KR101119756B1 - Semiconductor devices - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K57/00—Appliances for providing, preventing or catching swarms; Drone-catching devices
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01K—ANIMAL HUSBANDRY; AVICULTURE; APICULTURE; PISCICULTURE; FISHING; REARING OR BREEDING ANIMALS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NEW BREEDS OF ANIMALS
- A01K47/00—Beehives
- A01K47/04—Artificial honeycombs
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- Environmental Sciences (AREA)
- Animal Husbandry (AREA)
- Biodiversity & Conservation Biology (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자에 관한 것으로, 특히 실리콘 마이크로 머시닝 방법을 이용하여 트렌치가 형성된 반도체기판에 열적으로 격리된 브릿지를 형성하고 그 상부에 써머커플 및 발열체를 형성하여 진공 게이지를 형성함으로써 소자의 안정성을 향상시키고 반응속도를 증가시켜 제작시 균일성이 우수하도록 하는 기술이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device. In particular, a silicon micromachining method is used to form a thermally isolated bridge on a trenched semiconductor substrate, and a thermocouple and a heating element are formed thereon to form a vacuum gauge, thereby improving stability of the device. It is a technology to improve the uniformity in manufacturing by improving and increasing the reaction rate.
Description
도 1a 내지 도 1d 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자 형성방법을 도시한 사시도.1A to 1D are perspective views illustrating a method of forming a semiconductor device in accordance with an embodiment of the present invention.
도 2 는 상기 도 1c 및 도 1d 의 공정에 사용되는 식각공정을 설명하기 위한 공지의 기술을 도시한 셈사진.FIG. 2 is a photograph showing a known technique for explaining an etching process used in the processes of FIGS. 1C and 1D.
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체소자를 도시한 사시도.3 is a perspective view showing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
본 발명은 반도체소자에 관한 것으로, 특히 Si 실리콘 머시닝 ( silicon machining ) 기술을 적용하여 제작된 진공 게이지 ( gauge )를 제공하는 기술에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a technology for providing a vacuum gauge fabricated by applying Si silicon machining technology.
일반적으로, 진공 게이지는 필라멘트선으로 구성된 발열체와 조금 떨어진 곳에 위치한 써머커플 ( thermocouple ) 로 구성된다. In general, a vacuum gauge consists of a thermocouple located slightly away from a heating element composed of filament wires.
이때, 상기 발열체와 써머커플 사이의 거리에 따라서 진공 압력에 따른 전도 특성이 달라지게 되므로 정확한 거리 조절이 필요하게 된다. At this time, since the conduction characteristic according to the vacuum pressure is changed according to the distance between the heating element and the thermocouple, precise distance control is necessary.
도시되지 않았으나 종래기술에 따른 진공 게이지에 대하여 설명하면 다음과 같다. Although not shown, a description will be given of the vacuum gauge according to the prior art.
1. 진공 게이지를 구성하는 발열체와 써머커플의 정확한 거리 조절이 불가능함에 따라 제작된 모든 소자의 신호에 대한 반응이 다르게 된다. 이는 캘리브레이션 ( calibration ) 을 위하여 외부 계측 장비를 보정하여 실제 진공도와 계측 진공도를 맞추게 된다. 1. As the distance between the heating element and the thermocouple constituting the vacuum gauge cannot be precisely adjusted, the response to the signal of all manufactured devices is different. This will calibrate the external instrumentation for calibration to match the actual and measured vacuum levels.
2. 진공도를 측정해야 하는 영역이 매우 작은 경우 매크로 크기 ( macro size ) 의 진공 게이지를 넣을 공간이 더 크게 필요하게 된다. 2. If the area where the degree of vacuum is to be measured is very small, more space is required for the macro size vacuum gauge.
3. 진공 게이지의 크기가 비교적 크며 외부에서 내부로 삽입하는 방식이므로 탑재되는 진공 게이지가 삽입될 부분에 추가적인 리크 ( leak ) 가 발생하는 요인이 된다. 3. Since the size of the vacuum gauge is relatively large and the method is inserted from the outside to the inside, additional leakage occurs in the part where the mounted vacuum gauge is to be inserted.
