KR101109242B1 - Apparatus for Power Amplification - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전력 증폭 장치에 관한 것으로, 입력 전력을 소정 레벨로 증폭시키는 전력증폭수단; 및 상기 전력증폭수단의 동작점 설정에 필요한 바이어스 전원을 상기 전력증폭수단에 제공하고, 상기 전력증폭수단에 제공되는 전류를 감지하여 상기 전류 값을 조절하는 바이어스 전원부를 포함함으로써, 시스템의 열화를 방지하여 시스템을 안정화시킬 수 있도록 한다.The present invention relates to a power amplifier, comprising: power amplifying means for amplifying an input power to a predetermined level; And a bias power supply for supplying a bias power source for setting an operating point of the power amplifying means to the power amplifying means and sensing a current provided to the power amplifying means to adjust the current value, thereby preventing deterioration of the system. To stabilize the system.

전력 증폭, 문턱 전압, 전류 감지, 전류 미러 Power amplification, threshold voltage, current sensing, current mirror

Description

전력 증폭 장치{Apparatus for Power Amplification}Apparatus for Power Amplification

본 발명은 전력 증폭 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a power amplifier.

일반적으로, 이동통신 단말기는 수신 신호 또는 송신 신호의 전력을 증폭하는 전력 증폭기(Power Amplifier)를 구비한다.In general, a mobile communication terminal includes a power amplifier that amplifies the power of a received signal or a transmitted signal.

이러한, 전력 증폭기는 이동통신 단말기의 배터리효율과 가장 밀접한 가진 제품으로 전력 증폭기의 효율개선이 이동통신 단말기의 수명연장으로 연결된다.The power amplifier is the product having the most close relationship with the battery efficiency of the mobile communication terminal, and the efficiency improvement of the power amplifier is connected to prolong the life of the mobile communication terminal.

도 1은 종래 기술에 따른 전력 증폭 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a power amplifier according to the prior art.

종래 기술에 따른 전력 증폭 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 입력 전력(Pin)을 소정의 레벨로 증폭시켜 출력 전력(Pout)을 생성하는 전력증폭수단(110)과 상기 전력증폭수단(110)에 바이어스 전원을 공급하는 바이어스 전원부(120)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the power amplification apparatus according to the related art includes power amplification means 110 and power amplification means 110 for generating an output power Pout by amplifying the input power Pin to a predetermined level. It is composed of a bias power supply unit 120 for supplying a bias power supply.

이러한, 구성의 종래 기술에 따른 전력 증폭 장치에서 바이어스 전원부(120) 는 구동 전원(VDD)과 전력증폭수단(110) 사이에 두 개의 트랜지스터(Q1, Q2)가 캐스코드(cascode) 구조로 직렬 연결되도록 형성된다.In the power amplifier according to the related art, the bias power supply unit 120 has two transistors Q1 and Q2 in series in a cascode structure between the driving power supply V DD and the power amplifying means 110. It is formed to be connected.

이때, 제 1 트랜지스터(Q1)는 전력증폭수단(110)의 동작점을 설정할 수 있는 바이어스 전원(전압 또는 전류)을 상기 전력증폭수단(110)에 제공하고, 상기 제 2 트랜지스터(Q2)는 높은 드레인 전압을 견딜 수 있는 기능을 수행한다.At this time, the first transistor Q1 provides a bias power source (voltage or current) for setting the operating point of the power amplifying means 110 to the power amplifying means 110, and the second transistor Q2 is high. Function to withstand drain voltage.

이와 같은 종래 기술에 따른 전력 증폭 장치는 도 2에 도시된 바와 같이 게이트 전압(Vg)이 문턱 전압 이하일 경우에는 상기 바이어스 전원부(120)가 상기 전력증폭수단(110)에 전류를 공급하지 않으나, 게이트 전압(Vg)이 문턱 전압 이상일 경우에는 게이트 전압(Vg)의 크기에 따라 증가하는 전류를 상기 전력증폭수단(110)에 공급하게 된다.In the conventional power amplifier, the bias power supply unit 120 does not supply current to the power amplifier 110 when the gate voltage Vg is lower than or equal to the threshold voltage, as shown in FIG. 2. When the voltage Vg is greater than or equal to the threshold voltage, a current that increases according to the magnitude of the gate voltage Vg is supplied to the power amplifying means 110.

