KR101024674B1 - Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same - Google Patents
Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR101024674B1 KR101024674B1 KR1020070140889A KR20070140889A KR101024674B1 KR 101024674 B1 KR101024674 B1 KR 101024674B1 KR 1020070140889 A KR1020070140889 A KR 1020070140889A KR 20070140889 A KR20070140889 A KR 20070140889A KR 101024674 B1 KR101024674 B1 KR 101024674B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- cmp
- hydrophobic
- sam
- abrasive
- abrasive layer
- Prior art date
Links
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 40
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 27
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 12
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims description 6
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)[Si](Cl)(Cl)Cl QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 4
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZHZPKMZKYBQGKG-UHFFFAOYSA-N 6-methyl-2,4,6-tris(trifluoromethyl)oxane-2,4-diol Chemical compound FC(F)(F)C1(C)CC(O)(C(F)(F)F)CC(O)(C(F)(F)F)O1 ZHZPKMZKYBQGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- PXLREXIFXBMRFT-UHFFFAOYSA-N dichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[SiH](Cl)Cl PXLREXIFXBMRFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- CHBOSHOWERDCMH-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2,2-bis(4-chlorophenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(Cl)C=CC=1C(CCl)C1=CC=C(Cl)C=C1 CHBOSHOWERDCMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 abstract description 26
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 10
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 29
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 16
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 101710162828 Flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 description 2
- 101710135409 Probable flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HOHCZXBQTZMSEL-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl.Cl[SiH](Cl)Cl HOHCZXBQTZMSEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000399 optical microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000036619 pore blockages Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
- B24D18/0018—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for by electrolytic deposition
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/06—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor with inserted abrasive blocks, e.g. segmental
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/12—Dressing tools; Holders therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
본 발명은, CMP 컨디셔너와 같은 및 절삭공구의 제조에 관한 것으로, 지립층의 소수성 유지 성능을 향상시켜, 지립층 표면의 슬러리(Slurry)에 의한 응집 오염 및 그 오염에 의한 Wafer 결함 감소 및 절삭 성능 저하를 크게 억제한 절삭공구 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다. 이를 위해, 본 발명에 따른 절삭공구는, 기재 상에 지립들(abrasives)이 고착된 표면을 갖는 지립층을 형성하는 단계와, 상기 지립층의 표면 상에 소수성 물질막을 코팅하는 단계를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the manufacture of cutting tools, such as CMP conditioners, to improve the hydrophobic retention performance of the abrasive layer, to reduce cohesive contamination by slurry on the surface of the abrasive layer, and to reduce wafer defects due to the contamination and cutting performance. It is a technical subject to provide the manufacturing method of the cutting tool which suppressed the fall largely. To this end, the cutting tool according to the present invention includes forming an abrasive layer having a surface on which abrasive particles are fixed on a substrate, and coating a film of hydrophobic material on the surface of the abrasive layer.
절삭공구, 소수성, 친수성, CMP, 지립, 지립층, 물질막 Cutting tools, hydrophobic, hydrophilic, CMP, abrasive, abrasive layer, material film
Description
본 발명은,절삭 공구 분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 표면의 소수성 유지 성능이 좋은 소수성 절삭 공구 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은, CMP 패드의 컨디셔닝 공정에 이용되며, 슬러리(Slurry) 누적에 의한 오염도가 큰 CMP 컨디셔너에 접합한 구조의 절삭공구에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to the field of cutting tools, and more particularly, to a hydrophobic cutting tool having a good hydrophobic retention performance on a surface and a method of manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a cutting tool having a structure bonded to a CMP conditioner which is used in a conditioning step of a CMP pad and has a high degree of contamination due to slurry accumulation.
절삭공구는 지립(abrasives), 즉, 절삭입자를 이용하여 소재를 절삭 가공하는 공구이다. 본 명세서에서, '절삭가공'은, 원통 연삭, 내면 연삭, 평면 연삭과 같이 피삭재의 일부를 갈아내는 가공인 연삭(grinding)을 포함하는 것이며, 예를 들면, 다이아몬드 입자와 같은 지립을 이용하여 할 수 있는 모든 종류의 가공을 포함한다. Cutting tools are tools for cutting materials using abrasives, ie cutting particles. In the present specification, 'cutting' includes grinding, which is a process of grinding a part of a workpiece, such as cylindrical grinding, internal grinding, and planar grinding, for example, by using abrasive grains such as diamond particles. It includes all kinds of processing that can be done.
일반적으로, 절삭공구는 기재와 그 기재의 표면에 형성된 지립층을 포함하며, 상기 지립층의 표면에는 다수의 지립들이 고착된 구조를 이룬다. 지립을 고착하는 방식으로는 전착, 소결, 브레이징(Brazing) 등 다양한 것이 있다. 지립으로는, 다이아몬드, CBN(Cubic Boron Nitride), 알루미나 입자, 탄화규소 입자 등이 이용되고 있다.In general, the cutting tool includes a substrate and an abrasive layer formed on the surface of the substrate, and the surface of the abrasive layer has a structure in which a plurality of abrasive grains are fixed. There are various methods of fixing the abrasive, such as electrodeposition, sintering and brazing. As the abrasive, diamond, CBN (Cubic Boron Nitride), alumina particles, silicon carbide particles, and the like are used.
절삭공구를 이용한 가공에 있어서, 가공시간의 증가에 따라 지립층의 표면, 즉, 지립을 잡아주는 층의 표면 및 다이아몬드에 오염되는 현상이 발생한다. 이러한 현상은 수분을 포함한 절삭액(또는, 슬러리)을 이용하는 가공에서 특히 빈번하게 발생한다. 그 중에서도, CMP 패드의 컨디셔닝 가공 중, 슬러리 입자 및 잔류물이 CMP 컨디셔너에 누적되어 발생하는 표면 오염은 심각하다.In machining with a cutting tool, as the processing time increases, the surface of the abrasive layer, that is, the surface of the layer which holds the abrasive grains and the diamond are contaminated. This phenomenon occurs particularly frequently in machining with cutting fluids (or slurries) containing water. Among them, surface contamination caused by accumulation of slurry particles and residues in the CMP conditioner during the conditioning processing of the CMP pad is severe.
