KR101100645B1 - 화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법 - Google Patents

화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법 Download PDF

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Abstract

질화갈륨계 화합물을 이용한 발광소자의 박막 형성 공정에 있어서 공정효율을 향상시킬 수 있고 박막품질을 향상시킬 수 있는 화학기상증착장치가 필요하다. 이러한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 버퍼챔버와, 버퍼챔버에 결합되고 기판이 적재된 서셉터가 반입되면 주(主)박막을 형성하는 공정이 수행되는 복수개의 반응챔버와, 미처리 기판이 서셉터에 적재되기 전에 서셉터에 임시박막을 형성하도록 마련된 서셉터코팅챔버 및 반응챔버와 버퍼챔버 상호간, 반응챔버와 서셉터코팅챔버 상호간에 서셉터를 반출 또는 반입하는 이송장치를 포함한다.

Description

화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법{APPARATUS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD USING THE SAME}
본 발명은 화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 질화갈륨계 화합물을 이용한 발광소자의 박막 형성 공정에 있어서 공정시간을 단축할 수 있는 화학기상증착장치 및 이를 이용한 화학기상증착방법에 관한 것이다.
화학기상증착장치는 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 증착하기 위하여 사용되고 있다. 챔버 내부에 공정가스를 가스공급부를 통하여 불어 넣어서 서셉터에 놓인 웨이퍼에 원하는 막질을 증착시키게 된다.
박막의 증착에 있어서 적절한 내부온도는 박막의 품질에 큰 영향을 미치므로 매우 중요하다. 특히 유기금속 화학기상장치(MOCVD)의 경우 온도제어가 효과적으로 이루어져야 고효율의 발광소자를 얻을 수 있다.
LED(Light Emitting Diode)의 경우, 질화갈륨계 화합물을 이용한 발광소자가 많이 사용되고 있다.
질화갈륨계 화합물을 이용한 발광소자의 박막 구조는 사파이어와 같은 기판 상에 GaN 결정으로 이루어지는 버퍼층과, n형 GaN 결정으로 이루어지는 n형 도핑층과, InGaN으로 이루어지는 활성층과, p형 GaN으로 형성되는 p형 도핑층이 순차적으로 적층된 구조가 적용될 수 있다.
종래기술의 경우, 그러한 적층된 구조를 하나의 챔버에서 모두 수행되도록 하는 방식을 적용하고 있다. 그런데, 이와 같은 방식에 의하면 오히려 공정에 소요되는 시간이 증가한다는 문제가 있다.
왜냐하면, 공정단계마다 요구되는 온도가 상이하기 때문에 요구되는 온도로 승온 또는 감온하는 동안 공정을 중단하고 대기하여야 하는 경우가 있기 때문이다.
또한, 어느 하나의 공정이 완료된 후에는 챔버 내부를 세정해야 하는 경우가 있는데, 이러한 세정작업이 진행되는 동안 다시 공정을 중단하여야 하기 때문이다.
질화갈륨계 화합물을 이용한 발광소자의 박막 형성 공정에 있어서 공정효율을 향상시킬 수 있고 고품질의 박막을 형성하는 화학기상증착장치 및 화학기상증착방법이 필요하다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자가 명확하게 이해할 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착장치는, 버퍼챔버; 상기 버퍼챔버에 결합되고, 기판이 적재된 서셉터가 반입되면 주(主)박막을 형성하는 공정이 수행되는 복수개의 반응챔버; 미처리 기판이 서셉터에 적재되기 전에 서셉터에 임시박막을 형성하도록 마련된 서셉터코팅챔버; 및 상기 반응챔버와 상기 버퍼챔버 상호간, 상기 반응챔버와 상기 서셉터코팅챔버 상호간에 상기 서셉터를 반출 또는 반입하는 이송장치;를 포함한다.
또한, 상기 주박막 또는 임시박막은 질화갈륨계 박막일 수 있다.
또한, 상기 주박막 형성 이후에 상기 버퍼챔버 및 반응챔버에서 반출된 서셉터를 가열하여 상기 주박막 및 임시박막을 제거하도록 마련된 서셉터베이킹챔버를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 버퍼챔버는 상기 반응챔버에서 반출되는 기판에 대한 급격한 온 도변화를 완충하도록 소정 온도로 가열되도록 히터를 포함할 수 있다.
또한, 상기 이송장치는 상기 서셉터가 적재되는 복수의 파레트; 상기 버퍼챔버 내측에 마련되며 상기 파레트를 상기 반응챔버와 상기 버퍼챔버 상호간에 반출 또는 반입시킬 수 있도록 상기 파레트를 슬라이딩시키는 롤러부; 및 상기 버퍼챔버 외측에 설치되며 상기 버퍼챔버에 마련된 개구부로 진입하여 상기 서셉터를 상기 파레트 상호간에 이송하는 로봇암;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 이송장치는 상기 서셉터가 적재되는 복수의 파레트; 상기 파레트를 상기 반응챔버와 상기 버퍼챔버 상호간에 반출 또는 반입시키는 액추에이터; 및 상기 버퍼챔버 외측에 설치되며 상기 버퍼챔버에 마련된 개구부로 진입하여 상기 서셉터를 파레트 상호간에 이송하는 로봇암;을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 화학기상증착방법은, (a) 서셉터를 서셉터코팅챔버에 반입하여 상기 서셉터에 임시박막을 형성하는 단계; (b) 상기 임시박막이 형성된 서셉터를 상기 서셉터코팅챔버에서 반출하여 기판을 적재하는 단계; 및 (c) 상기 기판이 적재된 서셉터를 반응챔버에 반입하여 주박막을 형성하는 공정을 수행하는 단계;를 포함한다.
