KR101127338B1 - Additive removal method, additive removal apparatus and plating system - Google Patents

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Abstract

도금 시스템은, 템플릿제를 포함하는 도금액에 수지필름(9)을 침지함으로써 수지필름(9) 위에 도금층을 형성하는 도금층 형성부, 및, 수지필름(9) 위의 도금층으로부터 템플릿제를 제거하는 제거장치(4)를 구비한다. 제거장치(4)는, 수지필름(9)이 침지되는 제거액(411)을 저장하는 제거액조(41), 및, 제거액(411) 내의 수지필름(9)를 향하여 광을 조사하는 광조사부(42)를 갖는다. 제거장치(4)에서는, 광조사부(42)로부터의 광에 의해 도금층으로부터의 템플릿제의 이탈이 촉진됨으로써, 도금층으로부터 템플릿제를 효율 좋게 제거할 수 있다.The plating system includes a plating layer forming unit for forming a plating layer on the resin film 9 by immersing the resin film 9 in a plating solution containing a template agent, and removing the template agent from the plating layer on the resin film 9. The apparatus 4 is provided. The removal apparatus 4 includes a removal liquid tank 41 for storing the removal liquid 411 in which the resin film 9 is immersed, and a light irradiation part 42 for irradiating light toward the resin film 9 in the removal liquid 411. Has In the removal apparatus 4, the removal of the template agent from the plating layer is accelerated by the light from the light irradiation part 42, so that the template agent can be efficiently removed from the plating layer.

수지필름, 템플릿제, 침지, 도금, 제거장치 Resin Film, Template, Dipping, Plating, Removal Device

Description

첨가제 제거방법, 첨가제 제거장치 및 도금 시스템{ADDITIVE REMOVAL METHOD, ADDITIVE REMOVAL APPARATUS AND PLATING SYSTEM}Additive removal method, additive removal device and plating system {ADDITIVE REMOVAL METHOD, ADDITIVE REMOVAL APPARATUS AND PLATING SYSTEM}

본 발명은, 첨가제를 포함하는 도금액에 대상물을 침지(浸漬)함으로써 형성된 대상물 위의 도금층으로부터 첨가제를 제거하는 기술, 및, 해당 기술을 이용한 도금 시스템에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique of removing an additive from the plating layer on the object formed by immersing an object in the plating liquid containing an additive, and a plating system using this technique.

근년, 여러가지 제품의 디자인성을 손상하지 않고 그 전원으로서 이용할 수 있는 색소증감형(色素增感型) 태양전지가 주목받고 있다. 색소증감형 태양전지는, 투명 도전층(導電層)을 갖는 유리의 기판 위에 광전층(光電層), 전하수송층(電荷輸送層), 대극(對極) 도전층을 갖는 대극 기판이 순서대로 적층된 구조를 갖고 있다. 기판 위에 ITO(산화 인듐 주석) 등의 투명 도전층을 형성하는 방법으로서, 예를 들면, 스패터법이나 PLD(Pulsed Laser Deposition)법(펄스 레이저 애블레이션법이라고도 불린다.), CVD(Chemical Vapor Deposition)법, 또는, 스프레이법 등이 알려져 있고, 광전층을 형성하는 방법으로서, 이산화티탄 등의 반도체 미립자를 기판 위에 도포하여 고온으로 소성(燒成)함으로써 다공질(多孔質)의 반도체층을 형성하고, 그 후, 반도체층에 색소를 흡착시키는 방법이 채용되고 있다.In recent years, dye-sensitized solar cells that can be used as power sources without compromising the design of various products have attracted attention. In the dye-sensitized solar cell, a counter electrode substrate having a photoelectric layer, a charge transport layer, and a counter electrode conductive layer is sequentially stacked on a glass substrate having a transparent conductive layer. Has a structure. As a method of forming a transparent conductive layer such as ITO (Indium Tin Oxide) on a substrate, for example, a spatter method, a PLD (Pulsed Laser Deposition) method (also called a pulse laser ablation method), and CVD (Chemical Vapor Deposition) The method or the spray method etc. are known, As a method of forming a photoelectric layer, a porous semiconductor layer is formed by apply | coating semiconductor fine particles, such as a titanium dioxide, on a board | substrate and baking at high temperature, Then, the method of making a pigment | dye adsorb | suck to a semiconductor layer is employ | adopted.

또한, 염가인 플라스틱 등의 투명 기판을 사용하여 색소증감형 태양전지를 저비용으로 제조하는 것도 제안되어 있다. 그렇지만, 이 경우, 광전층을 형성할 때에 소성처리를 수반하는 상기 방법은 채용할 수 없다. 그래서, 일본국 특허공개 2004-6235호 공보(문헌1)에서는, 아연염(亞鉛鹽)을 포함하는 전해욕(電解浴)에 템플릿 화합물(템플릿제)인 색소를 혼합해 두고, 이 전해욕 중에 기판에 대하여 캐소드 전석(電析)을 행함으로써, 색소가 내부 표면에 흡착하는 산화아연 박막(薄膜)을 기판 위에 형성하는 기술이 제안되어 있고, 문헌1에서는, 또한, 산화아연 박막으로부터 색소를 제거한 후, 색소를 재흡착시킴으로써, 높은 광전(光電)교환율이 얻어지는 색소증감형 태양전지를 제조하는 기술도 개시되어 있다.Moreover, manufacturing a dye-sensitized solar cell at low cost using transparent substrates, such as inexpensive plastics, is also proposed. In this case, however, the above-described method involving the firing process cannot be employed when forming the photoelectric layer. In Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6235 (Patent 1), a dye, which is a template compound (template), is mixed with an electrolytic bath containing zinc salt, and the electrolytic bath is prepared. A method of forming a zinc oxide thin film on a substrate by applying a cathode electrodeposition to the substrate in the form of a dye adsorbed to the inner surface has been proposed. After removal, the technique of manufacturing the dye-sensitized solar cell by which the pigment | dye is resorbed and a high photoelectric exchange rate is obtained is also disclosed.

그런데, 산화아연 박막으로부터의 템플릿제의 제거는, 통상, 약알카리성의 용액(제거액)에 기판을 침지함으로써 행해지지만, 이와 같은 방법에서는, 템플릿제의 제거에 장시간을 요하게 된다. 또한, 템플릿제 이외의 첨가제를 포함하는 도금액을 사용하여 대상물 위에 도금층을 형성할 때에도, 대상물 위의 도금층으로부터 해당 첨가제를 제거하는 것이 바람직한 경우가 있어, 이와 같은 경우에도, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거하는 것이 요구된다.By the way, although removal of a template agent from a zinc oxide thin film is normally performed by immersing a board | substrate in a weakly alkaline solution (removing liquid), in such a method, it takes a long time to remove a template agent. Moreover, when forming a plating layer on an object using the plating liquid containing an additive other than a template agent, it may be desirable to remove the said additive from the plating layer on the object, and even in such a case, an additive is removed efficiently from a plating layer. It is required.

[발명의 개시][Initiation of invention]

본 발명은, 첨가제를 포함하는 도금액에 대상물을 침지함으로써 형성된 대상물 위의 도금층으로부터 첨가제를 제거하는 첨가제 제거방법에 지향하고 있고, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거하는 것을 목적으로 하고 있다. This invention aims at the additive removal method which removes an additive from the plating layer on the object formed by immersing an object in the plating liquid containing an additive, and aims at efficiently removing an additive from a plating layer.

본 발명에 의한 첨가제 제거방법은, a)제거액조(除去液槽)에 저장되는 제거액에 상기 대상물을 침지하는, 또는, 상기 대상물의 상기 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 공정과, b)상기 a)공정에 병행하여 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광(光)을 상기 대상물에 조사(照射)하는 공정을 구비한다. 본 발명에 의하면, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거할 수 있다.The additive removal method according to the present invention comprises the steps of: a) dipping the object in a removal liquid stored in a removal liquid tank, or continuously applying a removal liquid to the plating layer of the object; b) the a And a step of irradiating the object with light that promotes the removal of the additive from the plating layer in parallel to the step). According to this invention, an additive can be removed efficiently from a plating layer.

바람직하게는, 상기 첨가제가 템플릿제이며, 이 경우, 도금층으로부터 템플릿제를 제거하여 다공질층을 형성할 수 있다.Preferably, the additive is a template agent, in which case the template agent may be removed from the plating layer to form a porous layer.

본 발명의 하나의 바람직한 실시 형태에서는, 상기 광이, 상기 첨가제의 흡수파장대(吸收波長帶)에 포함되는 파장의 광을 포함하는, 또는, 상기 도금층의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함한다. 이에 의해, 도금층으로부터 첨가제를 더 효율 좋게 제거할 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 광이, 자외선을 포함함으로써, 도금층 중 유기물의 첨가제를 더 효율 좋게 제거할 수 있다.In one preferable embodiment of this invention, the said light contains the light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of the said additive, or contains the light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of the said plating layer. . Thereby, an additive can be removed more efficiently from a plating layer. More preferably, since the light contains ultraviolet rays, the additive of the organic substance in the plating layer can be more efficiently removed.

본 발명의 다른 바람직한 실시 형태에서는, 상기 대상물을 상기 도금액으로부터 꺼낸 후, 상기 a)공정이 시작될 때까지의 사이에서, 상기 대상물의 상기 도금층의 건조가 방지된다. 이에 의해, 도금층으로부터 첨가제를 더 효율 좋게 제거할 수 있다.In another preferable embodiment of this invention, drying of the said plating layer of the said object is prevented after taking out the said object from the said plating liquid and until the said process a) starts. Thereby, an additive can be removed more efficiently from a plating layer.

본 발명은, 첨가제를 포함하는 도금액에 대상물을 침지함으로써 형성된 대상물 위의 도금층으로부터 첨가제를 제거하는 첨가제 제거장치에도 지향하고 있다. 첨가제 제거장치는, 상기 대상물이 침지되는 제거액을 저장하는 제거액조, 또는, 상기 대상물의 상기 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 토출부(吐出部)인 제거액 부여부와, 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 상기 제거액조 내의 상기 대상물, 또는, 상기 토출부로부터 상기 제거액이 부여되는 상기 대상물에 조사하는 광조사부(光照射部)를 구비한다. 이에 의해, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거할 수 있다.The present invention is also directed to an additive removing device for removing an additive from a plating layer on an object formed by immersing the object in a plating liquid containing an additive. The additive removal apparatus includes a removal liquid tank for storing a removal liquid in which the object is immersed, or a removal liquid providing part which is a discharge part for continuously applying the removal liquid to the plating layer of the object, and the additive from the plating layer. A light irradiation part irradiates the object in the said removal liquid tank to the object which promotes removal, or the said object to which the said removal liquid is provided from the said discharge part. Thereby, an additive can be removed efficiently from a plating layer.

본 발명은, 또한 대상물 위에 도금층을 형성하는 도금 시스템에도 지향하고 있다. 도금 시스템은, 첨가제를 포함하는 도금액에 대상물을 침지함으로써 상기 대상물 위에 도금층을 형성하는 도금층 형성부와, 상기 대상물의 상기 도금층으로부터 상기 첨가제를 제거하는 상기 첨가제 제거장치를 구비함으로써, 도금층을 형성하는 동시에, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거할 수 있다.The present invention is also directed to a plating system for forming a plating layer on an object. The plating system includes a plating layer forming unit for forming a plating layer on the object by immersing the object in a plating solution containing an additive, and the additive removing device for removing the additive from the plating layer of the object, thereby forming a plating layer. The additive can be efficiently removed from the plating layer.

상술의 목적 및 다른 목적, 특징, 태양(態樣) 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 행하는 본 발명의 상세한 설명에 의해 명백하게 된다.The above and other objects, features, aspects, and advantages will become apparent from the following detailed description of the present invention made with reference to the accompanying drawings.