잘 알려진 바와 같이, CMP 패드는 반도체 웨이퍼의 광역 평탄화 작업에 이용되는 공구이며, CMP 컨디셔너는, CMP 패드 표면의 미공 막힘을 제거하여 CMP 패드의 성능 및 수명을 향상시키는 절삭공구다.As is well known, CMP pads are tools used for wide area planarization operations of semiconductor wafers, and CMP conditioners are cutting tools that improve the performance and life of CMP pads by removing pore blockages on the CMP pad surface.
가혹 실험에서 도 1은 CMP 컨디셔너를 이용한 CMP 컨디셔닝 가공 시간의 증가에 따른 표면 오염 정도의 변화를 나타낸 광학 현미경 사진들을 보여준다. 예시된 사진들은, 가공 전(Reference), 30분 경과 후(30 min), 60분 경과 후(60 min), 90분 경과 후(90 min), 그리고, 150분 경과 후(150 min)를 각각 보여준다. 도 1을 참조하면, 30분 후부터 상당량의 슬러리 오염물질이 보이고, 그러한 오염물질은 가공시간이 증가함에 따라, 응집을 계속하면서 증가함을 확인할 수 있다In severe experiments, FIG. 1 shows optical micrographs showing the change in the degree of surface contamination with increasing CMP conditioning processing time using a CMP conditioner. The photographs shown are before processing (Reference), after 30 minutes (30 min), after 60 minutes (60 min), after 90 minutes (90 min), and after 150 minutes (150 min), respectively. Shows. Referring to Figure 1, a significant amount of slurry contaminants are seen after 30 minutes, it can be seen that such contaminants continue to increase as the processing time increases, continues to aggregate
슬러리에 의한 CMP 컨디셔너의 지립층 표면 오염은 컨디셔닝 작업의 효율을 떨어뜨리며, 더 나아가, 오염물질 중의 파티클(Particle)은 CMP 컨디셔너를 이용한 절삭 가공에서 웨이퍼(wafer) 상에 스크래치 등의 손상을 야기하고 연마 후 웨이퍼 상의 파티클의 수를 증가시켜 생산수율에 영향을 미칠 수 있다.Abrasive layer surface contamination of the CMP conditioner by slurry reduces the efficiency of the conditioning operation. Furthermore, particles in the contaminants cause damage such as scratches on the wafer in cutting operations using the CMP conditioner. After polishing, the number of particles on the wafer can be increased to affect production yield.
본 발명자들은, 전술한 CMP 컨디셔너 오염의 가장 큰 원인으로, 컨디셔닝 가공시간의 증가 및 그에 따른 지립층의 표면의 친수성화 진행에 의한 것이라는 것을 발견하게 되었다. 즉, 사용전 CMP 컨디셔너의 지립층 표면은 소수성이 큰 특성을 가지나, 사용 후, 즉, CMP 패드의 컨디셔닝 가공이 진행됨에 따라, 지립층 표면이 친수성으로 바뀌고, 친수성 표면은 슬러리(Slurry)를 포함하는 물을 배척하지 못하여 쉽게 오염된다는 것을 본 발명자들은 알게 되었다. 위와 같은 문제점은 단지 CMP 컨디셔너에 국한되는 것이 아니며, 협의의 절삭가공 및 연삭가공을 포함하는 광의의 절삭가공에 모든 종류의 절삭공구에도 해당된다.The present inventors have found that the biggest cause of the above-mentioned CMP conditioner contamination is due to the increase in conditioning processing time and thus the hydrophilization of the surface of the abrasive layer. That is, before the use, the abrasive layer surface of the CMP conditioner has a high hydrophobic property, but after use, that is, as the conditioning processing of the CMP pad progresses, the abrasive layer surface is changed to hydrophilic, and the hydrophilic surface contains a slurry. The inventors have found that they are not easily rejected and contaminated. The above problems are not limited to CMP conditioners, but also for all kinds of cutting tools in a wide range of cutting tools, including narrow cutting and grinding.
본 발명은, 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 지립층의 소수성 유지 성능이 향상되어, 지립층 표면의 응집 및 그 오염에 의해 절삭 성능 저하가 크게 억제된 절삭공구 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the prior art, and provides a cutting tool and a method of manufacturing the same, in which the hydrophobic retention performance of the abrasive layer is improved, and the reduction in cutting performance is greatly suppressed due to aggregation and contamination of the abrasive layer surface. will be.
본 발명의 일 측면에 따라, 기재 상에 지립들(abrasives)이 고착된 표면을 갖는 지립층을 형성하는 단계와, 상기 지립층의 표면 상에 소수성 물질막을 코팅하는 단계를 포함하는 절삭공구 제조방법이 제공된다.According to an aspect of the present invention, a method for manufacturing a cutting tool comprising forming an abrasive layer having a surface on which abrasive particles are fixed on a substrate, and coating a hydrophobic material film on the surface of the abrasive layer. This is provided.
상기 소수성 물질막을 코팅하는 단계에서 상기 코팅된 소수성 물질막은 분자의 테일 그룹(tail group)이 소수성인 자기조립단분자막(SAM; Self Assmebled molecular monolayer)인 것이 바람직하다. 또한, 상기 소수성 물질막을 코팅하는 단계는, 증착 공정을 이용하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 증착 공정에 이용되는 전구체는 분자의 테일 그룹이 소수성, 바람직하게는, CF(Fluoro Carbon)기 이며, CHF (FLUOROHYDROCARBON)기도 사용될 수 있다. (전구체로는 FOTS(Trichlorosilane; 트리클로로실레인), DDMS (Dichlorodimethylsilane; 디클로로디메칠실레인), FDA (Perfluorodecanoicacide; 퍼플루오로데카논산), FDTS(Perfluorodecyltrichlorosilane; 퍼플루오로데실트리클로로실레인), OTS(Octadecyltrichlorosilane; 옥타데실크리클로로실레인) 등을 포함한다. 또한, 상기 전구체를 이용한 증착 공정은, V-SAM Process(베이퍼-SAM 공정)이 이용된다.In the step of coating the hydrophobic material film, the coated hydrophobic material film is preferably a self-assembled molecular monolayer (SAM) in which a tail group of molecules is hydrophobic. In addition, the coating of the hydrophobic material layer, it is preferable to use a deposition process. In this case, the precursor used in the deposition process is a hydrophobic, preferably, a CF (Fluoro Carbon) group, the tail group of the molecule, CHF (FLUOROHYDROCARBON) may also be used. (Precursors include Trichlorosilane (FOTS), Dichlorodimethylsilane (Dimethyldimethylsilane), DDMS, Perfluorodecanoicacide (Perfluorodecanoic acid), Perfluorodecyltrichlorosilane (FDTS), OTS (Octadecyltrichlorosilane; octadecyl chlorochlorosilane) etc. In addition, the vapor deposition process using the said precursor uses the V-SAM process (vapor-SAM process).
