KR101069528B1 - Power supply apparatus of display unit - Google Patents

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    • H02J7/007192—Regulation of charging or discharging current or voltage the charge cycle being controlled or terminated in response to non-electric parameters in response to temperature

Abstract

본 발명은 텔레비전과 같은 영상기기의 부품이 고온으로부터 손상되는 것을 방지하기 위한 영상기기의 전원공급 장치에 관한 것으로, 외부로부터 입력된 직류전압을 가공하여 대기상태에서 동작되는 회로부로 필요한 직류전원을 공급함과 아울러 메인전원부로 작동 제어신호를 출력하는 스탠바이전원부와, 상기 스탠바이전원부의 작동 제어신호에 따라 동작되며 외부로부터 입력된 직류전압을 적어도 하나 이상의 전압레벨로 가공하여 각종 회로부로 공급하는 메인전원부, 및 상기 스탠바이전원부와 메인전원부 사이에 설치되어 주변온도를 검출하고, 검출된 온도가 설정온도를 초과할 경우 메인전원부로 공급되는 작동 제어신호를 제어하여 메인전원부가 셧다운되도록 하는 고온보호회로부를 포함한다.

Figure R1020090067661

영상기기, 전원장치, 스탠바이전원부, 메인전원부, 고온, 서미스터, 보호

The present invention relates to a power supply device for a video device for preventing damage to a component of a video device such as a television from high temperature, and supplies the required DC power to the circuit unit operating in the standby state by processing the DC voltage input from the outside And a standby power supply for outputting an operation control signal to the main power supply, a main power supply which is operated according to the operation control signal of the standby power supply and processes DC voltage input from outside to at least one voltage level and supplies them to various circuits; It is installed between the standby power supply unit and the main power supply unit detects the ambient temperature, and if the detected temperature exceeds the set temperature includes a high temperature protection circuit for controlling the operation control signal supplied to the main power supply unit to shut down.

Figure R1020090067661

Imaging device, power supply, standby power supply, main power supply, high temperature, thermistor, protection

Description

영상기기의 전원공급 장치{POWER SUPPLY APPARATUS OF DISPLAY UNIT}Power supply device for video equipment {POWER SUPPLY APPARATUS OF DISPLAY UNIT}

본 발명은 고온 보호회로에 관한 것으로, 특히 텔레비전과 같은 영상기기의 부품이 고온으로부터 손상되는 것을 방지하기 위한 영상기기의 전원공급 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high temperature protection circuit, and more particularly, to a power supply of an imaging device for preventing damage to components of an imaging device such as a television from high temperature.

텔레비전과 같은 영상기기 등은 회로를 작동시키는 전원으로써, 교류 전원이 공급될 수 있다.A video device such as a television is a power source for operating a circuit, and AC power can be supplied.

상기 영상기기로 인가되는 AC 전압은 항상 일정한 것이 아니라 사용되는 환경의 변화에 따라 예상치 못한 과전압이 인가될 수도 있다.The AC voltage applied to the imaging device is not always constant, but an unexpected overvoltage may be applied according to a change in the environment used.

따라서 입력전압 변동에 따른 기기의 파손을 막기 위해 입력전압 허용범위 이내에서만 동작되도록 하기 위한 보호회로가 반드시 필요해진다.Therefore, in order to prevent the device from being damaged due to fluctuation of input voltage, a protection circuit is required to operate only within the allowable range of input voltage.

이와 같은 이유로 일반적인 전원공급장치는 과전압과 과전류 및 저전압에 대한 보호회로는 구성되어 있으나, 온도에 대한 보호회로는 정의되어 있지 않다. 따라서, 영상기기의 작동으로 인한 발열로 인하여 각종 부품들이 손상될 수 있을 뿐 만 아니라 더 나아가 2차 및 3차 부품의 손상과 오동작으로 인한 큰 손실이 발생될 수 있다.For this reason, the general power supply has a protection circuit against overvoltage, overcurrent and undervoltage, but a protection circuit against temperature is not defined. Therefore, not only the various components may be damaged due to the heat generated by the operation of the imaging apparatus, but also a large loss may occur due to the damage and malfunction of the secondary and tertiary components.

