KR100998071B1 - 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버 - Google Patents

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KR100998071B1
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Abstract

본 발명은 탄소나노튜브를 합성하는 반응챔버의 반응기(또는 반응로)에 있어서 반응기의 외부에 전기가 도통되는 접지부재를 구비하여 상기 반응기에 충전되는 전하에 따른 정전기를 실시간으로 제거할 수 있는 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버에 관한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버는, 합성기판이 로딩되거나 언로딩되어 합성기판 상에 탄소나노튜브의 생성이 이루어지는 반응기, 반응기의 일측에 배치되는 제1 플랜지, 반응기의 타측에 배치되는 제2 플랜지, 반응기의 외부에 배치되어 반응기를 가열하는 가열기, 가열기를 제어하는 제어기, 반응기의 외부와 가열기 사이에 구비되어 반응기의 외부면이 가열기의 바디에 접지되도록 하는 접지부재를 포함한다.
탄소나노튜브, CNT, 반응기, 반응로, 반응챔버, 정전기, 그라운드, 충전

Description

접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버{Reaction chamber for carbon nano tube with ground member}
본 발명은 탄소나노튜브 반응챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 탄소나노튜브를 합성하는 반응챔버의 반응기(또는 반응로)에 있어서 반응기의 외부에 전기가 도통되는 그라운드용 오링(O-Ring) 등의 접지부재를 구비하여 상기 반응기에 충전되는 전하에 따른 정전기를 실시간으로 제거할 수 있는 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버에 관한 것이다.
탄소나노튜브(Carbon Nano Tubes)는 하나의 탄소 원자에 이웃하는 세 개의 탄소 원자가 결합되어 육각환형을 이루고, 이러한 육각환형이 벌집 형태로 반복된 평면이 말려 원통형 또는 튜브를 이룬 형태를 가진다.
상기 탄소나노튜브는 그 구조에 따라서 금속적인 도전성 또는 반도체적인 도전성을 나타낼 수 있는 성질의 재료로서 여러 기술 분야에 폭넓게 응용될 수 있어 미래의 신소재로 각광을 받고 있다. 예컨대, 탄소나노튜브는 이차 전지, 연료 전지 또는 슈퍼 커패시터(Super-Capacitor)와 같은 전기 화학적 저장 장치의 전극, 전자파 차폐, 전계 방출 디스플레이, 또는 가스 센서 등에 적용 가능하다.
이러한 탄소나노튜브를 생성하는 반응챔버의 반응기(또는 반응로)는 하나의 가열장치에 의해 내부가 가열되는데, 예컨대, 종래 기술에 따른 반응챔버는 탄소나노튜브의 생성이 이루어지는 반응기, 상기 반응기의 양측에 설치되는 제1 및 제2 플랜지를 포함하며, 상기 제1 및 제2 플랜지와 상기 반응기의 접촉면에는 상기 반응기 내부를 외부 환경으로부터 밀폐하는 실링부재 등이 구비된다.
그러나 상기 반응기는 일반적으로 석영(Quartz) 재질을 주로 사용하고 있고, 상기 석영재질은 유전체로서 주위환경에 따라 전하가 충전되어 정전기가 발생될 수 있으며 상기와 같은 정전기는 반응기 외부의 도체 예를 들면, 가열수단의 바디 등과의 접촉 및 근접시 스파크를 발생시켜 상기 반응기 내부의 폭발성 공정가스들과 접촉되는 경우 폭발이 발생하게 되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 고려하여 안출된 것으로서, 탄소나노튜브의 반응챔버에 있어서 반응기의 외부에 전기가 도통되는 그라운드용 오링(O-Ring) 등의 접지부재를 구비하여 반응기에 충전되는 정전기를 실시간으로 제거할 수 있는 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 이와 함께 상기 접지부재가 상기 반응기를 가열하는 가열기의 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버를 제공하는 것을 목적으로 한다.
