KR101035626B1 - A flat fluorescent lamp - Google Patents
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Abstract
본 발명은 수은 유닛의 가열 구조를 개선한 면광원장치에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명에 따른 면광원장치는, 하부 기판, 하부 기판과 이격 설치되어 방전 영역을 형성하는 상부 기판, 하부 기판상에 설치되고 방전 영역을 구획하여 다수의 방전 유닛을 형성하는 다수의 격벽, 방전 유닛의 일단에 설치되어 방전 유닛에 수은을 공급하도록 전기 저항 가열되는 수은 유닛, 방전 유닛의 양단에 각각 설치되어 방전을 일으키는 제1 전극 및 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 덮는 유전체층, 그리고 하부 기판 및 상부 기판의 내면에 형성된 형광체층을 포함한다.This invention relates to the surface light source device which improved the heating structure of a mercury unit. To this end, the surface light source device according to the present invention includes a lower substrate, an upper substrate spaced apart from the lower substrate to form a discharge region, a plurality of partition walls installed on the lower substrate and partitioning the discharge region to form a plurality of discharge units; A mercury unit installed at one end of the discharge unit and electrically heated to supply mercury to the discharge unit, and a dielectric layer disposed at both ends of the discharge unit to cover the first electrode and the second electrode, the first electrode, and the second electrode causing the discharge, respectively. And a phosphor layer formed on inner surfaces of the lower substrate and the upper substrate.
면광원장치, 수은 합금체, 방전, 저항체, 리드선Surface light source device, mercury alloy, discharge, resistor, lead wire
Description
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a surface light source device according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치의 결합 사시도이다.2 is a combined perspective view of the surface light source device according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 도 2의 AA선을 따라 자른 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the surface light source device according to the second embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.5 is a cross-sectional view of the surface light source device according to the third embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a surface light source device according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.7 is a cross-sectional view of a surface light source device according to a fifth embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.8 is a cross-sectional view of a surface light source device according to a sixth embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.9 is a cross-sectional view of a surface light source device according to a seventh embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 면광원장치의 단면도이다.10 is a cross-sectional view of a surface light source device according to an eighth embodiment of the present invention.
본 발명은 면광원장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 수은 유닛(unit)의 가열 구조를 개선한 면광원장치에 관한 것이다.The present invention relates to a surface light source device, and more particularly, to a surface light source device having an improved heating structure of a mercury unit.
근래 들어오면서 급속하게 발전하고 있는 반도체 기술을 중심으로 하여, 소 형 및 경량화되면서 성능이 더욱 향상된 평판표시장치의 수요가 폭발적으로 늘어나고 있다.With the recent rapid development of semiconductor technology, the demand for flat panel display devices that are smaller and lighter and has improved performance is exploding.
이러한 평판표시장치 중에서 근래에 각광받고 있는 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)는 소형화, 경량화 및 저전력 소비화 등의 이점을 가지고 있어서 기존의 브라운관(CRT, cathode ray tube)의 단점을 극복할 수 있는 대체 수단으로서 점차 주목받아 왔고, 현재는 디스플레이 장치가 필요한 거의 모든 정보처리기기에 장착되어 사용되고 있다.The liquid crystal display (LCD), which has recently been in the spotlight among the flat panel display devices, has advantages such as miniaturization, light weight, and low power consumption, thereby overcoming the disadvantages of the conventional cathode ray tube (CRT). As an alternative means, it has been gradually attracting attention, and is currently used in almost all information processing equipment that requires a display device.
일반적인 액정표시장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 다른 분자배열로 변환시키고, 이러한 분자 배열에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하는 것으로서 액정셀에 의한 광의 변조를 이용하여 정보를 표시하는 디스플레이 장치이다.A general liquid crystal display device applies voltage to a specific molecular array of a liquid crystal to convert it into another molecular array, and visually changes optical properties such as birefringence, photoreactivity, dichroism, and light scattering characteristics of the liquid crystal cell emitted by the molecular array. It is a display apparatus which displays information using the modulation of the light by a liquid crystal cell as converting into a change.