이에 따라 영상기기를 고온으로부터 보호하는 고온 보호 회로에 대한 개발이 시급하다.Accordingly, there is an urgent need to develop a high temperature protection circuit that protects the imaging device from high temperature.

본 발명은 전원장치에 서미스터를 이용한 보호회로를 설치하여 주변온도가 설정온도 이상이 되면 메인전원부를 셧다운시킴으로써, 고온에서 각종 부품들의 손상되는 것을 방지할 수 있는 영상기기의 전원공급 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a power supply device for a video device that can be installed in the power supply device using a thermistor to shut down the main power supply when the ambient temperature is higher than the set temperature, thereby preventing damage to various components at high temperature will be.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above may be clearly understood by those skilled in the art from the following description. There will be.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전원공급 장치는, 외부로부터 입력된 직류전압을 가공하여 대기상태에서 동작되는 회로부로 필요한 직류전원을 공급함과 아울러 메인전원부로 작동 제어신호를 출력하는 스탠바이전원부; 상기 스탠바이전원부의 작동 제어신호에 따라 동작되며 외부로부터 입력된 직류전압을 적어도 하나 이상의 전압레벨로 가공하여 각종 회로부로 공급하는 메인전원부; 및 상기 스탠바이전원부와 메인전원부 사이에 설치되어 주변온도를 검출하고, 검출된 온도가 설정온도를 초과할 경우 메인전원부로 공급되는 작동 제어신호를 제어하여 메인전원부가 셧다운되도록 하는 고온보호회로부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The power supply apparatus of the present invention for achieving the above object, the standby power supply for processing the DC voltage input from the outside to supply the necessary DC power to the circuit unit operated in the standby state and outputs an operation control signal to the main power supply; A main power supply operated according to an operation control signal of the standby power supply and configured to process a DC voltage input from the outside into at least one voltage level and supply it to various circuit parts; And a high temperature protection circuit unit installed between the standby power supply unit and the main power supply unit to detect an ambient temperature, and to control an operation control signal supplied to the main power supply unit when the detected temperature exceeds a set temperature to shut down the main power supply unit. Characterized in that.

구체적으로, 상기 고온보호회로부는 상기 스탠바이전원부의 제어단과 제1 노드 사이에 연결되어 주변온도가 상승함에 따라 저항값이 감소되는 서미스터; 상기 서미스터의 저항값에 따라 제1 노드에 인가되는 검출전압이 가변되고 서미스터의 저항값의 감소에 따라 고전압을 출력하는 전압검출부; 및 상기 전압검출부를 통해 출력되는 신호에 따라 스위칭되어 상기 스탠바이전원부에서 메인전원부로 공급되는 작동 제어신호를 조절하여 메인전원부를 셧다운시키는 스위칭부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Specifically, the high temperature protection circuit unit is connected between the control terminal of the standby power supply unit and the first node, the thermistor whose resistance value decreases as the ambient temperature increases; A voltage detector configured to vary a detection voltage applied to a first node according to a resistance of the thermistor and output a high voltage according to a decrease in the resistance of the thermistor; And a switching unit which is switched according to the signal output through the voltage detector and shuts down the main power supply by adjusting an operation control signal supplied from the standby power supply to the main power supply.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 전원장치에 서미스터를 이용한 보호회로를 설치하여 주변온도가 설정온도 이상이 되면 메인전원부를 셧다운시킴으로써, 고온에서 각종 부품들의 손상되는 것을 방지하여 제품의 신뢰성을 높일 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention provides a protection circuit using a thermistor in the power supply and shuts down the main power supply when the ambient temperature is higher than the set temperature, thereby preventing damage to various components at high temperatures, thereby improving reliability of the product. There is an advantage.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명 한다. 도면들 중 동일한 구성요소들은 가능한 어느 곳에서든지 동일한 부호로 표시한다. 또한 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. Like elements in the figures are denoted by the same reference numerals wherever possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention will be omitted.