상기 지립층을 형성하는 공정은 Ni 전착 공정 및 브레이징(Brazing)을 이용할 수 있다. 상기 절삭공구는 CMP 컨디셔너인 것이 바람직하나, 이에 한정되는 것은 아니며, 지립이 고착된 구조의 다양한 절삭공구일 수 있다.The process of forming the abrasive grains may use a Ni electrodeposition process and brazing. The cutting tool is preferably a CMP conditioner, but is not limited thereto. The cutting tool may be various cutting tools having a structure in which abrasive grains are fixed.
본 발명의 다른 측면에 따라, 기재와, 상기 기재 상에 형성되며, 지립들이 고착된 표면을 갖는 지립층과, 상기 지립층의 표면에 형성된 소수성 물질막을 포함하는 절삭공구가 제공된다.According to another aspect of the invention, there is provided a cutting tool comprising a substrate, an abrasive layer formed on the substrate and having a surface to which abrasive grains are fixed, and a hydrophobic material film formed on the surface of the abrasive layer.
상기 소수성 물질막은 분자의 테일 그룹(tail group)이 소수성인 자기조립단분자막(SAM; Self Assembled molecular monolayer)인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 자기조립단분자막은 CF(Fluoro Carbon)나 CHF(Fluorohydrocarbon)기인 것을 전구체로 하여 형성된다.The hydrophobic material film is preferably a self-assembled molecular monolayer (SAM) in which a tail group of molecules is hydrophobic. More preferably, the self-assembled monolayer is formed using a precursor of a CF (Fluoro Carbon) or a CHF (Fluorohydrocarbon) group.
본 발명에 따르면, 절삭공구의 지립층 표면에 형성된 소수성 물질막에 의해, 지립층에 생기는 오염물질의 누적 및 그에 의한 절삭공구의 가공 성능 저하를 억제하여 준다. 특히, 본 발명은 슬러리(Slurry)와 함께 CMP 패드의 컨디셔닝 가공에 이용되는 절삭공구인 CMP 컨디셔너의 오염물질 억제에 매우 유용하게 이용될 수 있다. 이는 절삭 후의 웨이퍼를 포함한 가공표면에 스크래치나 파티클과 같은 결함을 감소시켜 줄 수 있다. According to the present invention, the hydrophobic material film formed on the abrasive grain surface of the cutting tool suppresses the accumulation of contaminants in the abrasive grain layer and the deterioration of machining performance of the cutting tool. In particular, the present invention can be very useful for suppressing contaminants in the CMP conditioner, which is a cutting tool used in the conditioning processing of the CMP pad together with the slurry. This can reduce defects such as scratches and particles on the processing surface including the wafer after cutting.
이하에서는 본 발명에 따른 절삭공구에 대하여, CMP 컨디셔너를 일 예로 하여 설명할 것이다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, the cutting tool according to the present invention will be described using a CMP conditioner as an example. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Accordingly, the invention is not limited to the embodiments described below and may be embodied in other forms. And, in the drawings, the width, length, thickness, etc. of the components may be exaggerated for convenience. Like numbers refer to like elements throughout.
도 2는 본 발명에 따른 절삭공구의 한 예로 도시한 CMP 컨디셔너이다. 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 CMP 컨디셔너(1)는, 기재(10)와 지립층(20)을 포함한다. 상기 기재(10)는, 금속 재질로 이루어지며, 대략 원판형의 구조로 이루어져 있다. 상기 지립층(20)은 상기 기재(10) 상에 형성되는 것으로, 다수의 지립(21)을 구비하고 있다. 본 실시예에서, 상기 지립층(20)은, 지립(21)들을 지지하도록 Ni 도금되어 형성된 Ni 전착층이며, 지립(21)들을 지립층(20) 표면으로부터돌출되어 있다.2 is a CMP conditioner shown as an example of a cutting tool according to the present invention. 2, the
도 2의 확대도에서 알 수 있는 바와 같이, 상기 지립층(20)의 표면에는 소수성 물질막(30)이 형성된다. 상기 소수성 물질막(30)은, 물에 대한 표면 접촉각이 큰 소수성 표면을 갖는 막으로서, CMP 컨디셔너(1)의 사용 시간 증가에 따라, 지립층(20) 표면이 친수화되는 경향을 막아주는 역할을 한다. As can be seen in the enlarged view of FIG. 2, a
상기 소수성 물질막(30)은 증착 공정에 의해 형성될 수 있는 코팅막으로, 지립층(20)의 전착물질과 지립(21)들을 모두 덮는다. 이때, 소수성 물질막(30)은 지립(21)의 돌출 높이보다 작은 두께로 형성되는 얇은 박막이므로, 그것이 지립(21) 위에도 형성되었다 하더라도, CMP 컨디셔너(1)의 성능을 저해하지는 않는다.The
상기 CMP 컨디셔너(1)를 CMP 패드의 컨디셔닝 가공에 이용하면, 지립(21) 상에 위치한 소수성 물질막(30)의 극히 일부가 제거될 수 있지만, 지립층(20)의 다른 많은 표면들, 즉 지립(21)을 지지하고 있는 전착물질의 표면은 지립(21)이 제거되거나 닳아 없어지지 않는 한, 항상 그 위치에 그대로 유지될 수 있다.When the
상기 소수성 물질막(30)은 분자의 테일 그룹(tail group)이 소수성인 자기조립단분자막(SAM; Self Assmebled molecular monolayer)으로 형성되는 것이 바람직한 바, 이하에서는, 소수성인 자기조립단분자막을 지립층 표면에 형성하는 본 발명의 실시예를 설명하고자 한다. The
자기조립분자막('자기조립단층막'이라고도 함)을 형성하는 기술은, 나노 기술에 포함되는 것으로, 나노 단위의 미세 박막에 의해 기재의 표면 성질을 바꾸는 기술의 정점에 있는 기술이다. 자기조립분자막은, 기재와 반응하는 헤드 그룹(Head Group)과, 길이를 결정하는 몸체와, 표면 성질을 결정하는 테일 그룹(Tail Group)으로 구성되며, 테일 그룹이 소수성인 경우, 자기조립분자막의 표면 성질은 소수성이 된다. A technique for forming a self-assembled molecular film (also referred to as a 'self-assembled monolayer film') is included in nanotechnology and is at the pinnacle of the technology of changing the surface properties of a substrate by a nano thin film. The self-assembled molecular film is composed of a head group that reacts with the substrate, a body that determines the length, and a tail group that determines the surface property. When the tail group is hydrophobic, the self-assembled powder The subtitle's surface properties are hydrophobic.