액정표시장치의 액정표시패널은 스스로 발광하지 못하는 수광 소자이므로, 액정표시패널 하부로부터 액정표시패널에 광을 제공하는 백라이트를 구비한다. 디지털 TV 등 대형 액정표시장치에서는 백라이트로서 다수의 램프를 사용하므로, 많은 부품이 사용되어 조립 공정이 복잡한 문제점이 있다. 또한, 외부 충격에 약한 램프의 파손 방지를 위하여 백라이트 어셈블리의 두께를 증가시키므로, 전체적으로 액정표시장치의 두께가 증가하는 문제점이 있다.Since the liquid crystal display panel of the liquid crystal display device does not emit light by itself, the liquid crystal display panel includes a backlight for providing light to the liquid crystal display panel from under the liquid crystal display panel. In a large liquid crystal display such as a digital TV, since a plurality of lamps are used as a backlight, a large number of parts are used, which causes a complicated assembly process. In addition, since the thickness of the backlight assembly is increased in order to prevent breakage of the lamp which is weak to external impact, there is a problem in that the thickness of the liquid crystal display is increased as a whole.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 내부에 가스를 주입해 방전에 의하여 발광되는 면광원장치가 개발되고 있으며, 그 중 하나로 면광원장치내에 구비된 수 은 탐침 구조체를 통해 수은을 주입하여 자외선을 발생시키는 방법이 사용되고 있다. 통상적으로, 면광원장치내의 수은 탐침 구조체는 고주파 유도 가열 방법으로 가열하여 수은을 확산시킨다. 그러나 고주파 유도 가열 방법의 경우, 면광원장치의 내부 구조가 복잡하게 될 뿐만 아니라 이로 인하여 전극 등 다른 부품이 열화되는 등 많은 문제점이 있다.In order to solve this problem, a surface light source device which emits light by discharge by injecting gas into the inside has been developed, and one of them generates ultraviolet rays by injecting mercury through a mercury probe structure provided in the surface light source device. The method is being used. Typically, the mercury probe structure in the surface light source device is heated by a high frequency induction heating method to diffuse mercury. However, in the case of the high frequency induction heating method, not only the internal structure of the surface light source device is complicated, but also there are many problems such as deterioration of other components such as electrodes.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 구조가 간단하면서도 효율적으로 수은을 확산시키는 면광원장치를 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a surface light source device which has a simple structure and diffuses mercury efficiently.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 면광원장치는, 하부 기판, 하부 기판과 이격 설치되어 방전 영역을 형성하는 상부 기판, 하부 기판상에 설치되고 방전 영역을 구획하여 다수의 방전 유닛을 형성하는 다수의 격벽, 방전 유닛의 일단에 설치되어 방전 유닛에 수은을 공급하도록 전기 저항 가열되는 수은 유닛(unit), 방전 유닛의 양단에 각각 설치되어 방전을 일으키는 제1 전극 및 제2 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 덮는 유전체층, 그리고 하부 기판 및 상부 기판의 내면에 형성된 형광체층을 포함한다.In order to achieve the above object, the surface light source device according to the present invention, the upper substrate is provided spaced apart from the lower substrate, the lower substrate to form a discharge region, formed on the lower substrate and partition the discharge region to form a plurality of discharge units A plurality of partition walls, a mercury unit installed at one end of the discharge unit and electrically heated to supply mercury to the discharge unit, and a first electrode and a second electrode provided at both ends of the discharge unit to cause discharge, and a first electrode. A dielectric layer covering the electrode and the second electrode, and a phosphor layer formed on the inner surface of the lower substrate and the upper substrate.
여기서, 수은 유닛은, 수은이 함유된 수은 합금체, 수은 합금체를 고정하여 수은 합금체를 가열하는 저항체, 및 저항체를 외부 전원과 연결하도록 상부 기판과 하부 기판 사이로 외부 노출된 리드(lead)선을 포함한다.Here, the mercury unit includes a mercury alloy containing mercury, a resistor for fixing the mercury alloy to heat the mercury alloy, and lead wires externally exposed between the upper substrate and the lower substrate to connect the resistor with an external power source. It includes.