또한, 상기 주박막이 형성된 서셉터를 반출하고 상기 기판을 언로딩(unloading)하는 단계; 및 상기 서셉터를 서셉터베이킹챔버로 반입하여 상기 주박막 및 임시박막을 제거하도록 가열하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 주박막을 형성하는 공정은 버퍼챔버에 결합된 N개(N은 1 보다 큰 자연수)의 반응챔버에서 수행되며, 상기 주박막을 형성하는 공정은 M개(M은 1보다 크고 N보다 같거나 작은 자연수)의 공정으로 분리될 수 있다.
또한, 상기 (c) 단계는 버퍼챔버에 반입된 서셉터를 제n반응챔버(n은 1과 같거나 크고 N보다 작은 자연수)에 반입하여 제m공정(m은 1과 같거나 크고 M보다 작은 자연수)을 수행하는 단계; 및 상기 제m공정이 완료된 후에 상기 서셉터를 상기 버퍼챔버를 거쳐서 제n+1반응챔버에 반입하여 제m+1공정을 수행하는 단계;를 포함할 수 있다.
서셉터코팅챔버와 서셉터베이킹챔버를 별도로 구성함에 따라, 성막공정과 준비공정을 동시에 진행할 수 있고, 이에 따라 준비공정에 소요되는 시간이 절감되어 공정효율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 반응챔버를 복수개로 마련함에 따라 공정효율이 증대된다. 즉, 예를 들어, 질화갈륨계 화합물 반도체를 제작할 경우, 각각의 공정마다 요구되는 온도가 다른 경우가 있고 그러한 요구온도로 기설정된 별도의 반응챔버로 기판을 이송하여 바로 다음 공정이 수행될 수 있기 때문에 공정시간이 단축될 수 있다.
또한, 버퍼챔버는 급격한 온도변화에 의한 박막품질 저하를 방지하도록 마련된다. 즉, 어느 하나의 반응챔버에서 공정이 완료된 기판이 반출될 때 반응챔버 내부의 온도와 외부의 온도 차이가 크면 박막에 악영향을 미치기 때문에 버퍼챔버는 완충공간으로 작용할 수 있다. 또한, 버퍼챔버 내부를 미리 설정된 온도로 가열한 상태에서 기판이 반입될 수 있으므로 다음 단계의 반응챔버로 기판이 반입되어 기 판을 가열하는 시간이 절약되어 결과적으로 공정효율이 향상되는 효과가 있다.
또한, 어느 하나의 공정이 완료된 후에는 챔버 내부를 세정해야하는 경우가 있으며, 챔버 내부를 세정하는 동안에도 바로 다음 공정이 수행될 수 있는 다른 반응챔버로 기판을 이송하여 중단 없이 다음 공정이 수행되므로 공정시간이 단축될 수 있다.
또한, 다음 공정이 진행되는 반응챔버로 기판이 이송되면 새로운 기판을 기존의 반응챔버로 반입하여 공정을 병행할 수 있으므로 단위시간당 생산물량이 증가될 수 있다.
본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 평면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 제1실시예에 따른 화학기상증착장치는 반응챔버(100), 버퍼챔버(200), 이송장치, 가스공급부(400), 전원부(500), 제어부(600)를 포함한다.
이송장치는 기판공급 및 배출장치(310), 제1픽업장치(320), 제1액추에이터(331), 제2액추에이터(332), 제3액추에이터(333), 제4액추에이터(334), 제1로봇암(340), 제1파레트(350a), 제2파레트(350b), 제3파레트(350c), 제4파레트(350d) 및 제2픽업장치(370)를 포함할 수 있다. 상기 이송장치는 이하에서 설명하는 실시예에 한정되지 않고 복수의 반응챔버와 버퍼챔버 내측으로 기판을 반출입시킬 수 있도록 다양한 변형이 가능하다.
기판공급 및 배출장치(310)는 기판(W)을 작업장으로 공급하거나 완성된 기판을 작업장 외부로 배출하는 수단으로서 컨베이어, 운반로봇, 픽업로봇 또는 리니어 액추에이터 등으로 마련될 수 있다.
제1픽업장치(320)는 기판(W)을 서셉터(S) 상면에 적재하는 수단으로서 운반로봇 또는 픽업로봇 등으로 마련될 수 있다.
다른 실시예로서, 기판을 서셉터에 적재하지 않고 기판을 직접 다음 공정으로 이송하는 실시예도 가능하다. 그러한 실시예의 경우에는 제1픽업장치는 기판을 바로 파레트로 이송할 수 있다.
기판은 하나의 웨이퍼일 수 있고, 또는 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 안착되며 서셉터에서 분리 가능한 위성 서셉터(satellite susceptor)일 수도 있다.
