KR101000211B1 - Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same - Google Patents

Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same Download PDF

Info

Publication number
KR101000211B1
KR101000211B1 KR1020080081555A KR20080081555A KR101000211B1 KR 101000211 B1 KR101000211 B1 KR 101000211B1 KR 1020080081555 A KR1020080081555 A KR 1020080081555A KR 20080081555 A KR20080081555 A KR 20080081555A KR 101000211 B1 KR101000211 B1 KR 101000211B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
guide
wafer
cleaning
guide body
disposed
Prior art date
Application number
KR1020080081555A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100022854A (en
Inventor
이유경
조희돈
강대열
김관호
Original Assignee
주식회사 실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실트론 filed Critical 주식회사 실트론
Priority to KR1020080081555A priority Critical patent/KR101000211B1/en
Publication of KR20100022854A publication Critical patent/KR20100022854A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101000211B1 publication Critical patent/KR101000211B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정 장치가 개시된다. 웨이퍼를 세정하기 위하여 세정액이 수용된 세정조에 수용되는 가이드 장치에 있어서, 상기 가이드 장치는 상기 세정조의 내부에 수용되는 가이드 몸체 및 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치된 복수 개의 가이드를 포함하고, 상기 가이드는 상기 가이드 몸체에 대해 적어도 5개가 구비되며, 상기 웨이퍼는 각기 다른 상기 가이드에 배치된 상기 슬롯에 의해 지지된다. 따라서, 웨이퍼의 슬롯 이탈 현상을 방지하고, 상기 웨이퍼와 상기 가이드가 접촉되는 부위의 세정력이 저하되는 것을 방지하여, 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.A guide apparatus and a wafer cleaning apparatus including the same are disclosed. A guide apparatus accommodated in a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning a wafer, wherein the guide apparatus is provided on one side of the guide body and the guide body accommodated in the cleaning tank, and receives a plurality of wafers, respectively. A plurality of slots are arranged in a row, the guide is provided with at least five to the guide body, the wafer is supported by the slots disposed in the different guides. Therefore, there is an advantage in that the slot detachment phenomenon of the wafer is prevented, and the cleaning power of the portion where the wafer and the guide are in contact with each other is lowered, thereby improving the yield.

가이드, 슬롯, 세정, 웨이퍼 Guides, Slots, Cleans, Wafers

Description

가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정 장치{GUIDE DEVICE AND CLEANING APPARATUS OF WAFER HAVING THE SAME}GUIDE DEVICE AND CLEANING APPARATUS OF WAFER HAVING THE SAME}

본 발명은 가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼를 지지하는 슬롯을 구비한 가이드 장치의 구조를 변경하여, 상대적으로 웨이퍼의 안착 상태를 안정화하고, 또한, 파티클 패턴(particle pattern)을 발생을 감소시킬 수 있는 가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a guide device and a wafer cleaning device including the same. More particularly, the structure of the guide device having a slot for supporting the wafer is changed to relatively stabilize the seating state of the wafer, and furthermore, to form a particle pattern. The present invention relates to a guide device capable of reducing generation of particle patterns and a wafer cleaning device including the same.

일반적으로, 반도체 소자는 웨이퍼, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 웨이퍼 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조 시에는 웨이퍼에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정공정이 수행된다.In general, a semiconductor device may be manufactured by repeatedly performing deposition, photography, and etching processes using a wafer, for example, a silicon wafer. Contaminants such as various particles, metal impurities, organic impurities, and the like may remain on the wafer during the processes. Since the contaminants adversely affect the yield and reliability of the semiconductor device, a cleaning process for removing contaminants remaining on the wafer is performed during semiconductor manufacturing.

반도체 웨이퍼의 세정을 위한 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식(Wet) 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가 지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 웨이퍼를 동시에 세정하는 배치타입(batch type)과 낱장 단위로 웨이퍼를 세정하는 매엽식(single wafer type)으로 구분된다.The cleaning method for cleaning a semiconductor wafer can be largely classified into a dry cleaning method and a wet cleaning method. Among them, the wet cleaning method is a cleaning method using various chemical liquids, and a batch for cleaning a plurality of wafers simultaneously. It is divided into batch type and single wafer type that cleans the wafer by sheet.

배치타입 세정장치는 세정액이 수용된 수용조에 복수의 웨이퍼를 한꺼번에 침지시켜서 오염원을 제거하고, 매엽식 세정장치는 낱장의 웨이퍼 단위로 처리하는 세정장치로서, 고속으로 회전시킨 웨이퍼 표면에 세정액을 분사함으로써 웨이퍼의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.The batch type cleaning device is used to remove contaminants by immersing a plurality of wafers in a container containing a cleaning liquid at one time, and the single sheet cleaning device is a cleaning device that processes wafers in a single wafer unit. Cleaning is performed by a spin method to remove the contaminant by using the centrifugal force caused by the rotation and the pressure of the injection of the cleaning liquid.