도 1은 본 발명과 관련된 영상기기의 전원공급장치를 나타낸 블록도로서, EMI필터(1)와 정류회로부(5), 역률보상부(10), 스탠바이전원부(30) 및 메인전원부(50)를 포함하여 이루어져 있다.1 is a block diagram illustrating a power supply device for an imaging apparatus according to the present invention. The EMI filter 1 and the rectifier circuit unit 5, the power factor correction unit 10, the standby power supply unit 30, and the main power supply unit 50 are shown. Consists of including.

EMI필터(1)는 입력 교류전원에 포함되어 있는 전자기 방해(Electromagnetic Interference; EMI) 잡음을 제거하기 위한 필터이다.The EMI filter 1 is a filter for removing electromagnetic interference (EMI) noise included in the input AC power.

정류회로부(5)는 EMI필터(1)로부터 노이즈가 제거된 교류전원이 입력되면 이를 직류전원으로 변환하는 풀브리지 다이오드와 같은 회로부이다.The rectifier circuit part 5 is a circuit part such as a full bridge diode that converts an AC power source from which noise is removed from the EMI filter 1 into a DC power source.

역률보상부(10; Power Factor Correction)는 정류회로부(5)로부터 입력되는 직류전원을 교류전원의 변동에 관계없이 항상 일정한 레벨의 직류전압을 출력한다.The power factor correction unit 10 always outputs a DC voltage of a constant level to the DC power input from the rectifying circuit unit 5 regardless of the change of the AC power.

스탠바이전원부(30)는 입력되는 직류전압을 가공하여 대기상태에서 동작되는 회로부(예를 들어, 마이크로컴퓨터)에서 필요로 하는 직류전원(DC 5V)을 생성하여 공급한다. 상기에서 스탠바이전원부(30)는 소정의 전압검출부를 통해 저전압 또는 과전압이 검출되면 전원의 출력을 차단하는 기능도 내장되어 있다.The standby power supply unit 30 generates and supplies a DC power (DC 5V) required by a circuit unit (for example, a microcomputer) operating in a standby state by processing the input DC voltage. The standby power supply unit 30 has a built-in function to block the output of the power supply when a low voltage or an overvoltage is detected through a predetermined voltage detection unit.

메인전원부(50)는 상기 스탠바이전원부(30)의 온,오프 제어에 따라 작동되며 역률보상부(10)로부터 입력되는 직류전압을 필요에 따라 다양한 전압레벨로 가공하여 각종 회로부로 공급하도록 구성되어 있다.The main power supply unit 50 is operated according to the on / off control of the standby power supply unit 30, and is configured to process a DC voltage input from the power factor correction unit 10 to various circuit levels by processing them at various voltage levels as necessary. .

즉, 입력 교류전원이 EMI필터(1)에 입력되어 전자기 방해(EMI) 노이즈가 제 거되고, 정류회로부(5)에 의해 정류된 후 역률보상부(10)를 통해 스탠바이전원부(30)의 구동전압으로 공급된다. 상기 스탠바이전원부(30)는 입력되는 직류전압을 가공하여 스탠바이 회로부에서 필요로 하는 전원을 생성하여 해당 장치로 공급한다. 이와 같이 스탠바이전원부(30)를 별도로 구비하는 이유는 대기상태에서 소비전력을 최소화하기 위함이다.That is, the input AC power is input to the EMI filter 1 to remove the electromagnetic interference (EMI) noise, rectified by the rectifier circuit unit 5, and then driving the standby power supply unit 30 through the power factor correction unit 10. Supplied with voltage. The standby power supply unit 30 generates the power required by the standby circuit unit by processing the input DC voltage to supply to the device. The reason for providing the standby power supply unit 30 separately is to minimize the power consumption in the standby state.

이후, 사용자가 리모콘 등을 이용하여 전원을 온시키면, 스탠바이전원부(30)는 메인전원부(50)로 전원 온 제어신호를 출력하여 메인전원부(50)가 작동되도록 한다. 이에 따라 메인전원부(50)는 각종 회로부로 필요로 하는 전원을 공급하여 영상기기가 작동되도록 한다.Thereafter, when the user turns on the power using a remote controller, the standby power supply unit 30 outputs a power-on control signal to the main power supply unit 50 to operate the main power supply unit 50. Accordingly, the main power supply unit 50 supplies power required by various circuit units so that the video device is operated.

