KR101086948B1 - Method for cutting semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 절삭(切削) 방법에 관한 것으로, 메탈 블록에 왁스로 고정된 지지판 상부에 반도체 웨이퍼를 고정시켜, 절삭 공정중 흔들림을 줄일 수 있고 반도체 웨이퍼에 인가되는 충격을 원활히 흡수할 수 있는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of cutting a semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is fixed on a support plate fixed with wax to a metal block to reduce shaking during the cutting process and to smoothly absorb shock applied to the semiconductor wafer. It works.

또한, 반도체 웨이퍼의 외측면에 가이드가 존재하여, 가이드의 외측면에 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 절삭 공정을 수행함으로써, 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 인가된 충격으로 발생되는 웨이퍼 손상을 제거할 수 있는 효과가 있다.
In addition, the guide is present on the outer surface of the semiconductor wafer, the diamond wheel is in contact with the outer surface of the guide for the first time to perform the cutting process, the diamond wheel is in contact with the initial effect can remove the wafer damage caused by the applied impact There is.

웨이퍼, 절삭, 가이드, 메탈블록, 지지판, 왁스Wafer, Cutting, Guide, Metal Block, Support Plate, Wax

Description

반도체 웨이퍼 절삭 방법 { Method for cutting semiconductor wafer } Method for cutting semiconductor wafer             

도 1a와 1b는 종래 기술에 따라 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도1A and 1B are schematic cross-sectional views illustrating a method of cutting a semiconductor wafer according to the prior art.

도 2a 내지 2d는 본 발명의 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도2A to 2D are schematic cross-sectional views illustrating a method of cutting a semiconductor wafer of the present invention.

도 3은 본 발명에 따라 왁스의 상부에 접착된 반도체 웨이퍼의 외측면에 가이드가 위치되어 있는 상태의 사진도
3 is a photographic view of a state in which a guide is positioned on an outer surface of a semiconductor wafer bonded to an upper portion of a wax according to the present invention;

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100 : 메탈 블록 110,130 : 왁스100: metal block 110,130: wax

120 : 지지판 150 : 반도체 웨이퍼120: support plate 150: semiconductor wafer

160 : 가이드
160: guide

본 발명은 반도체 웨이퍼의 절삭(Cutting) 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 메탈 블록에 왁스로 고정된 지지판 상부에 반도체 웨이퍼를 고정시켜, 절삭 공정중 흔들림을 줄일 수 있고 반도체 웨이퍼에 인가되는 충격을 원활히 흡수할 수 있고, 반도체 웨이퍼의 외측면에 존재하는 가이드면에 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 절삭 공정을 수행함으로써, 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 인가된 충격으로 발생되는 웨이퍼 손상을 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼의 절삭 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of cutting a semiconductor wafer, and more particularly, by fixing a semiconductor wafer on an upper portion of a support plate fixed with wax to a metal block, it is possible to reduce the shaking during the cutting process and to reduce the impact applied to the semiconductor wafer. The semiconductor wafer can be absorbed smoothly and the diamond wheel is first contacted with the guide surface existing on the outer surface of the semiconductor wafer to perform the cutting process, thereby eliminating the wafer damage caused by the impact applied to the diamond wheel for the first time. To a cutting method.

일반적으로, 반도체 웨이퍼와 같은 취성(脆性) 재료는 가공 공정에 인가되는 충격에 약하다. In general, brittle materials such as semiconductor wafers are susceptible to the impact applied to the processing process.

최근, 반도체는 전자 산업에 요구되는 메모리 및 비메모리 칩을 양산하기 위하여 필수적으로 요구되는 재료이며, 얇은 웨이퍼로 만들어진 반도체 웨이퍼에 다수의 칩(Chip)들을 제조하고, 이 다수의 칩들을 낱개로 절삭하는 공정을 수행한다.In recent years, semiconductors are an essential material for mass production of memory and non-memory chips required for the electronics industry, manufacturing a plurality of chips on a semiconductor wafer made of a thin wafer, and cutting the plurality of chips individually. To perform the process.

이 때, 전술된 바와 같이, 반도체 웨이퍼의 절삭(切削) 공정에서는 반도체 웨이퍼에 충격이 받지 않도록 대단한 주위를 기울여야 한다.At this time, as described above, in the cutting process of the semiconductor wafer, a great circumference must be inclined so as not to impact the semiconductor wafer.

특히, 발광 다이오드가 제조되어진 GaN 웨이퍼는 고가이므로, 가공 중 손상이 최초화되어야 한다.In particular, since GaN wafers in which light-emitting diodes are manufactured are expensive, damage during processing must be initialized.