통상적으로 웨트 스테이션(wet station)이라 불리는 배치타입 세정장치는 웨이퍼가 세정처리부의 처리 경로를 따라 이송되면서 일련의 처리 과정을 거치게 된다. 그리고, 세정처리부에는 여러 가지 약액이 일정 비율로 혼합된 세정액이 수용되어 웨이퍼에 대한 세정공정이 수행되는 복수의 세정 유닛이 구비되고, 약액 세정공정이 완료된 웨이퍼에서 약액을 제거하기 위해 순수를 이용하여 린스 공정이 수행되는 린스 유닛이 구비된다.A batch type cleaning apparatus, commonly referred to as a wet station, undergoes a series of processing steps as the wafer is transferred along the processing path of the cleaning process. In addition, the cleaning processing unit includes a plurality of cleaning units in which cleaning liquids containing various chemical liquids are mixed at a predetermined rate and a cleaning process for the wafer is performed. A rinse unit in which a rinse process is performed is provided.

한편, 기존의 배치타입 세정장치는 25매 또는 50매씩 복수의 웨이퍼가 동시에 리프트 유닛에 안착된 상태에서 세정조 내에 침지되어 세정공정이 수행된다.On the other hand, the conventional batch type cleaning apparatus is immersed in the cleaning tank in a state in which a plurality of wafers of 25 sheets or 50 sheets are seated in the lift unit at the same time, the cleaning process is performed.

여기서, 종래의 가이드 장치를 설명하면 다음과 같다. 도 1은 일반적인 세정조 내 웨이퍼가 가이드 장치에 안착된 것을 도시한 단면도이고, 도 2는 종래의 가이드 장치를 도시한 평면도이며, 도 3은 도 2의 I-I 방향으로 절단하여 도시한 단면도이다.Here, the conventional guide device will be described. 1 is a cross-sectional view illustrating a wafer in a general cleaning tank seated on a guide device, FIG. 2 is a plan view illustrating a conventional guide device, and FIG. 3 is a cross-sectional view cut along the I-I direction of FIG. 2.

이에 도시된 바와 같이, 종래의 가이드 장치는 웨이퍼(1)의 일부를 수용할 수 있는 슬롯이 복수개 배치된 웨이퍼 가이드(20)가 각각 세 점에서 점 접촉에 의해 상기 웨이퍼(1)를 지지하도록 구비되고, 상기 가이드 장치가 세정조(10)내에 위치된다.As shown in the drawing, the conventional guide apparatus is provided so that the wafer guides 20 having a plurality of slots for accommodating a part of the wafer 1 support the wafer 1 by point contact at three points. The guide device is located in the cleaning tank 10.

즉, 상기 웨이퍼 가이드(20)는 일반적으로 원형 형태의 사이드 가이드(22) 두 개와 코움(Comb) 형상의 센터가이드(21) 하나로 구성된다.That is, the wafer guide 20 generally includes two side guides 22 having a circular shape and a center guide 21 having a comb shape.

종래의 전세정 공정(Pre-cleaning process)에서 사용 중인 세정기 내에 상기 웨이퍼(1)가 로딩(Loading)되는 방식은 상기 세정조(10) 내의 상기 웨이퍼 가이드(20) 위에 안착되는 방식이다.The method of loading the wafer 1 into the cleaner in use in a conventional pre-cleaning process is to mount on the wafer guide 20 in the cleaning tank 10.

그러나, 종래의 가이드 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional guide device has the following problems.

먼저, 세 점에서 접촉하는 점 접촉식 웨이퍼 가이드는 세정조 내의 약액 유동에 의해 웨이퍼 안착 상태가 상대적으로 불안정하며, 이를 나타낸 도면이 도 4이다. 도 4는 점 접촉식 웨이퍼 가이드에 수용된 웨이퍼들의 겹침 현상을 도시한 도면이다. 이에 도시된 바와 같이, 세정조 내에서 웨이퍼가 슬롯을 이탈하여 인접한 슬롯에 수용된 웨이퍼와 겹치거나 파손되는 문제점이 있다.First, the point contact wafer guide contacting at three points has a relatively unstable wafer seating state due to the chemical liquid flow in the cleaning tank, and FIG. 4 is a view illustrating overlapping of wafers accommodated in a point contact wafer guide. As shown therein, there is a problem in that the wafer leaves the slot in the cleaning tank and overlaps or breaks the wafer accommodated in the adjacent slot.

또한, 이를 해결하기 위해 점접촉식 웨이퍼 가이드의 불안정한 안착상태를 선접촉식 웨이퍼 가이드로 개선하였으나, 선접촉식 웨이퍼 가이드의 경우 웨이퍼 가이드에 접촉된 부위의 세정력이 열위한 문제점이 있다.In addition, in order to solve this problem, the unstable mounting state of the point contact wafer guide is improved to the line contact wafer guide, but in the case of the line contact wafer guide, there is a problem in that the cleaning power of the portion in contact with the wafer guide is heat.

특히, 이로 인해, 웨이퍼 표면에 이물질이 잔류되어 파티클 패턴(particle pattern)을 유발시키고 수율 저하를 야기하는 문제점이 있다.In particular, due to this, foreign matter remains on the surface of the wafer causing a particle pattern (particle pattern) and there is a problem that causes a decrease in yield.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적은 웨이퍼 가이드의 구조를 변경하여 웨이퍼의 슬롯 이탈 현상을 방지하고, 이에 따라, 수율을 향상시킬 수 있는 가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공함에 있다.One object of the present invention for solving the above problems is to change the structure of the wafer guide to prevent the slot departure of the wafer, thereby providing a guide device and a wafer cleaning device including the same that can improve the yield have.