이와 같이 구성된 일반적인 전원공급장치는 주변 온도를 검출하는 기능이 구현되어 있지 않아, 주변온도에 상관없이 매뉴얼(Manual)로 전원을 오프시키지 않으면 영상기기가 항상 켜져 있게 된다. 이때 제품의 발열로 인해 주변온도가 올라가고 부품의 온도는 주변온도에 상대적으로 높아지게 되므로, 부품의 방폭 등의 손상이 발생될 가능성이 있다.The general power supply configured as described above does not implement the function of detecting the ambient temperature, and thus, the image device is always turned on unless the power is turned off by manual regardless of the ambient temperature. At this time, since the ambient temperature rises due to the heat of the product and the temperature of the component is relatively high relative to the ambient temperature, there is a possibility that damage such as explosion-proof of the component may occur.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 영상기기의 전원공급 장치를 나타낸 회로도로서, 역률보상부(10), 스탠바이전원부(30), 메인전원부(50), 및 고온보호회로부(70)를 포함하여 이루어져 있다.2 is a circuit diagram illustrating a power supply device for an imaging apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, including a power factor correction unit 10, a standby power supply unit 30, a main power supply unit 50, and a high temperature protection circuit unit 70. consist of.

역률보상부(10; PFC)는 외부로부터 입력되는 직류전원을 소정의 교류전원의 변동에 관계없이 항상 일정한 레벨의 직류전압을 출력한다. 상기 역률보상부(10)의 경우 코일과 스위칭소자 및 정류용 다이오드 등을 포함하여 구성될 수 있다. The power factor correction unit 10 (PFC) always outputs a DC level of a constant level to a DC power input from the outside regardless of a change in a predetermined AC power. The power factor correction unit 10 may include a coil, a switching element, a rectifier diode, and the like.

스탠바이전원부(30)는 입력되는 직류전압을 가공하여 대기상태에서 동작되는 회로부(예를 들어, 마이크로컴퓨터)에서 필요로 하는 직류전원(DC 5V)을 생성하여 공급함과 아울러 외부로부터 전원 온 명령이 입력될 경우 메인전원부(50)로 작동 제어신호를 출력한다.The standby power supply unit 30 generates and supplies a DC power supply (DC 5V) required by a circuit unit (for example, a microcomputer) operating in a standby state by processing an input DC voltage and inputs a power-on command from the outside. If so, outputs the operation control signal to the main power supply (50).

메인전원부(50)는 상기 스탠바이전원부(30)의 온,오프 제어신호에 따라 작동되며 역률보상부(10)로부터 입력되는 직류전압을 필요에 따라 다양한 전압레벨로 가공하여 각종 회로부로 공급하도록 구성되어 있다.The main power supply unit 50 is operated according to the on / off control signal of the standby power supply unit 30, and is configured to process a DC voltage input from the power factor correction unit 10 at various voltage levels and supply it to various circuit units as necessary. have.

고온보호회로부(70)는 스탠바이전원부(30)와 메인전원부(50) 사이에 설치되어 주변온도를 검출하고 검출된 온도가 설정온도를 초과할 경우 메인전원부(50)로 공급되는 작동 제어신호를 제어하여 메인전원부(50)가 셧다운(shutdown)되도록 한다. 상기 고온보호회로부(70)는 도 2에서는 스탠바이전원부(30)와 분리하여 구성하였지만, 스탠바이전원부(30)에 내장하여 구성할 수도 있음은 당연하다.The high temperature protection circuit unit 70 is installed between the standby power supply unit 30 and the main power supply unit 50 to detect the ambient temperature and to control the operation control signal supplied to the main power supply unit 50 when the detected temperature exceeds the set temperature. The main power supply 50 is shut down. Although the high temperature protection circuit unit 70 is configured separately from the standby power supply unit 30 in FIG. 2, the high temperature protection circuit unit 70 may be incorporated in the standby power supply unit 30.

