KR101070046B1 - 원자층 증착장치 - Google Patents

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Abstract

서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간극 통한 불필요한 가스 유동인 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치가 개시된다. 서셉터 플로우 제거부를 구비하는 원자층 증착장치는, 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간격으로 유입되는 서셉터 플로우를 제거하기 위한 서셉터 플로우 제거부가 구비된다. 여기서, 상기 서셉터 플로우 제거부는 상기 서셉터 유닛의 측면에 형성된 흡입구 및 상기 서셉터 유닛 내부를 관통하여 상기 흡입구와 연통되며 상기 흡입구에서 흡입된 상기 서셉터 플로우를 배출시키는 배출 유로가 형성될 수 있다.
Figure R1020090130890
원자층 증착장치, ALD, 메인 배플(main baffle), 서셉터 플로우(susceptor flow)

Description

원자층 증착장치{ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 원자층 증착 장치에 관한 것으로 서셉터 유닛과 메인 배플 사이로 유입되는 가스의 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치를 제공한다.
일반적으로, 반도체 기판이나 글라스 등의 기판 상에 소정 두께의 박막을 증착하는 방법으로는 스퍼터링(sputtering)과 같이 물리적인 충돌을 이용하는 물리 기상 증착법(physical vapor deposition, PVD)과, 화학반응을 이용하는 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition, CVD) 등이 있다. 최근 반도체 소자의 디자인 룰(design rule)이 급격하게 미세해짐에 따라 미세 패턴의 박막이 요구되고 박막이 형성되는 영역의 단차 또한 매우 커졌다. 이러한 추세로 인해 원자층 두께의 미세 패턴을 매우 균일하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라 스텝 커버리지(step coverage)가 우수한 원자층 증착방법(atomic layer deposition, ALD)의 사용이 증대되고 있다.
ALD는 기체 분자들 간의 화학반응을 이용한다는 점에 있어서 일반적인 화학 기상 증착방법과 유사하다. 하지만, 통상의 CVD가 다수의 기체 분자들을 동시에 챔버 내로 주입하여 발생된 반응 생성물을 기판에 증착하는 것과 달리, ALD는 하나 의 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버 내로 주입하여 가열된 기판에 화학흡착시키고 이후 다른 소스 물질을 포함하는 가스를 챔버에 주입함으로써 기판 표면에서 소스 물질 사이의 화학반응에 의한 생성물이 증착된다는 점에서 차이가 있다. 이러한 ALD는 스텝 커버리지 특성이 매우 우수하며 불순물 함유량이 낮은 순수한 박막을 증착하는 것이 가능하다는 장점을 갖고 있어 현재 널리 각광받고 있다.
원자층 증착장치 중에서 스루풋(throughput)을 향상시키기 위해 다수 장의 기판에 대해 동시에 증착공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 개시되어 있다. 통상적으로 세미 배치 타입 원자층 증착장치는 서로 다른 종류의 증착가스가 분사되는 영역이 형성되고, 가스분사부 또는 서셉터 유닛의 고속 회전에 의해 기판이 순차적으로 각 영역을 통과함에 따라 기판 표면에서 증착가스 사이의 화학반응이 발생하여 반응 생성물이 증착된다.