본 발명의 다른 목적은, 웨이퍼를 지지하는 부위의 세정력이 저하되는 것을 방지하여, 웨이퍼 표면에 이물질을 용이하게 제거하고, 파티클 패턴의 발생을 방지할 수 있는 가이드 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a guide device and a wafer cleaning device including the same, which prevents deterioration of the cleaning power of a portion supporting the wafer, to easily remove foreign substances on the surface of the wafer, and to prevent generation of particle patterns. In providing.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼를 세정하기 위하여 세정액이 수용된 세정조에 수용되는 가이드 장치에 있어서, 상기 가이드 장치는 상기 세정조의 내부에 수용되는 가이드 몸체 및 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치된 복수 개의 가이드를 포함하고, 상기 가이드는 상기 가이드 몸체에 대해 적어도 5개가 구비되며, 상기 웨이퍼는 각기 다른 상기 가이드에 배치된 상기 슬롯에 의해 지지된다.According to a preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, a guide device accommodated in a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning a wafer, the guide device is guide body accommodated in the cleaning tank and It is provided on one side of the guide body, and includes a plurality of guides are arranged in a row a plurality of slots each receiving a portion of the plurality of wafers, the guide is provided with at least five to the guide body, the wafer is It is supported by the slots arranged in the different guides.

또한, 상기 슬롯의 단면의 양측은 서로 다른 경사를 이루는 3개 내지 5개 이하의 직선으로 형성되거나 또는 상기 웨이퍼가 수용되는 방향과 평행한 직선과 상기 슬롯의 외측방향으로 일정 곡률 반경을 지니는 원호를 조합하여 형성되는 것 중 적어도 하나에 의해 형성되는 것이 바람직하다.In addition, both sides of the cross section of the slot may be formed of three to five straight lines having different inclinations or a straight line parallel to the direction in which the wafer is accommodated and an arc having a constant radius of curvature in the outward direction of the slot. It is preferable that it is formed by at least one of what is formed in combination.

더불어, 상기 가이드는 상기 가이드 몸체에 대해 이동 가능하도록 구비되는 것이 더욱 바람직하다.In addition, the guide is more preferably provided to be movable relative to the guide body.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼를 세정하기 위하여 세정액이 수용된 세정조에 수용되는 가이드 장치에 있어서, 상기 가이드 장치는 상기 세정조의 내부에 수용되는 가이드 몸체 및 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치되는 가이드를 포함하되, 상기 가이드는 상기 웨이퍼의 연직방향 하부에 배치되는 센터 가이드, 상기 센터 가이드로부터 상기 웨이퍼의 원주 방향에 대해 양측으로 기 설정된 일정한 각도를 이루며 이격되도록 배치되는 사이드 가이드 및 상기 센터 가이드 및 상기 사이드 가이드 사이에 배치되는 보조 가이드를 포함한다.According to another preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, in the guide device accommodated in the cleaning tank containing the cleaning liquid for cleaning the wafer, the guide device is a guide body accommodated inside the cleaning tank And a guide provided at one side of the guide body and having a plurality of slots arranged in a row, each receiving a portion of a plurality of wafers, wherein the guide is a center guide disposed in a vertical lower portion of the wafer, and the center guide. And a side guide disposed to be spaced apart at a predetermined angle from both sides with respect to the circumferential direction of the wafer, and an auxiliary guide disposed between the center guide and the side guide.

이 때, 상기 보조 가이드는 상기 가이드 몸체에 대해 이동 가능하도록 구비되는 것이 바람직하다.At this time, the auxiliary guide is preferably provided to be movable relative to the guide body.

또한, 상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 바람직한 실시예에 따르면, 웨이퍼 세정 장치는 세정액이 수용된 복수 개의 세정조, 각각의 상기 세정조의 내부에 수용되는 가이드 몸체 및 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치되는 가이드 및 상기 복수 개의 세정조 간에 상기 웨이퍼를 이동시키고, 상기 웨이퍼를 상기 가이드에 안착시키는 리프트 유닛을 포함하고, 상기 가이드는 서로 다른 상기 세정조에 대해 서로 다른 위치에 배치되어, 각각의 세정조 별로 상기 웨이퍼 를 지지하는 지지점의 위치가 서로 상이하도록 구비된다.In addition, according to another preferred embodiment of the present invention for achieving the above object of the present invention, the wafer cleaning apparatus includes a plurality of cleaning tanks containing a cleaning liquid, a guide body accommodated in each of the cleaning tank and the guide body And a lift unit provided at one side of the guide, the guide having a plurality of slots respectively accommodating a portion of the plurality of wafers, and a lift unit for moving the wafer between the plurality of cleaning baths and seating the wafer on the guide. The guides are disposed at different positions with respect to the different cleaning tanks, and the guide points for supporting the wafers are different for each cleaning tank.