도 1은 도금 시스템을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a plating system.

도 2는 제거장치의 구성을 나타내는 도면이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a removal device.

도 3은 대상물 위에 다공질층을 형성하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다.3 is a diagram illustrating a flow of a process of forming a porous layer on an object.

도 4는 제거장치의 다른 예를 나타내는 도면이다.4 is a view showing another example of the removal device.

도 5는 도금 시스템의 다른 예를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating another example of the plating system.

도 6은 도금 시스템의 또다른 예를 나타내는 도면이다.6 is a view showing still another example of the plating system.

도 7은 도금층 형성부의 다른 예를 나타내는 도면이다.7 is a diagram illustrating another example of the plating layer forming unit.

도 8은 제거장치의 또다른 예를 나타내는 도면이다.8 is a view showing still another example of the removal device.

도 9는 제거장치의 또다른 예를 나타내는 도면이다.9 is a view showing still another example of the removal device.

도 10은 도금 시스템의 또다른 예를 나타내는 도면이다.10 is a view showing still another example of the plating system.

[발명의 실시를 위한 최량의 형태]Best Mode for Implementation of the Invention

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 의한 도금 시스템(1)을 나타내는 도면이다. 도금 시스템(1)은, 투명 도전층이 미리 형성된 투명한 수지(樹脂)필름(9, 플라스틱 필름)의 해당 투명 도전층 위에 다공질층(막)을 도금으로 형성하는 시스템이다. 다공질층에는 후속의 공정에서 색소가 흡착되어 광전층이 형성되고, 투명 도전층 및 광전층이 적층된 수지필름(9)은 절단되어, 스페이서를 통해 대극 도전층을 갖는 기판이 대향(對向)하여 설치된다. 그 후, 직사각형의 수지필름과 대극의 기판 사이에 전해액이 주입되어 전하수송층이 형성됨으로써 색소증감형 태양전지가 제조된다. 이와 같이, 도금 시스템(1)은, 색소증감형 태양전지의 제조에 사용되는 것으로 되어 있다. 본 발명에서의 「도금」은, 금속에 한하지 않고, 금속산화물 등의 물질을 전기분해에 의해 전극표면에 생성하는 것(즉, 전석)을 의미하고 있다.FIG. 1: is a figure which shows the plating system 1 by one Embodiment of this invention. The plating system 1 is a system which forms a porous layer (film) by plating on the said transparent conductive layer of the transparent resin film 9 (plastic film) in which the transparent conductive layer was previously formed. In the subsequent step, the porous layer is adsorbed with a dye to form a photoelectric layer. The transparent conductive layer and the resin film 9 having the photoelectric layer laminated thereon are cut, and the substrate having the counter electrode conductive layer is opposed through the spacer. Is installed. Thereafter, an electrolyte solution is injected between the rectangular resin film and the substrate of the counter electrode to form a charge transport layer, thereby producing a dye-sensitized solar cell. Thus, the plating system 1 is used for manufacture of a dye-sensitized solar cell. The term "plating" in the present invention is not limited to metal, but means to produce a substance such as a metal oxide on the surface of the electrode by electrolysis (that is, electrodeposition).

도 1에 나타내는 바와 같이, 도금 시스템(1)은, 투명 도전층이 미리 형성된 수지필름의 롤(90, 웹(WEB)이라고도 불린다.)로부터 수지필름(9)의 각 부위(즉, 띠형상의 수지필름에 연속하여 존재하는 복수 부위의 각각)를 연속적으로 인출하는 인출부(2), 템플릿제를 포함하는 도금액에 수지필름(9)을 침지함으로써 투명 도전층 위에 도금층을 형성하는 도금층 형성부(3), 수지필름(9) 위의 도금층으로부터 템플릿제를 제거하는 템플릿제 제거장치(4, 이하, 간단히 「제거장치(4)」라고 한다.), 및, 도금 시스템(1)의 전체 제어를 담당하는 제어부(10)를 구비한다.As shown in FIG. 1, the plating system 1 is each part (namely, strip | belt-shaped) of the resin film 9 from the roll 90 of the resin film in which the transparent conductive layer was previously formed, also called web (WEB). A drawing layer forming portion (2) for continuously drawing out each of a plurality of portions continuously present in the resin film, and a plating layer forming portion on the transparent conductive layer by immersing the resin film (9) in a plating solution containing a template agent ( 3) The template agent removal apparatus (referred to as "removing apparatus 4" hereinafter) which removes a template agent from the plating layer on the resin film 9, and the whole control of the plating system 1 is performed. The control unit 10 in charge is provided.

도금 시스템(1)에서는, 인출부(2), 도금층 형성부(3) 및 제거장치(4)는 소정의 방향으로 일례로 늘어서 있고, 해당 방향에 수직이면서 수평한 방향으로 뻗는 복수의 롤러(61, 도 1에서는, 일부의 롤러에 부호(61a)를 붙이고 있다.)가 도금 시스템(1)의 전체에 걸쳐서 배치됨으로써, 인출부(2)로부터 인출되는 수지필름(9)의 각 부위가 제거장치(4)의 후술하는 건조로(乾燥爐, 49)까지 연속하여 반송된다. 또한, 롤러(61)는, 도금 시스템(1)에서 사용되는 액체(후술의 도금액이나 제거액)에 대하여 내식성(耐食性)을 갖는 재료로 형성된다. 또한, 도 1에서는, 도금 시스템(1)에 실제로 설치되는 다수의 롤러의 일부만을 도시(圖示)하고 있다.In the plating system 1, the lead portion 2, the plating layer forming portion 3, and the removal device 4 are arranged in one direction in one direction, and the plurality of rollers 61 extending in a horizontal direction perpendicular to the direction. In Fig. 1, a part of the roller is attached with a reference sign 61a. The respective portions of the resin film 9 drawn out from the lead-out part 2 are removed by being disposed over the entire plating system 1. It is conveyed continuously to the drying furnace 49 which is mentioned later of (4). In addition, the roller 61 is formed of the material which has corrosion resistance with respect to the liquid (plating liquid and removal liquid mentioned later) used by the plating system 1. In addition, in FIG. 1, only a part of many rollers actually installed in the plating system 1 is shown.

도금층 형성부(3)는, 염화아연(ZnCl2) 및 템플릿제를 주된 성분으로서 포함하는(즉, 염화물 이온, 아연 이온 및 템플릿제를 주된 성분으로서 포함한다.) 도금액(311)을 저장하는 도금조(31), 도금액(311) 중에 배치되는 대향전극(32) 및 기준전극(참조전극이라고도 불린다.)(33), 그리고, 대향전극(32) 및 기준전극(33)의 각각에 전위(電位)를 부여하는 전원부(34)를 구비한다. 또한, 도금조(31) 내에 설치되는 복수의 롤러(61) 중 부호61a를 붙인 1개의 롤러는 전원부(34)에 전기적으로 접속된다.The coating layer (including an other words, a chloride ion, a zinc ion and a template, the main component) forming part 3, zinc chloride (ZnCl 2) and including the template of claim as main components plated for storing a plating solution (311) A potential is applied to each of the bath 31, the counter electrode 32 and the reference electrode (also called a reference electrode) 33 disposed in the plating solution 311, and the counter electrode 32 and the reference electrode 33, respectively. ) Is provided with a power supply unit (34). Moreover, one roller with the code | symbol 61a among the some roller 61 provided in the plating tank 31 is electrically connected to the power supply part 34. As shown in FIG.

도금조(31)에는, 도금액(311) 중에 산소를 공급하는(이른바, 산소 버블링을 행한다) 산소 도입관(312), 도금액(311) 중의 산소농도를 측정하는 용존(溶存) 산소계(313), 및, 도금액(311)의 온도를 측정하는 온도계(314)가 설치된다. 도금액(311) 중에는 히터(315)가 설치되어 있어, 온도계(314)의 출력에 의거하여 온도 컨트롤러(316)가 히터(315)를 제어함으로써, 도금액(311)이 일정한 온도로 유지된다. 도금층 형성부(3)에서는, 질산아연(Zn(NO3)2) 및 템플릿제를 주된 성분으로서 포함하는 도금액 등, 다른 종류의 도금액을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 템플릿제에 대해서는 후술한다.Oxygen inlet tube 312 for supplying oxygen to the plating solution 31 (so-called oxygen bubbling) and a dissolved oxygen meter 313 for measuring oxygen concentration in the plating solution 311. And a thermometer 314 for measuring the temperature of the plating liquid 311. In the plating liquid 311, a heater 315 is provided, and the plating liquid 311 is maintained at a constant temperature by the temperature controller 316 controlling the heater 315 based on the output of the thermometer 314. In the coating layer forming portion 3, it is also possible to use a plating solution or the like, other types of plating solution containing a zinc nitrate (Zn (NO 3) 2) and the template, the main components. In addition, a template agent is mentioned later.

도 2는, 제거장치(4)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 제거장치(4)는, 수지필름(9)이 침지되는 약알카리성의 제거액(411, 예를 들면, 수산화 나트륨이나 수산화 칼륨 등의 수용액)을 저장하는 제거액조(41), 제거액조(41)의 상방에 배치되는 광조사부(42), 순수(純水) 등의 세정액을 저장하는 세정조(48), 및, 세정조(48)에서 세정 후의 수지필름(9)을 건조하는 건조로(49)를 구비한다.2 is a diagram illustrating a configuration of the removal device 4. As shown in FIG. 2, the removal apparatus 4 stores the removal liquid tank 41 which stores the weakly alkaline removal liquid 411 (for example, aqueous solution, such as sodium hydroxide or potassium hydroxide) in which the resin film 9 is immersed. The cleaning film 48 storing the light irradiation part 42 disposed above the removal liquid tank 41, the cleaning liquid such as pure water, and the resin film 9 after the cleaning in the cleaning tank 48 are removed. A drying furnace 49 for drying is provided.

제거액조(41)에는, 펌프(431)를 사용하여 제거액(411)을 순환하는 순환유로(43)가 설치되고, 순환유로(43)에는, 제거액(411) 중 템플릿제의 농도를 검출하는 농도검출부(432)가 설치된다. 또한, 순환유로(43)에는 미사용의 제거액을 저장하는 제거액 탱크(433)가 접속되어 있어, 후술하는 수지필름(9) 위의 도금층으로부터의 템플릿제의 제거시에, 온도검출부(432)에서 제거액(411) 중의 템플릿제의 농도가 소정치를 넘은 것이 확인되면, 제거액조(41) 속의 제거액(411)의 일부가 순환유로(43)를 통해 배액 탱크(434)로 배출되는 동시에, 제거액 탱크(433)로부터 제거액조(41)에 미사용의 제거액을 보충하는 것이 가능하게 되어 있다(즉, 제거액조(41) 내의 제거액(411)의 일부가 교환된다.). 이에 의해, 제거액(411)의 교환시 에 도금 시스템(1)을 정지하지 않고 안정된 처리를 계속하여 행할 수 있고, 다공질층의 형성에 의한 처리량의 저하도 방지된다.The removal liquid tank 41 is provided with the circulation flow path 43 which circulates the removal liquid 411 using the pump 431, and the density | concentration which detects the density | concentration of a template agent in the removal liquid 411 in the circulation flow path 43 The detector 432 is installed. In addition, a removal liquid tank 433 for storing an unused removal liquid is connected to the circulation passage 43. The removal liquid is removed from the temperature detection part 432 at the time of removing the template agent from the plating layer on the resin film 9 described later. When it is confirmed that the concentration of the template agent in 411 exceeds a predetermined value, a part of the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41 is discharged to the drainage tank 434 through the circulation passage 43, and the removal liquid tank ( It is possible to replenish the unused removal liquid to the removal liquid tank 41 from 433 (that is, part of the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41 is exchanged.). Thereby, the stable process can be continued without stopping the plating system 1 at the time of replacement | exchange of the removal liquid 411, and also the fall of the throughput by formation of a porous layer is prevented.

