KR101025069B1 - In plane switching mode liquid crystal display device preventing light leakage - Google Patents

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Abstract

본 발명의 횡전계모드 액정표시소자는 화소내에 배치되는 컬러필터층의 폭을 변화시킴으로써 화소내의 빛샘에 의한 화질저하를 방지하기 위한 것으로, 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 도메인으로 이루어진 복수의 화소와, 상기 화소내에 형성된 스위칭소자와, 상기 화소내에 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 형성하는 공통전극 및 화소전극과, 상기 화소내에 형성되어 컬러를 구현하는 컬러필터층으로 구성되며, 상기 컬러필터층은 그 폭이 화소내의 위치에 따라 다르게 형성되어 화소내의 빛샘을 방지하는 것을 특징으로 한다.The transverse electric field mode liquid crystal display device of the present invention is for preventing image quality degradation due to light leakage in a pixel by changing the width of the color filter layer disposed in the pixel, and is composed of a plurality of domains defined by gate lines and data lines. A pixel, a switching element formed in the pixel, a common electrode and a pixel electrode disposed substantially parallel in the pixel to form a transverse electric field, and a color filter layer formed in the pixel to implement color, wherein the color filter layer The width is formed differently according to the position in the pixel, characterized in that to prevent light leakage in the pixel.

횡전계모드, 빛샘영역, 컬러필터층, 폭, 도메인Transverse electric field mode, light leakage area, color filter layer, width, domain

Description

빛샘이 방지된 횡전계모드 액정표시소자{IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE PREVENTING LIGHT LEAKAGE}Transverse electric field mode liquid crystal display device preventing light leakage {IN PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE PREVENTING LIGHT LEAKAGE}

도 1(a) 및 도 1(b)는 횡전계모드 액정표시소자의 기본적인 개념을 나타내는 도면.1 (a) and 1 (b) are diagrams showing the basic concept of a transverse electric field mode liquid crystal display device.

도 2는 종래 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도.2 is a plan view showing the structure of a conventional transverse electric field mode liquid crystal display device.

도 3(a)는 도 2의 I-I'선 단면도.(A) is sectional drawing along the II 'line | wire of FIG.

도 3(b)는 도 1의 II-II'선 단면도.(B) is sectional drawing along the II-II 'line | wire of FIG.

도 4(a) 및 도 4(b)는 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도.4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views showing the structure of a transverse electric field mode liquid crystal display device according to the present invention.

도 5는 컬러필터층이 오정렬된 횡전계모드 액정표시소자를 나타내는 평면도.5 is a plan view illustrating a transverse electric field mode liquid crystal display device in which a color filter layer is misaligned.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 횡전계모드 액정표시소자를 나타내는 평면도.6 is a plan view showing a transverse electric field mode liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

도 7은 도 6에 도시된 횡전계모드 액정표시소자의 컬러필터층을 나타내는 도면.FIG. 7 is a view showing a color filter layer of the transverse electric field mode liquid crystal display shown in FIG.

*** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

102,202 : 게이트라인 103,203 : 데이터라인102,202 gate line 103,203 data line

105,205 : 공통전극 107,207 : 화소전극 105,205: common electrode 107,207: pixel electrode                 

115,215 : 박막트랜지스터 134,234 : 컬러필터층115,215: thin film transistor 134,234: color filter layer

본 발명은 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 화소내에 배치되는 컬러필터층을 화소내에서의 위치에 따라 그 폭을 다르게 형성함으로써 컬러필터층의 오정렬에 의한 빛샘을 방지할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transverse electric field mode liquid crystal display device. Particularly, a transverse electric field mode liquid crystal capable of preventing light leakage due to misalignment of a color filter layer by forming a width of a color filter layer arranged in a pixel differently according to a position in a pixel. It relates to a display element.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.Recently, with the development of various portable electronic devices such as mobile phones, PDAs, and notebook computers, there is a growing demand for flat panel display devices for light and thin applications. Such flat panel displays are being actively researched, such as LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel), FED (Field Emission Display), VFD (Vacuum Fluorescent Display), but mass production technology, ease of driving means, Liquid crystal display devices (LCDs) are in the spotlight for reasons of implementation.

이러한 액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절률 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의 인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다. Such liquid crystal display devices have various display modes according to the arrangement of liquid crystal molecules. However, TN mode liquid crystal display devices are mainly used because of the advantages of easy monochrome display, fast response speed, and low driving voltage. In such a TN mode liquid crystal display device, liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are almost perpendicular to the substrate when a voltage is applied. Therefore, there is a problem that the viewing angle is narrowed upon application of voltage due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules.                         

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 제안되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 전압을 인가했을 때 평면상의 횡전계를 형성하여 액정분자를 평면상으로 배향함으로써 시야각특성을 향상시킨 것으로, 도 1(a) 및 도 1(b)에 그 기본적인 개념이 도시되어 있다.In order to solve this viewing angle problem, liquid crystal display devices of various modes having wide viewing angle characteristics have recently been proposed, but among them, the liquid crystal display device of the lateral field mode (In Plane Switching Mode) is applied to actual production. It is produced. The IPS mode liquid crystal display device improves the viewing angle characteristic by forming a planar transverse electric field when a voltage is applied and aligning the liquid crystal molecules in a planar manner. The basic concept of FIGS. 1 (a) and 1 (b) is improved. Is shown.

