KR101134293B1 - Method of setting suction pressure of picker which picks and transfers semiconductor element - Google Patents

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Abstract

본 발명은 피커 장치의 흡입압 세팅 방법 및 이에 사용되는 장치에 관한 것으로, 샘플 소자의 휨 변형량에 따라 전기 저항값이 변화하는 전기 저항체를 장착한 샘플 소자를 준비하는 샘플 소자 준비단계와; 상기 전기 저항체를 이용하여 휘스톤 브리지 회로를 구성하는 회로구성단계와; 상기 휘스톤 브리지 회로에 전원을 인가한 상태에서, 피커 장치의 흡입구에 흡입압을 도입하여 상기 샘플 소자를 파지하는 샘플 소자 파지단계와; 상기 흡입압을 변동시키면서 상기 휘스톤 브리지 회로의 브리지 전압의 측정값을 통해 상기 샘플 소자의 변형량을 감지하여, 상기 샘플 소자가 허용하는 적정 변형량을 야기하는 부압으로 플립칩을 흡입 파지하는 흡입압을 결정하는 흡입압 결정단계를; 포함하여, 피커의 흡입구에 도입되는 흡입압의 변화에 따라 전기 저항체의 저항값의 변화량을 휘스톤 브리지 회로에 의해 높은 민감도로 감지하여, 플립칩의 범프가 맞닿는 회로 기판의 범프와 접속 안정성이 보장되는 휨 변형량의 범위 내에서 피커의 흡입구에 도입하는 흡입압을 결정함으로써, 플립칩을 흡입 파지하여 이송하는 과정에서 플립칩의 휨 변형량을 최소화하면서 플립칩을 안전하게 파지할 수 있도록 함으로써, 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에서 제작된 반도체 제품의 전기적 접속 불량을 최소화할 수 있는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법 및 이에 사용되는 장치를 제공한다.The present invention relates to a suction pressure setting method of the picker device and a device used therein, comprising: a sample device preparation step of preparing a sample device equipped with an electric resistor whose electrical resistance value changes according to the amount of bending deformation of the sample device; A circuit construction step of constructing a Wheatstone bridge circuit using the electric resistor; A sample element holding step of holding the sample element by introducing suction pressure into the suction port of the picker device while power is supplied to the Wheatstone bridge circuit; While the suction pressure is varied, the suction pressure of the sample element is sensed through a measurement value of the bridge voltage of the Wheatstone bridge circuit, and the suction pressure for suction-holding the flip chip at a negative pressure causes an appropriate deformation amount allowed by the sample device. Determining a suction pressure; Including the change in the resistance value of the electrical resistor in accordance with the change in the suction pressure introduced into the suction port of the picker with a high sensitivity by the Wheatstone bridge circuit, ensuring the bump and connection stability of the circuit board that the bumps of the flip chip contact By determining the suction pressure to be introduced into the suction port of the picker within the range of the bending deformation amount to be, the flip chip method to securely hold the flip chip while minimizing the bending deformation amount of the flip chip during the suction gripping and transport of the flip chip Provided is a suction pressure setting method of a picker device of a semiconductor device capable of minimizing electrical connection defects of a semiconductor product manufactured in a semiconductor packaging process, and an apparatus used therefor.

Description

반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법 {METHOD OF SETTING SUCTION PRESSURE OF PICKER WHICH PICKS AND TRANSFERS SEMICONDUCTOR ELEMENT}Method of setting suction pressure of picker device of semiconductor device {METHOD OF SETTING SUCTION PRESSURE OF PICKER WHICH PICKS AND TRANSFERS SEMICONDUCTOR ELEMENT}

본 발명은 플립칩 등의 반도체 소자를 흡입 파지하여 이송하는 피커 장치의 흡입압 세팅 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 반도체 소자의 이송 등에 사용되는 피커 장치의 흡입압을 적정 수준으로 유지시킴으로써, 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정 중에 범프의 상호간의 접촉을 일정하고 신뢰성있게 유지시킬 수 있도록 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a suction pressure setting method of a picker device for suction gripping and conveying a semiconductor element such as a flip chip, and more particularly, by maintaining the suction pressure of a picker device used for transferring a semiconductor element at an appropriate level. The present invention relates to a suction pressure setting method of a picker device of a semiconductor device which enables to maintain a constant and reliable contact between bumps during a semiconductor packaging process by a flip chip method.

최근 정보처리 기술의 진화에 따라 대용량의 반도체 칩이 널리 사용되고 있다.Recently, with the evolution of information processing technology, large-capacity semiconductor chips are widely used.

종래에는 단위 트랜지스터가 매트릭스 형태로 대량 형성된 반도체 칩을 와이어 본딩으로 회로 기판에 접착한 후, 칩의 주변에 설치된 다수의 전극 단자와 회로 기판의 전극 단자를 본딩 접속하여 반도체 회로와의 회로 접속을 행하였다. 그러나, 보다 대용량의 반도체 칩을 제작하기 위하여 와이어 접속을 배제하고 반도체 소자의 일면에 매트릭스 형태로 땜납 단자(또는 범프)를 설치하고, 범프가 하방을 향하도록 반도체 소자를 뒤집은 후에, 뒤집힌 반도체 소자(이를, '플립칩'이라고도 함)의 하측에 위치한 범프를 회로 기판의 단자와 용착시키는 플립칩 접합법이 널리 사용되고 있다. Conventionally, a unit transistor is bonded to a circuit board in which a large amount of semiconductor chips formed in a matrix form by wire bonding, and then a plurality of electrode terminals provided in the periphery of the chip and the electrode terminals of the circuit board are bonded to each other to perform circuit connection with the semiconductor circuit. It was. However, in order to manufacture a larger capacity semiconductor chip, a solder terminal (or bump) is provided on one surface of the semiconductor element in a matrix form without wire connection, the semiconductor element is turned upside down so that the bump faces downward, and then the inverted semiconductor element ( The flip chip bonding method for welding the bump located under the bottom of the circuit board, which is referred to as a flip chip, is widely used.

즉, 도1a에 도시된 바와 같이, 피커 장치가 매트릭스 형태의 범프(10a)를 설치한 플립칩(10)을 픽업하여, 접착 성능이 있는 플럭스가 담긴 용기에 플립칩(10)의 범프(10a)를 담가 범프(10a)의 끝단에 플럭스가 도팅(dotting)되도록 한 후에, 비전(vision)으로 플립칩(10)의 범프 패턴(10a)이 정상적인지 여부와 범프(10a) 각각에 대하여 플럭스가 적당양만큼 도팅되었는지를 검사한다. 그리고 나서, 동일한 패턴의 범프(20a)가 형성된 다른 반도체 소자또는 회로 기판(20)의 상면으로 이동한 후, 플립칩(10)의 범프 패턴(10a)을 회로 기판(20)의 범프 패턴(20a)과 정렬시키고 나서, 플립칩(10)을 하방으로 이동시켜 플립칩(10)의 범프(10a)가 플럭스에 의해 회로기판(20)의 범프(20a)와 접착되고, 이들 범프(10a, 20a)를 리플로우 공정 등에 의해 서로 용착시켜 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정을 행한다.That is, as shown in Fig. 1A, the picker device picks up the flip chip 10 provided with the bumps 10a in the form of a matrix, and bumps 10a of the flip chip 10 in a container containing flux having adhesion performance. After soaking, the flux is dotting at the end of the bump 10a, and then vision is applied to each of the bumps 10a and whether the bump pattern 10a of the flip chip 10 is normal. Check for proper amount of dots. Then, the bump pattern 10a of the flip chip 10 is moved to the bump pattern 20a of the circuit board 20 after moving to the upper surface of another semiconductor element or the circuit board 20 on which the bumps 20a of the same pattern are formed. ), The flip chip 10 is moved downward so that the bump 10a of the flip chip 10 is bonded to the bump 20a of the circuit board 20 by flux, and these bumps 10a and 20a ) Are welded to each other by a reflow process or the like to perform a semiconductor packaging process by a flip chip method.

한편, 경우에 따라서는 회로 기판(20)에는 범프가 돌출 형성되지 않고 전기적으로 접속할 수 있는 접점 형태로 형성되기도 한다. In some cases, bumps may be formed in the circuit board 20 in the form of contacts that can be electrically connected to each other without protruding bumps.

이와 같은 패키징 공정에 의하여 적층된 반도체 칩은 집적도를 높이기 위하여 반도체 소자(10)의 몸체의 두께를 얇게 제작한다. 이로 인하여, 픽업 장치가 플립칩(10)을 흡입하여 흡입구(30)에 파지시키면, 얇은 판상의 플립칩(10)은 도1b에 도시된 바와 같이 되어 흡입압(P)이 작용하는 상방으로 볼록하게 휘는 변형이 발생된다. 이 때문에, 플립칩(10)의 가장자리에 근접한 범프(10a)와 플립칩(10)의 중앙부에 위치한 범프는 서로 다른 높이에 위치한 상태로 흡입구(30)에 픽업된다. In the semiconductor chip stacked by the packaging process as described above, the thickness of the body of the semiconductor device 10 is made thin in order to increase the degree of integration. For this reason, when the pick-up apparatus sucks the flip chip 10 and grasps it in the suction port 30, the thin flip chip 10 is convex upward as the suction pressure P acts as shown in Fig. 1B. Deformation is caused. For this reason, the bump 10a close to the edge of the flip chip 10 and the bump located at the center of the flip chip 10 are picked up by the suction port 30 in a state where they are located at different heights.

