KR101034759B1 - Lcd eye inspection equipment - Google Patents
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Abstract
본 발명은 액정 패널을 고정한 상태에서 다결정막 검사를 위한 램프를 이동시키거나, 램프 각도를 다양하게 조절함으로써, 보다 정확한 다결정 실리콘 박막을 검사할 수 있는 액정표시장치 육안 검사기를 개시한다. 개시된 본 발명은 액정표시장치 기판 상의 박막층을 검사하기 위하여 기판을 고정하는 회전판; 상기 회전판 지지하는 베이스; 및 상기 회전판 상에 고정되어 있는 기판에 조명을 조사하기 위한 조명장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses a liquid crystal display visual inspection device capable of inspecting a more accurate polycrystalline silicon thin film by moving a lamp for inspecting a polycrystalline film or by controlling a variety of lamp angles while fixing a liquid crystal panel. The disclosed invention includes a rotating plate for fixing a substrate to inspect the thin film layer on the liquid crystal display substrate; A base supporting the rotating plate; And an illumination device for irradiating illumination onto a substrate fixed on the rotating plate.
여기서, 상기 조명장치는 조명을 조사하는 램프와, 상기 램프의 각도를 조절하는 램프 조절바와, 상기 램프 조절바를 고정하는 이송 수단과, 상기 이송 수단의 위치를 조절하는 조정바로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.Here, the lighting device is characterized in that the lamp is irradiated with illumination, the lamp control bar for adjusting the angle of the lamp, the transport means for fixing the lamp control bar, and the adjustment bar for adjusting the position of the transport means do.
육안, 다결정, 엑시머, 레이저, 램프Visual, polycrystalline, excimer, laser, lamp
Description
도 1a 내지 도 1d는 일반적인 기술에 따른 레이저를 사용하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 공정을 도시한 도면.1A to 1D illustrate a process of forming a polycrystalline silicon thin film using a laser according to a general technique.
도 2는 종래 기술에 따라 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위하여 최적에너지를 판별하기 위한 육안 검사 방법을 설명하기 위한 도면.Figure 2 is a view for explaining a visual inspection method for determining the optimum energy to form a polycrystalline silicon thin film according to the prior art.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치 육안 검사기.3 is a visual inspection of the liquid crystal display device according to the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치 육안 검사기의 측면도.Figure 4 is a side view of the liquid crystal display visual inspection device according to the present invention.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따라 육안 검사를 위하여 조면 장치를 스캔하는 방식을 설명하기 위한 도면. 5A and 5B are views for explaining a method of scanning a roughening device for visual inspection according to the present invention;
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
200: 기판 121: 회전판200: substrate 121: rotating plate
120: 베이스 100: 조명 장치120: base 100: lighting device
110: 램프 105: 이송 수단110: lamp 105: conveying means
107: 램프 조절바 101: 조정바107: lamp adjustment bar 101: adjustment bar
본 발명은 액정표시장치(TFT-LCD:Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) 육안 검사기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 글라스 기판을 고정한 상태에서 다결정막 검사를 위한 램프를 이동시키거나, 램프 각도를 다양하게 조절함으로써, 보다 정확한 다결정 실리콘 박막을 검사할 수 있는 액정표시장치 육안 검사기에 관한 것이다.The present invention relates to a TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) visual inspection device, and more particularly, to move a lamp for inspecting a polycrystalline film in a state where a glass substrate is fixed, or to vary a lamp angle. By adjusting, the present invention relates to a liquid crystal display visual inspection machine that can inspect a more accurate polycrystalline silicon thin film.
최근 들어 급속한 발전을 거듭하고 있는 반도체 산업의 기술 개발에 의하여 액정표시장치는 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 강력해진 제품들이 생산되고 있다.Recently, due to the rapid development of technology in the semiconductor industry, liquid crystal display devices are being manufactured with smaller and lighter weight and more powerful products.
지금까지 정보 디스플레이 장치에 널리 사용되고 있는 CRT(cathode ray tube)가 성능이나 가격 측면에서 많은 장점을 갖고 있지만, 소형화 또는 휴대성의 측면에서는 많은 단점을 갖고 있었다.Cathode ray tube (CRT), which is widely used in information display devices, has many advantages in terms of performance and price, but has many disadvantages in terms of miniaturization or portability.