이 때, 상기 가이드는 상기 웨이퍼의 연장방향 하부에 배치되는 센터 가이드, 상기 센터 가이드 라인으로부터 상기 웨이퍼의 원주 방향에 대해 양측으로 기 설정된 일정한 각도를 이루며 이격되도록 배치되는 사이드 가이드 및 상기 센터 가이드 및 상기 사이드 가이드 사이에 배치되는 보조 가이드를 포함하고, 상기 보조 가이드가 상기 복수 개의 세정조에 대해 각각 서로 다른 위치에 배치되는 것이 바람직하다.At this time, the guide is a center guide disposed in the lower extending direction of the wafer, the side guide and the center guide arranged to be spaced apart at a predetermined angle on both sides with respect to the circumferential direction of the wafer from the center guide line and the center guide and the It is preferable to include an auxiliary guide disposed between the side guides, wherein the auxiliary guides are disposed at different positions with respect to the plurality of cleaning tanks, respectively.

본 발명에 따르면, 웨이퍼 가이드의 구조를 변경하여 웨이퍼의 슬롯 이탈 현상을 방지하고, 이에 따라, 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.According to the present invention, there is an advantage in that the structure of the wafer guide is changed to prevent the slot leaving phenomenon of the wafer, thereby improving the yield.

또한, 각각의 세정조 별로 웨이퍼를 지지하는 지지점의 위치를 상이하도록 가이드를 배치하여, 상기 웨이퍼와 상기 가이드가 접촉되는 부위의 세정력이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, by arranging the guides to different positions of the support points for supporting the wafer for each cleaning tank, there is an effect that the cleaning power of the portion where the wafer is in contact with the guide can be prevented from being lowered.

특히, 이로 인해, 웨이퍼 표면의 이물질을 용이하게 제거하고, 파티클 패턴의 발생을 방지할 수 있는 이점이 있다.In particular, this has the advantage of being able to easily remove foreign substances on the surface of the wafer and prevent the occurrence of particle patterns.

또한, 다섯 지점에서 상기 웨이퍼가 지지되므로, 상대적으로 상기 웨이퍼가 안정된 상태로 상기 가이드 장치에 안착될 수 있는 효과가 있다.In addition, since the wafer is supported at five points, there is an effect that the wafer can be seated on the guide device in a relatively stable state.

또한, 3개 내지 5개의 서로 다른 경사도를 갖는 직선으로 상기 슬롯의 단면 양측을 구성함으로써, 동일한 점접촉으로 상기 웨이퍼를 지지하면서도, 상대적으로 접촉 부위를 넓혀 상기 웨이퍼의 안착 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있는 이 점이 있다.In addition, by forming both sides of the cross section of the slot in a straight line having three to five different inclinations, while supporting the wafer in the same point contact, it is possible to maintain a stable state of the wafer by expanding the contact area relatively There is this point.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 이하 설명에서는 구성 및 기능이 거의 동일하여 동일하게 취급될 수 있는 요소는 동일한 참조번호로 특정될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited or limited by the embodiments. Note that, in the following description, components that are substantially the same in structure and function and can be handled identically can be identified by the same reference numerals.

제 My 1실시예Example 1

본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치를 설명하면 다음과 같다. 도 5는 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 사시도이고, 도 6는 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 평면도이다.Referring to the guide device according to the first embodiment of the present invention. 5 is a perspective view showing a guide device according to a first embodiment of the present invention, Figure 6 is a plan view showing a guide device according to a first embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 상기 가이드 장치는 가이드 몸체(100) 및 가이드(200)를 포함한다.As shown therein, the guide device includes a guide body 100 and a guide 200.

웨이퍼(1)를 세정하기 위한 세정조(10)는 세정액이 수용되도록 내부에 공간을 형성하고, 상기 세정조(10)의 내부에 상기 가이드 몸체(100)가 수용된다. 일반적으로 상기 가이드 몸체(100)는 상기 세정조(10)의 하부면에 인접하여 장착된다.The cleaning tank 10 for cleaning the wafer 1 forms a space therein to accommodate the cleaning liquid, and the guide body 100 is accommodated in the cleaning tank 10. In general, the guide body 100 is mounted adjacent to the lower surface of the cleaning tank (10).

상기 가이드(200)는 상기 가이드 몸체(100)의 일측에 구비되며, 복수 개의 슬롯(210)이 일렬로 배치되어 형성된다. 상기 슬롯(210)은 복수 개의 웨이퍼(1)를 각각 수용하도록 상기 웨이퍼(1)의 두께에 대응되는 폭를 지니며, 이를 좀 더 상세히 설명하기 위하여 도 7을 제시한다. 도 7은 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이 드 장치에 형성되는 슬롯의 단면을 도시한 단면도이다.The guide 200 is provided at one side of the guide body 100, and a plurality of slots 210 are arranged in a line. The slot 210 has a width corresponding to the thickness of the wafer 1 to accommodate each of the plurality of wafers 1, and is illustrated in FIG. 7 to describe this in more detail. 7 is a cross-sectional view showing a cross section of a slot formed in the guide apparatus according to the first embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 상기 슬롯(210)의 단면의 양측은 서로 다른 경사를 이루는 3개의 직선에 의해 형성된다. 이에 따라, 상기 슬롯(210)은 상기 웨이퍼(1)가 상기 슬롯(210)으로 수용되는 경우에 상기 웨이퍼(1)와 접촉하는 부위가 상대적으로 협소하였으나, 본 발명의 제 1실시예에 따른 상기 슬롯(210)은 3개의 직선으로 상기 슬롯을 구성함으로써, 동일한 점접촉으로 상기 웨이퍼(1)를 지지하나, 상대적으로 접촉 부위를 넓혀 상기 웨이퍼(1)의 안착 상태를 보다 안정적으로 유지할 수 있는 이점이 있다.As shown therein, both sides of the cross section of the slot 210 are formed by three straight lines forming different inclinations. Accordingly, the slot 210 has a relatively narrow portion in contact with the wafer 1 when the wafer 1 is accommodated in the slot 210. Since the slot 210 constitutes the slot in three straight lines, the slot 1 supports the wafer 1 in the same point contact. However, the slot 210 has a relatively wider contact area, so that the seating state of the wafer 1 can be more stably maintained. There is this.