저항체는 수은 합금체의 측면을 둘러싸고, 수은 합금체의 상면 및 하면 중 적어도 한 면은 외부로 노출될 수 있다.The resistor may surround the side surface of the mercury alloy, and at least one of the upper and lower surfaces of the mercury alloy may be exposed to the outside.
수은 합금체의 상면이 외부로 노출되도록 수은 합금체가 저항체에 수납될 수 있다.The mercury alloy may be accommodated in the resistor so that the upper surface of the mercury alloy is exposed to the outside.
수은 합금체의 상면 및 하면을 둘러싸고, 수은 합금체의 측면 중 적어도 한 면은 외부로 노출될 수 있다.Surrounding the upper and lower surfaces of the mercury alloy, at least one side of the side surface of the mercury alloy may be exposed to the outside.
저항체는 그 상부를 향하여 오목부와 볼록부가 연속 형성되고, 저항체상에 수은 합금체가 도포될 수 있다.The resistor is formed in the concave portion and the convex portion continuously toward the upper portion, the mercury alloy may be applied on the resistor.
수은 유닛은 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극의 유전체층상에 이격 설치될 수 있다.The mercury unit may be spaced apart on the dielectric layer of either one of the first electrode and the second electrode.
본 발명에 따른 면광원장치는. 상부 기판 및 하부 기판 사이의 가장자리를 둘러서 밀폐하는 에지 부재를 더 포함하고, 리드선은 상부 기판과 에지 부재 사이로 외부 노출될 수 있다.The surface light source device according to the present invention. An edge member may be further included to enclose and seal an edge between the upper substrate and the lower substrate, and the lead wire may be externally exposed between the upper substrate and the edge member.
저항체는 수은 합금체상에 설치되고, 저항체는 상부 기판 하부에 부착된 보호층 하부에 부착될 수 있다.The resistor may be installed on the mercury alloy, and the resistor may be attached to the lower portion of the protective layer attached to the lower portion of the upper substrate.
수은 유닛은 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극과 하부 기판상에 나란히 설치될 수 있다.The mercury unit may be installed side by side on one of the first electrode and the second electrode and the lower substrate.
이하에서는 도 1 내지 도 10을 통하여 본 발명의 실시예를 설명한다. 이러한 본 발명의 실시예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10. These embodiments of the present invention are merely for illustrating the present invention, but the present invention is not limited thereto.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치(100)의 분해 사시도로서, 방전 영역에 수은을 공급하도록 전기저항가열되는 수은 유닛(16)을 포함하는 면광원장치(100)를 나타낸다. 도 1에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치(100)의 구조는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 다른 구조로도 면광원장치(100)를 변형할 수 있다. 1 is an exploded perspective view of a surface
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치(100)는, 하부 기판(103), 상부 기판(101), 다수의 격벽(19), 수은 유닛(16), 전극(111, 131)(도 3에 도시, 이하 동일), 유전체층(113, 133) 및 형광체층(12)을 포함한다. 이외에, 광의 손실이 없도록 하부 기판으로 입사되는 광을 반사하는 반사층(14) 및 기타 필요한 부품을 포함할 수 있다. 또한, 상부 기판(101) 및 하부 기판(103) 사이의 가장자리를 둘러서 밀폐하는 에지 부재(105)를 더 포함할 수 있다.As shown in FIG. 1, the surface