본 실시예에서, 진공 하에서, 물질을 기화시켜, 기화된 물질을 CMP 컨디셔너(1)의 지립층(20)의 표면에 증착하는 공정이 이용되며, 그 공정의 한 예가 아래의 실시예 1에서 설명된다. In this embodiment, a process of vaporizing the material under vacuum to deposit the vaporized material on the surface of the
[실시예 1: 소수성 물질막의 형성 공정]Example 1: Formation of Hydrophobic Material Film
소수성 물질막이 형성되지 않은 CMP 컨디셔너를 챔버에 장입하고, 구조식 C8H4Cl3F13Si의 트리클로실레인(Trichlro Silane)을 전구체(precursor)로 하여, 자기조립분자막으로 이루어진 소수성 물질막을 CMP 컨디셔너의 지립층 표면에 증착하였다. 이때, 증착 조건은, 진공도 10-2torr, 공정온도 150℃, 반응시간 10분(min)이었다. 사용된 CMP 컨디셔너는 신한 다이아몬드 Ni 4" 컨디셔너이다. A CMP conditioner without a hydrophobic material film was charged into a chamber, and a hydrophobic material film made of a self-assembled molecular film was prepared by using Tricloro Silane of the structural formula C 8 H 4 Cl 3 F 13 Si as a precursor. Deposited on the abrasive layer surface of the conditioner. At this time, the deposition conditions were vacuum degree 10-2torr,
소수성 물질막의 형성 여부는 육안 또는 광학 현미경 관찰을 통해 파악하기 어려우므로, CMP 컨디셔너의 가공 중 오염도 변화 실험과, 소수성(또는, 친수성) 시험을 통해, 그 소수성 물질막의 형성 여부를 확인한다.It is difficult to determine whether the hydrophobic material film is formed by visual observation or optical microscopy, and thus the formation of the hydrophobic material film is confirmed through experiments on changes in contamination during the processing of the CMP conditioner and hydrophobic (or hydrophilic) test.
[실시예 2: 오염도 변화 실험(슬러리 응집 변화 실험) 1] [Example 2: Pollution degree change experiment (slurry aggregation change experiment) 1]
위 실시예 1의 공정을 거친 CMP 컨디셔너를 이용하여 실제 CMP 패드를 컨디셔닝하는 공정을 수행하였으며, 그 공정 수행 중, CMP 컨디셔너의 오염도를 시간 별(30분 단위)로 검사하였다.The actual CMP pad was conditioned using the CMP conditioner, which had been processed in Example 1, and during the process, the contamination of the CMP conditioner was examined hourly (30 minutes).
CMP 컨디셔닝 공정의 조건은 슬러리 유량 200ml/min, 증류수 사용, CMP 패드 및 CMP 컨디셔너의 회전속도 50rpm, 가압력 8.5 Psi이다. 슬러리는 제일모직의 Star4000을 사용하였고, CMP 패드는 Rohm & Haas의 IC1010이 사용되었다. 위 조건은 짧은 시간 동안 CMP 패드의 오염도 변화를 확인할 수 있도록 가압력과 슬러리 유량을 실제 CMP 콘디셔닝 공정보다 크게 한 조건이다. 참고로, 다음에 설명될 실시예 4에서는 실제 현장에서의 CMP 컨디셔닝 조건과 동일한 조건 하에서 수행된 오염도 변화 실험도 설명될 것이다. The conditions for the CMP conditioning process are slurry flow rate of 200 ml / min, distilled water use, rotational speed of 50 rpm for CMP pad and CMP conditioner, and 8.5 Psi of press force. The slurry was made from Cheil Industries' Star4000, and CMP pads were Rohm & Haas IC1010. The above condition is to increase the pressing force and slurry flow rate than the actual CMP conditioning process so that the change in contamination level of the CMP pad can be confirmed in a short time. For reference, in Example 4, which will be described later, the pollution degree change experiment performed under the same conditions as the actual CMP conditioning conditions in the field will also be described.
도 3 및 도 4는 CMP 컨디셔닝을 30분 한 CMP 컨디셔너의 지립층 표면과 CMP 컨디셔닝을 60분 한 CMP 컨디셔너의 표면을 ×100, ×200, ×500, ×1000의 배율로 촬영한 광학현미경 사진들이다.3 and 4 are optical micrographs taken of the abrasive layer surface of the CMP conditioner with CMP conditioning for 30 minutes and the surface of the CMP conditioner with 60 minutes of CMP conditioning at magnifications of 100, 200, 500, and 1000. .
도 3 및 도 4로 알 수 있는 것과 같이, 위 실시예 1을 통해 소수성 물질막이 지립층 표면에 형성된 CMP 컨디셔너는, 슬러리에 의한 오염이 거의 없음을 확인할 수 있었다. 단 5% 내외의 오염 영역이 발견되었는데, 이는 실험 중 알 수 없는 외부 요인에 의한 영향인 것으로 보인다.As can be seen in Figures 3 and 4, the CMP conditioner in which the hydrophobic material film is formed on the abrasive grain layer surface through Example 1, it was confirmed that there is little contamination by the slurry. Only 5% of contaminated areas were found, which appears to be due to unknown external factors during the experiment.
