KR101019708B1 - Semiconductor package - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 반도체 패키지는, 일면에 체결부가 구비되며, 코어층 및 상기 코어층의 일면 및 타면에 각각 형성된 제1 및 제2절연층을 포함하는 기판 및 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판 일면의 대응면에 상기 체결부와 대응되는 돌출부를 구비한 반도체 칩을 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a semiconductor package includes a fastening part provided on one surface, a substrate including a core layer and first and second insulating layers formed on one surface and the other surface of the core layer, respectively, and disposed on the substrate. It includes a semiconductor chip having a protrusion corresponding to the fastening portion on the corresponding surface of the.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 체결부 및 돌출부를 이용하여 반도체 칩과 기판 간을 부착시킨 반도체 패키지에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a semiconductor package in which a semiconductor chip and a substrate are attached by using a fastening portion and a protrusion.
반도체 산업에서 집적회로에 대한 패키징 기술은 소형화에 대한 요구 및 실장 신뢰성을 만족시키기 위해 지속적으로 발전되고 있다. 예컨데, 소형화에 대한 요구는 칩 크기에 근접한 패키지에 대한 기술 개발을 가속화시키고 있으며, 실장 신뢰성에 대한 요구는 실장작업의 효율성 및 실장 후의 기계적, 전기적 신뢰성을 향상시킬 수 있는 패키징 기술에 대한 중요성을 부각시키고 있다. In the semiconductor industry, packaging technology for integrated circuits is continuously developed to meet the demand for miniaturization and mounting reliability. For example, the demand for miniaturization is accelerating the development of technology for packages that are close to chip size, and the demand for mounting reliability highlights the importance of packaging technologies that can improve the efficiency of mounting and mechanical and electrical reliability after mounting. I'm making it.
상기 패키지의 소형화를 이룬 한 예로서, BGA(Ball Grid Array) 패키지를 들 수 있다. 상기 BGA 패키지는 전체적인 패키지의 크기가 반도체 칩의 크기와 동일하거나 거의 유사하며, 특히, 외부와의 전기적 접속 수단, 즉, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board)에의 실장 수단으로서, 솔더 볼이 구비됨에 따라 실장 면적이 감소되고 있는 추세에 매우 유리하게 적용할 수 있다는 잇점이 있다.One example of miniaturization of the package is a BGA (Ball Grid Array) package. The BGA package has an overall package size that is substantially the same as or similar to that of a semiconductor chip. In particular, as the solder ball is provided, the BGA package is provided as an electrical connection means to the outside, that is, a mounting means on a printed circuit board. This has the advantage that it can be very advantageously applied to the trend that the mounting area is decreasing.
상기 BGA 패키지는 외부와의 전기적 접속 수단으로 인쇄회로기판을 이용함으로써, 전체적인 전기 회로의 길이를 단축시킬 수 있을 뿐만 아니라 파워나 그라운 드 본딩 영역을 용이하게 도입할 수 있기 때문에 탁월한 전기적 성능을 발현시킬 수 있고, 또한 입 출력 핀 수의 설계시에 보다 여유있는 간격으로 보다 많은 입 출력 핀 수를 만들 수 있으며, 전체적인 패키지의 크기가 반도체 칩의 크기와 동일하거나 거의 유사하고 실장 면적을 최소화시킬 수 있다는 잇점을 갖는다. The BGA package uses a printed circuit board as an electrical connection means to the outside, thereby shortening the overall length of the electric circuit and easily introducing power or ground bonding areas, thereby providing excellent electrical performance. In addition, it is possible to create more input and output pins at a more relaxed interval when designing input and output pin numbers, and the overall package size is the same or almost the same as that of a semiconductor chip, and the mounting area can be minimized. Has an advantage.
이하에서는, 종래기술에 BGA 패키지에 대해 간략하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the BGA package will be briefly described in the related art.
