KR101115323B1 - Band rejection filter and band rejection filter circuit by the same - Google Patents

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KR101115323B1
KR101115323B1 KR1020110056982A KR20110056982A KR101115323B1 KR 101115323 B1 KR101115323 B1 KR 101115323B1 KR 1020110056982 A KR1020110056982 A KR 1020110056982A KR 20110056982 A KR20110056982 A KR 20110056982A KR 101115323 B1 KR101115323 B1 KR 101115323B1
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허광명
김효철
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주식회사 이너트론
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Abstract

PURPOSE: A band rejection filter and a band rejection filter circuit by the same are provided to implement easy minute control of coupling by controlling the coupling between a transmission line and a resonator. CONSTITUTION: A housing(110) has a barrier rip(150) with a plurality of hollows(140). A housing cover(120) covers open one side of the housing. A resonator(160) is installed in the one side of hollow. A transmits line(130) maintains the interval from the resonator. A tuning bolt(170) changes the coupling between resonator and the transmits line.

Description

대역 저지 필터 및 그에 의한 대역 저지 필터 회로{Band Rejection Filter And Band Rejection Filter Circuit By The Same}Band Rejection Filter and Band Rejection Filter Circuit By It {Band Rejection Filter And Band Rejection Filter Circuit By The Same}

본 발명은 대역 저지 필터(Band Rejection Filter : BRF)에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 공진기와 전송 라인 사이에 형성되는 캐패시턴스와 주파수 특성 조절이 용이한 대역 저지 필터 및 그에 의한 대역 저지 필터 회로에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a band rejection filter (BRF). More particularly, the present invention relates to a band reject filter that easily adjusts capacitance and frequency characteristics formed between a resonator and a transmission line, and a band reject filter circuit. .

일반적인 고주파 필터는 도체로 둘러싸인 금속 재질의 하우징에 복수 개의 공동(cavity)들을 형성하고, 각각의 공동 내부에 유전체 공진기 또는 금속 공진기를 구비하여, 특정 주파수의 전자기장을 형성함으로써, 초고주파의 공진이 가능하게 하는 구조를 가진다.A typical high frequency filter forms a plurality of cavities in a metal housing surrounded by a conductor, and includes a dielectric resonator or a metal resonator inside each cavity to form an electromagnetic field of a specific frequency, thereby enabling ultra high frequency resonance. It has a structure

이러한 공진기를 이용하는 고주파 필터는 그 주파수 대역의 필터링 특성에 따라서 크게 대역 통과 필터(Band Pass Filter : BPF)와 대역 저지 필터로 구분된다. 대역 저지 필터는 대역 차단 필터(Band Stop Filter : BSF)로 구분된다.The high frequency filter using such a resonator is largely classified into a band pass filter (BPF) and a band stop filter according to the filtering characteristics of the frequency band. The band stop filter is classified into a band stop filter (BSF).

대역 저지 필터는 많은 주파수 중에서 특정 주파수 대역을 저지시키고, 나머지 주파수 대역을 통과시키는 필터이다. 이러한 대역 저지 필터는 현재 그 필터링 특성을 개선 및 조절이 용이하도록 부단히 연구, 개발되고 있으며, 그에 대한 기술들이 다양하게 공개되어 있다.A band reject filter is a filter that blocks a specific frequency band among many frequencies and passes the remaining frequency band. Such band rejection filters are currently researched and developed in an effort to improve and control the filtering characteristics thereof, and various technologies have been disclosed.

예를 들어, 국내 등록특허공보 제10-0992089호(공고일 : 2010년 11월 05일)에 공개된 대역 저지 필터는 하우징 내부에서 공진기와 커플링을 위해, 신호 입력단과 신호 출력단을 전기적으로 연결하는 전송 선로가 공진기의 상부에 위치되도록 설치된다. 따라서 이 대역 저지 필터는 여러 기생 공진 모드의 발생을 효과적으로 억제하여 광대역의 통과 대역을 가지고, 보다 소형화된 사이즈로 구현이 가능하며, 필터링 특성의 튜닝이 용이할 수 있다.For example, the band reject filter disclosed in Korean Patent Publication No. 10-0992089 (Notice date: November 05, 2010) is for electrically coupling the signal input terminal and the signal output terminal for coupling with the resonator in the housing. The transmission line is installed to be located above the resonator. Therefore, the band reject filter effectively suppresses the generation of various parasitic resonance modes, has a wide pass band, can be implemented in a smaller size, and can easily tune the filtering characteristics.

그러나 이러한 대역 저지 필터는 일반적으로 대역폭 즉, 캐패시턴스 및 주파수 조절을 위하여, 공진기와 하우징 사이의 간격, 공진기와 하우징 커버 사이의 간격 및/또는 공진기와 전송 선로 사이의 간격 등을 조절해야 한다. 따라서 종래의 대역 저지 필터는 이러한 특성 변화에 대응하여 부품을 재가공해야 하며, 이로 인해 제조 비용의 증가 및 커플링 조절을 위한 튜닝에 어려움이 많다.However, such band-stop filters generally have to adjust the bandwidth, that is, the distance between the resonator and the housing, the distance between the resonator and the housing cover, and / or the distance between the resonator and the transmission line, in order to adjust the capacitance, the capacitance and the frequency. Therefore, the conventional band reject filter has to rework the component in response to such a characteristic change, which makes it difficult to increase the manufacturing cost and tune the coupling.