[비교예 1: 오염도 변화 실험(슬러리 응집 변화 실험) 2] [Comparative Example 1: Pollution Degree Change Experiment (Slurry Aggregation Change Experiment) 2]
위 실시예 1의 공정을 거치지 않은, 즉, 소수성 물질막을 형성하지 않은 CMP 컨디셔너를 이용하여 실제 CMP 패드를 컨디셔닝하는 공정을 수행하였으며, 그 공정 수행 중, CMP 컨디셔너의 오염도를 시간별(30분 단위)로 검사하였다. CMP 컨디셔너를 제외한 실험 조건은 실시예 2와 같다.The actual CMP pad was conditioned using the CMP conditioner that did not go through the process of Example 1, that is, the hydrophobic material layer was not formed, and during the process, the pollution degree of the CMP conditioner was hourly (per minute). Was examined. Experimental conditions except for the CMP conditioner are the same as in Example 2.
CMP 컨디셔닝 공정의 조건은, 실시예 2와 마찬가지로, 슬러리 유량 200ml/min, 증류수 사용, CMP 패드 및 CMP 컨디셔너의 회전속도 50rpm, 가압력 8.5 Psi이다.The conditions of a CMP conditioning process are the slurry flow volume 200 ml / min, the use of distilled water, the rotational speed of 50 rpm, and the press force of 8.5 Psi of a CMP pad and a CMP conditioner similarly to Example 2.
도 5는 CMP 컨디셔닝의 30분 경과 후 광학 현미경 사진(배율:×100,×200, ×500, ×1000)이다. 5 is an optical micrograph (magnification: x100, x200, x500, x 1000) after 30 minutes of CMP conditioning.
도 5로부터 알 수 있는 것과 같이, 지립층 표면에는 슬러리에 의한 오염이 확인된다. 또한, 상기 슬러리에 의한 오염 축적은 시간이 진행됨에 따라 더욱 증가한다는 것을 확인할 수 있었다. 이로부터, 소수성 물질막이 코팅되지 않은 CMP 컨디셔너에는 슬러리에 의한 많은 오염물 축적이 있음을 알 수 있었다. As can be seen from FIG. 5, contamination by slurry is confirmed on the abrasive grain surface. In addition, it was confirmed that the accumulation of contamination by the slurry is further increased with time. From this, it can be seen that there is a large accumulation of contaminants due to the slurry in the CMP conditioner not coated with the hydrophobic material film.
[실시예 3: 소수성 실험(친수성 실험)] Example 3: Hydrophobicity Experiment (Hydrophilicity Experiment)
도 6은 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너의 소수성 실험 결과를 보여주 는 사진이며 이때의 접촉각은 110°이상을 갖는다, 도 7은 소수성 물질막이 코팅되지 않은 CMP 컨디셔너의 소수성 실험 결과를 보여준다. 이때의 접촉각은 70°를 갖는다. 도 6 및 도 7의 CMP 컨디셔너 모두 CMP 컨디셔닝 공정을 하기 전이다.Figure 6 is a photograph showing the hydrophobic test results of the hydrophobic material film-coated CMP conditioner at this time has a contact angle of 110 ° or more, Figure 7 shows the hydrophobic experiment results of the non-hydrophobic material film coated CMP conditioner. The contact angle at this time has 70 degrees. Both the CMP conditioners of FIGS. 6 and 7 are before the CMP conditioning process.
도 6과 도 7을 비교하여 보면, 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너가 그렇지 않은 CMP 컨디셔너에 비해 접촉각(contact angle)이 커 소수성이 더 크다는 것을 알 수 있다. 6 and 7 show that the hydrophobic material film-coated CMP conditioner has a larger contact angle and a larger hydrophobicity than that of the non-CMP conditioner.
도 8은 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너로 CMP 컨디셔닝 가공한 후의 소수성 실험을 한 결과를 보여주는 사진으로, 도 8은 도 6, 즉, CMP 컨디셔닝 가공 전의 사진과 큰 차이가 없음을 보여준다. 이는 CMP 컨디셔닝 가공 후에도 소수성 물질막 표면의 소수성이 그대로 유지된다는 것을 알려준다.FIG. 8 is a photograph showing the results of hydrophobic experiments after CMP conditioning treatment with a hydrophobic material film coated CMP conditioner. FIG. 8 shows no significant difference from the photographs before FIG. 6, that is, before CMP conditioning processing. This indicates that the hydrophobicity of the surface of the hydrophobic material film is maintained even after the CMP conditioning processing.
그에 반해, 소수성 물질막이 코팅되지 않은 CMP 컨디셔너의 경우, 도 9에 도시된 것과 같이, 물방울의 형태를 발견할 수 없음을 알 수 있는데, 이는 CMP 컨디셔너가 CMP 컨디셔닝을 진행하면서 소수성을 거의 완전히 잃고 친수성이 되었다는 것을 알려준다.이때 측정된 접촉각은 5° 미만의 값을 나타내었다.In contrast, in the case of a CMP conditioner not coated with a hydrophobic material layer, as shown in FIG. 9, it can be seen that the shape of the water droplets cannot be found, which is almost completely hydrophobic while the CMP conditioner loses hydrophobicity as the CMP conditioning proceeds. In this case, the measured contact angle showed a value of less than 5 °.
[실시예 4: 오염도 변화 실험(슬러리 응집 변화 실험) 3] [Example 4: Pollution degree change experiment (slurry aggregation change experiment) 3]
위 실시예 1의 공정을 거쳐 제작된 CMP 컨디셔너를 이용하여, CMP 패드를 실제 현장과 동일한 조건 하에서 20시간 컨디셔닝하는 공정을 수행하였으며, 그 공정 수행 중, CMP 컨디셔너의 오염도를 검사하였다. 앞선 실시예 2와 비교하면, 크게 감소된 슬러리 유량과 패드 가압력으로 CMP 컨디셔닝 공정이 수행된다. Using the CMP conditioner manufactured by the process of Example 1 above, the process of conditioning the CMP pad for 20 hours under the same conditions as the actual site was performed, and during the process, the degree of contamination of the CMP conditioner was examined. Compared with Example 2 above, the CMP conditioning process is carried out with a significantly reduced slurry flow rate and pad pressing force.