도 1(a)에 도시된 바와 같이, IPS모드 액정표시소자에서는 액정패널(1) 상에 공통전극(5) 및 화소전극(7)이 실질적으로 평행하게 배열되어 있고, 패널(1) 위에 형성되는 배향막의 러빙방향은 상기 공통전극(5)과 화소전극(7)과 일정한 각도의 형성된다. 따라서, 화소전극(7)이 전압이 인가되지 않는 경우 액정분자(42)는 러빙방향을 따라 배열되어 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 일정한 각도로 배향된다.As shown in FIG. 1A, in the IPS mode liquid crystal display device, the common electrode 5 and the pixel electrode 7 are arranged substantially in parallel on the liquid crystal panel 1 and formed on the panel 1. The rubbing direction of the alignment layer is formed at a predetermined angle with the common electrode 5 and the pixel electrode 7. Therefore, when no voltage is applied to the pixel electrode 7, the liquid crystal molecules 42 are arranged along the rubbing direction and are oriented at a constant angle with the common electrode 5 and the pixel electrode 7.

상기 공통전극(5)과 화소전극(7)에 전압이 인가되면, 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 패널(1)의 표면과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하여, 도 1(b)에 도시된 바와 같이 액정분자(42)가 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 수직방향으로 배향된다.When a voltage is applied to the common electrode 5 and the pixel electrode 7, a transverse electric field substantially parallel to the surface of the panel 1 is generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 7, and FIG. 1. As shown in (b), the liquid crystal molecules 42 are oriented perpendicular to the common electrode 5 and the pixel electrode 7.

다시 말해서, 전압이 인가되는 경우 액정분자(42)는 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되며, 그 결과 액정분자(42)의 굴절률 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.In other words, when a voltage is applied, the liquid crystal molecules 42 rotate on the same plane along the transverse electric field, and as a result, gray level inversion due to refractive anisotropy of the liquid crystal molecules 42 can be prevented.

그런데, 상기와 같은 IPS모드 액정표시장치에서는 시야각방향에 따라 색상이 변하는 문제가 있었다. 도면에는 도시하지 않았지만, 공통전극(5)과 화소전극(7)은 액정표시소자의 제1기판(박막트랜지스터가 형성되는 TFT기판)에 형성되어 있으므로, 전압이 인가된 경우 상기 제1기판 근처의 액정분자(42a)는 횡전계에 의해 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 수직하게 배향되는 반면, 제2기판(컬러필터가 형성되는 컬러필터기판) 근처의 액정분자(42b)는 공통전극(5)과 화소전극(7)과 일정 각도로 배향된다. 즉, 제1기판에서 제2기판으로 액정분자(42a,42b)가 트위스트(twist)되는 것이다. 이때, 액정분자(42)는 특정방향으로 트위스트되므로, 도 1(b)에 도시된 바와 같이 X,Y의 시야각방향에서 색변환이 발생하여 화질이 저하된다.However, in the IPS mode liquid crystal display device as described above, there is a problem that the color changes according to the viewing angle direction. Although not shown, the common electrode 5 and the pixel electrode 7 are formed on the first substrate (the TFT substrate on which the thin film transistor is formed) of the liquid crystal display device. The liquid crystal molecules 42a are oriented perpendicular to the common electrode 5 and the pixel electrode 7 by the transverse electric field, while the liquid crystal molecules 42b near the second substrate (the color filter substrate on which the color filter is formed) are common. The electrodes 5 and the pixel electrodes 7 are oriented at a predetermined angle. That is, the liquid crystal molecules 42a and 42b are twisted from the first substrate to the second substrate. At this time, since the liquid crystal molecules 42 are twisted in a specific direction, color conversion occurs in the viewing angle directions of X and Y, as shown in FIG.

상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같은 구조의 IPS모드 액정표시소자가 제안되고 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이 구조의 IPS모드 액정표시소자에서는 데이터라인(3)이 게이트라인(2)과 수직으로 배열되는 것이 아니고 일정한 각도로 배열된다. 또한, 상기 게이트라인(2)과 데이터라인(3)에 의해 정의되는 화소내에 배열되어 횡전계를 형성하는 공통전극(5)과 화소전극(7) 역시 게이트라인(2)과 일정한 각도로, 즉 데이터라인(3)과 평행하게 배열된다. 화소내에는 상기 공통전극(5)이 접속되는 공통라인(8) 및 화소전극(7)이 접속되는 화소전극라인(9)이 오버랩되어 축적용량(storage capacitance)을 형성한다.In order to solve the above problems, an IPS mode liquid crystal display device having a structure as shown in FIG. 2 has been proposed. As shown in Fig. 2, in the IPS mode liquid crystal display device of this structure, the data lines 3 are arranged not at right angles to the gate line 2 but at a predetermined angle. In addition, the common electrode 5 and the pixel electrode 7 arranged in the pixel defined by the gate line 2 and the data line 3 to form a transverse electric field also have a constant angle with the gate line 2, that is, It is arranged parallel to the data line (3). In the pixel, the common line 8 to which the common electrode 5 is connected and the pixel electrode line 9 to which the pixel electrode 7 is connected are overlapped to form storage capacitance.

상기 화소는 화소내에 형성된 게이트라인(2)의 연장방향을 중심으로 2개의 도메인으로 분할되어 있다. 즉, 화소중앙을 기준으로 공통전극(5) 및 화소전극(7)이 게이트라인(2)의 연장방향을 중심으로 대칭으로 배열되어 있다. 따라서, 상부의 도메인과 하부의 도메인에서의 횡전계는 서로 대칭으로 인가되기 때문에, 한 화소내에서의 주시야각이 보상되어 시야각특성을 향상시킬 수 있게 되는 것이다. The pixel is divided into two domains around the extension direction of the gate line 2 formed in the pixel. That is, the common electrode 5 and the pixel electrode 7 are symmetrically arranged around the extension direction of the gate line 2 with respect to the center of the pixel. Therefore, since the transverse electric fields in the upper and lower domains are symmetrically applied to each other, the viewing angle in one pixel can be compensated to improve the viewing angle characteristic.                         

