KR101101277B1 - 집광형 태양광 발전모듈 제작방법 - Google Patents

집광형 태양광 발전모듈 제작방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 위에 III-V 화합물 태양전지를 성장시킴으로써 저가 및 대면적 생산을 실현할 수 있으며, 두께를 줄임으로써 휴대가 용이한 신개념의 태양전지를 형성하고, 형성된 태양전지간의 전극이 연결된 집광형 태양광 모듈을 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, (a) 실리콘 기판 위로 태양전지 구조체를 제작하는 공정; (b) 상기 실리콘 기판 저면을 연마하는 공정; (c) 양극과 음극으로 이루어진 전극을 플립칩 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판에 본딩하는 공정; (d) 상기 실리콘 기판을 렌즈 형태로 식각하는 공정; (e) 상기 (d) 공정을 통해 식각된 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지를 형성하는 공정; 및 (f) 상기 (a) 공정 내지 (e) 공정을 통해 다수개의 태양전지를 형성하여 각 태양전지간의 전극을 연결하되, n번째 태양전지의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작하는 공정; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

집광형 태양광 발전모듈 제작방법{METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC MODULE}
본 발명은 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 10 μm 이하의 두께를 갖는 실리콘 기판의 한쪽 면을 렌즈 형태로 하고 나노집광형 III-V 화합물 태양전지를 제작하며, 제작된 태양전지간의 전극이 연결된 집광형 태양광 모듈을 제작하는 방법에 관한 것이다.
현재 집광형 태양전지를 이용한 발전 시스템은, 적은 면적의 태양전지, 값 싼렌즈를 이용하므로, 설치하는데 드는 비용이 추적기에 달려있다. 집광형에 사용되는 추적기는 발전에 주요인이므로 그 정밀도가 일반 실리콘 태양전지에 사용되는 것 보다 훨씬 정밀(오차 <0.01o)해야 하며, 이러한 허용오차범위를 넓히기 위하여 2차 렌즈가 필요하다. 즉, 2차 렌즈가 필요함에 따라 모터의 정밀도에 대한 부담이 가중되어 소비전력이 커지는 문제점이 있었다.
한편, 실리콘 제작 및 렌즈 배열에 관련해서는, 사출에 의한 실리콘 프레넬 렌즈 제작기술, 실리콘 패턴 제작 기술, 고효율 태양전지 형성기술, 측면성장기술 등이 있다. 그러나, 상술한 바와 같이 실리콘 기판을 반구형태의 실리콘 렌즈 배열로 형성하고 그 위에 선택적으로 형성된 III-V 화합물 태양전지에 직접적으로 집광하는 형태에 대한 기술은 전무하다. 또한, 이러한 구조의 태양전지를 유연성 기판에 부착하여 유연성 있는 태양전지로 개발하는 기술 역시 전무하다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 실리콘 기판 위에 III-V 화합물 태양전지를 성장시킴으로써 저가 및 대면적 생산을 실현할 수 있으며, 두께를 줄임으로써 휴대가 용이한 신개념의 태양전지를 형성하고, 형성된 태양전지간의 전극이 연결된 집광형 태양광 모듈을 제공함에 그 목적이 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관한 것으로서, (a) 실리콘 기판 위로 태양전지 구조체를 제작하는 공정; (b) 상기 실리콘 기판 저면을 연마하는 공정; (c) 양극과 음극으로 이루어진 전극을 플립칩 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판에 본딩하는 공정; (d) 상기 실리콘 기판을 렌즈 형태로 식각하는 공정; (e) 상기 (d) 공정을 통해 식각된 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지를 형성하는 공정; 및 (f) 상기 (a) 공정 내지 (e) 공정을 통해 다수개의 태양전지를 형성하여 각 태양전지간의 전극을 연결하되, n번째 태양전지의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작하는 공정; 을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기와 같은 본 발명에 따르면, 집광에 유리한 전류증폭 효과를 얻을 수 있는 III-V 화합물 구조가 부착된 구조이므로 지금까지 구현하지 못한 신개념의 태양전지 및 광전소자를 제조할 수 있는 기반 소재로 사용될 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명에 따르면, 반구 또는 반 실린더 형태의 실리콘 렌즈에 의하여 2차 렌즈를 대신할 수 있으므로 모터의 정밀도에 대한 부담을 줄일 수 있으므로 소비전력을 감소시킬 수 있는 효과도 있다.