이때, 상기 전력증폭수단(110)은 상기 바이어스 전원부(120)로부터 공급되는 전류를 동작점으로 입력 전력(Pin)을 소정 레벨 증폭하여 출력 전력(Pout)을 생성한다.In this case, the power amplifying unit 110 generates an output power Pout by amplifying the input power Pin by a predetermined level from the current supplied from the bias power supply unit 120 as an operating point.

그러나, 이와 같은 종래의 기술에 따른 전력 증폭 장치는 게이트 전압(Vg)만을 이용하여 바이어스 전원부(120)의 출력 전류를 제어하기 때문에 게이트 전압(Vg)이 문턱 전압 이상이 되면, 도 2에 도시된 바와 같이 급격히 전류가 증가하게 된다.However, since the conventional power amplification apparatus controls the output current of the bias power supply unit 120 using only the gate voltage Vg, when the gate voltage Vg becomes greater than or equal to the threshold voltage, the power amplifier shown in FIG. As can be seen, the current rapidly increases.

이로 인해, 종래에는 급격히 증가하는 전류로 인해 시스템의 특성이 열화되어 시스템이 불안정해지는 문제가 있다.For this reason, conventionally, there is a problem that the system is destabilized due to the rapidly increasing current, the system becomes unstable.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출 된 본 발명은 게이트 전압과 드레인 전압을 동시에 조절하여 게이트 전압에 따른 전류의 변화를 완만하게 함으로써 시스템의 열화를 방지하여 시스템을 안정화시킬 수 있는 전력 증폭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention devised to solve the above problems provides a power amplification device that can stabilize the system by preventing the deterioration of the system by smoothly changing the current according to the gate voltage by controlling the gate voltage and drain voltage at the same time It aims to do it.

상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는 입력 전력을 소정 레벨로 증폭시키는 전력증폭수단; 및 상기 전력증폭수단의 동작점 설정에 필요한 바이어스 전원을 상기 전력증폭수단에 제공하고, 상기 전력증폭수단에 제공되는 전류를 감지하여 상기 전류 값을 조절하는 바이어스 전원부를 포함한다.In order to achieve the above object, the power amplifying apparatus according to an embodiment of the present invention includes a power amplifying means for amplifying the input power to a predetermined level; And a bias power supply for providing a bias power source for setting an operating point of the power amplifying means to the power amplifying means, and sensing a current provided to the power amplifying means to adjust the current value.

또한, 본 발명에서 상기 바이어스 전원부는, 소스 단자가 상기 전력증폭수단에 연결된 제 1 트랜지스터; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자에 게이트 단자가 연결되고, 구동 전원에 드레인 단자가 연결된 제 2 트랜지스터; 상기 구동 전원에 드레인 단자와 게이트 단자가 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 단자에 소스 단자가 연결된 제 3 트랜지스터; 상기 제 2 트랜지스터의 소스 단자에 흐르는 전류를 감지하는 전류 센싱부; 상기 전류 센싱부에 의해 센싱된 전류를 기준 전류와 비교하는 비교부; 및 상기 비교부의 비교 결과에 따라 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전압을 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the present invention, the bias power supply unit may include: a first transistor having a source terminal connected to the power amplifier; A second transistor having a gate terminal connected to a gate terminal of the first transistor and a drain terminal connected to a driving power source; A third transistor having a drain terminal and a gate terminal connected to the driving power supply, and a source terminal connected to the drain terminal of the first transistor; A current sensing unit sensing a current flowing in the source terminal of the second transistor; A comparison unit comparing the current sensed by the current sensing unit with a reference current; And a controller for adjusting the drain voltage of the first transistor according to the comparison result of the comparison unit.

또한, 본 발명에서 상기 제어부는, 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 제공되는 게이트 전압과 반비례하도록 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전압을 조절하는 것을 특징으로 한다.In the present invention, the control unit, characterized in that for adjusting the drain voltage of the first transistor so as to be inversely proportional to the gate voltage provided to the gate terminal of the first transistor and the second transistor.

이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고, 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.Prior to this, the terms or words used in this specification and claims are not to be interpreted in a conventional, dictionary sense, and the inventors will appropriately define the concept of terms in order to best explain their invention in the best way possible. It should be interpreted as meaning and concept corresponding to the technical idea of the present invention based on the principle that it can.