상기 화소내의 게이트라인(2)과 데이터라인(3)이 교차하는 영역에는 게이트전극(16), 반도체층(17), 소스전극(18) 및 드레인전극(19)으로 이루어진 박막트랜지스터(15)가 배치되어, 외부로부터 입력되는 신호를 화소전극(7)에 인가하며, 상기 신호가 인가됨에 따라 액정층에는 횡전계가 생성되는 것이다.The thin film transistor 15 including the gate electrode 16, the semiconductor layer 17, the source electrode 18, and the drain electrode 19 is formed in an area where the gate line 2 and the data line 3 intersect in the pixel. In this case, a signal input from the outside is applied to the pixel electrode 7, and a transverse electric field is generated in the liquid crystal layer as the signal is applied.

이때, 도면부호 34는 실제 컬러를 구현하는 컬러필터층을 나타내는 도면이다. 상기 컬러필터층(34)은 화소의 화상표시영역에 형성되는 것으로서, 화소에 최외곽(즉, 데이터라인(3) 근처에 배치된) 공통전극(5)과 그 일부가 오버랩되어 있다.In this case, reference numeral 34 denotes a color filter layer that implements actual colors. The color filter layer 34 is formed in an image display area of a pixel, and overlaps a part of the common electrode 5 that is outermost to the pixel (that is, disposed near the data line 3).

상기한 구조의 IPS모드 액정표시소자에서는 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절률 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다. 또한, 화소를 주시야각방향이 다른 2개의 도메인으로 구성함으로써 시야각특성을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.In the IPS mode liquid crystal display device having the above-described structure, the liquid crystal molecules rotate on the same plane along the transverse electric field, thereby preventing gray level inversion due to refractive anisotropy of the liquid crystal molecules. In addition, the viewing angle characteristic can be improved by configuring the pixel in two domains with different viewing angles.

상기한 구조의 종래 IPS모드 액정표시소자를 도 3(a) 및 도 3(b)를 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다. 이때, 도 3(a)는 도 2의 I-I'선 단면도로서 박막트랜지스터의 구조를 나타내는 도면이고, 도 3(b)는 도 2의 II-II'선 단면도로서 화소구조를 나타내는 도면이다.The conventional IPS mode liquid crystal display device having the above structure will be described in more detail with reference to FIGS. 3 (a) and 3 (b) as follows. 3 (a) is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 2 and shows the structure of the thin film transistor, and FIG. 3 (b) is a cross-sectional view taken along the line II-II ′ of FIG.

도 3(a)에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(16)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(17)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(18) 및 드레인전극(19)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 3A, the gate electrode 16 is formed on the first substrate 20, and the gate insulating layer 22 is stacked over the entire first substrate 20. The semiconductor layer 17 is formed on the gate insulating layer 22, and the source electrode 18 and the drain electrode 19 are formed thereon. In addition, a passivation layer 24 is formed on the entire first substrate 20.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 박막트랜지스터(10) 영역 및 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), G(Green), B(Blue)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다. 각각의 R, G, B컬러필터층(34)은 각각 하나의 화소에 형성되어 R, G, B화소를 형성하며, 이 R, G, B화소에 의해 구현된 컬러에 의해 화상을 표시하는 도트(dot)가 표시된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 상기 컬러필터층(34)에는 평탄화를 위한 오버코트층(over coat layer)이 형성되어 있다.The black matrix 32 and the color filter layer 34 are formed on the second substrate 30. The black matrix 32 is used to prevent light leakage into an area where liquid crystal molecules do not operate. The black matrix 32 is mainly formed between the thin film transistor 10 and between the pixel and the pixel (ie, the gate line and the data line area). . The color filter layer 34 is composed of R (Red), G (Green), and B (Blue) to realize actual colors. Each of the R, G, and B color filter layers 34 is formed in one pixel to form R, G, and B pixels, and each of the dots for displaying an image by the color implemented by the R, G, and B pixels ( dot) is displayed. Although not shown in the drawing, the color filter layer 34 is formed with an overcoat layer for planarization.

상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.The liquid crystal layer 40 is formed between the first substrate 20 and the second substrate 30 to complete the liquid crystal panel 1.

도 3(b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7) 및 데이터라인(3)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.As shown in FIG. 3B, a plurality of common electrodes 5 are formed on the first substrate 20, and a pixel electrode 7 and a data line 3 are formed on the gate insulating layer 22. Thus, a transverse electric field is generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 7.

이때, 데이터라인(3)의 근처, 즉 화소의 최외곽에는 공통전극(5)이 배열되어 있는데, 그 이유는 데이터라인(3)과 화소전극(7) 사이에 발생하는 전계를 차단(shielding)하여 액정층(40)에 인가되는 횡전계가 왜곡되는 것을 방지하기 위한 것이다.At this time, the common electrode 5 is arranged near the data line 3, that is, at the outermost part of the pixel, for the reason of shielding an electric field generated between the data line 3 and the pixel electrode 7. This is to prevent the transverse electric field applied to the liquid crystal layer 40 from being distorted.

한편, 제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있 다. 이때, 상기 블랙매트릭스(32)는 데이터라인(3)과 화소의 최외곽 공통전극(5) 상에 배치된다.Meanwhile, the black matrix 32 and the color filter layer 34 are formed on the second substrate 30. In this case, the black matrix 32 is disposed on the data line 3 and the outermost common electrode 5 of the pixel.