도 1a와 1b는 종래 기술에 따라 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 글래스(Glass) 또는 세라믹(Ceramic)으로 이루어진 지지판(10)을 가열시킨 후, 그 지지판(10) 상부면에 왁스(Wax)(11)를 도포하고, 상기 도포된 왁스(11) 상부에 절삭(切削)할 반도체 웨 이퍼(12)를 접착한 다음 냉각시킨다.1A and 1B are schematic cross-sectional views illustrating a method of cutting a semiconductor wafer according to the related art. First, as shown in FIG. 1A, a support plate 10 made of glass or ceramic is shown. After heating, a wax 11 is applied to the upper surface of the support plate 10, and the semiconductor wafer 12 to be cut is adhered to the coated wax 11 and then cooled.

그 후, 상기 반도체 웨이퍼(12)의 절삭 공정을 수행하였다.Thereafter, the cutting process of the semiconductor wafer 12 was performed.

이 방법에서 상기 지지판(10)은 진공으로 고정시키게 됨으로, 절삭 공정시 흔들림이 발생하게 되고, 이 흔들림으로 절삭공정 중, 반도체 웨이퍼(12)가 깨지는 종종 현상이 발생하였다.In this method, since the support plate 10 is fixed in a vacuum, shaking occurs during the cutting process, and the shaking often causes the semiconductor wafer 12 to break during the cutting process.

그리고, 도 1ba에 도시된 바와 같이, 하부가 나사를 이용하여 외부 고정장치에 고정되어진 메탈 블록(20)을 가열시키고, 상기 메탈 블록(20)의 상부면에 왁스(Wax)(11)를 도포하고, 상기 도포된 왁스(11) 상부에 절삭(切削)할 반도체 웨이퍼(12)를 접착한 다음 냉각시킨다.And, as shown in Figure 1ba, the lower portion is heated to the metal block 20 is fixed to the external fixing device by using a screw, and the wax (Wax) 11 is applied to the upper surface of the metal block 20 The semiconductor wafer 12 to be cut is adhered to the coated wax 11 and then cooled.

그 후, 상기 반도체 웨이퍼(12)의 절삭 공정을 수행하였다.Thereafter, the cutting process of the semiconductor wafer 12 was performed.

이 방법에서는 절삭 공정을 수행하는 중에 반도체 웨이퍼의 흔들림은 없었으나, 충격 흡수면에서는 특성이 저하되는 문제점이 있었다.
In this method, there was no shaking of the semiconductor wafer during the cutting process, but there was a problem that the characteristics were deteriorated in the shock absorbing surface.

이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 메탈 블록에 왁스로 고정된 지지판 상부에 반도체 웨이퍼를 고정시켜, 절삭 공정중 흔들림을 줄일 수 있고 반도체 웨이퍼에 인가되는 충격을 원활히 흡수할 수 있는 반도체 웨이퍼 절삭 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems described above, by fixing the semiconductor wafer on the top of the support plate fixed with wax to the metal block, can reduce the shaking during the cutting process and smoothly absorb the impact applied to the semiconductor wafer An object of the present invention is to provide a method of cutting a semiconductor wafer.

본 발명의 다른 목적은 반도체 웨이퍼의 외측면에 가이드가 존재하여, 가이드의 외측면에 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 절삭 공정을 수행함으로써, 다이아 몬드 휠이 최초 접촉되어 인가된 충격으로 발생되는 웨이퍼 손상을 제거할 수 있는반도체 웨이퍼 절삭 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is that the guide is present on the outer surface of the semiconductor wafer, the diamond wheel is first contacted to the outer surface of the guide to perform the cutting process, thereby the wafer damage caused by the impact applied to the diamond wheel first contact The present invention provides a method for cutting semiconductor wafers that can be removed.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 하부가 나사를 이용하여 외부 고정장치에 고정되어진 메탈 블록을 가열시키고, 상기 메탈 블록의 상부면에 제 1 왁스(Wax)를 도포하는 제 1 단계와;A preferred aspect for achieving the above object of the present invention is to heat the metal block, the lower portion of which is fixed to the external fixing device by using a screw, and the first wax (Wax) on the upper surface of the metal block A first step of applying;

상기 도포된 제 1 왁스 상부에 지지판을 접착한 다음, 냉각시켜 고정시키는 제 2 단계와;A second step of adhering a support plate on the coated first wax and then cooling and fixing the upper plate;

상기 메탈 블록을 가열시켜 상기 지지판(120)에 열전달시키고, 상기 지지판 상부면에 제 2 왁스를 도포하는 제 3 단계와; A third step of heating the metal block to heat transfer to the support plate 120 and applying a second wax to the upper surface of the support plate;