제1액추에이터(331), 제2액추에이터(332), 제3액추에이터(333), 제4액추에이 터(334)는 파레트를 각각의 반응챔버 또는 버퍼챔버 내부로 반출입시킬 수 있다.
다른 실시예로서, 액추에이터를 측방향으로 슬라이딩시키는 슬라이딩구동부를 사용하여 액추에이터 한 개만으로 파레트를 각각의 반응챔버 또는 버퍼챔버 내부로 반출입시킬 수도 있다.
파레트는 기판 또는 서셉터를 적재할 수 있는 판부재와 같은 것으로서 각각의 반응챔버 또는 버퍼챔버 내부로 반출입될 수 있다.
제1로봇암(340)은 서셉터를 파지하여 버퍼챔버 내측으로 진입하고, 제1파레트(350a) 상면에 서셉터를 내려놓게 된다.
이러한 경우에 제1파레트(350a) 하부에는 상하로 승강할 수 있는 리프트 핀이 마련될 수 있고 상승된 상태의 리프트 핀 상단에 제1로봇암(340)이 서셉터를 내려놓고 빠져나가면 리프트 핀이 하강하여 서셉터를 제1파레트(350a)에 내려놓을 수 있다.
제1로봇암(340)은 버퍼챔버 게이트(214a)가 개방되면 버퍼챔버 게이트 밸브(213a)를 통과하여 버퍼챔버(200)로 진입할 수 있으며, 제1파레트(350a)에 놓인 서셉터를 제2파레트(350b), 제3파레트(350c) 또는 제4파레트(350d)로 이송시킬 수 있다.
반응챔버(100)는 다시 제1반응챔버(110), 제2반응챔버(120), 제3반응챔버(130), 제4반응챔버(140)를 포함한다.
이렇게 반응챔버를 복수개로 마련하는 이유는 여러 단계의 복잡한 공정이 요구되는 제품을 제작하는 경우에 공정효율을 증대하기 위함이다. 즉, 예를 들어, 질 화갈륨계 화합물 반도체를 제작할 경우, 각각의 공정마다 요구되는 온도가 다른 경우가 있고 그러한 요구온도로 기설정된 별도의 반응챔버로 기판을 이송하여 바로 다음 공정이 수행될 수 있기 때문에 공정시간이 단축될 수 있다.
또한, 어느 하나의 공정이 완료된 후에는 챔버 내부를 세정해야하는 경우가 있으며, 챔버 내부를 세정하는 동안에도 바로 다음 공정이 수행될 수 있는 다른 반응챔버로 기판을 이송하여 중단없이 다음 공정이 수행되므로 공정시간이 단축될 수 있다.
또한, 다음 공정이 진행되는 반응챔버로 기판이 이송되면 새로운 기판을 기존의 반응챔버로 반입하여 공정을 병행할 수 있으므로 단위시간당 생산물량이 증가될 수 있다.
이하에서는 질화갈륨계 화합물 반도체를 제작하는 경우를 바탕으로 실시예를 설명한다.
제1반응챔버(110)에서는, 기판을 사전 열처리하는 공정이 진행될 수 있다. 가스공급장치(400)에 의하여 내측이 수소 분위기가 되도록 할 수 있다. 또는 수소 및 질소의 혼합가스 분위기에서 진행될 수도 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 가열하여 열처리할 수 있다. 이때의 온도는 예를 들어, 1000~1200도로 설정할 수 있다. 이러한 열처리 공정에 의하여 기판상의 산화막과 같은 이물질층을 제거할 수 있다.
또한, 제2반응챔버(120)에서는, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. 가스공급장치(400)에 의하여 내측이 수소 가스 분위기가 되도록 할 수 있다. 또한, 트리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium)과 암모니아 가스가 투입되도록 할 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를, 예를 들어 450도 ~ 600도로 가열할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 열처리된 기판 상면에 GaN 버퍼층을 성장시킬 수 있다.
또한, 제2반응챔버(120)에서는 GaN 버퍼층을 성장시킨 다음에 다시 undoped-GaN층을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. GaN 버퍼층 성장이 완료되면 다음으로 반응챔버 내부를 가열시켜 기판의 온도가 섭씨 1000도 ~ 1100도, 보다 구체적으로는 섭씨 1030도 ~ 1080도가 되도록 한다. 이에 따라 버퍼층 상에는 undoped-GaN층이 성장할 수 있다. 이와 같이 사파이어와 같은 기판 상에 버퍼층과 undoped-GaN층을 성장시키는 공정은 사파이어 기판 상에서의 GaN 박막의 전기적, 결정학적 성장 효율을 향상시키는 기능을 한다.
또한, 제2반응챔버(120)에서는 undoped-GaN층 상면에 n-type GaN층(Si 또는 Ge 도핑)을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다.
가스공급장치(400)에 의하여 내측이 수소 가스 분위기가 되도록 할 수 있으며, 트리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium)과 암모니아 가스를 투입하고, 여기에 더하여 SiH4 또는 GeH4를 추가로 투입하여 Si 또는 Ge을 도핑할 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 약 1000~1200도로 가열할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 GaN층 상면에 n-type GaN층(Si 또는 Ge 도핑)을 성장시킬 수 있다.