본 실시예에서는 상기 슬롯(210)의 단면 양측을 서로 다른 경사를 이루는 3개의 직선으로 형성되는 것으로 제시하였지만, 이에 한정되거나, 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 서로 다른 경사를 지니는 5개의 직선으로 형성되거나, 또는 또는 상기 웨이퍼(1)가 수용되는 방향과 평행한 직선과 상기 슬롯의 외측방향으로 일정 곡률 반경을 지니는 원호를 조합하여 상기 슬롯(210)을 구성하는 것도 가능함은 물론이다.In this embodiment, although both sides of the cross section of the slot 210 are provided as three straight lines forming different inclinations, the present invention is not limited thereto. For example, five straight lines having different inclinations are formed. Alternatively, the slot 210 may be configured by combining a straight line parallel to the direction in which the wafer 1 is accommodated and an arc having a predetermined radius of curvature in the outward direction of the slot.

또한, 상기 가이드(200)는 상기 가이드 몸체(100)에 각기 다른 위치에 배치되되, 상기 가이드 몸체(100)에 대해 적어도 5개가 구비된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼(1)는 각기 다른 상기 가이드(200)에 배치된 상기 슬롯(210)에 의해 지지되며, 적어도 5점 지지를 받게 된다.In addition, the guides 200 are disposed at different positions on the guide body 100, and at least five guides are provided with respect to the guide body 100. Accordingly, the wafer 1 is supported by the slots 210 arranged in the different guides 200 and receives at least five points of support.

따라서, 다섯 지점에서 상기 웨이퍼(1)가 지지되므로, 상대적으로 상기 웨이퍼(1)가 안정된 상태로 상기 가이드 장치에 안착될 수 있는 효과가 있다.Therefore, since the wafer 1 is supported at five points, there is an effect that the wafer 1 can be seated on the guide device in a relatively stable state.

이 때, 상기 가이드 몸체(100)의 양측에서 상기 가이드(200)와 결합되고, 이를 위하여 상기 상기 웨이퍼(1)의 반경 방향에 대해 대응되는 위치를 따라 결합홈(110)이 형성된다. 이 때, 상기 결합홈(110)을 따라 상기 가이드(200)가 이동되어 결합 고정 가능하도록 구비된다.At this time, the coupling groove 110 is formed along the corresponding position with respect to the radial direction of the wafer 1 is coupled to the guide 200 on both sides of the guide body 100. At this time, the guide 200 is moved along the coupling groove 110 and is provided to be coupled and fixed.

즉, 상기 가이드(200)는 상기 가이드 몸체(100)에 대해 이동 가능하도록 구비됨으로써, 상기 웨이퍼(1)를 지지하는 지지점이 서로 상이하게 구비될 수 있다.That is, the guide 200 may be provided to be movable relative to the guide body 100, so that the support points for supporting the wafer 1 may be provided differently from each other.

이에 따라, 상기 가이드 장치에 안착되는 상기 웨이퍼(1)는 상기 가이드(200)의 배치에 따라, 서로 상이한 지지점에서 지지를 받게 될 수 있는 이점이 있다.Accordingly, there is an advantage that the wafer 1 seated on the guide device may be supported at different support points according to the arrangement of the guide 200.

제 My 2실시예2 Example

본 발명의 제 2실시예에 따른 가이드 장치를 설명하면 다음과 같다. 도 8은 본 발명의 제 2실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 평면도이다. 참고로 제 1실시예와 유사하거나 동일한 구성에 대한 설명은 생략하기로 한다.Referring to the guide device according to a second embodiment of the present invention. 8 is a plan view showing a guide device according to a second embodiment of the present invention. For reference, a description of a similar or identical configuration to the first embodiment will be omitted.

이에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)를 지지하는 상기 가이드 장치는 가이드 몸체(100) 및 가이드(200)를 포함한다. 이 때, 상기 가이드(200)는 슬롯(210)이 일렬로 배치된 센터 가이드(250), 사이드 가이드(260) 및 보조 가이드(270)를 포함한다.As shown therein, the guide device for supporting the wafer 1 includes a guide body 100 and a guide 200. In this case, the guide 200 includes a center guide 250, a side guide 260, and an auxiliary guide 270 in which slots 210 are arranged in a line.