본 발명에 의하면, 전류 미러로 전력증폭수단에 제공되는 전류를 센싱하고, 센싱된 전류와 기준 전류를 비교한 후 비교 결과에 따라 전력증폭수단에 전류를 공급하는 전류 미러를 구성하는 트랜지스터의 드레인 전압을 조절하여 전력증폭수단에 공급되는 전류를 조절하기 때문에 전류 미러의 게이트 단자에 공급되는 게이트 전압이 증가하더라도 전류의 변화를 완만하게 할 수 있어 시스템의 열화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 시스템을 안정화시킬 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, a drain voltage of a transistor constituting a current mirror for sensing a current provided to the power amplification means with a current mirror, comparing the sensed current with a reference current and supplying a current to the power amplification means according to the comparison result. Since the current supplied to the power amplification means is controlled by adjusting the voltage, the current change can be smoothed even if the gate voltage supplied to the gate terminal of the current mirror is increased, thereby preventing system degradation and stabilizing the system. It can be effective.

본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시 예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명 세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 이 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.The objects, specific advantages and novel features of the present invention will become more apparent from the following detailed description and preferred embodiments in conjunction with the accompanying drawings. In the present specification, when adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same components as possible, even if displayed on the other drawings have the same number as possible. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭 장치를 나타내는 도면이고, 도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 바이어스 전원부의 전류 특성을 나타내는 그래프이다.3 is a diagram illustrating a power amplifier according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a graph illustrating current characteristics of a bias power supply unit according to the exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 입력 전력(Pin)을 소정 레벨로 증폭시키는 전력증폭수단(10) 및 상기 전력증폭수단(10)의 동작점 설정에 필요한 바이어스 전원을 상기 전력증폭수단(10)에 제공하고, 상기 전력증폭수단(10)에 제공되는 전류(Id)를 감지하여 상기 전류 값을 조절하는 바이어스 전원부(20)를 포함하도록 구성된다.In the power amplification apparatus according to an embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, the power amplification means 10 for amplifying the input power Pin to a predetermined level and the operating point setting of the power amplification means 10 are set. It is configured to include a bias power supply 20 for providing a bias power supply for the power amplification means 10, and senses the current (Id) provided to the power amplification means 10 to adjust the current value.

전력증폭수단(10)은 입력 전력(Pin)을 소정 레벨로 증폭시킨 출력 전력(Pout)을 생성한다.The power amplifying means 10 generates output power Pout amplifying the input power Pin to a predetermined level.

이러한, 전력증폭수단(10)은 상기 바이어스 전원부(20)로부터 공급되는 전류(Id)에 따라 동작점을 설정한다.The power amplification means 10 sets an operating point according to the current Id supplied from the bias power supply unit 20.

상기 바이어스 전원부(20)는 상기 전력증폭수단(10)의 동작점 설정에 필요한 바이어스 전원(전압 및/또는 전류)을 상기 전력증폭수단(10)에 제공하고, 상기 전력증폭수단(10)에 제공되는 전류(Id)를 감지하여 상기 전류 값을 조절한다.The bias power supply unit 20 provides a bias power source (voltage and / or current) necessary for setting an operating point of the power amplifying means 10 to the power amplifying means 10, and provides the power amplifying means 10. The current value Id is adjusted to adjust the current value.

이를 위해, 상기 바이어스 전원부(20)는 소스 단자가 상기 전력증폭수단(10)에 연결된 제 1 트랜지스터(Q1), 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 게이트 단자에 게이트 단자가 연결되고, 구동 전원(VDD)에 드레인 단자가 연결된 제 2 트랜지스터(Q2), 상기 구동 전원(VDD)에 드레인 단자와 게이트 단자가 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 단자에 소스 단자가 연결된 제 3 트랜지스터(Q3), 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 소스 단자에 흐르는 전류(Id)를 감지하는 전류 센싱부(12), 상기 전류 센싱부(12)에 의해 센싱된 전류(Id)를 기준 전류와 비교하는 비교부(14), 및 상기 비교부(14)의 비교 결과에 따라 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압을 조절하는 제어부(16)를 포함하도록 구성된다.To this end, in the bias power supply unit 20, a gate terminal is connected to a first transistor Q1 having a source terminal connected to the power amplifier 10, a gate terminal of the first transistor Q1, and a driving power source V a second transistor (Q2), a drain terminal and gate terminal of the driving power source (V DD) is connected, the third transistor has a first source terminal to the drain terminal of the first transistor (Q1) connected to a drain terminal connected to the DD) ( Q3), a current sensing unit 12 that senses a current Id flowing through the source terminal of the second transistor Q2, and a current Id sensed by the current sensing unit 12 is compared with a reference current. And a control unit 16 for adjusting the drain voltage of the first transistor Q1 according to the comparison unit 14 and the comparison result of the comparison unit 14.