또한 본 발명에 따르면, 실리콘 위에 III-V 화합물 태양전지를 성장시킴으로써, 기존 갈륨비소(GaAs) 및 게르마늄(Ge)을 기판으로 썼을 때 보다 기판의 가격을 감소시킬 수 있으며, 대면적 생산이 가능한 효과도 있다.
그리고 본 발명에 따르면, 두께가 10um 이하로 유연성 있는 구조로 휴대용이 가능한 효과도 있다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관한 전체 흐름도.
도 2 는 본 발명의 일실시예에 따른 태양전지 구조체를 제작하는 공정에 관한 세부 흐름도.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 집광형 태양광 발전모듈(200)의 구조를 보여주는 도면.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판 위에 GaAs 성장시 시간에 따른 반응관의 성장온도절차 및 실험결과에 대한 SEM 사진도.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판위에 고품위 III-V 화합물 성장에 대한 (a) 측면성장 개략도 및 (b) SEM 사진도.
도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판위에 성장된 적층형 Inverted 태양전지 구조에 대한 개략도.
도 7 은 본 발명의 일실시예에 따른 유연성 기판 전극에 부착을 위한 전극용 패턴 및 플립칩 본딩 개략도.
도 8 은 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판을 렌즈 형태로 식각하는 공정에 관한 세부 흐름도.
도 9 는 본 발명의 일실시예에 따른 집광용 렌즈화 하기 위한 실리콘 기판의 반실린더 공정화 개략도 및 실리콘 기판의 렌즈화를 위한 반구형 형태의 공정 및 이 구조에 대한 설계 개략도.
본 발명의 구체적 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다. 이에 앞서 본 발명에 관련된 공지 기능 및 그 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.
본 발명의 주요 기술사상을 설명하기에 앞서, 본 발명을 구현하기 위한 기술을 간략히 설명하도록 한다.
1. 실리콘 렌즈 개발 : 반구 또는 반실린더로 되어 있는 어레이로 형성하되 그 제작 방법은 사출에 의한 경우와 식각공정에 의한 방법을 사용한다. 본 발명에서는 결정성 실리콘을 가지고 식각공정에 의한 방법으로 한다. 실리콘 기판의 두께는 사용 목적에 따른 집광배율과 빛의 투과율에 따라 설계되어진다.
2. 실리콘 기판위에 나노∼마이크로미터 스케일의 패턴 형성방법 : 실리콘위에 GaAs seed 층을 성장시키고 그 위에 SiO2를 증착한 다음 집광 태양전지가 성장할 부분만 개방되도록 패턴한다. 패턴은 경우에 따라 포토리소 (>1 μm)와 e-beam (< 1 μm) Litho. 로 진행하며 시간을 적게 하기 위해서는 레이저의 회절을 이용하는 홀로리소그라피 또는 Imprint 방식 등을 사용한다.
3. 선택 영역의 측면성장기술에 의한 고품위 III-V 화합물질층 성장 : 실리콘 위에 화합물 태양전지의 성장은 산화막 제거를 위한 열처리 조건, 갈륨비소 씨앗층의 성장조건, 최적 태양전지 구조 성장조건으로 이루어진다. 성장된 태양전지 구조는 실리콘 기판과 가까운 면이 에너지 밴드갭이 높은 구조로 형성된 텐덤형 태양전지이다.
4. 최적의 텐덤형 태양전지 구조의 개발 : AlGaAs/GaAs 이중접합 구조, InGaP/GaAs/Ge 구조 등을 주로 쓰며 태양전지 스펙트럼을 고려 3족(Al, Ga, In)과 5족(As, P)를 적절히 조절하여 구성함.
5. 플렉서블 기판위에 플립칩 본딩 기술개발 : 플립칩 본딩 형태로 유연성 있는 기판에 본딩하는 기술로 방열 리시버의 패턴 전극위로 부착되어진다. 유연성 기판은 영상 400도 이상의 고온과 영하 269도의 저온을 견디는 얇고 굴곡성이 뛰어난 첨단 고기능성 산업용 소재로 최근 통신기기와 IT기기의 소형화, 경량화에 따라 FPCB와 FCCL, 반도체 공정 소재, 절연재 등에 핵심소재로 쓰이고 있음. 이 유연성 기판위에 전극을 두 줄 모양(양,음극)으로 형성하고 이 위에 플립칩 본딩 방식으로 부착함.