이와 같은 고온보호회로부(70)는 서미스터(71)와 전압검출부(73) 및 스위칭부(75)를 포함하여 구성될 수 있다.The high temperature protection circuit unit 70 may include a thermistor 71, a voltage detector 73, and a switching unit 75.

상기 서미스터(71)는 스탠바이전원부(30)의 제어단(Nd_ctrl)과 제1 노드(Nd1) 사이에 연결되어 주변온도가 상승함에 따라 저항값이 감소하여 전류가 증가되고 양단에 걸리는 전압은 감소하게 된다. 상기 서미스터(71)는 NTC(negative temperature coefficient) 타입으로 서미스터(71)의 온도가 낮을 때는 저항값이 커서 전류가 적게 흐르나 온도가 높아지면 저항값이 작아져서 전류가 증가하게 된다.The thermistor 71 is connected between the control terminal Nd_ctrl and the first node Nd1 of the standby power supply unit 30 so that the resistance value decreases as the ambient temperature increases, so that the current increases and the voltage across both ends decreases. do. The thermistor 71 is a negative temperature coefficient (NTC) type. When the temperature of the thermistor 71 is low, the resistance value is large, so that the current flows small, but when the temperature is high, the resistance value becomes small and the current increases.

전압검출부(73)는 상기 서미스터(71)의 저항값에 따라 제1 노드(Nd1)에 걸리 는 검출전압이 가변되게 되고 서미스터(71)의 저항값이 감소함에 따라 고전압을 출력하도록 구성되어 있는 데, 상기 전압검출부(73)는 분압저항(R1)과 제너다이오드(ZD)를 포함하여 구성될 수 있다.The voltage detector 73 is configured to output a high voltage as the detection voltage applied to the first node Nd1 varies according to the resistance value of the thermistor 71 and the resistance value of the thermistor 71 decreases. The voltage detector 73 may include a voltage divider R1 and a zener diode ZD.

상기 분압저항(R1)은 서미스터(71)의 일측인 제1 노드(Nd1)와 저전위(GND) 사이에 직렬 연결되어 스탠바이전원부(30)에서 출력되는 제어신호의 전압이 서미스터(71)의 저항값에 따라 가변되어 분압된다. 제너다이오드(ZD)는 상기 제1 노드(Nd1)와 스위칭부(75) 사이에 역방향으로 연결되어 분압저항(R1)에 걸리는 전압이 일정전압 이상일 경우 도통되도록 구성되어 있다.The voltage divider R1 is connected in series between the first node Nd1, which is one side of the thermistor 71, and the low potential GND, so that the voltage of the control signal output from the standby power supply unit 30 is the resistance of the thermistor 71. Depending on the value, it is divided. Zener diode ZD is configured to be connected in a reverse direction between the first node Nd1 and the switching unit 75 so as to conduct when the voltage applied to the voltage dividing resistor R1 is greater than or equal to a predetermined voltage.

스위칭부(75)는 상기 전압검출부(73)를 통해 출력되는 신호에 따라 스위칭되어 상기 스탠바이전원부(30)에서 메인전원부(50)로 공급되는 작동 제어신호를 조절하여 메인전원부(50)의 작동을 셧다운시키도록 구성되어 있다. 상기 스위칭부(75)는 제1 트랜지스터(Q1)와 제2 트랜지스터(Q2)를 포함하여 구성될 수 있다. The switching unit 75 is switched according to the signal output through the voltage detector 73 to adjust the operation control signal supplied from the standby power supply unit 30 to the main power supply unit 50 to operate the main power supply unit 50. It is configured to shut down. The switching unit 75 may include a first transistor Q1 and a second transistor Q2.