이로 인하여, 플립칩(10)의 범프(10a)에 플럭스를 도팅하기 위하여 플럭스가 담긴 용기에 플립칩(10)을 살짝 담그는 과정에서, 플립칩(10)의 중앙부에 위치한 범프(10a)에는 플럭스가 충분히 도팅되지 아니하고 플립칩(10)의 가장자리에 위치한 범프(10a)에는 너무 많은 플럭스가 도팅되어, 플립칩(10)을 회로 기판(20)과 용착시키는 과정에서 중앙부의 접속 불량이 발생되는 문제점이 야기된다.Therefore, in the process of slightly dipping the flip chip 10 in a container containing the flux in order to dot the bump (10a) of the flip chip 10, the flux to the bump (10a) located in the center of the flip chip (10). Is not sufficiently doped and too much flux is applied to the bump 10a positioned at the edge of the flip chip 10, so that a poor connection of the center part occurs in the process of welding the flip chip 10 to the circuit board 20. This is caused.

그리고, 플립칩(10)을 회로 기판(20)에 용착하기 위하여 범프(10a,20a)를 상호 접촉시키는 과정에서도, 플립칩(10)의 가장자리에 근접한 범프(10a)는 기판의 범프(20a)의 간격(x)이 가깝지만, 반도체 소자(10)의 중앙부에 위치한 범프(10a)는 하방에 위치한 범프와의 간격(x')이 멀어짐에 따라, 피커 장치에 의해 이송된 플립칩(10)의 중앙부에 위치한 범프(10a)는 회로 기판(20)의 범프(20a)와 충분히 접촉하지 않게되어, 이들 범프(10a,20a)의 전기적 접속 상태에 불량이 더욱 심화되는 문제점이 발생된다. In addition, even when the bumps 10a and 20a are brought into contact with each other in order to deposit the flip chip 10 on the circuit board 20, the bumps 10a proximate to the edges of the flip chip 10 are the bumps 20a of the substrate. Although the distance (x) is close, the bump (10a) located in the center portion of the semiconductor element 10 has a distance (x ') with the bump located below, the distance of the flip chip 10 transferred by the picker device The bump 10a located at the center portion thereof is not sufficiently in contact with the bump 20a of the circuit board 20, thereby causing a problem in that the defect is further deepened in the electrical connection state of the bumps 10a and 20a.

이와 같음에도 불구하고, 종래에는 피커 장치에 의해 이송되는 플립칩(10)의 휨 변형을 정확히 제어하지 못함에 따라, 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에 의해 제작된 반도체 칩의 접속 불량이 발생되어 불량률이 높아지는 원인을 방치해온 문제점이 있었다.
Despite this, conventionally, since the bending deformation of the flip chip 10 carried by the picker device cannot be accurately controlled, connection defects of the semiconductor chip manufactured by the semiconductor packaging process by the flip chip method are generated. There has been a problem that has left the cause of the failure rate increases.

본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 플립칩을 흡입 파지하여 이송하는 과정에서 흡입압에 의한 플립칩의 휨 변형량을 최소화하면서 플립칩을 놓치지 않고 안전하게 파지하는 흡입압으로 정확하게 제어할 수 있는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. In order to solve the above problems, the present invention can accurately control the suction pressure to safely grip the flip chip without minimizing the amount of deflection of the flip chip due to the suction pressure during the suction and transfer of the flip chip. It is an object of the present invention to provide a suction pressure setting method of a picker device of a semiconductor element.

이를 통해, 본 발명은 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에서 제작된 반도체 칩의 전기적 접속 불량을 최소화하는 것을 목적으로 한다.
Through this, an object of the present invention is to minimize the electrical connection failure of the semiconductor chip produced in the semiconductor packaging process by the flip chip method.

본 발명은 상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 샘플 소자의 휨 변형량에 따라 전기 저항값이 변화하는 전기 저항체를 장착한 샘플 소자를 준비하는 샘플 소자 준비단계와; 상기 전기 저항체를 이용하여 휘스톤 브리지 회로를 구성하는 회로구성단계와; 상기 휘스톤 브리지 회로에 전원을 인가한 상태에서, 피커 장치의 흡입구에 흡입압을 도입하여 상기 샘플 소자를 파지하는 샘플 소자 파지단계와; 상기 흡입압을 변동시키면서 상기 휘스톤 브리지 회로의 브리지 전압의 측정값을 통해 상기 샘플 소자의 변형량을 감지하여, 상기 샘플 소자가 허용하는 적정 변형량을 야기하는 부압으로 플립칩을 흡입 파지하는 흡입압을 결정하는 흡입압 결정단계를; 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a sample device preparation step of preparing a sample device equipped with an electric resistor whose electrical resistance changes in accordance with the amount of deflection of the sample device; A circuit construction step of constructing a Wheatstone bridge circuit using the electric resistor; A sample element holding step of holding the sample element by introducing suction pressure into the suction port of the picker device while power is supplied to the Wheatstone bridge circuit; While the suction pressure is varied, the suction pressure of the sample element is sensed through a measurement value of the bridge voltage of the Wheatstone bridge circuit, and the suction pressure for suction-holding the flip chip at a negative pressure causes an appropriate deformation amount allowed by the sample device. Determining a suction pressure; It provides a suction pressure setting method of the picker device of a semiconductor device comprising a.

즉, 본 발명은 샘플 소자의 휨 변형량에 따라 전기 저항값이 변화하는 전기 저항체를 장착하여, 피커의 흡입구에 도입되는 흡입압의 변화에 따라 전기 저항체의 저항값의 변화량을 휘스톤 브리지 회로에 의해 높은 민감도로 감지하여, 플립칩의 범프가 맞닿는 회로 기판 또는 이미 스태킹(stacking)된 다른 플립칩(이하, 이들을 통칭하여 '회로 기판'이라고 함)의 범프와의 전기적 접속 안정성이 보장되는 휨 변형 범위 내에서 피커 장치의 흡입압을 결정하여 플립칩을 흡입 파지할 수 있도록 함으로써, 플립칩의 이송 과정에서 플립칩의 휨 변형량을 최소화하면서 플립칩을 놓치지 않고 안전하게 파지며 이송하는 것을 가능하게 한다. 이를 통해, 본 발명은 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에서 제작된 반도체 칩의 전기적 접속 불량을 최소화할 수 있게 된다.That is, the present invention is equipped with an electrical resistor that the electrical resistance value changes in accordance with the amount of bending deformation of the sample element, and the change amount of the resistance value of the electrical resistor by the Wheatstone bridge circuit in accordance with the change of the suction pressure introduced into the suction port of the picker Sensing with high sensitivity, the bending deformation range ensures the electrical connection stability of the bumps of the flip chip bumps to the bumps of the circuit board or other flip chip already stacked (hereinafter referred to as the 'circuit board'). By determining the suction pressure of the picker device to allow the suction of the flip chip, it is possible to safely grasp and transfer the flip chip without minimizing the amount of deflection of the flip chip during the transfer of the flip chip. Through this, the present invention can minimize the electrical connection failure of the semiconductor chip fabricated in the semiconductor packaging process by the flip chip method.

이 때, 전기 저항체는 샘플 소자에 부착될 수도 있지만, 샘플 소자의 미세한 휨 변형량이 민감하게 감지될 수 있도록 전기 저항체는 샘플 소자에 일체로 형성되는 것이 보다 효과적이다. At this time, the electrical resistor may be attached to the sample device, but it is more effective that the electrical resistor is formed integrally with the sample device so that the minute amount of bending deformation of the sample device can be sensed sensitively.

그리고, 상기 전기 저항체는 샘플 소자의 어느 일방향으로의 휨 변형을 감지하는 방향으로 배열될 수도 있지만, 샘플 소자의 2개 이상의 방향으로의 휨 변형을 감지하도록 배열될 수도 있다. In addition, the electrical resistor may be arranged in a direction of detecting bending deformation in one direction of the sample element, but may be arranged to detect bending deformation in two or more directions of the sample element.

또한, 보다 높은 정확도로 샘플 소자의 미세한 휨 변형량을 감지할 수 있도록 전기 저항체가 샘플 소자에 다수로 형성되어, 이들로 하프 브리지 또는 풀 브리지의 휘스톤 브리지를 형성할 수도 있다.
In addition, a plurality of electrical resistors may be formed in the sample element to detect minute bending deformation amount of the sample element with higher accuracy, thereby forming a half bridge or full bridge Wheatstone bridge.

