KR101068273B1 - 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 관한 것으로, 상부프레임, 하부프레임, 길이 방향을 수평으로 하여 배열 설치된 프로세스튜브, 상기 프로세스튜브를 에워싸도록 배열 설치된 원통형상의 가열수단, 상기 프로세스튜브의 내부로 복수의 열처리 대상을 출입시키는 이송장치, 및 상기 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 스캐빈져 커버의 전면부에 마련된 커버플레이트와 상기 스캐빈져 커버의 주위에 설치된 쿨링 자켓을 포함하며, 열처리장치의 크기를 최소화하고 작은 공간에 사용할 수 있으며, 열처리로에서 발생하는 열을 냉각하거나 차단하여 설비의 열화 방지와 유지 보수 또한 손쉽게 할 수 있다.
소형 열처리장치, 반도체웨이퍼, 이송장치, 리미트센서, 쿨링자켓

Description

반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치{Mini type diffusion furnace for semiconductor wafer}
본 발명은 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 가스의 확산, 증착 처리 등의 열처리를 실시하는 소형 열처리장치에서 외부로 발생되는 열을 냉각하는 냉각장치와 차단장치를 구비한 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 열처리 장치 장치로서 예를 들면 확산장치를 들 수 있다.
예를 들면, 반도체웨이퍼에 산화 확산 등의 열처리를 실시할 경우에, 복수매의 반도체 웨이퍼를 석영보트에 이송장치를 이용하여 얹어 적재하고, 상기 석영보트를 열처리로 내부에 장착하여 열처리를 행한다.
이와 같은 열처리로는, 석영 등의 내열성 재료로서 만들어진 프로세스튜브와 그의 바깥쪽에 형성된 히터를 구비하고 있다.
프로세스튜브에는 한쪽 끝단부에 개부구가 형성되어 있고, 이 개부구에서 프로세스튜브 내에 웨이퍼를 얹어 적재한 상기 석영보트를 장착하여 프로세스튜브 내로 필요한 가스를 도입하면서 히터에 전력을 공급하여 웨이퍼를 열처리 하고 있 다.
그리고, 이열처리를 할 때에 프로세스튜브가 1000℃∼1100℃로 가열되기에 고온에서도 견딜 수 있는 석영과 석고블록 등의 부재로 튜브를 지지한다.
또한, 열처리로의 주위에는 피처리체를 출입하기 위한 여러 가지 부품과 프레임 등으로 형성되어 있고, 이들 부품과 열처리로에 의하여 열처리장치가 구성되기에 열처리장치의 크기는 거대해질 수밖에 없다.
위와 같이 열처리장치의 크기가 커질수록 장치의 가격은 고가이고, 열처리 장치 설치되는 면적은 넓어지며, 유지보수의 비용 또한 많이 들어가며, 장치의 설치 시에도 적지 않은 비용과 인력이 소모되며 유틸리티훅업(utility hookup)또한 복잡해진다.
따라서 소규모의 기업이나 연구 개발용으로는 종래의 열처리 장치는 적합하지 못할 뿐만 아니라, 열처리로에서 발생하는 열을 냉각하거나 차단하는 장치가 없어서 장비의 열화나 유지 보수에 많은 문제점을 발생시킨다.