광조사부(42)는, 예를 들면 할로겐램프나 메탈할로이드램프 등의 광원(예를 들면, 전 광속(光束)이 7000루멘 이상(바람직하게는, 10000루멘 이상)의 광원)을 갖고, 조도계(照度計, 421)에 의해 광원으로부터의 광의 양이 검출가능하게 된다. 조도계(421)로부터의 출력에 의해 광조사부(42)로부터의 광의 강도 저하가 확인되면, 제어부(10)(도 1 참조)를 갖는 표시장치에 그 취지가 표시되어 조작자에게 통지된다. 후술하는 바와 같이, 제거장치(4)에서는, 제거액(411) 속의 수지필름(9)에 광조사부(42)로부터 광이 조사됨으로써, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거가 촉진된다.The light irradiation section 42 has a light source (for example, a light source having a total luminous flux of 7000 lumens or more (preferably 10000 lumens or more)) such as a halogen lamp or a metal halide lamp. (421) makes it possible to detect the amount of light from the light source. When the decrease in the intensity of the light from the light irradiation section 42 is confirmed by the output from the illuminometer 421, the effect is displayed on the display device having the control unit 10 (see FIG. 1), and the operator is notified. As will be described later, in the removal apparatus 4, the light is irradiated to the resin film 9 in the removal liquid 411 from the light irradiation section 42, thereby promoting the removal of the template agent from the plating layer.

도 3은, 도금 시스템(1)이 수지필름(9) 위에 다공질층을 형성하는 처리의 흐름을 나타내는 도면이다. 도 3에서는, 수지필름(9)의 일부에 주목한 처리의 흐름을 나타내고 있고, 실제로는, 도 3 중의 모든 처리는, 각각 수지필름(9)의 대응하는 부위에 대하여 병행하여 행해진다. 또한, 도 3 중에서 파선의 직사각형으로 나타내는 스텝 S11a는, 후술의 도 6의 도금 시스템(1b)에서 행해지는 동작의 내용을 나타내고 있고, 도 1의 도금 시스템(1)에서의 이하의 처리에서는 행해지지 않는다. 또한, 후술하는 바와 같이, 수지필름(9) 이외의 대상물 위에 다공질층을 형성하는 경우도 있기 때문에, 도 3에서는, 수지필름(9)을「대상물」로 일반화하여 나타내고 있다.3 is a diagram showing a flow of processing in which the plating system 1 forms a porous layer on the resin film 9. In FIG. 3, the flow of the process which paid attention to a part of resin film 9 is shown, In fact, all the processes in FIG. 3 are performed in parallel with respect to the corresponding site | part of the resin film 9, respectively. In addition, step S11a shown with the broken line rectangle in FIG. 3 has shown the content of the operation | movement performed by the plating system 1b of FIG. 6 mentioned later, and is not performed by the following processes in the plating system 1 of FIG. Do not. In addition, since it may form a porous layer on objects other than the resin film 9 as mentioned later, in FIG. 3, the resin film 9 is generalized and shown as the "object."

도 1의 도금 시스템(1)에서는, 모터에 접속되는 복수의 롤러(61)의 일부가 같은 방향으로 회전을 시작함으로써, 인출부(2)에서 롤러(90)로부터 처리의 대상물인 수지필름(9)의 각 부위가 순차로 인출된다. 이하, 인출부(2)에서 인출되는 수지필름(9)의 일부에 주목하여 후속의 처리에 대하여 설명하고, 이 부위를「대상부위」라고 한다.In the plating system 1 of FIG. 1, a part of the plurality of rollers 61 connected to the motor starts to rotate in the same direction, so that the resin film 9 which is the object of processing from the roller 90 in the lead-out part 2 is processed. Each part of) is drawn out sequentially. Hereinafter, a part of the resin film 9 withdrawn from the lead-out section 2 will be described, and subsequent processing will be described. This site is referred to as a "target site".

롤(90)로부터 인출된 대상부위는 도금조(31) 내로 이동하여 도금액(311) 속에 침지된다. 전원부(34)에서는, 기준전극(33)에 소정의 기준전위가 부여되며, 대향전극(32)에 기준전위와의 차(差)가 소정치로 되는 전위가 부여되고, 또한, 롤러(61a)를 통해 대상부위의 투명 도전층(실제로는, 수지필름(9)의 표면의 거의 전체에 형성되어 있다.)에도 기준전위와의 차가 소정치로 되는 전위가 부여된다. 이에 의해, 대상부위에 전해 도금이 시행되어(전석이 행해져), 대상부위 위에 산화아연 및 템플릿제를 포함하는 도금층(전석막)이 형성된다(스텝 S11). 여기서, 템플릿제는, 일본국 특허공개 2004-6235호 공보(문헌1)에서의 템플릿 화합물과 마찬가지로, 도금액(311) 중에서 아연 이온과 착체(錯體)를 형성함으로써, 전해 도금에 의해 투명 도전층 위에 형성되는 산화아연막의 내부표면에 흡착되는 것이며, 전형적으로는 색소로 된다.The target portion drawn out from the roll 90 is moved into the plating bath 31 and immersed in the plating liquid 311. In the power supply unit 34, a predetermined reference potential is applied to the reference electrode 33, and a potential at which the difference with the reference potential becomes a predetermined value is applied to the counter electrode 32, and the roller 61a is provided. Through this, a potential at which the difference with the reference potential becomes a predetermined value is also applied to the transparent conductive layer (actually formed on almost the entire surface of the resin film 9) at the target portion. As a result, electroplating is performed on the target portion (electroplating is performed), thereby forming a plating layer (electrode film) containing zinc oxide and a template agent on the target portion (step S11). Here, the template agent forms a complex with zinc ions in the plating solution 311 as in the template compound in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-6235 (Patent 1), whereby a transparent conductive layer is formed by electroplating. It is adsorb | sucked to the inner surface of the zinc oxide film formed on it, and typically becomes a pigment | dye.

도금층이 형성된 대상부위는, 도금조(31)로부터 끌어 올려진 후, 제거액조(41)로 연속적으로 이동하여, 도 2에 나타내는 바와 같이, 제거액조(41) 내의 롤러(61)로 지지되면서 제거액(411)에 침지된다(스텝 S12). 실제로는, 제거장치(4)에서는, 제거액조(41) 내에 설치되는 복수의 롤러(61)에 의해 수지필름(9)의 경로가 다수회 접혀져 있어, 수지필름(9)을 제거액(411) 중에 장시간 침지하는 것이 가능 해진다. 또한, 대상부위의 근방에 배치되는 광조사부(42)(예를 들면, 대상부위로부터 1.2 미터(더 바람직하게는, 0.8 미터) 이하의 범위 내로 배치된다.)에 의해 대상부위에 대하여 고(高)강도의 광이 계속해서 조사된다(스텝 S13). 이에 의해, 도금층으로부터의 템플릿제의 이탈이 촉진되고, 도금층으로부터 템플릿제가 효율 좋게 제거되어, 다공질의 도금층이 형성된다. 또한, 제거액조(41)가 도금조(31)에 비해 충분히 크게(길게)되는 경우에는, 수지필름(9)의 경로는 반드시 접혀질 필요는 없다.The target portion on which the plating layer is formed is pulled up from the plating tank 31 and then continuously moved to the removal liquid tank 41, and is supported by the roller 61 in the removal liquid tank 41, as shown in FIG. 2. It is immersed in 411 (step S12). In fact, in the removal apparatus 4, the path | route of the resin film 9 is folded many times by the some roller 61 provided in the removal liquid tank 41, and the resin film 9 is removed in the removal liquid 411. It becomes possible to immerse for a long time. In addition, the light irradiation section 42 (for example, disposed within a range of 1.2 meters (more preferably, 0.8 meters) or less from the target site) is arranged near the target site, so that the target site is high. The light of intensity continues to be irradiated (step S13). As a result, the detachment of the template agent from the plating layer is promoted, the template agent is efficiently removed from the plating layer, and a porous plating layer is formed. In addition, when the removal liquid tank 41 becomes large enough (long) compared with the plating tank 31, the path | route of the resin film 9 does not necessarily need to be folded.

제거액조(41)로부터 끌어올려진 대상부위는 세정조(48)로 이동하여 세정액 중에 침지된다. 그 후, 세정 스프레이 군(群, 481)으로부터 순수 등의 세정액이 대상부위의 표면으로 향해 분사되어, 에어 나이프(482)로부터의 에어에 의해 대상부위의 표면의 세정액이 제거된다(스텝 S14). 이에 의해, 템플릿제의 제거에 사용되는 제거액(411)이 수지필름(9) 위에 잔존하여 후속의 공정에 영향을 미치는 것이 방지된다. 세정후의 대상부위는 건조로(49) 내를 통과하여 대상부위의 건조가 행해져, 도금층(다공질층) 위에 건조 얼룩 등이 발생하는 것이 방지된다(스텝 S15).The object portion pulled up from the removal liquid tank 41 moves to the cleaning tank 48 and is immersed in the cleaning liquid. Thereafter, a cleaning liquid such as pure water is injected from the cleaning spray group 481 toward the surface of the target site, and the cleaning liquid on the surface of the target site is removed by air from the air knife 482 (step S14). Thereby, the removal liquid 411 used for the removal of the template agent is prevented from remaining on the resin film 9 and affecting subsequent steps. The object portion after washing passes through the drying furnace 49, and the object portion is dried to prevent dry spots or the like from occurring on the plating layer (porous layer) (step S15).

다공질층이 형성된 대상부위는 다른 장치로 반송되어(물론, 일단 권취되어도 좋다.), 다공질의 도금층에 색소가 재차 흡착되고, 그 후, 수지필름(9)은 절단되어 스페이서를 통해 대극 도전층을 갖는 기판이 대향하여 설치된다. 그리고, 직사각형의 수지필름과 대극의 기판 사이에 전해액이 주입되어 전하수송층이 형성됨으로써 색소증감형 태양전지가 제조된다. 또한, 전하수송층이 고체상태인 경우에는, 수지필름(9)을 절단하지 않고 전하수송층 및 대극 도전층을 갖는 기재(基材)가 적층되 어도 좋다.The target portion on which the porous layer is formed is conveyed to another apparatus (of course, may be once wound up), and the dye is again adsorbed to the porous plating layer, and then the resin film 9 is cut and the counter electrode conductive layer is formed through the spacer. The substrate having the opposite side is provided. Then, an electrolyte solution is injected between the rectangular resin film and the substrate of the counter electrode to form a charge transport layer, thereby producing a dye-sensitized solar cell. In the case where the charge transport layer is in a solid state, a substrate having a charge transport layer and a counter electrode conductive layer may be laminated without cutting the resin film 9.