먼저, 다수의 전극단자가 구비된 기판 상에 다수의 본딩패드가 구비된 반도체 칩이 접착제를 매개로 부착되고, 반도체 칩과 기판 간이 본딩와이어에 의해 전기적으로 연결된다.First, a semiconductor chip having a plurality of bonding pads is attached to a substrate having a plurality of electrode terminals by an adhesive, and the semiconductor chip and the substrate are electrically connected by a bonding wire.
그런 다음, 상기 본딩와이어와 반도체 칩을 포함하는 기판의 상면을 외부의 스트레스로부터 보호하기 위해 EMC(Epoxy Molding Compound)와 같은 봉지제로 밀봉되고, 상기 기판 하면의 볼 랜드에는 솔더 볼과 같은 다수의 외부 접속 단자가 부착된다.Then, the upper surface of the substrate including the bonding wire and the semiconductor chip is sealed with an encapsulant such as an epoxy molding compound (EMC) to protect the external surface from external stress. Connection terminals are attached.
그러나, 자세하게 도시하고 설명하지는 않았지만, 전술한 종래 기술의 경우에는, 반도체 칩을 기판 상에 부착시키기 위해 상기와 같은 접착제를 사용함에 따라, 반도체 칩과 기판 간을 용이하게 부착시킬 수 있으나, 반도체 칩과 기판의 두께 외에 상기 접착제의 두께가 추가되어, 이로 인해 전체 패키지의 두께가 증가하게 된다.However, although not shown and described in detail, in the above-described prior art, by using the above adhesive to attach the semiconductor chip on the substrate, the semiconductor chip and the substrate can be easily attached, but the semiconductor chip In addition to the thickness of the substrate and the thickness of the adhesive is added, this increases the thickness of the entire package.
더욱이, 하나의 패키지 내에 여러 개의 반도체 칩을 적층하여 구현하는 스택 패키지의 경우, 상기 접착제로 인한 전체 패키지의 두께 증가는 더욱 심화되게 된다.Furthermore, in the case of a stack package in which a plurality of semiconductor chips are stacked in one package, the thickness of the entire package due to the adhesive is further increased.
한편, 이러한 접착제에 의한 전체 패키지의 두께 증가를 해결하기 위해, 반도체 칩 또는 기판의 두께를 감소시키는 방식이 제안되고 있으나, 이는, 상기 반도체 칩과 기판의 두께를 줄이는 것에 한계가 있어, 근본적인 해결책으로서는 적용하기가 어렵다.On the other hand, in order to solve the increase in the thickness of the entire package by the adhesive, a method of reducing the thickness of the semiconductor chip or the substrate has been proposed, which is limited in reducing the thickness of the semiconductor chip and the substrate, as a fundamental solution Difficult to apply
본 발명은 전체 패키지의 두께 증가를 방지한 반도체 패키지를 제공한다.The present invention provides a semiconductor package which prevents an increase in the thickness of the entire package.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지는, 일면에 체결부가 구비되며, 코어층 및 상기 코어층의 일면 및 타면에 각각 형성된 제1 및 제2절연층을 포함하는 기판; 및 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판 일면의 대응면에 상기 체결부와 대응되는 돌출부를 구비한 반도체 칩;을 포함한다.A semiconductor package according to an embodiment of the present invention includes a substrate including a fastening part on one surface and a first and second insulating layers formed on one surface and the other surface of the core layer, respectively; And a semiconductor chip disposed on the substrate, the semiconductor chip having a protrusion corresponding to the fastening portion on a corresponding surface of one surface of the substrate.
상기 체결부는 홈인 것을 특징으로 한다.The fastening portion is characterized in that the groove.
상기 돌출부는 상기 홈으로 이루어진 체결부 내에 삽입 배치되는 것을 특징으로 한다.The protrusion is characterized in that the insertion portion is disposed in the fastening portion consisting of the groove.