4. 측정하는 써머커플의 온도 변화 정도를 기전력으로 읽어들여야 하므로 부피가 큰 만큼 큰 열 용량을 가지고 있게 되며 그로 인한 반응속도가 느리게 된다. 4. Since the temperature change of the thermocouple to be measured must be read by electromotive force, the larger the volume, the greater the heat capacity and the slower the reaction rate.
상기한 종래기술에 따른 반도체소자는, 반도체소자인 진공 게이지는 발열체와 써머커플의 정확한 거리 조절이 불가능하여 모든 소자의 신호에 대한 반응이 다르고, 진공도를 측정해야 하는 영역이 매우 작은 경우 매크로 크기 ( macro size ) 의 진공 게이지를 넣을 공간이 더 크게 필요하게 되며 리크 ( leak ) 가 발생할 수 있고 측정하는 써머커플의 온도 변화 정도를 기전력으로 읽어들여야 하므로 진공 게이지의 부피가 크며 큰 열 용량을 가지고 있게 되어 그로 인한 반응속도가 느리게 되는 문제점이 있다. In the semiconductor device according to the prior art, the vacuum gauge, which is a semiconductor device, cannot accurately adjust the distance between the heating element and the thermocouple, so that the response to all the signals is different, and the size of the vacuum is very small. The size of the vacuum gauge of the macro size is required to be larger, leaks may occur, and the temperature change of the thermocouple to be measured must be read by electromotive force, so that the vacuum gauge has a large volume and a large heat capacity. As a result, there is a problem that the reaction rate is slow.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 실리콘 멤스 ( MEMS ) 기술을 이용하여 히터와 써머커플을 구비하는 반도체소자를 제공하는데 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a heater and a thermocouple using a MEMS technique in order to solve the above problems of the prior art.
이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체소자는, In order to achieve the above object, a semiconductor device according to the present invention,
SOI 기판과,SOI substrate,
상기 SOI 기판에 구비되는 트렌치와,A trench provided in the SOI substrate;
상기 트렌치 상측에 발열체의 발열부 및 써머커플이 구비되는 브릿지를 포함하는 것과,It includes a bridge that is provided with a heat generating portion and a thermocouple of the heating element on the trench,
상기 발열부와 써머커플은 소정거리 이격되어 구비되는 것과,The heating unit and the thermocouple are provided to be spaced apart a predetermined distance,
상기 발열체는 도전배선으로 구비되는 것과,The heating element is provided with a conductive wiring,
상기 써머커플은 일측의 엔형 폴리실리콘과 타측의 피형 폴리실리콘이 접합되어 구비되는 것과,The thermocouple is one that is provided by bonding the en-type polysilicon of one side and the polysilicon of the other side,
상기 써머커플은 금속물질로 구비되는 것을 제1특징으로 한다. The thermocouple is a first feature of being provided with a metallic material.
또한, 이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체소자는, In addition, the semiconductor device according to the present invention to achieve the above object,
SOI 기판과,SOI substrate,
상기 SOI 기판의 일측으로부터 타측으로 길게 구비되는 트렌치와,A trench provided from one side of the SOI substrate to the other side,
상기 트렌치의 일측 상측에 발열체가 구비되는 브릿지와,A bridge provided with a heating element on one side of the trench;
상기 트렌치의 타측 상측에 써머커플이 구비되는 브릿지를 다수 포함하는 것과,It includes a plurality of bridges provided with a thermocouple on the other side of the trench,
상기 발열체가 구비되는 브릿지와 써머커플이 구비되는 브릿지가 소정거리 이격되어 구비되는 것과,The bridge provided with the heating element and the bridge provided with the thermocouple are provided at a predetermined distance apart from each other,
상기 써머커플이 구비되는 브릿지는 상기 트렌치의 반대편 측벽에 번갈아 가며 구비되는 것과,The thermocouple is provided with a bridge alternately provided on the side wall opposite the trench,
상기 써머커플이 구비되는 브릿지는 상기 트렌치의 마주보는 측벽 중에서 일측에만 접속되어 구비되는 것과,The thermocouple is provided with a bridge is connected to only one side of the side walls facing the trench,
상기 발열체는 도전배선으로 구비되는 것과,The heating element is provided with a conductive wiring,
상기 써머커플은 일측의 엔형 폴리실리콘과 타측의 피형 폴리실리콘이 접합되어 구비되는 것과,The thermocouple is one that is provided by bonding the en-type polysilicon of one side and the polysilicon of the other side,
상기 써머커플은 금속물질로 구비되는 것을 제2특징으로 한다. The thermocouple has a second feature of being provided with a metallic material.