다음으로, 제거액 중의 도금층에 광을 조사함으로써 템플릿제의 제거효율이 향상하는 것을 나타내는 실험결과에 대하여 기술한다. 여기에서는, 1리터당 염화아연을 5밀리몰(mM), 염화칼륨을 0.1몰(M), 템플릿제인 에오신(Eosin)Y를 40마이크로몰(μM) 포함하는 도금액을 준비하고, 실험의 편의상, 하나의 주면(主面)의 면적이 1평방 센티미터(㎠)인 기판 위에 에오신Y를 포함하는 산화아연막인 도금층을 형성했다. 또한, 드래프트 챔버 내에 제거액을 저장하는 소형의 제거액조를 설치하고, 상기 제거장치(4)와 동일한 광조사부도 배치한 다음, 광조사부로부터의 광의 조사를 행하지 않고 제거액에 24시간 침지한 후의 기판을 샘플1, 광조사부로부터 광을 조사하면서 제거액에 8시간 침지한 후의 기판을 샘플2, 및, 제거액에 침지하지 않았던 기판(광조사부로부터의 광의 조사도 하지 않는다.)을 샘플3으로 작성했다. 그리고, 샘플1, 샘플2 및 샘플3을 순수로 세정하고, 질소의 분사에 의한 건조를 행한 후에, 샘플1, 샘플2 및 샘플3의 흡광도를 측정하였다.Next, the experimental result which shows that the removal efficiency of a template agent improves by irradiating light to the plating layer in a removal liquid is described. Here, a plating solution containing 5 mmol (mM) of zinc chloride, 0.1 mol (M) of potassium chloride, and 40 micromol (μM) of eosin Y, a template agent, is prepared per liter of one liter. A plating layer, which is a zinc oxide film containing eosin Y, was formed on a substrate having an area of 1 square centimeter (cm 2). Further, a small removal liquid tank for storing the removal liquid is provided in the draft chamber, the same light irradiation part as that of the removal device 4 is also arranged, and then the substrate after being immersed in the removal liquid for 24 hours without being irradiated with light from the light irradiation part. Sample 3 and the substrate which was not immersed in the removal liquid for 8 hours while irradiating light from the sample 1 and the light irradiation part were made into the sample 3, and the board | substrate which does not immerse in the removal liquid (it also does not irradiate light from the light irradiation part). After the samples 1, 2 and 3 were washed with pure water and dried by injection of nitrogen, the absorbances of the samples 1, 2 and 3 were measured.

또한, 산화아연의 흡수파장은 367나노미터(nm) 근방(정확하게는, 단결정의 산화아연의 흡수파장이 367nm이며, 실제로는, 결정격자의 비틀어짐이나 다른 원자의 존재의 영향에 의해 파장 367nm을 피크로 하는 파장대로 된다.)이며, 에오신Y의 흡수파장은 530nm 근방이고, 상기의 도금액을 사용하여 형성되는 도금층(에오신Y를 포함하는 산화아연막)은 적색을 띠고 있다.In addition, the absorption wavelength of zinc oxide is about 367 nanometers (nm) (exactly, the absorption wavelength of zinc oxide of a single crystal is 367 nm, and in fact, the wavelength of 367 nm is affected by the distortion of crystal lattice and the presence of other atoms. The absorption wavelength of eosin Y is around 530 nm, and the plating layer (zinc oxide film containing eosin Y) formed using the said plating liquid is red.

샘플1, 샘플2 및 샘플3의 파장 530nm인 광의 흡광도의 측정결과를 표1에 나타낸다. 표1에서는, 상단에 「샘플」이라고 기재한 열의 각 란(欄)에 1, 2, 3을 기 재함으로써, 샘플1, 샘플2 및 샘플3을 각각 나타내고 있다.Table 1 shows the measurement results of absorbance of light having a wavelength of 530 nm of Sample 1, Sample 2, and Sample 3. In Table 1, sample 1, sample 2, and sample 3 are shown by listing 1, 2, and 3 in each column of the column described as "sample" at the top.

[표1]Table 1

Figure 112009027220860-pct00001
Figure 112009027220860-pct00001

여기서, 람베르트ㆍ베르의 법칙에 의하면, 특정물질을 포함하는 층에서, 특정물질의 흡광도를 ABS, 특정물질의 흡광계수를 ε, 해당층에서의 특정물질의 농도를 C, 광로(光路)길이(해당층의 두께)을 L로 하여, (ABS=εCL)이 만족된다. 샘플1, 샘플2 및 샘플3에서는, 특정물질이 모두 에오신Y로 되기 때문에 흡광계수(ε)는 같게 되고, 특정물질을 포함하는 층도 같은 두께의 도금층이기 때문에 광로길이(L)도 같게 된다. 따라서, 샘플1, 샘플2 및 샘플3에서, 흡광도(ABS)의 비(比)가 그대로 도금층에서의 에오신Y의 농도비(흡착량의 비)를 나타내는 것으로 생각된다. 그래서, 표1에서는, 샘플3의 흡광도로부터 샘플1 또는 샘플2의 흡광도를 뺀 값을 샘플3의 흡광도로 나눔으로써, 샘플1 또는 샘플2에서의 에오신Y의 제거율을 구하고 있다.Here, according to Lambert Berg's law, in a layer containing a specific substance, the absorbance of the specific substance is ABS, the absorption coefficient of the specific substance is ε, the concentration of the specific substance in the layer is C, and the optical path length. (ABS = εCL) is satisfied by setting (thickness of the layer) to L. In Sample 1, Sample 2 and Sample 3, all of the specific materials become Eosin Y, so the extinction coefficient [epsilon] becomes the same, and since the layer containing the specific material is a plated layer of the same thickness, the optical path length L is also the same. Therefore, in samples 1, 2, and 3, it is considered that the ratio of absorbance ABS indicates the concentration ratio (adhesion ratio) of eosin Y in the plating layer as it is. Therefore, in Table 1, the removal rate of Eosin Y in Sample 1 or Sample 2 is obtained by dividing the absorbance of Sample 3 by subtracting the absorbance of Sample 1 or Sample 2 by the absorbance of Sample 3.

표1에 나타내는 바와 같이, 샘플2에서의 제거율은 샘플1에서의 제거율의 약2.7배로 되어 있다. 실제로는, 샘플2의 제거액에의 침지시간은, 샘플1의 3의 1이기 때문에, 도금층이 형성된 기판을 제거액에 침지하여 도금층으로부터 에오신Y를 제거할 때, 광조사부로부터 도금층에 광을 조사함으로써, 광의 조사를 행하지 않는 경우에 비해 제거효율이 8배 이상이 되는 것으로 파악할 수 있다.As shown in Table 1, the removal rate in Sample 2 is about 2.7 times the removal rate in Sample 1. In fact, the immersion time of the sample 2 in the removal liquid is 1 of 3 of the sample 1, so that when the substrate on which the plating layer is formed is immersed in the removal liquid to remove Eosin Y from the plating layer, by irradiating light to the plating layer from the light irradiation part, It can be understood that the removal efficiency is 8 times or more compared with the case of not irradiating light.

그런데, 상기의 실험에서는, 광조사부로부터의 광의 조사를 행하지 않고 제거액에 24시간 침지한 샘플1에서도, 정확하게는, 드래프트 챔버 내에 설치되는 조명용의 광이 조사되었다(실제로는, 8시간만 조사되었다). 그래서, 조명용의 광원으로부터 광의 기판 위에서의 강도와 광조사부로부터의 광의 기판 위에서의 강도의 다름에 대하여 검토한다.By the way, in the above experiment, even for sample 1 immersed in the removal liquid for 24 hours without irradiating light from the light irradiation unit, the light for illumination installed in the draft chamber was exactly irradiated (actually, only 8 hours were irradiated). . Then, the difference between the intensity | strength on the board | substrate of light from the light source for illumination, and the intensity | strength on the board | substrate of light from a light irradiation part is examined.

상기 실험에서는, 조명용 광의 광원(여기에서는, 형광등)과 기판 사이의 거리는 1.2미터(m)이며, 조명용 광의 광원으로부터의 전 광속은 2900루멘(lm)이다. 한편, 광조사부와 기판 사이의 거리는 0.4m이며, 광조사부로부터의 전 광속은 14000루멘이다. 여기서, 광속의 단위인 루멘은, 「1칸델라(cd)의 일정한 광도의 점광원(点光源)이 입체각 1스테라디안(sr) 내에 발(發)하는 광속」으로 정의되는 것으로, 광조사부로부터 출사(出射)되는 광의 강도와 조명용의 광원으로부터 출사되는 광의 강도의 비는 전 광속의 비로서 구해지기 때문에, 광조사부로부터 출사되는 광의 강도는 조명용의 광원으로부터 출사되는 광의 강도의 4.83배(=14000/2900)로 된다.In the above experiment, the distance between the light source for illumination light (here, a fluorescent lamp) and the substrate is 1.2 meters (m), and the total luminous flux from the light source for illumination light is 2900 lumens (lm). On the other hand, the distance between the light irradiation part and the substrate is 0.4 m, and the total luminous flux from the light irradiation part is 14000 lumens. Here, the lumen, which is a unit of luminous flux, is defined as "a luminous flux in which a point light source having a constant luminous intensity of one candela (cd) is emitted in a solid angle 1 steradian sr '', and is emitted from the light irradiation unit. Since the ratio of the intensity of the emitted light to the intensity of the light emitted from the light source for illumination is obtained as the ratio of the total luminous flux, the intensity of the light emitted from the light irradiation unit is 4.83 times the intensity of the light emitted from the light source for illumination (= 14000 / 2900).

또한, 광조사부 또는 조명용의 광원으로부터 광의 기판 위에서의 강도는, 광조사부 또는 조명용의 광원과 기판 사이의 거리의 제곱에 반비례하기 때문에, 만일, 광조사부 및 조명용의 광원으로부터 출사되는 광의 강도가 같은 경우에는, 광조사부로부터 광의 기판 위에서의 강도는 조명용의 광원으로부터의 광의 기판 위에서의 강도의 9.0배(=(1/0.42)/(1/1.22))로 된다. 상기한 바와 같이, 광조사부로부터 출사되는 실제의 광의 강도는 조명용의 광원으로부터 출사되는 광의 강도의 4.83배이기 때문에, 광조사부로부터의 광의 기판 위에서의 강도는 조명용의 광원으로부터의 광의 기판 위에서의 강도의 43.5배(=4.83×9.0)로 된다.In addition, since the intensity of the light from the light irradiation unit or the light source for illumination is inversely proportional to the square of the distance between the light irradiation unit or the light source for illumination and the substrate, if the intensity of light emitted from the light irradiation unit and the light source for illumination is the same The intensity of the light from the light irradiation section on the substrate is 9.0 times (= (1 / 0.4 2 ) / (1 / 1.2 2 )) of the intensity of the light from the light source for illumination on the substrate. As described above, since the intensity of the actual light emitted from the light irradiation unit is 4.83 times the intensity of the light emitted from the light source for illumination, the intensity on the substrate of the light from the light irradiation unit is that of the intensity on the substrate of the light from the light source for illumination. 43.5 times (= 4.83 x 9.0).

실제로는, 광조사부를 기판으로부터 0.8미터(즉, 상기 거리의 2배) 떨어진 위치에 배치할 경우에도, 광조사부로부터의 광의 기판 위에서의 강도는 조명용의 광원으로부터의 광의 기판 위에서의 강도의 약 11배가 되어, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거는 충분히 촉진되고, 광조사부를 기판으로부터 1.2미터(즉, 상기 거리의 3배)떨어진 위치에 배치할 경우도, 광조사부로부터의 광의 기판 위에서의 강도는 조명용의 광원으로부터 광의 기판 위에서의 강도의 약 5배가 되어, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거는 어느 정도 촉진된다. 또한, 형광등을 광조사부로 하여, 기판으로부터 0.4미터의 위치에 배치하는 경우에도, 해당 형광등으로부터의 광의 기판 위에서의 강도는 조명용의 광원으로부터의 광의 기판 위에서의 강도의 9배가 되어 도금층으로부터 템플릿제의 제거의 촉진이 실현된다.In fact, even when the light irradiation section is disposed 0.8 meters away from the substrate (that is, twice the distance), the intensity on the substrate of the light from the light irradiation section is about 11 of the intensity on the substrate of the light from the light source for illumination. In this case, the removal of the template agent from the plating layer is sufficiently promoted, and even when the light irradiation unit is disposed at a position 1.2 meters away from the substrate (that is, three times the distance), the intensity of the light from the light irradiation unit on the substrate is used for illumination. It becomes about 5 times the intensity | strength on the board | substrate of light from the light source of, and the removal of a template agent from a plating layer is accelerated to some extent. In addition, even when the fluorescent lamp is used as a light irradiation unit and disposed at a position of 0.4 meters from the substrate, the intensity of the light from the fluorescent lamp on the substrate becomes 9 times the intensity on the substrate of the light from the light source for illumination, and the template is made from the plated layer. Acceleration of removal is realized.