상기와 같은 구성의 IPS모드 액정표시소자는 제1기판(20) 및 제2기판(30)이 각각 별개의 공정(즉, 박막트랜지스터공정 및 컬러필터공정)을 거친 후 합착공정에 의해 합착됨으로써 형성된다. 제1기판(20)과 제2기판(30)의 합착은 제1기판(20) 또는 제2기판(30)의 외곽영역에 실링재(sealant)를 도포하고 기계적인 압력에 의해 이루어진다. 따라서, 합착시 오정렬이 발생할 수 있을 뿐만 아니라 합착시 외력 등에 의해 제1기판(20) 및 제2기판(30)이 미끄러지는 경우가 발생하게 된다. 이러한 제1기판(20) 및 제2기판(30)의 오정렬이나 미끄러짐은 제1기판(20) 및 제2기판(30)의 합착후 IPS모드 액정표시소자의 휘도를 저하시키고 개구율의 저하시키는 주요한 원인이 된다.The IPS mode liquid crystal display device having the above configuration is formed by bonding the first substrate 20 and the second substrate 30 through separate processes (that is, a thin film transistor process and a color filter process) and then bonding them by a bonding process. do. Joining of the first substrate 20 and the second substrate 30 is performed by applying a sealant to the outer region of the first substrate 20 or the second substrate 30 and by mechanical pressure. Therefore, not only misalignment may occur during bonding, but also the first substrate 20 and the second substrate 30 may slide due to external force during bonding. This misalignment or slippage of the first substrate 20 and the second substrate 30 is a major factor in lowering the luminance and decreasing the aperture ratio of the IPS mode liquid crystal display device after the bonding of the first substrate 20 and the second substrate 30. Cause.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 컬러필터층을 박막트랜지스터 위에 형성함으로써 정렬오차를 최소화하고 제조공정을 단순화할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a transverse electric field mode liquid crystal display device capable of minimizing alignment error and simplifying a manufacturing process by forming a color filter layer on a thin film transistor.

본 발명의 다른 목적은 화소내에 배치되는 컬러필터층의 폭을 화소내에서 다르게 설정함으로써 화소내의 빛샘영역을 제거할 수 있는 횡전계모드 액정표시소자를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a transverse electric field mode liquid crystal display device capable of removing light leakage regions in a pixel by setting different widths in the color filter layer disposed in the pixel.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자는 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 도메인으로 이루어진 복수의 화 소와, 상기 화소내에 형성된 스위칭소자와, 상기 화소내에 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 형성하는 공통전극 및 화소전극과, 상기 화소내에 배치되어 컬러를 구현하며, 폭이 화소의 상부쪽으로 갈수록 증가하는 컬러필터층으로 구성된다.In order to achieve the above object, the transverse electric field mode liquid crystal display device according to the present invention comprises a plurality of pixels consisting of a plurality of domains defined by gate lines and data lines, a switching element formed in the pixel, and A common electrode and a pixel electrode disposed substantially parallel to form a transverse electric field, and a color filter layer disposed in the pixel to implement color and increasing in width toward an upper portion of the pixel.

상기 스위칭소자는 제1기판위에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층과, 상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층과, 상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극과, 상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성된 보호층으로 이루어지며, 컬러필터층은 상기 보호층 위에 형성된다. 이때, 화소는 공통전극 및 화소전극은 적어도 1회 절곡되어 화소에 복수의 도메인영역을 형성할 수도 있다.The switching element includes a gate electrode formed on a first substrate, a gate insulating layer formed on the gate electrode, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer, the source electrode and a drain. A protective layer formed on the electrode, the color filter layer is formed on the protective layer. In this case, the common electrode and the pixel electrode may be bent at least once to form a plurality of domain regions in the pixel.

본 발명에서는 제1기판 및 제2기판의 합착오차에 기인하는 불량을 방지하기 위해, 블랙매트릭스와 컬러필터층을 박막트랜지스터가 형성되는 제1기판에 형성한다. 이러한 구조를 COT(Color filter On TFT)라고 한다. 이 COT구조에서는 박막트랜지스터 위에 블랙매트릭스와 컬러필터층을 형성함으로써 제1기판 및 제2기판의 합착오차에 의한 불량을 방지할 수 있게 된다. 또한, 상기 COT구조에서는 컬러필터층이 제1기판에 형성되므로, 제2기판에 단차를 발생시키는 오버코트층이 필요없게 되어 공정이 단순화되고 제조비용을 절감할 수 있게 된다.In the present invention, the black matrix and the color filter layer are formed on the first substrate on which the thin film transistor is formed in order to prevent defects caused by the bonding error between the first substrate and the second substrate. This structure is called COT (Color filter On TFT). In this COT structure, the black matrix and the color filter layer are formed on the thin film transistor to prevent defects caused by the bonding error between the first substrate and the second substrate. In addition, since the color filter layer is formed on the first substrate in the COT structure, an overcoat layer for generating a step in the second substrate is not required, thereby simplifying the process and reducing the manufacturing cost.

도 4(a) 및 도 4(b)는 COT구조의 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 단면도서, 도 4(a)는 박막트랜지스터의 구조를 나타내는 도면이고 도 4(b)는 화소구조를 나타내는 도면이다. 4 (a) and 4 (b) are cross-sectional views showing the structure of the IPS mode liquid crystal display device having the COT structure, and FIG. 4 (a) shows the structure of the thin film transistor, and FIG. 4 (b) shows the pixel structure. It is a figure which shows.                     