상부 기판(101)은 하부 기판(103)과 이격 설치되어 방전 영역을 형성하고, 하부 기판(103)상에는 다수의 격벽(19)이 설치되어 방전 영역을 구획하여 다수의 방전 유닛을 형성한다. 격벽(19)은 도 1에 도시한 바와 같이, 스트라이프 (stripe) 형태로 형성할 수 있다. 구획된 방전 유닛의 일단에 설치된 수은 유닛(16)은 전기 저항 가열되어 방전 유닛에서 방전되는 저압의 수은 가스를 공급한다. 수은 가스를 공급하기 위한 수은 유닛(16)은 수은 합금체(19'), 저항체(17) 및 리드선(15)을 포함하며, 기타 다른 필요한 부품을 포함할 수 있다.The
제1 전극(111) 및 제2 전극(131)은 방전 유닛의 양단에 각각 설치되어 방전을 일으킨다. 제1 전극(111) 및 제2 전극(131)에 각각 전압을 인가하면, 제1 전극(111) 및 제2 전극(131)으로부터 전자가 방출되면서 수은 가스를 방전시킨다. 방 전으로 발생한 자외선은 상부 기판(101) 및 하부 기판(103)의 내면에 형성된 형광체층(12)에 충돌하여 가시광선을 방출한다. 형광체층(12)은 자외선과 충돌시 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 광을 내는 물질이 고르게 분포되어 있어서, 자외선과의 충돌에 따라 백색광을 방출한다. 하부 기판(103)상에는 반사층(14)이 형성되어 하부로 방출되는 광을 반사시켜 상부 기판(101)측으로 향하게 해 준다.The
이와 같은 원리에 따라 다수의 방전 유닛이 동시에 발광함으로써 면광원장치(100)가 발광하게 된다. 이에 따라 휘도가 우수하고 방전 효율이 높은 광을 공급할 수 있다.According to this principle, the surface
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치(100)의 결합 사시도로서, 상부 기판(101)과 하부 기판(103) 사이, 더욱 상세하게는 에지 부재(105)와 하부 기판(103) 사이의 외부로 노출된 리드선(15)을 나타낸다. 이와 같이 리드선(15)이 외부로 노출되므로, 외부로부터 전원을 인가받아 내부의 수은 합금체(19')(도 1에 도시)를 전기 저항 가열한다.FIG. 2 is a perspective view illustrating a surface
도 3은 도 2의 AA선을 따라 자른 단면도로서, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치(100)의 내부 단면을 나타낸다.3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2 and illustrates an internal cross section of the surface
도 3의 좌측에 도시한 수은 합금체(19')는 수은을 함유하는 데, 면광원장치(100)의 제조시 400∼500℃의 소성 공정에서도 수은의 유출이 없는 Hg-Ti 합금 등의 아말감 형태로 수은 합금체(19')를 제조한다. 외부 전원과 리드선(15)을 통하여 연결되는 저항체(17)는 수은 합금체(19')를 고정하여 수은 합금체(19')를 전기 저항 가열한다. 저항체(17)는 통상적으로는 수십 Ω의 저항을 가지는 데, 수 Ω이내의 저항을 가지는 것이 바람직하며 Ni-Cr 합금을 사용할 수 있다. 저항체(17)와 연결되어 프릿(frit)(18)을 통해 외부로 노출된 리드선(15)은 Ni-Fe 합금 또는 Ni-Fe-Cr 합금으로서, 수십 mΩ의 저항을 가지고, 용접 등의 방법으로 고정된다. 리드선(15)의 저항은 저항체(17)의 저항 이하로 설정하여 외부 전원이 저항체(17)에 효율적으로 전달되도록 해 준다.The mercury alloy body 19 'shown on the left side of FIG. 3 contains mercury, but amalgams such as Hg-Ti alloys without mercury leakage even in the firing process at 400 to 500 ° C during the manufacturing of the surface light source device 100 A mercury alloy 19 'is produced in the form. The
이러한 구조의 수은 유닛(16)은 리드선(15)이 프릿(18)을 통하여 외부로 노출되면서 고정되므로, 별도로 고정할 필요가 없다. 리드선(15)을 통하여 전압을 인가하면 저항체(17)의 저항에 비례하여 저항체(17)가 발열되며 저항체(17)상에 인접한 수은 합금체(19')에 열이 전달되어 수은이 확산되면서 수은 가스가 발생한다. 이에 따라 전압이 인가된 제1 전극(111)으로부터 방출된 전자가 수은 가스에 충돌하면서 방전이 일어나게 된다.Since the
이와 같은 본 발명에서는 종래의 고주파 가열 방식이 아닌 전기 저항 가열 방식을 이용하여 수은 합금체(19')를 가열한다. 따라서 간단한 구조의 면광원장치(100)로 수은 합금체(19')를 가열할 수 있다. In the present invention as described above, the mercury alloy body 19 'is heated using an electric resistance heating method instead of the conventional high frequency heating method. Therefore, the mercury alloy body 19 'can be heated by the surface
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 면광원장치(200)의 단면도로서, 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 면광원장치(200)는 수은 유닛(26)의 구조를 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the surface