이상과 같이, 수지필름(9)을 제거액(411)에 침지하면서, 제거액(411) 내의 수지필름(9)의 근방에 설치되는 광조사부(42)로부터 고강도의 광을 수지필름(9)에 조사함으로써, 수지필름(9) 위의 도금층으로부터 템플릿제을 극히 효율 좋게 (단시간에) 제거하는 것이 실현된다. 또한, 도금 시스템(1)에서는, 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)로 수지필름(9)이 연속적으로 반송됨으로써, 다공질층의 형성에 의한 처리량, 및, 다공질층의 질을 향상할 수 있다.As described above, the high intensity light is irradiated to the resin film 9 from the light irradiation part 42 provided in the vicinity of the resin film 9 in the removal liquid 411 while the resin film 9 is immersed in the removal liquid 411. By doing so, it is possible to remove the template agent from the plating layer on the resin film 9 extremely efficiently (in a short time). In addition, in the plating system 1, the resin film 9 is continuously conveyed from the plating layer forming unit 3 to the removal apparatus 4, thereby improving the throughput by the formation of the porous layer and the quality of the porous layer. Can be.

그런데, 도 2의 제거장치(4)의 광조사부(42)로부터는, 자외선으로부터 가시 광에 이르는 광범위한 파장의 광이 출사되지만, 광조사부(42)로부터의 광이 템플릿제의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함함으로써, 제거액(411)에 침지되는 수지필름(9)의 도금층 중의 템플릿제가 활성화한다. 템플릿제는, 산화아연막 중에 흡착하고 있는 상태보다도, 제거액(411) 중에 존재하는 상태에서 더 안정되기 때문에, 템플릿제의 활성화에 의해, 도금층으로부터의 템플릿제의 이탈이 더 촉진되게 된다. 즉, 광조사부(42)로부터의 광이 템플릿제의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함함으로써, 도금층으로부터 템플릿제를 더 효율 좋게 제거할 수 있다.By the way, although light of a wide range of wavelengths from ultraviolet to visible light is emitted from the light irradiation part 42 of the removal apparatus 4 of FIG. 2, the light from the light irradiation part 42 is contained in the absorption wavelength band of a template agent. By containing light of a wavelength, the template agent in the plating layer of the resin film 9 immersed in the removal liquid 411 is activated. Since the template agent is more stable in the state existing in the removal liquid 411 than the state adsorbed in the zinc oxide film, the release of the template agent from the plating layer is further promoted by activation of the template agent. That is, since the light from the light irradiation part 42 contains light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of a template agent, a template agent can be removed more efficiently from a plating layer.

또한, 광조사부(42)로부터의 광이 도금층의 본체인 산화아연막의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함함으로써, 산화아연막 중의 전자가 여기(勵起)되어, 템플릿제에 전자가 공급된다. 이에 의해, 템플릿제가 이온화하여 제거액(411) 중에서 단시간에 용해하기 쉬워져, 도금층으로부터 템플릿제를 더 효율 좋게 제거하는 것이 가능해진다.In addition, when the light from the light irradiation section 42 includes light having a wavelength included in the absorption wavelength band of the zinc oxide film that is the main body of the plating layer, electrons in the zinc oxide film are excited to supply electrons to the template agent. . As a result, the template agent is ionized and easily dissolved in the removal liquid 411 in a short time, thereby allowing the template agent to be removed from the plating layer more efficiently.

또한, 광조사부(42)로부터의 광이 자외선(파장 10~400나노미터(nm)의 광)을 포함함으로써, 고분자량의 유기물인 템플릿제를 분해해서 저분자화하여, 도금층으로부터의 이탈을 촉진하는, 즉, 유기물의 템플릿제의 도금층으로부터의 제거를 더 효율 좋게 행할 수 있다.In addition, since the light from the light irradiation part 42 includes ultraviolet rays (light having a wavelength of 10 to 400 nanometers (nm)), the template agent, which is a high molecular weight organic substance, is decomposed to lower the molecular weight, thereby facilitating detachment from the plating layer. That is, the removal from the plating layer of the template agent of an organic substance can be performed more efficiently.

도 4는, 제거장치의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 4에 나타내는 제거장치(4a)에서는, 도 2의 제거장치(4)의 배액탱크(434) 대신 제거액 재생부(435)가 설치되고, 제거액 재생부(435)는 제거액 탱크(433)에 접속된다. 다른 구성은 도 2의 제거장치(4)와 동일하며, 같은 부호를 붙이고 있다.4 is a diagram illustrating another example of the removal apparatus. In the removal apparatus 4a shown in FIG. 4, the removal liquid regeneration part 435 is provided instead of the drainage tank 434 of the removal apparatus 4 of FIG. 2, and the removal liquid regeneration part 435 is connected to the removal liquid tank 433. FIG. do. The other structure is the same as the removal apparatus 4 of FIG. 2, and has attached | subjected the same code | symbol.

제거액 재생부(435)에는, 순환유로(43)를 통해 제거액조(41)로부터 배출되는 제거액(411)(도금층으로부터 제거된 템플릿제를 포함하는 제거액(411)이며, 이하, 「배출제거액」이라고 한다.)이 인도되어, 내부에 설치되는 활성탄 필터에 배출제거액 중의 템플릿제가 흡착함으로써 배출제거액으로부터 템플릿제가 제거된다. 배출제거액으로부터의 템플릿제의 제거는, 배출제거액으로의 자외선의 조사, 또는/및, 내부에 설치되는 산화티탄의 광촉매 작용으로 배출제거액 중의 템플릿제가 분해됨으로써 실현되어도 좋다. 그리고, 템플릿제가 제거된 배출제거액은 제거액 탱크(433)에 저장되어, 제거액조(41) 내의 제거액(411)의 보충 또는 교환에 사용된다.The removal liquid regeneration unit 435 is a removal liquid 411 (the removal liquid 411 containing the template agent removed from the plating layer) discharged from the removal liquid tank 41 through the circulation passage 43, hereinafter referred to as "drain removal liquid". The template agent is removed from the discharge removal liquid by adsorbing the template agent in the discharge removal liquid to the activated carbon filter installed therein. The removal of the template agent from the discharge removal liquid may be realized by decomposing the template agent in the discharge removal liquid by irradiation of ultraviolet rays to the discharge removal liquid and / or photocatalytic action of titanium oxide provided therein. The discharge removal liquid from which the template agent is removed is stored in the removal liquid tank 433 and used for replenishment or replacement of the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41.

그런데, 색소증감형 태양전지의 제조에서는 제거액을 대량으로 사용하기 때문에(예를 들면, 상술의 실험에서 사용되었던 하나의 주면의 면적이 1㎠인 작은 기판 위의 도금층으로부터 템플릿제를 제거하는 것만 해도, 적어도 수백 밀리미터(ml)의 제거액이 필요하게 된다.), 태양전지의 제조비용이 증대하는 동시에 제거액의 폐기방법에 따라서는 환경으로의 부하가 생겨버린다. 이에 대하여, 도 4의 제거장치(4a)에서는, 제거액조(41) 내의 제거액(411)에 포함되는 템플릿제를 제거하는 제거액 재생부(435)를 설치함으로써, 태양전지의 제조비용의 삭감, 및, 환경으로의 부하의 저감을 도모하면서 도금층으로부터의 첨가제의 제거를 안정되게 행하는 것이 실현된다.By the way, in the manufacture of a dye-sensitized solar cell, since the removal liquid is used in large quantities (for example, even if the template agent is removed from the plating layer on a small substrate having an area of 1 cm 2 of one main surface used in the above-described experiments). At least several hundred millimeters (ml) of removal liquid is required.) The manufacturing cost of the solar cell increases, and the method of disposing of the removal liquid creates a load on the environment. On the other hand, in the removal apparatus 4a of FIG. 4, by providing the removal liquid regeneration part 435 which removes the template agent contained in the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41, reduction of the manufacturing cost of a solar cell, and It is possible to stably remove the additive from the plating layer while reducing the load on the environment.

도 5는 도금 시스템의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 5의 도금 시스템(1a)에서는, 도금층 형성부(3)와 제거장치(4)의 사이에 수지필름(9)을 향하여 순 수(다른 액체이어도 좋다.)를 분무하는 분무부(51)가 설치되어, 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)로의 수지필름(9)의 반송 도중에서, 도금층에 순수가 공급된다.5 is a diagram illustrating another example of the plating system. In the plating system 1a of FIG. 5, the spray part 51 which sprays pure water (other liquid may be sufficient) toward the resin film 9 between the plating layer forming part 3 and the removal apparatus 4 is It is provided and pure water is supplied to a plating layer in the middle of conveyance of the resin film 9 from the plating layer forming part 3 to the removal apparatus 4.

여기서, 본 실시 형태에서 형성되는 도금층에서는, 건조에 의해 템플릿제와 도금층의 본체(산화아연막)가 강고(强固)하게 결합해 버리는 것으로 되어 있다. 따라서, 도 5의 도금 시스템(1a)에서는, 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)로의 수지필름(9)의 반송 도중에서, 수지필름(9)에 순수를 공급하여 도금층의 건조를 방지함으로써, 템플릿제와 도금층의 본체가 강고하게 결합해 버리는 것을 방지하여(즉, 템플릿제의 산화아연막으로의 흡착력이 약한 상태인 채로 유지되어), 제거장치(4)에서 도금층으로부터 템플릿제를 더 효율 좋게(단시간에) 제거하는 것이 실현된다. 그 결과, 다공질층의 형성에 의한 처리량을 향상하는 동시에, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거에 요하는 에너지(예를 들면, 광조사부(42)에서 소비되는 에너지)를 저감하여, 태양전지의 제조비용의 삭감을 도모할 수 있다.Here, in the plating layer formed in the present embodiment, the template agent and the main body (zinc oxide film) of the plating layer are firmly bonded to each other by drying. Therefore, in the plating system 1a of FIG. 5, pure water is supplied to the resin film 9 in the middle of conveyance of the resin film 9 from the plating layer forming part 3 to the removal apparatus 4, and drying of the plating layer is prevented. This prevents the template agent and the main body of the plating layer from firmly bonding (i.e., the adsorption force of the template agent to the zinc oxide film is kept weak), and the template agent is further removed from the plating layer in the removal apparatus 4. Efficient (short time) removal is realized. As a result, while improving the throughput by forming the porous layer, the energy required for removal of the template agent from the plating layer (for example, energy consumed by the light irradiation section 42) is reduced, and the manufacturing cost of the solar cell is reduced. We can plan reduction.