한편, 본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버는, 합성기판이 로딩되거나 언로딩되어 합성기판 상에 탄소나노튜브의 생성이 이루어지는 반응기, 반응기의 일측에 배치되는 제1 플랜지, 반응기의 타측에 배치되는 제2 플랜지, 반응기의 외부에 배치되어 반응기를 가열하는 가열기, 가열기를 제어하는 제어기, 반응기의 외부와 가열기 사이에 구비되어 반응기의 외부면이 가열기의 바디에 접지되도록 하는 접지부재를 포함한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 접지부재는 전기의 도통이 가능 한 금속재질의 오링(O-Ring) 형상을 가진다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 접지부재는 반응기의 제1 플랜지측과 제2 플랜지측 내지 반응기의 중앙부에 적어도 하나 이상이 끼워지도록 구비된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 접지부재는 반응기를 가열하는 가열기에 의하여 오링(O-Ring) 부재가 손상되는 것을 방지하기 위한 냉각수단을 더 포함한다.
본 발명에 의하면, 외부의 전기장 등에 의해 반응기에 정전기가 발생하는 경우 실시간으로 접지부재를 통하여 가열기의 바디 등에 접지되게 하여 상기 정전기에 의한 스파크 등에 의해 반응기가 폭발하는 것을 방지할 수 있다.
이와 함께, 상기 접지부재에 냉각수단을 구비하여 상기 반응기를 가열하는 가열기의 열에 의해 접지부재가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발 명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버가 적용된 탄소나노튜브 생산설비의 일예를 개략적으로 나타낸 구성도이고, 도 2는 도 1의 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버의 반응기를 나타낸 도면이다.
도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버가 적용된 탄소나노튜브 생산설비는, 합성기판(10) 상에 탄소나노튜브를 생성하는 공정을 수행하는 반응챔버(100)와, 합성기판(10)을 반응챔버(100)에 로딩/언로딩하여 합성기판(10)에 대한 전처리 공정 및 후처리 공정을 수행하는 전후처리설비(200)를 포함한다.
여기서, 전후처리설비(200)는 합성기판(10)에 촉매를 도포하고 합성기판(10)에 생성된 탄소나노튜브를 회수하기 위한 스테이션부(210), 제1 이송부(220), 기판저장부(230), 촉매도포부(240), 회수부(250) 및 제2 이송부(260)를 포함한다.
상기 전후처리설비(200)의 스테이션부(210)는 반응챔버(100)로부터 언로딩되 는 합성기판(10)이 대기 중에 노출되는 것을 방지하고, 기판저장부(230)는 반응챔버(100)에 로딩되거나 언로딩되는 합성기판(10)을 저장한다. 또한, 촉매도포부(240)는 합성기판(10)이 반응챔버(100)로부터 로딩되기 전에 합성기판(10) 상에 촉매를 도포하는 공정을 수행하고, 회수부(250)는 반응챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10) 상에 생성된 탄소나노튜브를 합성기판(10)으로부터 회수하는 공정을 수행한다. 또한, 제2 이송부(260)는 기판저장부(230), 촉매도포부(240) 그리고 회수부(250) 사이에 합성기판(10)을 이송한다.