본 발명은 상기와 같이 종래의 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 그의 목적은 소형 열처리장치에서 외부로 발생되는 열을 냉각하는 냉각장치와 차단장치를 구비한 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치는, 상부프레임, 하부프레임, 길이 방향을 수평으로 하여 배열 설치된 프로세스튜브, 상기 프로세스튜브를 에워싸도록 배열 설치된 원통형상의 가열수단, 상기 프로세스튜브의 내부로 복수의 열처리 대상을 출입시키는 이송장치, 및 상기 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 스캐빈져 커버의 전면부에 마련된 커버플레이트와 상기 스캐빈져 커버의 주위에 설치된 쿨링 자켓을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 스캐빈져 커버의 주위에는 상기 쿨링 자켓으로 냉각수를 공급하는 미세관이 배열 설치된 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 제1 원형 플레이트, 상기 스캐빈져 커버를 밀폐하는 제2 원형 플레이트, 상기 쿨링 자켓을 밀폐하는 제3 원형 플레이트를 포함하는 도어 헤드가 상기 이송 장치에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 제 1 원형 플레이트는 석영으로 이루어지고, 상기 제2, 제3 플레이트는 스테인레스 스틸로 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 제2 플레이트는 스캐빈져 커버를 향하여 가장자리가 휘어져 있으며, 상기 제3 플레이트는 상기 쿨링 자켓을 향하여 가장자리가 휘어져 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 이송장치는 하부프레임의 상부에 위치하고, 구동부, 도어헤드, 동력전달장치를 포함하고, 상기 구동부는 볼 스크류, 레일과 엘엠 레일 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 상부프레임은 스캐빈져 커버를 구비하여 공정 진행중 밀폐된 프로세스튜브의 개구부쪽을 통해서 유출될 수 있는 소량의 가스와 열을 배기구를 통하여 외부로 연결된 덕트로 배출 시키는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 프로세스튜브 후방에는 기체공급구를 보호하는 후방보호덮개를 구비하고, 상기 후방보호덮개에는 도어가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 상부 프레임 하부에는 상부프레임을 하부프레임에 고정시켜주는 상부프레임받침대와, 파티클의 유입을 방지하는 상부받침커버가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 것이 다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치에 있어서, 상기 이송장치의 움직임 제어는 전자동과 반자동 방식으로 병행사용이 가능하며, 상기 하부프레임 윗면에는 리미트센서를 설치하여 이동경로를 벗어나지 않도록 할 수 있게 인터락 장치가 되어있는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치는 열처리장치의 크기를 최소화하고 작은 공간에 사용할 수 있으며, 윈도우 운영체제를 이용한 편리한 조작성과 장비의 설치 및 유지보수 또한 손쉽게 할 수 있는 장점이 있다.
또한, 열처리로에서 발생하는 열을 냉각하거나 차단하여 설비의 열화 방지와 유지 보수에 유리한 효과가 있다.
이하, 본 발명에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 도면에 도시된 실시예에 대하여 더욱 상세히 설명한다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 전체 구성 조립 사시도이다.
도1을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치는 횡형의 열처리로의 기본구성으로서 상부프레임(1)과 하부프레임(2)과 상기 상부프레임(1)의 내부로 진입하거나 내부에서 빠져나오는 이송장치(3)를 포함한다.
도1의 전체조립구성 사시도의 실시예에 있어서, 상기 이송장치(3)는 언로 딩(unroading) 상태이며, 이송장치(3)의 언로딩시 전장의 길이는 3400mm*폭1300mm*높이1650mm 이다.
또한, 이송장치의 로딩(loading)시 전장의 길이는 2100mm이다.
상기 도1의 크기에 해당하는 소형 열처리장치는 웨이퍼 열처리공정에 사용 가능하며, 비산화가스(N2, O2, H2O)를 이용한 확산장치로서 프로세스튜브의 개구부를 별도의 밀폐장치로 시일(seal)하지 않는다.
그러나, 비산화가스를 이용한 열처리에만 한정하지 않고 몇 개의 장치를 추가하여 산화가스를 이용한 진공 열처리장치로도 사용가능하다.
또한, 상기 소형 열처리장치의 가장 큰 특징은 열처리장치의 생산 원가가 저렴하며, 장비의 소형화를 실현함으로서 작은 공간에 사용 할 수 있으며, 윈도우 운영체제를 이용한 편리한 조작성과 장비의 설치 및 유지보수 또한 손쉽게 할 수 있다.
본 발명의 열처리 장치는 처리대상이 출입되는 개구부, 열처리 가스를 공급하는 공급구 및 열처리 완료가스를 배출하는 배출구를 가지며, 피처리체를 수용하는 열처리로와, 상기 열처리로 내에 수용된 피처리체를 가열하기 위한 가열수단과 열처리 전에 상기 열처리로 내부로 피처리체를 출입시키는 이송장치와 누출된 열처리가스를 상기 열처리로 주위로 확산하는 것을 장치 밖으로 배출시키는 배출수단을 구비하고 있다.