그리고, 상기 샘플 소자 준비단계에서 준비되는 상기 샘플 소자는 실제 플립칩 공정에서 픽업되는 플립칩의 크기, 재료, 두께 등을 동일하게 제작함으로써, 실제 플립칩 공정에서 픽업된 상태로 이송되는 플립칩의 휨 강성과 동일하게 제작됨으로써, 별도의 연산이나 보정(compensation)없이 안정된 파지력을 보장하면서 반도체 소자의 휨 변형량을 최소화하는 흡입압으로 세팅하는 것을 간편하게 행할 수 있다.
In addition, the sample device prepared in the sample device preparation step is manufactured by the same size, material, thickness, etc. of the flip chip picked up in the actual flip chip process, the flip chip transferred in the pick-up state in the actual flip chip process By being manufactured in the same way as the bending stiffness, it is possible to conveniently set the suction pressure to minimize the amount of bending deformation of the semiconductor element while ensuring a stable gripping force without additional calculation or compensation.

한편, 피커 장치에 의해 이송되는 플립칩은 그 크기가 매우 작으므로 스트레인 게이지와 같은 센서를 표면에 부착하여 측정하는 데 제한적이다. 따라서, 상기 샘플 소자 준비단계는 상기 샘플 소자의 전기저항체는 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작되어, 이송되는 플립칩의 크기에 관계없이 스트레인 게이지를 부착하지 않고, 반도체 공정에 의한 패턴 형태로 전기 저항체를 형성하는 것이 매우 효과적이다. 이를 통해, 집적된 매우 작은 크기의 플립칩이라도 피커 장치의 흡입압을 정확하게 결정하여 안정되면서 휨변형을 최소화하는 흡입 파지를 가능하게 한다. On the other hand, since the flip chip conveyed by the picker device is very small in size, it is limited to measuring by attaching a sensor such as a strain gauge to the surface. Therefore, in the preparing of the sample device, the electrical resistor of the sample device is manufactured in a pattern form by a semiconductor process, and thus the electrical resistor is formed in a pattern form by a semiconductor process without attaching a strain gauge regardless of the size of the flip chip to be transferred. It is very effective to form. Through this, even a very small size of the integrated flip chip can accurately determine the suction pressure of the picker device to be stable while the suction gripping to minimize the bending deformation.

이 때, 상기 샘플 소자의 전기저항체를 패턴 형태로 제작하는 것은, 상기 샘플 소자의 표면에 에치 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 에치 레지스트 패턴에 의해 노출된 금속층을 선택적으로 에칭하여 이루어진다. 예를 들어, 상기 샘플 소자의 전기저항체를 패턴 형태로 제작하는 공정은 샘플 소자를 준비하는 단계와; 상기 샘플 소자의 표면에 금속층을 형성하는 단계와; 상기 금속층의 상면에 레지스트 막을 도포하는 단계와; 상기 레지스트막을 노광 및 현상하여 상기 전기 저항체와 상기 전기 저항체와 연결하는 배선이 형성되는 영역에 대응하는 부분에 금속층 상의 레지스트막을 형성하는 단계와; 상기 레지스트막을 사용하여 상기 금속층을 에칭하는 단계와; 상기 레지스트막을 제거하는 단계로 행할 수도 있다.
In this case, the electrical resistance of the sample element may be manufactured in a pattern form by forming an etch resist pattern on the surface of the sample element and selectively etching the metal layer exposed by the etch resist pattern. For example, the process of fabricating the electrical resistor of the sample device in the form of a pattern may include preparing a sample device; Forming a metal layer on a surface of the sample device; Applying a resist film on the upper surface of the metal layer; Exposing and developing the resist film to form a resist film on the metal layer in a portion corresponding to a region where the electrical resistor and the wiring connecting the electrical resistor are formed; Etching the metal layer using the resist film; The resist film may be removed.

한편, 발명의 다른 분야에 따르면, 본 발명은, 전기 저항체가 표면에 형성된 샘플 칩을 거치시키는 거치대와; 상기 샘플 소자의 상기 전기 저항체를 이용하여 구성된 휘스톤 브리지를 포함하고, 상기 휘스톤 브리지의 브리지 전압을 측정하는 샘플 소자 변형량 측정회로와; 피커 장치의 흡입구에 의해 상기 샘플 소자를 파지하도록 상기 흡입구에 변동 가능한 흡입압을 도입하는 압력 제어부를; 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 피커 장치의 흡입압 세팅 장치를 제공한다.On the other hand, according to another field of the invention, the present invention, the cradle for mounting the sample chip formed on the surface of the electrical resistor; A sample element strain measuring circuit including a Wheatstone bridge constructed by using the electrical resistor of the sample element, and measuring a bridge voltage of the Wheatstone bridge; A pressure control section for introducing a variable suction pressure to the suction port to hold the sample element by the suction port of the picker device; It provides a suction pressure setting device of the picker device, characterized in that configured to include.

이 때, 상기 압력 제어부에 의하여 상기 흡입구에 도입되는 흡입압을 변동시키면서 상기 샘플소자 변형량 측정회로로부터 상기 샘플 소자의 변형량을 수신하여, 상기 샘플 소자가 허용하는 적정 변형량을 야기하는 부압으로 플립칩을 픽업하는 상기 흡입압을 결정하는 제어 회로를 추가적으로 포함하여, 피커 장치의 흡입구에 샘플 소자를 1회 파지한 상태에서 최적의 흡입압을 자동 결정할 수 있게 된다. At this time, the pressure control unit receives the deformation amount of the sample element from the sample element strain measurement circuit while varying the suction pressure introduced to the suction port, and flips the flip chip to a negative pressure causing an appropriate amount of deformation allowed by the sample element. Further comprising a control circuit for determining the suction pressure to be picked up, it is possible to automatically determine the optimum suction pressure in the state of holding the sample element at the suction port of the picker device once.

이 때, 피커 장치의 흡입구에 도입되는 흡입압을 결정하는 데 있어서, 피커 장치가 플립칩을 흡입 파지하여 이송하는 과정에서 발생될 수 있는 요동 등의 효과를 반영할 수 있도록, 상기 흡입구로부터 상기 샘플 소자를 분리시키는 방향으로의 압력을 작용시키는 반대압력 인가부를 추가적으로 포함할 수 있다.At this time, in determining the suction pressure introduced into the suction port of the picker device, the sample from the suction port may reflect the effects of fluctuations that may occur in the process of picking and transporting the flip chip by suction. It may further include a counter pressure applying unit for applying a pressure in a direction in which the device is separated.

그리고, 상기 휘스톤 브리지는 상기 샘플 소자에 2개 이상의 전기 저항체를 포함하도록 구성되어 하프 브리지 또는 풀 브리지 형태의 휘스톤 브리지로 보다 정확한 휨 변형량을 감지할 수 있도록 한다.
In addition, the Wheatstone bridge is configured to include two or more electrical resistors in the sample device so that a more accurate bending deformation can be detected by a Wheatstone bridge of a half bridge or a full bridge type.

한편, 본 발명은, 플립칩을 파지하여 이송하는 피커 장치의 흡입압 세팅에 사용되는 샘플 소자로서, 상기 피커 장치의 흡입구에 흡입 파지된 상태에서 흡입 파지에 의한 휨 변형에 의하여 상기 흡입압에 비례하여 전기 저항값이 변동하는 전기 저항체를 장착한 것을 특징으로 하는 샘플 소자를 제공한다.On the other hand, the present invention is a sample element used for setting the suction pressure of the picker device for holding and transporting the flip chip, which is proportional to the suction pressure by the bending deformation caused by the suction gripping in the state of suction gripping at the suction port of the picker device. There is provided a sample device characterized in that it is equipped with an electric resistor whose electric resistance value fluctuates.