본 발명의 목적은 전송 라인과 공진기 사이의 커플링 량의 조절이 용이한 대역 저지 필터 및 그에 의한 대역 저지 필터 회로를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a band reject filter and thereby a band reject filter circuit, in which the amount of coupling between a transmission line and a resonator is easily adjusted.

본 발명의 다른 목적은 전송 라인을 공진기 측면에 배치하는 대역 저지 필터 및 그에 의한 대역 저지 필터 회로를 제공하는 것이다.It is another object of the present invention to provide a band reject filter and a band reject filter circuit for arranging transmission lines on the resonator side.

본 발명의 또 다른 목적은 주파수 튜닝이 용이하고, 제조 비용을 줄일 수 있는 대역 저지 필터 및 그에 의한 대역 저지 필터 회로를 제공하는 것이다.It is still another object of the present invention to provide a band reject filter and thereby a band reject filter circuit which is easy to tune in frequency and can reduce manufacturing costs.

상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 대역 저지 필터는 전송 라인을 공진기의 측면에 배치하는데 그 한 특징이 있다. 이와 같은 대역 저지 필터는 튜닝 볼트에 의해 공진기와 하우징 커버 사이의 간격을 조절함으로써, 주파수 특성 변화에 대응하여 전송 라인과 공진기에 의해 형성되는 커플링 량의 미세 조절이 용이하다.To achieve the above objects, the band reject filter of the present invention is characterized by arranging the transmission line on the side of the resonator. Such a band stop filter is easy to fine-tune the amount of coupling formed by the transmission line and the resonator in response to the frequency characteristic change by adjusting the distance between the resonator and the housing cover by the tuning bolt.

이 특징에 따른 본 발명의 대역 저지 필터는, 일면이 개방되고, 양측에 입력 포트 및 출력 포트가 제공되며, 내부에 일정 간격으로 복수 개의 공동들을 형성하는 복수 개의 격벽이 설치되는 하우징과; 상기 하우징의 개방된 상기 일면을 덮는 하우징 커버와; 상기 공동들 각각의 일측에 설치되는 공진기와; 상기 하우징의 내부에서 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 사이를 연결하고, 상기 공진기들의 측면에 배치되어 상기 공진기와의 간격을 일정하게 유지하는 전송 라인 및; 상기 공진기들 각각의 상부에 배치되도록 상기 하우징 커버에 설치되고, 상기 하우징 커버와 상기 공진기와의 간격을 조절하여 상기 공진기와 상기 전송 라인 사이의 커플링 량을 가변 조절하는 복수 개의 튜닝 볼트를 포함한다.According to an aspect of the present invention, a bandstop filter includes: a housing having one surface open, an input port and an output port provided at both sides thereof, and a plurality of partition walls provided therein to form a plurality of cavities at regular intervals; A housing cover covering the open one side of the housing; A resonator installed at one side of each of the cavities; A transmission line connecting between the input port and the output port inside the housing and disposed on side surfaces of the resonators to maintain a constant distance from the resonator; A plurality of tuning bolts installed on the housing cover to be disposed above each of the resonators, and varying an amount of coupling between the resonator and the transmission line by adjusting a distance between the housing cover and the resonator. .

한 실시예에 있어서, 상기 격벽은; 상기 공동들 사이에 배치되어 상기 공진기가 설치되는 부분은 차단되고, 상기 전송 선로가 설치되는 부분은 개방되게 윈도우가 형성된다.In one embodiment, the partition wall; A portion disposed between the cavities and the portion where the resonator is installed is cut off, and a portion where the transmission line is installed is formed with a window open.

다른 실시예에 있어서, 상기 전송 라인은; 상기 윈도우에 설치되어 상기 하우징의 내부에서 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트를 전기적으로 연결하는 동축 라인 및; 상기 공진기들 각각에 대향하는 위치에 배치되도록 상기 동축 라인에 구비되고, 외주면이 상기 공진기의 상기 측면과 일정 거리 이격되는 복수 개의 용량성 도체를 포함한다.In another embodiment, the transmission line; A coaxial line installed in the window to electrically connect the input port and the output port to the inside of the housing; A plurality of capacitive conductors are provided on the coaxial line so as to be disposed at positions opposite to each of the resonators, and an outer circumferential surface thereof is spaced apart from the side surface of the resonator by a predetermined distance.

이 실시예에 있어서, 상기 용량성 도체는; 상기 동축 라인의 중심축으로부터 연장되어 상기 동축 라인보다 큰 직경을 갖는 형상으로 구비된다.In this embodiment, the capacitive conductor comprises; It extends from the central axis of the coaxial line is provided in a shape having a larger diameter than the coaxial line.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 공진기와 전송 라인에 의해 형성되는 가변 캐패시터를 포함하는 대역 저지 필터 회로가 제공된다. 이와 같은 본 발명의 대역 저지 필터 회로는 튜닝 볼트에 의해 공진기와 하우징 커버 사이의 간격을 미세 조절하여, 가변 캐패시터의 캐패시턴스를 미세 조절할 수 있다.According to another feature of the invention, there is provided a band stop filter circuit comprising a variable capacitor formed by a resonator and a transmission line. The band stop filter circuit of the present invention can finely adjust the capacitance between the resonator and the housing cover by the tuning bolt, thereby finely adjusting the capacitance of the variable capacitor.