통상적으로 원자층 증착장치는 샤워헤드 유닛 또는 서셉터 유닛이 고속으로 회전하면서 서로 다른 종류의 소스가스들이 분사되고, 기판이 순차적으로 소스가스를 통과하여 기판 표면에 박막이 형성된다. 그리고 원자층 증착공정에서 발생하는 배기가스는 챔버 내측 둘레를 따라 구비된 메인 배플(main baffle)을 통해 프로세스 챔버 외부로 배출된다. 여기서, 서셉터 유닛이 승강 이동 및 회전이 가능하도록 서셉터 유닛과 메인 배플 사이에 소정의 간극이 형성된다. 그런데, 배기가스는 메인 배플을 통해 외부로 배출되는데, 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간극을 통해서도 배기가스의 일부가 유입되고 서셉터 유닛 하부에서 배기가스에 포함된 미반응 소스가스의 혼합 및 화학 반응에 따른 파티클이 발생할 수 있으며, 이러한 파티 클은 프로세스 챔버를 오염시키고 증착공정에서 오염원으로 작용하여 불량이 발생할 수 있다. 또한, 프로세스 챔버 하부에는 히터 유닛과 서셉터 유닛의 실링을 위한 구조물들이 구비되어 있어서, 프로세스 챔버 하부에서 배기가스 및 파티클을 완전히 제거하기가 어렵다는 문제점이 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들은 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간극을 통해 유입되는 가스의 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치는, 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간격으로 유입되는 서셉터 플로우를 제거하기 위한 서셉터 플로우 제거부가 구비된다. 여기서, 상기 서셉터 플로우 제거부는 상기 서셉터 유닛의 측면에 형성된 흡입구 및 상기 서셉터 유닛 내부를 관통하여 상기 흡입구와 연통되며 상기 흡입구에서 흡입된 상기 서셉터 플로우를 배출시키는 배출 유로가 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면 둘레를 따라 상기 서셉터 유닛을 관통하여 형성된 적어도 하나 이상의 홀을 포함할 수 있다. 또는, 상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면 둘레를 따르는 연속 또는 불연속 링 형태를 갖고 상기 서셉터 유닛을 관통하는 적어도 하나 이상의 슬릿을 포함할 수 있다. 그리고 상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면을 따라 평행하게 복수개의 슬릿이 구비될 수 있다.
그리고 상기 배출 유로는, 상기 서셉터 유닛 내부를 수평 방향으로 관통하여 상기 흡입구와 연통 형성된 제1 배출 유로 및 상기 서셉터 유닛의 구동축의 길이 방향을 따라 형성되며 상기 서셉터 유닛의 중앙에서 상기 제1 배출 유로와 연통되어 상기 서셉터 플로우를 배출시키는 제2 배출 유로를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 배출 유로는 상기 흡입구와 상기 제2 배출 유로를 연통시킬 수 있도록 상기 서셉터 유닛 측면에서 중심을 향하는 방향으로 형성되고, 적어도 하나 이상의 배출 유로가 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 배출 유로는 상기 서셉터 유닛의 직경 방향을 따라 형성되며 복수의 배출 유로가 방사상으로 형성될 수 있다. 그리고 상기 서셉터 유닛의 둘레를 따라 상기 흡입구 및 상기 제1 배출 유로를 연통시키는 연통 유로가 형성될 수 있다.
한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치는, 기판이 수평 안착 가능하도록 원반 형태를 갖는 서셉터 플레이트와 상기 서셉터 플레이트의 중앙 하부에 결합되어 상기 서셉터 플레이트의 승강 이동 및 회전을 위한 구동축을 포함하는 서셉터 유닛, 상기 서셉터 유닛 주변에 구비되어 배기가스를 배출시키는 배기홀이 형성된 메인 배플을 포함하는 챔버 배기부 및 상기 서셉터 플레이트와 상기 메인 배플 사이의 간격으로 유입되는 가스의 서셉터 플로우를 제거할 수 있도록 상기 서셉터 플레이트의 측면을 관통하여 형성된 흡입구와 상기 서셉터 플레이트의 직경 방향을 따라 상기 서셉터 플레이트를 수평 방향으로 관통하여 형성된 제1 배출 유로와 상기 구동축을 관통하여 형성된 제2 배출 유로를 포함하는 서셉터 플로우 제거부를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 상기 서셉터 플레이트의 가장자리 둘레를 따라 상기 흡입구 및 상기 제1 배출 유로를 연통시키는 연통 유로가 형성되고, 상기 연통 유로는 상기 서셉터 플레이트 내부에 은폐된 형태를 가질 수 있다.
이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 서셉터 유닛의 측부에 복수의 홀 또는 슬릿을 형성함으로써 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간극으로 유입되는 서셉터 플로우를 제거할 수 있다.