제3반응챔버(130)에서는, 활성층을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. 가스공급장치(400)에 의하여 내측이 질소(N2) 가스 분위기가 되도록 할 수 있으며, 트 리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium), 트리메틸인듐(TMI:trimethyl- indium) 및 암모니아 가스를 투입할 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 약 700도 내지 900도로 가변조절할 수 있다. 활성층은 단일 양자 우물(single quantum well: SQW)구조 또는 복수개의 양자 우물층을 갖는 다중양자우물(muti quantum well: MQW)구조일 수 있다.
만일, 다중 양자우물구조를 형성하는 경우 인듐(In)과 갈륨(Ga)의 함량이 서로 다른 장벽층(barrier layer)과 양자 우물층(quantum well layer)을 교번하여 형성할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 n-type GaN층(Si 또는 Ge 도핑) 상면에 활성층을 성장시킬 수 있다.
제4반응챔버(140)에서는, p-type GaN층(Mg 도핑)을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. 가스공급장치(400)에 의하여 수소 가스 분위기가 되도록 할 수 있으며, 트리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium), Cp2Mg(bis-clopentadienyl-magnesium), 암모니아 가스를 투입할 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 약 900~1200도로 가변조절할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 p-type GaN층(Mg 도핑)을 성장시킬 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 제4반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정이 추가로 수행될 수도 있다. 이 경우, 가스공급장치는 AlGaN층을 형성하는데 필요한 수소, Ⅲ족 가스(TMA:trimethylaluminium), Ⅴ족 가스를 공급하도록 마련될 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 제4반응챔버에서 어닐링(annealing) 공정이 진행될 수도 있다. 예를 들어 섭씨 600~900도를 유지하여 이전 공정에서 성장시킨 박막을 어닐링할 수 있다.
다른 실시예로서, 어닐링(annealing) 공정 이후에 쿨링(cooling) 공정이 수행되거나 어닐링(annealing) 공정 없이 쿨링(cooling) 공정만 수행될 수도 있다.
다른 실시예로서, 어닐링(annealing) 공정이 아니라 저에너지 전자빔을 조사(low energy electron beam irradiation treatment)하도록 마련될 수도 있다.
다른 실시예로서, 어닐링 공정을 버퍼챔버에서 진행되도록 할 수도 있다.
버퍼챔버(200)는 급격한 온도변화에 의한 박막품질 저하를 방지하도록 마련된다. 즉, 어느 하나의 반응챔버에서 공정이 완료된 기판이 반출될 때 반응챔버 내부의 온도와 외부의 온도 차이가 크면 박막에 악영향을 미치기 때문에 버퍼챔버는 완충공간으로 작용할 수 있다. 따라서, 어느 하나의 반응챔버에서 기판을 외부로 직접 반출하는 것이 아니라 버퍼챔버를 거쳐서 다른 반응챔버로 반입하도록 할 수 있다. 또한, 버퍼챔버 내부를 미리 설정된 온도로 가열한 상태에서 기판이 반입될 수 있으므로 다음 단계의 반응챔버로 기판이 반입되어 기판을 가열하는 시간이 절약되어 결과적으로 공정효율이 향상되는 효과가 있다.
제1반응챔버(110)에서 기판이 반출되기 전에 미리 버퍼챔버(200)의 온도를 제1반응챔버(110)에서의 마지막 공정시의 온도와 동일한 온도로 조절할 수 있다.
또한, 제1반응챔버(110) 내부로 기판을 반입하여 사전 열처리공정을 진행하기 전에 미리 버퍼챔버(200)에서 소정 온도로 가열할 수 있다.
이에 따라, 제1반응챔버(110)에서 필요온도로 가열하는 시간을 감소시킬 수 있다.
버퍼챔버(200) 내부는 수소(H2)공급장치(410)와 질소(N2)공급장치(420)에 의하여 수소 분위기 또는 질소 분위기로 설정될 수 있다.
우선, 미처리된 기판(W)(예를 들어 사파이어 기판)이 버퍼챔버(200) 내부로 반입될 수 있다. 이 때, 버퍼챔버(200)는 소정의 온도(예를 들어 약 700도)를 유지하도록 마련될 수 있다.
다른 실시예에 의하면, 기판만을 파레트에 적재하여 반응챔버 내측에 반입할 수도 있다.
다른 실시예에 의하면, 복수개의 기판을 적재하는 위성서셉터가 파레트에 적재되고, 반응챔버 내측에 마련된 서셉터에 상기 위성서셉터가 적재되도록 할 수도 있다.
서셉터코팅챔버(160)에서는 미사용된(또는 성막공정이 수행되기 이전) 서셉터에 대하여 표면에 500~1200도 정도에서 임시박막을 성장시키는 공정이 수행될 수 있다. 임시박막의 성분은 GaN층일 수 있다. 이렇게 코팅공정을 수행하는 이유는 서셉터 표면이 평탄화될 수 있고, 주박막의 성분과 유사한 성분의 층이 형성되어 있는 경우에는 챔버 내부의 성막 분위기가 좋아져서 주박막의 품질이 향상되는 효과가 있기 때문이다.
따라서, 미사용된 서셉터에 대하여 서셉터코팅챔버(160)에서 임시박막을 코팅하는 공정이 진행된 다음, 기판을 적재하여 버퍼챔버 및 각각의 반응챔버에 반입하여 주박막을 성장시키는 공정이 진행된다.