상기 체결부는 상기 코어층을 노출시키도록 상기 제1절연층 부분 내에 형성된 것을 특징으로 한다.The fastening portion is formed in the first insulating layer portion to expose the core layer.
상기 체결부는 상기 기판 타면의 제2절연층을 노출시키도록 기판 일면의 제1절연층 및 코어층 부분 내에 형성된 것을 특징으로 한다.The fastening part may be formed in a portion of the first insulating layer and the core layer on one surface of the substrate to expose the second insulating layer on the other surface of the substrate.
상기 체결부는 상기 기판 일면 및 타면의 제1 및 제2절연층 및 코어층 부분 을 관통하도록 형성된 것을 특징으로 한다.The fastening part may be formed to penetrate first and second insulating layers and core layer portions of one surface and the other surface of the substrate.
상기 체결부 및 돌출부는 적어도 하나 이상 구비된 것을 특징으로 한다.At least one fastening part and a protrusion may be provided.
상기 체결부 및 돌출부는 서로 대응되는 한 쌍으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The fastening portion and the protrusion is characterized in that formed in a pair corresponding to each other.
상기 한 쌍으로 이루어진 체결부 및 돌출부는 서로 상이한 크기를 갖는 여러 쌍으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The pair of fastening portions and protrusions is characterized in that consisting of several pairs having different sizes from each other.
상기 체결부의 내 측면에 개재된 접착 부재를 더 포함한다.Further comprising an adhesive member interposed on the inner side of the fastening portion.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지는, 일면에 구비된 제1 및 제2체결부를 가지며, 코어층 및 상기 코어층의 일면 및 타면에 각각 형성된 제1 및 제2절연층을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 기판 일면의 대응면에, 상기 제1체결부와 대응되고 제1길이를 갖는 제1돌출부를 구비한 제1반도체 칩; 및 상기 제1반도체 칩 상부에 배치되며, 상기 기판 일면의 대응면에, 상기 제2체결부와 대응되고 상기 제1길이 보다 긴 제2길이를 갖는 제2돌출부를 구비한 제2반도체 칩;을 포함한다.In addition, a semiconductor package according to another embodiment of the present invention may include a core layer and first and second insulating layers formed on one surface and the other surface of the core layer, respectively, having first and second fastening portions provided on one surface thereof. Board; A first semiconductor chip disposed on the substrate and having a first protrusion having a first length corresponding to the first fastening portion on a corresponding surface of one surface of the substrate; And a second semiconductor chip disposed on the first semiconductor chip, the second semiconductor chip having a second protruding portion corresponding to the second fastening portion and having a second length longer than the first length on a corresponding surface of one surface of the substrate. Include.
상기 제1 및 제2체결부는 각각 홈인 것을 특징으로 한다.The first and second fastening portions may be grooves, respectively.
상기 제1 및 제2돌출부는 상기 홈으로 이루어진 제1 및 제2체결부 내에 각각 삽입 배치되는 것을 특징으로 한다.The first and second protrusions may be inserted into and disposed in the first and second fastening portions, respectively.
상기 제1 및 제2체결부는 서로 다른 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.The first and second fastening portions may have different sizes.
상기 제1 및 제2체결부는 상기 코어층을 노출시키도록 상기 제1절연층 부분 내에 각각 형성된 것을 특징으로 한다.The first and second fastening portions may be formed in portions of the first insulating layer so as to expose the core layer.
상기 제1 및 제2체결부는 상기 기판 타면의 제2절연층을 노출시키도록 기판 일면의 제1절연층 및 코어층 부분 내에 각각 형성된 것을 특징으로 한다.The first and second fastening portions may be formed in portions of the first insulating layer and the core layer on one surface of the substrate to expose the second insulating layer on the other surface of the substrate.
상기 제1 및 제2체결부는 상기 기판 일면 및 타면의 제1 및 제2절연층 및 코어층 부분을 관통하도록 형성된 것을 특징으로 한다.The first and second fastening portions may be formed to penetrate through the first and second insulating layers and the core layer portions of one surface and the other surface of the substrate.