또한, 서셉터 플로우가 프로세스 챔버 하부로 유입되는 것을 방지하여, 프로세스 챔버 하부에서 파티클이 발생하고 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 프로세스 챔버 하부에서 분위기를 형성하기 위한 분위기 가스가 서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간극을 통해 서셉터 유닛 상부로 유입되는 것을 방지하여, 분위기 가스로 인한 프로세스 챔버 내부의 환경이 변화되고 이로 인해 오염 또는 불량이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 대해 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 서셉터 플로우를 제거할 수 있는 원자층 증착장치(100)에 대해 상세하게 설명한다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터 플로우 제거부(107)를 구비하는 원자층 증착장치(100)의 단면도이고, 도 2는 도 1의 원자층 증착장치(100)에서 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 서셉터 유닛(102)의 횡단면도이고, 도 3과 도 4는 도 1의 원자층 증착장치(100)에서 서셉터 플로우 제거부(107)를 설명하기 위한 서셉터 유닛(102)의 요부 사시도들이다.
도면을 참조하면, 원자층 증착장치(atomic layer deposition apparatus, ALD)(100)는 증착공정이 수행되는 공간을 제공하는 서셉터 유닛(102), 기판(10)에 소스가스를 제공하는 샤워헤드 유닛(103) 및 기판(10) 및 서셉터 유닛(102)을 가열하는 히터 유닛(105)을 포함하여 구성된다.
여기서, 원자층 증착장치(100)는 다수의 기판(10)이 수평으로 배치되어 동시에 증착공정이 수행되는 세미 배치 타입(semi-batch type)이 사용될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 원자층 증착장치는 수평으로 안착된 한 장의 기판(10)에 대해 소스가스를 제공하여 증착공정이 수행되는 싱글 타입(single type)일 수 있다. 또한, 원자층 증착장치(100)의 상세한 기술구성은 본 발명의 요지가 아니므로, 자세한 설명 및 도시를 생략하고 주요 구성요소에 대해서만 간략하게 설명한다.
본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판(10)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명의 대상이 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것은 아니며, 기판(10)은 LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판일 수 있다. 또한, 기판(10)의 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
또한, 본 실시예에서 '소스가스'라 함은 증착공정에서 사용되는 가스들로써, 증착하고자 하는 박막의 원료 물질을 포함하는 반응가스(source gas or reactant)와 기판(10) 표면에 화학흡착된 반응물을 제외한 나머지 가스를 제거하기 위한 퍼지가스(purge gas)를 포함할 수 있다.
샤워헤드 유닛(103)은 프로세스 챔버(101) 내부에서 서셉터 유닛(102) 상부에 구비되며 수평으로 안착된 기판(10)에 대해 소스가스를 분사할 수 있도록 복수의 분사홀이 형성되고, 샤워헤드 유닛(103) 일 측에는 샤워헤드 유닛(103)에 소스가스를 공급하기 위한 소스가스 공급부(104)가 구비될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 샤워헤드 유닛(103)은 샤워헤드 형태 이외에도 소스가스를 기판(10)에 제공할 수 있는 노즐이나 에어 나이프(air knife) 등과 같이 실질적으로 다양한 형태를 가질 수 있다.
서셉터 유닛(102)은 프로세스 챔버(101) 내부에 구비되며 기판(10)이 수평 방향으로 안착 가능한 형태를 갖는 서셉터 플레이트(121)와 프로세스 챔버(101) 내부에서 상하로 승강 이동 가능하도록 서셉터 구동축(125)을 포함하여 구성될 수 있다. 예를 들어, 서셉터 플레이트(121)는 한 장 또는 복수 장의 기판(10)이 수평 방향으로 안착될 수 있는 크기를 가지며, 회전 가능하도록 소정 높이를 갖는 원반 형태를 가질 수 있다. 여기서, 서셉터 유닛(102)의 형태는 도면에 의해 한정되는 것은 아니며 기판(10)의 크기와 형태 및 안착되는 기판(10)의 장수에 따라 실질적 으로 다양하게 변경될 수 있다.