상기 제1 트랜지스터(Q1)는 스탠바이전원부(30)의 제어단(Nd_ctrl)과 저전위(GND) 사이에 전류통로가 연결되고 베이스에 연결된 제2 노드(Nd2)의 전위에 따라 스위칭되어 스탠바이전원부(30)에서 메인전원부(50)로 공급되는 작동 제어신호를 저전위로 풀다운시켜 메인전원부(50)를 셧다운시키는 PNP형 트랜지스터이다. 제2 트랜지스터(Q2)는 제1 트랜지스터(Q1)의 게이트인 제2 노드(Nd2)와 저전위(GND) 사이에 전류통로가 연결되고 전압검출부(73)의 제너다이오드(ZD)를 통해 인가되는 신호에 따라 스위칭되어 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스인 제2 노드(Nd2)의 전위를 저전위로 풀다운시키는 NPN형 트랜지스터이다.The first transistor Q1 is connected to a current path between the control terminal Nd_ctrl and the low potential GND of the standby power supply unit 30 and switched according to the potential of the second node Nd2 connected to the base, thereby turning on the standby power supply unit ( 30 is a PNP type transistor that shuts down the main power supply unit 50 by pulling down the operation control signal supplied to the main power supply unit 50 to a low potential. The second transistor Q2 is connected to a current path between the second node Nd2, which is the gate of the first transistor Q1, and the low potential GND, and is applied through the zener diode ZD of the voltage detector 73. It is an NPN type transistor that switches according to a signal and pulls down the potential of the second node Nd2 that is the base of the first transistor Q1 to a low potential.

상기와 같이 구성된 전원공급장치의 작동 과정을 살펴보면 아래와 같다.Looking at the operation of the power supply device configured as described above are as follows.

먼저, 사용자가 리모콘 등을 이용하여 영상기기의 전원을 온시키는 명령이 입력되면, 스탠바이전원부(30)는 메인전원부(50)로 전원 온 제어신호를 출력하여 메인전원부(50)가 작동되도록 한다. 이에 따라 메인전원부(50)는 각종 회로부로 필요한 전원을 가공하여 공급함에 따라 영상기기가 작동되도록 한다. 여기서, 메인전원부(50)는 스탠바이전원부(30)로부터 하이신호가 입력될 경우 작동된다.First, when a user inputs a command to turn on the power of the video device by using a remote controller, the standby power supply unit 30 outputs a power-on control signal to the main power supply unit 50 to operate the main power supply unit 50. Accordingly, the main power supply unit 50 processes and supplies the power required to various circuit units so that the video device is operated. Here, the main power supply unit 50 is operated when a high signal is input from the standby power supply unit 30.

이때, 서미스터(71)는 주변온도를 검출하고, 주변온도가 낮을 경우에는 서미스터(71)의 저항값이 커서 스탠바이전원부(30)에서 출력되는 제어신호의 전압은 서미스터(71)의 양단에 거의 걸리게 되므로 분압저항(R1)에 걸리는 전압은 제너다이오드(ZD)의 임계전압보다 낮게 된다. 이에 따라 제1 및 제2 트랜지스터(Q1, Q2)는 모두 오프 상태를 유지하게 된다. At this time, the thermistor 71 detects the ambient temperature. When the ambient temperature is low, the resistance of the thermistor 71 is large, so that the voltage of the control signal output from the standby power supply unit 30 is almost applied to both ends of the thermistor 71. Therefore, the voltage applied to the voltage dividing resistor R1 is lower than the threshold voltage of the zener diode ZD. As a result, the first and second transistors Q1 and Q2 are both maintained in the off state.

이후, 주변온도가 상승하면, 서미스터(71)는 저항값이 작아져 전류량은 증가하는 반면 서미스터(71)의 양단에 걸리는 전압은 감소하게 되고, 스탠바이전원부(30)에서 출력되는 제어신호의 전압은 분압저항(R1)의 양단에 거의 걸리게 된다.Subsequently, when the ambient temperature rises, the thermistor 71 decreases in resistance and increases the amount of current, while the voltage across the thermistor 71 decreases, and the voltage of the control signal output from the standby power supply unit 30 decreases. It is almost applied to both ends of voltage divider R1.

예컨대, 주변온도가 대략 70℃ 이상이 되면, 분압저항(R1)에 걸리는 전압이 제너다이오드(ZD)의 임계전압보다 높게 되며, 이때 제너다이오드(ZD)는 도통되어 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스에 고전압이 인가되게 된다. For example, when the ambient temperature is about 70 ° C. or more, the voltage applied to the voltage dividing resistor R1 becomes higher than the threshold voltage of the zener diode ZD. At this time, the zener diode ZD is turned on to conduct the base of the second transistor Q2. The high voltage is applied to the.