상기 제1체결부, 제2체결부, 제1돌출부 및 제2돌출부는 각각 적어도 둘 이상 구비된 것을 특징으로 한다.At least two of the first fastening portion, the second fastening portion, the first protrusion and the second protrusion may be provided.
상기 제1체결부와 상기 제1돌출부 및 상기 제2체결부와 상기 제2돌출부는 각각 서로 대응되는 한 쌍으로 이루어진 것을 특징으로 한다.The first fastening portion, the first protrusion, and the second fastening portion and the second protrusion may be formed in a pair corresponding to each other.
상기 한 쌍으로 이루어진 제1체결부와 제1돌출부 및 제2체결부와 제2돌출부는 서로 상이한 크기를 갖는 여러 쌍으로 각각 이루어진 것을 특징으로 한다.The pair of first fastening parts, the first protrusions, and the second fastening parts and the second protrusions may be formed of several pairs having different sizes.
상기 제1 및 제2체결부의 내 측면에 각각 개재된 접착 부재를 더 포함한다.Further comprising an adhesive member interposed on the inner side of the first and second fastening portion, respectively.
상기 제1반도체 칩과 상기 제2반도체 칩은 각각 서로 상이한 크기를 갖는 것을 특징으로 한다.The first semiconductor chip and the second semiconductor chip may have different sizes from each other.
상기 제1반도체 칩과 제2반도체 칩 간은 계단식으로 스택된 것을 특징으로 한다.The first semiconductor chip and the second semiconductor chip may be stacked in a stepped manner.
상기 제1반도체 칩과 제2반도체 칩 간은 지그재그 방식으로 스택된 것을 특징으로 한다.The first semiconductor chip and the second semiconductor chip are stacked in a zigzag manner.
본 발명은 반도체 칩과 기판에 각각 돌출부 및 체결부를 형성하여 반도체 칩과 기판 간을 부착함으로써, 반도체 칩과 기판 간을 부착하기 위한 접착제를 사용 하지 않아도 됨에 따라 상기 접착제로 인한 전체 패키지의 두께 증가를 방지할 수 있다.The present invention forms protrusions and fastenings on the semiconductor chip and the substrate, respectively, and attaches the semiconductor chip and the substrate, thereby eliminating the need for using an adhesive for attaching the semiconductor chip and the substrate, thereby increasing the thickness of the entire package due to the adhesive. It can prevent.
따라서, 본 발명은 박형 패키지를 용이하게 구현할 수 있다.Therefore, the present invention can easily implement a thin package.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.1 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는, 기판(102), 반도체 칩(108), 연결 부재(112), 봉지 부재(114) 및 외부 접속 단자(116)를 포함한다.As shown, the
기판(102)은 일면에 본드핑거(104) 및 체결부(H)가 구비된다. 이러한 체결부(H)는 예를 들면 홈으로 이루어지며, 이러한 홈으로 이루어진 체결부(H)는 기판(102)의 일면에 다수 개 구비된다.The
또한, 이러한 기판(102)은 코어층(101) 및 이러한 코어층(101)의 일면 및 타면에 각각 형성되어, 본드핑거(104) 및 볼 랜드(도시안됨)를 각각 노출시키는 제1 및 제2절연층(103, 105)을 포함한다.In addition, the