이 특징에 따른 본 발명의 대역 저지 필터 회로는, 복수 개의 공진기들의 측면에 배치되어 입력 포트와 출력 포트를 전기적으로 연결하는 전송 라인에 의해 형성되고, 상호 직렬로 연결되는 복수 개의 LC 병렬 공진 회로와; 상기 공진기들 각각에 의해 인접하는 상기 LC 병렬 공진 회로들 사이에서 각각 형성되는 복수 개의 LC 직렬 공진 회로 및; 상기 전송 라인의 일측에 배치되는 상기 공진기와 상기 전송 라인에 의해 형성되고, 상기 공진기 각각에 대응하여 복수 개의 튜닝 볼트에 의해 상기 전송 라인과 상기 공진기 사이의 캐패시턴스가 가변 조절되는 가변 커패시터를 포함한다.The band rejection filter circuit of the present invention according to this aspect comprises a plurality of LC parallel resonant circuits formed by a transmission line disposed on the side of the plurality of resonators and electrically connecting the input port and the output port, and connected in series with each other; ; A plurality of LC series resonant circuits each formed between the LC parallel resonant circuits adjacent by each of the resonators; And a variable capacitor formed by the resonator and the transmission line disposed at one side of the transmission line, and variable in capacitance between the transmission line and the resonator by a plurality of tuning bolts corresponding to each of the resonators.

한 실시예에 있어서, 상기 가변 캐패시터는; 상기 하우징과 상기 공진기 사이의 간격과, 상기 전송 라인과 상기 공진기 사이의 유전율, 단면적 및 간격 중 적어도 하나에 의해 캐패시턴스가 개략적으로 조절되고, 상기 튜닝 볼트에 의해 상기 공진기와 상기 하우징 커버 사이의 간격에 의해 미세 조절된다.In one embodiment, the variable capacitor; The capacitance is roughly adjusted by at least one of the spacing between the housing and the resonator, and the dielectric constant, cross-sectional area and spacing between the transmission line and the resonator, and by the tuning bolt at the spacing between the resonator and the housing cover. Finely controlled by

상술한 바와 같이, 본 발명의 대역 저지 필터는 전송 라인을 공진기의 측면에 배치하고, 튜닝 볼트에 의해 전송 라인과 공진기 사이의 커플링 량을 조절함으로써, 커플링 량의 미세 조절이 용이하다. As described above, in the band reject filter of the present invention, fine adjustment of the coupling amount is easy by arranging the transmission line on the side of the resonator and adjusting the coupling amount between the transmission line and the resonator by means of tuning bolts.

따라서 본 발명의 대역 저지 필터는 주파수 특성 변화에 따른 부품을 재가공할 필요가 없으므로, 제조 비용을 줄일 수 있다.Therefore, the band reject filter of the present invention does not need to rework components according to the change in frequency characteristics, thereby reducing manufacturing costs.

도 1은 본 발명에 따른 대역 저지 필터의 구성을 도시한 분해 사시도;
도 2는 도 1에 도시된 대역 저지 필터의 구성을 나타내는 평면도;
도 3은 도 1에 도시된 대역 저지 필터의 구성을 나타내는 측면도;
도 4는 도 1에 도시된 대역 저지 필터의 구성을 나타내는 회로도; 그리고
도 5는 도 1에 도시된 대역 저지 필터의 주파수 특성을 나타내는 파형도이다.
1 is an exploded perspective view showing the configuration of a band reject filter according to the present invention;
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the band reject filter shown in FIG. 1; FIG.
FIG. 3 is a side view showing the configuration of the band reject filter shown in FIG. 1; FIG.
4 is a circuit diagram showing the configuration of the band reject filter shown in FIG. 1; And
5 is a waveform diagram illustrating frequency characteristics of the band reject filter shown in FIG. 1.

본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.The embodiments of the present invention can be modified into various forms and the scope of the present invention should not be interpreted as being limited by the embodiments described below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Therefore, the shapes and the like of the components in the drawings are exaggerated in order to emphasize a clearer explanation.

이하 첨부된 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 to 5.

도 1은 본 발명에 따른 대역 저지 필터의 구성을 도시한 분해 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 대역 저지 필터의 평면도이며, 도 3은 도 1에 도시된 측면도이다.1 is an exploded perspective view showing the configuration of a band reject filter according to the present invention, FIG. 2 is a plan view of the band reject filter shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a side view of FIG. 1.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 대역 저지 필터(100)는 하우징(110)과, 하우징 커버(120) 및 전송 라인(130)을 포함한다. 또 대역 저지 필터(100)는 하우징(110)의 내부에 복수 개의 공동(150)이 형성되고, 공동(140)들 각각에 설치되는 복수 개의 공진기(160)를 포함한다. 하우징 커버(120)에는 복수 개의 튜닝 볼트(170)가 설치된다. 전송 라인(130)은 하우징(110) 내부에서 공진기(160)의 측면에 설치된다. 그리고 하우징(110), 하우징 커버(120), 전송 라인(130) 및 공진기(160)는 예를 들어, 알루미늄, 구리 및 철 등과 같은 금속 재질로 구비된다.1 to 3, the band reject filter 100 of the present invention includes a housing 110, a housing cover 120, and a transmission line 130. In addition, the band reject filter 100 includes a plurality of cavities 150 formed in the housing 110 and a plurality of resonators 160 installed in each of the cavities 140. The housing cover 120 is provided with a plurality of tuning bolts 170. The transmission line 130 is installed at the side of the resonator 160 in the housing 110. In addition, the housing 110, the housing cover 120, the transmission line 130, and the resonator 160 may be formed of a metal material, for example, aluminum, copper, and iron.