상기 제2 트랜지스터(Q2)는 베이스에 고전압이 인가됨에 턴온되어 제1 트랜지스터(Q1)의 베이스와 연결된 제2 노드(Nd2)를 저전위로 풀다운시키고, 그에 따라 제1 트랜지스터(Q1)도 턴온된다.The second transistor Q2 is turned on when a high voltage is applied to the base to pull down the second node Nd2 connected to the base of the first transistor Q1 to a low potential, thereby turning on the first transistor Q1.

이에 따라 스탠바이전원부(30)에서 메인전원부(50)로 인가되는 전원 온 제어신호가 저전위로 풀다운되어 메인전원부(50)에는 저전압이 인가된다. 즉, 스탠바이전원부(30)에서 메인전원부(50)로 작동 제어신호가 인가될 경우 강제로 제어신호의 전압레벨을 떨어뜨려 메인전원부(50)를 셧다운시키게 된다.Accordingly, the power-on control signal applied from the standby power supply unit 30 to the main power supply unit 50 is pulled down to a low potential, and a low voltage is applied to the main power supply unit 50. That is, when the operation control signal is applied from the standby power supply unit 30 to the main power supply unit 50, the voltage level of the control signal is forcibly lowered to shut down the main power supply unit 50.

이와 같이 본 발명에서는 영상기기의 내부 온도가 일정온도 이상이 되면 메인전원부(50)를 셧다운시켜 영상기기의 손상이나 부품의 방폭 등의 피해를 예방할 수 있다.As described above, in the present invention, when the internal temperature of the imaging device is higher than a predetermined temperature, the main power supply unit 50 may be shut down to prevent damage such as damage to the imaging device or explosion of parts.

상기의 본 발명은 바람직한 실시예를 중심으로 살펴보았으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 본질적 기술 범위 내에서 상기 본 발명의 상세한 설명과 다른 형태의 실시예들을 구현할 수 있을 것이다. 여기서 본 발명의 본질적 기술범위는 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.The present invention has been described with reference to the preferred embodiments, and those skilled in the art to which the present invention pertains to the detailed description of the present invention and other forms of embodiments within the essential technical scope of the present invention. Could be. Here, the essential technical scope of the present invention is shown in the claims, and all differences within the equivalent range will be construed as being included in the present invention.

도 1은 본 발명과 관련된 영상기기의 전원공급 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a view schematically showing a power supply apparatus for an imaging apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 의한 영상기기의 전원공급 장치를 나타낸 회로도이다.2 is a circuit diagram illustrating a power supply device for an imaging apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

10: 역률보상부(PFC) 30: 스탠바이전원부10: power factor correction unit (PFC) 30: standby power unit

50: 메인전원부 70: 고온보호회로부50: main power supply 70: high temperature protection circuit

71: 서미스터(NTC) 73: 전압검출부71: thermistor (NTC) 73: voltage detector

75: 스위칭부75: switching unit

Claims (7)