도 4에 도시한 수은 유닛(26)에서, 저항체(27)는 수은 합금체(19')의 측면을 둘러싸며, 수은 합금체(19')의 상면 및 하면 중 적어도 한 면이 외부로 노출된다. 도 4에는 수은 합금체(19')의 상면 및 하면 모두가 외부로 노출되는 것으로 도시하였지만, 이는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 수은 합금체(19')의 상면 및 하면 중 적어도 한 면만 외부로 노출되면 된다. 이와 같은 구조로 인하여 저항체(27)가 수은 합금체(19')을 견고하게 고정 지지하므로 저항체(27)에서 발생하는 열이 수은 합금체(19')에 효율적으로 전달될 뿐만 아니라 수은 합금체(19')의 노출로 인하여 수은 가스가 효율적으로 발생되는 이점이 있다.In the
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 면광원장치(300)의 단면도로서, 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제3 실시예에 따른 면광원장치(300)는 수은 유닛(36)의 구조를 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.FIG. 5 is a cross-sectional view of the surface
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에서는 수은 합금체(19')의 상면이 외부로 노출되도록 수은 합금체(19')를 저항체(37)에 수납한다. 이에 따라 수은 합금체(19')를 저항체(37)에 안정적으로 고정 지지할 수 있을 뿐만 아니라 수은 합금체(19')의 상면이 외부로 노출되어 효율적으로 수은 가스를 발생시킬 수 있다.As shown in Fig. 5, in the third embodiment of the present invention, the mercury alloy 19 'is housed in the
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 면광원장치(400)의 단면도로서, 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제4 실시예에 따른 면광원장치(400)는 수은 유닛(46)의 구조를 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the surface
도 6에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에서는 저항체(47)로 수은 합금체(19')의 상면 및 하면을 둘러싸고, 수은 합금체(19')의 측면 중 적어도 한 면이 외부로 노출되도록 하였다. 이와 같은 구조에 따라 수은 합금체(19')를 저항체(47)로 견고하게 고정 지지하면서 측면을 통하여 수은 가스를 효율적으로 발생시킬 수 있다.As shown in FIG. 6, in the fourth embodiment of the present invention, the
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 면광원장치(500)의 단면도로서, 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제5 실시예에 따른 면광원장치(500)는 수은 유닛(56)의 구조를 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.FIG. 7 is a cross-sectional view of the surface
도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에서는 저항체(59)가 그 상부를 향하여 오목부와 볼록부가 연속 형성되도록 하고, 저항체(59)상에 수은 합금체(57)를 도포한다. 이와 같은 구조에 따라 수은 합금체(57)에 열전달이 잘 이루 어지므로 효율적으로 수은 가스를 발생시킬 수 있다.As shown in FIG. 7, in the fifth embodiment of the present invention, the
도 8은 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치(600)의 단면도로서, 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치(600)는 수은 유닛(66)의 위치를 제외하고는 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.FIG. 8 is a cross-sectional view of the surface
도 8에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제6 실시예에서는 수은 유닛(66)이 제1 전극(111) 및 제2 전극(131) 중 어느 한 전극의 유전체층(113, 133)과 이격 설치된다. 구체적으로는, 상부 기판(101) 하부에 저항체(67)가 배치되고, 그 하부에 수은 합금체(69)가 배치된다. 리드선(65)은 상부 기판(101)과 에지 부재(105) 사이로 외부 노출되며, 저항체(67)는 리드선(65)과 연결되어 이로부터 전압을 인가받는다. 이에 따라 저항체(67)의 발열로 인하여 전극(111)이 파손되는 것을 방지할 수 있다. As shown in FIG. 8, in the sixth embodiment of the present invention, the
도 9는 본 발명의 제7 실시예에 따른 면광원장치(700)의 단면도로서, 도 8에 도시한 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제7 실시예에 따른 면광원장치(700)는 수은 유닛(76)의 구조를 제외하고는 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.