이에 반하여, 액정표시장치는 소형화, 경량화, 저 전력 소비화 등의 장점을 갖고 있어 CRT의 단점을 극복할 수 있는 대체 수단으로 점차 주목받아 왔고, 현재는 디스플레이 장치를 필요로 하는 거의 모든 정보 처리 기기에 장착되고 있는 실정이다.On the other hand, liquid crystal displays have been attracting attention as an alternative means of overcoming the shortcomings of CRTs because they have advantages such as miniaturization, light weight, and low power consumption. Currently, almost all information processing devices that require display devices are required. The situation is attached to.
특히, 스위칭 소자로 박막 트랜지스터 사용한 액정 표시 장치는 표시 해상도가 다른 평판 표시 장치보다 뛰어나고, 동화상을 구현할 때 그 품질이 브라운관에 비할 만큼 반응 속도가 빠른 특성을 나타내고 있다.In particular, a liquid crystal display device using a thin film transistor as a switching element has superior display resolution than other flat panel display devices, and exhibits a fast response speed as compared with a CRT when implementing a moving image.
또한, 상기 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 삽입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직임으로써 액정 분자의 움직임에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.In addition, the thin film transistor type liquid crystal display device has two substrates on which the field generating electrodes are formed so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, a liquid crystal material is inserted between the two substrates, and a voltage is applied to the two electrodes. It is an apparatus that expresses an image by the transmittance of light that varies depending on the movement of liquid crystal molecules by moving the liquid crystal molecules by an electric field generated by application.
이 때, 상기 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치의 하부 기판은 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 포함하며, 이와 같은 박막 트랜지스터에 의해 임의의 화소(pixel)가 스위칭 되면, 스위칭된 임의의 화소는 하부 광원의 빛 투과량을 조절할 수 있게 된다. In this case, the lower substrate of the thin film transistor type liquid crystal display includes a thin film transistor which is a switching element. When an arbitrary pixel is switched by the thin film transistor, any of the switched pixels may transmit light through the lower light source. Can be adjusted.
상기 스위칭 소자는 반도체층을 비정질 실리콘으로 형성한, 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(amorphous silicon thin film transistor: a-Si:H TFT)가 주류를 이루고 있으며, 이는 비정질 실리콘 박막이 저가의 유리기판과 같은 대형 절연기판 상에 저온에서 형성하는 것이 가능하기 때문이다.The switching element is mainly composed of amorphous silicon thin film transistors (a-Si: H TFTs) in which a semiconductor layer is formed of amorphous silicon. This is because the amorphous silicon thin film has a large insulation such as a low-cost glass substrate. This is because it is possible to form at a low temperature on the substrate.
그런데, 이러한 비정질 실리콘(a-Si:H)은 캐리어(carrier)의 이동도(mobility)가 낮아 동작 속도가 낮다. However, the amorphous silicon (a-Si: H) has a low operating speed due to low mobility of carriers.
또한, 액정 표시 장치는 비정질 실리콘으로 제작된 박막 트랜지스터 어레이 기판 외부에서 단결정 실리콘(single crystal silicon)으로 제작된 고밀도 집적 회로(large scale integration circuit)를 TCP(tape carrier package) 본딩(bonding) 공정으로 연결하여 구동시키는데, 상기 구동 회로 부분을 디스플레이 부분과 동일한 기판 상에 제작할 경우 기판의 단자에 별도의 구동 회로용 집적회로를 부착시켜야 하는 부담이 있다.In addition, the liquid crystal display device connects a large scale integration circuit made of single crystal silicon to a tape carrier package bonding process outside a thin film transistor array substrate made of amorphous silicon. When the driving circuit portion is manufactured on the same substrate as the display portion, there is a burden of attaching a separate driving circuit integrated circuit to a terminal of the substrate.