여기서, 상기 전기 저항체는 상기 샘플 소자에 일체로 형성되는 것이 효과적이다. 그리고, 상기 전기 저항체에는 상기 샘플 소자의 휨 변형에 부합하는 직교 방향으로 전기 저항체가 배열될 수 있다. 또한, 상기 샘플 소자는 픽업하고자 하는 소자의 휨 강성이 동일하게 제작된다. 상기 전기저항체는 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작될 수 있다.
Here, it is effective that the electrical resistor is formed integrally with the sample element. In addition, the electrical resistor may be arranged in the orthogonal direction corresponding to the bending deformation of the sample element. In addition, the sample element is manufactured in the same bending rigidity of the element to be picked up. The electrical resistor may be manufactured in a pattern form by a semiconductor process.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 샘플 소자의 휨 변형량에 따라 전기 저항값이 변화하는 전기 저항체를 장착한 샘플 소자를 준비하는 샘플 소자 준비단계와; 상기 전기 저항체를 이용하여 휘스톤 브리지 회로를 구성하는 회로구성단계와; 상기 휘스톤 브리지 회로에 전원을 인가한 상태에서, 피커 장치의 흡입구에 흡입압을 도입하여 상기 샘플 소자를 파지하는 샘플 소자 파지단계와; 상기 흡입압을 변동시키면서 상기 휘스톤 브리지 회로의 브리지 전압의 측정값을 통해 상기 샘플 소자의 변형량을 감지하여, 상기 샘플 소자가 허용하는 적정 변형량을 야기하는 부압으로 플립칩을 흡입 파지하는 흡입압을 결정하는 흡입압 결정단계를; 포함하여, 피커의 흡입구에 도입되는 흡입압의 변화에 따라 전기 저항체의 저항값의 변화량을 휘스톤 브리지 회로에 의해 높은 민감도로 감지하여, 플립칩의 범프가 맞닿는 다른 소자 또는 회로 기판의 범프와 접속 안정성이 보장되는 휨 변형량의 범위 내에서 피커의 흡입구에 도입하는 흡입압을 결정함으로써, 플립칩을 흡입 파지하여 이송하는 과정에서 플립칩의 휨 변형량을 최소화하면서 플립칩을 안전하게 파지할 수 있도록 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법을 제공한다.As described above, the present invention includes a sample device preparation step of preparing a sample device equipped with an electrical resistor whose electrical resistance value changes according to the amount of bending deformation of the sample device; A circuit construction step of constructing a Wheatstone bridge circuit using the electric resistor; A sample element holding step of holding the sample element by introducing suction pressure into the suction port of the picker device while power is supplied to the Wheatstone bridge circuit; While the suction pressure is varied, the suction pressure of the sample element is sensed through a measurement value of the bridge voltage of the Wheatstone bridge circuit, and the suction pressure for suction-holding the flip chip at a negative pressure causes an appropriate deformation amount allowed by the sample device. Determining a suction pressure; Including a change in the resistance value of the electrical resistor in accordance with the change in the suction pressure introduced into the suction port of the picker with a high sensitivity by the Wheatstone bridge circuit, connected to the bump of the circuit board or other elements that the bumps of the flip chip contact By determining the suction pressure to be introduced to the suction port of the picker within the range of the bending deformation to ensure the stability, the semiconductor to safely hold the flip chip while minimizing the bending deformation amount of the flip chip during the suction gripping and transfer of the flip chip A suction pressure setting method of a picker device of an element is provided.

이를 통해, 본 발명은 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에서 제작된 반도체 칩의 전기적 접속 불량을 최소화할 수 있게 된다.Through this, the present invention can minimize the electrical connection failure of the semiconductor chip fabricated in the semiconductor packaging process by the flip chip method.

무엇보다도, 피커 장치에 의해 이송되는 플립칩 등의 반도체 소자는 그 크기가 매우 작으므로 스트레인 게이지와 같은 센서를 표면에 부착하여 측정하는 데 제한적이므로, 본 발명은, 샘플 소자의 전기저항체는 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작되어, 반도체 소자의 크기에 관계없이 스트레인 게이지를 부착하지 않더라도, 반도체 공정에 의한 패턴 형태로 전기 저항체를 형성하여 반도체 소자의 크기에 관계없이 집적된 매우 작은 크기의 반도체 소자에 대해서도 피커 장치의 흡입압을 정확하게 결정할 수 있는 유리한 효과가 얻어진다.
First of all, since semiconductor devices such as flip chips transferred by the picker device are very small in size, they are limited to measuring by attaching sensors such as strain gauges to the surface. It is manufactured in the form of a pattern, and even if the strain gauge is not attached regardless of the size of the semiconductor element, an electrical resistor is formed in the form of the pattern by the semiconductor process to form a very small semiconductor element integrated regardless of the size of the semiconductor element. Also advantageous effects are obtained which can accurately determine the suction pressure of the picker device.

도1a은 피커 장치의 흡입구로 반도체 소자를 흡입하여 파지한 상태의 구성을 도시한 개략도
도1b는 도1a의 점선 부분의 확대도
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치의 구성으로 도시한 개략도
도3은 도2의 샘플소자 변형량 측정회로의 구성을 도시한 회로도
도4a 내지 도4c는 도2에 사용되는 샘플 소자의 구성을 도시한 도면
도5는 도4a의 절단선 V-V에 따른 단면도
도6a 및 도6b는 도2의 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치를 이용하여 흡입압을 설정하는 구성을 도시한 도면
도7은 도2의 장치를 이용하여 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법을 순차적으로 도시한 순서도Fig. 1A is a schematic diagram showing the configuration of a state in which a semiconductor element is sucked and held by a suction port of a picker device;
FIG. 1B is an enlarged view of the dotted line portion of FIG. 1A
Figure 2 is a schematic diagram showing the configuration of the suction pressure setting device of the picker device of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention
FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the sample element strain measuring circuit of FIG.
4A to 4C show the configuration of the sample element used in FIG.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the cutting line VV in FIG. 4A
6A and 6B show a configuration of setting suction pressure using the suction pressure setting device of the picker device of the semiconductor element of FIG.
FIG. 7 is a flowchart sequentially illustrating a method of setting suction pressure of a picker device of a semiconductor element using the apparatus of FIG.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치(100)를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, the suction pressure setting device 100 of the picker device of the semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid obscuring the subject matter of the present invention.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치의 구성으로 도시한 개략도, 도3은 도2의 샘플소자 변형량 측정회로의 구성을 도시한 회로도, 도4a 내지 도4c는 도2에 사용되는 샘플 소자의 구성을 도시한 도면, 도5는 도4a의 절단선 V-V에 따른 단면도이다.2 is a schematic diagram showing the configuration of the suction pressure setting device of the picker device of the semiconductor device according to one embodiment of the present invention, FIG. 3 is a circuit diagram showing the configuration of the sample element strain measuring circuit of FIG. 4C is a diagram showing the configuration of the sample element used in FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view along the cutting line VV in FIG. 4A.

도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치(100)는, 전기 저항체(R1...)가 장착된 샘플 소자(200)를 거치하는 거치대(110)와, 샘플 소자(200)에 형성된 전기 저항체(R1...)를 이용하여 구성된 휘스톤 브리지 회로의 브리지 전압으로부터 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 측정하는 휨 변형량 측정회로(120)와, 피커 장치의 흡입구(30)에 도입되는 흡입압(P)의 크기를 조절하는 흡입압 압력제어부(130)와, 흡입압 압력제어부(130)에 의하여 흡입구(30)에 도입되는 흡입압(P)을 변동시키면서 측정회로(120)로부터 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 수신하여 샘플 소자(200)가 허용하는 적정 휨 변형량을 야기하는 부압으로 반도체 소자를 픽업하는 흡입압(P)을 결정하는 제어 회로(140)와, 흡입구(30)에 파지된 샘플 소자(200)에 대하여 흡입구(30)로부터 분리시키는 방향으로 압력을 작용시키는 반대압력 인가부(150)로 구성된다.As shown in the figure, the suction pressure setting device 100 of the picker device of the semiconductor device according to an embodiment of the present invention, a cradle for mounting the sample element 200 equipped with an electric resistor (R1 ...) Bending deformation measurement circuit 120 for measuring the amount of bending deformation of the sample element 200 from the bridge voltage of the Wheatstone bridge circuit constructed by using 110 and the electrical resistor R1... Formed in the sample element 200. And a suction pressure pressure control unit 130 for adjusting the size of the suction pressure P introduced into the suction port 30 of the picker device, and a suction pressure introduced into the suction port 30 by the suction pressure pressure control unit 130 ( The suction pressure P for picking up the semiconductor element at a negative pressure causing the bending amount of the bending of the sample element 200 from the measurement circuit 120 and causing the proper bending deformation allowed by the sample element 200 while varying P) is determined. The control circuit 140 and the sample element 200 held by the suction port 30 It consists of a counter pressure applying unit 150 for applying a pressure in a direction to separate from the suction port (30).

상기 거치대(110)는 샘플 소자(200)가 피커 장치의 흡입구(30)에 의해 파지되기 이전에 샘플 소자(200)에 휨 변형량이 발생하지 않도록 거치시킨다.The holder 110 is mounted so that the amount of bending deformation does not occur in the sample element 200 before the sample element 200 is gripped by the suction port 30 of the picker device.

상기 휨 변형량 측정회로(120)는 도3에 도시된 바와 같이 샘플 소자(200)에 장착된 전기 저항체(R1...)를 이용하여 휘스톤 브리지를 구성하고, 휘스톤 브리지에 기준 전원(E)을 인가한 상태에서 샘플 소자(200)의 휨 변형량에 의해 브리지 전압(V)의 변동값을 측정하여, 이로부터 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 산출한다. 이를 위하여, 상기 휨 변형량 측정 회로(120)는 브리지 전압(V)을 측정하는 단자(121, 122)와 기준 전원(E)이 인가되는 단자(123, 124) 사이의 배선(129)에 4개의 전기저항체(R1-R4)을 서로 마주보도록 배열하고, 측정된 브리지 전압(V)을 증폭기(126)로 증폭하여 제어 회로(140)로 송신한다.As shown in FIG. 3, the bending deformation measuring circuit 120 configures a Wheatstone bridge using an electrical resistor R1... Mounted on the sample element 200, and supplies a reference power source E to the Wheatstone bridge. ), The variation value of the bridge voltage V is measured by the bending deformation amount of the sample element 200, and the bending deformation amount of the sample element 200 is calculated therefrom. To this end, the bending deformation measuring circuit 120 has four wires 129 between the terminals 121 and 122 for measuring the bridge voltage V and the terminals 123 and 124 to which the reference power source E is applied. The electrical resistors R1-R4 are arranged to face each other, and the measured bridge voltage V is amplified by the amplifier 126 and transmitted to the control circuit 140.

