KR101124849B1 - Radio frequency connector - Google Patents
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Abstract
알에프 커넥터가 개시된다. 본 발명에 따른 알에프 커넥터는, 결합판, 결합판을 기준으로 전방 및 후방으로 각각 돌출되는 전방돌출부 및 후방돌출부를 갖는 하우징과, 전방돌출부 및 후방돌출부의 중심을 관통하는 중심도체와, 후방돌출부에 삽입되는 삽입부재와, 삽입부재에 삽입되어 고정되고, 중심도체가 삽입되는 센터홀 및 센터홀의 둘레에 형성된 둘레홀을 갖는 내부유전체를 포함한다. 그리고 내부유전체는 폴리에테르 에테르 케톤에 의해 형성될 수 있다. 상기와 같은 알에프 커넥터는 PIMD에 의한 영향을 최소로 할 수 있다. An RF connector is disclosed. The RF connector according to the present invention has a coupling plate, a housing having a front protrusion and a rear protrusion protruding forward and rearward with respect to the coupling plate, respectively, a center conductor passing through the center of the front protrusion and the rear protrusion, and the rear protrusion. And an inner dielectric having an insertion member to be inserted, a center hole inserted into and fixed to the insertion member, and a circumferential hole formed around the center hole. And the internal dielectric may be formed by polyether ether ketone. The RF connector as described above can minimize the influence of the PIMD.
알에프, 커넥터, PIMD RF, connector, PIMD
Description
본 발명은 알에프 커넥터에 관한 것으로, 특히 PIMD(Passive Intermodulation Distortion)을 줄일 수 있는 알에프 커넥터에 관한 것이다. The present invention relates to an RF connector, and more particularly, to an RF connector capable of reducing Passive Intermodulation Distortion (PIMD).
이동통신에서 가장 중요한 요소는 서비스 용량의 증대 및 통화 품질을 개선하는 것이다. 그리고 통화 품질과 서비스 용량에 큰 영향을 미치는 것 중의 하나가 상호변조왜곡(IMD; Intermodulation Distortion)이다. The most important factor in mobile communication is to increase service capacity and improve call quality. And one of the biggest influences on call quality and service capacity is Intermodulation Distortion (IMD).
IMD란 두 개 이상의 신호 주파수들이 서로 간섭 현상을 일으켜 원치 않는 기생 신호를 발생시키는 것으로, 이와 같은 현상이 수동(Passive) 소자에서 나타날 때 PIMD (Passive Intermodulation Distortion)라고 한다. PIMD는 능동(Active) 소자에서 발생하는 Active IMD와는 달리, 얼마 전까지만 해도 위성통신과 같은 고전력 통신 시스템에서만 고려되어 온 현상으로, 상용 이동통신에서는 거의 무시되어져 왔다. 하지만 이동통신 서비스가 확장됨에 따라 인접 기지국간의 간섭이 증가하고 그에 따른 IMD 문제도 증가하여 능동 IMD뿐만 아니라 PIMD에 대한 문제도 함께 부상하고 있다. 능동 IMD는 오래 전부터 꾸준한 연구 대상이었던 부분이라 큰 문제가 없으나, PIMD의 경우 근래까지 통신 시스템 구축에 있어 고려되지 않은 요소라 더욱 더 큰 문제를 야기 시키고 있다.IMD is two or more signal frequencies that interfere with each other and cause unwanted parasitic signals. This phenomenon is called Passive Intermodulation Distortion (PIMD) when this occurs in passive devices. Unlike Active IMD, which occurs in active devices, PIMD has been considered only in high-power communication systems such as satellite communication until recently, and has been almost ignored in commercial mobile communication. However, as the mobile communication service expands, interference between neighboring base stations increases and the IMD problem accordingly increases, thereby causing problems not only for active IMD but also for PIMD. Active IMD has been a subject of steady research for a long time, so there is no big problem. However, PIMD has not been considered in the construction of communication system until recently.