프로세스 챔버(101) 일측에는 프로세스 챔버(101) 내부에서 미반응 소스가스를 포함하는 배기가스를 배출시키기 위한 챔버 배기부(106)가 구비될 수 있다. 예를 들어, 챔버 배기부(106)는 복수의 배기홀(162)이 형성된 메인 배플(main baffle)(161)과 배기가스를 배출시키기 위한 챔버 배기 펌프(165)를 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 메인 배플(161)은 프로세스 챔버(101) 내측에서 서셉터 유닛(102)의 둘레를 따라 구비되고 프로세스 챔버(101) 내부에서 배기가스를 흡입할 수 있도록 복수의 배기홀(162)이 형성되고 프로세스 챔버(101)에 일측에 형성된 챔버 배기구(164)를 통해 챔버 배기 펌프(165)로 배기가스를 배출시키는 유로가 된다. 예를 들어, 메인 배플(161)은 내부에 배기가스를 배출시키는 유로가 되는 빈 공간이 형성되고 상면을 관통하여 복수의 배기홀(162)이 형성된 박스 형태를 가질 수 있다. 여기서, 메인 배플(161)은 기판(10) 상부에서 배기가스를 효과적으로 흡입하여 배출시킬 수 있도록 메인 배플(161)의 상면이 서셉터 플레이트(121) 상면과 유사한 높이를 갖도록 형성될 수 있다.
한편, 서셉터 유닛(102)이 승강 이동 및 회전 가능하도록 메인 배플(161)과 서셉터 플레이트(121) 사이는 소정 간격 이격되어 구비되고, 서셉터 플레이트(121)의 측면에는 메인 배플(161)과 서셉터 플레이트(121) 사이의 간극으로 유입되는 가스(이하에서는, 이와 같이 유입되는 가스 유동을 '서셉터 플로우(fs)'라 한다)를 제거하기 위한 서셉터 플로우 제거부(107)가 구비된다. 그리고 도면에서 프로세스 챔버(101) 내부에서 메인 배플(161)로 유입되는 배기가스의 유동을 메인 플로 우(main flow)(fm)라 한다.
서셉터 플로우 제거부(107)는 서셉터 플레이트(121)의 측면에 형성된 복수의 흡입구(171)와 흡입된 서셉터 플로우(fs)를 프로세스 챔버(101) 외부로 배출시키기 위해서 구동축(125)을 관통하여 형성된 제2 배출 유로(175) 및 흡입구(171)와 제2 배출 유로(175)를 연통시키는 제1 배출 유로(173)를 포함하여 형성된다. 그리고 제2 배출 유로(175)에는 서셉터 플로우(fs)의 배출을 위한 배출 펌프(177)가 구비될 수 있다.
여기서, 흡입구(171)는 서셉터 플레이트(121)와 메인 배플(161) 사이의 간격에서 서셉터 플로우(fs)를 흡입할 수 있도록 서셉터 플레이트(121) 측면을 관통하여 형성되며, 홀(171a) 또는 슬릿(171b) 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 흡입구(171)는, 도 3에 도시한 바와 같이, 서셉터 플레이트(121)의 측면 둘레를 따라 일정 간격으로 복수의 홀(171a)이 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 홀(171a)의 형태나 크기, 수는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 도면에서는 홀(171a)이 한 줄로 배치된 것으로 예시하였으나, 홀(171a)이 2줄 이상 복수 개의 열로 배치되는 것도 가능하다.
또는, 흡입구(171)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 서셉터 플레이트(121)의 측면 둘레를 따르는 연속된 링 형태의 슬릿(171b)이 형성될 수 있다. 마찬가지로, 슬릿(171b)의 형태나 크기, 수 역시 실질적으로 다양하게 변경될 수 있으며, 흡입구(171)는 상술한 홀(171a)이나 슬릿(171b) 형태 이외에도 실질적으로 다양한 형태를 가질 수 있다. 그리고 도면에서는 하나의 슬릿(171b)을 예시하였으나 서셉터 플레이트(121)의 측면에서 평행하게 복수의 슬릿(171b)이 형성되는 것도 가능하다. 또한, 슬릿(171b)은 연속된 링 형태 이외에도 불연속적인 형태를 갖는 것도 가능하다.