이 때, 휘스톤 브리지를 구성하는 4개의 전기저항체(R1-R4) 중 하나 이상의 전기 저항체가 샘플 소자(200)에 탑재된 전기 저항체로 사용된다.At this time, at least one of the four electrical resistors R1-R4 constituting the Wheatstone bridge is used as the electrical resistor mounted on the sample element 200.

즉, 샘플 소자(200)의 전기 저항체 1개로 휨 변형량 측정회로(120)의 휘스톤 브리지를 구성하여 쿼터 브리지(quarter bridge)를 구성할 수도 있고, 샘플 소자(200)의 전기 저항체 2개로 휨 변형량 측정회로(120)의 휘스톤 브리지를 구성하여 하프 브리지(half bridge)를 구성할 수도 있으며, 샘플 소자(200)의 전기 저항체 4개로 휨 변형량 측정회로(120)의 휘스톤 브리지를 구성하여 풀 브리지(full bridge)를 구성할 수도 있다. That is, a quarter bridge may be formed by forming a Wheatstone bridge of the bending deformation measuring circuit 120 with one electrical resistor of the sample device 200, or a bending bridge with two electrical resistors of the sample device 200. A half bridge may be configured by forming a Wheatstone bridge of the measuring circuit 120. A full bridge is formed by forming a Wheatstone bridge of the bending deformation measuring circuit 120 by using four electrical resistors of the sample element 200. (full bridge) can also be configured.

다만, 휘스톤 브리지를 구성하는 전기저항체는 하나의 방향으로 배열되어 브리지 전압(V)을 통해 어느 한 방향으로의 휨 변형량을 측정하는 것이 바람직하다. However, it is preferable that the electrical resistors constituting the Wheatstone bridge are arranged in one direction and measure the amount of deflection in any one direction through the bridge voltage (V).

도3에는 하나의 휘스톤 브리지를 구성하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 2개 이상의 축 방향에 대해 검출하기 위하여 2개 이상의 휘스톤 브리지를 형성할 수도 있다.
Although FIG. 3 illustrates the configuration of one Wheatstone bridge, two or more Wheatstone bridges may be formed to detect the amount of bending deformation of the sample element 200 in two or more axial directions.

상기 흡입압 압력 제어부(130)는 피커 장치의 흡입구(30)에 인가되는 흡입압(P)을 정량적으로 제어한다. The suction pressure control unit 130 quantitatively controls the suction pressure P applied to the suction port 30 of the picker device.

상기 제어 회로(140)는 휨 변형량 측정회로(130)로부터 수신된 브리지 전압(V)의 측정값을 증폭하여 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 산출한다. 이 때, 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 반도체 소자(10)의 범프(10a)가 마주보는 범프(20a)와 밀착하지 않아 전기적 접속에 방해가 될 정도로 크면, 흡입압 압력제어부(130)에 신호를 보내어 샘플 소자(200)를 파지하는 흡입압(P)을 조금씩 낮춘다. 반대로, 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 반도체 소자(10)의 범프(10a)가 마주보는 범프(20a)와 밀착할 정도로 작더라도 여분의 휨 변형량을 허용할 수 있다면, 흡입압 압력제어부(130)에 신호를 보내어 샘플 소자(200)를 파지하는 흡입압(P)을 조금씩 높힌다. The control circuit 140 amplifies the measurement value of the bridge voltage (V) received from the bending deformation measurement circuit 130 to calculate the bending deformation amount of the sample element 200. At this time, if the amount of deflection of the sample element 200 is large enough to prevent the electrical connection because the bump 10a of the semiconductor element 10 does not come into close contact with the bump 20a facing the suction element pressure control unit 130. By sending a signal, the suction pressure P holding the sample element 200 is lowered little by little. On the contrary, if the amount of deflection of the sample element 200 is small enough to be in close contact with the bump 20a of the semiconductor element 10 facing the bump 20a, the suction pressure control unit 130 may provide an extra amount of deflection. ), The suction pressure P holding the sample element 200 is increased little by little.

상기 제어 회로(140)는 이와 같은 공정을 자동으로 반복하여 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 미리 정해진 값(반도체 소자를 충분한 파지력으로 픽업할 수 있으면서 반도체 소자의 휨 변형량을 일정치 이하로 제한하는 값)에 도달하는 때의 흡입압(P)을 이송할 반도체 소자(10)의 흡입압(P)으로 결정한다.
The control circuit 140 automatically repeats such a process to limit the bending deformation amount of the sample element 200 to a predetermined value (while the semiconductor device can be picked up with a sufficient gripping force to limit the bending deformation amount of the semiconductor element to a predetermined value or less). Value is determined by the suction pressure P of the semiconductor element 10 to be transferred.

상기 반대압력 인가부(150)는 거치대(110)에 형성된 개구(151a)로부터 연장되게 연결하는 다수의 배관(151)과, 배관(151)을 선택적으로 개폐하는 개폐 밸브(152)와, 상기 배관(151)과 연통되어 개구(151a)에 흡입압을 도입하는 진공 펌프(153)로 구성된다. 반대압력 인가부(150)는 피커 장치의 흡입구(30)에 샘플 소자(200)가 픽업된 상태에서 흡입압(P)이 작용하는 방향과 반대 방향으로 샘플 소자(200)를 약한 힘으로 잡아당김으로써, 피커 장치가 반도체 소자를 이송할 때 발생되는 진동, 공기 저항 등의 성분을 작용한 상태로 제어 회로(140)에 의한 흡입압 세팅 공정을 행할 수 있도록 한다.
The counter pressure applying unit 150 includes a plurality of pipes 151 connected to extend from the opening 151a formed in the holder 110, an on / off valve 152 selectively opening and closing the pipe 151, and the pipe It consists of a vacuum pump 153 which communicates with 151 and introduces a suction pressure into the opening 151a. The counter pressure applying unit 150 pulls the sample element 200 with a weak force in a direction opposite to the direction in which the suction pressure P acts while the sample element 200 is picked up at the suction port 30 of the picker device. As a result, the suction pressure setting process by the control circuit 140 can be performed in a state where components such as vibration and air resistance, which are generated when the picker device conveys the semiconductor element, are applied.

상기 샘플 소자(200, 200', 200")는 예시적인 형태는 도4a 내지 도4c에 도시되어 있다. 샘플 소자(200, 200', 200")는 피커 장치로 이송할 반도체 소자의 휨 변형량을 정교하게 조절하는 흡입압(P)을 세팅하기 위한 것이므로, 그 몸체(210)가 실제 피커 장치가 이송할 반도체 소자(예를 들어, '플립칩')와 동일한 재질과 동일한 크기 및 형상으로 제작되어, 이송할 반도체 소자와 동일한 휨 강성을 갖도록 제작된다. 그리고, 샘플 소자(200, 200', 200")는 피커 장치의 흡입구에 파지된 상태에서 흡입압에 의한 휨 변형에 따라 전기 저항값이 변동하는 전기 저항체가 장착된다. Examples of the sample elements 200, 200 ', and 200 "are shown in Figs. 4A to 4C. The sample elements 200, 200' and 200" indicate the amount of bending deformation of the semiconductor element to be transferred to the picker device. Since it is to set the suction pressure (P) to be finely adjusted, the body 210 is made of the same material and the same size and shape as the semiconductor element (for example 'flip chip') that the actual picker device is to be transferred It is manufactured to have the same bending rigidity as that of the semiconductor element to be transferred. The sample elements 200, 200 ', and 200 "are equipped with an electric resistor whose electric resistance value changes according to the bending deformation caused by the suction pressure in the state of being held by the suction port of the picker device.

샘플 소자(200, 200', 200")에 전기 저항체(R1...)가 장착되는 배열이나 방법은 다음과 같이 행해질 수 있다. An arrangement or method in which the electrical resistors R1... Are mounted on the sample elements 200, 200 ′, 200 ″ may be performed as follows.