그리고 열처리장치의 구동은 전자동(Full Auto)으로서 윈도우 운영체제를 기반으로 한 프로그램 수행형 시스템을 사용하며, 프로그램은 응용예에 따라서 다양하게 개발한 소프트웨어를 이용한다. 여기서 사용하는 소프트웨어는 공정의 특성에 맞게 개발한다.
도2a는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 전체 구성 단면도이고, 도2b는 도2a에서 A 부분을 확대한 확대 단면도이다. 도3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 일실시예의 분해 사시도이고, 도4는 본 발명에 관한 열처리장치에서 상부프레임 내부 구조물의 일실시예의 사시도이고, 도5는 본 발명에 따른 열처리장치에서 하부프레임 내부 구조물의 일실시예의 사시도이고, 도6은 본 발명에 관한 열처리장치의 우측면도이며, 도7은 본 발명에 관한 열처리장치의 평면도이다.
도2a 내지 도7을 참조하면, 본 발명에 따른 열처리 장치는 횡형의 열처리로의 기본구성으로서 상부프레임(1)과 하부프레임(2), 길이 방향을 수평으로 하여 배열 설치된 프로세스튜브(4)와, 프로세스튜브(4)를 에워싸도록 배열 설치된 가열수단의 원통형상의 히터(5)와 다량의 처리대상을 한번에 프로세스튜브(4)의 내부로 출입을 하는 이송장치(3)(loader assembly)로 구성되어 있다.
상기 프로세스튜브(4)는 석영제이고, 좌측 끝단에는 열처리 가스 공급용의 기체공급구(4a)가 형성되어 있다.
상기 기체공급구(4a)는 시일(seal)을 확실하게 하기위하여 보올 죠인트 구조로 되어 있다.
또한 프로세스튜브(4)의 개구부쪽, 상부프레임의 앞쪽에는 가스 및 열의 배 출을 위한 배출구(6)가 형성되어 있어 배관을 통하여 뒤쪽의 배기구(6a)로 방출된다.
히터(5)는 프로세스튜브(4)를 감싸고 있으며 히터(5)의 양 끝단에는 프로세스튜브(4)를 고정시켜 주기위해 고온에서도 견딜 수 있는 석고블록(7)을 장착한다.
또한, 히터(5)는 고열을 외부로 발생하므로 프로세스튜브 전면부에 냉각장치를 구비하여 히터 외부로 열방출을 방지한다.
상기 냉각장치에는 냉각수를 순환하여 외부로 방출되는 열을 차단한다.
히터(5)의 고정은 상부프레임(1) 하단의 지지대(8) 위에 원형의 긴 강봉(鋼捧)을 일정간격으로 좌우 수평 길이방향으로 두어 무거운 히터(5)를 안정적으로 지지해준다.
처리대상인 복수 매의 반도체웨이퍼(15)는 각각의 지지막대에 동일간격으로 형성된 홈이 파인 보트(9)위에 지지되어 고정되며 이송장치(3)에 장착되어 있는 패들(16)(paddle)위에 놓여진다.
상기 보트(9)의 재질은 석영이며, 상기 패들(16)의 재질은 석영 또는 에스아이씨(SIC)로 되어있다.
이송장치(Loader)(3)는 하부프레임(2)의 상부에 위치하며, 그 구성은 도3에 도시된 구동부(3a), 도어헤드(Door Head)(3b), 도2a에 도시된 동력 전달장치인 모터구동부(11)로 구분한다.
상기 구동부(3a)는 알루미늄의 재질로 이루어진 가공 조립품이며, 내부에는 도2b에 도시된 바와 같이 볼 스크류(33), 레일(34) 및 엘엠 레일 블록(34a)으로 구 성되어 레일(34)을 따라 전, 후진으로 부드러운 움직임을 가지게 한다.
이송장치(3)의 모터구동부(11)는 로더 베이스(Loader Base)하부에 장착되어 디씨모터(DC motor) 타이밍 벨트와 기어를 이용한 구동장치이다.
모터자체에 내장된 감속기는 속도를 제어하며, 모터드라이브는 모터의 구동여부를 제어한다.
도3에 도시된 분해사시도의 각 부분을 상세히 설명하면 다음과 같다.
상부프레임(1)의 구성 재질은 철(SPCC)및 스테인레스(SUS)이며 도색 처리한다.