제2 배출 유로(175)는 구동축(125)의 길이 방향을 따라 상하 방향으로 관통하여 형성되며, 제1 배출 유로(173)와 서셉터 플레이트(121) 중앙에서 연통될 수 있다. 그리고 제1 배출 유로(173)는 서셉터 플레이트(121) 측면과 서셉터 플레이트(121) 중앙의 제2 배출 유로(175)를 연통시킬 수 있도록 형성되되, 서셉터 플레이트(121)의 내부를 수평 방향으로 관통하여 형성된다. 예를 들어, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 배출 유로(173)는 서셉터 플레이트(121)에서 소정 깊이 내부에 형성되며, 서셉터 플레이트(121)의 직경 방향을 따라 관통 형성된 복수의 제1 배출 유로(173)가 방사상으로 배치될 수 있다.
그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 제1 배출 유로(173)의 형태와 수는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다.
한편, 흡입구(171)는 서셉터 플로우(fs)를 효과적으로 흡입하여 제거할 수 있도록 비교적 단면적이 작은 홀(171a)이 조밀하게 배치되거나 개구면적이 작은 슬릿(171b)이 구비되며, 서셉터 플레이트(121)의 둘레를 따라 배치된다. 여기서, 제1 배출 유로(173)는 서셉터 플레이트(121)를 관통하여 형성되므로 기판(10) 및 서셉터 플레이트(121)의 온도 변화나 공정 조건 변화를 최소화하기 위해서 비교적 적은 수의 제1 배출 유로(173)가 형성된다. 본 실시예에서는 서셉터 플레이트(121) 둘레를 따라 형성된 흡입구(171)에서 흡입되는 서셉터 플로우(fs)를 효과적으로 흡 입하고 더불어 서셉터 플레이트(121) 둘레를 따라 균일하게 서셉터 플로우(fs)의 흡입 효과를 발생시킬 수 있도록 흡입구(171) 및 제1 배출 유로(173)를 연통시키는 연통 유로(174)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 연통 유로(174)는 서셉터 플레이트(121)의 가장자리 부분을 따라 연속된 링 형태로 형성됨으로써 전체 흡입구(171)를 모두 연통시킬 수 있으며, 서셉터 플레이트(121)의 측면에서 소정 깊이 내측에 은폐된 형태로 형성될 수 있다.
그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 연통 유로(174)의 형상과 크기 위치는 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 연통 유로(174)는 연속된 링 형태를 가질 필요는 없으며, 불연속적인 형태로 형성되되 하나의 제1 배출 유로(173)에 연결된 흡입구(171)의 수가 동일하도록 연통시키는 형태를 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 서셉터 플레이트(121)의 측면에 복수의 흡입구(171)를 형성하고 서셉터 플레이트(121)와 메인 배플(161) 사이로 유입되는 서셉터 플로우(fs)를 흡입함으로써 서셉터 플로우(fs)가 서셉터 유닛(102) 하부로 유입되는 것을 방지하고, 서셉터 유닛(102) 하부에 제공되는 분위기 가스가 서셉터 유닛(102) 상부로 유입되는 것도 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 서셉터 플로우(fs)로 인해 서셉터 유닛(102) 하부에 배기가스 배출 불량이 발생하고 파티클로 인해 프로세스 챔버(101)와 기판(10)이 오염되는 것을 방지하여 증착공정에서 불량 발생을 방지하고 수율을 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한 정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상술한 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 상술한 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 서셉터 플로우 제거부를 구비하는 원자층 증착장치의 단면도;
도 2는 도 1에서 서셉터 플로우 제거부를 설명하기 위한 Ⅰ-Ⅰ 선에 따른 서셉터 유닛의 횡단면도;
도 3은 도 1에서 서셉터 플로우 제거부의 일 예를 설명하기 위한 서셉터 유닛의 부분 사시도;