도4b에 도시된 바와 같이 샘플 소자의 휨 변형량에 비례하여 전기 저항값이 변동되도록 샘플 소자(200')의 표면에 스트레인 게이지(220)가 장축으로 배열되게 부착되어 형성될 수 있다. 이 때, 스트레인게이지(220)의 양단부(220a, 220b)는 휨변형량 측정회로(120)의 한 쌍의 단자(121-123, 121-124, 122-123, 122-124) 중 어느 한 쌍을 연결하는 위치에 연결되어 휘스톤 브리지를 구성한다. 이는, 반도체 소자가 흡입압(P)에 의해 변형된 상태에서는 대체로 장축으로의 휨 변형량이 단축으로의 휨 변형량보다 더 크게 나타나고, 장축으로의 휨 변형량과 단축으로의 휨 변형량은 형태에 의해 대체로 어떠한 상관관계를 구할 수 있으므로, 반도체 소자의 휨 변형량을 보다 민감하게 검출하도록 장축에 전기저항체(R1)를 장착하는 것이다. As shown in FIG. 4B, the strain gauge 220 may be formed to be attached to the surface of the sample element 200 ′ so as to be arranged in a long axis such that the electrical resistance value varies in proportion to the amount of bending deformation of the sample element. At this time, both ends 220a and 220b of the strain gauge 220 may be connected to any one of a pair of terminals 121-123, 121-124, 122-123, and 122-124 of the bending strain measurement circuit 120. It is connected to the connecting position to form a Wheatstone bridge. This means that in the state where the semiconductor element is deformed by the suction pressure P, the amount of deflection to the long axis is generally greater than the amount of deflection to the short axis, and the amount of deflection to the long axis and the amount of deflection to the short axis are largely determined by the shape. Since the correlation can be obtained, the electrical resistor R1 is attached to the long axis so as to detect the bending deformation amount of the semiconductor element more sensitively.

이를 통해, 샘플 소자(200')가 도면부호 220d로 표시된 방향으로 휘어지는 휨 변형량을 휨변형량 측정회로(120)의 브리지 전압(V)으로부터 산출할 수 있다. 도4b에는 1개의 전기저항체(R1)가 표면에 부착된 것을 예로 들었지만, 2개 또는 4개의 전기저항체가 부착될 수도 있다.
Through this, the bending deformation amount in which the sample element 200 'is bent in the direction indicated by reference numeral 220d may be calculated from the bridge voltage V of the bending deformation measurement circuit 120. Although FIG. 4B illustrates that one electrical resistor R1 is attached to the surface, two or four electrical resistors may be attached.

이와 유사하게, 도4c에 도시된 바와 같이 샘플 소자의 휨 변형량에 비례하여 전기 저항값이 변동되도록 샘플 소자(200")의 표면에 스트레인 게이지(220, 230)를 장축 방향과 단축 방향으로 각각 배열되게 부착되어 형성될 수 있다. 이 때, 장축의 스트레인게이지(220)의 양단부(220a, 220b)와 단축의 스트레인게이지(230)의 양단부(230a, 230b)는 휨변형량 측정회로(120)의 한 쌍의 단자(121-123, 121-124, 122-123, 122-124) 중 어느 한 쌍을 연결하는 위치에 각각 연결되어 휘스톤 브리지를 구성한다. 이를 통해, 샘플 소자(200")가 도면부호 220d 및 230d로 표시된 방향으로 휘어지는 각각의 휨 변형량을 휨변형량 측정회로(120)의 브리지 전압(V)으로부터 산출할 수 있다. 도4b에는 1개의 전기저항체(R1)가 표면에 부착된 것을 예로 들었지만, 2개 또는 4개의 전기저항체가 장축과 단축에 대하여 각각 부착될 수도 있다.Similarly, as shown in FIG. 4C, strain gauges 220 and 230 are arranged on the surface of the sample element 200 "in the major axis direction and the minor axis direction so that the electrical resistance value varies in proportion to the amount of bending deformation of the sample element. In this case, both ends 220a and 220b of the long gauge strain gage 220 and both ends 230a and 230b of the single axis strain gage 230 may be disposed in the deflection strain measuring circuit 120. Each of the pair of terminals 121-123, 121-124, 122-123, and 122-124 is connected to each other to form a Wheatstone bridge. The respective deflections of deflection in the directions indicated by reference numerals 220d and 230d can be calculated from the bridge voltage V of the deflection deflection measurement circuit 120. Although FIG. 4B illustrates that one electrical resistor R1 is attached to the surface, two or four electrical resistors may be attached with respect to the long axis and the short axis, respectively.

한편, 샘플 소자(200)는 도4a에 도시된 바와 같이 샘플 소자의 휨 변형량에 비례하는 전기 저항값의 변동을 야기하도록 그 표면에 전기 저항체를 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작될 수 있다. 이를 통해, 손톱만큼 작은 반도체 소자(10)를 이송하는 데 있어서 다수의 전기 저항체(R1...)를 샘플 소자(200)에 장착하는 것이 가능하며, 샘플 소자(200)의 휨 변형에 따라 함께 변화하므로 전기 저항체의 저항값 변동도 보다 정확해지는 유리한 효과가 얻어진다. Meanwhile, as illustrated in FIG. 4A, the sample device 200 may be fabricated in a pattern form by using a semiconductor process on an electrical resistor on the surface of the sample device so as to cause variation in an electrical resistance value proportional to the amount of warpage deformation of the sample device. Through this, in transferring the semiconductor element 10 as small as a fingernail, it is possible to mount a plurality of electrical resistors R1... To the sample element 200, and together with the bending deformation of the sample element 200. As a result, an advantageous effect is obtained that the resistance value variation of the electrical resistor is also more accurate.

반도체 공정에 의해 패턴 형태로 전기 저항체(R1..)를 샘플 소자(200)에 형성하는 것은 샘플 소자(200)의 측정 방향 등에 따라 마찬가지로 한 방향으로 1개, 2개, 4개가 형성될 수 있고, 서로 직교하는 2개 방향으로 각각 1개, 2개, 4개씩 형성될 수 있다. 도4a 및 도5에는 한 방향으로 4개의 전기 저항체(R1,R2,R3,R4)가 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작된 샘플 소자(200)가 도시되어 있다. Forming the electrical resistor (R1 ..) in the sample element 200 in the form of a pattern by a semiconductor process may be formed in one, two, four in the same direction according to the measurement direction of the sample element 200, etc. One, two, four may be formed in two directions perpendicular to each other. 4A and 5 illustrate a sample device 200 in which four electrical resistors R1, R2, R3, and R4 are formed in a pattern form by a semiconductor process in one direction.

도4a에 도시된 바와 같이, 대칭으로 배열된 전기 저항체(R1,R2,R3,R4), 배선(129) 및 접점(121-124)이 모두 반도체 공정에 의해 샘플 소자(200)에 일체로 형성된다. 즉, 샘플 소자(200)에 4개의 전기저항체(R1,R2,R3,R4)가 형성되어 휘스톤 브리지 회로가 형성됨에 따라, 샘플 소자(200)의 휨 변형량을 보다 정확하게 측정할 수 있으며, 각 단자(121-124)와 연결된 터미널(미도시)을 통해 기준 전압(E)을 공급하고 브리지 전압(V)을 측정하므로, 전체적인 구성이 단순화되는 잇점도 얻어진다. As shown in FIG. 4A, the symmetrically arranged electrical resistors R1, R2, R3, R4, the wiring 129, and the contacts 121-124 are all formed integrally on the sample element 200 by a semiconductor process. do. That is, as four electrical resistors R1, R2, R3, and R4 are formed on the sample element 200 to form a Wheatstone bridge circuit, the amount of bending deformation of the sample element 200 may be more accurately measured. Since the reference voltage E is supplied and the bridge voltage V is measured through a terminal (not shown) connected to the terminals 121-124, an advantage of simplifying the overall configuration is also obtained.

이와 같이 반도체 공정에 의해 샘플 소자(200)에 전기저항체(R1,R2,R3,R4) 등을 형성하는 공정은 널리 알려진 다양한 방식에 의해 행해질 수 있다. 예를 들어, 도5에 도시된 바와 같이, 반도체 소자와 동일한 재질의 샘플 몸체(211)를 준비한 후, 샘플 몸체(210)의 표면에 금속층을 형성하고, 금속층의 상면에 감광액인 레지스트를 도포한 후, 레지스트막을 노광 및 현상하여 전기 저항체(R1,R2,R3,R4), 배선(129) 및 접점(121-124)을 형성하는 영역에 대응하는 부분에 금속층 상의 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 마스크를 사용하여 상기 금속층을 에칭한다. 그리고나서, 상기 레지스트막을 제거하면 샘플 몸체(2110)의 표면에 전기저항체(R1,R2,R3,R4) 및 배선(129) 등을 패턴 형태로 형성할 수 있게 된다. 그리고나서,패턴형태로 제작된 전기저항체(R1,R2,R3,R4) 및 배선(129)을 감싸는 수지층(212)을 형성한 후, 선택적으로 보호막(213)을 도포하여 전기저항체(R1,R2,R3,R4) 및 배선(129) 등이 반도체 공정에 의해 미세한 패턴 형태로 제작하는 것이 가능해진다. As such, the process of forming the electrical resistors R1, R2, R3, and R4 in the sample element 200 by the semiconductor process may be performed by various well-known methods. For example, as shown in FIG. 5, after preparing the sample body 211 of the same material as the semiconductor device, a metal layer is formed on the surface of the sample body 210, and a resist, which is a photosensitive liquid, is coated on the upper surface of the metal layer. Thereafter, a resist film is exposed and developed to form a resist film on the metal layer in a portion corresponding to a region where the electrical resistors R1, R2, R3, R4, the wiring 129, and the contacts 121-124 are formed, and the resist film is formed. The metal layer is etched using a mask. Then, when the resist film is removed, the electrical resistors R1, R2, R3, and R4, the wiring 129, and the like may be formed on the surface of the sample body 2110 in a pattern form. Then, after forming the resin layer 212 surrounding the electrical resistors (R1, R2, R3, R4) and the wiring 129 manufactured in a pattern form, and selectively applying a protective film 213 to the electrical resistors R1, R2, R3, R4, wiring 129 and the like can be produced in a fine pattern form by a semiconductor process.