여기서, 상기 촉매는 예를 들면, 철, 백금, 코발트, 니켈, 이트륨 등의 전이금속과 이들의 합금 및 산화마그네슘(MgO), 알루미나(Al203), 이산화규소(SiO2) 등의 다공성 물질이 혼합된 분말형태이거나 액상일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면, 스테이션부(210)는 반응챔버(100)의 일측에 반응챔버(100)와 나란하게 배치된다. 스테이션부(210)는 제1 영역(211)과 제2 영역(212)을 가지는데, 기판저장부(230)가 위치되는 제1 영역(211)은 반응챔버(100)와 인접하게 배치되고, 반응챔버(100) 내부에 합성기판(10)을 로딩/언로딩하는 제1 이송부(220)가 위치되는 제2 영역(212)은 제1 영역(211)을 기준으로 반응챔버(100)와 반대 방향에 제공된다. 여기서, 반응챔버(100)와 제2 영역(212)은 동일 선상에 위치되도록 배치된다. 제1 영역(211)은 상부영역(211a)과 하부영역(211b)을 가지는데, 상부영역(211a)은 반응챔버(100) 및 제2 영역(212)과 동일 선상에 위치되는 영역이고, 하부영역(211b)은 상부영역(211a)으로부터 제1 방향(x)과 수직한 제2 방향(y)으로 연장되는 영역이다. 촉매도포부(240)와 회수부(250) 그 리고 제2 이송부(260)는 스테이션부(210)와 인접하게 위치되며, 제1 영역(211)의 상부영역(211a)을 기준으로 하부영역(211b)과 반대되는 위치에 제1 방향(x)과 평행한 방향으로 나란하게 배치된다. 제2 이송부(260)는 스테이션부(210)의 제1 영역(211)과 대향되는 위치에 배치되고 또한, 촉매도포부(240)와 회수부(250) 사이에 위치된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버(100)는, 도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 반응기(110), 제1 및 제2 플랜지(120,130), 가열기(140), 제어기(150), 보트(160) 및 반응기(110)의 외부와 가열기(140) 사이에 구비되어 반응기(110)의 외부면이 가열기(140)의 금속성 바디에 접촉되도록 하는 접지부재(170)를 포함한다.
반응기(110)는 석영(Quartz) 등과 같이 열에 강한 재질로 이루어지고 대체로 원통 형상을 가지며, 제1 및 제2 플랜지(130)는 반응기(110)의 양단에 구비되어 반응기(110) 내부를 외부로 밀폐한다. 또한, 가열기(140)는 반응기(110)의 외부를 감싸 반응기(110) 내부를 공정온도로 가열하고, 제어기(150)는 가열기(140)가 반응기(110)의 온도를 기설정된 온도로 조절하도록 제어한다. 또한, 보트(160)는 반응기(110) 내부에 설치되어 합성기판(10)들이 안착되도록 한다.
여기서, 합성기판(10)은 탄소나노튜브의 합성이 이루어지는 기저판(Base plate)으로서 사용된다. 탄소나노튜브가 합성되는 합성기판(10)으로는 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer), ITO(Induim Tin Oxide) 기판, 코팅된 유리(ITO-coated glass), 소다라임 유리, 코닝 유리, 전이금속이 증착된 기판, 알루미나 등이 사용될 수 있 으나, 탄소나노튜브를 합성시키기에 충분한 강성을 가진다면 상기 종류의 기판 외에 다양한 종류가 사용될 수 있다.
여기서, 제1 플랜지(120)에는 가스공급부(미도시)로부터 공급되는 소스가스를 반응기(110) 내부로 공급시키는 적어도 하나의 가스공급라인(121)이 설치된다. 가스공급라인(121)은 공정시 가스공급원(미도시)으로부터 반응기(110) 내부로 소스가스를 공급시킨다. 상기 소스가스로는 주로 아세틸렌, 에틸렌, 메탄, 벤젠, 크실렌, 일산화탄소 및 이산화탄소로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나가 사용될 수 있다. 상기 소스가스는 열분해에 의해 라디칼로 분해되고, 상기 라디칼들이 합성기판(10) 상에 도포된 촉매와 반응하여 탄소나노튜브를 합성한다.
또한, 제1 플랜지(120)와 반응기(110)의 접촉면에는 반응기(110)의 내부를 외부 환경으로부터 밀폐하는 실링부재(122)가 설치된다. 실링부재(122)로는 오링(O-Ring)이 사용될 수 있다. 실링부재(122)는 반응기(110)가 고온으로 유지된 상태에서 공정이 수행되므로, 반응기(110)로부터 발생되는 열에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 소정의 냉각유체에 의해 냉각될 수 있는 것이 바람직하다. 일예로, 제1 플랜지(120)에는 냉각유체가 흐르는 냉각라인이 설치될 수 있다.
또한, 제2 플랜지(130)에는 반응기(110) 내부의 공정 수행 후 잔류 가스가 배출되도록 하는 적어도 하나의 가스배기라인(131)이 설치되며, 가스배기라인(131)에는 소정의 감압부재(미도시)가 설치되어 공정시 반응기(110) 내부의 압력을 감소시킬 수 있다. 여기서, 제2 플랜지(130)에는 중앙에 합성기판(10)이 이동될 수 있는 개구가 형성되고, 상기 개구는 공정시 합성기판(10)이 반응기(110)를 출입할 수 있는 통로로 제공된다.