본 발명의 대역 저지 필터(100)는 캐패시턴스 및 주파수 특성을 조절하기 위하여, 공진기(160)와 하우징(110) 사이의 간격(도 2의 d2), 공진기(160)와 하우징 커버(120) 사이의 간격(d3) 및, 공진기(160)와 전송 라인(130) 사이의 간격(d1)을 조절함으로써, 주파수 특성 변화에 따른 제조 비용을 절감하고, 커플링 튜닝이 용이하다.The band rejection filter 100 of the present invention includes a gap between the resonator 160 and the housing 110 (d2 of FIG. 2), between the resonator 160 and the housing cover 120, in order to adjust capacitance and frequency characteristics. By adjusting the interval d3 and the interval d1 between the resonator 160 and the transmission line 130, the manufacturing cost according to the frequency characteristic change is reduced, and the coupling tuning is easy.

구체적으로, 하우징(110)은 일면(예컨대, 상부면)이 개방된 직육면체 형상의 금속 재질로 구비된다. 하우징(110)은 양측에 신호를 전송하기 위한 입력 포트(112) 및 출력 포트(114)가 제공된다. 구체적으로, 입력 포트(112)와 출력 포트(114) 각각은 하우징(10)의 외부로부터 내부로 장착된다. 입력 포트(112)와 출력 포트(114)는 하우징(110)의 내부에서 신호 전송을 위한 전송 라인(130)에 의해 전기적으로 연결된다.Specifically, the housing 110 is provided with a metal material having a rectangular parallelepiped shape in which one surface (for example, an upper surface) is open. The housing 110 is provided with an input port 112 and an output port 114 for transmitting signals on both sides. Specifically, each of the input port 112 and the output port 114 is mounted from the outside of the housing 10 to the inside. The input port 112 and the output port 114 are electrically connected by a transmission line 130 for signal transmission inside the housing 110.

하우징(110)은 내부에 입력 포트(112)로부터 출력 포트(114) 방향으로 일정 간격 구획된 복수 개의 공동(cavity)(140)들이 형성된다. 공동(140)들은 격벽(150)에 의해 구획되며, 공동(140)들 각각에는 하우징(110)의 하부에서 상부 방향으로 수직하게 막대 형상의 공진기(160)가 설치된다. 또 하우징(110)은 상부면에 복수 개의 결합홈(116)이 제공된다. 이 결합홈(116)은 격벽(150)의 상부면에 더 제공될 수 있다.The housing 110 is formed with a plurality of cavities 140 partitioned at regular intervals from the input port 112 toward the output port 114. The cavities 140 are partitioned by the partition wall 150, and each of the cavities 140 is provided with a rod-shaped resonator 160 vertically from the lower side of the housing 110 to the upper direction. In addition, the housing 110 is provided with a plurality of coupling grooves 116 on the upper surface. The coupling groove 116 may be further provided on the upper surface of the partition wall 150.

공진기(160)는 금속 재질로 구비되며, 복수 개 예를 들어, 약 8 내지 15 개가 구비된다. 공진기(160)는 도 2에 도시된 바와 같이, 초기 설계시, 시뮬레이션을 통해 개략적인 커플링 값을 산출하고, 이에 대응하여 하우징(110)과 공진기(160) 사이의 간격(d3)이 일정하도록 고정, 설치된다.The resonator 160 may be made of a metal material, and a plurality of resonators 160 may be provided, for example, about 8 to 15 pieces. In the initial design, as shown in FIG. 2, the resonator 160 calculates a rough coupling value through simulation, and correspondingly, the distance d3 between the housing 110 and the resonator 160 is constant. It is fixed and installed.

격벽(150)에는 인접하는 공동(140)들 간에 일부가 개방되도록 윈도우(152)가 형성된다. 즉, 격벽(150)은 공동(140)들 사이에 배치되어 공진기(160)가 설치되는 부분은 차단되고, 전송 라인(130)이 설치되는 부분은 개방되도록 윈도우(152)가 형성된다.In the partition wall 150, a window 152 is formed to partially open the adjacent cavity 140. That is, the partition wall 150 is disposed between the cavities 140 to block the portion where the resonator 160 is installed and the window 152 is formed to open the portion where the transmission line 130 is installed.

하우징 커버(120)는 공진기(160)들에 각각에 대응하는 위치에 복수 개의 튜닝 볼트(170)가 설치된다. 각각의 튜닝 볼트(170)는 하우징 커버(120)와 공진기(160) 사이의 간격을 미세 조절한다. 또 하우징 커버(120)에는 하우징(110)의 상부면에 형성된 결합홈(116)들 각각에 대응되는 위치에 복수 개의 결합홀(122)들이 형성된다. 따라서 하우징(110)과 하우징 커버(120)는 하우징(110)의 결합홈(116)과, 하우징 커버(120)의 결합홀(122) 및, 결합 나사(124)에 의해 결합된다.The housing cover 120 is provided with a plurality of tuning bolts 170 at positions corresponding to each of the resonators 160. Each tuning bolt 170 fine tunes the gap between the housing cover 120 and the resonator 160. In addition, the housing cover 120 has a plurality of coupling holes 122 formed at positions corresponding to each of the coupling grooves 116 formed on the upper surface of the housing 110. Therefore, the housing 110 and the housing cover 120 are coupled by the coupling groove 116 of the housing 110, the coupling hole 122 of the housing cover 120, and the coupling screw 124.