내부구조물(도4)은 각관을 서로 용접 부착한 구조물이며, 구성은 메인바디(도5), 상부덮개(17), 외측덮개(18), 스캐빈져커버(21)(scavenger), 쿨링 자켓(cooling jacket, 10), 배기구(6a), 후방보호덮개(19), 상부프레임 받침대(22), 받침대외측커버(23), 상부배기구(24), 히터지지대(8)로 이루어져있다.
메인바디(도5)는 히터(5)의 무게를 견딜 수 있으며, 장시간의 사용에도 변형이 되지 않도록 설계되었으며, 두 개의 히터를 동시에 사용 할 수 있는 투챔버(two chamber type)와 한 개의 히터만을 사용하는 원챔버(one chamber type)로 용도 변경이 용이하다.
메인바디(도5) 외부는 탈부착이 가능한 상부덮개(17)와 외측덮개(18)가 조립되며, 프로세스튜브(4)와 히터(5)의 보호 역할 및 먼지의 내부유입을 방지하는 동시에 공정 진행중 급속도로 가열된 히터로부터 작업자의 안전을 도모한다.
그리고 스캐빈져 커버(21)는 공정 진행중 밀폐된 프로세스튜브(4)의 개구부 쪽을 통해서 유출될 수 있는 소량의 가스와 열을 배기구(6a)를 통하여 외부로 연결된 덕트(duct)로 배출 시키는 역할을 수행한다. 또한 유입된 파티클 및 잔류하고 있는 파티클 등을 외부로 배출시킨다.
또한, 스캐빈져 커버(21)의 전면부를 스테인레스 재질로 된 커버플레이트(20, cover plate)로 조립하며, 이송장치(3)에 장착된 원형플레이트(32)는 공정진행시 커버플레이트(20)로 입구를 막아주어 발생되는 고온의 열을 외부로 유출되는 것을 한 번 더 차단한다.
또한, 스캐빈져커버는 공정진행시 발생하는 고온의 내부의 열을 차단을 위해 자체 외곽에 수냉식 냉각 장치로서 냉각수를 공급하는 미세관(21a)를 장착하고 있으며, 스캐빈져커버(21)의 전면부는 스테인레스 스틸 재질로 된 커버플레이트(cover plate, 20)를 조립하여 열을 1차적으로 차단하고, 2차적으로 쿨링 자켓(Cooling Jacket)(10)으로 2차 차단을 하여 외부로 열 방출을 막아준다.
또한, 하부프레임(2) 상판에는 도3에 도시된 리미트센서(12, 12a)(limits sensor)를 장착하여 이송장치(3)가 자동이송 중 원하는 위치에서 자동 멈춤을 할 수 있게 함으로써 안전한 공정진행을 할 수 있도록 하였다.
그리고, 이송장치(3)에는 도어 헤드(Door Head)(3b)를 포함하고 있으며, 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 제1 원형 플레이트(13), 상기 스캐빈져 커버를 밀폐하는 제2 원형 플레이트(13a), 상기 쿨링 자켓을 밀폐하는 제3 원형 플레이트(13c)를 포함하여 구비되어 있다.
도어 헤드(Door Head)(3b)부의 구성은 알루미늄 판의 골격으로 좌우 이동이 가능한 구성이며, 내부는 원형의 석영 플레이트(13)와 스테인레스 플레이트(13a, 13b)를 지지할 수 있는 블록으로써 높이를 조절 할 수 있는 구성이다. 도어헤드(Door Head)의 좌, 우 및 높이 조절은 프로세스 튜브에 중심을 맞출 수 있다.
보트가 출입하는 개구부는 이송창치(3)에 장착된 1개의 원형 석영 플레이트(13)로 프로세스튜브(4)를 막아주며, 2개의 원형 스테인레스 스틸 플레이트중 전면 플레이트(13a)는 스캐빈져커버(Scavenger Cover)를 막아주고 후면 플레이트(13b)는 쿨링 자켓(10)을 막음으로 공정진행시 내부에서 발생되는 고온의 열을 외부로 유출되는 것을 이중 차단한다.