도 4(a)에 도시된 바와 같이, 제1기판(120) 위에는 게이트전극(116)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(120) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(122) 위에는 반도체층(117)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(118) 및 드레인전극(119)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(124)이 형성되어 있다.As shown in FIG. 4A, a gate electrode 116 is formed on the first substrate 120, and a gate insulating layer 22 is stacked over the entire first substrate 120. The semiconductor layer 117 is formed on the gate insulating layer 122, and a source electrode 118 and a drain electrode 119 are formed thereon. In addition, a protective layer 124 is formed over the entire first substrate 20.

상기 보호층(124) 위에는 블랙매트릭스(132)와 컬러필터층(134)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(132)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도 4(a)에 도시된 바와 같이 주로 박막트랜지스터(110) 영역에 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), G(Green), B(Blue)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다. 또한, 상기 제1기판(120) 및 제2기판(130) 사이에는 액정층(140)이 형성되어 액정패널이 완성된다.The black matrix 132 and the color filter layer 134 are formed on the passivation layer 124. The black matrix 132 is to prevent light leakage into a region in which the liquid crystal molecules do not operate. The black matrix 132 is mainly formed in the region of the thin film transistor 110 as shown in FIG. The color filter layer 34 is composed of R (Red), G (Green), and B (Blue) to realize actual colors. In addition, the liquid crystal layer 140 is formed between the first substrate 120 and the second substrate 130 to complete the liquid crystal panel.

도 4(b)에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7) 및 데이터라인(3)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.As shown in FIG. 4B, a plurality of common electrodes 5 are formed on the first substrate 20, and a pixel electrode 7 and a data line 3 are formed on the gate insulating layer 22. Thus, a transverse electric field is generated between the common electrode 5 and the pixel electrode 7.

데이터라인(103)과 상기 데이터라인(105)의 근처에 배치된 최외곽 공통전극(105) 위에는 블랙매트릭스(132)가 형성되며, 양 최외곽 안쪽의 화소영역 위에는 컬러필터층(134)이 형성된다. 상기 컬러필터층(134)이 형성되는 영역은 실제 화상이 표시되는 영역으로, 공통전극(5)과 화소전극(7)에 의해 횡전계가 인가되는 영역과 일치해야만 한다. 따라서, 상기 컬러필터층(134)은 공통전극(5)과 화소전극(7)에 의해 횡전계가 인가되는 영역 전체에 걸쳐 형성된다. 또한, 컬러필터층(134)의 일부는 화소의 최외곽 공통전극(105)의 일부와 오버랩되어야만 한다. 컬러필터층(134)의 일부가 최외곽 공통전극(105)과 오버랩되지 않고 상기 컬러필터층(134)과 최외곽 공통전극(105) 사이에 간격이 존재하는 경우 표시영역의 일부에 컬러필터층(134)이 없는 영역이 발생하게 되어 빛이 새는 현상이 발생하게 되므로, 컬러필터층(134)과 최외곽 공통전극(105)이 오버랩되어야만 하는 것이다. 즉, 컬러필터층(134)과 블랙매트릭스가 오버랩되어야만 한다.The black matrix 132 is formed on the outermost common electrode 105 disposed near the data line 103 and the data line 105, and the color filter layer 134 is formed on the innermost innermost pixel region. . The area in which the color filter layer 134 is formed is an area in which an actual image is displayed and should match the area in which the transverse electric field is applied by the common electrode 5 and the pixel electrode 7. Accordingly, the color filter layer 134 is formed over the entire region where the transverse electric field is applied by the common electrode 5 and the pixel electrode 7. In addition, a part of the color filter layer 134 should overlap with a part of the outermost common electrode 105 of the pixel. When a part of the color filter layer 134 does not overlap the outermost common electrode 105 and there is a gap between the color filter layer 134 and the outermost common electrode 105, the color filter layer 134 is disposed in a portion of the display area. Since no light is generated and a light leak occurs, the color filter layer 134 and the outermost common electrode 105 must overlap. That is, the color filter layer 134 and the black matrix must overlap.

박막트랜지스터(110)와 컬러필터층(134)은 노광공정을 포함하는 포토리소그래피공정에 의해 형성된다. 일반적으로 박막트랜지스터(110)와 컬러필터층(134)은 그 해상도 및 공정정밀도가 다르며, 따라서 사용되는 장비도 다르다. 박막트랜지스터공정에서는 해상도가 좋은 Projection형 노광기를 사용하는 반면에 컬러필터공정에서는 상대적으로 해상도가 떨어지는 Proximate형 노광기를 사용한다. 그 이유는 Projection형 노광기가 Proximate형 노광기에 비해 상대적으로 고가의 장비이므로, 고해상도가 필요없는 컬러필터공정에 고가의 Projection형 노광기를 사용하면 액정표시소자 제조비용이 증가하기 때문이다.The thin film transistor 110 and the color filter layer 134 are formed by a photolithography process including an exposure process. In general, the thin film transistor 110 and the color filter layer 134 have different resolutions and process precisions, and thus different equipments are used. In the thin film transistor process, a projection type exposure machine with good resolution is used, whereas in the color filter process, a relatively low resolution Proximate type exposure machine is used. This is because the projection type exposure machine is relatively expensive compared to the Proximate type exposure machine, and therefore, the cost of manufacturing the liquid crystal display device increases when the expensive projection type exposure machine is used for the color filter process that does not require high resolution.

한편, 박막트랜지스터공정과 컬러필터공정에 각기 다른 노광기를 사용함에 따라 다음과 같은 문제가 발생할 수 있다.On the other hand, as the different exposure machines are used in the thin film transistor process and the color filter process, the following problems may occur.