그리고 전송 라인(130)은 예컨대, 금속 재질로 구비되고, 하우징(110) 내부에서 공진기(160)의 측면에 배치된다. 이를 위해 전송 라인(130)은 격벽(150)에 형성된 윈도우(152)에 고정, 설치된다. 이 때, 전송 라인(130)은 도 2에 도시된 바와 같이, 초기 설계시, 시뮬레이션을 통해 산출된 개략적인 커플링 값에 대응하여 전송 라인(130)과 공진기(160) 사이의 간격(d1)을 일정하게 유지하도록 윈도우(152)에 고정된다. 여기서 윈도우(152)는 전송 라인(130)의 직경(D)보다 큰 폭(W)을 갖는다.In addition, the transmission line 130 may be formed of, for example, a metal material and disposed on the side of the resonator 160 in the housing 110. To this end, the transmission line 130 is fixed and installed in the window 152 formed on the partition wall 150. In this case, as shown in FIG. 2, the transmission line 130 has an interval d1 between the transmission line 130 and the resonator 160 in response to the rough coupling value calculated through the simulation in the initial design. Is fixed to the window 152 to keep it constant. The window 152 here has a width W greater than the diameter D of the transmission line 130.

이러한 전송 라인(130)은 입력 포트(112)와 출력 포트(114)를 전기적으로 연결하는 동축 라인(132)과, 외주면이 공진기(160)의 측면에 배치하는 용량성 도체(134)를 포함한다. 동축 라인(132)은 양단이 입력 포트(112)와 출력 포트(114)에 연결되어 입력 포트(112)로부터 출력 포트(114)로 신호를 전송한다. 용량성 도체(134)는 공진기(160)가 배치되는 위치의 동축 라인(132) 상에 구비된다. 용량성 도체(134)는 동축 라인(132)의 중심축으로부터 외측으로 연장되어 동축 라인(132)보다 큰 직경을 갖는 원통 또는 원기둥 형상으로 구비된다.The transmission line 130 includes a coaxial line 132 electrically connecting the input port 112 and the output port 114, and a capacitive conductor 134 having an outer circumferential surface disposed on the side of the resonator 160. . Coaxial line 132 is connected at both ends to input port 112 and output port 114 to transmit a signal from input port 112 to output port 114. The capacitive conductor 134 is provided on the coaxial line 132 where the resonator 160 is disposed. The capacitive conductor 134 extends outward from the central axis of the coaxial line 132 and is provided in a cylindrical or cylindrical shape having a diameter larger than that of the coaxial line 132.

동축 라인(132)은 격벽(150)의 윈도우(152) 상에 위치하고, 용량성 도체(134)는 공진기(160)의 측면에 대응하는 위치에 배치된다. 따라서 동축 라인(130)이 격벽(150)의 윈도우(152) 내부에서 좌우로 이동 및 고정하여 초기 설계에 따른 커플링 값을 개략적으로 조절된다. 그리고 전송 라인(130)은 용량성 도체(134)와 공진기(160) 사이의 간격(d1)이 고정되도록 입력 포트(112) 및 출력 포트(114)가 하우징(110)의 양측 각각에 고정된다.Coaxial line 132 is located on window 152 of partition 150, and capacitive conductor 134 is disposed at a position corresponding to the side of resonator 160. Therefore, the coaxial line 130 is moved left and right inside the window 152 of the partition wall 150 to adjust the coupling value according to the initial design. In the transmission line 130, the input port 112 and the output port 114 are fixed to both sides of the housing 110 such that the distance d1 between the capacitive conductor 134 and the resonator 160 is fixed.

상술한 바와 같이, 본 발명의 대역 저지 필터(100)는 원하는 대역폭(band width)을 조절하기 위하여, 전송 라인(130)과 공진기(160) 사이의 커플링 량을 가변화시켜서 조절한다. 이를 위해 대역 저지 필터(100)는 초기 설계 시, 공진기(160)와 하우징(110) 사이의 간격(d2) 및 공진기(160)와 전송 라인(130) 사이의 간격(d1)을 개략적으로 조절하고, 튜닝 볼트(170)에 의해 공진기(160)와 하우징 커버(110) 사이의 간격(d3)을 미세 조절함으로써, 전송 라인(130)와 공진기(160) 사이에 의해 형성되는 커패시턴스를 가변 조절한다.As described above, the band reject filter 100 of the present invention adjusts by varying the amount of coupling between the transmission line 130 and the resonator 160 in order to adjust the desired bandwidth (band width). To this end, in the initial design, the band reject filter 100 schematically adjusts the distance d2 between the resonator 160 and the housing 110 and the distance d1 between the resonator 160 and the transmission line 130. By finely adjusting the distance d3 between the resonator 160 and the housing cover 110 by the tuning bolt 170, the capacitance formed between the transmission line 130 and the resonator 160 is variably adjusted.