FIG. 9 is a cross-sectional view of the surface
도 9에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제7 실시예에서는 저항체(67)가 수은 합금체(69)상에 설치되고, 저항체(67)는 상부 기판 하부에 부착된 보호층(71) 하부에 부착된다. 이에 따라 저항체(67)에 전압이 인가되어 900℃ 이상의 고열이 발생하여도 상부 기판(101)이 열충격에 의하여 파손되지 않는다. 보호층(71)은 내화물인 Al2O3 또는 TiO2 등으로 형성할 수 있다. 이와 같은 수은 유닛(76)의 구조로 인하여 저항체(67)에 고열이 발생하여도 상부 기판(101)을 보호할 수 있고, 고열이 제1 전극(111)에 미치는 영향을 최소화할 수 있다.As shown in FIG. 9, in the seventh embodiment of the present invention, the
도 10은 본 발명의 제8 실시예에 따른 면광원장치(800)의 단면도로서, 도 8에 도시한 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분을 자른 단면을 나타내는 단면도이다. 본 발명의 제8 실시예에 따른 면광원장치(800)는 수은 유닛(86)의 위치를 제외하고는 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 그 구조가 동일하므로, 본 발명의 제6 실시예에 따른 면광원장치와 동일한 부분에는 동일한 도면 부호를 사용하며 그 자세한 설명을 생략한다.FIG. 10 is a cross-sectional view of the surface
도 10에 도시한 바와 같이, 수은 합금체(89)와 저항체(87)를 포함하는 수은 유닛(86)을 제1 전극(111) 및 제2 전극(131) 중 어느 한 전극과 하부 기판(103)상에 나란히 배치할 수 있다. 도 10에는 수은 유닛(86)을 제1 전극(111)과 이웃하여 배치하는 것으로 도시하였지만, 이는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 제1 전극(111) 및 제2 전극(131) 중 어느 한 전극과 나란히 배치하면 된다. 이와 같은 구조를 통하여, 면광원장치 (800)의 내부를 단순화면서도 수은 가스를 효율적으로 방출할 수 있다.As shown in FIG. 10, the
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 방전 유닛의 일단에 설치되어 방전 유닛에 수은을 공급하도록 전기 저항 가열되는 수은 유닛을 포함하므로 수은 가스를 효과적으로 발생시켜 방전에 유리하다.As described above, the liquid crystal display according to the present invention includes a mercury unit which is installed at one end of the discharge unit and is electrically resistively heated to supply mercury to the discharge unit, so that mercury gas is effectively generated, which is advantageous for discharge.
수은 유닛은, 수은 합금체, 저항체, 및 리드선을 포함하므로 그 구조가 간단하면서도 견고하여 수은 가스를 효과적으로 발생시킬 수 있다.Since the mercury unit includes a mercury alloy, a resistor, and a lead wire, its structure is simple and robust, and can effectively generate mercury gas.
저항체는 수은 합금체의 측면을 둘러싸고, 수은 합금체의 상면 및 하면 중 적어도 한 면은 외부로 노출되므로, 저항체로부터 수은 합금체에 열이 효율적으로 전달될 수 있고 수은 가스 발생이 유리한 이점이 있다.Since the resistor surrounds the side surface of the mercury alloy and at least one of the upper and lower surfaces of the mercury alloy is exposed to the outside, heat can be efficiently transferred from the resistor to the mercury alloy and mercury gas generation is advantageous.