상기 센터 가이드(250)는 상기 웨이퍼(1)의 연직 방향 하부에 배치되며, 코움(comb) 형상으로 형성된다. 이 때, 상기 사이드 가이드(260)는 상기 센터 가이 드(250)로부터 상기 웨이퍼(1)의 원주 방향에 대해 양측으로 기 설정된 일정한 각도를 이루며 이격되어 배치된다. 이 때, 상기 사이드 가이드(260)에 형성되는 슬롯은 상기 웨이퍼(1)의 원주와 유사한 형상으로 형성된다.The center guide 250 is disposed below the vertical direction of the wafer 1 and is formed in a comb shape. At this time, the side guide 260 is spaced apart from the center guide 250 at a predetermined angle at both sides with respect to the circumferential direction of the wafer 1. At this time, the slot formed in the side guide 260 is formed in a shape similar to the circumference of the wafer (1).

상기 보조 가이드(270)는 상기 센터 가이드(250)의 형상과 유사한 형상으로 형성되되, 상기 센터 가이드(250) 및 상기 사이드 가이드(260) 사이에 배치된다.The auxiliary guide 270 is formed in a shape similar to that of the center guide 250, and is disposed between the center guide 250 and the side guide 260.

이 때, 상기 사이드 가이드(260)는 상기 가이드 몸체(100)에 대해 분리 및 결합이 가능한 형태로 구비되어, 위치가 변경가능하도록 구비된다.At this time, the side guide 260 is provided in a form that can be separated and coupled to the guide body 100, it is provided to change the position.

따라서, 상기 가이드 장치에 수용되는 상기 웨이퍼(1)는 두 개의 상기 사이드 가이드(260), 센터 가이드(250) 및 두 개의 상기 보조 가이드(270)에 의해 총 다섯 지점에서 지지를 받는다. 또한, 상기 가이드 몸체(100)에서 상기 보조 가이드(270)가 이동 가능하도록 구비되어, 상기 보조 가이드(270)의 이동에 따라 상기 웨이퍼(1)의 지지점을 변경할 수 있는 이점이 있다.Thus, the wafer 1 accommodated in the guide device is supported at a total of five points by the two side guides 260, the center guide 250, and the two auxiliary guides 270. In addition, the auxiliary guide 270 is provided to be movable in the guide body 100, and there is an advantage in that the support point of the wafer 1 may be changed according to the movement of the auxiliary guide 270.

제 My 3실시예3 Example

본 발명의 제 3실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치를 설명하면 다음과 같다. 도 9는 본 발명의 제 3실시에에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 사시도이다.A wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described below. 9 is a perspective view showing a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

이에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 세정장치는 세정조(10), 가이드 몸체(100), 가이드(200) 및 리프트 유닛(300)을 포함한다. 참고로, 제 1실시예 및 제 2실시예와 유사하거나 동일한 구성에 대한 설명은 생략하거나, 필요에 따라 설명하기로 한다.As shown in the drawing, the wafer cleaning apparatus includes a cleaning tank 10, a guide body 100, a guide 200, and a lift unit 300. For reference, descriptions of components similar or identical to those of the first and second embodiments will be omitted or described as necessary.

여기서, 상기 세정조(10)는 복수 개 배치되어, 웨이퍼(1)는 복수 개의 상기 세정조(10)에 수용된 상기 세정액에 침지되어 상기 웨이퍼(1) 표면 상의 오염이 제거된다.Here, a plurality of cleaning tanks 10 are disposed, and the wafer 1 is immersed in the cleaning liquids accommodated in the plurality of cleaning tanks 10 so that contamination on the surface of the wafer 1 is removed.

이 때, 상기 리프트 유닛(300)은 상기 복수 개의 세정조(20) 간에 상기 웨이퍼(1)를 이동시키고, 상기 웨이퍼(1)를 상기 가이드(200)에 안착시키도록 구비된다.In this case, the lift unit 300 is provided to move the wafer 1 between the plurality of cleaning tanks 20 and to seat the wafer 1 on the guide 200.

이 때, 상기 가이드(200)는 서로 다른 상기 세정조(10)에 대해 서로 다른 위치에 배치되어 각각의 상기 세정조(10) 별로 상기 웨이퍼(1)를 지지하는 지지점의 위치가 상이하도록 구비된다.At this time, the guide 200 is disposed in different positions with respect to the different cleaning tank 10 is provided so that the position of the support point for supporting the wafer 1 for each of the cleaning tank 10 is different. .

즉, 상기 가이드(200)는 상술한 센터 가이드(250), 사이드 가이드(260) 및 보조 가이드(270)를 포함하고, 상기 보조 가이드(270)의 상기 가이드 몸체(100)에 대한 상대적 위치가 상기 복수 개의 세정조(10)에 대해 각각 서로 다른 위치에 배치된다.That is, the guide 200 includes the above-described center guide 250, side guide 260 and the auxiliary guide 270, the relative position of the auxiliary guide 270 with respect to the guide body 100 is Each of the plurality of cleaning tanks 10 is disposed at a different position.

따라서, 상기 각 세정조(10)에 순차적으로 침지되는 상기 웨이퍼(1)는 각기 다른 위치에서 지지를 받게 되고, 이에 따라, 상기 웨이퍼(1)와 상기 가이드(200)의 접촉점이 서로 상이하므로, 상대적으로 접촉 부위에서의 파티클 패턴의 형성을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the wafers 1 sequentially immersed in the respective cleaning tanks 10 are supported at different positions, and accordingly, contact points of the wafers 1 and the guides 200 are different from each other. There is a relatively effective effect of preventing the formation of the particle pattern at the contact site.