계속해서 도 4는 본 발명에 따른 대역 저지 필터의 구성을 나타내는 회로도이고, 도 5는 본 발명에 따른 대역 저지 필터의 주파수 특성을 나타내는 파형도이다. 여기서 회로도는 도 1에 도시된 실시예에 따른 대역 저지 필터의 구성 요소들에 의해 형성되는 것으로, 이들 구성 요소들을 이용하여 상세히 설명한다. 이 실시예에서는 5 개의 공진기를 구비하는 대역 저지 필터를 이용하여 회로 구성(이하 '대역 저지 필터 회로'라 한다)을 설명하지만, 공진기의 개수에 따라 회로 구성의 변경 및 변형은 다양하게 이루어질 수 있다.4 is a circuit diagram showing the configuration of the band reject filter according to the present invention, and FIG. 5 is a waveform diagram showing the frequency characteristics of the band reject filter according to the present invention. Here, the circuit diagram is formed by the components of the band reject filter according to the embodiment shown in FIG. 1 and will be described in detail using these components. In this embodiment, a circuit configuration (hereinafter referred to as a 'band stop filter circuit') is described using a band stop filter including five resonators, but the circuit configuration can be changed and modified in various ways according to the number of resonators. .

도 4를 참조하면, 대역 저지 필터 회로(100)는 입력 포트(112)와 출력 포트(114) 사이에 연결된 전송 선로(130)의 양단에 예컨대, 50 오옴(Ohm)의 임피던스를 갖는 입력 및 출력 터미네이션(Term1, Term2)을 형성한다. 대역 저지 필터 회로(100)는 전송 라인(130)에 의해 형성되는 복수 개의 LC 병렬 공진 회로(130a ~ 130e)들을 포함한다. 또 대역 저지 필터 회로(100)는 복수 개의 공진기(160)들 각각에 의해 형성되는 복수 개의 LC 직렬 공진 회로(160a ~ 160d)들을 포함한다. 또 대역 저지 필터 회로(100)는 전송 라인(130)과 각각의 공진기(160)에 의해 형성되고, 각 튜닝 볼트(170)의 미세 조절에 의해 캐패시턴스가 조절되는 복수 개의 가변 캐패시터(VC1 ~ VC4)들을 포함한다.Referring to FIG. 4, the band reject filter circuit 100 includes an input and an output having an impedance of, for example, 50 Ohms at both ends of the transmission line 130 connected between the input port 112 and the output port 114. Form terminations (Term1, Term2). The band stop filter circuit 100 includes a plurality of LC parallel resonant circuits 130a to 130e formed by the transmission line 130. The band reject filter circuit 100 also includes a plurality of LC series resonant circuits 160a to 160d formed by each of the plurality of resonators 160. In addition, the band suppression filter circuit 100 is formed by the transmission line 130 and the respective resonators 160, and the plurality of variable capacitors VC1 to VC4 whose capacitance is adjusted by fine adjustment of each tuning bolt 170. Include them.

이 실시예에서, 대역 저지 필터 회로(100)는 입력 및 출력 터미네이션(Term1, Term2) 사이의 전송 선로(130)에 의해 형성되는 제 1 내지 제 5 LC 병렬 공진 회로(130a ~ 130e)들을 포함한다. 제 1 내지 제 5 LC 병렬 공진 회로(130a ~ 130e)들 각각에는 하나의 인덕터(L1 ~ L5)와 하나의 캐패시터(C1 ~ C5)가 상호 병렬로 연결된다.In this embodiment, band reject filter circuit 100 includes first to fifth LC parallel resonant circuits 130a to 130e formed by transmission line 130 between input and output terminations Term1 and Term2. . One inductor L1 to L5 and one capacitor C1 to C5 are connected in parallel to each of the first to fifth LC resonant circuits 130a to 130e.

제 1 내지 제 5 LC 병렬 공진 회로(130a ~ 130e)들 중 인접하는 LC 병렬 공진 회로들 사이에는 제 1 내지 제 4 LC 직렬 공진 회로(160a ~ 160d)들이 각각 형성된다. 즉, 제 1 및 제 2 LC 병렬 공진 회로(130a, 130b)들 사이에는 제 1 LC 직렬 공진 회로(160a)가 형성되고, 제 2 및 제 3 LC 병렬 공진 회로(130b, 130c)들 사이에는 제 2 LC 직렬 공진 회로(160b)가 형성되고, 제 3 및 제 4 LC 병렬 공진 회로(130c, 130d)들 사이에는 제 3 LC 직렬 공진 회로(160c)가 형성되며, 그리고 제 4 및 제 5 LC 병렬 공진 회로(130d, 130e)들 사이에는 제 4 LC 직렬 공진 회로(160d)가 형성된다. 제 1 내지 제 4 LC 직렬 공진 회로(160a ~ 160d)들 각각에는 하나의 인덕터(L6 ~ L9)와 하나의 캐패시터(C6 ~ C9)가 상호 직렬로 연결된다. 이 인덕터(L6 ~ L9)는 가변 캐패시터(VC1 ~ VC4)에 연결되며, 캐패시터(C6 ~ C9)는 접지된다.First to fourth LC series resonant circuits 160a to 160d are formed between adjacent LC parallel resonant circuits among the first to fifth LC parallel resonant circuits 130a to 130e, respectively. That is, a first LC series resonant circuit 160a is formed between the first and second LC parallel resonant circuits 130a and 130b, and a first LC second resonant circuit 130b and 130c is formed between the first and second LC parallel resonant circuits 130a and 130b. A two LC series resonant circuit 160b is formed, a third LC series resonant circuit 160c is formed between the third and fourth LC parallel resonant circuits 130c, 130d, and a fourth and fifth LC parallel A fourth LC series resonant circuit 160d is formed between the resonant circuits 130d and 130e. One inductor L6 to L9 and one capacitor C6 to C9 are connected in series to each of the first to fourth LC series resonant circuits 160a to 160d. The inductors L6 to L9 are connected to the variable capacitors VC1 to VC4, and the capacitors C6 to C9 are grounded.