이러한 구성의 바이어스 전원부(20)에서 제 1 트랜지스터(Q1)는 전력증폭수단(10)의 동작점을 설정할 수 있는 바이어스 전원(전압 및/또는 전류)을 상기 전력증폭수단(10)에 제공하고, 상기 제 2 트랜지스터(Q2)는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)와 전류 미러를 구성하도록 형성되어 상기 제 1 트랜지스터(Q1)에 흐르는 전류(Id)를 센싱하며, 상기 제 3 트랜지스터(Q3)는 높은 드레인 전압을 견딜 수 있는 기능을 수행한다.In the bias power supply unit 20 having such a configuration, the first transistor Q1 provides a bias power supply (voltage and / or current) for setting the operating point of the power amplifying means 10 to the power amplifying means 10, The second transistor Q2 is configured to form a current mirror with the first transistor Q1 to sense a current Id flowing through the first transistor Q1, and the third transistor Q3 has a high drain. Functions to withstand voltage.

한편, 상기 전류 센싱부(12)는 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 소스 단자에 연결되어 상기 제 2 트랜지스터(Q2)의 소스 단자에 흐르는 전류(Id)를 센싱하고, 상 기 비교부(14)는 상기 전류 센싱부(12)에 의해 센싱된 전류(Id)와 기준 전류를 비교한다.Meanwhile, the current sensing unit 12 is connected to the source terminal of the second transistor Q2 to sense the current Id flowing through the source terminal of the second transistor Q2, and the comparison unit 14 Compares the current Id sensed by the current sensing unit 12 with a reference current.

이때, 상기 비교부(14)는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 게이트 단자에 공급되는 게이트 전압(Vg)에 따른 전류가 룩업 테이블 형태로 형성된 데이터 베이스(도시하지 않음)로부터 게이트 전압(Vg)에 따른 기준 전류 값을 제공받아 상기 전류 센싱부(12)에 의해 센싱된 전류(Id)와 비교한다.At this time, the comparison unit 14 is a database (not shown) in which a current corresponding to the gate voltage Vg supplied to the gate terminals of the first transistor Q1 and the second transistor Q2 is formed in a lookup table form. The reference current value corresponding to the gate voltage Vg is received from the current current unit 12 and compared with the current Id sensed by the current sensing unit 12.

상기 제어부(16)는 상기 비교부(14)로부터의 비교 결과에 따라 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 제어한다.The controller 16 controls the drain voltage Vd of the first transistor Q1 according to the comparison result from the comparator 14.

이러한, 제어부(16)는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 소스 단자에 공급되는 게이트 전압(Vg)과 반비례하도록 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 제어한다.The controller 16 controls the drain voltage Vd of the first transistor Q1 to be inversely proportional to the gate voltage Vg supplied to the source terminals of the first transistor Q1 and the second transistor Q2. .

즉, 상기 제어부(16)는 상기 비교부(14)로부터 상기 센싱된 전류(Id)가 기준 전류보다 작다는 정보가 제공될 경우 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 증가시키고, 상기 비교부(14)로부터 상기 센싱된 전류(Id)가 기준 전류보다 크다는 정보가 제공될 경우에는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 감소시킨다.That is, the controller 16 increases the drain voltage Vd of the first transistor Q1 when the information that the sensed current Id is smaller than the reference current is provided from the comparator 14. When the information that the sensed current Id is greater than the reference current is provided from the comparator 14, the drain voltage Vd of the first transistor Q1 is reduced.

한편, 상기 제어부(16)는 상기 비교부(14)로부터 상기 센싱된 전류(Id)와 기준 전류가 동일할 경우에는 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 현 상태로 유지한다.Meanwhile, the controller 16 maintains the drain voltage Vd of the first transistor Q1 in the current state when the sensed current Id and the reference current are the same.

이렇게 제어부(16)에 의해 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)이 조절되 기 때문에 상기 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd) 값에 따라 제 3 트랜지스터(Q3)에 흐르는 전류의 변화가 도 4와 같이 완만하게 조절된다.As such, since the drain voltage Vd of the first transistor Q1 is adjusted by the controller 16, the current flowing through the third transistor Q3 according to the drain voltage Vd value of the first transistor Q1 is adjusted. The change is gently adjusted as shown in FIG.