그런데, 수지필름(9)을 도금액(311)으로부터 꺼낸 후, 수지필름(9)의 제거액(411)으로의 침지가 시작될 때까지의 사이에서, 수지필름(9)의 도금층의 건조를 방지한다고 하는 관점에서는, 예를 들면 순수가 저장되는 전용의 조(槽)가 설치되어, 제거액(411)에 침지하기 직전까지 수지필름(9)을 순수의 조에 침지(도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)까지의 반송경로가 순수 속이라고 할 수도 있다.)함으로써, 수지필름(9)의 건조가 방지되어도 좋다. 이 경우, 도금조(31)로부터 꺼내진 수지필름(9) 위에 잔존하는 도금액(311)이 순수의 조에서 확실히 제거되기 때문에(수지필름(9)의 세정이라고 할 수도 있다.), 도금액(311)이 제거액(411)에 섞여, 제거 장치(4)에서의 템플릿제의 제거에 영향이 일어나는 것이 방지된다.By the way, after taking out the resin film 9 from the plating liquid 311, it is said that drying of the plating layer of the resin film 9 is prevented until the immersion to the removal liquid 411 of the resin film 9 starts. From the viewpoint, for example, a dedicated tank for storing pure water is provided, and the resin film 9 is immersed in the pure water tank until immediately before being immersed in the removal liquid 411 (from the plating layer forming unit 3, the removal device ( It may be said that the conveyance path | route up to 4) is pure water.) By drying the resin film 9 may be prevented. In this case, since the plating liquid 311 remaining on the resin film 9 taken out from the plating tank 31 is reliably removed from the tank of pure water (it can also be called washing of the resin film 9), plating liquid 311 ) Is mixed with the removal liquid 411 to prevent the influence of removing the template agent from the removal apparatus 4.

이상과 같이, 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)로의 수지필름(9)의 반송 도중에 수지필름(9)에 액체를 공급하는 액체 공급부(예를 들면, 액체를 분무하는 분무부(51) 또는 액체를 저장하는 조)가 설치됨으로써, 템플릿제의 제거 전의 도금층의 건조를 방지하는 것이 실현된다. 또한, 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)까지의 반송을 고속화함으로써, 수지필름(9)의 건조를 방지하는 것도 가능하다.As mentioned above, the liquid supply part which supplies a liquid to the resin film 9 during conveyance of the resin film 9 from the plating layer forming part 3 to the removal apparatus 4 (for example, the spray part 51 which sprays liquid) ) Or a tank for storing the liquid) is realized to prevent drying of the plating layer before removing the template agent. Moreover, it is also possible to prevent drying of the resin film 9 by speeding up the conveyance from the plating layer forming part 3 to the removal apparatus 4 at high speed.

도 6은, 도금 시스템의 또다른 예를 나타내는 도면이다. 도 6의 도금 시스템(1b)에서는, 도금층 형성부(3)와 제거장치(4)의 사이에, 제거장치(4)의 광조사부(42)와 동일한 광을 출사하는 보조 광조사부(52)가 설치된다.6 is a diagram illustrating still another example of the plating system. In the plating system 1b of FIG. 6, between the plating layer forming part 3 and the removal apparatus 4, the auxiliary light irradiation part 52 which emits the same light as the light irradiation part 42 of the removal apparatus 4 is Is installed.

도 6의 도금 시스템(1b)에서의 수지필름(9) 위의 다공질층의 형성처리에서는, 도금층 형성부(3)에서 수지필름(9) 위에 도금층이 형성되면(도 3:스텝 S11), 도금층 형성부(3)로부터 제거장치(4)로의 수지필름(9)의 반송 도중에서, 보조 광조사부(52)로부터 수지필름(9)의 도금층에 광이 조사된다(스텝 S11a). 이어서, 수지필름(9)이 제거액조(41) 내의 제거액(411)에 침지되는 동시에 수지필름(9)에 광조사부(42)로부터의 광이 조사되어, 도금층으로부터 템플릿제가 제거된다(스텝 S12, 스텝 S13). 그 후, 수지필름(9)이 제거액(411)으로부터 꺼내져 세정조(48)에서 세정되어(스텝 S14), 건조로(49)에서 건조가 행해짐으로써 다공질층을 형성하는 처리가 완료된다(스텝 S15).In the formation process of the porous layer on the resin film 9 in the plating system 1b of FIG. 6, when a plating layer is formed on the resin film 9 in the plating layer forming part 3 (FIG. 3: step S11), a plating layer In the middle of conveyance of the resin film 9 from the formation part 3 to the removal apparatus 4, light is irradiated to the plating layer of the resin film 9 from the auxiliary light irradiation part 52 (step S11a). Subsequently, the resin film 9 is immersed in the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41, and the resin film 9 is irradiated with light from the light irradiation part 42 to remove the template agent from the plating layer (step S12, Step S13). Thereafter, the resin film 9 is taken out of the removal liquid 411 and washed in the washing tank 48 (step S14), and drying is performed in the drying furnace 49, thereby completing the process of forming the porous layer (step) S15).

이상과 같이, 도 6의 도금 시스템(1b)에서는, 수지필름(9)을 제거액(411)에 침지하기 직전에(즉, 도금층의 형성 후, 제거액(411)으로의 침지 전에), 도금층으 로부터의 템플릿제의 제거를 촉진하는 광을 수지필름(9)에 조사함으로써, 템플릿제가 도금층으로부터 이탈하기 쉬운 상태에서 수지필름(9)을 제거액(411)에 침지할 수 있다. 이에 의해, 수지필름(9)을 제거액(411)에 침지한 직후부터 도금층 중의 템플릿제의 이탈이 시작되어, 도금층으로부터 템플릿제를 더 효율 좋게 제거할 수 있다. 그 결과, 다공질층의 형성처리를 단시간에 행할(처리량을 향상한다) 수 있다.As described above, in the plating system 1b of FIG. 6, immediately before the resin film 9 is immersed in the removal liquid 411 (that is, after formation of the plating layer and before immersion in the removal liquid 411), the plating layer is removed from the plating layer. By irradiating the resin film 9 with light for promoting the removal of the template agent, the resin film 9 can be immersed in the removal liquid 411 in a state where the template agent is easily separated from the plating layer. As a result, immediately after the resin film 9 is immersed in the removal liquid 411, the detachment of the template agent in the plating layer starts, and the template agent can be more efficiently removed from the plating layer. As a result, the formation process of a porous layer can be performed in a short time (improvement of throughput).

또한, 보조 광조사부(52)에서도, 출사되는 광이 자외선을 포함함으로써, 도금층 중의 유기물이 침지 전에 분해되어, 유기물의 템플릿제의 도금층으로부터의 제거의 촉진이 도모된다. 또한, 보조 광조사부(52)로부터의 광이 템플릿제의 흡수파장의 광, 또는, 도금층의 본체의 흡수파장의 광을 포함함으로써, 침지 전에 템플릿제 또는 도금층의 본체를 활성화하여, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거를 더 효율 좋게 행하는 것이 가능해진다.In addition, also in the auxiliary light irradiation part 52, since the emitted light contains an ultraviolet-ray, the organic substance in a plating layer will decompose before immersion, and the removal of the organic substance from the plating layer of the template agent is aimed at. In addition, the light from the auxiliary light irradiation part 52 includes light of the absorption wavelength made of the template or light of the absorption wavelength of the body of the plating layer, thereby activating the template or the body of the plating layer before immersion, thereby allowing the template from the plating layer. It becomes possible to perform removal of an agent more efficiently.

다음으로, 유리기판을 처리의 대상물로 하는 도금 시스템에 대하여 설명한다. 도 7은, 도금층 형성부의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 7의 도금층 형성부(3a)는, 매양식(枚樣式)의 장치이며, 투명 도전층을 갖는 투명한 유리기판(9a)이 처리의 대상물로 된다.Next, a plating system using the glass substrate as an object of processing will be described. 7 is a diagram illustrating another example of the plating layer forming unit. The plating layer forming part 3a of FIG. 7 is a device of a buried pattern, and the transparent glass substrate 9a which has a transparent conductive layer becomes an object of a process.

도 7의 도금층 형성부(3a)는, 도금액(311)을 저장하는 도금조(31a), 유리기판(9a)을 유지하는 동시에 도금액(311) 중에 침지되는 기판유지부(35), 기판유지부(35)에 유지되는 유리기판(9a)의 중심을 지나는 동시에 주면에 수직인 중심축을 중심으로 하여 기판유지부(35)를 회전하는 회전기구(36), 도금액(311) 중에 배치되 는 대향전극(32) 및 기준전극(33), 및, 유리기판(9a)의 투명 도전층, 대향전극(32) 및 기준전극(33)의 각각에 전위를 부여하는 전원부(34)를 구비한다.The plating layer forming part 3a of FIG. 7 holds the plating bath 31a for storing the plating liquid 311, the substrate holding part 35 and the substrate holding part which are immersed in the plating liquid 311 while holding the glass substrate 9a. A counter electrode disposed in the rotating mechanism 36 and the plating solution 311 that rotate the substrate holding part 35 about the center axis perpendicular to the main surface while passing through the center of the glass substrate 9a held by the 35. (32) and the reference electrode (33), and a power supply unit (34) for applying a potential to each of the transparent conductive layer, the counter electrode (32) and the reference electrode (33) of the glass substrate (9a).

도금조(31a)에는 공급관(371)이 설치되고, 공급관(371)에는 필터(374)가 설치된다. 또한, 공급관(371)은 펌프(372)를 통해 도금액 탱크(373)에 접속된다. 도금액 탱크(373)에는, 배출관(375)을 통해 도금조(31a)로부터 되돌려지는 도금액이 저장되어 있어, 펌프(372)를 구동함으로써 필터(374)로 도금액 중의 불필요물이나 기포를 제거하면서 도금액 탱크(373)로부터 도금조(31a) 내에 도금액이 공급되어, 도금조(31a)에 일정량의 도금액(311)이 저장된다. 실제로는, 공급관(371)으로부터의 도금액(311)은, 도금조(31a) 내에 배치되는 유리기판(9a)의 주면(기판유지부(35)와는 반대측의 주면)을 향하여 분출되어 있어, 해당 주면에 도금액(311)의 분류(噴流)가 충돌한다. 도 7의 도금층 형성부(3a)에서는, 공급관(371), 펌프(372) 및 배출관(375)에 의해, 도금조(31a)와 도금액 탱크(373)의 사이에서 도금액(311)을 순환시키는 순환기구가 구축된다.The supply pipe 371 is provided in the plating tank 31a, and the filter 374 is provided in the supply pipe 371. In addition, the supply pipe 371 is connected to the plating liquid tank 373 via the pump 372. In the plating liquid tank 373, the plating liquid returned from the plating tank 31a through the discharge pipe 375 is stored, and the pump 372 drives the pump 372 to remove unneeded substances or bubbles in the plating liquid with the filter 374. The plating liquid is supplied from the 371 to the plating tank 31a, and a predetermined amount of the plating liquid 311 is stored in the plating tank 31a. In reality, the plating liquid 311 from the supply pipe 371 is ejected toward the main surface (main surface on the opposite side to the substrate holding portion 35) of the glass substrate 9a disposed in the plating bath 31a, and the corresponding main surface. The classification of the plating liquid 311 collides with each other. In the plating layer forming portion 3a of FIG. 7, the circulation to circulate the plating liquid 311 between the plating vessel 31a and the plating liquid tank 373 by the supply pipe 371, the pump 372, and the discharge tube 375. The mechanism is built.

도금조(31a)에는, 도금액(311) 중의 산소농도를 측정하는 용존산소계(313), 및, 도금액(311)의 온도를 측정하는 온도계(314)가 설치된다. 도금액 탱크(373) 중에는 히터(315a)가 설치되어 있어, 온도계(314)의 출력에 의거하여 온도 컨트롤러(316)가 히터(315a)를 제어함으로써, 도금조(31a)와 도금액 탱크(373) 사이를 순환하는 도금액(311)이 일정한 온도로 유지된다.The plating bath 31a is provided with a dissolved oxygen meter 313 for measuring the oxygen concentration in the plating liquid 311 and a thermometer 314 for measuring the temperature of the plating liquid 311. A heater 315a is provided in the plating liquid tank 373, and the temperature controller 316 controls the heater 315a based on the output of the thermometer 314, thereby between the plating bath 31a and the plating liquid tank 373. The plating solution 311 circulating is maintained at a constant temperature.