그리고 제 1 내지 제 4 가변 캐패시터(VC1 ~ VC4)들 각각은 제 1 내지 제 5 LC 병렬 공진 회로(130a ~ 130e)들과 제 1 내지 제 4 LC 직렬 공진 회로(160a ~ 160d)들 사이에 형성된다.Each of the first to fourth variable capacitors VC1 to VC4 is formed between the first to fifth LC parallel resonant circuits 130a to 130e and the first to fourth LC series resonant circuits 160a to 160d. do.

이 때, 제 1 내지 제 4 가변 캐패시터(VC1 ~ VC4)들 각각의 캐패시턴스는 전송 라인(130)과 공진기(160) 사이의 유전율, 전송 라인(130)과 공진기(160) 사이의 단면적 및 거리(d1)에 의해 결정되며, 튜닝 볼트(170)에 의해 하우징 커버(120)와 공진기(160) 사이의 간격(d3)을 미세 조절하여, 캐패시턴스가 미세 조절된다.At this time, the capacitance of each of the first to fourth variable capacitors VC1 to VC4 is the dielectric constant between the transmission line 130 and the resonator 160, the cross-sectional area and the distance between the transmission line 130 and the resonator 160 ( The capacitance is finely adjusted by adjusting the distance d3 between the housing cover 120 and the resonator 160 by the tuning bolt 170.

이러한 본 발명의 대역 저지 필터 회로(100)는 도 5에 도시된 바와 같이, 반사 계수(S11) 및 투과 계수(S21)를 나타내는 S 파라미터는 약 0.9 내지 1.0 GHz의 주파수 대역을 저지한다. 이를 위해 대역 저지 필터(100)는 전송 라인(130)을 공진기(160)의 측면에 배치하고, 튜닝 볼트(170)를 이용하여 공진기(160)와 하우징 커버(120) 사이의 간격(d2)을 미세 조절함으로써, 전송 라인(130)과 공진기(160)에 의해 형성되는 캐패시턴스를 조절한다.In the band rejection filter circuit 100 of the present invention, as shown in FIG. 5, the S parameter representing the reflection coefficient S11 and the transmission coefficient S21 blocks a frequency band of about 0.9 to 1.0 GHz. To this end, the band stop filter 100 arranges the transmission line 130 on the side of the resonator 160 and uses the tuning bolt 170 to adjust the distance d2 between the resonator 160 and the housing cover 120. By fine adjustment, the capacitance formed by the transmission line 130 and the resonator 160 is adjusted.

따라서 본 발명의 대역 저지 필터 회로(100)에 의해 저지하고자 하는 대역폭은 튜닝 볼트(170)에 의해 전송 라인(130)과 공진기(160) 사이의 커플링 량을 조절함으로써, 커플링 량의 미세 조절이 용이하고, 주파수 특성 변화에 따른 대역 저지 필터(100)의 부품을 재가공할 필요가 없다.Therefore, the bandwidth to be blocked by the band stop filter circuit 100 of the present invention is controlled by the tuning bolt 170 to adjust the amount of coupling between the transmission line 130 and the resonator 160, thereby finely adjusting the amount of coupling. This is easy, and there is no need to rework the components of the band reject filter 100 according to the frequency characteristic change.

이상에서, 본 발명에 따른 대역 저지 필터의 구성 및 작용을 상세한 설명과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.In the above, the configuration and operation of the band stop filter according to the present invention is shown in accordance with the detailed description and drawings, which are merely described by way of example, and various changes and modifications may be made without departing from the spirit of the present invention. It is possible.

100 : 대역 저지 필터 110 : 하우징
112 : 입력 포트 114 : 출력 포트
120 : 하우징 커버 130 : 전송 라인
132 : 동축 라인 134 : 용량성 도체
140 : 공동 150 : 격벽
152 : 윈도우 160 : 공진기
170 : 튜닝 볼트
100: band stop filter 110: housing
112: input port 114: output port
120: housing cover 130: transmission line
132: coaxial line 134: capacitive conductor
140: cavity 150: bulkhead
152: window 160: resonator
170: tuning bolt

Claims (6)