서셉터베이킹챔버(150)에서는 사용된(또는 성막공정이 수행된) 서셉터에 대 하여 소정 온도로 가열을 하는 공정이 수행된다. 이렇게 가열을 하는 이유는 서셉터 표면에 쌓인 주박막, 임시박막 또는 기타 이물질을 제거하기 위함이다. 대략 1200도로 가열하는 경우에 GaN 성분은 기화되어 제거될 수 있고, TMA의 알루미늄 성분을 제거하기도 용이하게 된다.
다른 실시예로서, 서셉터코팅챔버와 서셉터베이킹챔버의 기능을 서로 전환시킬 수도 있으며, 각각의 챔버는 서셉터를 단순히 적재하여 보관하는 기능으로 사용할 수도 있다.
성막공정을 수행하기 전에 준비공정으로서 서셉터코팅공정이 필요하고, 성막공정을 수행한 이후에 준비공정으로서 서셉터베이킹공정이 필요하다. 서셉터코팅챔버와 서셉터베이킹챔버를 별도로 구성함에 따라, 성막공정과 준비공정을 동시에 진행할 수 있고, 이에 따라 준비공정에 소요되는 시간이 절감되어 공정효율이 향상되는 효과가 있다.
가스공급장치(400)는 수소(H2)공급장치(410), 질소(N2)공급장치(420), 암모니아(NH3)공급장치(430), SiH4공급장치(440), 트리메틸갈륨(TMG)공급장치(450), 트리메틸인듐(TMI)공급장치(460), Cp2Mg공급장치(470) 등을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 가스공급장치(400)가 하나의 통합 유닛으로 마련된 실시예를 도시하고 있다. 즉, 각각의 반응챔버마다 별도의 가스공급장치가 마련되는 것이 아니라 각각의 가스 소스는 한 곳에 두고 이 가스 소스에서 각각의 반응챔버에서 필요로 하는 용량 만큼 공급하는 방식으로 마련될 수 있다.
다른 실시예로서, 암모니아(NH3)공급장치가 아니라 암모니아(NH3) 이외에 다 른 Ⅴ족가스를 공급하는 장치가 포함된 실시예도 가능하다.
다른 실시예로서, SiH4공급장치(440)가 아니라 SiH4 이외에 다른 n-도핑가스(예를 들어, Ge, Sn 등)를 공급하는 장치가 포함된 실시예도 가능하다.
다른 실시예로서, 트리메틸갈륨(TMG)공급장치가 아니라 트리메틸갈륨(TMG) 이외에 다른 Ⅲ족 가스를 공급하는 장치가 포함된 실시예도 가능하다.
다른 실시예로서, 트리메틸인듐(TMI)공급장치가 아니라 트리메틸인듐(TMI) 이외에 다른 Ⅲ족 가스를 공급하는 장치가 포함된 실시예도 가능하다.
다른 실시예로서, AlGaN층을 형성하는 공정이 포함되는 경우에는 Ⅲ족 가스로서 트리메틸알루미늄(TMA:trimethylaluminium)가스공급장치가 마련될 수도 있다.
다른 실시예로서, p-도핑가스로서 Mg가 아니라 이외에 다른 p-도핑가스(예를 들어, Zn, Ca, Be 등)를 공급하는 장치가 포함된 실시예도 경우에 따라 가능하다.
전원부(500)는 반응챔버(100) 또는 버퍼챔버(200) 등에 전력을 공급할 수 있다. 전원부(500)는 각각의 반응챔버에 대응하여 제1전원부(510), 제2전원부(520), 제3전원부(530), 제4전원부(540)를 포함한다.
제어부(600)는 반응챔버(100), 버퍼챔버(200), 이송장치, 가스공급장치(400), 전원부(500) 등을 제어할 수 있다.
도 2는 제2실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 제1실시예와 유사한 부분은 동일한 도면번호를 사용한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제2실시예에 따른 화학기상증착장치는 이송장치를 포함하며, 이송장치는 제1로봇암(706), 제1로봇암 이송레일(705), 제2로봇 암(708), 제1파레트(702a), 제2파레트(702b), 제3파레트(702c), 제4파레트(702d) 및 롤러부(701)를 포함한다.
상기 이송장치는 이하에서 설명하는 실시예에 한정되지 않고 복수의 반응챔버와 버퍼챔버 내측으로 기판을 반출입시킬 수 있도록 다양한 변형이 가능하다.
제2로봇암(708)은 기판 공급부(801)에서 미처리 기판을 공급받아서 기판을 픽업한 이후에 서셉터에 기판을 적재할 수 있고, 처리완료된 기판을 픽업하여 기판 반출부(804)에 기판을 이송할 수 있다.
제1로봇암(706)은 서셉터에 기판이 적재되면 서셉터를 버퍼챔버 내측으로 진입하여 파레트에 서셉터를 내려놓게 되며, 처리완료된 서셉터가 제4반응챔버(140)에서 버퍼챔버로 반출되면, 버퍼챔버에서 서셉터베이킹챔버(150)로 반입하며, 서셉터는 대략 1200도 정도로 가열된다.