또한, 제2 플랜지(130)와 반응기(110)의 접촉면에는 제1 플랜지(120)와 같은 방식으로, 반응기(110) 내부를 외부 환경으로부터 밀폐하는 실링부재(132)가 설치된다. 실링부재(132)로는 오링(O-Ring)이 사용될 수 있다. 실링부재(132)는 반응기(110)가 고온으로 유지된 상태에서 공정이 수행되므로, 반응기(110)로부터 발생되는 열에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 소정의 냉각유체에 의해 냉각될 수 있는 것이 바람직하다. 일예로, 제2 플랜지(130)에는 냉각유체가 흐르는 냉각라인이 설치될 수 있다.
또한, 가열기(140)는 반응기(110)의 외벽을 감싸도록 설치되어 반응기(110) 내부를 공정 온도로 가열하며, 반응기(110)를 가열하는 방식으로는 발열코일에 의한 방식 또는 발열램프에 의한 방식 등이 사용될 수 있다. 여기서, 가열기(140)는 반응기(110)의 중앙 영역을 가열하는 중앙부가열기, 반응기(110)의 중앙 영역을 제외한 양측 영역을 가열하는 측부가열기로 구분할 수 있으며, 상기 측부가열기는 제1 및 제2 플랜지(130)에 의한 온도변화를 조절하고 상기 중앙가열기는 상기 양측 영역 사이의 온도변화를 조절한다.
제어기(150)는 가열기(140)가 반응기(110)의 온도를 기설정된 온도로 조절하도록 가열기(140)를 제어하며, 반응기(110)의 내부에는 반응기(110) 내부 중앙 영역과 양측 영역의 온도를 감지할 수 있는 복수의 감지부재들(미도시)이 설치되어 상기 감지부재들로부터 반응기(110) 내부 각각의 영역별로 온도를 감지한 신호를 전송받아 반응기(110) 내부 온도를 기설정된 공정온도로 유지하도록 제어한다.
예를 들어, 제어기(150)는 중앙가열기와 측부가열기를 각각 독립적으로 제어할 수 있으며, 측부가열기에 의한 가열온도를 중앙가열기에 의한 가열온도 보다 높게 제어하는 것이 바람직하다. 이는, 측부가열기의 가열 영역은 제1 및 제2 플랜지(130)를 냉각시키기 위한 냉각라인에 의하여 상기 가열 영역의 내부 온도가 낮아지게 되기 때문이다.
보트(160)는 반응기(110) 내에 하나만 제공되거나 복수개가 제공될 수 있다. 보트(160)는 충분히 큰 크기로 제공되어 하나의 보트(160)에 반응기(110)의 길이방향을 따라 복수개의 합성기판(10)이 안착될 수 있다. 선택적으로 보트(160)는 상하방향 및 길이방향으로 각각 복수개의 합성기판(10)이 지지될 수 있는 크기 및 구조를 가질 수 있다. 일예에 의하면, 보트(160)들은 상하로 한 쌍씩 그리고 길이방향으로 한 쌍씩 합성기판(10)들을 지지할 수 있는 크기 및 구조를 가지며 반응기(110) 내에 고정 설치된다.
접지부재(170)는, 반응기(110)의 외부 양측에 반응기(110)와 가열기(140) 사이에 구비되어 반응기(110)의 외부면이 가열기(140)의 금속성 바디에 접촉되도록 설치된다.
여기서 접지부재(170)는 금속성 재질의 오링(O-Ring) 형상을 가지고 반응기(110)의 외측으로부터 끼워져 반응기(110)의 하중이 가열기(140)의 바디 또는 설치부재(미도시)에 균일하게 배분되도록 할 수 있다.