한편, 이러한 홈으로 이루어진 체결부(H)는 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(102) 일면 및 타면의 제1 및 제2절연층(103, 105) 및 코어층(101) 부분을 관통하도록 형성될 수 있다.Meanwhile, as shown in FIG. 4, the fastening part H formed of the groove passes through the first and second
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반도체 칩(108)은 이러한 체결부(H)가 구비된 기판(102)의 일면에 배치되며, 상면에 배치된 다수의 본딩패드(110)를 포함한다.The
또한, 반도체 칩(108)은 하면에 이러한 기판(102)의 일면의 대응면에 배치된 홈으로 이루어진 체결부(H)에 삽입되는 동시에, 기판(102)에 체결되는 돌출부(106)를 갖는다.In addition, the
이때, 반도체 칩(108)은 이러한 기판(102)의 체결부(H)에 삽입되어 체결되는 돌출부(106)에 의해 기판(102)과 물리적으로 부착된다. In this case, the
한편, 이러한 반도체 칩(108)의 돌출부(106)는 도 5에 도시된 바와 같이, 각 돌출부(106) 간이 서로 상이한 크기로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 기판(102)의 체결부(H)는 이러한 서로 상이한 크기로 이루어진 반도체 칩(108)의 돌출부(106)와 대응되는 한 쌍으로 이루어진다. Meanwhile, as shown in FIG. 5, the
또한, 이러한 대응되는 한 쌍으로 이루어지는 체결부(H) 및 돌출부(106)는 도 6에 도시된 바와 같이 서로 상이한 크기 또는 서로 동일한 크기를 갖는 여러 쌍으로 형성될 수 있다.In addition, the corresponding pair of fastening portions H and the
연결 부재(112)는 이러한 체결부(H) 및 돌출부(106)에 의해 부착된 반도체 칩(108)의 본딩패드(110)와 기판(102)의 본드핑거(104) 간을 전기적으로 연결하며, 이러한 연결 부재(112)는 예를 들면 와이어를 포함한다.The
봉지 부재(114)는 반도체 칩(108)을 외부의 스트레스로부터 보호하기 위해 형성되며, 이러한 반도체 칩(108)과 연결 부재(112)를 포함하는 기판(102)의 일면을 밀봉한다. 이때, 이러한 봉지 부재(114)는 예를 들면 EMC(Epoxy Molding Compound)를 포함한다.The
외부 접속 단자(116)는 기판(102) 타면의 볼 랜드(도시안됨)에 실장수단으로서 다수 부착되며, 이러한 기판(102) 타면의 볼 랜드에 실장수단으로서 다수 부착된 외부 접속 단자(116)는 예를 들면 솔더 볼을 포함한다.A plurality of
한편, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지(100)는, 반도체 칩(108)과 기판(102) 간의 부착을 더욱 용이하게 하기 위해 체결부(H)의 내 측면에 개재된 접착 부재(도시안됨)를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 이를 설명하면 다음과 같다.8 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to another exemplary embodiment of the present invention.
도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)는, 기판(202), 제1반도체 칩(208a), 제2반도체 칩(208b), 연결 부재(212), 봉지 부재(214) 및 외부 접속 단자(216)를 포함한다.As illustrated, the
기판(202)은 일면에 배치된 본드핑거(204)를 포함한다, 또한, 기판(202)은 일면에 구비된 적어도 둘 이상의 체결부(H1, H2)를 포함하며, 이러한 적어도 둘 이상의 체결부(H1, H2)는, 예를 들면 각각 홈으로 이루어진다.The
또한, 이러한 기판(202)은 코어층 및 이러한 코어층의 일면 및 타면에 각각 형성되어, 본드핑거(204) 및 볼 랜드(도시안됨)를 각각 노출시키는 제1 및 제2절연층을 포함할 수 있으며, 이때, 각 체결부(H1, H2)는 기판(202)의 코어층을 노출시키도록 제1절연층 부분 내에 형성되거나, 또는 기판(202) 타면의 제2절연층을 노출시키도록 기판(202) 일면의 제1절연층 및 코어층 부분 내에 형성될 수 있으며, 또한, 기판(202) 일면 및 타면의 제1 및 제2절연층 및 코어층 부분을 관통하도록 형성될 수 있다.In addition, the
부가하여, 이러한 체결부(H1, H2)는 서로 다른 크기로 형성될 수 있다.In addition, the fastening parts H1 and H2 may be formed in different sizes.