본 실시예에서는 상기 보조 가이드(270)가 상기 가이드 몸체(100)에 대해 이동 가능한 것으로 제시하였지만, 이에 한정되거나, 제한되는 것은 아니며, 예를 들면 상기 사이드 가이드(260)의 위치를 변경하여, 상기 웨이퍼(1)를 지지하는 지지 점의 위치가 상기 세정조(10) 별로 상이하도록 구비되는 것도 가능하다.In the present embodiment, the auxiliary guide 270 is shown as being movable relative to the guide body 100, but is not limited thereto or limited thereto. For example, by changing the position of the side guide 260, It is also possible to be provided so that the position of the support point for supporting the wafer 1 is different for each of the cleaning tank (10).

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

도 1은 일반적인 세정조 내 웨이퍼가 가이드 장치에 안착된 것을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a wafer in a general cleaning tank seated on a guide device.

도 2는 종래의 가이드 장치를 도시한 평면도이다.Figure 2 is a plan view showing a conventional guide device.

도 3은 도 2의 I-I 방향으로 절단하여 도시한 단면도이다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line I-I of FIG. 2.

도 4는 점 접촉식 웨이퍼 가이드에 수용된 웨이퍼들의 겹침 현상을 도시한 도면이다.4 is a view illustrating overlapping of wafers accommodated in a point contact wafer guide.

도 5는 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 사시도이다.5 is a perspective view showing a guide device according to a first embodiment of the present invention.

도 6는 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 평면도이다.6 is a plan view showing a guide device according to a first embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제 1실시예에 따른 가이드 장치에 형성되는 슬롯의 단면을 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view showing a cross section of a slot formed in the guide device according to the first embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제 2실시예에 따른 가이드 장치를 도시한 평면도이다.8 is a plan view showing a guide device according to a second embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제 3실시에에 따른 웨이퍼 세정장치를 도시한 사시도이다.9 is a perspective view showing a wafer cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 웨이퍼 10: 세정조1: wafer 10: cleaning tank

100: 가이드 몸체 110: 결합홈100: guide body 110: coupling groove

200: 가이드 210: 슬롯200: guide 210: slot

250: 센터 가이드 260: 사이드 가이드250: center guide 260: side guide

270: 보조 가이드 300: 리프트 유닛270: auxiliary guide 300: lift unit

Claims (7)

웨이퍼를 세정하기 위하여 세정액이 수용된 세정조에 수용되는 가이드 장치에 있어서,A guide apparatus accommodated in a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning a wafer, 상기 세정조의 내부에 수용되고, 양측에 상기 웨이퍼의 반경 방향에 대응되는 형상으로 결합홈이 형성되는 가이드 몸체; 및A guide body accommodated in the cleaning tank and having coupling grooves formed at both sides in a shape corresponding to a radial direction of the wafer; And 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치된 복수 개의 가이드;A plurality of guides provided at one side of the guide body and having a plurality of slots arranged in a row to receive a portion of the plurality of wafers, respectively; 를 포함하고, 상기 가이드는 상기 가이드 몸체에 대해 적어도 5개가 구비되며, 상기 가이드 중 적어도 두 개는 상기 결합홈에서 상기 가이드 몸체와 결합되어 상기 결합홈을 따라 상기 가이드 몸체에 대해 이동 가능하도록 구비되며, 상기 웨이퍼는 각기 다른 상기 가이드에 배치된 상기 슬롯에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 가이드 장치.Includes, the guide is provided with at least five with respect to the guide body, at least two of the guide is coupled to the guide body in the coupling groove is provided to be movable relative to the guide body along the coupling groove And the wafer is supported by the slots disposed in the different guides. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 슬롯의 단면의 양측은 서로 다른 경사를 이루는 3개 내지 5개 이하의 직선으로 형성되거나 또는 상기 웨이퍼가 수용되는 방향과 평행한 직선과 상기 슬롯의 외측방향으로 일정 곡률 반경을 지니는 원호를 조합하여 형성되는 것 중 적어도 하나에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 가이드 장치.Both sides of the cross section of the slot may be formed of three to five straight lines having different inclinations or a combination of a straight line parallel to the direction in which the wafer is accommodated and an arc having a constant radius of curvature in the outward direction of the slot. A guide device, characterized in that formed by at least one of the formed. 삭제delete 웨이퍼를 세정하기 위하여 세정액이 수용된 세정조에 수용되는 가이드 장치에 있어서,A guide apparatus accommodated in a cleaning tank containing a cleaning liquid for cleaning a wafer, 상기 세정조의 내부에 수용되고, 양측에 상기 웨이퍼의 반경 방향에 대응되는 형상으로 결합홈이 형성되는 가이드 몸체; 및A guide body accommodated in the cleaning tank and having coupling grooves formed at both sides in a shape corresponding to a radial direction of the wafer; And 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치되는 가이드;A guide provided at one side of the guide body and having a plurality of slots arranged in a row to receive a portion of the plurality of wafers; 를 포함하되, 상기 가이드는,Including, but the guide, 상기 웨이퍼의 연직방향 하부에 배치되는 센터 가이드;A center guide disposed in a vertical lower portion of the wafer; 상기 센터 가이드로부터 상기 웨이퍼의 원주 방향에 대해 양측으로 기 설정된 일정한 각도를 이루며 이격되도록 배치되는 사이드 가이드; 및Side guides spaced apart from each other at a predetermined angle at both sides with respect to the circumferential direction of the wafer from the center guide; And 상기 센터 가이드 및 상기 사이드 가이드 사이에 배치되고, 상기 결합홈에서 상기 가이드 몸체와 결합되며, 상기 결합홈을 따라 이동 가능하도록 구비되는 보조 가이드;An auxiliary guide disposed between the center guide and the side guide, coupled to the guide body in the coupling groove, and provided to be movable along the coupling groove; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 가이드 장치.Guide device comprising a. 삭제delete 세정액이 수용된 복수 개의 세정조;A plurality of cleaning tanks containing a cleaning liquid; 각각의 상기 세정조의 내부에 수용되는 가이드 몸체; 및A guide body received inside each of the cleaning tanks; And 상기 가이드 몸체의 일측에 구비되며, 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용 하는 복수 개의 슬롯이 일렬로 배치되는 가이드; 및A guide provided at one side of the guide body and having a plurality of slots arranged in a row to receive a portion of the plurality of wafers; And 상기 복수 개의 세정조 간에 상기 웨이퍼를 이동시키고, 상기 웨이퍼를 상기 가이드에 안착시키는 리프트 유닛;A lift unit which moves the wafer between the plurality of cleaning tanks and seats the wafer on the guide; 을 포함하고, 상기 가이드는 서로 다른 상기 세정조에 대해 서로 다른 위치에 배치되어, 각각의 세정조 별로 상기 웨이퍼를 지지하는 지지점의 위치가 서로 상이한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the guide is disposed at different positions with respect to the different cleaning tanks, and the positions of the supporting points for supporting the wafer for each cleaning tank are different from each other. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 가이드는,The guide, 상기 웨이퍼의 연장방향 하부에 배치되는 센터 가이드;A center guide disposed under the extension direction of the wafer; 상기 센터 가이드 라인으로부터 상기 웨이퍼의 원주 방향에 대해 양측으로 기 설정된 일정한 각도를 이루며 이격되도록 배치되는 사이드 가이드; 및Side guides spaced apart from each other at a predetermined angle on both sides with respect to the circumferential direction of the wafer from the center guide line; And 상기 센터 가이드 및 상기 사이드 가이드 사이에 배치되는 보조 가이드;An auxiliary guide disposed between the center guide and the side guide; 를 포함하고, 상기 보조 가이드가 상기 복수 개의 세정조에 대해 각각 서로 다른 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 장치.And the auxiliary guides disposed at different positions with respect to the plurality of cleaning baths, respectively.
KR1020080081555A 2008-08-20 2008-08-20 Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same KR101000211B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080081555A KR101000211B1 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080081555A KR101000211B1 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100022854A KR20100022854A (en) 2010-03-03
KR101000211B1 true KR101000211B1 (en) 2010-12-10