상기 제 2 왁스 상부에 상기 반도체 웨이퍼를 접착시키고, 상기 반도체 웨이퍼의 외측면을 감싸는 가이드를 상기 제 2 왁스 상부에 접착하고, 냉각시켜 상기 반도체 웨이퍼 및 가이드를 상기 제 2 왁스에 고정시키는 제 4 단계와;A fourth step of adhering the semiconductor wafer on the second wax and adhering the guide that surrounds the outer surface of the semiconductor wafer to the upper part of the second wax and cooling to fix the semiconductor wafer and the guide to the second wax Wow;

상기 반도체 웨이퍼의 절삭 공정을 수행하는 제 5 단계로 이루어진 반도체 웨이퍼 절삭 방법이 제공된다.
There is provided a semiconductor wafer cutting method comprising a fifth step of performing the cutting process of the semiconductor wafer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2a 내지 2d는 본 발명의 반도체 웨이퍼를 절삭하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도로서, 하부가 나사(105)를 이용하여 외부 고정장치에 고정되어진 메탈 블록(100)을 가열시키고, 상기 메탈 블록(100)의 상부면에 제 1 왁스(Wax)(110)를 도포한다.(도 2a)2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining a method of cutting a semiconductor wafer of the present invention. The lower portion of the metal block 100 is heated by using a screw 105 to the external fixing device, and the metal block A first wax 110 is applied to the upper surface of the 100 (FIG. 2A).

그 다음, 상기 도포된 제 1 왁스(110) 상부에 지지판(120)을 접착한 다음, 냉각시켜 고정시킨다.(도 2b)Next, the support plate 120 is adhered to the coated first wax 110, and then cooled and fixed. (FIG. 2B)

여기서, 상기 지지판(120)은 글래스 또는 세라믹으로 이루어진 것이 바람직하다.Here, the support plate 120 is preferably made of glass or ceramic.

그 후, 상기 메탈 블록(100)을 가열시켜 상기 지지판(120)에 열전달시키고, 상기 지지판(120) 상부면에 제 2 왁스(130)를 도포한다.(도 2c) Thereafter, the metal block 100 is heated to heat transfer to the support plate 120, and a second wax 130 is coated on the upper surface of the support plate 120 (FIG. 2C).

상기의 제 1과 2 왁스(110,130)는 하드한 타입은 가공 중 충격 흡수 측면에서 불리함으로, 65℃에서 녹는 소프트한 타입을 사용한다.The first and second waxes 110 and 130 have a hard type, which is disadvantageous in terms of shock absorption during processing, and uses a soft type that melts at 65 ° C.

그리고, 상기 도포된 제 1과 2 왁스(110,130)가 열에 의해 녹아 균일한 두께가 되도록 한다.In addition, the coated first and second waxes 110 and 130 are melted by heat to have a uniform thickness.

연이어, 상기 제 2 왁스(130) 상부에 반도체 웨이퍼(150)를 접착시키고, 상기 반도체 웨이퍼(150)의 외측면을 감싸는 가이드(160)를 상기 제 2 왁스(130) 상부에 접착하고, 냉각시켜 상기 반도체 웨이퍼(150) 및 가이드(160)를 상기 제 2 왁스(130)에 고정시킨다.(도 2d)Subsequently, the semiconductor wafer 150 is adhered to the upper portion of the second wax 130, and the guide 160 covering the outer surface of the semiconductor wafer 150 is attached to the upper portion of the second wax 130 and cooled. The semiconductor wafer 150 and the guide 160 are fixed to the second wax 130 (FIG. 2D).

이 때, 프레스(Press)나 스프링 지그(Spring jig)를 이용하여 압착 및 냉각하여 상기 반도체 웨이퍼(150) 및 가이드(160)를 상기 제 1 왁스(130)에 고정시킨다.In this case, the semiconductor wafer 150 and the guide 160 are fixed to the first wax 130 by pressing and cooling using a press or a spring jig.

그리고, 정밀 계측기를 이용하여 가공면적에서 두께 편차가 없는지를 확인한 다.And, using a precision measuring instrument to check whether there is no thickness variation in the processing area.

계속하여, 상기 반도체 웨이퍼(120)의 절삭 공정을 수행한다.Subsequently, the cutting process of the semiconductor wafer 120 is performed.

여기서, 상기 반도체 웨이퍼(120)의 절삭 공정은 전술된 바와 같이, 가공면적에서 두께 편차가 없는 경우 가공기에 장입하여 수행한다.Here, as described above, the cutting process of the semiconductor wafer 120 is loaded into the processing machine when there is no thickness variation in the processing area.

도 3은 본 발명에 따라 왁스의 상부에 접착된 반도체 웨이퍼의 외측면에 가이드가 위치되어 있는 상태의 사진도로서, 반도체 웨이퍼(150)의 전(全)외측면에는 가이드(160)가 위치되어 고정되어 있다.3 is a photographic view of a state in which a guide is positioned on an outer surface of a semiconductor wafer adhered to an upper portion of a wax according to the present invention, and the guide 160 is positioned on the entire outer surface of the semiconductor wafer 150. It is fixed.