도 4는 도 3의 변형 실시예에 따른 서셉터 플로우 제거부를 설명하기 위한 서셉터 유닛의 부분 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 100: 원자층 증착장치
101: 프로세스 챔버 102: 서셉터 유닛
103: 샤워헤드 유닛 104: 소스가스 공급부
105: 히터 유닛 106: 챔버 배기부
107: 서셉터 플로우 제거부 121: 서셉터 유닛 플레이트
125: 구동축 161: 메인 배플
162: 배기홀 164: 챔버 배기구
165: 챔버 배기 펌프 171: 흡입구
171a: 홀 171b: 슬릿
172: 연통홀 173: 제1 배출 유로
174: 연통 유로 175: 제2 배출 유로
177: 배출 펌프 fm: 메인 플로우
fs: 서셉터 플로우

Claims (10)

  1. 원자층 증착장치에 있어서,
    서셉터 유닛과 메인 배플 사이의 간격으로 유입되는 서셉터 플로우를 제거하기 위한 서셉터 플로우 제거부가 구비되고,
    상기 서셉터 플로우 제거부는 상기 서셉터 유닛의 측면에 형성된 흡입구 및 상기 서셉터 유닛 내부를 관통하여 상기 흡입구와 연통되며 상기 흡입구에서 흡입된 상기 서셉터 플로우를 배출시키는 배출 유로가 형성된 원자층 증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면 둘레를 따라 상기 서셉터 유닛을 관통하여 형성된 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 원자층 증착장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면 둘레를 따르는 연속 또는 불연속 링 형태를 갖고 상기 서셉터 유닛을 관통하는 적어도 하나 이상의 슬릿을 포함하는 원자층 증착장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 흡입구는 상기 서셉터 유닛의 측면을 따라 평행하게 복수개가 구비된 슬릿을 포함하는 원자층 증착장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배출 유로는,
    상기 서셉터 유닛 내부를 수평 방향으로 관통하여 상기 흡입구와 연통 형성된 제1 배출 유로; 및
    상기 서셉터 유닛의 구동축의 길이 방향을 따라 형성되며 상기 서셉터 유닛의 중앙에서 상기 제1 배출 유로와 연통되어 상기 서셉터 플로우를 배출시키는 제2 배출 유로;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 배출 유로는 상기 서셉터 유닛 측면에서 중심을 향하는 방향으로 형성되고, 적어도 하나 이상의 배출 유로가 형성된 원자층 증착장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 배출 유로는 상기 서셉터 유닛의 직경 방향을 따라 형성되며 복수의 배출 유로가 방사상으로 형성된 원자층 증착장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 서셉터 유닛의 둘레를 따라 상기 흡입구 및 상기 제1 배출 유로를 연통시키는 연통 유로가 형성된 원자층 증착장치.
  9. 원자층 증착장치에 있어서,
    기판이 수평 안착 가능하도록 원반 형태를 갖는 서셉터 플레이트와 상기 서셉터 플레이트의 중앙 하부에 결합되어 상기 서셉터 플레이트의 승강 이동 및 회전을 위한 구동축을 포함하는 서셉터 유닛; 및
    상기 서셉터 플레이트와 메인 배플 사이의 간격으로 유입되는 가스의 서셉터 플로우를 제거할 수 있도록 상기 서셉터 플레이트의 측면을 관통하여 형성된 흡입구와 상기 서셉터 플레이트의 직경 방향을 따라 상기 서셉터 플레이트를 수평 방향으로 관통하여 형성된 제1 배출 유로와 상기 구동축을 관통하여 형성된 제2 배출 유로를 포함하는 서셉터 플로우 제거부;
    를 포함하는 원자층 증착장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 서셉터 플레이트의 가장자리 둘레를 따라 상기 흡입구 및 상기 제1 배출 유로를 연통시키는 연통 유로가 형성되고,
    상기 연통 유로는 상기 서셉터 플레이트 내부에 은폐된 형태를 갖는 원자층 증착장치.
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