Family

ID=42175276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080081555A KR101000211B1 (en) 2008-08-20 2008-08-20 Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101000211B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102181500B1 (en) 2020-06-01 2020-11-20 박근범 Slot Assembly Jig Device For Wafer Mounting

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102138383B1 (en) * 2014-02-14 2020-07-27 에스케이실트론 주식회사 Wafer cleaning apparatus
KR102041324B1 (en) * 2019-03-26 2019-11-07 비욘드솔루션 주식회사 Guide pin for transmitting for semiconductor substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100678472B1 (en) * 2005-01-25 2007-02-02 삼성전자주식회사 Wafer Guide and Semiconductor Wafer Drying Apparatus Using the Same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100678472B1 (en) * 2005-01-25 2007-02-02 삼성전자주식회사 Wafer Guide and Semiconductor Wafer Drying Apparatus Using the Same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102181500B1 (en) 2020-06-01 2020-11-20 박근범 Slot Assembly Jig Device For Wafer Mounting

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100022854A (en) 2010-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102651287B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
CN106328490B (en) Method and apparatus for processing substrate
CN107665841B (en) Substrate processing system
JP7412134B2 (en) Substrate processing equipment and substrate processing method
KR101000211B1 (en) Guide device and cleaning apparatus of wafer having the same
KR101910803B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR20210022328A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101870664B1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102584142B1 (en) Spin chuck apparatus
CN106310723B (en) Defoaming unit and substrate processing apparatus including the same
KR101445680B1 (en) Batch type cleaning apparatus for circumvolve wafer and method for cleaning
TWI388025B (en) Apparatus and method for treating substrate
KR20120122858A (en) Substrate treating apparatus
JPH06286869A (en) Substrate holder
KR20170046490A (en) Apparatus and method for treating Substrate
KR20130019543A (en) Apparatus for treating substrate
KR101979602B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR102503199B1 (en) Loading apparatus of batch type cleaning apparatus for substrate
CN111383950A (en) Cleaning tank and cleaning method for semiconductor wafer
CN218677112U (en) Wafer bearing device
KR102450031B1 (en) Standby port and Apparatus for treating substrate with the port
KR101484162B1 (en) Apparatus for drying substrate
KR20080088705A (en) Wafer guide and wafer cleaning apparatus used the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130926

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140926

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150924

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160928

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170927

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190924

Year of fee payment: 10