제1반도체 칩(208a)은 이러한 기판(202)의 일면에 배치되며, 기판(202) 일면의 대응면에, 제1체결부(H1)에 삽입됨과 아울러, 부착되는 제1돌출부(206a)를 갖는다. 이때, 이러한 기판(202)의 제1체결부(H1)와 대응되어 체결되는 제1돌출부(206a)는 예를 들면 제1길이로 이루어진다.The
또한, 제1반도체 칩(208a)은 상면에 배치된 다수의 제1본딩패드(210a)를 포함한다.In addition, the
제2반도체 칩(208b)은 이러한 제1반도체 칩(208a) 상부에 스택되는 형태로 배치되며, 기판(202) 일면의 대응면에 제2체결부(H2)에 삽입됨과 아울러, 부착되는 제2돌출부(206b)를 갖는다.The
이때, 이러한 기판(202)의 제2체결부(H2)와 대응되어 부착되는 제2돌출부(206b)는, 제1반도체 칩(208a)의 제1돌출부(206a)의 제1길이 보다 긴 제2길이로 이루어져, 제2반도체 칩(208b)이 제1반도체 칩(208a) 상부에 스택되는 형태로 배치되도록 한다.At this time, the
또한, 제2반도체 칩(208b)은 상면에 배치된 다수의 제2본딩패드(210b)를 포함한다.In addition, the
한편, 기판(202)의 제1 및 제2체결부(H1, H2)와, 각 반도체 칩(208a, 208b)의 각 돌출부(206a, 206b)는 서로 상이한 크기로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 기판(102)의 제1 및 제2체결부(H1, H2)는 이러한 서로 상이한 크기로 이루어진 각 반도체 칩(108a, 108b)의 각 돌출부(106a, 106b)와 대응되는 한 쌍으로 이루어진다. Meanwhile, the first and second fastening portions H1 and H2 of the
또한, 이러한 대응되는 한 쌍으로 이루어진 제1 및 제2체결부(H1, H2) 및 제1 및 제2돌출부(206a, 206b)는 서로 상이한 크기 또는 서로 동일한 크기를 갖는 여러 쌍으로 각각 형성될 수 있다.In addition, the corresponding pair of first and second fastening portions H1 and H2 and the first and
연결 부재(212a, 212b)는 각 반도체 칩(208a, 208b)의 제1 및 제2본딩패드(210a, 210b)와 기판(202)의 본드핑거(204) 간을 각각 전기적으로 연결하여, 이러한 연결 부재(212a, 212b)는 예를 들면 와이어를 포함한다.The
봉지 부재(214)는 제1 및 제2반도체 칩(208a, 208b)을 외부의 스트레스로부터 보호하기 위해 제1 및 제2반도체 칩(208a, 208b)과 연결 부재(212a, 212b)를 포함하는 기판(202)의 일면을 밀봉하여, 이러한 봉지 부재(214)는 예를 들면 EMC(Epoxy Molding Compound)를 포함한다.The
외부 접속 단자(216)는 이러한 기판(202) 타면의 볼 랜드(도시안됨)에 실장수단으로서 다수 개 부착되며, 이러한 실장수단으로 다수 개 부착된 외부 접속 단자(216)는 예를 들면 솔더 볼을 포함한다.A plurality of
한편, 도 9 및 도 10은 각각 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키 지(300, 400)를 설명하기 위해 도시한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 각 반도체 패키지(300, 400)는, 전술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)와 유사하다.9 and 10 are cross-sectional views illustrating
다만, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 각 반도체 패키지(300, 400)는, 제1반도체 칩(308a)의 제1본딩패드(310a)가 노출되도록 제1 및 제2반도체 칩(308a, 308b) 간이 계단형으로 스택되거나, 또는, 제1반도체 칩(408a)과 제2반도체 칩(408b) 간이 지그재그형으로 스택된다.However, each of the semiconductor packages 300 and 400 according to another exemplary embodiment of the present invention may expose the first and
나머지 구성 요소는 전술한 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지(200)와 동일하며, 여기서는 그 설명은 생략하도록 한다.The remaining components are the same as the
한편, 본 발명의 실시예에서는 제1 및 제2반도체 칩 간을 스택하여 반도체 패키지 형성시, 2개의 반도체 칩들의 스택에 대해서만 한정하고 설명하였지만, 제2반도체 칩 상에 적어도 1개 이상의 추가 반도체 칩을 더 스택하여 본 발명의 실시예를 적용할 수 있다.Meanwhile, in the embodiment of the present invention, when stacking between the first and second semiconductor chips to form a semiconductor package, only the stack of two semiconductor chips is limited and described. However, at least one additional semiconductor chip on the second semiconductor chip is described. Further stacks may be applied to embodiments of the present invention.