RF 부품에서 PIMD 발생 원인은 접촉 비선형성 (Contact Nonlinearity)과 재료 비선형성(Material Nonlinearity)으로 크게 구분할 수 있다. 접촉 비선형성의 원인에는 도체들 사이의 얇은 산화층에 의한 접합 용량, 금속 접촉에서 도체들 사이의 반도체 작용에 의한 터널 효과, 금속들 사이의 빈틈 공간과 미소 균열에 의한 Micro-discharge, 금속 표면의 먼지와 금속 입자들에 연관된 비선형성, 금속결합에서 발생되는 수축저항(Constriction resistance) 등이 있으며, 재료 비선형성의 원인에는 니켈, 철, 코발트 등의 히스테리시스 (Hysteresis)효과, Internal Shottkey Effect, 도체에서의 한정된 전도율에 의한 Thermal heating 등이 있다.The cause of PIMD in RF components can be classified into contact nonlinearity and material nonlinearity. The causes of contact nonlinearity include the bonding capacity of the thin oxide layer between the conductors, the tunnel effect by the semiconductor action between the conductors in the metal contact, the micro-discharge due to the gaps and micro cracks between the metals, Nonlinearities associated with metal particles, constriction resistances from metal bonds, etc.The causes of material nonlinearities include hysteresis effects such as nickel, iron, and cobalt, internal shottkey effects, and limited conductivity in conductors. And thermal heating.
이와 같은 PIMD 이동통신 시스템의 여러 스테이지에서 문제가 될 수 있으며, 특히 기지국 시스템 내에서도 예상치 못한 노이즈 발생의 주요한 요인이 되고 있다. This may be a problem at various stages of the PIMD mobile communication system, especially in the base station system is a major factor of unexpected noise generation.
도 1은 PIMD에 의한 기생 신호가 발생하는 일례를 도시한 도면이다. 1 is a diagram illustrating an example in which parasitic signals are generated by PIMD.
도 1을 참조하면, f1, f2의 두 개의 톤 신호가 있을 때, 이로 인해 PIMD 에 의한 기생 신호 성분이 발생하는 경우가 도시되어 있다. Referring to FIG. 1, when there are two tone signals f1 and f2, a parasitic signal component generated by PIMD is shown.
도 1에 도시된 바와 같이, 신호의 원 주파수와 근접한 대역에서 발생하는 기생 신호 성분은 신호를 송수신하는 이동통신 시스템의 전단부에서 큰 문제를 발생시킬 수 있다. As shown in FIG. 1, parasitic signal components occurring in a band close to the original frequency of a signal may cause a big problem at the front end of a mobile communication system that transmits and receives signals.
도 2는 이동통신 시스템의 전단부의 구성을 도시한 도면이다. 2 is a diagram illustrating a configuration of a front end of a mobile communication system.
도 2를 참조하면, 이동통신 시스템의 전단부는 수신 필터(200), 송신 필 터(202), 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier: LNA, 204), 신호 처리부(206) 및 안테나(208)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the front end portion of the mobile communication system includes a
송신 필터(200)는 이동통신 시스템에서 이동통신 단말기로 전송되는 송신 신호 주파수 대역을 필터링하는 기능을 하며, 수신 필터(202)는 이동통신 단말기로부터 이동통신 시스템으로 전송되는 수신 신호 주파수 대역을 필터링 하는 기능을 한다. The
저잡음 증폭기(204)는 이동통신 단말기로부터 수신되어 수신 필터(202)에서 필터링된 신호의 잡음을 제거하고 증폭시키는 기능을 한다. The
통상적으로 이동통신 시스템에서 수신 신호와 송신 신호는 서로 다른 주파수 대역을 사용하며 이 주파수 대역은 근접해 있는 것이 일반적이다. 예를 들어, CDMA 이동통신 시스템에서 송신 주파수 대역은 1930MHz ~ 1990MHz 대역을 가지고, 수신 주파수 대역은 1850MHz ~ 1910MHz 대역의 신호를 가진다. In general, in a mobile communication system, a received signal and a transmitted signal use different frequency bands, and these frequency bands are generally in close proximity. For example, in a CDMA mobile communication system, a transmission frequency band has a 1930 MHz to 1990 MHz band, and a reception frequency band has a signal of a 1850 MHz to 1910 MHz band.
이 경우, 송신 신호에서 PIMD에 의해 발생한 기생 신호 성분은 수신 신호 대역을 가질 수 있다. 기생 신호 성분의 크기가 상당히 미약하기는 하나, 이 기생 신호가 수신 필터(202)를 통과하여 저잡음 증폭기(204)에 입력될 경우 심각한 오류를 발생시킬 수 있다. In this case, the parasitic signal component generated by the PIMD in the transmission signal may have a reception signal band. Although the magnitude of the parasitic signal component is quite small, it can cause serious errors when the parasitic signal passes through the receive
따라서, 이동통신 시스템 전단부에서 PIMD에 의한 기생 신호를 억제하는 것이 통화 품질에 있어 상당히 중요한 요소가 된다. Therefore, suppressing the parasitic signal by PIMD at the front end of the mobile communication system is a very important factor in the call quality.
