KR101091181B1 - 장식용 발광다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 장식용 발광다이오드에 관한 것으로,
종래의 발광다이오드는 양 금속 단자에 전원이 인가되어 점등되었을 때에는 단순한 형태의 빛이 조사되어 장식미가 떨어지게 되고, 양 금속 단자에 전원이 차단되어 소등되었을 때에도 외부로 노출된 볼록한 선단부를 통해 장식미가 떨어지게 되는 문제가 있었던 바,
반도체소자가 내장되고, 후단부로 한 쌍의 금속 단자가 인출되는 합성수지제의 몸체와; 상기 몸체의 선단에 고정 설치되는 보석으로 이루어지는 본 발명의 장식용 발광다이오드에 의하면 합성수지제의 몸체 선단에 고정 설치되는 보석을 통해 점등시에 더욱 아름답고 화려하게 반짝이는 빛을 조사할 수 있게 되며, 소등시에도 뛰어난 장식미를 발휘할 수 있게 된다.
종래의 발광다이오드는 양 금속 단자에 전원이 인가되어 점등되었을 때에는 단순한 형태의 빛이 조사되어 장식미가 떨어지게 되고, 양 금속 단자에 전원이 차단되어 소등되었을 때에도 외부로 노출된 볼록한 선단부를 통해 장식미가 떨어지게 되는 문제가 있었던 바,
반도체소자가 내장되고, 후단부로 한 쌍의 금속 단자가 인출되는 합성수지제의 몸체와; 상기 몸체의 선단에 고정 설치되는 보석으로 이루어지는 본 발명의 장식용 발광다이오드에 의하면 합성수지제의 몸체 선단에 고정 설치되는 보석을 통해 점등시에 더욱 아름답고 화려하게 반짝이는 빛을 조사할 수 있게 되며, 소등시에도 뛰어난 장식미를 발휘할 수 있게 된다.
Description
본 발명은 장식용 발광다이오드에 관한 것으로, 더 자세하게는 반도체소자가 내장되는 몸체의 선단에 보석을 고정 설치하여 점등시에 보다 화려한 빛을 발하도록 함은 물론 소등시에도 장식미를 좋게 할 수 있도록 한 것에 관한 것이다.
본 발명이 관계하는 발광다이오드(LED; Light Emitting Diode)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합(再結合)에 의하여 발광시키는 전기부품이다.
상기에서 반도체에 전압을 가할 때 생기는 발광현상은 전기 루미네선스(luminescent ;전기장발광)라고 한다.
발광다이오드는 종래의 광원(光源)에 비해 소형이고, 수명은 길며, 전기에너지가 빛에너지로 직접 변환하기 때문에 전력이 적게 들고 효율이 좋다.
또한 고속응답이라 자동차 계기류의 표시소자, 광통신용 광원 등 각종 전자기기의 표시용 램프, 숫자표시 장치나 계산기의 카드 판독기 등에 널리 쓰이고 있으며, 최근에는 각종 전자제품의 장식용이나 간판이나 자동차의 조명용으로도 많이 사용되고 있다.
상기 발광다이오드는 선단부가 볼록하게 형성되고 반도체소자가 내장된 합성수지제의 몸체의 후단부로 한 쌍의 금속 단자가 인출되는 단순한 형태의 것이 주로 사용되며, 표시용이나 장식용으로 사용할 때에는 대개 몸체의 볼록한 선단부만이 외부로 노출되도록 설치되는 것이 보통이다.
그런데 종래의 발광다이오드는 양 금속 단자에 전원이 인가되어 점등되었을 때에는 단순한 형태의 빛이 조사되어 장식미가 떨어지게 되고, 양 금속 단자에 전원이 차단되어 소등되었을 때에도 외부로 노출된 볼록한 선단부를 통해 장식미가 떨어지게 되는 문제가 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 실정을 감안하여 안출한 것이며, 그 목적이 점등시에 보다 화려하게 빛을 조사할 수 있도록 함은 물론 소등시에도 주변 빛을 통해 아름답게 반짝거리도록 하는 장식용 발광다이오드를 제공하는 데에 있는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 장식용 발광다이오드는 반도체소자가 내장되는 몸체의 선단에 보석을 고정 설치한 것을 특징으로 한다.
즉, 본 발명의 장식용 발광다이오드는 반도체소자가 내장되고, 후단부로 한 쌍의 금속 단자가 인출되는 합성수지제의 몸체와; 상기 몸체의 선단에 고정 설치되는 보석으로 이루어진다.
본 발명의 장식용 발광다이오드에 있어서는 몸체의 선단에 보석의 후단부와 대응되는 보석 삽입홈을 형성하고, 몸체의 보석 삽입홈에 보석의 후단부를 삽입하여 접착하거나 보석의 이탈이 방지되도록 선단부에 안쪽으로 오무려진 절곡부가 마련된 별도의 고정파이프를 사용하여 몸체의 선단에 보석을 고정한다.