컬러필터공정에 사용되는 Proximate형 노광기는 해상도가 낮기 때문에 컬러필터층을 형성했을 때 고해상도의 Projection형 노광기를 사용하는 박막트랜지스터(공통전극과 화소전극, 데이터라인)에 비해 오정렬이 발생할 가능성이 높아진다. 이 경우, 컬러필터층(134)을 보호층(124) 위에 형성했을 때, 컬러필 터층(134)의 오정렬에 의해 화소의 최외곽 공통전극(105)과 컬러필터층(134)이 오버랩되지 않게 된다. 다시 말해서, 화소영역에는 컬러가 표시되지 않는 빛샘영역이 발생하는 것이다. 이러한 빛샘영역은 액정표시소자의 화질을 저하시키는 주요한 원인이 된다.Since the Proximate type exposure machine used in the color filter process has low resolution, misalignment is more likely to occur when the color filter layer is formed than the thin film transistors (common electrode, pixel electrode, and data line) that use high-resolution projection type exposure machines. In this case, when the color filter layer 134 is formed on the protective layer 124, the outermost common electrode 105 of the pixel and the color filter layer 134 do not overlap due to misalignment of the color filter layer 134. In other words, a light leakage region in which no color is displayed is generated in the pixel region. This light leakage region is a major cause of deterioration of the image quality of the liquid crystal display device.

노광기에서는 좌우 상하방향으로 오정렬보다는 뒤틀림(distortion)에 의한 오정렬이 주로 발생한다. 따라서, 화소중앙영역보다는 화소의 모서리영역으로 갈수록 오정렬에 의한 빛샘현상이 많이 발생한다.In the exposure machine, misalignment is mainly caused by distortion rather than misalignment in the left, right, up and down directions. Therefore, more light leakage occurs due to misalignment toward the edge region of the pixel than the pixel center region.

도 5는 노광기가 오정렬되어 형성된 화소의 구조를 나타내는 도면이다.5 is a diagram illustrating a structure of a pixel in which an exposure machine is misaligned.

도 5에 도시된 구조의 IPS모드 액정표시소자는 도 2에 도시된 IPS모드 액정표시소자와는 동일한 구조로 이루어져 있으며, 단지 컬러필터층(134)의 배치에만 차이가 있다. 노광기의 오정렬에 의해 컬러필터층(134)의 일부가 화소내에 배치된 최외곽 공통전극(105)과 오버랩되지 않게 되어, 화상표시영역에는 컬러필터층(134)이 형성되지 않는 빛샘영역이 발생한다. 특히, 노광기의 오정렬은 뒤틀림에 의해 많이 발생하므로, 상기 빛샘영역은 주로 화소의 모서리영역(A)에서 발생한다. 이러한 빛샘영역은 색순도를 저하시켜 액정표시소자의 화질을 저하시키는 주요한 원인이 되었다.The IPS mode liquid crystal display device shown in FIG. 5 has the same structure as the IPS mode liquid crystal display device shown in FIG. 2, and there is a difference only in the arrangement of the color filter layer 134. Due to the misalignment of the exposure machine, a part of the color filter layer 134 does not overlap with the outermost common electrode 105 disposed in the pixel, so that a light leakage region in which the color filter layer 134 is not formed occurs in the image display area. In particular, since misalignment of the exposure machine is often caused by distortion, the light leakage region mainly occurs in the corner region A of the pixel. Such light leakage regions have been a major cause of deterioration of color purity and deterioration of image quality of liquid crystal display devices.

화소의 최외곽 공통전극(105)의 폭을 증가함으로써 빛샘영역을 제거할 수 있다. 즉, 최외곽 공통전극(105)의 폭을 증가시켜 빛샘영역을 차단함으로써 빛샘을 방지할 수 있게 되는 것이다. 그러나, 이경우 최외곽 공통전극(105)의 폭을 증가시킴에 따라 IPS모드 액정표시소자의 개구율이 저하되는 문제가 있었다. The light leakage region may be removed by increasing the width of the outermost common electrode 105 of the pixel. That is, light leakage may be prevented by increasing the width of the outermost common electrode 105 to block the light leakage region. In this case, however, as the width of the outermost common electrode 105 is increased, the aperture ratio of the IPS mode liquid crystal display device is lowered.                     

따라서, 빛샘영역을 차단하면서도 개구율의 저하를 방지할 수 있는 IPS모드 액정표시소자가 필요하게 된다. 최외곽 공통전극의 폭을 증가시킬 때 개구율이 저하되는 이유는 최외곽 공통전극의 폭을 전체적으로 증가시키기 때문이다. 즉, 최외곽 공통전극의 폭 증가에 비례하여 개구율이 저하되는 것이다. 그러나, 노광기의 오정렬에 의한 빛샘영역은 화소의 외곽 모서리영역으로 갈수록 많이 발생한다. 따라서, 상기 빛샘영역을 차단하기 위해, 최외곽 공통전극의 전체 폭을 증가시킬 필요없이 상기 빛샘영역에 대응하는 영역의 최외곽 공통전극의 폭 만을 증가시키면 되는 것이다.Accordingly, there is a need for an IPS mode liquid crystal display device capable of blocking the light leakage area and preventing the decrease in the aperture ratio. The reason why the aperture ratio decreases when the width of the outermost common electrode is increased is that the width of the outermost common electrode is increased overall. That is, the aperture ratio decreases in proportion to the increase in the width of the outermost common electrode. However, more light leakage regions due to misalignment of the exposure apparatus occur toward the outer edge regions of the pixels. Accordingly, in order to block the light leakage region, only the outermost common electrode of the region corresponding to the light leakage region needs to be increased without increasing the overall width of the outermost common electrode.