대역 저지 필터에 있어서:
일면이 개방되고, 양측에 입력 포트 및 출력 포트가 제공되며, 내부에 일정 간격으로 복수 개의 공동들을 형성하는 복수 개의 격벽이 설치되는 하우징과;
상기 하우징의 개방된 상기 일면을 덮는 하우징 커버와;
상기 공동들 각각의 일측에 설치되는 공진기와;
상기 하우징의 내부에서 상기 입력 포트와 상기 출력 포트 사이를 연결하고, 상기 공진기들의 측면에 배치되어 상기 공진기와의 간격을 일정하게 유지하는 전송 라인 및;
상기 공진기들 각각의 상부에 배치되도록 상기 하우징 커버에 설치되고, 상기 하우징 커버와 상기 공진기와의 간격을 조절하여 상기 공진기와 상기 전송 라인 사이의 커플링 량을 가변 조절하는 복수 개의 튜닝 볼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터.
For the band reject filter:
A housing having one side open, an input port and an output port provided at both sides thereof, and having a plurality of partition walls provided therein, the plurality of partitions forming a plurality of cavities at regular intervals;
A housing cover covering the open one side of the housing;
A resonator installed at one side of each of the cavities;
A transmission line connecting between the input port and the output port inside the housing and disposed on side surfaces of the resonators to maintain a constant distance from the resonator;
A plurality of tuning bolts installed on the housing cover to be disposed above each of the resonators, and varying an amount of coupling between the resonator and the transmission line by adjusting a distance between the housing cover and the resonator. Band reject filter, characterized in that.
제 1 항에 있어서,
상기 격벽은;
상기 공동들 사이에 배치되어 상기 공진기가 설치되는 부분은 차단되고, 상기 전송 선로가 설치되는 부분은 개방되게 윈도우가 형성되는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터.
The method of claim 1,
The partition wall;
And a portion of the cavity disposed between the cavities is cut off, and a portion of the transmission line is formed with a window formed to open.
제 2 항에 있어서,
상기 전송 라인은;
상기 윈도우에 설치되어 상기 하우징의 내부에서 상기 입력 포트 및 상기 출력 포트를 전기적으로 연결하는 동축 라인 및;
상기 공진기들 각각에 대향하는 위치에 배치되도록 상기 동축 라인에 구비되고, 외주면이 상기 공진기의 상기 측면과 일정 거리 이격되는 복수 개의 용량성 도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터.
The method of claim 2,
The transmission line;
A coaxial line installed in the window to electrically connect the input port and the output port to the inside of the housing;
And a plurality of capacitive conductors disposed on the coaxial line so as to be disposed at positions opposite to each of the resonators, and having an outer circumferential surface spaced apart from the side surface of the resonator by a predetermined distance.
제 3 항에 있어서,
상기 용량성 도체는;
상기 동축 라인의 중심축으로부터 연장되어 상기 동축 라인보다 큰 직경을 갖는 형상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터.
The method of claim 3, wherein
The capacitive conductor;
And a band stop filter extending from a central axis of the coaxial line and having a diameter larger than that of the coaxial line.
상기 제1항 내지 상기 제4항 중 어느 한 항에 기재된 상기 대역 저지 필터에 의해 형성되는 대역 저지 필터 회로에 있어서:
상기 전송 라인에 의해 복수 개가 형성되고, 각각이 하나의 인덕터와 하나의 캐패시터가 상호 병렬로 연결되며, 그리고 복수 개가 상호 직렬로 연결되는 LC 병렬 공진 회로들과;
상기 공진기들 각각에 의해 복수 개가 형성되고, 인접하는 상기 LC 병렬 공진 회로들 사이에서 각각 형성되며, 각각이 하나의 인덕터와 하나의 캐패시터가 상호 직렬로 연결되는 복수 개의 LC 직렬 공진 회로들 및;
상기 전송 라인의 일측에 배치되는 상기 공진기와 상기 전송 라인에 의해 상기 LC 병렬 공진 회로와 상기 LC 직렬 공진 회로 사이에서 형성되고, 상기 공진기 각각에 대응하는 상기 튜닝 볼트들 각각에 의해 상기 전송 라인과 상기 공진기 사이의 캐패시턴스가 가변 조절되는 복수 개의 가변 커패시터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터 회로.
In the band reject filter circuit formed by the band reject filter according to any one of claims 1 to 4,
A plurality of LC parallel resonant circuits, each of which is formed by the transmission line, one inductor and one capacitor connected in parallel with each other, and the plurality connected in series with each other;
A plurality of LC series resonant circuits each formed by each of the resonators, each formed between adjacent LC parallel resonant circuits, each of which inductor and one capacitor are connected in series;
The resonator disposed on one side of the transmission line is formed between the LC parallel resonant circuit and the LC series resonant circuit by the transmission line, and the transmission line and the each of the tuning bolts corresponding to the resonators respectively. And a plurality of variable capacitors of which the capacitance between the resonators is variable adjusted.
제 5 항에 있어서,
상기 가변 캐패시터는;
상기 하우징과 상기 공진기 사이의 간격과, 상기 전송 라인과 상기 공진기 사이의 유전율, 단면적 및 간격 중 적어도 하나에 의해 캐패시턴스가 개략적으로 조절되고, 상기 튜닝 볼트에 의해 상기 공진기와 상기 하우징 커버 사이의 간격에 의해 미세 조절되는 것을 특징으로 하는 대역 저지 필터 회로.
The method of claim 5, wherein
The variable capacitor;
The capacitance is roughly adjusted by at least one of the spacing between the housing and the resonator, and the dielectric constant, cross-sectional area and spacing between the transmission line and the resonator, and by the tuning bolt at the spacing between the resonator and the housing cover. Band suppression filter circuit, characterized in that finely adjusted by.
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