CMP 컨디셔닝 공정의 조건은 슬러리 유량 60ml/min, 증류수 사용, CMP 패드 및 CMP 컨디셔너의 회전속도 65rpm 및 50rpm, 가압력 0.63 Psi이다. 슬러리는 한화석유화학회사로부터구입한 HS-1100H0을 사용하였고, CMP 패드는 Rohm&Haas의 IC1000이 사용되었다. 위 조건은 짧은 시간 동안 CMP 패드의 오염도 변화를 확인할 수 있도록 가압력을 실제 CMP 컨디셔닝 공정보다 크게 한 조건이다. The conditions for the CMP conditioning process are
도 10a 내지 도 10d는 상기 조건에 따라 20시간 CMP 컨디셔닝 공정을 수행한 후, CMP 컨디셔너의 표면을 각각 ×100, ×200, ×500, ×1000의 배율로 촬영한 광학현미경 사진들이다. 10A to 10D are optical micrographs taken after the 20-hour CMP conditioning process according to the above conditions, and photographing the surface of the CMP conditioner at magnifications of × 100, × 200, × 500, and × 1000, respectively.
도 10a 내지 도10d 사진들에는 슬러리에 의한 오염이 잘 보여지지 않으며, 이로부터 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너가 실제 공정에서도 잘 오염되지 않으며, 이러한 효과가 장시간 지속된다는 결과를 얻었다. 10A to 10D photographs do not show contamination by the slurry well, from which the CMP conditioner coated with a hydrophobic material film is not contaminated well in the actual process, and the result is obtained that this effect lasts for a long time.
[비교예 2: 오염도 변화 실험(슬러리 응집 변화 실험) 4] [Comparative Example 2: Pollution Degree Change Experiment (Slurry Coagulation Change Experiment) 4]
위 실시예 1의 공정을 거치지 않은, 즉, 소수성 물질막을 형성하지 않은 CMP 컨디셔너를 이용하여 실제 CMP 패드를 컨디셔닝하는 공정을 20시간 수행하였다. CMP 컨디셔너를 제외한 실험 조건은 실시예 4와 같다. Conditioning the actual CMP pad using the CMP conditioner that did not go through the process of Example 1, that is, does not form a hydrophobic material film was performed for 20 hours. Experimental conditions except for the CMP conditioner are the same as in Example 4.
도 11a 내지 도 11d는 소수성 물질막이 없는 CMP 컨디셔너를 이용하여 상기 조건에 따라 20시간 CMP 컨디셔닝 공정을 수행한 후, CMP 컨디셔너의 표면을 각각 ×100, ×200, ×500, ×1000의 배율로 촬영한 광학현미경 사진들이다. 11A to 11D show the surface of the CMP conditioner at a magnification of × 100, × 200, × 500, and × 1000 after performing the CMP conditioning process for 20 hours using the CMP conditioner without the hydrophobic material under the above conditions. One optical microscope picture.
도 11a 내지 도 11d의 사진들로부터 알수 있는 바와 같이, 지립층 표면의 전면적에 걸쳐 슬러리에 의한 많은 오염이 확인된다. 이로부터, 소수성 물질막이 코팅되지 않은 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너에 비해 슬러리에 의한 오염물 축적이 있음을 다시 한번 확인할 수 있었다. As can be seen from the photographs of FIGS. 11A-11D, much contamination by the slurry is identified over the entire surface of the abrasive layer surface. From this, it could be confirmed once again that there was a buildup of contaminants by the slurry compared to the CMP conditioner coated with the hydrophobic material film without the hydrophobic material film.
위에서, 전구체로 FOTS(Trichlorosilane; 트리클로로실레인)를 이용한 소수성 물질막의 코팅방법에 대해서만 설명이 이루어졌지만, 그 외, DDMS (Dichlorodimethylsilane; 디클로로디메칠실레인), FDA(Perfluorodecanoicacide; 퍼플루오로데카논산), FDTS(Perfluorodecyltrichlorosilane; 퍼플루오로데실트리클로로실레인), OTS(Octadecyltrichlorosilane; 옥타데실크리클로로실레인) 등이 전구체로 이용될 수 있다. Above, the coating method of the hydrophobic material film using FOTS (Trichlorosilane (trichlorosilane) as a precursor has been described only, other, DDMS (Dichlorodimethylsilane; dichloro dimethyl silane), FDA (Perfluorodecanoicacide; perfluorodecanoic acid ), FDTS (Perfluorodecyltrichlorosilane; perfluorodecyltrichlorosilane), OTS (Octadecyltrichlorosilane; octadecyl trichlorosilane) and the like can be used as a precursor.
도 1은 종래의 절삭공구의 절삭 시간에 따른 오염도 변화 과정을 설명하기 위한 사진.1 is a photograph for explaining a process of changing the pollution degree according to the cutting time of a conventional cutting tool.
도 2는 본 발명에 따른 절삭공구의 일 예를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing an example of a cutting tool according to the present invention.
도 3 및 도 4는 소수성 물질막이 코팅된 절삭공구의 표면을 30분 및 60분 절삭 가공 후에 촬영한 현미경 사진.3 and 4 are micrographs taken after 30 minutes and 60 minutes of cutting the surface of the cutting tool coated with a hydrophobic material film.
도 5는 소수성 물질막이 코팅되지 않은 절삭공구의 표면을 30분 연사가공 후에 촬용한 현미경 사진.Figure 5 is a micrograph taken after the 30 minutes continuous twisting the surface of the cutting tool is not coated with a hydrophobic material film.
도 6은 절삭 가공 전에 소수성 물질막이 코팅된 절삭공구의 소수성(또는, 친수성) 테스트한 결과를 보여주는 사진.6 is a photograph showing the results of a hydrophobicity (or hydrophilicity) test of a cutting tool coated with a hydrophobic material film before cutting.