이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭 장치는 전류 미러로 전력증폭수단(10)에 제공되는 전류(Id)를 센싱하고, 센싱된 전류(Id)와 기준 전류를 비교한 후 비교 결과에 따라 상기 제어부(16)가 제 1 트랜지스터(Q1)의 드레인 전압(Vd)을 조절하여 제 3 트랜지스터(Q3)의 전류를 조절하기 때문에 제 1 트랜지스터(Q1)와 제 2 트랜지스터(Q2)의 게이트 전압(Vg)이 증가하더라도 도 4에 도시된 바와 같이 전류의 변화를 완만하게 할 수 있어 시스템의 열화를 방지할 수 있을 뿐만 아니라 시스템을 안정화시킬 수 있게 된다.As such, the power amplification apparatus according to the embodiment of the present invention senses the current Id provided to the power amplifying means 10 with a current mirror, compares the sensed current Id with the reference current, and Accordingly, since the controller 16 adjusts the current of the third transistor Q3 by adjusting the drain voltage Vd of the first transistor Q1, the gate voltages of the first transistor Q1 and the second transistor Q2 are adjusted. Even if (Vg) increases, the change in current can be smoothed as shown in FIG. 4, thereby preventing the system from deteriorating and stabilizing the system.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art that various modifications of the present invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below And can be changed.

도 1은 종래 기술에 따른 전력 증폭 장치를 나타내는 도면이다.1 is a view showing a power amplifier according to the prior art.

도 2는 도 1에 도시된 제 1 트랜지스터의 게이트 전압에 따른 전류의 변화를 나타내는 그래프이다.FIG. 2 is a graph illustrating a change in current according to a gate voltage of the first transistor illustrated in FIG. 1.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 증폭 장치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a power amplification apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 바이어스 전원부의 전류 특성을 나타내는 그래프이다.4 is a graph illustrating current characteristics of a bias power supply unit according to an exemplary embodiment of the present invention shown in FIG. 3.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10, 110 : 전력증폭수단 12 : 전류 센싱부10, 110: power amplification means 12: current sensing unit

14 : 비교부 16 : 제어부14: comparison unit 16: control unit

20, 120 : 바이어스 전원부20, 120: bias power supply

Claims (3)

입력 전력을 소정 레벨로 증폭시키는 전력증폭수단; 및Power amplifying means for amplifying the input power to a predetermined level; And 상기 전력증폭수단의 동작점 설정에 필요한 바이어스 전원을 상기 전력증폭수단에 제공하고, 상기 전력증폭수단에 제공되는 전류를 감지하여 상기 전류 값을 조절하는 바이어스 전원부를 포함하며, A bias power supply for providing a bias power source for setting an operating point of the power amplifying means to the power amplifying means and sensing a current provided to the power amplifying means to adjust the current value; 상기 바이어스 전원부는,The bias power supply unit, 소스 단자가 상기 전력증폭수단에 연결된 제 1 트랜지스터;A first transistor having a source terminal connected to the power amplifying means; 상기 제 1 트랜지스터의 게이트 단자에 게이트 단자가 연결되고, 구동 전원에 드레인 단자가 연결된 제 2 트랜지스터;A second transistor having a gate terminal connected to a gate terminal of the first transistor and a drain terminal connected to a driving power source; 상기 구동 전원에 드레인 단자와 게이트 단자가 연결되고, 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 단자에 소스 단자가 연결된 제 3 트랜지스터;A third transistor having a drain terminal and a gate terminal connected to the driving power supply, and a source terminal connected to the drain terminal of the first transistor; 상기 제 2 트랜지스터의 소스 단자에 흐르는 전류를 감지하는 전류 센싱부;A current sensing unit sensing a current flowing in the source terminal of the second transistor; 상기 전류 센싱부에 의해 센싱된 전류를 기준 전류와 비교하는 비교부; 및A comparison unit comparing the current sensed by the current sensing unit with a reference current; And 상기 비교부의 비교 결과에 따라 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전압을 조절하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 장치.And a control unit for adjusting the drain voltage of the first transistor according to a comparison result of the comparison unit. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 제어부는,The control unit, 상기 제 1 트랜지스터와 상기 제 2 트랜지스터의 게이트 단자에 제공되는 게이트 전압과 반비례하도록 상기 제 1 트랜지스터의 드레인 전압을 조절하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭 장치.And controlling the drain voltage of the first transistor to be inversely proportional to the gate voltage provided to the gate terminals of the first transistor and the second transistor.
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