즉, 상기 박막 트랜지스터형 액정 표시 장치가 고밀도, 대면적화되고 디스플 레이 부분과 구동 회로 부분을 동일 기판 위에 제작하기 위해서는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터의 채널층 캐리어 이동도가 증가될 것이 요구되는데, 비정질 실리콘은 본질적으로 디펙트(defect)가 많이 형성되고 전하 캐리어의 농도가 낮아 비정질 실리콘으로 제작된 박막 트랜지스터는 이와 같은 이동도가 떨어진다는 문제점이 있다.That is, in order for the thin film transistor type liquid crystal display device to have a high density and a large area, and to fabricate the display portion and the driving circuit portion on the same substrate, it is required to increase the channel layer carrier mobility of the thin film transistor which is the switching element. In essence, a thin film transistor made of amorphous silicon has a problem in that such defects are formed in many defects and the concentration of charge carriers is low.
이에, 근래에는 상기와 같은 문제점을 효과적으로 해결할 수 있는 방법으로 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(polycrystalline silicon TFT : poly-Si TFT)를 채용하는 액정 표시 장치에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.In recent years, researches on liquid crystal displays employing polycrystalline silicon TFTs (poly-Si TFTs) have been actively conducted as a method for effectively solving the above problems.
상기 다결정 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터는 캐리어의 이동도가 크기 때문에 동일 유리 기판 상에 구동 회로를 형성할 수 있으며, 또한 박막 트랜지스터와 구동 회로를 연결하는 공정 과정이 불필요하다.Since the thin film transistor using polycrystalline silicon has a large carrier mobility, a driving circuit can be formed on the same glass substrate, and a process of connecting the thin film transistor and the driving circuit is unnecessary.
따라서, 상기 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 생산 비용을 절감하는 효과가 있고, 응답 속도가 빠르며 온도와 빛에 대한 안정성도 우수하다는 장점이 있다.Therefore, the polycrystalline silicon thin film transistor has the effect of reducing the production cost, has a fast response speed and excellent stability to temperature and light.
상기와 같은 장점을 가지는 다결정 실리콘을 제작하기 위해 주로 비정질 실리콘을 기판 상에 증착한 후 소정의 방법으로 결정화하여 다결정 실리콘을 형성하는 방법이 사용된다.In order to fabricate polycrystalline silicon having the above advantages, a method of forming amorphous polysilicon by depositing amorphous silicon on a substrate and then crystallizing by a predetermined method is used.
도 1a 내지 도 1d는 일반적인 레이저를 사용하여 다결정 실리콘 박막을 형성하는 공정을 도시한 도면이다.1A to 1D illustrate a process of forming a polycrystalline silicon thin film using a general laser.
도 1a에 도시된 바와 같이, 600℃ 이상의 고온을 견딜 수 있는 유리 기판이나 웨이퍼(wafer) 등의 기판(10)을 구비하고, 이러한 기판(10) 전 영역 상에 추후 공정에서 발생하게 되는 불순물의 확산을 방지하기 위하여 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성되는 버퍼층(buffer layer, 11)을 소정의 두께로 도포한다.As shown in FIG. 1A, a
상기 버퍼층(11)이 형성되어 있는 기판(10)의 전 영역 상에 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD) 등을 이용하여 300Å ~ 1000Å 정도의 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막(12a)을 증착한다.Amorphous silicon (a-Si: H)
그리고, 도 1b에 도시된 바와 같이 400℃ ~ 500℃에서 탈수소화(hydrogen evolution) 과정을 거친다.And, as shown in Figure 1b is subjected to a hydrogen evolution (hydrogen evolution) process at 400 ℃ ~ 500 ℃.
이와 같은 탈수소화 공정을 거치는 이유는 앞서 비정질 실리콘 박막(12a)을 플라즈마 화학 기상 증착법으로 증착하는 과정에서 첨가된 수소(H)를 제거하여 이후 레이저 열처리(laser annealing) 과정에서의 막들뜸(films ablation) 현상을 방지하기 위해서이다.The reason for such a dehydrogenation process is to remove hydrogen (H) added in the process of depositing the amorphous silicon
이어서, 도 1c에 도시된 바와 같이 비정질 실리콘막을 다결정화하기 위하여 엑시머 레이저에 의하여 열처리 공정을 진행한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1C, a heat treatment process is performed by an excimer laser to polycrystalline the amorphous silicon film.