롤러부(701)는 버퍼챔버 내측에 마련되며 제1파레트(702a)를 제1반응챔버측으로 슬라이딩 이송할 수 있도록 제자리에서 축방향으로 회전가능하다. 롤러부는 하나 또는 복수개의 회전가능한 롤러를 포함할 수 있다. 롤러와 파레트는 서로 기어에 의한 치차결합이 되어 동력을 전달할 수 있다.
이러한 단순한 구성에 의하여 고온으로 유지되는 버퍼챔버 내측에 설치되더라도 작동오류가 없이 신뢰성 있는 동작이 가능하다.
이하에서는 본 실시예에 따른 화학기상 증착방법을 설명한다.
도 3은 제1실시예에 따른 화학기상 증착방법의 순서도이다.
도 3에 도시한 증착방법 이외에도 각각의 반응챔버에서 수행될 수 있는 공정 의 종류를 변형하여 실시할 수 있다.
반응챔버는 4개로 상정하였으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 공정의 종류에 따라 2개, 3개, 5개, 6개 및 그 이상으로 구성할 수도 있다. 또한 각각의 반응챔버에서 진행되는 공정은 각각 다른 공정이 진행될 수도 있고, 동일한 공정이 복수의 반응챔버에서 동시에 또는 일정 간격을 두고 진행될 수도 있다.
도 3에서 보듯이, 먼저 서셉터를 서셉터코팅챔버에 반입하여 서셉터에 임시박막을 형성하는 단계(S10)가 수행될 수 있다.
다음으로, 임시박막이 형성된 서셉터를 서셉터코팅챔버에서 반출하여 기판을 적재하는 단계(S30)가 수행될 수 있다.
다음으로, 기판이 적재된 서셉터를 반응챔버에 반입하여 주박막을 형성하는 공정을 수행하는 단계(S50)가 수행될 수 있다.
S50단계를 보다 상세하게 설명하면, 먼저 버퍼챔버에 반입된 서셉터를 제1반응챔버에 반입하여 사전열처리하는 단계(S51)가 수행될 수 있다.
즉, 도 1에서 보듯이, 기판공급 및 배출장치(310)로 기판(W)(예를 들어, 사파이어 기판)이 작업장 내부로 반입되면 제1픽업장치(320)는 기판(W)을 픽업하여 서셉터(S)에 적재할 수 있다.
제1로봇암(340)는 서셉터(S)를 버퍼챔버(200)의 반입구(212)를 통하여 버퍼챔버(200) 내측으로 반입할 수 있다.
제1반응챔버 게이트밸브(116)가 개방되면 제1액추에이터(331)에 의하여 제1파레트(350a)는 제1반응챔버 게이트(115)를 통과하여 제1반응챔버(110) 내측으로 반입될 수 있다.
이때, 서셉터(S)를 내려놓을 수 있도록 회전부(미도시)의 상면에는 리프트 핀이 마련되어 서셉터(S)를 적재한 제1파레트(350a)가 반입되면 파레트의 오목부를 통하여 리프트 핀이 상승하여 서셉터를 들어올린 상태가 되고 제1파레트(350a)는 다시 버퍼챔버(200)로 복귀한 후에 리프트 핀이 하강할 수 있다.
수소(H2)공급장치(410)에 의하여 내측으로 수소가스, 또는 수소 및 질소의 혼합가스가 공급될 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 가열하여 열처리할 수 있다. 이때의 온도는 예를 들어, 1200도로 설정할 수 있다. 이러한 사전 열처리 공정에 의하여 기판상의 산화막과 같은 이물질층을 제거할 수 있다. 이어서 제1반응챔버로부터 반출된 기판을 버퍼챔버를 거쳐서 제2반응챔버에 반입하게 된다.
다음으로, 서셉터를 버퍼챔버를 거쳐서 제2반응챔버에 반입하여 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. 수소(H2)공급장치(410)에 의하여 내측으로 수소가 공급될 수 있다. 또한, 트리메틸갈륨(TMG)공급장치(450)와 암모니아(NH3)공급장치(430)에 의하여 트리메틸갈륨(TMG: Trimethylgallium)과 암모니아 가스가 투입될 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 소정온도(예를 들어 600도)로 가열할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 열처리된 기판 상면에 GaN 버퍼층을 성장시킬 수 있다.
GaN 버퍼층을 성장시키는 공정이 완료되면 undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층(Si 도핑)을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다.
즉, 수소(H2)공급장치(410), 트리메틸갈륨(TMG)공급장치(450), 암모니아(NH3)공급장치(430), SiH4공급장치(440)에 의하여 각각 수소(H2), 트리메틸갈륨(TMG), 암모니아(NH3), SiH4를 반응챔버 내측으로 분사할 수 있다. 또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를, 예를 들어 1200도로 가열할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 GaN 버퍼층 상면에 GaN층을, 그리고 GaN층 상면에 n-type GaN층(Si 도핑)을 성장시킬 수 있다.
다음으로, 제2반응챔버로부터 반출된 기판을 버퍼챔버를 거쳐서 제3반응챔버에 반입하여 활성층을 형성하는 단계(S55)가 수행될 수 있다.
즉, 제2반응챔버(120) 내측에서 공정이 완료되면 제2액추에이터(332)에 의하여 제2파레트(350b)는 다시 제2반응챔버(120) 내측으로 진입하여 서셉터(S)를 적재하여 버퍼챔버(200)로 서셉터(S)를 반출하게 된다.