전술한 바와 같이, PIMD에 의한 기생 신호 성분은 다양한 원인에 의해 발생하나 이동통신 시스템 전단부에서는 특히 저항과 같은 수동 소자가 RF 장비의 종단 부에 연결될 때 PIMD에 의한 기생 신호 성분이 발생하는 것으로 알려져 있으며, 이에 의한 기생 신호 성분의 발생을 최소화하는 수단이 필요하다. As described above, the parasitic signal component caused by PIMD is caused by various causes, but it is known that the parasitic signal component caused by PIMD occurs at the front end of the mobile communication system, especially when a passive element such as a resistor is connected to the end of the RF equipment. There is a need for means to minimize the generation of parasitic signal components thereby.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, PIMD에 의한 영향을 최소화 할 수 있는 알에프 커넥터를 제공하고자 한다. The present invention is to solve the conventional problems as described above, to provide an RF connector that can minimize the impact of the PIMD.
본 발명의 일 측면에 따른 알에프 커넥터는, 결합판, 결합판을 기준으로 전방 및 후방으로 각각 돌출되는 전방돌출부 및 후방돌출부를 갖는 하우징과, 전방돌출부 및 후방돌출부의 중심을 관통하는 중심도체와, 후방돌출부에 삽입되는 삽입부재와, 삽입부재에 삽입되어 고정되고, 중심도체가 삽입되는 센터홀 및 센터홀의 둘레에 형성된 둘레홀을 갖는 내부유전체를 포함한다. 그리고 내부유전체는 폴리에테르 에테르 케톤에 의해 형성될 수 있다. In accordance with an aspect of the present invention, an RF connector includes a housing having a front protrusion and a rear protrusion that protrude forward and rearward with respect to a coupling plate and a coupling plate, and a center conductor penetrating the center of the front protrusion and the rear protrusion, And an inner dielectric having an insertion member inserted into the rear protrusion, a center hole inserted into and fixed to the insertion member, and a circumferential hole formed around the center hole. And the internal dielectric may be formed by polyether ether ketone.
본 발명에 따른 알에프 커넥터의 실시 예들은 다음과 같은 특징들을 하나 또는 그 이상 구비할 수 있다. 예를 들면, 삽입부재에는, 제1고정링 및 제2고정링이 내부유전체의 전방 및 후방에 각각 고정될 수 있다. 또한, 제1고정링 및 제2고정링은 금속 재질에 의해 형성될 수 있다. Embodiments of the RF connector according to the present invention may have one or more of the following features. For example, in the insertion member, the first fixing ring and the second fixing ring may be fixed to the front and the rear of the internal dielectric, respectively. In addition, the first fixing ring and the second fixing ring may be formed of a metal material.
전방돌출부에는 전방유전체가 삽입되고, 전방유전체는 중심도체가 관통할 수 있는 관통공을 구비할 수 있다. 그리고 센터홀의 둘레에는 보스가 형성될 수 있다. The front dielectric may be inserted into the front protrusion, and the front dielectric may have a through hole through which the center conductor can pass. And a boss may be formed around the center hole.
본 발명은, 내부유전체에서 중심도체의 둘레에 둘레홀을 형성함으로써 PIMD에 의한 영향을 줄일 수 있는 알에프 커넥터를 제공할 수 있다. The present invention can provide an RF connector that can reduce the influence of the PIMD by forming a peripheral hole around the center conductor in the internal dielectric.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the written description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In the following description of the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