상기 보석을 고정하기 위한 고정파이프는 보석이 설치된 몸체의 선단부를 제외한 나머지 부위로 빛이 조사되는 것을 차단할 수 있도록 하는 차광소재로 구성할 수 있다.
한편 본 발명의 장식용 발광다이오드에 있어서 보석은 천연보석이나 인조보석 등을 사용할 수 있으며, 인조보석의 경우 산화지르코늄을 원석으로 해서 만든 모조 다이아몬드인 큐빅(cubic zircornia)이나 유리제의 것 등을 사용할 수 있으며, 아울러 외부로 노출되는 장식부의 후단부에 다각뿔형의 고정부가 마련된 형태의 것 등을 사용할 수 있다.
보석의 장식부가 더욱 아름답게 보일 수 있도록 다각뿔형의 고정부의 표면 전체에 불투명 증착층을 형성한 경우 다각뿔형의 고정부의 일부 부위에 빛투과부를 마련하여야 하며, 이 때 빛투과부는 다각뿔형 고정부의 면과 면이 만나는 경계 부위인 각 모서리 부위에 마련하는 것이 좋다.
본 발명에 의하면 합성수지제의 몸체 선단에 고정 설치되는 보석을 통해 점등시에 더욱 아름답고 화려하게 반짝이는 빛을 조사할 수 있게 되며, 소등시에도 보석이 주변의 빛을 통해 아름답게 반짝거림으로써 장식효과를 높일 수 있게 된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예의 사시도
도 2는 동 제1실시예의 분해 단면도
도 3은 본 발명의 제2실시예의 분해 사시도
도 4는 동 제2실시예의 종단면도
도 5는 본 발명의 장식용 발광다이오드에서 사용되는 보석의 정면도
도 6은 동 보석의 저면도
도 7은 본 발명의 장식용 발광다이오드의 일 사용상태의 요부 단면도
도 2는 동 제1실시예의 분해 단면도
도 3은 본 발명의 제2실시예의 분해 사시도
도 4는 동 제2실시예의 종단면도
도 5는 본 발명의 장식용 발광다이오드에서 사용되는 보석의 정면도
도 6은 동 보석의 저면도
도 7은 본 발명의 장식용 발광다이오드의 일 사용상태의 요부 단면도
이하 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구체적인 기술 내용을 첨부도면에 의거하여 자세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에는 본 발명의 제1실시예의 사시도가 도시되어 있고, 도 2에는 동 제1실시예의 분해 단면도가 도시되어 있다.
그리고 도 3에는 본 발명의 제2실시예의 분해사시도가 도시되어 있고, 도 4에는 동 제2실시예의 종단면도가 도시되어 있다.
도 1 내지 도 4와 같이 본 발명의 장식용 발광다이오드(100)는 반도체소자(11)가 내장되고, 후단부로 한 쌍의 금속 단자(12)가 인출되는 합성수지제의 몸체(10)와; 상기 몸체(10)의 선단에 고정 설치되는 보석(20)으로 이루어진다.
도 1 및 도 2에 도시된 제1실시예는 몸체(10)의 선단에 보석(20)의 후단부와 대응되는 보석 삽입홈(13)을 형성하고, 몸체(10)의 보석 삽입홈(13)에 보석(20)의 후단부를 삽입하여 접착한 것이다.
도 3 및 도 4에 도시된 제2실시예는 보석(20)의 이탈이 방지되도록 선단부에 안쪽으로 오무려진 절곡부(31)가 마련된 별도의 고정파이프(30)를 통해 몸체(10)의 선단에 보석(20)을 고정한 것으로, 이 제2실시예의 경우 고정파이프(30)에 보석(20)을 투입한 후 몸체(10)를 억지끼워맞춤으로 삽입하게 되면 몸체(10)의 선단부로 보석(20)의 후단부를 견고하게 지지할 수 있게 된다.
상기 제2실시예에서 고정파이프(30)는 보석(20)이 설치된 몸체(10)의 선단부를 제외한 나머지 부위로 빛이 조사되는 것을 차단할 수 있도록 하는 차광소재로 구성할 수 있다.
본 발명의 장식용 발광다이오드(100)에 있어서 몸체(10)의 형태는 도시된 실시예들과 같은 원형 단면의 것 뿐 아니라 오각형 단면의 것, 육각형 단면의 것 등 예측 가능한 다른 형태로 변형 실시될 수 있음은 물론이다.
한편 본 발명의 장식용 발광다이오드(100)에 있어서 보석(20)은 천연보석이나 인조보석 등을 사용할 수 있으며, 인조보석의 경우 산화지르코늄을 원석으로 해서 만든 모조 다이아몬드인 큐빅(cubic zircornia)이나 유리제의 것 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 장식용 발광다이오드(100)에 있어서 보석(20)은 도시된 실시예들과 같이 외부로 노출되는 장식부(21)의 후단부에 다각뿔형의 고정부(22)가 마련된 형태의 것을 사용할 수 있다.