엑시머 레이저 열처리 방법(excimer laser annealing : ELA)은 강한 에너지를 가지고 있는 엑시머 레이저(excimer laser)를 비정질 실리콘 박막이 증착되어 있는 기판에 펄스(pulse) 형태로 가해서, 상기 비정질 실리콘이 증착된 기판에 순간적으로(수십 내지 수백 나노 초) 레이저 에너지를 공급하여 비정질 실리콘을 용융상태로 만든 후, 이어 냉각함으로써 다결정 실리콘을 형성하는 방법이다.The excimer laser annealing method (ELA) applies an excimer laser, which has a strong energy, to a substrate on which an amorphous silicon thin film is deposited, in a pulse form, and instantaneously onto the substrate on which the amorphous silicon is deposited. It is a method of forming polycrystalline silicon by supplying laser energy with (several tens to hundreds of nanoseconds) to make amorphous silicon molten and then cooling it.
따라서, 상기 엑시머 레이저에 의한 열처리(excimer laser annealing) 공정은 비정질 실리콘 박막(12a)이 증착된 기판(10) 전체를 이동시키면서 엑시머 레이 저 빔을 스캔 방식으로 조사하여, 상기 비정질 실리콘 박막(12a)을 용융한다.Therefore, the excimer laser annealing process irradiates an excimer laser beam while scanning the
이러한 엑시머 레이저를 기판에 형성된 상기 비정질 실리콘 박막(12a)에 반복적으로 조사하는데, 이와 같이 상기 비정질 실리콘 박막(12a)에 엑시머 레이저를 조사하면서 기판(10) 전면을 스캐닝하면 비정질 실리콘 박막의 상단부부터 용융된다.The excimer laser is repeatedly irradiated onto the amorphous silicon
상기와 같이 비정질 실리콘이 순간적으로 용융된 후 응고되면서 결정화 반응이 빠르게 진행되는데, 이때 결정핵 생성 반응과 결정립 성장이라는 두가지 반응이 동시에 순간적으로 진행되게 된다.As described above, the crystallization reaction proceeds rapidly as the amorphous silicon melts instantaneously and solidifies. At this time, two reactions such as crystal nucleation reaction and grain growth proceed instantaneously.
도 1d에 확대하여 도시된 바와 같이, 상기 공정을 진행한 후에 형성된 다결정 실리콘 박막(12b)은 결정립(20)의 크기가 통상 수천 Å으로 매우 작으며, 결정립(20)들의 방향이 일정하지 않다.As shown in an enlarged view in FIG. 1D, the polycrystalline silicon
또한, 도 1d에 확대하여 도시한 바와 같이, 상기 결정핵에서 수직 방향으로 결정립(20)이 성장하게 되고, 이러한 수직방향으로의 결정립(20)의 성장이 완료되면 연속적으로 수평방향으로의 성장이 이루어지게 되는데, 이때 서로 이웃하는 결정립(20)간에 충돌이 발생하게 되고, 특히 실리콘은 액상(liquid)이 고상(solid)보다 밀도가 높으므로 결정립(20)계가 표면에 돌출되는 현상이 발생한다.In addition, as shown in an enlarged view in FIG. 1D, the
상기에서와 같이 다결정 실리콘 박막을 형성할 때에는 그때 마다 엑시머 레이저의 상태, 비정질 실리콘 박막을 형성하는 조건과 장비들의 상태가 달라 최적의 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 최적의 레이저 에너지 값은 달라지는 문제가 있다. As described above, when the polycrystalline silicon thin film is formed, the state of the excimer laser, the conditions for forming the amorphous silicon thin film, and the states of the equipments are different each time, so that the optimum laser energy value for forming the optimal polycrystalline silicon thin film is different. .
