다.When the parasitic capacitance is formed, the thin film transistor 400 does not operate correctly, thereby deteriorating the image quality.

상기 전도성 기판(500)을 드라이버 집적회로의 접지지점과 연결하여 접지시키는 경우, 상기 전도성 기판(500) 상에 충전될 전하가 모두 접지선을 통해 빠져나가므로, 상기 절연층(650)으로 인해 발생하는 기생커패시턴스가 제거되어, 고화질의 화면을 얻을 수 있다.When the conductive substrate 500 is connected to the ground point of the driver integrated circuit to ground, all the charges to be charged on the conductive substrate 500 are discharged through the ground line, which is caused by the insulating layer 650. The parasitic capacitance is eliminated, so that a high quality screen can be obtained.

또한, 상기 전도성 기판은 게이트 구동부(150) 또는 데이터 구동부(250)에 포함된 드라이버 집적회로의 접지지점이 아니더라도, 별도로 형성된 접지지점에 연결되어 접지될 수도 있다.In addition, the conductive substrate may be grounded by being connected to a ground point formed separately, even if it is not a ground point of the driver integrated circuit included in the gate driver 150 or the data driver 250.

예를 들어, 액정표시소자가 이용될 제품의 케이스 등에 접지지점을 만들고, 제품 조립 시 패널의 기판과 케이스에 형성된 접지지점을 연결하면 된다.For example, a ground point may be made in a case of a product in which a liquid crystal display device is to be used, and a ground point formed in the case of the panel and the case may be connected.

상기 구성에 의한 본 발명에 따르면,According to the present invention,

얇은 전도성 기판을 이용함으로써, 플렉시블 액정표시소자를 제작할 수 있고, 또한 전도성 기판을 구동부에 포함된 드라이버 집적회로의 접지지점 또는 별도로 형성된 접지지점에 접지시킴으로써, 전도성 기판과 게이트 전극 사이에 불필요하게 발생되는 기생 커패시턴스를 제거하여 고화질의 액정표시소자를 제조할 수 있다.By using a thin conductive substrate, a flexible liquid crystal display device can be fabricated, and the conductive substrate is grounded to a ground point of a driver integrated circuit included in the driver or to a separately formed ground point, thereby unnecessarily generated between the conductive substrate and the gate electrode. By removing parasitic capacitance, a liquid crystal display device of high quality can be manufactured.

Claims (5)

전도성 기판;Conductive substrates; 상기 전도성 기판 상에 형성된 절연층;An insulating layer formed on the conductive substrate; 상기 절연층 상에 서로 종횡으로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선;Gate wiring and data wiring crossing the insulating layer vertically and horizontally with each other to define a pixel region; 상기 게이트 배선과 데이터 배선의 교차 영역에 형성된 박막트랜지스터; 및A thin film transistor formed at an intersection of the gate line and the data line; And 상기 박막트랜지스터와 연결된 화소전극을 포함하여 이루어지고, It comprises a pixel electrode connected to the thin film transistor, 상기 전도성 기판이 접지된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And the conductive substrate is grounded. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성 기판은 The conductive substrate is 금속 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.Liquid crystal display device comprising a metal thin film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전도성 기판 상에 형성된 절연층은The insulating layer formed on the conductive substrate 유기막과 무기막이 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.A liquid crystal display device characterized in that an organic film and an inorganic film are laminated. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접지된 전도성 기판은The grounded conductive substrate is 드라이버 집적회로의 접지 지점에 연결되어 접지된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.And a ground connected to the ground of the driver integrated circuit. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접지된 전도성 기판은The grounded conductive substrate is 별도로 형성된 접지지점에 연결되어 접지된 것을 특징으로 하는 액정표시소자.Liquid crystal display device characterized in that the ground is connected to a ground formed separately.
KR1020050134414A 2005-12-29 2005-12-29 Liquid Crystal Display Device KR101157959B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050134414A KR101157959B1 (en) 2005-12-29 2005-12-29 Liquid Crystal Display Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050134414A KR101157959B1 (en) 2005-12-29 2005-12-29 Liquid Crystal Display Device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070071186A KR20070071186A (en) 2007-07-04
KR101157959B1 true KR101157959B1 (en) 2012-06-25

Family

ID=38506361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050134414A KR101157959B1 (en) 2005-12-29 2005-12-29 Liquid Crystal Display Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101157959B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000041835A (en) * 1998-12-23 2000-07-15 김춘호 Method for implementing driving device of flat display device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000041835A (en) * 1998-12-23 2000-07-15 김춘호 Method for implementing driving device of flat display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070071186A (en) 2007-07-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10120253B2 (en) Display device
US7456909B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US10042461B2 (en) Array substrate, manufacturing and driving methods thereof, and display device
CN100454122C (en) Liquid crystal display device capable of reducing leakage current, and fabrication method thereof
KR101305071B1 (en) Array substrate and display panel having the same
US7800704B2 (en) Liquid crystal display comprising intersecting common lines
JP2018063348A (en) Liquid crystal display panel and liquid crystal display device
KR20100022762A (en) Liquid crystal display
US7885497B2 (en) TFT array substrate with storage capacitor having large capacitance and LCD panel using the same
KR20070005965A (en) Display substrate, method of manufacturing thereof and display apparatus having the same
US7746429B2 (en) Liquid crystal display panel
US20200348784A1 (en) Touch display substrate, method of manufacturing the same and display device
US7329901B2 (en) Thin-film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus
CN108873511B (en) Flat display panel and manufacturing method thereof
KR20090009630A (en) Display panel assembly and method of manufacturing for the same and display device using the same
US8796691B2 (en) System for displaying images and fabricating method thereof
US8138549B2 (en) System for displaying images
US10056496B2 (en) Display device and method of manufacturing display device
KR100473588B1 (en) array panel for liquid crystal display devices
KR20110013799A (en) Thin film transistor substrate
KR101157959B1 (en) Liquid Crystal Display Device
JP2001033822A (en) Liquid crystal display device
JP2004004526A (en) Liquid crystal display
JPH11109324A (en) Folding type liquid crystal display device
KR102022526B1 (en) Thin Film Transistor Substrate For Flat Panel Display Having Ultra-High Brightness Back Light Unit

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150528

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160530

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180515

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190515

Year of fee payment: 8