6. 위의 열거한 기술 1∼5를 토대로 추적기의 기어변경 없이 고정된 채로 집광할 시간 및 집광배율, 셀의 크기에 따라 적절한 디자인을 갖고 설계되어 짐.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 일실시예에 따른 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 관하여 도 1 내지 도 9 를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 집광형 태양광 발전모듈(이하, '태양광 발전모듈')(200) 제작방법에 관한 전체 흐름도이다.
[제 1 공정] 실리콘 기판 위로 태양전지 구조체 제작(S100).
도 2 에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(10)을 HF로 2분 이상 표면을 에칭 세척한 후(S110), 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 800℃ 이상 고온에서 자연 산화막을 제거하고(S120), 400℃ 가량의 낮은 온도로 내린 후 갈륨비소(GaAs) 또는 갈륨인(GaP) seed 층(20)을 얇게 수십 nm 성장시킨 후(S130), 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 약 100nm SiO2 층(30)을 증착한다(S140).
이후, 포토 레지스트(Photo Resist: PR)를 이용하여 집광하고자 하는 부분만을 정렬(Photo mask align) 작업을 통해 패턴 노광하여 PR을 제거한 후, SiO2 층(30)을 선택적 에칭하고 acetone 또는 EKC830으로 PR을 제거하고 린스한다(S150). SiO2 층(30)으로 선택 패턴된 갈륨비소 GaAs seed/SiO2 위 영역에 적층형 태양전지 구조체(40)를 성장시킨다(S160).
여기서, 태양전지 구조체(40)는 적층형으로 이루어지며, 넓은 태양광 스펙트럼에 해당하는 빛을 흡수할 수 있도록 에너지 밴드 갭이 높은 물질을 실리콘 기판과 가까운 곳에 위치하는 Inverted 적층형 구조로 이루어진다.
적층형 태양전지 구조체(40)는 흡수하고자 하는 파장영역에 따라 단일접합(GaAs), 이중접합(AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs), 삼중접합(InGaP/GaAs/Ge), 다중접합 등으로 이루어질 수 있다. 태양전지 구조체(40)는 실리콘 면과 접합된 면을 n형으로 하고 성장된 윗면을 p-형으로 하는 구조로 되어 있으며, Flip-chip ready를 위하여 n형 오믹 전극이 놓일 부분은 n형 III-V 물질까지 에칭을 한다.
이 과정을 위한 공정순서는 전극간의 영향을 받지 않도록 passivation 층을 형성한 후 에칭을 통해 개방을 한 다음 e-beam evaporator를 통해 전극을 증착시킨다.
[제 2 공정] 실리콘 기판 연마(S200).
실리콘 기판(10) 저면을 150 um 이하의 두께가 되도록 연마한다.
전극 윗면과 Glass 사이에 wax를 넣어 가열/냉각하여 본딩한 후, 약 250㎛ 두께의 실리콘 기판(10)(Si wafer)을 연마(Lapping 및 Polishing)하여 약 150㎛ 두께로 가공한다.
여기서, Lapping 공정은 200 mesh slurry를 사용하여 약 130 ㎛ 두께를 제거하였으며, Polishing 공정은 Br과 메탄올을 사용하여 7 ㎛/분의 식각 속도를 가지고 약 3분간 가공하여 약 20 ㎛ 두께를 제거하여 Mirror 면을 형성시킨다.
도 3 은 본 발명의 일실시예에 따른 집광형 태양광 발전모듈(200)의 구조를 보여주는 도면으로서, 도시된 바와 같이 실리콘 집광렌즈 형태는 윗면이 반구 또는 반실린더 형태로 되어 있고, 태양전지 구조체는 관련 빛의 흡수에 유리하도록 유효 초점거리의 집광지점에 줄 형태로 성장되어 있다. 성장된 태양전지 구조체는 유연성 기판에 플립칩 본딩으로 부착되어 있다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판 위에 GaAs 성장시 시간에 따른 반응관의 성장온도절차 및 실험결과에 대한 SEM 사진도이다.