전방 및 후방 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. Terms such as front and rear may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other features. It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of numbers, steps, operations, components, components, or a combination thereof.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings, wherein like reference numerals refer to the like elements throughout the specification and claims. The description will be omitted.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 알에프 커넥터(100)의 사시도이고, 도 4는 도 3에 예시된 알에프 커넥터(100)의 분해 사시도이다. 그리고 도 5은 도 3의 AA'선에 따른 알에프 커넥터(100)의 결합 단면도이다. 3 is a perspective view of the
도 3 내지 도 5를 참고하면, 본 실시예에 따른 알에프 커넥터(100)는, 외체(外體)를 형성하는 하우징(120)과, 하우징(120)을 관통하여 위치하는 중심도체(140)와, 하우징(120)의 전방에 삽입되는 전방유전체(150)와, 하우징(120)의 후방에 삽입되는 삽입부재(170)와, 삽입부재(170)에 삽입되어 중심도체(140)를 지지하는 내부유전체(160)를 포함한다. 3 to 5, the
본 실시예에 따른 알에프 커넥터(100)는, 중심도체(140)를 지지하고 이를 삽입부재(170)로부터 절연하는 내부유전체(160)를 포함한다. 내부유전체(160)는, 도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 그 중앙에 중심도체(140)가 삽입될 수 있는 센터홀(162) 및 센터홀(162)의 둘레에 형성된 둘레홀(164)을 포함한다. 둘레홀(164)은 센터홀(164)의 둘레에서 일정한 간격으로 형성되는 것으로, 이와 같이 내부유전체(160)의 센터홀(162) 둘레에 둘레홀(164)을 원형으로 형성함으로써 PIMD에 의한 영향을 줄일 수 있게 된다. The
하우징(120)은 사각 형상을 갖는 결합판(126)을 중심으로, 그 전방으로 돌출된 전방돌출부(122) 및 후방으로 돌출된 후방돌출부(132)를 갖는다. 하우징(120)은 알에프 커넥터(100)의 외체를 형성하며, 동축 케이블(coaxial cable)과 연결되어 평면 컨덕터(planar conductor)에 연결하는데 사용된다. The
결합판(126)은 하우징(120)을 다른 장치에 고정하는 부분으로, 사각형의 판 형상을 갖는다. 결합판(126)의 각 모서리에는 체결홀(128)이 형성되어 있어서, 스크류(도시하지 않음)를 이용하여 외부장치에 대해 결합판(126)을 체결할 수 있다. 결합판(126)을 기준으로, 그 전방에는 전방돌출부(122)가 형성되어 있고 그 후방에는 후방돌출부(132)가 형성되어 있다. The
전방돌출부(122)는 중공(中空)의 원통 형상을 갖는 것으로, 그 내부에는 전방유전체(150)가 억지 끼워 맞춤(press-fitting) 되어 고정된다. 그리고 전방돌출부(122)는, 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 후방돌출부(132)와 연통되어 있다. 또한, 전방돌출부(122) 및 후방돌출부(132)의 중심에는 중심도체(140)가 위치하고 있다. The
후방돌출부(132)도 중공(中空)의 원통 형상을 갖는 것으로, 그 내부에는 삽입부재(170) 및 내부유전체(160)가 억지 끼워 맞춤(press-fitting) 되어 고정된다. 후방돌출부(132)의 둘레에는 나사산(138)이 형성되어 있어서, 케이블(도시하지 않 음) 등에 체결될 수 있다. 그리고 후방돌출부(132)의 내부에는 스토퍼(136)가 형성되어 있다. The
도 5를 참조하면, 스토퍼(136)는 후방돌출부(132)의 내부에서 중심 방향으로 돌출 형성된 부분으로서, 삽입부재(170)의 선단부와 접촉하여 삽입부재(170)가 더 이상 삽입될 수 없게 한다. 따라서 후방돌출부(132)에 삽입되는 삽입부재(170)는 그 선단부가 스토퍼(136)에 걸리게 되면, 삽입이 중단되고 그 위치가 결정되는 것이다. Referring to FIG. 5, the stopper 136 is a portion protruding in the center direction from the inside of the
중심도체(140)는 전방돌출부(122) 및 후방돌출부(132)를 관통하는 것으로, 그 일부가 전방돌출부(122)의 외부로 돌출된다. 중심도체(140)는 전방유전체(150)에 형성된 관통공(152) 및 내부유전체(160)에 형성된 센터홀(162)에 삽입되는데, 이로 인해 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 삽입부재(170), 전방돌출부(122) 및 후방돌출부(132)와는 절연 상태에 있게 된다. The
전방유전체(150)는 원통 형상을 가지고, 그 중심에는 관통공(152)이 형성되어 있다. 전방유전체(150)의 중심에 형성된 관통공(152)에는 중심도체(140)가 삽입되어 관통함은 위에서 설명한 바와 같다. 그리고 전방유전체(150)는 전방돌출부(122)에 압입되어 고정된다. 따라서 전방유전체(150)는 전방돌출부(122)의 내부에 위치하는 중심도체(140)를 지지하는 역할을 한다. The
삽입부재(170)는 중공(中空)의 원통 형상을 갖는 것으로, 후방돌출부(132)에 압입되어 고정된다. 삽입부재(170)의 내부에는, 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 내부유전체(160), 제1고정링(180) 및 제2고정링(190)이 위치한다. 그리고 삽입부 재(170)는 내측으로 돌출된 걸림단턱(172)을 갖는다. The