여기서, 샘플 몸체(211)는 일반적으로 비도전성 재질로 형성되므로 금속층과 샘플 몸체(211)의 사이에 절연막을 도포하지 않아도 무방하지만, 샘플 몸체(211)가 도전성 재질로 형성되는 경우나 보다 안정적인 브리지 전압(V)을 얻기 위한 경우에는 샘플 몸체(211)의 표면에 절연막이 도포되는 공정이 부가될 수도 있다.
Here, since the sample body 211 is generally formed of a non-conductive material, it is not necessary to apply an insulating film between the metal layer and the sample body 211, but the sample body 211 is formed of a conductive material or a more stable bridge. In order to obtain the voltage V, a process of applying an insulating film to the surface of the sample body 211 may be added.

상기와 같이 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치(100)를 이용하여 피커 장치의 흡입압을 세팅하는 방법(S100)은 다음과 같다.
Method (S100) of setting the suction pressure of the picker device by using the suction pressure setting device 100 of the picker device of the semiconductor device configured as described above is as follows.

단계 1 : 도4a 내지 도5에 도시된 바와 같이, 샘플 소자(200...)의 휨 변형량에 따라 전기저항값이 변동하는 전기 저항체(R1..)를 장착한 샘플 소자(200...)를 준비하여, 거치대(110)위에 거치시킨다(S110).
Step 1 : As shown in Figs. 4A to 5, the sample element 200 ... equipped with an electric resistor R1 .. whose electrical resistance value varies depending on the amount of deflection of the sample element 200 ... ) To prepare, mounted on the cradle 110 (S110).

단계 2: 그리고 나서, 샘플 소자(200...)에 일체로 형성되거나 부착된 전기 저항체(R1...)를 이용하여 도3의 휘스톤 브리지를 구성한다(S120). 이 때, 신호처리를 간단하게 행할 수 있도록 휘스톤 브리지를 구성하는 4개의 전기 저항값은 모두 동일한 값으로 정해진다.
Step 2 : Then, the Wheatstone bridge of FIG. 3 is constructed using the electrical resistors R1... Integrally formed or attached to the sample element 200. At this time, all four electrical resistance values constituting the Wheatstone bridge are set to the same value so that signal processing can be easily performed.

단계 3: 그 다음, 휘스톤 브리지 회로에 기준 전원(E)을 인가하고, 브리지 전압(V)을 측정할 수 있도록 단자(121, 123)에 전압계를 연결 설치한다. 그리고, 도6a에 도시된 바와 같이, 흡입압 압력제어부(120)를 30d로 표시된 하방으로 이동시키고, 피커 장치의 흡입구(30)에 흡입압(P)을 인가하여 샘플 소자(200)를 흡입 파지한다(S130).
Step 3 : Then, the reference power source E is applied to the Wheatstone bridge circuit, and a voltmeter is connected to the terminals 121 and 123 so as to measure the bridge voltage V. And, as shown in Figure 6a, the suction pressure control unit 120 is moved to the lower side shown by 30d, the suction pressure (P) is applied to the suction port 30 of the picker device to hold the sample element 200 suction gripping (S130).

단계 4: 이 때, 샘플 소자(200)는 흡입구(30)에 파지되면서 흡입압(P)에 의해 중앙부가 상방으로 볼록해지는 휨 변형이 발생된다. 이로 인하여, 샘플 소자(200)에 장착된 전기 저항체(R1...)의 저항값이 변동되고, 저항값의 변동에 의해 휨변형량 측정회로(120)의 브리지 전압차(V)도 변동되어, 증폭기(126)에 의해 증폭된 브리지 전압차(V)로부터 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 감지된다(S140).
Step 4 : At this time, while the sample element 200 is gripped by the suction port 30, a bending deformation in which the central portion is convex upward by the suction pressure P is generated. For this reason, the resistance value of the electrical resistor R1... Mounted on the sample element 200 is varied, and the bridge voltage difference V of the bending strain measuring circuit 120 is also varied by the variation of the resistance value. The amount of bending deformation of the sample element 200 is detected from the bridge voltage difference V amplified by the amplifier 126 (S140).

이와 동시에, 반대압력 인가부(150)에 의하여 샘플 소자(200)를 하방으로 잡아당기는 반대압력(P')이 미세하게 작용된다. 이 반대 압력(P')은 피커 장치가 반도체 소자를 픽업한 상태로 이송하는 과정에서의 공기 저항이나 장치의 진동 등에 의해 반도체 소자를 파지하는 힘을 상쇄시키는 역할을 한다. 따라서, 반대압력(P')이 인가된 상태에서 반도체 소자(10)를 픽업하는 흡입압(P)을 결정함에 따라, 샘플 소자(200)를 통해 반도체 소자(10)를 파지하는 흡입압(P)을 결정하더라도, 반도체 소자(10)를 실제로 이송하는 과정에서 발생되는 다양한 변수를 반영할 수 있다.
At the same time, the counter pressure P 'that pulls the sample element 200 downward by the counter pressure applying unit 150 acts finely. This counter pressure P 'cancels the force holding the semiconductor element due to air resistance, vibration of the device, or the like during the picker device conveying the semiconductor element in a pickup state. Therefore, as the suction pressure P for picking up the semiconductor element 10 in the state in which the opposite pressure P 'is applied, the suction pressure P for holding the semiconductor element 10 through the sample element 200 is determined. ) May reflect various variables generated in the process of actually transporting the semiconductor device 10.

단계 5: 한편, 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 반도체 소자(10)의 범프(10a)가 마주보는 범프(20a)와 밀착하지 않아 전기적 접속에 방해가 될 정도로 미리 정해진 값보다 큰 것으로 제어 회로(140)에서 감지되면, 제어 회로(140)는 흡입압 압력제어부(130)에 신호를 보내어 샘플 소자(200)를 파지하는 흡입압(P)을 조금씩 낮추도록 조절한다. Step 5 : On the other hand, the control circuit is larger than the predetermined value such that the amount of bending deformation of the sample element 200 is not in close contact with the bump 20a of the semiconductor element 10 facing each other and thus interferes with the electrical connection. When detected at 140, the control circuit 140 sends a signal to the suction pressure control unit 130 to adjust the suction pressure P that holds the sample element 200 little by little.

반대로, 반도체 소자(10)의 범프(10a)가 마주보는 범프(20a)와 밀착할 정도로 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 작더라도, 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 미리 정해진 값보다 작아 여분의 휨 변형량을 추가적으로 허용할 수 있다면, 흡입압 압력제어부(130)에 신호를 보내어 샘플 소자(200)를 파지하는 흡입압(P)을 조금씩 높힌다. On the contrary, even if the amount of warpage deformation of the sample element 200 is small enough to closely contact the bumps 20a of the semiconductor device 10 facing each other, the amount of warpage deformation of the sample element 200 is smaller than a predetermined value. If the amount of bending deformation can be additionally allowed, the suction pressure pressure control unit 130 sends a signal to gradually increase the suction pressure P for holding the sample element 200.

이와 같은 공정을 자동으로 반복하여 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 미리 정해진 허용치(반도체 소자를 충분한 파지력으로 픽업할 수 있으면서 반도체 소자의 휨 변형량을 일정치 이하로 제한하는 값)에 도달하는지를 확인한다(S160). 이를 통해, 샘플 소자(200)의 휨 변형량이 미리 정해진 값에 도달한 상태에서의 흡입압(P)을 반도체 소자(10)을 이송할 때 도입하는 흡입압(P)으로 세팅한다.
By repeating this process automatically, it is checked whether the bending deformation amount of the sample element 200 reaches a predetermined allowable value (a value which limits the bending deformation amount of the semiconductor element to a predetermined value while being able to pick up the semiconductor element with sufficient gripping force). (S160). Through this, the suction pressure P in the state where the deflection deformation amount of the sample element 200 reaches a predetermined value is set to the suction pressure P introduced when the semiconductor element 10 is transferred.