도 7은 절삭 가공 전에 소수성 물질막이 코팅되지 않은 절삭공구의 소수성(또는, 친수성) 테스트한 결과를 보여주는 사진.7 is a photograph showing the results of a hydrophobic (or hydrophilic) test of a cutting tool that is not coated with a hydrophobic material film before cutting.
도 8은 소수성 물질막이 코팅된 절삭공구의 절삭 가공 후 소수성 테스트 결과를 보여주는 사진.8 is a photograph showing the hydrophobicity test result after cutting of a hydrophobic material-coated cutting tool.
도 9는 소수성 물질막이 코팅되지 않은 절삭공구의 절삭 가공 후 소수성 테스트 결과를 보여주는 사진.Figure 9 is a photograph showing the hydrophobicity test results after cutting of the cutting tool is not coated with a hydrophobic material film.
도 10a 내지 10d는 소수성 물질막이 코팅된 CMP 컨디셔너를 이용하여 실제 현장과 동일한 조건에서 20시간 CMP 컨디셔닝한 결과를 보여주는 사진들. 10a to 10d are photographs showing the results of 20 hours CMP conditioning under the same conditions as the actual site using a hydrophobic material-coated CMP conditioner.
도 11a 내지 도 11d는 소수성 물질막이 코팅되지 않은 CMP 컨디셔너를 이용하여 실제 현장과 동일한 조건에서 20시간 CMP 컨디셔닝한 결과를 보여주는 사진 들.11a to 11d are photographs showing the results of 20 hours CMP conditioning under the same conditions as the actual site using a CMP conditioner not coated with a hydrophobic material film.
Claims (11)
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070140889A KR101024674B1 (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
| US12/811,037 US20110053479A1 (en) | 2007-12-28 | 2008-05-19 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
| JP2010540542A JP2011507716A (en) | 2007-12-28 | 2008-05-19 | Hydrophobic cutting tool and manufacturing method thereof |
| SG2012096285A SG187409A1 (en) | 2007-12-28 | 2008-05-19 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
| PCT/KR2008/002794 WO2009084776A1 (en) | 2007-12-28 | 2008-05-19 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
| CN2008801229241A CN101918179B (en) | 2007-12-28 | 2008-05-19 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020070140889A KR101024674B1 (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20090072696A KR20090072696A (en) | 2009-07-02 |
| KR101024674B1 true KR101024674B1 (en) | 2011-03-25 |
Family
ID=40824470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070140889A KR101024674B1 (en) | 2007-12-28 | 2007-12-28 | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110053479A1 (en) |
| JP (1) | JP2011507716A (en) |
| KR (1) | KR101024674B1 (en) |
| CN (1) | CN101918179B (en) |
| SG (1) | SG187409A1 (en) |
| WO (1) | WO2009084776A1 (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839518B1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-06-19 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond tool and method of manufacturing the same |
| US9486896B2 (en) | 2012-06-28 | 2016-11-08 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive article and coating |
| KR102059524B1 (en) | 2013-02-19 | 2019-12-27 | 삼성전자주식회사 | Chemical mechanical polishing machine and polishing head assembly |
| JP6434266B2 (en) * | 2013-12-17 | 2018-12-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | Lapping resin surface plate and lapping method using the same |
| TWI579076B (en) * | 2014-08-20 | 2017-04-21 | 國立臺灣大學 | Cutting tool |
| EP4216258A1 (en) * | 2014-12-19 | 2023-07-26 | Applied Materials, Inc. | Components for a chemical mechanical polishing tool |
| WO2016109734A1 (en) | 2014-12-30 | 2016-07-07 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tools and methods for forming same |
| US9245542B1 (en) | 2015-07-28 | 2016-01-26 | Seagate Technology Llc | Media cleaning with self-assembled monolayer material |
| US10029346B2 (en) * | 2015-10-16 | 2018-07-24 | Applied Materials, Inc. | External clamp ring for a chemical mechanical polishing carrier head |
| JP2019505400A (en) | 2015-12-30 | 2019-02-28 | サンーゴバン アブレイシブズ，インコーポレイティド | Abrasive tools and methods for forming them |
| US12043785B2 (en) | 2017-07-11 | 2024-07-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles including conformable coatings and polishing system therefrom |
| KR102276437B1 (en) * | 2018-11-30 | 2021-07-12 | 에스다이아몬드공업 주식회사 | Manufacturing method of pad for dry polishing |
| TWI772171B (en) * | 2021-09-08 | 2022-07-21 | 明志科技大學 | Protective film and protective film stack for chemical mechanical polishing pad dressers |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100223386B1 (en) * | 1995-10-24 | 1999-10-15 | 하라 아키오 | Grinding stone |
| JP2003179021A (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | Chemical/mechanical polisher |
| JP2005109129A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Dainippon Ink & Chem Inc | Abrasive grain for polishing, aqueous dispersion for polishing, and polishing agent |
| KR100686780B1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-02-26 | 엘에스전선 주식회사 | Structure of hydrophobic organic thin layer and producing method of themself |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2194546A (en) * | 1937-11-04 | 1940-03-26 | American Optical Corp | Diamond lap |
| US3127715A (en) * | 1960-04-27 | 1964-04-07 | Christensen Diamond Prod Co | Diamond cutting devices |
| DE3204276A1 (en) * | 1982-02-08 | 1983-08-18 | J. König GmbH & Co Werkzeugfabrik, Steinindustrie- und Handwerkerbedarf, 7500 Karlsruhe | DIAMOND COATING WITH POROESE INTERIOR LAYER FOR CUTTING DISCS |
| JPS5912563U (en) * | 1982-07-13 | 1984-01-26 | 旭ダイヤモンド工業株式会社 | Tip mounting structure of diamond cutting wheel |
| US4925457B1 (en) * | 1989-01-30 | 1995-09-26 | Ultimate Abrasive Syst Inc | Method for making an abrasive tool |
| US5049165B1 (en) * | 1989-01-30 | 1995-09-26 | Ultimate Abrasive Syst Inc | Composite material |
| US5443418A (en) * | 1993-03-29 | 1995-08-22 | Norton Company | Superabrasive tool |
| JPH07299751A (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-14 | Osaka Diamond Ind Co Ltd | Grinding wheel with superabrasive grain |
| US5518443A (en) * | 1994-05-13 | 1996-05-21 | Norton Company | Superabrasive tool |
| DE69519800T2 (en) * | 1995-10-25 | 2001-08-02 | Osaka Diamond Industrial Co., Sakai | Grinding wheel |
| US5916011A (en) * | 1996-12-26 | 1999-06-29 | Motorola, Inc. | Process for polishing a semiconductor device substrate |