한편, 반응챔버에서 공정이 진행중인 동안, 버퍼챔버(200)에서는 기판에 대하여 급격한 온도변화가 발생되지 않도록 소정 온도로 가열될 수 있다. 가열온도는 대략 섭씨 500~1200도 사이로 설정될 수 있다. 경우에 따라 약 700도 정도로 설정될 수도 있다.
이어서, 제1로봇암(340)이 수평적으로 서셉터(S)를 이동시켜서 제3반응챔버 게이트 위치에 있는 제3파레트(350c)로 이송시킬 수 있다.
제3파레트(350c)는 제3반응챔버 게이트를 통과하여 제3반응챔버 내측으로 반입될 수 있다.
제3반응챔버 내측으로 반입된 서셉터(S)를 회전부(미도시)에 적재한 후에 제 3파레트(350c)는 버퍼챔버(200)로 복귀하게 된다.
제3반응챔버(130)에서는 활성층을 성장시키는 공정이 진행될 수 있다. 질소(N2)공급장치(420), 트리메틸갈륨(TMG)공급장치(450), 트리메틸인듐(TMI)공급장치(460), 암모니아(NH3)공급장치(430)에 의하여 각각 질소(N2), 트리메틸갈륨(TMG), 트리메틸인듐(TMI), 암모니아(NH3)가 반응챔버(120) 내측으로 분사될 수 있다.
또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 약 700도 내지 900도로 가변조절할 수 있다. 활성층은 단일 양자 우물(single quantum well: SQW)구조 또는 복수개의 양자 우물층을 갖는 다중양자우물(muti quantum well: MQW)구조일 수 있다. 이러한 공정에 의하여 n-type GaN층(Si 도핑) 상면에 활성층을 성장시킬 수 있다.
다음으로, 서셉터를 버퍼챔버를 거쳐서 제4반응챔버에 반입하여 p-type GaN층(Mg 도핑)을 성장시키는 공정(S57)이 진행될 수 있다.
수소(H2)공급장치(410), 트리메틸갈륨(TMG)공급장치(450), Cp2Mg공급장치(470), 암모니아(NH3)공급장치(430)에 의하여 수소(H2), 트리메틸갈륨(TMG), Cp2Mg, 암모니아(NH3)를 각각 반응챔버 내측으로 분사할 수 있다.
또한, 히터에 의하여 기판(W) 또는 서셉터(S)를 약 1200도로 가변조절할 수 있다. 이러한 공정에 의하여 활성층 상면에 p-type GaN층(Mg 도핑)을 성장시킬 수 있다.
다른 실시예로서, p형의 불순물을 도프한 표면에 p형의 질화갈륨계 화합물 반도체의 박막을 형성하고 이 박막에 전자선을 조사할 수 있는 전자총을 구비하여 박막 품질을 개선하는 구성도 적용가능하다.
다음으로, 제4반응챔버 또는 버퍼챔버에서 어닐링 공정 또는 쿨링 공정이 수행될 수도 있다.
질소(N2)공급장치(420)에 의하여 챔버 내부가 질소 분위기가 되도록 설정될 수 있으며, 히터에 의하여 섭씨 600-900도로 설정될 수 있다. 소정시간 동안 어닐링하여 p형 도펀트를 도핑한 p형 도핑층을 더욱 저저항화할 수 있다.
한편, 반응챔버에서 공정이 진행중인 동안, 버퍼챔버에서는 기판에 대하여 급격한 온도변화가 발생되지 않도록 소정 온도로 가열될 수 있다. 가열온도는 대략 섭씨 500~1200도 사이로 설정될 수 있다. 경우에 따라 약 700도 정도로 설정될 수도 있다.
어닐링 공정이 완료되면 제4액추에이터에 의하여 제4파레트가 제4반응챔버 내측으로 반입되어 서셉터를 적재하여 버퍼챔버로 반출할 수 있다.
쿨링 공정을 제4반응챔버가 아니라 버퍼챔버에서 수행할 수도 있다. 예를 들어, 100도 내지 300도 정도로 기판을 자연 냉각시킬 수도 있다.
이어서 버퍼챔버 반입구를 통과하여 서셉터를 외부로 반출할 수 있다. 반출된 서셉터는 제1로봇암에 의하여 별도의 장소로 이송되며, 제2픽업장치에 의하여 서셉터 상면의 기판를 픽업하여 기판공급 및 배출장치로 이송할 수 있다.
다른 실시예로서, 어닐링 공정을 제4반응챔버가 아니라 버퍼챔버에서 수행되도록 설정할 수도 있다.