삭제delete 외부로부터 입력된 직류전압을 가공하여 대기상태에서 동작되는 회로부로 필요한 직류전원을 공급함과 아울러 메인전원부로 작동 제어신호를 출력하는 스탠바이전원부;A standby power supply which processes a DC voltage input from the outside and supplies necessary DC power to a circuit unit operated in a standby state and outputs an operation control signal to the main power supply; 상기 스탠바이전원부의 작동 제어신호에 따라 동작되며 외부로부터 입력된 직류전압을 적어도 하나 이상의 전압레벨로 가공하여 각종 회로부로 공급하는 메인전원부; 및 A main power supply operated according to an operation control signal of the standby power supply and configured to process a DC voltage input from the outside into at least one voltage level and supply it to various circuit parts; And 상기 스탠바이전원부와 메인전원부 사이에 설치되어 주변온도를 검출하고, 검출된 온도가 설정온도를 초과할 경우 메인전원부로 공급되는 작동 제어신호를 제어하여 메인전원부가 셧다운되도록 하는 고온보호회로부;를 포함하고,And a high temperature protection circuit unit installed between the standby power supply unit and the main power supply unit to detect an ambient temperature and to control an operation control signal supplied to the main power supply unit when the detected temperature exceeds a set temperature. , 상기 고온보호회로부는 The high temperature protection circuit unit 상기 스탠바이전원부의 제어단과 제1 노드 사이에 연결되어 주변온도가 상승함에 따라 저항값이 감소되는 서미스터; 상기 서미스터의 저항값에 따라 제1 노드에 인가되는 검출전압이 가변되고 서미스터의 저항값의 감소에 따라 고전압을 출력하는 전압검출부; 및 상기 전압검출부를 통해 출력되는 신호에 따라 스위칭되어 상기 스탠바이전원부에서 메인전원부로 공급되는 작동 제어신호를 조절하여 메인전원부를 셧다운시키는 스위칭부;를 포함하는 영상기기의 전원공급 장치.A thermistor connected between a control terminal of the standby power supply unit and a first node to decrease a resistance value as the ambient temperature increases; A voltage detector configured to vary a detection voltage applied to a first node according to a resistance of the thermistor and output a high voltage according to a decrease in the resistance of the thermistor; And a switching unit which is switched according to the signal output through the voltage detector and shuts down the main power unit by adjusting an operation control signal supplied from the standby power unit to the main power unit. 제 2 항에 있어서, 상기 전압검출부는The method of claim 2, wherein the voltage detector 상기 서미스터의 일측인 제1 노드와 저전위 사이에 직렬 연결되어 스탠바이전원부에서 출력되는 제어신호의 전압이 서미스터의 저항값에 따라 가변되어 분압되는 분압저항을 포함하는 영상기기의 전원공급 장치.And a voltage divider resistor connected in series between a first node, which is one side of the thermistor, and a low potential, and having a voltage divided by a voltage of a control signal output from a standby power supply unit according to a resistance value of the thermistor. 제 2 항에 있어서, 상기 스위칭부는 The method of claim 2, wherein the switching unit 상기 스탠바이전원부의 제어단과 저전위 사이에 전류통로가 연결되고 베이스에 연결된 제2 노드의 전위에 따라 스위칭되어 작동 제어신호를 저전위로 풀다운시켜 메인전원부의 셧다운시키는 제1 트랜지스터; 및 상기 제1 트랜지스터의 게이트인 제2 노드와 저전위 사이에 전류통로가 연결되고 전압검출부를 통해 인가되는 신호에 따라 스위칭되어 제1 트랜지스터를 턴온시키는 제2 트랜지스터;를 포함하는 영상기기의 전원공급 장치.A first transistor connected between a control terminal and a low potential of the standby power supply unit and switched according to a potential of a second node connected to the base to pull down the operation control signal to a low potential to shut down the main power supply unit; And a second transistor connected to a current path between the second node, which is a gate of the first transistor, and a low potential, and switched according to a signal applied through a voltage detector to turn on the first transistor. Device. 제 4 항에 있어서, 상기 전압검출부는The method of claim 4, wherein the voltage detector 상기 제1 노드와 제2 트랜지스터의 베이스 사이에 역방향으로 연결되어 분압 저항에 걸리는 전압이 일정전압 이상일 경우 도통되는 제너다이오드를 포함하는 영상기기의 전원공급 장치.And a zener diode connected in a reverse direction between the base of the first node and the second transistor to conduct when the voltage applied to the voltage divider is greater than or equal to a predetermined voltage. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 제1 트랜지스터는 PNP형 트랜지스터이고, 제2 트랜지스터는 NPN형 트랜지스터인 영상기기의 전원공급 장치.Wherein the first transistor is a PNP transistor, and the second transistor is an NPN transistor. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 서미스터는 온도가 상승함에 따라 전류가 증가하고 양단전압이 감소하는 NTC(negative temperature coefficient) 타입인 영상기기의 전원공급 장치.The thermistor is a power supply of the imaging device of the NTC (negative temperature coefficient) type, the current increases and the voltage between both decreases as the temperature increases.
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