이와 같이, 각각의 조건과 상태에 따라 최적의 레이저 에너지 값을 달라지므로 레이저 조사에 의하여 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위하여 처음 기판 상에 다양한 에너지 값에 따른 레이저를 조사하고, 그에 따른 다결정 실리콘 박막을 육안으로 검사자가 검사하여 최적의 레이저 에너지 값을 찾아내는 작업을 진행한다.As such, since the optimum laser energy value varies according to each condition and state, the laser is irradiated with various energy values on the substrate for the first time in order to form the polycrystalline silicon thin film by laser irradiation, and the resulting polycrystalline silicon thin film is visually examined. The inspector then inspects and finds the optimal laser energy value.
도 2는 종래 기술에 따라 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위하여 최적에너지를 판별하기 위한 육안 검사 방법을 설명하기 위한 도면이다.2 is a view for explaining a visual inspection method for determining an optimal energy to form a polycrystalline silicon thin film according to the prior art.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(10) 상에 버퍼층(11)과 비정질 실리콘 박막(12a)이 형성되어 있고, 상기 비정질 실리콘 박막(12a)을 최적의 다결정 실리콘 박막을 형성하기 최초 기판(10)을 다양한 에너지 값에 따라 레이저를 조사한다.As shown in FIG. 2, the
상기와 같이 다양한 에너지 값으로 조사된 기판(10)을 들고, 검사자는 할루겐 램프(Halogen Lamp) 상부에서 기판(10) 상에 형성되어 있는 다결정 실리콘 박막을 검사한다.Holding the
상기 검사자는 다양한 에너지 값들에 의하여 형성된 다결정 실리콘 박막의 색깔과 줄무늬등을 관찰하여, 엑시머 레이저의 최적 에너지 조건을 결정한다.The inspector determines the optimal energy condition of the excimer laser by observing the color and stripes of the polycrystalline silicon thin film formed by various energy values.
그런 다음, 상기 검사자가 최적의 레이저 에너지 값을 결정하면, 이후 비정질 실리콘 박막이 도포되어 있는 기판 상에 결정된 최적의 레이저 에너지 값으로 열처리 공정을 진행한다.Then, when the inspector determines the optimal laser energy value, the heat treatment process proceeds to the optimal laser energy value determined on the substrate on which the amorphous silicon thin film is applied.
따라서, 보다 양질의 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위해서는 최적의 에너지 값을 얻기 위한 검사 공정이 필수적임을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that an inspection process for obtaining an optimal energy value is essential to form a higher quality polycrystalline silicon thin film.
그러나, 상기와 같이 엑시머 레이저를 조사하여 다결정 실리콘 박막을 형성 하기 전에, 최초 기판을 검사자가 램프 위에서 비춘 상태에서 가장 적정한 다결정 실리콘 박막을 찾아내야 하는데, 상기 램프는 고정된 상태에서 비춰지기 때문에 최적의 다결정 실리콘 박막을 검사하기 어려운 문제가 있다.However, before the excimer laser is irradiated to form the polycrystalline silicon thin film as described above, it is necessary to find the most suitable polycrystalline silicon thin film in the state where the inspector first shines on the lamp, which is optimal because the lamp is illuminated in the fixed state. There is a problem that is difficult to inspect the polycrystalline silicon thin film.
즉, 고정되어 있는 램프 위에서 검사자가 액정 패널 기판을 들고 비추어가면서 다결정 실리콘 박막을 검사하기 때문에 좌우 측면 방향에서 다결정 실리콘 박막을 검사할 수 없다.That is, since the inspector examines the polycrystalline silicon thin film while holding the liquid crystal panel substrate on the fixed lamp, the polycrystalline silicon thin film cannot be inspected in the left and right side directions.
상기에서와 같이, 검사의 정확성이 저하되어 최적의 에너지 상태에서 다결정 실리콘 박막을 형성하지 못하면, 상기 실리콘 박막의 표면의 불균일도가 증가하여 소자의 특성을 저하시키게 된다.As described above, when the accuracy of the inspection is deteriorated and the polycrystalline silicon thin film is not formed at the optimal energy state, the nonuniformity of the surface of the silicon thin film is increased, thereby degrading the characteristics of the device.