수은 합금체의 상면이 외부로 노출되도록 수은 합금체가 저항체에 수납될 수 있으므로, 수은 합금체를 저항체로 견고하게 고정할 수 있다.Since the mercury alloy may be accommodated in the resistor so that the upper surface of the mercury alloy is exposed to the outside, the mercury alloy may be firmly fixed to the resistor.
수은 합금체의 상면 및 하면을 둘러싸고, 수은 합금체의 측면 중 적어도 한 면은 외부로 노출되므로, 수은 가스가 잘 발생된다.Surrounding the upper and lower surfaces of the mercury alloy body, at least one of the side surfaces of the mercury alloy is exposed to the outside, mercury gas is generated well.
저항체는 그 상부를 향하여 오목부와 볼록부가 연속 형성되고, 저항체상에 수은 합금체가 도포되므로, 저항체의 표면적이 증가되어 수은 합금체에 효과적으로 열을 전달할 수 있다.The resistor is formed in a concave portion and a convex portion toward the upper portion thereof, and the mercury alloy is coated on the resistor, so that the surface area of the resistor can be increased to effectively transfer heat to the mercury alloy.
수은 유닛을 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극의 유전체층상에 이격 설치할 수 있으므로, 저항체 가열로 인하여 전극에 대한 열충격을 완화할 수 있다.Since the mercury unit can be spaced apart on the dielectric layer of any one of the first electrode and the second electrode, thermal shock to the electrode can be alleviated due to resistance heating.
본 발명에 따른 면광원장치는, 상부 기판 및 하부 기판 사이의 가장자리를 둘러서 밀폐하는 에지 부재를 더 포함하고, 리드선은 상부 기판과 에지 부재 사이로 외부 노출되므로, 구조가 간단하면서도 방전 효율이 우수하다.The surface light source device according to the present invention further includes an edge member for sealing the edge between the upper substrate and the lower substrate, and the lead wire is externally exposed between the upper substrate and the edge member, so that the structure is simple and the discharge efficiency is excellent.
저항체는 수은 합금체상에 설치되고, 저항체는 상부 기판 하부에 부착된 보호층 하부에 부착되므로, 저항체의 발열에 따른 상부 기판의 손상을 미연에 방지할 수 있는 이점이 있다.The resistor is installed on the mercury alloy, the resistor is attached to the lower portion of the protective layer attached to the lower substrate, there is an advantage that can prevent the damage to the upper substrate due to the heat generated by the resistor.
수은 유닛은 제1 전극 및 제2 전극 중 어느 한 전극과 하부 기판상에 나란히 설치되므로 그 구조가 간단하다.The mercury unit is installed in parallel with one of the first electrode and the second electrode on the lower substrate, so that the structure is simple.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 설명하였지만, 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.Although the present invention has been described above, it will be readily understood by those skilled in the art that various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the claims set out below.
Claims (10)
Priority Applications (1)
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KR1020040079841A KR101035626B1 (en) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | A flat fluorescent lamp |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020040079841A KR101035626B1 (en) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | A flat fluorescent lamp |
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KR20060030983A KR20060030983A (en) | 2006-04-12 |
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ID=37140832
Family Applications (1)
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KR1020040079841A KR101035626B1 (en) | 2004-10-07 | 2004-10-07 | A flat fluorescent lamp |
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Citations (2)
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JPH10312772A (en) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Matsushita Electron Corp | Low pressure mercury discharge lamp and manufacture thereof |
KR100359737B1 (en) * | 2001-02-24 | 2002-11-11 | 주식회사 엘에스텍 | Flat fluorescent lamp |
-
2004
- 2004-10-07 KR KR1020040079841A patent/KR101035626B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10312772A (en) * | 1997-05-14 | 1998-11-24 | Matsushita Electron Corp | Low pressure mercury discharge lamp and manufacture thereof |
KR100359737B1 (en) * | 2001-02-24 | 2002-11-11 | 주식회사 엘에스텍 | Flat fluorescent lamp |
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