| US7124753B2 (en) * | 1997-04-04 | 2006-10-24 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| JP2000127046A (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-09 | Noritake Diamond Ind Co Ltd | Electrodeposition dresser for polishing by polisher |
| US6364749B1 (en) * | 1999-09-02 | 2002-04-02 | Micron Technology, Inc. | CMP polishing pad with hydrophilic surfaces for enhanced wetting |
| US7201645B2 (en) * | 1999-11-22 | 2007-04-10 | Chien-Min Sung | Contoured CMP pad dresser and associated methods |
| TWI238753B (en) * | 2002-12-19 | 2005-09-01 | Miyanaga Kk | Diamond disk for grinding |
| US20070015448A1 (en) * | 2003-08-07 | 2007-01-18 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad having edge surface treatment |
| US6932076B2 (en) * | 2003-10-17 | 2005-08-23 | Chien-Cheng Liao | Diamond circular saw blade |
| US7204742B2 (en) * | 2004-03-25 | 2007-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising hydrophobic region and endpoint detection port |
| JP4892912B2 (en) * | 2004-12-02 | 2012-03-07 | 大日本印刷株式会社 | Water-repellent separator for polymer electrolyte fuel cells |
| US7258708B2 (en) * | 2004-12-30 | 2007-08-21 | Chien-Min Sung | Chemical mechanical polishing pad dresser |
| JP2006292801A (en) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal device and electronic equipment |
| US8393934B2 (en) * | 2006-11-16 | 2013-03-12 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
| JP4728091B2 (en) * | 2005-10-26 | 2011-07-20 | 国立大学法人名古屋大学 | Retroreflective material and manufacturing apparatus thereof |
| KR20070084683A (en) * | 2006-02-21 | 2007-08-27 | 국민대학교산학협력단 | Molecular layer deposition |
| KR100804048B1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-02-18 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond tool |
| KR100804049B1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-02-18 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond toos and segment manufacturing method of the same |
| KR100753317B1 (en) * | 2006-11-16 | 2007-08-29 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond tool |
| KR100839518B1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-06-19 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond tool and method of manufacturing the same |
| KR100820181B1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-04-07 | 신한다이아몬드공업 주식회사 | Diamond tool and method of manufacturing the same |
| US8080073B2 (en) * | 2007-12-20 | 2011-12-20 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive article having a plurality of precisely-shaped abrasive composites |
-
2007
- 2007-12-28 KR KR1020070140889A patent/KR101024674B1/en active IP Right Grant
-
2008
- 2008-05-19 WO PCT/KR2008/002794 patent/WO2009084776A1/en active Application Filing
- 2008-05-19 CN CN2008801229241A patent/CN101918179B/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-19 SG SG2012096285A patent/SG187409A1/en unknown
- 2008-05-19 US US12/811,037 patent/US20110053479A1/en not_active Abandoned
- 2008-05-19 JP JP2010540542A patent/JP2011507716A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100223386B1 (en) * | 1995-10-24 | 1999-10-15 | 하라 아키오 | Grinding stone |
| JP2003179021A (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Sony Corp | Chemical/mechanical polisher |
| JP2005109129A (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Dainippon Ink & Chem Inc | Abrasive grain for polishing, aqueous dispersion for polishing, and polishing agent |
| KR100686780B1 (en) * | 2006-03-30 | 2007-02-26 | 엘에스전선 주식회사 | Structure of hydrophobic organic thin layer and producing method of themself |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090072696A (en) | 2009-07-02 |
| CN101918179B (en) | 2012-09-19 |
| US20110053479A1 (en) | 2011-03-03 |
| SG187409A1 (en) | 2013-02-28 |
| CN101918179A (en) | 2010-12-15 |
| WO2009084776A1 (en) | 2009-07-09 |
| JP2011507716A (en) | 2011-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101024674B1 (en) | Hydrophobic cutting tool and method for manufacturing the same | |
| KR100328108B1 (en) | Semiconductor substrate polishing pad dresser, method of manufacturing the same, and chemicomechanical polishing method using the same dresser | |
| JP5745108B2 (en) | Preparation and use of corrosion resistant CMP conditioning tools | |
| JP7191153B2 (en) | Ceramic substrate with reaction-bonded silicon carbide containing diamond particles | |
| CN109153106B (en) | Diamond compound CMP pad conditioner | |
| US20030109204A1 (en) | Fixed abrasive CMP pad dresser and associated methods | |
| KR20050107760A (en) | Wafer polishing and pad conditioning methods | |
| WO2010140671A1 (en) | Silicon wafer polishing method and silicon wafer | |
| KR101211138B1 (en) | Conditioner for soft pad and method for producing the same | |
| JP7079332B2 (en) | CMP polishing pad conditioner | |
| KR101177558B1 (en) | Cmp pad conditioner and method for manufacturing | |
| JP3482313B2 (en) | Dresser for polishing cloth for semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| TW201908063A (en) | Abrasive articles including conformable coatings and polishing systems therefrom | |
| CN116619246B (en) | CMP polishing pad trimmer with diamond columnar crystal clusters and preparation method thereof | |
| JP3482322B2 (en) | Dresser for polishing cloth for semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| JP4532149B2 (en) | Silicon wafer polishing composition and silicon wafer polishing method | |
| Han et al. | Process investigation of Aluminum Nitride ceramics based on compliant finishing tools | |
| KR20240090747A (en) | Polishing of polycrystalline materials | |
| JP3537300B2 (en) | Dresser for polishing cloth for semiconductor substrate and method of manufacturing the same | |
| JP2010222600A (en) | Method for forming carbon film, carbon film-coated member, and cmp pad conditioner |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150305 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170303 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190131 Year of fee payment: 9 |