그리고 이와 같은 검사 방법은 숙련된 엔지니어의 경험을 바탕으로 램프의 각도에 따라 나타나는 밝기와 스캔 모양을 판별하여 최적의 에너지 값을 결정하기 때문에 초심자가 진행하기 어려운 단점이 있다.And such a test method has a disadvantage that it is difficult for beginners to proceed because it determines the optimal energy value by determining the brightness and scan shape appear according to the angle of the lamp based on the experience of experienced engineers.
본 발명은, 다결정 실리콘 박막이 형성된 액정표시장치를 육안 검사할 때, 글라스 기판을 회전할 수 있는 회전판과, 검사를 위하여 사용되는 램프를 글라스 기판 상부 전 영역을 자유롭게 조광할 수 있도록 함으로써 초보자라도 신속하게 최적이 다결정막을 형성하기 위한 레이저 에너지를 결정할 수 있는 액정표시장치 육안 검사기를 제공함에 그 목적이 있다.According to the present invention, a visual inspection of a liquid crystal display device in which a polycrystalline silicon thin film is formed may be performed by a rotating plate capable of rotating a glass substrate and a lamp used for inspection to freely control the entire area of the upper glass substrate. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display visual inspection device capable of optimally determining laser energy for forming a polycrystalline film.
상기한 목적을 달성하기 위한, 본 발명에 따른 액정표시장치 육안 검사기는, In order to achieve the above object, the liquid crystal display visual inspection device according to the present invention,
액정표시장치 기판 상의 박막층을 검사하기 위하여 기판을 고정하는 회전판;A rotating plate fixing the substrate to inspect the thin film layer on the liquid crystal display substrate;
상기 회전판 지지하는 베이스; 및A base supporting the rotating plate; And
상기 회전판 상에 고정되어 있는 기판에 조명을 조사하기 위한 조명장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.It is characterized in that it comprises a; lighting device for irradiating illumination to the substrate fixed on the rotating plate.
여기서, 상기 조명장치는 조명을 조사하는 램프와, 상기 램프의 각도를 조절하는 램프 조절바와, 상기 램프 조절바를 고정하는 이송 수단과, 상기 이송 수단의 위치를 조절하는 조정바로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.Here, the lighting device is characterized in that the lamp is irradiated with illumination, the lamp control bar for adjusting the angle of the lamp, the transport means for fixing the lamp control bar, and the adjustment bar for adjusting the position of the transport means do.
그리고 상기 램프 조절바는 상기 램프를 상하로 이동시키고, 상기 베이스의 구조는 상기 조명 장치의 조정바가 움직일 수 있도록 중심 둘레가 오픈 되어 있으며, 상기 회전판은 상기 베이스에 고정된 상태에서 360°회전되고, 상기 조명 장치의 이송 수단은 롤러에 의하여 자유롭게 움직일 수 있는 것을 특징으로 한다.And the lamp control bar to move the lamp up and down, the structure of the base is open around the center so that the adjustment bar of the lighting device can move, the rotating plate is rotated 360 ° in a fixed state to the base, The conveying means of the lighting device is characterized in that it can move freely by a roller.