도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 IPS모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도이다. 도면에 도시된 IPS모드 액정표시소자는 최외곽 공통전극을 제외하고는 도 5에 도시된 IPS모드 액정표시소자와 그 구조가 동일하며, 그 단면구조는 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 구조와 동일하다. 따라서, 동일한 구조에 대해서는 설명을 생략하고 다른 구조에 대해서만 설명한다.6 is a plan view illustrating a structure of an IPS mode liquid crystal display device according to an exemplary embodiment of the present invention. The IPS mode liquid crystal display shown in the drawing has the same structure as the IPS mode liquid crystal display shown in FIG. 5 except for the outermost common electrode, and the cross-sectional structure thereof is shown in FIGS. 4A and 4B. Same as the structure shown in. Therefore, description of the same structure is omitted and only the other structure will be described.

도 6에 도시된 바와 같이, 화소내에 배치된 공통전극(205)과 화소전극(207)은 횡전계를 형성한다. 이때, 화소의 최외곽영역, 즉 데이터라인(203)의 근처에는 최외곽 공통전극(205)이 배치되어 데이터라인(203)에 의해 횡전계에 왜곡이 발생하는 것을 방지한다. 또한, 상기 화소내에는 컬러필터층(234)이 형성된다. 상기 컬러필터층(234)은 실제 컬러를 구현하기 위한 것으로, R, G, B컬러로 이루어진다.As shown in FIG. 6, the common electrode 205 and the pixel electrode 207 disposed in the pixel form a transverse electric field. In this case, the outermost common electrode 205 is disposed near the outermost region of the pixel, that is, the data line 203, to prevent distortion of the transverse electric field by the data line 203. In addition, a color filter layer 234 is formed in the pixel. The color filter layer 234 is for real color, and consists of R, G, and B colors.

화소내에 형성되는 컬러필터층(234)은 그 폭이 다르게 형성된다. 즉, 화소의 중앙영역에서의 폭과 상부 및 하부영역에서의 폭이 다르도록 형성되는 것이다. 도 6은 화소에 형성되는 컬러필터층(234)를 나타내는 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 화소의 중앙영역, 즉 공통전극(205) 및 화소전극(207)이 절곡되어 복수 도메인의 경계를 형성하는 영역에서 그 폭이 가장 작고 상부영역 또는 하부영역으로 갈수록 그 폭이 증가하여, 중앙영역의 폭(a)이 상부영역 또는 하부영역의 폭(b) 보다 작게 된다(a〈b).The color filter layer 234 formed in the pixel is formed to have a different width. In other words, the width in the center region of the pixel is different from the width in the upper and lower regions. 6 is a diagram illustrating a color filter layer 234 formed in a pixel. As shown in the figure, in the center region of the pixel, that is, the common electrode 205 and the pixel electrode 207 are bent to form a boundary of a plurality of domains, the width thereof is the smallest, and the width thereof becomes closer to the upper region or the lower region. As a result, the width a of the center region becomes smaller than the width b of the upper region or the lower region (a < b).

상기와 같이 컬러필터층(234)의 폭을 중앙에서 가장 작게 하고 상하부로 갈수록 그 폭을 증가시킴으로써, 노광기의 뒤틀림에 의해 컬러필터층(234)에 오정렬이 발생하는 경우에도 화소의 모서리영역의 컬러필터층(234)이 공통전극(205)과 오버랩되므로, 빛샘현상이 발생하지 않게 된다.As described above, the width of the color filter layer 234 is made the smallest in the center and the width thereof is increased as the upper and lower portions thereof are increased. Thus, even when misalignment occurs in the color filter layer 234 due to the warpage of the exposure machine, Since 234 overlaps with the common electrode 205, light leakage does not occur.

한편, 상기와 같이 컬러필터층(234)의 폭을 변경함으로써 컬러필터층(234)은 항상 블랙매트릭스와 오버랩된다. 블랙매트릭스는 데이터라인(103)과 공통전극(105) 위에 형성되므로, 컬러필터층(234)의 폭이 증가하여 컬러필터층(234)과 공통전극(205)이 오버랩된다는 것은 컬러필터층(234)과 블랙매트릭스가 오버랩된다는 것을 의미한다.On the other hand, by changing the width of the color filter layer 234 as described above, the color filter layer 234 always overlaps with the black matrix. Since the black matrix is formed on the data line 103 and the common electrode 105, the width of the color filter layer 234 increases so that the color filter layer 234 and the common electrode 205 overlap with each other. It means that the matrix overlaps.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 화소내에 배치되는 컬러필터층의 폭을 화소의 위치에 따라 다르게 설정함으로써 컬러필터층의 오정렬에 의한 빛샘영역을 제거하여 화질이 저하되는 것을 방지한다.As described above, in the IPS mode liquid crystal display device of the present invention, the width of the color filter layer disposed in the pixel is set differently according to the position of the pixel to remove the light leakage region due to misalignment of the color filter layer, thereby preventing the image quality from being degraded.