여기에서, 석영재질의 원형 플레이트(13)는 프로세스튜브(4)의 개구부를 밀폐할 때, 상기 스테인레스 스틸의 원형 플레이트(13a, 13b)는 열변형을 최소화한 벤딩 구조로서 스캐빈져 커버(20)와 쿨링 자켓(Cooling Jacket)(10)을 밀폐한다.
즉, 열변형을 최소화한 벤딩 구조로서 상기 제2 플레이트는 스캐빈져 커버(20)를 향하여 가장자리가 휘어져 있으며, 상기 제3 플레이트는 상기 쿨링 자켓(10)을 향하여 가장자리가 휘어져 있다.
이송장치(3)가 처리대상을 싣고서 프로세스튜브(4)안으로 이송하여 멈추게 되면 각각의 원형 플레이트에 장착된 스프링(14)이 가하는 힘에 의해 프로세스튜브(4)의 개구부와 스캐빈져커버(20), 쿨링 자켓(10)을 밀폐하여 개패 역할을 수행한다.
후방보호덮개(19)는 프로세스튜브(4)에서 기체공급구(4a)를 보호하여 파손을 방지하며 원할한 가스공급을 할 수 있도록 한다.
후방보호덮개(19)에는 도어(door)가 장착되어 있어 필요에 따라 작업자가 손쉽게 보수 및 교체가 가능하다.
상부프레임받침대(22)는 상부프레임(1)을 하부프레임(2)에 고정시켜주는 중요한 역할을 하며, 이송장치(3)가 작동할 수 있는 공간을 확보해준다.
이때, 장착위치는 하부프레임 전면부와 후면부에 2개가 고정 장착되어진다.
그리고, 상부프레임받침대(22)로 인하여 생긴 빈공간은 상부받침커버(23)를 부착하여 파티클 등의 유입을 방지한다.
하부프레임(2)의 메인바디는 40*40 철재각관으로 구성되어 있으며, 탈부착이 가능한 도어로 이루어진다.
하부프레임(2) 내부의 빈공간은 장비를 구동하기 위한 전기전장파트와 가스공급장치(30, gas jungle box), 콘트롤러(28, controller), 트랜스포머(transformer), PLC(program logic controller)등이 장착된다.
하부프레임(2) 우측도어(31)에는 차단기(자판기 단말)가 장착되어 전원을 공급하는 트랜스포머의 과부하를 방지하고 장비의 전원을 온/오프 할 수 있다.
그리고 하부프레임(2) 뒤쪽에는 가스정글박스(30)가 장착되어 공정에 필요한 가스를 안정적으로 공급 및 차단한다.
가스의 공급은 스테인레스 배관을 이용하며 프로세스튜브(4)와 기체공급구(4a)는 시일이 잘되도록 보올 죠인트 타입으로 연결되어 있다.
하부프레임(2)의 전면도어(28)는 장비에 장착된 히터(5)의 현재 온도상태를 나타내주는 온도 게이지(temperature gauge)장치 및 히터전원차단스위치와 이송장 치(3)의 수동조작버튼이 장착되며, 탈부착이 용이하도록 도어스테이(28a, door stay)가 부착되어 있다.
이송장치(3)의 도어헤드(3b)는 상하로 각도 조절이 가능하여 프로세스 튜브(4)와 패들(16) 간의 수평을 항상 유지할 수 있도록 한다.
이송장치(3)의 움직임 제어는 전자동(full auto)과 반자동(semi auto) 두가지 방식으로 병행사용이 가능하며, 하부프레임 윗면의 뒤쪽과 앞쪽에 리미트센서(12, 12a, limits sensor)를 설치하여 이동경로를 벗어나지 않도록 할 수 있게 인터락(interlock)장치가 되어있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체적인 실시예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
도1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 전체 구성 조립 사시도이다.
도2a는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 전체 구성 단면도이고, 도2b는 도2a에서 A 부분을 확대한 확대 단면도이다.
도3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼용 소형 열처리장치의 일실시예의 분해 사시도이다.
도4는 본 발명에 관한 열처리장치에서 상부프레임 내부 구조물의 일실시예의 사시도이다.
도5는 본 발명에 따른 열처리장치에서 하부프레임 내부 구조물의 일실시예의 사시도이다.