본 발명에 의하면, 다결정 실리콘 박막이 형성된 액정표시장치의 글라스 기판을 육안 검사하기 위하여, 글라스 기판을 고정시키면서 회전할 수 있도록 한 회전판과, 검사를 위한 조명 장치를 자유롭게 이동시킬 수 있을 뿐 아니라, 조명 각도 또한 조절 가능하도록 함으로써, 다결정 실리콘 박막을 형성하기 위한 최적의 레이저 에너지를 결정할 수 있도록 하였다.According to the present invention, in order to visually inspect the glass substrate of the liquid crystal display device in which the polycrystalline silicon thin film is formed, the rotating plate and the illuminating device for inspection can be freely moved, while the glass substrate is fixed while the glass substrate is fixed. By controlling the angle, the optimum laser energy for forming the polycrystalline silicon thin film can be determined.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 자세히 설명하도록 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 액정표시장치 육안 검사기이다.3 is a visual inspection device of a liquid crystal display according to the present invention.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 다결정 실리콘 박막을 검사하기 위 하여 기판(200)을 고정시키는 회전판(121)과, 상기 회전판(121)을 지지하면서 상기 기판(200) 검사를 위한 조명을 인가하는 조명 장치(100)가 위치하는 베이스(120)와, 상기 회전판(121) 상에 고정 배치되어 있는 상기 기판(200)에 광을 조사시키는 조명 장치(100)로 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, in the present invention, the
상기 조명 장치(100)는 상기 베이스(120) 둘레의 오픈된 영역을 따라 움직일 수 있는 조정바(101)와, 상기 조정바(101)의 가장자리에 연결되어 있는 이동 수단(105)과, 상기 이동 수단(105) 상에 배치되어 있는 램프(110)로 구성되어 있다.The
상기 이동 수단(105)에는 상기 램프(110)를 고정하면서, 상기 램프(110)를 다양한 각도로 움직이게 할 수 있는 램프 조절바(107)가 배치되어 있고, 상기 이동 수단(105) 다양한 방향으로 이동시키기 위한 조정바(101)가 결합되어 있다.The moving means 105 is fixed to the
따라서, 상기 조정바(101)를 움직이면서 상기 이동 수단(105)을 움직이면, 상기 램프(110)가 움직여, 다양한 방향으로 기판(200을 검사할 수 있게된다.Therefore, when the moving means 105 is moved while the
상기와 같은 구조를 갖는 액정표시장치 육안 검사기는 다음과 같은 방법으로 기판 상에 형성되어 있는 다결정 실리콘 박막을 검사한다.The liquid crystal display visual inspector having the above structure inspects the polycrystalline silicon thin film formed on the substrate in the following manner.
먼저, 카세트에 적재되어 있는 다수개의 기판 중 최초 기판에 대하여 다양한 크기의 에너지 값을 설정하여 다결정 실리콘 박막을 형성한다.First, a polycrystalline silicon thin film is formed by setting energy values of various sizes with respect to the first substrate among a plurality of substrates loaded in a cassette.
이와 같이 다결정 실리콘 박막이 형성되어 있는 기판(200)은 상기 베이스(120) 상부에 체결되어 있는 회전판(121) 상에 고정시킨다. 상기 회전판(121)은 상기 베이스(120) 상부에서 360°회전할 수 있다.
As described above, the
상기 검사를 위한 기판(200)이 상기 회전판(121) 상에 고정 배치되면, 상기 조명 장치(100)의 조정바(101)에 의하여 램프(110)를 상기 베이스(120) 내측으로 이동시킨다.When the
상기 램프(110)를 고정시키고 있는 이동 수단(105) 하측에는 롤러가 배치되어 있으므로, 바닦면을 따라 자유롭게 이동할 수 있다.Since the roller is disposed under the moving means 105 which fixes the
상기 베이스(120) 내측으로 조명 장치(100)가 들어오면, 상기 조명 장치(100)의 램프(110)를 켜고, 상기 회전판(121) 상에 고정되어 있는 액정표시장치의 기판(200)을 검사한다.When the
상기 회전판(121)은 회전할 수 있는 구조를 하고 있고, 상기 조명 장치(100)는 상기 베이스(120) 내측 내에서 자유로이 이동할 수 있으므로, 상기 조명 장치(100)의 램프(110)를 다양한 방향으로 조광할 수 있다.The
또한, 상기 조명 장치(100)의 이송 수단(105) 상에 고정되어 있는 램프 조절바(107)에 의하여 상기 램프(110)의 각도를 다양한 각도로 움직이게 할 수 있고, 또한, 램프(110)의 위치를 상하로 조절할 수 있다.In addition, the
그러므로 상기 베이스(120) 내측에서 램프(110)의 조광 각도를 다양하게 함으로써, 상기 회전판(121) 상에 배치되어 있는 기판(200) 상의 다결정 실리콘 박막을 다양한 방법으로 검사할 수 있다.Therefore, by varying the dimming angle of the
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치 육안 검사기의 측면도이다.4 is a side view of the liquid crystal display visual inspector according to the present invention.
도 4에 도시된 바와 같이, 액정표시장치 육안 검사기의 베이스(120)와 회전판(121)의 측면을 도시하였다.