한편, 본 발명의 기술적 사상은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 실리콘 마이크로 머시닝 ( Si micro machining ) 기술로 히터와 써머커플을 구성하는 것이다. On the other hand, the technical idea of the present invention is to configure the heater and the thermocouple by Si micro machining (Si micro machining) in order to solve the problems of the prior art.
그로 인하여, 진공 게이지의 소형화가 가능해 게이지의 크기에 영향을 받지 않을 만큼 작은 챔버를 만들 수 있으며, 실리콘 공정 기술을 적용하여 히터와 써머커플 간의 정확한 거리 조절이 가능하므로 모든 소자의 신호에 대한 반응이 같아지게 되며 캘리브레이션이 용이하게 되고, 써머커플의 열용량이 매우 작아 반응속도가 빨라지게 된다. 그리고, 무선 송수신 장비를 임베디드하는 경우 챔버 안에 게이지 모듈을 넣어두기만 하면 진공도를 확인할 수 있다. As a result, the vacuum gauge can be miniaturized to create a chamber small enough to be unaffected by the size of the gauge, and the silicon process technology can be used to precisely control the distance between the heater and the thermocouple. They become equal and easy to calibrate, and the heat coupler's heat capacity is so small that the reaction rate is faster. And, when embedding the wireless transmission and reception equipment, it is possible to check the degree of vacuum simply by placing the gauge module in the chamber.
이하,ⓐⓑ 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 도 1d 는 본 발명에 따른 반도체소자의 형성방법을 도시한 단면도로서, 발열체와 써머커플로 구비되는 진공 게이지를 도시한 것이다.1A to 1D are cross-sectional views illustrating a method of forming a semiconductor device according to the present invention, and illustrating a vacuum gauge provided with a heating element and a thermocouple.
도 1a를 참조하면, 제1반도체기판(13) 상에 절연막(13) 및 제2반도체기판(15)이 적층된 구조의 SOI 구조의 기판을 형성한다. Referring to FIG. 1A, a substrate having an SOI structure in which an
이때, 상기 SOI 구조의 기판은 상기 제2반도체기판(15)을 갈아 상기 절연막(13) 상부에 소정두께의 제2반도체기판(15)을 남긴다. At this time, the substrate of the SOI structure replaces the
도 1b를 참조하면, 제2반도체기판(15) 상에 발열체(17)와 써머커플을 형성한다. Referring to FIG. 1B, a
이때, 상기 써머커플은 N형 폴리실리콘(19)과 P형 폴리실리콘(21)으로 형성된 것으로, 엔형 폴리실리콘(19)과 피형 폴리실리콘(21)이 접하는 부분이 ⓐ 부분과 같이 뾰족한 피크파 형태로 형성한 것이다. 상기 써머커플은 금속으로 형성할 수도 있다.In this case, the thermocouple is formed of an N-
상기 발열체(17)는 써머커플과 인접된 부분에서 저항을 높여 주울 열을 발생시킬 수 있도록 형성한 것으로서, ⓑ 와 같이 발열부가 구비된 것이다. 여기서, 상기 발열부는 상기 발열체(17)를 구성하는 패턴의 굵기를 조절하여 구현한다. The
여기서, 상기 써머커플과 발열체(17)는 상기 발열체(17)의 발열부와 써머커플이 인접되되, 소정거리 이격되어 구비된 것이다. Here, the thermocouple and the
도 1c를 참조하면, 상기 제2반도체기판(15) 상부에 감광막패턴(23)을 형성한다. Referring to FIG. 1C, a