실리콘 기판은 공기 중에 노출 시 SiO2 자연산화막이 생성되므로, 유기 금속 화학 증착법(MOCVD) 반응관에 넣기 전 표면에칭 처리를 한다. 표면처리 용액은 HF 및 H2O2, H2O 를 사용하여 실시하였으며, 표면 처리된 후 조속히 MOCVD 반응관에 넣고 시간에 따른 성장변화를 실시하였다.
도 4 의 (a) 는 고품위 III-V화합물 버퍼층 성장을 위한 시간별 성장온도 변화를 나타낸 그래프이며, 높은 온도에서 열처리로 다시 자연 산화막을 처리하고 갈륨비소 씨앗층을 성장시키기 위하여 낮은 온도에서 실시, 다시 고품위 버퍼층 성장 및 결함이 많은 씨앗층의 열처리를 위하여 온도를 올린 후 적정온도에서 화합물을 성장시킨다.
도 4 의 (b) 는 Scanning Electron Microscope(SEM) 사진으로 갈륨비소(GaAs) 씨앗형성을 위한 MO 소스 및 Hydride Gas의 유량 변화에 대한 갈륨비소 버퍼층의 형성변화를 보여준다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판위에 고품위 III-V 화합물 성장에 대한 (a) 측면성장 개략도 및 (b) SEM 사진도이다.
실리콘 기판과 갈륨비소의 격자 불일치는 약 4% 가량 차이가 나므로 이러한 불일치는 성장하는 방향으로의 불일치를 가져온다. 따라서, 부분적으로 패턴을 하여 기판과 붙어있지 않은 측면을 이용하여 측면방향으로의 불일치 없이 성장을 하게 함으로써, 좀 더 양질의 갈륨비소를 얻을 수 있으며, 이 측면성장을 위한 개방면은 집광을 받는 셀의 면적으로 고려된다.
도 6 은 본 발명의 일실시예에 따른 실리콘 기판위에 성장된 적층형 Inverted 태양전지 구조에 대한 개략도이다. 일반적인 태양전지의 구조는 기판과 반대방향이 수광부과 되므로, 에너지 밴드 갭이 수광부와 가까울 수록 높고 기판과 가까운 면일 수록 낮다. 그러나, 본 발명에서는 기판과 반대방향을 리시버쪽에 붙이고 실리콘기판 부착쪽의 III-V 화합물 쪽이 수광부 이므로 실리콘 기판과 가까운 층일 수록 에너지 밴드 갭이 높은 구조로 되어 있다.
[제 3 공정] 전극을 유연성 기판에 플립칩 본딩(S300).
양극과 음극으로 이루어진 전극(50)을 플립칩(Flip-chip) 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판(60)에 접촉시킨다.
구체적으로, 태양전지 구조체(40)의 하면 즉, 유연성 기판(60) 위의 전극을 접합할 자리에 Au-Sn solder 층(70)을 올리고, Au-Sn solder 층(70)에 양극과 음극으로 이루어진 전극(50)을 플립칩(Flip-chip) 본딩한다.
도 7 은 본 발명의 일실시예에 따른 유연성 기판 전극에 부착을 위한 전극용 패턴 및 플립칩 본딩 개략도이다. 본 발명에서는 태양전지의 수광부가 실리콘과 부착되어 있으므로, 전극을 붙일 수 없다. 따라서, 반대쪽 면에 양극과 음극의 전극을 모두 연결시키는 전극 형태를 이루게 된다. 유연성 기판에 플립칩 본딩 방법으로 부착된 전극 형태를 보여준다.
[제 4 공정] 실리콘 기판을 렌즈 형태로 식각(S400).
도 8 에 도시된 바와 같이, wax 등을 이용하여 태양전지 구조체(40)를 유연성 기판(60)에 결합부착하고(S410), 태양전지 구조체(40)가 부착된 실리콘 기판(10) 면을 Dry 및 wet 에칭을 이용하여 실리콘 렌즈 형태로 식각함으로써 하나의 태양전지(100)를 형성한다(S420).
실리콘 렌즈를 형성하는 방법에는 Resist Flow 방식, Direct Writing 기술 등 이 있다. Resist Flow방식은 실린더 형태의 포토 레지스트(Photo Resist)를 용해온도 이상 열을 가하면 끝부분이 잘라지는 이방성의 형태를 갖게 되는 성질을 이용하여 에칭조건을 통해 마이크로 렌즈를 형성하는 기술이고, Direct Writing 기술은 컴퓨터 조정에 의하여 빔 또는 전자를 주사하여 공정하는 기술이다.