As shown in FIG. 4, the side surfaces of the
상기 베이스(120)의 중앙에는 둘레를 따라 오픈되어 있어, 조명장치의 조정바가 상기 베이스(120)의 둘레를 따라 360°방향에서 조명장치를 이동시킬 수 있다. 즉, 상기 베이스(120)의 둘레에 형성된 오픈 영역은 조명 장치를 베이스(120) 내측에서 조명장치가 자유롭게 움직일 수 있도록 하기 위함이다. 상기 베이스(120) 상에는 회전판(121)이 배치되어 있다.The center of the
상기 회전판(121)은 360°방향으로 회전할 수 있도록 되어 있으므로, 검사자는 상기 베이스(120) 내측에 존재하는 조명 장치의 이동 없이 상기 회전판(121)만을 회전시키면서 기판 상에 형성되어 있는 다결정 실리콘 박막의 상태를 검사할 수 있다.조면 장치를Since the
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따라 육안 검사를 위하여 조면 장치를 스캔하는 방식을 설명하기 위한 도면이다.5A and 5B are views for explaining a method of scanning a roughening device for visual inspection according to the present invention.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 액정표시장치 육안 검사기의 회전판 상에 액정표시장치 기판(200)이 고정 배치되어 있다. 상기 회전판은 360°회전 가능하므로, 도 5b와 같이 기판을 세로 방향으로 배치할 수 있다.As shown in FIGS. 5A and 5B, the liquid
점선 영역은 상기 회전판 하측, 즉 베이스 내측에 이동하고 있는 조명 장치의 램프(110)를 도시한 것으로써, 상기 액정표시장치 기판(200) 상에 형성되어 있는 다결정 실리콘 박막을 가로 방향 또는 세로 방향으로 검사하는 것을 볼 수 있다.The dotted line area shows the
즉, 액정표시장치 기판(200)을 장축 방향 또는 단축 방향을 따라 램프(110)를 이동시키면서 검사함으로써, 다양한 에너지 값에 따라 형성된 다결정 실리콘 박막을 검사한다.That is, by inspecting the liquid
상기 액정표시장치 기판(200)을 장축 방향 또는 단축 방향을 따라 스캔할 때, 조면 장치의 이동 수단에 의하여 움직이거나 램프 조절바의 각도 조절을 함께 조절하여 다결정 실리콘 박막의 상태를 정확하게 검사한다.When the liquid
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명은 다결정 실리콘 박막이 형성된 액정표시장치를 육안 검사할 때, 액정 패널이 회전할 수 있도록 하고, 검사를 위하여 사용되는 램프를 액정 패널의 전 영역을 자유롭게 조광할 수 있도록 함으로써 초보자라도 신속하게 다결정 실리콘 박막의 상태를 검사할 수 있는 효과가 있다.As described in detail above, the present invention allows the liquid crystal panel to rotate when visually inspecting the liquid crystal display device on which the polycrystalline silicon thin film is formed, and freely illuminates the entire area of the liquid crystal panel with a lamp used for the inspection. By doing so, even a beginner can quickly inspect the state of the polycrystalline silicon thin film.
또한, 상기와 같이 다결정 실리콘 박막을 검사하여 비정질 실리콘 막을 다결정 실리콘 막으로 형성하기 위한 최적의 레이저 에너지를 결정할 수 있는 효과가 있다.In addition, by inspecting the polycrystalline silicon thin film as described above, there is an effect that can determine the optimal laser energy for forming the amorphous silicon film as a polycrystalline silicon film.
본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made by those skilled in the art without departing from the gist of the present invention as claimed in the following claims.
Claims (6)
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KR1020030099341A KR101034759B1 (en) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | Lcd eye inspection equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1020030099341A KR101034759B1 (en) | 2003-12-29 | 2003-12-29 | Lcd eye inspection equipment |
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KR960018649A (en) * | 1994-11-28 | 1996-06-17 | 엄길용 | Visual inspection device of LCD panel |
-
2003
- 2003-12-29 KR KR1020030099341A patent/KR101034759B1/en active IP Right Grant
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KR960018649A (en) * | 1994-11-28 | 1996-06-17 | 엄길용 | Visual inspection device of LCD panel |
Also Published As
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