도6은 본 발명에 관한 열처리장치의 우측면도이다.
도7은 본 발명에 관한 열처리장치의 평면도이다.
≪도면의 주요부분에 대한 부호의 설명≫
1: 상부프레임 2: 하부프레임
3: 이송장치 3a : 이송장치 구동부
3b :이송장치 도어헤드 4: 프로세스튜브
4a: 기체공급구 5: 히터
6: 배출구 6a: 배기구
7, 7a: 석고블록 8: 지지대
9: 보트 10: 쿨링 자켓
11: 모터구동부 12, 12a: 리미트센서
13: 원형 플레이트 14: 스프링
15: 반도체웨이퍼 16: 패들
17: 상부덮개 18: 외측덮개
19: 후방보호덮개 20: 커버플레이트
21: 스캐빈져커버 22: 상부프레임 받침대
23: 받침대외측커버 24: 상부배기구
25: 하부프레임상부플레이트 28: 콘트롤러
29: 차단기 30: 가스정글박스

Claims (10)

  1. 길이 방향을 수평으로 하여 배열 설치된 프로세스튜브와 상기 프로세스튜브를 에워싸도록 배열 설치된 원통형상의 가열수단을 그 내부에 설치하고 보호하는 상부프레임;
    상기 상부프레임의 아래에 위치하며 상기 프로세스 튜브와 상기 가열수단을 구동 제어하는 하부프레임;
    상기 프로세스튜브의 내부로 복수의 열처리 대상을 출입시키는 이송장치; 및
    상기 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 스캐빈져 커버의 전면부에 마련된 커버플레이트와 상기 스캐빈져 커버의 주위에 설치된 쿨링 자켓을 포함하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캐빈져 커버의 주위에는 상기 쿨링 자켓으로 냉각수를 공급하는 미세관이 배열 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스튜브의 개구부를 밀폐하는 제1 원형 플레이트;
    상기 스캐빈져 커버를 밀폐하는 제2 원형 플레이트;
    상기 쿨링 자켓을 밀폐하는 제3 원형 플레이트를 포함하는 도어 헤드가 상기 이송 장치에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제1 원형 플레이트는 석영으로 이루어지고, 상기 제2, 제3 플레이트는 스테인레스 스틸로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 플레이트는 스캐빈져 커버를 향하여 가장자리가 휘어져 있으며, 상기 제3 플레이트는 상기 쿨링 자켓을 향하여 가장자리가 휘어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송장치는 하부프레임의 상부에 위치하고, 구동부, 도어헤드, 동력전달장치를 포함하고, 상기 구동부는 볼 스크류, 레일과 엘엠 레일 블록을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부프레임은 스캐빈져 커버를 구비하여 공정 진행중 밀폐된 프로세스튜브의 개구부쪽을 통해서 유출될 수 있는 소량의 가스와 열을 배기구를 통하여 외 부로 연결된 덕트로 배출 시키는 역할을 수행하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스튜브 후방에는 기체공급구를 보호하는 후방보호덮개를 구비하고, 상기 후방보호덮개에는 도어가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 프레임 하부에는 상부프레임을 하부프레임에 고정시켜주는 상부프레임받침대와, 파티클의 유입을 방지하는 상부받침커버가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송장치의 움직임 제어는 전자동과 반자동 방식으로 병행사용이 가능하며, 상기 하부프레임 윗면에는 리미트센서를 설치하여 이동경로를 벗어나지 않도록 할 수 있게 인터락 장치가 되어있는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼용 소형 열처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980021865U (ko) * 1996-10-24 1998-07-15 문정환 반도체 웨이퍼 제조용 어닐링 노
KR20020031349A (ko) * 1999-07-02 2002-05-01 다다히로 오미 반도체 제조 설비

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980021865U (ko) * 1996-10-24 1998-07-15 문정환 반도체 웨이퍼 제조용 어닐링 노
KR20020031349A (ko) * 1999-07-02 2002-05-01 다다히로 오미 반도체 제조 설비

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140083306A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 주식회사 탑 엔지니어링 기판 열처리 장치
KR101982724B1 (ko) * 2012-12-26 2019-05-27 주식회사 탑 엔지니어링 기판 열처리 장치

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