전술한 바와 같이 본 발명은, 반도체 칩과 기판 각각에 돌출부 및 체결부를 형성하여 반도체 칩과 기판 간을 부착함으로써, 종래의 반도체 칩과 기판 간을 부착하기 위한 접착제를 사용하지 않아도 됨에 따라 상기 접착제로 인한 전체 패키지의 두께 증가를 방지할 수 있다.As described above, the present invention forms protrusions and fastening portions on each of the semiconductor chip and the substrate to attach the semiconductor chip and the substrate, thereby eliminating the need for using an adhesive for attaching the conventional semiconductor chip and the substrate. It is possible to prevent the increase in the thickness of the entire package.
따라서, 상기와 같이 접착제로 인한 전체 패키지의 두께 증가를 방지할 수 있으므로 박형 패키지를 용이하게 구현할 수 있다.Therefore, since the thickness of the entire package due to the adhesive can be prevented as described above, the thin package can be easily implemented.
게다가, 상기와 같이 반도체 칩과 기판 간을 부착하기 위해 종래의 접착제가 아닌 돌출부 및 체결부와 같은 물리적인 방법을 이용함으로써, 새로운 물질의 개발 없이 적용하여 양산 가능하다.In addition, by using a physical method such as protrusions and fasteners, rather than a conventional adhesive for attaching the semiconductor chip and the substrate as described above, it can be applied and mass produced without the development of new materials.
이상, 전술한 본 발명의 실시예들에서는 특정 실시예에 관련하고 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것은 아니며, 이하의 특허청구의 범위는 본 발명의 정신과 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변형될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 알 수 있다.In the above-described embodiments of the present invention, the present invention has been described and described with reference to specific embodiments, but the present invention is not limited thereto, and the scope of the following claims is not limited to the scope of the present invention. It will be readily apparent to those skilled in the art that the present invention may be variously modified and modified.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도.1 to 6 are cross-sectional views illustrating a semiconductor package according to an embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도.8 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package in accordance with another embodiment of the present invention.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도.9 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to still another embodiment of the present invention.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위해 도시한 단면도.10 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor package according to another embodiment of the present invention.
Claims (24)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090017591A KR101019708B1 (en) | 2009-03-02 | 2009-03-02 | Semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090017591A KR101019708B1 (en) | 2009-03-02 | 2009-03-02 | Semiconductor package |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100098892A KR20100098892A (en) | 2010-09-10 |
KR101019708B1 true KR101019708B1 (en) | 2011-03-07 |
Family
ID=43005509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090017591A KR101019708B1 (en) | 2009-03-02 | 2009-03-02 | Semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101019708B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102255758B1 (en) | 2017-04-26 | 2021-05-26 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor device package and method for fabricating the same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012741A (en) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
JP2002134663A (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2008103531A (en) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
-
2009
- 2009-03-02 KR KR1020090017591A patent/KR101019708B1/en not_active IP Right Cessation
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---|---|---|---|---|
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JP2008103531A (en) * | 2006-10-19 | 2008-05-01 | Renesas Technology Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100098892A (en) | 2010-09-10 |
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