Dry etching에 사용되는 가스는 주로 SF6(Etching 용)와 C4F8(passivation 용)을 사용하고 Wet etching 용액에 주로 사용되는 용액은 에칭률을 고려하여 KOH : IPA: D.I. 용액을 적당히 섞어서 사용한다.
이때 형성된 실리콘 렌즈는 앞면의 III-V 화합물 태양전지 폭 대비 배율을 고려하여 직경이 ∼10um 이하인 반구 또는 반실린더 형태로 제작한다. 형성된 렌즈는 볼록렌즈로 초점거리(f)는 다음의 [수학식 1] 과 같다.
[수학식 1]
f = R/(n-1)
여기서, R과 n은 반구 또는 반실린더의 반지름과 실리콘의 굴절율을 각각 나타낸다. 또한, 정사각형 모양 셀의 변 길이(S)와 렌즈의 반지름(R) 사이의 관계는 렌즈 손실이 0 % 라는 가정 하에 배율 M에 대하여 다음의 [수학식 2] 와 같다.
[수학식 2]
Figure 112010069561125-pat00001
Figure 112010069561125-pat00002

실리콘의 굴절율은 빛 에너지가 ∼ 2 eV일 경우, 3.3 ∼ 4 정도 되므로 편의상 3.8 이라고 하고, 배율(M)을 300이라고 하면 렌즈의 반경과 초점거리, 셀의 변 길이의 관계는 아래의 [표 1] 과 같다.
S(um) 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.70 0.80 0.90 1.00
R(um) 1.22 2.45 3.67 4.90 6.12 7.35 8.57 9.80 11.02 12.25
f(um) 0.44 0.87 1.31 1.75 2.19 2.62 3.06 3.50 3.94 4.37
따라서, 실리콘에서 반구 또는 반실린더 렌즈 형태를 갖는 부분 외에 나머지 부분에 대한 실리콘의 두께를 f 길이로 제작하면 III-V 태양전지의 중심으로 빛이 모이게 된다. 이때, 집광을 위한 배율과 집광태양전지의 폭의 크기를 선택함에 따라 렌즈의 디자인은 설계되어지며, 경우에 따라, 마이크로, 나노 태양전지로 접근할 수 있다.
도 9 는 본 발명의 일실시예에 따른 집광용 렌즈화 하기 위한 실리콘 기판의 반실린더 공정화 개략도 및 실리콘 기판의 렌즈화를 위한 반구형 형태의 공정 및 이 구조에 대한 설계 개략도를 보여주고 있다.
이는 집광할 셀의 크기 및 초점간격, 집광배율과 관련이 있다.
도 9 의 (1) 은 wet etching 방법으로 실리콘에 SiNx mask를 형성하고 렌즈에 해당하는 면을 개방하여 KOH 용액으로 선택적 에칭에 의하여 수행된다. 또한, 도 9 의 (2) 는 Dry etching 공정으로 Photoresist를 실린더 형태로 형성한 후 열처리에 의하여 도 9 의 (1)-(a) 와 같은 형태로 형성하며, 그런 다음 에칭 가스 SF6, C4F8 등으로 에칭 처리한다.
도 9 의 (3) 은 Direct-writing 기술로 직접적으로 focused electron 이나 레이저 빔, 또는 atomic force microscope를 이용하여 국소환경변화를 통한 비등방성 산화막을 형성한 후 이를 Dry etching 하는 방법이다.
[제 5 공정] 실리콘 렌즈에 AR 코팅층 증착(S500).
빛이 잘 통과하도록 태양전지(100)의 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지(100)를 형성한다. 빛이 실리콘으로 입사할 때 반사되지 않도록 Anti Reflection(AR) 코팅층을 증착한다. 이때, 공정 시 온도에 의한 영향을 줄이고 밀도를 높이기 위해서 스퍼터 방식을 이용하며, 태양광 스펙트럼영역에 대한 빛을 흡수하는 것을 고려하여 다층박막을 사용한다.
[제 6 공정] 전극 연결하여 태양광 발전모듈 제작(S600).