한편, 하나의 서셉터에 대하여 반응챔버 내측에서 공정이 진행중인 동안에도 다른 반응챔버에 다른 서셉터를 반입하여 공정을 병행할 수 있기 때문에 공정효율이 향상되는 효과가 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제2반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하며, 제4반응챔버에서 기판을 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제2반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정을 수행하며, 제4반응챔버에서 p-type GaN층을 성장시키는 공정, 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제2반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정을 수행하며, 제4반응챔버에서 p-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 버퍼챔버에서 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정을 수행하 고, 제2반응챔버에서 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정, 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 버퍼챔버에서 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정, AlGaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 p-type GaN층을 성장시키는 공정, 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 차례로 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정, AlGaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 p-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 버퍼챔버에서 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 n-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정, 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정, GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 n-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버에서 AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 버퍼챔버에서 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다른 실시예로서, 제1반응챔버에서 기판을 사전 열처리하는 공정을 수행하고, 제2반응챔버에서 GaN 버퍼층을 성장시키는 공정, undoped-GaN층을 성장시키는 공정, n-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제3반응챔버에서 활성층을 성장시키는 공정, AlGaN층을 성장시키는 공정, p-type GaN층을 성장시키는 공정을 수행하고, 제4반응챔버 어닐링 또는 쿨링하는 공정을 수행할 수도 있다.
다음으로, 주박막이 형성된 서셉터를 반출하고 기판을 언로딩하는 단계(S70)가 수행될 수 있다.
다음으로, 서셉터를 서셉터베이킹챔버로 반입하여 주박막 및 임시박막을 제 거하도록 소정 온도로 가열하는 단계(S90)가 수행될 수 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
도 1은 제1실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 제2실시예에 따른 화학기상증착장치의 개략적인 평면도이다.
도 3은 제1실시예에 따른 화학기상증착방법의 순서도이다.

Claims (10)

  1. 버퍼챔버;
    상기 버퍼챔버에 결합되고, 기판이 적재된 서셉터가 상기 버퍼챔버를 통과하여 내부에 반입되면 기판의 상면에 주(主)박막을 형성하는 공정이 수행되는 복수개의 반응챔버;
    미처리 기판이 서셉터에 적재되기 전에 서셉터에 임시박막을 형성하도록 상기 복수개의 반응챔버와 별도로 마련된 서셉터코팅챔버; 및
    서셉터를 상기 서셉터코팅챔버 내부에 반입하거나, 상기 서셉터코팅챔버에서 서셉터를 반출한 다음에 상기 버퍼챔버를 통과하여 상기 복수개의 반응챔버 중의 어느 하나로 반입할 수 있도록 설치된 이송장치;를 포함하는 화학기상증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주박막 또는 임시박막은 질화갈륨계 박막인 화학기상증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 주박막이 형성된 기판이 상면에서 제거된 서셉터가 내부에 반입되어 상기 주박막을 제거하도록 서셉터를 소정 온도로 가열하며 상기 복수개의 반응챔버와 별도로 마련된 서셉터베이킹챔버를 더 포함하는 화학기상증착장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼챔버는 상기 반응챔버에서 반출되는 기판에 대한 급격한 온도변화를 완충하도록 소정 온도로 가열되도록 히터를 포함하는 화학기상증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이송장치는 상기 서셉터가 적재되는 복수의 파레트;
    상기 버퍼챔버 내측에 마련되며 상기 파레트를 상기 반응챔버와 상기 버퍼챔버 상호간에 반출 또는 반입시킬 수 있도록 상기 파레트를 슬라이딩시키는 롤러부; 및
    상기 버퍼챔버 외측에 설치되며 상기 버퍼챔버에 마련된 개구부로 진입하여 상기 서셉터를 상기 파레트 상호간에 이송하는 로봇암;을 포함하는 화학기상증착장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이송장치는 상기 서셉터가 적재되는 복수의 파레트;
    상기 파레트를 상기 반응챔버와 상기 버퍼챔버 상호간에 반출 또는 반입시키 는 액추에이터; 및
    상기 버퍼챔버 외측에 설치되며 상기 버퍼챔버에 마련된 개구부로 진입하여 상기 서셉터를 파레트 상호간에 이송하는 로봇암;을 포함하는 화학기상증착장치.
  7. (a) 서셉터를 서셉터코팅챔버에 반입하여 상기 서셉터에 임시박막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 임시박막이 형성된 서셉터를 상기 서셉터코팅챔버에서 반출하여 기판을 적재하는 단계; 및
    (c) 상기 기판이 적재된 서셉터를 반응챔버에 반입하여 주박막을 형성하는 공정을 수행하는 단계;를 포함하는 화학기상증착방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 주박막이 형성된 서셉터를 반출하고 상기 기판을 언로딩(unloading)하는 단계; 및
    상기 서셉터를 서셉터베이킹챔버로 반입하여 상기 주박막 및 임시박막을 제거하도록 가열하는 단계;를 더 포함하는 화학기상증착방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 주박막을 형성하는 공정은 버퍼챔버에 결합된 N개(N은 1 보다 큰 자연수)의 반응챔버에서 수행되며, 상기 주박막을 형성하는 공정은 M개(M은 1보다 크고 N보다 같거나 작은 자연수)의 공정으로 분리되는 화학기상증착방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 (c) 단계는 버퍼챔버에 반입된 서셉터를 제n반응챔버(n은 1과 같거나 크고 N보다 작은 자연수)에 반입하여 제m공정(m은 1과 같거나 크고 M보다 작은 자연수)을 수행하는 단계; 및
    상기 제m공정이 완료된 후에 상기 서셉터를 상기 버퍼챔버를 거쳐서 제n+1반응챔버에 반입하여 제m+1공정을 수행하는 단계;를 포함하는 화학기상증착방법.
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