공급관(371)에서, 필터(374)와 펌프(372)의 사이에는 기체용해 유닛(376)이 설치되어, 용존산소계(313)의 측정치에 따라 도금액(311) 중에 산소가 용해된다. 또한, 필터(374)와 기체용해 유닛(376)의 사이에는 도금액(311)의 성분을 분석하는 분석장치(377)가 접속되어 있어, 분석장치(377)에서의 결과에 따라, 성분조정부(373)로부터 도금액 탱크(373)에 도금액(311) 중에 포함되는 각 성분(예를 들면, 고농도의 염화아연용액이나 템플릿제)이 필요한 양만 공급된다. 또한, 분석장치(377)에서의 결과는, 제어부(10)(도 1 참조)가 갖는 표시부에 표시가능하게 된다.In the supply pipe 371, a gas dissolving unit 376 is provided between the filter 374 and the pump 372, and oxygen is dissolved in the plating liquid 311 according to the measured value of the dissolved oxygen meter 313. In addition, between the filter 374 and the gas dissolving unit 376, an analysis device 377 for analyzing the components of the plating solution 311 is connected, and according to the result of the analysis device 377, the component adjustment unit 373 ), Only the required amount of each component (for example, a high concentration of zinc chloride solution or template agent) contained in the plating solution 311 is supplied to the plating solution tank 373. In addition, the result in the analyzer 377 can be displayed on the display part of the control part 10 (refer FIG. 1).

유리기판(9a) 위에 다공질층을 형성할 때에는, 우선, 도 7의 도금층 형성부(3a)에서 유리기판(9a)을 유지하는 기판유지부(35)가 도금액(311)에 침지되어, 회전기구(36)에 의해 기판유지부(35)가 회전한다. 또한, 전원부(34)에서는, 기준전극(33)에 소정의 기준전위가 부여되며, 대향전극(32)에 기준전위와의 차가 소정치로 되는 전위가 부여되고, 또한, 유리기판(9a)의 투명 도전층에도 기준전위와의 차가 소정치로 되는 전위가 부여된다. 이에 의해, 유리기판(9a)에 전해도금이 시행되어(전석이 행해져), 유리기판(9a) 위에 산화아연 및 템플릿제를 포함하는 고품질의(또는, 고순도의) 도금층이 형성된다(도 3:스텝 S11).When forming the porous layer on the glass substrate 9a, first, the substrate holding portion 35 holding the glass substrate 9a in the plating layer forming portion 3a of FIG. 7 is immersed in the plating liquid 311, thereby rotating mechanism. The substrate holding part 35 rotates by 36. In the power supply unit 34, a predetermined reference potential is applied to the reference electrode 33, and a potential at which the difference with the reference potential becomes a predetermined value is applied to the counter electrode 32, and the glass substrate 9a is provided. The transparent conductive layer is also provided with a potential at which the difference from the reference potential becomes a predetermined value. As a result, electroplating is performed on the glass substrate 9a (precursored) to form a high quality (or high purity) plating layer containing zinc oxide and a template agent on the glass substrate 9a (Fig. 3: Step S11).

실제로는, 도금층 형성부(3a)에서는, 도시 생략의 지지 아암에 의해 회전기구(36)가 지지되는 동시에, 도 7 중의 횡방향이나 상하방향, 또는, 지면에 수직인 방향으로 회전기구(36)를 요동하는 것이 가능하게 되어 있어, 도금층의 형성 후에는, 지지 아암이 회전기구(36)를 상승함으로써 유리기판(9a)의 꺼냄이 가능하게 된다. 또한, 필요에 따라 도금액(311)을 교반(攪拌)하는 기구가 도금조(31a)에 설치되어도 좋고, 또한, 공급관(371)에 도금액 중에 용해하는 기체를 제거하는 기구가 설치되어, 기체용해 유닛(376)과 협동하여 도금액(311) 중의 산소농도가 높여져도 좋다.In reality, in the plating layer forming part 3a, the rotating mechanism 36 is supported by the support arm not shown, and the rotating mechanism 36 in the horizontal direction, the up-down direction, or the direction perpendicular | vertical to the paper surface in FIG. It is possible to oscillate, and after formation of the plating layer, the support arm raises the rotary mechanism 36, and the glass substrate 9a can be taken out. In addition, a mechanism for agitating the plating liquid 311 may be provided in the plating tank 31a as necessary, and a mechanism for removing gas dissolved in the plating liquid is provided in the supply pipe 371, and a gas dissolving unit is provided. In cooperation with 376, the oxygen concentration in the plating solution 311 may be increased.

도금층이 형성된 유리기판(9a)은, 도 8에 나타내는 제거장치(4b)로 반송된다. 유리기판(9a)용의 제거장치(4b)에서는, 제거액조(41)가 투광성을 갖는 부재로 형성되는 동시에, 광조사부(42)가 제거액조(41)의 하나의 측면에 대향하여 설치된다. 그리고, 복수의 유리기판(9a)을 서로 평행하면서 직립(直立)한 상태로 지지하는 기판 카세트(91)가 제거액(411)에 침지되어, 유리기판(9a)의 주면에 대향하는 광조사부(42)로부터의 광이 도금층에 조사됨으로써, 복수의 유리기판(9a)의 도금층으로부터 템플릿제를 효율 좋게 제거함이 실현된다(스텝 S12, 스텝 S13). 그리고, 복수의 유리기판(9a)을 기판 카세트(91)와 함께 제거액(411)으로부터 꺼내 복수의 유리기판(9a)을 세정하고, 그 후, 유리기판(9a)의 건조가 행해진다(스텝 S14, 스텝 S15). 이상과 같이 하여, 유리기판(9a)용의 도금 시스템에서는, 유리기판(9a) 위에 다공질층을 효율 좋게 형성함이 실현된다.The glass substrate 9a in which the plating layer was formed is conveyed to the removal apparatus 4b shown in FIG. In the removal apparatus 4b for the glass substrate 9a, the removal liquid tank 41 is formed with a light transmitting member, and the light irradiation part 42 is provided facing one side of the removal liquid tank 41. Subsequently, the substrate cassette 91 for supporting the plurality of glass substrates 9a in a state of being parallel to each other and standing upright is immersed in the removal liquid 411, and the light irradiation part 42 facing the main surface of the glass substrate 9a is provided. By irradiating the plated layer with light from the platen, it is possible to efficiently remove the template agent from the plated layers of the plurality of glass substrates 9a (step S12, step S13). Then, the plurality of glass substrates 9a are taken out from the removal liquid 411 together with the substrate cassette 91 to wash the plurality of glass substrates 9a, and thereafter, the glass substrates 9a are dried (step S14). , Step S15). As described above, in the plating system for the glass substrate 9a, the porous layer can be efficiently formed on the glass substrate 9a.

또한, 복수의 유리기판(9a)이 정지한 상태로 침지되는 도 8의 제거장치(4b)에서는, 제거액조(41) 내의 제거액(411)에서, 제거된 템플릿제의 농도가 도금층의 일부분의 근방에서 국소적으로 높아지는 경우가 있어, 도금층의 해당 부분에서 제거액(411)과의 템플릿제의 농도차가 낮아져 템플릿제의 이탈량이 저하되어, 도금층 전체에서의 템플릿제의 제거의 균일성이 저하해 버리는 경우가 있다. 따라서, 이와 같은 경우에는, 제거액(411)을 교반하는 기구를 제거액조(41)에 설치하는 것이 바람직하다. 또한, 제거장치의 설계에 따라서는, 순환유로(43)(도 2 참조)로부터 분 출되는 제거액(411)의 흐름에 의해, 제거액조(41) 내의 제거액(411)이 교반되어도 좋다.In addition, in the removal apparatus 4b of FIG. 8 in which the plurality of glass substrates 9a are immersed in a stopped state, the concentration of the template agent removed in the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41 is near the portion of the plating layer. In this case, the concentration of the template agent with the removal liquid 411 is lowered in the corresponding portion of the plating layer, so that the amount of release of the template agent is lowered, and the uniformity of removal of the template agent in the entire plating layer is lowered. There is. Therefore, in such a case, it is preferable to provide the mechanism for stirring the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41. In addition, depending on the design of the removal apparatus, the removal liquid 411 in the removal liquid tank 41 may be stirred by the flow of the removal liquid 411 ejected from the circulation passage 43 (see FIG. 2).

이상, 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 여러가지 변형이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

상기 실시 형태에서는, 수지필름(9) 또는 유리기판(9a)(이하, 「대상물」이라고 한다.)을 제거액(411)에 침지함으로써 도금층으로부터의 템플릿제의 제거가 행해지지만, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제거장치(4c)에 대상물(도 9에서는, 유리기판(9a))의 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 토출부(41a)가 설치되어도 좋다. 이 경우, 도 3의 다공질층의 형성처리에서는, 스텝 S12에서 토출부(41a)로부터 대상물로의 제거액의 연속적인 부여가 시작되고, 제거액의 부여에 병행하여, 스텝 S13에서 광조사부(42)로부터 도금층에 광이 조사되어, 토출부(41a)로부터 제거액이 부여되는 도금층으로부터 효율 좋게 템플릿제가 제거된다.In the above embodiment, the template agent is removed from the plating layer by immersing the resin film 9 or the glass substrate 9a (hereinafter referred to as "object") in the removal liquid 411, but as shown in FIG. Similarly, the discharge part 41a which continuously applies a removal liquid to the plating layer of the object (FIG. 9, the glass substrate 9a) in the removal apparatus 4c may be provided. In this case, in the formation process of the porous layer of FIG. 3, the continuous application of the removal liquid from the discharge part 41a to the object is started in step S12, and in parallel with the application of the removal solution, the light irradiation part 42 is released from step S13. Light is irradiated to the plating layer, and the template agent is efficiently removed from the plating layer to which the removal liquid is applied from the discharge part 41a.

이상과 같이, 도금층으로부터 템플릿제를 효율 좋게 제거하려면, 제거장치(4, 4a~4c)에서, 도금층으로부터의 템플릿제의 제거를 촉진하는 광을 대상물에 조사하는 광조사부(42)가 설치되는 동시에, 대상물이 침지되는 제거액을 저장하는 제거액조(41), 또는, 대상물의 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 토출부(41a)가 제거액 부여부로서 설치되는 것이 중요해진다.As mentioned above, in order to remove a template agent efficiently from a plating layer, the light irradiation part 42 which irradiates the object with the light which promotes removal of a template agent from a plating layer is provided in the removal apparatus 4, 4a-4c. It is important to provide a removal liquid tank 41 for storing the removal liquid in which the object is immersed, or a discharge part 41a for continuously applying the removal liquid to the plating layer of the object as the removal liquid applying part.

수지필름(9)을 처리대상으로 하는 도금 시스템에서는, 수지필름(9)을 도금액(311)으로부터 꺼낸 후, 수지필름(9)의 제거액(411)으로의 침지가 시작될 때까지의 사이에서, 수지필름(9)의 도금층이 건조한 경우에도 도금층으로부터의 템플릿제 의 제거에 영향이 없을 때에는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 도금층 형성부(3)와 제거장치(4)의 사이에 수지필름(9)을 건조하는 건조로(54)가 설치되어, 수지필름(9) 위의 도금층의 건조가 행해져도 좋다. 이 경우, 제거액(411)에 불필요한 액체가 섞이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 도 10의 도금 시스템(1c)에서는, 도금층 형성부(3)와 건조로(54)의 사이에, 세정조(531), 세정 스프레이 군(532) 및 에어 나이프(533)을 갖는 세정부(53)가 설치되고, 도금층이 형성된 직후의 수지필름(9)의 세정이 행해져, 제거액(411)에 도금액(311)이 섞이는 것이 확실히 방지된다.In the plating system for which the resin film 9 is the object of treatment, the resin film 9 is removed from the plating liquid 311 and then until the immersion of the resin film 9 into the removal liquid 411 starts. If the removal of the template agent from the plating layer is not affected even when the plating layer of the film 9 is dry, as shown in FIG. 10, the resin film 9 is interposed between the plating layer forming portion 3 and the removal device 4. A drying furnace 54 for drying the film may be provided, and the plating layer on the resin film 9 may be dried. In this case, it is possible to prevent the unnecessary liquid from mixing in the removal liquid 411. In addition, in the plating system 1c of FIG. 10, between the plating layer formation part 3 and the drying furnace 54, the washing part which has the washing tank 531, the cleaning spray group 532, and the air knife 533. 53 is provided, and the resin film 9 immediately after the plating layer is formed is washed, and the plating solution 311 is surely prevented from mixing with the removal liquid 411.