상기 제 1 공정(S100) 내지 제 5 공정(S500)을 통해 다수개의 태양전지(100)를 형성하여 각 태양전지(100)간의 전극을 연결한다. 이때, n번째 태양전지(100)의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작한다.
지금까지 상술한 바와 같은 태양전지는, 저가의 실리콘 기판 위에 III-V 화합물 반도체를 성장하는 기술을 기반으로 하되, III-V 집광셀과 실리콘 렌즈를 결합한 구조로서, 저가 및 고효율이 가능하며 실리콘과 화합물이 결합된 총 두께가 10um 이하인 유연성을 갖는 태양전지이다.
결합한 구조로 집광가능을 개방층으로 하는 패턴에 의하여 고품질을 얻기 위하여 측면 성장된 화합물 태양전지를 형성함으로써 집광렌즈 기판 및 고효율 태양전지, 유연성 기판을 결합 시키는 원천기술이다.
이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것이 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대해 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
100: 태양전지 200: 태양광 발전모듈
10: 실리콘 기판 20: seed 층
30: SiO2 층 40: 태양전지 구조체
50: 전극 60: 유연성 기판
70: Au-Sn solder 층

Claims (6)

  1. 집광형 태양광 발전모듈 제작방법에 있어서,
    (a) 실리콘 기판(10) 위로 태양전지 구조체를 제작하는 공정;
    (b) 상기 실리콘 기판(10) 저면을 연마하는 공정;
    (c) 양극과 음극으로 이루어진 전극(50)을 플립칩 본딩 방식을 이용하여 유연성 기판에 본딩하는 공정;
    (d) 상기 실리콘 기판(10)을 렌즈 형태로 식각하는 공정;
    (e) 상기 (d) 공정을 통해 식각된 실리콘 렌즈에 AR 코팅층을 증착함으로써 태양전지(100)를 형성하는 공정; 및
    (f) 상기 (a) 공정 내지 (e) 공정을 통해 다수개의 태양전지(100)를 형성하여 각 태양전지(100)간의 전극을 연결하되,
    n번째 태양전지(100)의 전극은, n-1번째 태양전지의 전극 및 n+1번째 태양전지의 전극과 병렬 또는 직렬로 연결함으로써 태양광 발전모듈을 제작하는 공정; 을 포함하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 (a) 공정은,
    (a-1) 실리콘 기판(10)을 HF로 2분 이상 표면을 에칭 세척하는 단계;
    (a-2) 유기 금속 화학 증착법(MOCVD)을 이용하여 소정 온도에서 자연 산화막을 제거하는 단계;
    (a-3) 갈륨비소(GaAs) 또는 갈륨인(GaP) seed 층(20)을 수십 nm 성장시키는 단계;
    (a-4) 스퍼터(sputter) 장비를 이용하여 소정 두께의 SiO2 층(30)을 증착하는 단계;
    (a-5) 포토 레지스트(Photo Resist: PR)를 이용하여 집광하고자 하는 부분만을 정렬(Photo mask align) 작업을 통해 패턴 노광하여 PR을 제거한 후, SiO2 층(30)을 선택적 에칭하고 acetone 또는 EKC830으로 PR을 제거하고 린스하는 단계; 및
    (a-6) 상기 SiO2 층(30)으로 선택 패턴된 갈륨비소 GaAs seed/SiO2 위 영역에 적층형 태양전지 구조체(40)를 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 (a-6) 단계에서,
    Flip-chip ready를 위하여 n형 오믹 전극이 놓일 부분은, 전극간의 영향을 받지 않도록 passivation 층을 형성한 후 에칭을 통해 개방을 한 다음 e-beam evaporator를 통해 전극을 증착시키는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 (c) 공정은,
    상기 유연성 기판(60) 위의 전극을 접합할 자리에 Au-Sn solder 층(70)을 올리고, Au-Sn solder 층(70)에 전극(50)을 플립칩(Flip-chip) 본딩하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d-1) 상기 태양전지 구조체(40)를 유연성 기판(60)에 결합부착하는 단계; 및
    (d-2) 상기 태양전지 구조체(40)가 부착된 실리콘 기판(10) 면을 Dry 및 wet 에칭을 이용하여 실리콘 렌즈 형태로 식각함으로써 하나의 태양전지(100)를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 태양전지(100)는,
    Inverted 적층형 구조인 것을 특징으로 하는 집광형 태양광 발전모듈 제작방법.
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