이상과 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치 및 그 방법은 피커의 흡입구(30)에 도입되는 흡입압(P)의 변화에 따라 전기 저항체(R1..)의 저항값의 변화량을 휘스톤 브리지 회로에 의해 높은 민감도로 감지하여, 반도체 소자의 범프가 맞닿는 다른 소자 또는 회로 기판의 범프와 접속 안정성이 보장되는 휨 변형량의 범위 내에서 피커의 흡입구에 도입하는 흡입압을 결정함으로써, 반도체 소자(10)를 흡입 파지하여 이송하는 과정에서 반도체 소자(10)의 휨 변형량을 최소화하면서 반도체 소자(10)를 확실하게 파지할 수 있는 유리한 효과가 얻어진다. As described above, the suction pressure setting device and the method of the picker device of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention are characterized in that the electrical resistor R1 .. is changed according to the change of the suction pressure P introduced into the suction port 30 of the picker. The amount of change in the resistance value of the sensor is sensed with high sensitivity by the Wheatstone bridge circuit, and the suction is introduced into the intake port of the picker within the range of the deflection deformation that ensures connection stability with the bumps of other elements or circuit boards in which the bumps of the semiconductor element contact. By determining the pressure, an advantageous effect of reliably gripping the semiconductor element 10 while minimizing the amount of warpage deformation of the semiconductor element 10 in the process of suction-holding and transferring the semiconductor element 10 is obtained.

이를 통해, 본 발명은 플립칩 방식에 의한 반도체 패키징 공정에서 제작된 반도체 칩의 전기적 접속 불량을 최소화할 수 있다. Through this, the present invention can minimize the electrical connection failure of the semiconductor chip fabricated in the semiconductor packaging process by the flip chip method.

무엇보다도, 피커 장치에 의해 이송되는 반도체 소자는 그 크기가 매우 작으므로 스트레인 게이지와 같은 센서를 표면에 부착하여 측정하는 데 제한적이므로, 본 발명은, 샘플 소자의 전기저항체는 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 제작되어, 반도체 소자의 크기에 관계없이 스트레인 게이지를 부착하지 않더라도, 반도체 공정에 의한 패턴 형태로 전기 저항체를 형성하여 반도체 소자의 크기에 관계없이 집적된 매우 작은 크기의 반도체 소자에 대해서도 피커 장치의 흡입압을 정확하게 결정할 수 있는 유리한 효과가 얻어진다. First of all, since the semiconductor element conveyed by the picker device is very small in size, it is limited in attaching and measuring a sensor such as a strain gauge to the surface, and according to the present invention, the electrical resistor of the sample element is patterned by a semiconductor process. Even if the strain gage is not attached regardless of the size of the semiconductor device, an electrical resistor is formed in a pattern form by the semiconductor process, so that even a semiconductor device of a very small size integrated regardless of the size of the semiconductor device may be used. An advantageous effect is obtained which can accurately determine the suction pressure.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명하였으나, 본 발명의 범위는 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며, 특허청구 범위에 기재된 범주 내에서 적절하게 변경 가능한 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention.

100: 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 장치
110: 거치대 120: 샘플소자 변형량 측정회로
121,122: 브리지전압 측정접점 123,124: 전원공급접점
125: 브리지전압 측정기 126: 증폭기
130: 흡입압 압력제어부 140: 제어회로
150: 반대압력 인가부 R1,R2,R3,R4: 전기저항체100: suction pressure setting device of the picker device of the semiconductor element
110: cradle 120: sample element strain measurement circuit
121,122: Bridge voltage measurement contact 123,124: Power supply contact
125: bridge voltage meter 126: amplifier
130: suction pressure pressure control unit 140: control circuit
150: reverse pressure applying unit R1, R2, R3, R4: electrical resistor

Claims (17)

반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법으로서,
상기 반도체 소자와 동일한 재료로 상기 반도체 소자와 동일한 형상으로 형성되고, 전기 저항체가 반도체 공정에 의해 패턴 형태로 일체 형성되어, 휨 변형량에 따라 상기 전기 저항체의 전기 저항값이 변화하고, 표면에 절연막이 도포된 샘플 소자를 준비하는 샘플소자 준비단계와;
상기 전기 저항체를 이용한 휘스톤 브리지 회로가 구비된 휨 변형량 측정회로를 구성하는 회로구성단계와;
상기 휘스톤 브리지 회로에 전원을 인가한 상태에서, 흡입압 압력제어부로 흡입압을 인가하여 상기 샘플 소자를 흡입구로 파지하는 샘플 소자 파지단계와;
상기 흡입압 압력제어부로 흡입압을 정량적으로 변동시키면서 상기 휘스톤 브리지 회로의 브리지 전압의 측정값을 통해 상기 샘플 소자의 변형량을 감지하는 샘플소자 변형량 감지단계와;
상기 샘플소자 변형량 감지단계와 동시에, 반대압력 인가부에 의해 상기 샘플 소자를 하방으로 잡아당기는 반대 압력을 상기 흡입압보다 작게 작용하는 반대압력 인가단계와;
상기 흡입압 압력제어부로 흡입압을 정량적으로 변동시키면서 상기 샘플 소자의 휨 변형량을 측정하여, 상기 반도체 소자의 범프가 마주보는 범프와 밀착하여 전기적으로 접속될 수 있는 흡입압을 상기 반도체 소자의 파지를 위한 흡입압으로 결정하는 흡입압 결정단계를;
포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법.
As a suction pressure setting method of the picker device of a semiconductor element,
The resistor is formed of the same material as the semiconductor element in the same shape as the semiconductor element, and the electric resistor is integrally formed in a pattern form by a semiconductor process, the electric resistance value of the electric resistor changes according to the amount of bending deformation, and an insulating film is formed on the surface. A sample device preparing step of preparing a coated sample device;
A circuit construction step of constructing a bending deformation measuring circuit having a Wheatstone bridge circuit using the electrical resistor;
A sample element gripping step of holding the sample element to a suction port by applying suction pressure to a suction pressure pressure control unit while power is supplied to the Wheatstone bridge circuit;
A sample element deformation amount sensing step of sensing a deformation amount of the sample element through a measurement value of the bridge voltage of the Wheatstone bridge circuit while quantitatively changing the suction pressure by the suction pressure pressure control unit;
At the same time as the step of detecting the deformation amount of the sample element, an opposite pressure applying step of acting to make the opposite pressure pulling the sample element downward by the opposite pressure applying unit smaller than the suction pressure;
The bending pressure of the sample element is measured by quantitatively varying the suction pressure with the suction pressure pressure control unit, and the suction pressure of the semiconductor element can be closely connected to the bump facing the semiconductor element so as to be electrically connected. A suction pressure determining step of determining the suction pressure for the suction pressure;
A suction pressure setting method of the picker device of a semiconductor element comprising a.
제 1항에 있어서,
상기 샘플 소자의 표면에 에치 레지스트 패턴을 형성하고 상기 에치 레지스트 패턴에 의해 노출된 금속층을 선택적으로 에칭하는 것에 의해 반도체 공정으로 상기 전기 저항체를 상기 샘플 소자에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법.
The method of claim 1,
Forming the etch resist pattern on the surface of the sample element and selectively etching the metal layer exposed by the etch resist pattern to form the electrical resistor in the sample element by a semiconductor process. How to set suction pressure
제 1항에 있어서,
상기 전기 저항체는 상기 반도체 소자의 장축과 단축 방향으로의 휨 변형을 감지하도록 2개 방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법.
The method of claim 1,
And the electrical resistor is arranged in two directions so as to sense bending deflection in the major axis and minor axis of the semiconductor element.
제 1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 흡입압 결정단계는,
상기 샘플 소자의 휨 변형량이 상기 반도체 소자의 범프가 마주보는 범프와 밀착하지 않아 전기적 접속에 방해가 될 정도로 크면 상기 흡입압 압력제어부에 신호를 보내어 상기 샘플 소자를 파지하는 흡입압을 조금씩 낮추고, 반대로 상기 샘플 소자의 휨 변형량이 상기 반도체 소자의 범프가 마주보는 범프와 밀착할 정도로 작더라도 여분의 휨 변형량을 허용할 수 있다면 상기 흡입압 압력제어부에 신호를 보내어 상기 샘플 소자를 파지하는 흡입압을 조금씩 높이는 것에 의하여, 상기 반도체 소자의 파지를 위한 흡입압을 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 피커 장치의 흡입압 세팅 방법.According to any one of claims 1 to 3, wherein the suction pressure determining step,
If the amount of deflection of the sample element is so large that the bumps of the semiconductor element do not come into close contact with the bumps facing each other and interfere with the electrical connection, a signal is sent to the suction pressure control unit to lower the suction pressure holding the sample element little by little. Even if the amount of deflection of the sample element is small enough to be in close contact with the bump facing the semiconductor element, if the amount of extra deflection is acceptable, the suction pressure for controlling the sample element is signaled to the suction pressure pressure control unit little by little. The suction pressure setting method of the picker apparatus of a semiconductor element characterized by determining the suction pressure for holding of the said semiconductor element by raising it. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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