도 5에는 본 발명의 장식용 발광다이오드에서 사용되는 보석의 정면도가 도시되어 있고, 도 6에는 동 보석의 저면도가 도시되어 있다.
도 5 및 도 6과 같이 보석(20)의 장식부(21)가 더욱 아름답게 보일 수 있도록 다각뿔형의 고정부(22)의 표면 전체에 불투명 증착층(23)을 형성한 경우 불투명 증착층(23)의 일부를 제거하여 빛투과부(24)를 형성하여야 한다.
상기 빛투과부(24)는 고정부(22)의 전체 부위에 불투명 증착부(23)를 형성한 후 일부를 제거하는 방법 뿐 아니라 고정부(22)에 불투명 증착부(23)를 형성할 때에 고정부(22)의 일부 부위가 증착되지 않도록 하는 방법으로도 형성할 수 있다.
그리고 다각뿔형의 고정부(22)의 표면에 불투명 증착층(23)을 형성한 경우 도 5 및 도 6과 같이 상기 빛투과부(24)를 다각뿔형 고정부(22)의 면과 면이 만나는 경계 부위인 각 모서리 부위에 마련하게 되면 더욱 아름다운 빛이 조사될 수 있게 된다.
도 7에는 본 발명의 장식용 발광다이오드의 일 사용상태의 요부 단면도가 도시되어 있다.
본 발명의 장식용 발광다이오드(100)를 사용할 때에는 도 7과 같이 제품(200)의 표면에 형성한 노출구멍(201)을 통해 보석(20)의 장식부(21) 선단만이 노출되도록 설치하는 것이 바람직하다.
한편 본 발명의 장식용 발광다이오드(100)에 있어서 금속 단자(12)에 전원을 공급하여 몸체(10) 내부의 반도체소자(11)로부터 발광현상이 일어나도록 하게 되면 몸체(10)의 외부 표면으로 빛이 조사되며, 특히 몸체(10)의 선단부로 조사되는 빛은 몸체(10)의 선단부에 고정 설치된 보석(20)을 통과하면서 더욱 아름답고 화려하게 반짝거리게 된다.
또한 본 발명의 장식용 발광다이오드(100)에 있어서 금속 단자(12)에 전원을 차단하게 되더라도 외부의 빛을 통해 몸체(10)의 선단부에 고정 설치된 보석(20)이 반짝거리게 되므로 소등 상태에서도 뛰어난 장식미를 발휘할 수 있게 된다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 설명에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
100 : 장식용 발광다이오드
10 : 몸체
11 : 반도체소자
12 : 금속 단자
13 : 보석 삽입홈
20 : 보석
21 : 장식부
22 : 고정부
23 : 불투명 증착층
24 : 빛투과부
30 : 고정파이프
31 : 절곡부
200 : 제품
201 : 노출구멍
10 : 몸체
11 : 반도체소자
12 : 금속 단자
13 : 보석 삽입홈
20 : 보석
21 : 장식부
22 : 고정부
23 : 불투명 증착층
24 : 빛투과부
30 : 고정파이프
31 : 절곡부
200 : 제품
201 : 노출구멍
Claims (7)
- 반도체소자(11)가 내장되고, 후단부로 한 쌍의 금속 단자(12)가 인출되는 합성수지제의 몸체(10)와; 상기 몸체(10)의 선단에 고정 설치되는 보석(20)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 장식용 발광다이오드를 구성함에 있어서,
보석(20)의 이탈이 방지되도록 선단부에 안쪽으로 오무려진 절곡부(31)가 마련된 차광소재의 고정파이프(30)의 내부 상부에 보석(20)을 삽입 설치하고, 고정파이프(30)의 내부 하부에 몸체(10)를 삽입 결합하여 보석(20)이 설치된 몸체(10)의 선단부를 제외한 나머지 부위로 빛이 조사되는 것을 차단할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 장식용 발광다이오드.
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- 제1항에 있어서, 보석(20)은 외부로 노출되는 장식부(21)의 후단부에 다각뿔형의 고정부(22)가 마련되는 형태로 구성하되, 다각뿔형의 고정부(22)의 표면에 불투명 증착층(23)을 형성하고, 다각뿔형의 고정부(22)의 면과 면이 만나는 각 모서리 부위에 빛투과부(24)를 마련한 것을 특징으로 하는 장식용 발광다이오드.
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KR1020100015781A KR101091181B1 (ko) | 2010-02-22 | 2010-02-22 | 장식용 발광다이오드 |
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KR20110096370A KR20110096370A (ko) | 2011-08-30 |
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Citations (2)
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JP2001102307A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶GaNの結晶成長方法及び単結晶GaN基板の製造方法と単結晶GaN基板 |
KR200432279Y1 (ko) * | 2006-09-21 | 2006-12-04 | 석병관 | 보석형상의 led |
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2010
- 2010-02-22 KR KR1020100015781A patent/KR101091181B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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