유리기판(9a)이 처리대상으로 되는 경우에, 도금층 형성부에서 형성되는 도금층의 종류(후술하는 바와 같이, 템플릿제 이외의 첨가제를 포함하는 도금층 등)에 따라서는, 도금 시스템에 챔버를 갖는 소성로가 설치되어, 첨가제의 제거 후의 도금층이 소성되어도 좋다. 도금층에 따라서는, 예를 들면 결정수(結晶水)와 같이 용매인 물이 결정 중에 취입되어 버리는 경우가 있지만, 소성을 행함으로써 도금층 중의 물을 제거하는 것이 가능해진다. 또한, 도금층이 형성되는 기판의 종류에 따라서는, 챔버 내를 소정의 가스분위기로 유지하면서 소성을 행함으로써, 기판이 산화하는 것이 방지되어도 좋다(도 10의 건조로(54)에서 동일).In the case where the glass substrate 9a is to be treated, a firing furnace having a chamber in the plating system, depending on the type of plating layer formed in the plating layer forming portion (plating layer containing an additive other than a template, as described below). May be provided and the plating layer after removal of the additive may be fired. Depending on the plating layer, water, which is a solvent, for example, crystallized water may be blown into the crystal. However, by firing, water in the plating layer can be removed. Further, depending on the type of substrate on which the plating layer is formed, the substrate may be prevented from oxidizing by firing while maintaining the inside of the chamber at a predetermined gas atmosphere (same as in the drying furnace 54 of FIG. 10).

상기 실시 형태에서는, 도금층인 산화아연막 중의 템플릿제가 제거되지만, 대상물 위에 형성된 도금층은, 산화아연 이외의 막이어도 좋고, 해당 막에 맞추어 도금액의 종류도 변경된다. 또한, 템플릿제를 포함하는 도금층, 또는, 템플릿제를 포함하지 않는 도금층의 모두를 대상물 위에 형성하는 경우이어도, 도금층의 형성에 사용되는 도금액은 통상, 도금층의 본체를 형성하는 성분 이외에, 도금층의 질 의 조정 등을 가능하게 하는 첨가제(템플릿제 이외의 첨가제)를 포함하고 있어, 도금층이 형성되는 대상물의 용도에 따라서는, 도금층 중의 해당 첨가제의 제거가 요구되는 경우도 있다. 이와 같은 경우라도, 첨가제 제거장치인 제거장치(4, 4a~4c)에서는, 대상물의 제거액(411)으로의 침지, 또는 토출부(41a)로부터 대상물로의 제거액의 부여에 병행하여, 도금층으로부터의 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 도금층에 조사함으로써, 도금층으로부터 첨가제를 효율 좋게 제거하는 것이 실현된다.In the said embodiment, although the template agent in a zinc oxide film which is a plating layer is removed, the plating layer formed on the object may be a film other than zinc oxide, and the kind of plating liquid changes also according to the said film. Further, even when the plating layer containing the template agent or the plating layer containing no template agent is formed on the object, the plating liquid used for forming the plating layer is generally used in addition to the components forming the main body of the plating layer. It contains an additive (an additive other than a template agent) which enables adjustment of the etc., and depending on the use of the target object in which a plating layer is formed, the removal of the said additive in a plating layer may be required. Even in such a case, in the removal apparatuses 4 and 4a to 4c which are the additive removal apparatuses, in parallel with the immersion into the removal liquid 411 of the object or the provision of the removal liquid from the discharge part 41a to the object, By irradiating the plating layer with light that promotes the removal of the additive, it is possible to efficiently remove the additive from the plating layer.

도금 시스템에서의 처리의 대상물은, 수지필름(9) 및 유리기판(9a) 이외에, 반도체 기판이나 프린트 배선기판, 또는, 기판 이외의 여러가지 형태의 것이어도 좋다.In addition to the resin film 9 and the glass substrate 9a, the object to be processed in the plating system may be a semiconductor substrate, a printed wiring board, or various forms other than the substrate.

이 발명을 상세하게 설명했지만, 상기의 설명은 예시적이며 한정적인 것은 아니다. 따라서, 이 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 태양이 가능하다는 것이 이해된다.Although this invention was demonstrated in detail, the above description is illustrative and not restrictive. Accordingly, it is understood that many variations and aspects are possible without departing from the scope of this invention.

Claims (16)

첨가제를 포함하는 도금액(311)에 대상물(9, 9a)를 침지(浸漬)함으로써 형성된 상기 대상물 위의 도금층으로부터 상기 첨가제를 제거하는 첨가제 제거방법으로서,An additive removal method for removing the additive from a plating layer on the object formed by immersing the objects 9 and 9a in a plating solution 311 containing an additive, a)제거액조(除去液槽, 41)에 저장되는 제거액(411)에 상기 대상물을 침지하는, 또는, 상기 대상물의 상기 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 공정(S12)과,a) a step (S12) of immersing the object in the removal liquid 411 stored in the removal liquid tank 41, or continuously applying the removal liquid to the plating layer of the object; b)상기 a)공정과 병행하여 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광(光)을 상기 대상물에 조사(照射)하는 공정(S13)을 구비하는 첨가제 제거방법.and b) irradiating light to the object to accelerate the removal of the additive from the plating layer in parallel with the step a). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광이, 상기 첨가제의 흡수파장대(吸收波長帶)에 포함되는 파장의 광을 포함하는 첨가제 제거방법.The additive removal method of the said light containing the light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of the said additive. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광이, 상기 도금층의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함하는 첨가제 제거방법.And the light includes light having a wavelength included in an absorption wavelength band of the plating layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광이, 자외선을 포함하는 첨가제 제거방법.The additive removes the light comprises ultraviolet. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 대상물을 상기 도금액으로부터 꺼낸 후, 상기 a)공정이 시작될 때까지의 사이에서, 상기 대상물의 상기 도금층의 건조가 방지되는 첨가제 제거방법.After removing the said object from the said plating liquid, and until the a process starts, drying of the said plating layer of the said object is prevented. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 a)공정을 실행하기 전에, 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 상기 대상물에 조사하는 공정(S11a)을 더 구비하는 첨가제 제거방법.And a step (S11a) of irradiating the object with light for promoting the removal of the additive from the plating layer before executing the step a). 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 첨가제가 템플릿제인 첨가제 제거방법.The additive removal method of the said additive is a template agent. 첨가제를 포함하는 도금액(311)에 대상물(9, 9a)을 침지함으로써 형성된 상기 대상물 위의 도금층으로부터 상기 첨가제를 제거하는 첨가제 제거장치(4, 4a~4c)로서,As an additive removing device (4, 4a to 4c) for removing the additive from the plating layer on the object formed by immersing the object (9, 9a) in the plating solution 311 containing the additive, 상기 대상물이 침지되는 제거액(411)을 저장하는 제거액조(41), 또는, 상기 대상물의 상기 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 토출부(吐出部, 41a)인 제거액 부여부와,A removal liquid tank 41 for storing the removal liquid 411 in which the object is immersed, or a removal liquid providing part that is a discharge part 41a that continuously applies the removal liquid to the plating layer of the object; 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 상기 제거액조 내의 상기 대상물, 또는, 상기 토출부로부터 상기 제거액이 부여되는 상기 대상물에 조사하는 광조사부(光照射部, 42)를 구비하는 첨가제 제거장치.Additive removal provided with the light irradiation part 42 which irradiates the object in the said removal liquid tank to the said object in the said removal liquid tank, or the said object to which the removal liquid is provided from the said discharge part by the light which promotes removal of the said additive from the said plating layer. Device. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 광조사부로부터의 광이, 상기 첨가제의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함하는 첨가제 제거장치.The additive removal apparatus which the light from the said light irradiation part contains the light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of the said additive. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 광조사부로부터의 광이, 상기 도금층의 흡수파장대에 포함되는 파장의 광을 포함하는 첨가제 제거장치.The additive removal apparatus which the light from the said light irradiation part contains the light of the wavelength contained in the absorption wavelength band of the said plating layer. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 광조사부로부터의 광이, 자외선을 포함하는 첨가제 제거장치.The additive removal apparatus the light from the said light irradiation part contains an ultraviolet-ray. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 제거액 부여부인 상기 제거액조 내의 상기 제거액에 포함되는 상기 첨가제를 제거하는 제거액 재생부(435)를 더 구비하는 첨가제 제거장치.And a removal liquid regeneration unit (435) for removing the additive contained in the removal liquid in the removal liquid tank which is the removal liquid providing unit. 제8항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 8 to 12, 상기 첨가제가 템플릿제인 첨가제 제거장치.An additive removing device wherein the additive is a template agent. 대상물(9, 9a) 위에 도금층을 형성하는 도금 시스템(1, 1a~1c)으로서,As the plating system 1, 1a-1c which forms a plating layer on the object 9, 9a, 첨가제를 포함하는 도금액(311)에 대상물을 침지함으로써 상기 대상물 위에 도금층을 형성하는 도금층 형성부(3, 3a)와,Plating layer forming portions 3 and 3a for forming a plating layer on the object by immersing the object in a plating solution 311 containing an additive; 상기 대상물의 상기 도금층으로부터 상기 첨가제를 제거하는 첨가제 제거장치(4, 4a~4c)를 구비하고,An additive removing device (4, 4a to 4c) for removing the additive from the plating layer of the object, 상기 첨가제 제거장치가,The additive removing device, 상기 대상물이 침지되는 제거액(411)을 저장하는 제거액조(41), 또는, 상기 대상물의 상기 도금층에 제거액을 연속적으로 부여하는 토출부(吐出部, 41a)인 제거액 부여부와,A removal liquid tank 41 for storing the removal liquid 411 in which the object is immersed, or a removal liquid providing part that is a discharge part 41a that continuously applies the removal liquid to the plating layer of the object; 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 상기 제거액조 내의 상기 대상물, 또는, 상기 토출부로부터 상기 제거액이 부여되는 상기 대상물에 조사하는 광조사부(42)를 구비하는 도금 시스템.And a light irradiating portion (42) for irradiating the object in the removing liquid tank with the light promoting the removal of the additive from the plating layer or the object to which the removing liquid is applied from the discharge portion. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 도금층 형성부로부터 상기 첨가제 제거장치로의 상기 대상물의 반송 도중에서, 상기 대상물에 액체를 공급하여 상기 도금층의 건조를 방지하는 액체 공급부(51)를 더 구비하는 도금 시스템.And a liquid supply part (51) for supplying liquid to the object to prevent drying of the plating layer during conveyance of the object from the plating layer forming part to the additive removing device. 제14항 또는 제15항에 있어서,The method according to claim 14 or 15, 상기 도금층 형성부로부터 상기 첨가제 제거장치로의 상기 대상물의 반송 도중에서, 상기 도금층으로부터의 상기 첨가제의 제거를 촉진하는 광을 상기 대상물에 조사하는 또 하나의 광조사부(52)를 더 구비하는 도금 시스템.A plating system further comprising another light irradiation section 52 for irradiating the object with light that promotes the removal of the additive from the plating layer during conveyance of the object from the plating layer forming unit to the additive removing device. .
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