이때, 상기 감광막패턴(23)은 발열체(17)의 발열부 ⓑ 가 위치하는 부분과 써머커플의 피크파 형태 부분과 같은 ⓐ 부분을 도포하며 소자분리영역을 노출시키는 형태로 형성된 것이다. In this case, the
도 1d를 참조하면, 상기 감광막패턴(23)을 마스크로 하여 상기 제2반도체기판(15), 절연막(13) 및 소정두께의 제1반도체기판(11)을 식각하여 트렌치(25)를 형성한다. Referring to FIG. 1D, the
이때, 상기 ⓐ 및 ⓑ 부분의 저부도 식각되어 상기 ⓐ 및 ⓑ 부분은 상기 트렌치(25) 상부에 떠있는 브릿지 형태로 형성된 것이다. At this time, the bottom of the parts ⓐ and ⓑ is also etched so that the parts ⓐ and ⓑ are formed in the form of a bridge floating on the
여기서, 상기 도 1c 및 도 1d 의 공정은 A.A.Chamber 에 의하여 "반도체 제조방법 ( semiconductor manufacturing )"의 Vol 5(11)의 38～46 페이지에 도시된 "Silicon Micro-Machining as An Enbaling Technology for Advanced Device Packaging" 방법을 이용하여 실시한 것으로, Cryogenic temp.에서 SF6/C4F8 플라즈마를 이용하여 경사진 실리콘 사이드월 ( tapered silicon sidewall )을 형성한 것이다. Here, the process of FIGS. 1C and 1D is performed by AAChamber using the "Silicon Micro-Machining as An Enbaling Technology for Advanced Device" page 38-46 of Vol 5 (11) of "Semiconductor Manufacturing". Packaging ”method, in which a tapered silicon sidewall was formed using SF6 / C4F8 plasma at Cryogenic temp.
도 2 는 브릿지를 남기면 하부구조물을 식각하는 방법에 의하여 형성된 기판을 도시한 것으로, "반도체 제조방법"에 도시된 것이다. FIG. 2 illustrates a substrate formed by a method of etching a substructure when leaving a bridge, which is illustrated in the "semiconductor manufacturing method".
도 3 은 본 발명의 다른 실시예에 따라 형성된 반도체소자를 도시한 사시도로서, 마이크로 플로우 센서 ( micro flow sensor ) 를 도시한 것이다. 3 is a perspective view illustrating a semiconductor device formed according to another exemplary embodiment of the present invention, and illustrates a micro flow sensor.
도 3을 참조하면, 상기 마이크로 플로우 센서는 상기 도 1a 내지 도 1d 의 공정과 같은 공정으로 형성한다. Referring to FIG. 3, the micro flow sensor is formed by the same process as that of FIGS. 1A to 1D.
상기 마이크로 플로우 센서는 가스 플로우 방향으로 길게 형성된 트렌치의 일측에 발열체가 구비되는 브릿지를 형성하고, 타측으로 다수의 브릿지를 형성한 것이다. 이때, 상기 브릿지는 도 1b 에서와 같은 형태로 써머커플이 구비되고, 그 상측에 구비되는 써머커플과 발열체는 도 1b에서와 같은 재료를 이용하여 형성한다. The micro flow sensor forms a bridge having a heating element on one side of a trench formed in the gas flow direction and a plurality of bridges on the other side. At this time, the bridge is provided with a thermocouple in the form as shown in Figure 1b, the thermocouple and the heating element provided on the upper side is formed using the same material as in Figure 1b.
보다 상세하게 설명하면 상기 마이크로 플로우 센서는 다음과 같다. In more detail, the micro flow sensor is as follows.