한편, 도 6 및 도 7에는 평면도 및 부분평면도만을 도시하여 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 특징적인 구조만을 설명하고 있으며, 그 상세한 구조는 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시되어 있다. 한편, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자는 도 4(a) 및 도 4(b)에 도시된 구조에 한정될 필요는 없다. 도 4(a) 및 도 4(b)에서는 공통전극과 화소전극이 각각 기판과 게이트절연층 위에 형성되어 있지만 본 발명에서는 상기 공통전극과 화소전극이 특정 층위에 형성될 필요는 없는 것이다. 또한, 한 화소내에 배치되는 공통전극과 화소전극의 수도 한정될 필요는 없을 것이다. 더욱이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자가 중앙에 절곡영역을 갖는 지그재그형상의 화소전극 및 공통전극에 한정될 필요는 없다. 상기와 같이, 화소전극 및 공통전극을 지그재그로 형성하는 것은, 화소내에 적어도 1회의 절곡영역을 형성함으로써 화소에 주시야각 방향이 서로 대칭인 복수의 도메인 영역을 형성하기 위한 것이다. 그러나, 공통전극 및 화소전극에 절곡영역이 없이 화소가 단지 하나의 도메인으로 이루어지는 IPS모드 액정표시소자도 본 발명에 훌륭하게 적용될 수 있을 것이다.6 and 7 illustrate only the characteristic structure of the IPS mode liquid crystal display device according to the present invention by showing only a plan view and a partial plan view, and the detailed structure thereof is shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b). It is. On the other hand, the IPS mode liquid crystal display device of the present invention need not be limited to the structure shown in Figs. 4 (a) and 4 (b). 4 (a) and 4 (b), the common electrode and the pixel electrode are formed on the substrate and the gate insulating layer, respectively, but the common electrode and the pixel electrode need not be formed on a specific layer in the present invention. In addition, the number of the common electrode and the pixel electrode disposed in one pixel need not be limited. Moreover, the IPS mode liquid crystal display device of the present invention need not be limited to the zigzag pixel electrode and the common electrode having a bent region at the center. As described above, the zigzag formation of the pixel electrode and the common electrode is for forming a plurality of domain regions having symmetrical viewing directions in the pixel by forming at least one bent region in the pixel. However, an IPS mode liquid crystal display device in which a pixel consists of only one domain without a bent region in the common electrode and the pixel electrode may also be applied to the present invention.

그리고, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자는 COT구조에만 한정될 필요는 없다. 즉, 본 발명은 박막트랜지스터가 제1기판에 형성되고 컬러필터층이 제2기판에 형성되는 도 3(a) 및 도 3(b)에 도시된 구조의 IPS모드 액정표시소자에도 적용될 수 있을 것이다. 물론, 이 경우 제1기판 및 제2기판의 합착에 의한 오정렬은 발생하지만 컬러필터층의 오정렬에 의한 불량은 방지할 수 있을 것이다.In addition, the IPS mode liquid crystal display device of the present invention need not be limited only to the COT structure. That is, the present invention may also be applied to an IPS mode liquid crystal display device having the structure shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b) in which a thin film transistor is formed on a first substrate and a color filter layer is formed on a second substrate. Of course, in this case, misalignment may occur due to the bonding of the first substrate and the second substrate, but defects due to misalignment of the color filter layer may be prevented.

상술한 바와 같이, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 화소내에 배치되는 컬러필터층의 폭을 화소내의 위치에 따라 변경함으로써 컬러필터층의 오정렬에 의한 빛샘현상을 방지할 수 있게 된다.As described above, in the IPS mode liquid crystal display device of the present invention, light leakage due to misalignment of the color filter layer can be prevented by changing the width of the color filter layer disposed in the pixel according to the position in the pixel.

Claims (8)

게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되는 복수의 도메인으로 이루어진 복수의 화소;A plurality of pixels comprising a plurality of domains defined by gate lines and data lines; 상기 화소내에 형성된 스위칭소자;A switching element formed in said pixel; 상기 화소내에 실질적으로 평행하게 배치되어 횡전계를 형성하고 화소내에서 적어도 1회 절곡되어 화소를 복수의 도메인영역으로 분할하는 공통전극 및 화소전극; 및A common electrode and a pixel electrode disposed substantially parallel in the pixel to form a transverse electric field and bent at least once in the pixel to divide the pixel into a plurality of domain regions; And 상기 화소내에 배치되어 컬러를 구현하며, 데이터라인의 연장방향을 따라 폭이 화소의 중앙에서 상부 및 하부쪽으로 갈수록 증가하여 상기 화소의 최외각 공통전극과의 오버랩되는 영역이 화소의 중앙에서 상부 및 하부쪽으로 갈수록 증가하는 컬러필터층으로 구성된 횡전계모드 액정표시소자.The color is disposed in the pixel to implement color, and the width increases along the extending direction of the data line from the center to the top and bottom of the pixel so that the overlapping area with the outermost common electrode of the pixel is at the top and bottom of the pixel. A transverse electric field mode liquid crystal display device composed of a color filter layer which increases toward the side. 제1항에 있어서, 상기 스위칭소자는,The method of claim 1, wherein the switching device, 제1기판위에 형성된 게이트전극;A gate electrode formed on the first substrate; 상기 게이트전극 위에 형성된 게이트절연층;A gate insulating layer formed on the gate electrode; 상기 게이트절연층 위에 형성된 반도체층;A semiconductor layer formed on the gate insulating layer; 상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극; 및A source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer; And 상기 소스전극 및 드레인전극 위에 형성된 보호층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.And a protective layer formed on the source electrode and the drain electrode. 제2항에 있어서, 컬러필터층은 상기 보호층 위에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.The transverse electric field mode liquid crystal display device of claim 2, wherein the color filter layer is formed on the passivation layer. 제2항에 있어서, 상기 보호층 위에 형성된 블랙매트릭스를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.The transverse electric field mode liquid crystal display device of claim 2, further comprising a black matrix formed on the protective layer. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 제2기판; 및Second substrate; And 상기 제2기판 위에 형성된 블랙매트릭스를 추가로 포함하며,Further comprising a black matrix formed on the second substrate, 상기 컬러필터층은 제2기판에 형성된 것을 특징으로 하는 횡전계모드 액정표시소자.And the color filter layer is formed on a second substrate. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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