걸림단턱(172)에는, 도 5에서 알 수 있는 바와 같이, 삽입부재(170)의 내부에 위치하는 제1고정링(180)이 걸리게 된다. 따라서 삽입부재(170)의 내부에 삽입된 제1고정링(180)은 걸림단턱(172)에 걸리게 됨으로써 그 위치가 결정된다. As can be seen in Figure 5, the locking
제1고정링(180)은 링(ring) 형상을 갖는 것으로, 삽입부재(170)의 내부에 압입되어 고정된다. 제1고정링(180)은 삽입부재(170)에 형성되어 있는 걸림단턱(172)에 걸리게 됨으로써 그 위치가 결정된다. 그리고 제2고정링(190)도 링 형상을 갖는 것으로, 삽입부재(170)의 내부에 압입되어 고정된다. 제1고정링(180)은 내부유전체(160)의 전방에 위치하고, 제2고정링(190)은 내부유전체(160)의 후방에 위치한다. 또한, 제1고정링(180) 및 제2고정링(190)은 삽입부재(170)의 내부에 압입되어 고정된다. 이로 인해, 내부유전체(160) 및 이에 삽입된 중심도체(140)가 하우징(120)의 축 방향으로 유격되는 것이 방지될 수 있다. The
그리고 제1고정링(180) 및 제2고정링(190)은 하우징(120) 및 삽입부재(170)와 동일한 금속 재질에 의해 형성될 수 있다. 이와 같은 제1고정링(180) 및 제2고정링(190)은, 중심도체(140)가 삽입된 내부유전체(160)의 전방 및 후방에 고정되기 때문에, 결과적으로 중심도체(140)를 견고하게 고정하는 역할을 한다. The
이하에서는 도 6 내지 도 7을 참고하면서, 본 발명의 일 실시예에 다른 내부유전체(160)에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, an
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 RF 커넥터(100)의 배면도이고, 도 7은 내부유전체(160)의 사시도이다. 6 is a rear view of the
도 6 내지 도 7을 참고하면, 내부유전체(160)는 삽입부재(170)의 내부에 위치하면서 중심도체(140)를 지지하는 것으로, 중심도체(140)가 삽입되어 관통하는 센터홀(162) 및 센터홀(162)의 둘레에 형성되는 둘레홀(164)을 갖는다. 그리고 내부유전체(160)의 전면 및 후면은 제1고정링(180) 및 제2고정링(190)과 각각 접하고 있다. 이로 인해, 내부유전체(160)는 제1고정링(180) 및 제2고정링(190) 사이에 개재되어 위치함으로써 삽입부재(170)의 내부에서 견고하게 결합하게 된다. 6 to 7, the
센터홀(162)의 둘레에는 보스(boss)(166)가 형성되어 있다. 보스(166)는 센터홀(162)의 둘레에서 돌출되어 중심도체(140)를 지지하는 역할을 한다. A
센터홀(162)의 둘레에서 원형으로 배치되어 있는 둘레홀(164)은 내부유전체(160)를 길이 방향으로 관통한다. 둘레홀(164)은 내부유전체(160)가 열 변형하는 것을 방지하는 역할을 한다. 도 6 내지 도 7에서 둘레홀(164)은 센터홀(162)의 둘레에서 60도의 각도를 가지고 6개가 배치된 것으로 예시하였지만, 둘레홀(164)의 개수 및 둘레홀(164)간의 각도는 달라질 수 있음은 물론이다. The
그리고 열 변형을 방지하기 위해서 내부유전체(160)를 폴리에테르 에테르 케톤(Polyether ether ketone, PEEK)에 의해 형성할 수 있다. 폴리에테르 에테르 케톤은 열가소성수지 중에서 최고의 내열성을 가지는 것으로, 내충격성 및 내피로성이 우수하고 고주파 영역에서도 유전 정접도 비교적 작은 특징을 가지고 있다. In order to prevent thermal deformation, the internal
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art to which the present invention pertains without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below It will be appreciated that modifications and variations can be made.
도 1은 PIMD에 의한 기생 신호가 발생하는 일례를 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating an example in which parasitic signals are generated by PIMD.
도 2는 이동통신 시스템의 전단부의 구성을 도시한 도면이다.2 is a diagram illustrating a configuration of a front end of a mobile communication system.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 알에프 커넥터의 사시도이다. 3 is a perspective view of an RF connector according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 알에프 커넥터의 분해 사시도이다. 4 is an exploded perspective view of an RF connector according to an embodiment of the present invention.
도 5는 도 3의 AA' 선에 따른 알에프 커넥터의 단면도이다. FIG. 5 is a cross-sectional view of an RF connector along line AA ′ of FIG. 3.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 알에프 커넥터의 배면도이다. 6 is a rear view of an RF connector according to an embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 내부유전체의 사시도이다. 7 is a perspective view of an internal dielectric according to an embodiment of the present invention.
Claims (5)
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