먼저, SOI 기판과, 상기 SOI 기판의 일측으로부터 타측으로 길게 구비되는 트렌치와, 상기 트렌치의 일측 상측에 발열체가 구비되는 브릿지와, 상기 트렌치의 타측 상측에 써머커플이 구비되는 브릿지를 다수 포함하는 형태로 형성한다. First, a form including a plurality of SOI substrates, trenches extending from one side of the SOI substrate to the other side, a bridge provided with a heating element on one side of the trench, and a plurality of bridges provided with thermocouples on the other side of the trench. To form.
이때, 상기 발열체가 구비되는 브릿지와 써머커플이 구비되는 브릿지가 소정거리 이격되어 구비된다. At this time, the bridge provided with the heating element and the bridge provided with the thermocouple are provided spaced a predetermined distance apart.
상기 써머커플이 구비되는 브릿지는 상기 트렌치의 반대편 측벽에 번갈아 가며 구비된다. Bridges provided with the thermocouples are alternately provided on opposite sidewalls of the trench.
상기 써머커플이 구비되는 브릿지는 상기 트렌치의 마주보는 측벽 중에서 일측에만 접속되어 구비된다.The bridge having the thermocouple is connected to only one side of the side walls facing the trench.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자는, 진공 게이지의 크기를 반도체 수준으로 작게 형성함으로써 다음과 같은 효과를 제공한다. As described above, the semiconductor device according to the present invention provides the following effects by reducing the size of the vacuum gauge to the semiconductor level.
1. 실리콘 프로세싱 기술을 적용하여 정확한 길이/두께의 조절이 가능하게 하고 그에 따른 캘리브레이션 ( calibration )을 용이하게 한다. 1. Silicon processing technology is applied to allow precise length / thickness adjustment and to facilitate calibration.
2. 진공 게이지의 크기가 반도체 칩 수준으로 작아지면서 아무리 작은 챔버 안이라도 설치될 수 있도록 한다. 2. The size of the vacuum gauge is reduced to the level of the semiconductor chip so that it can be installed in the smallest chamber.
3. 부피가 큰 종래의 방법에 비해 부피를 작게 형성할 수 있어 열용량을 감소시키고 이로 인한 계측 속도를 빨리 할 수 있도록 한다. 3. The volume can be made smaller than the conventional method, which is bulky, so that the heat capacity can be reduced and the measurement speed can be made faster.
4. 진공 게이지에 무선 칩을 임베디드 ( embedded ) 하여 챔버 안에 게이지만 집어넣음으로써 무선 측정이 가능하고 그에 따른 진공 계측 시스템을 간소화시킬 수 있다.4. Wireless chips can be embedded in the vacuum gauge, allowing only the gauge to be inserted into the chamber, enabling wireless measurement and simplifying the vacuum measurement system.
아울러, 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.In addition, the preferred embodiment of the present invention is for the purpose of illustration, those skilled in the art will be able to various modifications, changes, substitutions and additions through the spirit and scope of the appended claims, such modifications and modifications are as follows It should be regarded as belonging to the claims.
Claims (12)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050032854A KR101119756B1 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050032854A KR101119756B1 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Semiconductor devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060110529A KR20060110529A (en) | 2006-10-25 |
| KR101119756B1 true KR101119756B1 (en) | 2012-03-23 |
Family
ID=37616310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050032854A KR101119756B1 (en) | 2005-04-20 | 2005-04-20 | Semiconductor devices |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101119756B1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1144601A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-16 | Honda Motor Co Ltd | Pressure sensor and pressure gauge using pressure sensor |
| KR20020060694A (en) * | 1999-10-19 | 2002-07-18 | 이원배 | Gas sensor and fabrication method thereof |
-
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- 2005-04-20 KR KR1020050032854A patent/KR101119756B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1144601A (en) * | 1997-07-30 | 1999-02-16 | Honda Motor Co Ltd | Pressure sensor and pressure gauge using pressure sensor |
| KR20020060694A (en) * | 1999-10-19 | 2002-07-18 | 이원배 | Gas sensor and fabrication method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060110529A (en) | 2006-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150116 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170117 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180116 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190117 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200116 Year of fee payment: 9 |