여기서, 상기 가이드(160)는 글래스(Glass) 가이드인 것이 바람직하다.Here, the guide 160 is preferably a glass (glass) guide.

그러므로, 반도체 웨이퍼(150)는 메탈 블록에 고정되어 있으므로, 흔들림이 줄어들고, 반도체 웨이퍼(150) 하부에 지지판(120)이 존재하여 절삭 공정시 반도체 웨이퍼(150)에 인가되는 충격을 흡수하는 특성이 향상된다.Therefore, since the semiconductor wafer 150 is fixed to the metal block, the shaking is reduced, and the support plate 120 exists under the semiconductor wafer 150 to absorb shocks applied to the semiconductor wafer 150 during the cutting process. Is improved.

더불어, 다이아몬드 휠이 가이드(16)의 외측면에 최초 접촉되면서 절삭 공정이 시작됨으로, 종래 기술과 같이, 반도체 웨이퍼에 다이아몬드 휠이 최초 접촉되면서 인가된 충격으로 발생된 크랙(Crack)과 같은 웨이퍼 손상을 제거할 수 있게 된다.
In addition, since the cutting process starts when the diamond wheel first contacts the outer surface of the guide 16, as in the prior art, wafer damage such as cracks generated by an impact applied when the diamond wheel first contacts the semiconductor wafer. Can be removed.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 메탈 블록에 왁스로 고정된 지지판 상부에 반도체 웨이퍼를 고정시켜, 절삭 공정중 흔들림을 줄일 수 있고 반도체 웨이퍼에 인가되는 충격을 원활히 흡수할 수 있는 효과가 있다. As described in detail above, the present invention has the effect of fixing the semiconductor wafer on the top of the support plate fixed with wax to the metal block, to reduce the shaking during the cutting process and to smoothly absorb the impact applied to the semiconductor wafer.                     

또한, 반도체 웨이퍼의 외측면에 가이드가 존재하여, 가이드의 외측면에 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 절삭 공정을 수행함으로써, 다이아몬드 휠이 최초 접촉되어 인가된 충격으로 발생되는 웨이퍼 손상을 제거할 수 있는 효과가 있다.In addition, the guide is present on the outer surface of the semiconductor wafer, the diamond wheel is in contact with the outer surface of the guide for the first time to perform the cutting process, the diamond wheel is in contact with the initial effect can remove the wafer damage caused by the applied impact There is.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.













Although the invention has been described in detail only with respect to specific examples, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.













Claims (3)

하부가 나사를 이용하여 외부 고정장치에 고정되어진 메탈 블록을 가열시키고, 상기 메탈 블록의 상부면에 제 1 왁스(Wax)를 도포하는 제 1 단계와;A first step of heating a metal block having a lower portion fixed to an external fixing device by using a screw, and applying a first wax to an upper surface of the metal block; 상기 도포된 제 1 왁스 상부에 지지판을 접착한 다음, 냉각시켜 고정시키는 제 2 단계와;A second step of adhering a support plate on the coated first wax and then cooling and fixing the upper plate; 상기 메탈 블록을 가열시켜 상기 지지판에 열전달시키고, 상기 지지판 상부면에 제 2 왁스를 도포하는 제 3 단계와; A third step of heating the metal block to heat transfer to the support plate and applying a second wax to the upper surface of the support plate; 상기 제 2 왁스 상부에 반도체 웨이퍼를 접착시키고, 상기 반도체 웨이퍼의 외측면을 감싸는 가이드를 상기 제 2 왁스 상부에 접착하고, 냉각시켜 상기 반도체 웨이퍼 및 가이드를 상기 제 2 왁스에 고정시키는 제 4 단계와;Bonding a semiconductor wafer to the upper part of the second wax, attaching a guide covering the outer surface of the semiconductor wafer to the upper part of the second wax, and cooling the fourth wafer to fix the semiconductor wafer and the guide to the second wax; ; 상기 반도체 웨이퍼의 절삭 공정을 수행하는 제 5 단계로 이루어진 반도체 웨이퍼 절삭 방법.And a fifth step of performing the cutting process of the semiconductor wafer. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지판은 글래스 또는 세라믹으로 이루어지고,The support plate is made of glass or ceramic, 상기 가이드는 글래스 가이드인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 절삭 방법.The guide is a glass wafer cutting method, characterized in that the glass guide. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 5 단계의 반도체 웨이퍼의 절삭 공정은,The cutting process of the semiconductor wafer of the fifth step, 절삭을 위한 다이아몬드 휠을 상기 가이드의 외측면에 최초로 접촉시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 절삭 방법.And a diamond wheel for cutting for the first time in contact with the outer surface of the guide.
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