따라서 접지부재(170)에 의하면, 석영재질로 된 반응기(110)가 유전체 역할을 하여 외부의 주위환경의 전기장 즉, 가열기(140)를 제어하는 제어기(150) 등으 로부터 발생되는 전기장 등에 의해 석영재질에 전하가 충전되어 반응기(110) 표면에 정전기가 발생하는 경우 상기 정전기의 전하를 가열기(140)의 바디 또는 설치부재 등으로 실시간으로 이동되도록 접지시킴으로써, 상기 정전기에 의한 스파크에 의해 반응기(110) 내부의 소스가스가 폭발되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기와 같이 반응기(110)의 외부 양측에 접지부재(170)가 설치되는 경우 반응기(110)를 가열하는 가열기(140)에 의하여 접지부재(170)가 손상되는 것을 방지하기 위한 냉각수단(180)이 접지부재(170)에 더 구비될 수 있다.
여기서, 상기 냉각수단(180)은 냉각유체공급라인(181), 냉각라인(182), 검출부(183), 제어부(184) 그리고 냉각유체공급원(185)을 포함한다.
냉각유체공급라인(181)은 제1 및 제2 공급라인(181a,181b)을 가지며, 제1 공급라인(181a)은 냉각유체공급원(185)으로부터 제1 플랜지(120)측의 접지부재(170)에 형성된 냉각라인(182)으로 냉각유체를 공급하고, 제2 공급라인(181b)은 냉각유체공급원(185)으로부터 제2 플랜지(130)측의 접지부재(170)에 형성된 냉각라인(182)으로 냉각유체를 공급한다. 여기서, 냉각유체공급라인(181)에는 펌프와 같은 가압부재(미도시)가 구비될 수 있다. 상기 가압부재는 냉각유체공급원(185)에 수용된 냉각유체를 냉각라인(182)으로 공급시킨다. 또한, 냉각유체공급라인(181)에는 밸브와 같은 개폐부재가 구비될 수 있다. 상기 개폐부재는 냉각유체공급라인(181)에 구비되어 냉각유체공급라인(181)을 흐르는 냉각유체의 흐름을 조절하며, 상기 가압부재와 개폐부재는 제어부(184)에 의해 제어된다.
또한, 검출부(183)는 제1 및 제2 검출기(183a,183b)를 가지며, 제1 검출 기(183a)는 제1 공급라인(181a)을 흐르는 냉각유체의 상태를 검출하고, 제2 검출기(183b)는 제2 공급라인(181b)을 흐르는 냉각유체의 상태를 검출한다. 이때, 상기 냉각유체의 상태는 냉각유체공급라인(181)을 흐르는 냉각유체의 유량 또는 온도를 포함한다. 즉, 검출부(183)는 냉각유체의 유량을 측정하기 위한 유량계와 냉각유체의 온도를 측정하기 위한 온도계 등을 포함하며, 상기 냉각유체의 상태를 검출한 데이터를 제어부(184)로 전송한다.
또한, 제어부(184)는 검출부(183)가 상기 냉각유체의 상태를 검출한 데이터를 전송받아 판단하여 반응기(110)의 공정 진행을 중지할 수도 있으며, 상기 온도조절부재를 제어하여 냉각유체의 온도를 요구되는 온도로 조절한다.
따라서 상기와 같은 접지부재(170)에 의하면, 접지부재(170)에 냉각수단(180)이 더 구비됨으로써, 반응기(110)를 가열하는 가열기(140)의 열에 의해 반응기(110)의 외부 양측에 구비되는 접지부재(170)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예는 탄화수소를 열분해하여 탄소나노튜브를 생산하는 열분해법(Pyrolysis of hydrocarbon)이 적용되는 구조를 가진 반응챔버(100)를 예를 들어 설명하고 있으나, 이는 하나의 예에 불과하며, 본 발명의 탄소나노튜브 생산설비는 레이저증착법, 플라즈마화학기상증착법, 열화학기상증착법, 전기분해방법, 플레임(Flame)합성방법, 그리고 전기방전법 등의 다양한 생성방식이 적용된 구조를 가지는 반응챔버가 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예는 석영재질의 반응기(110)를 예를 들어 설 명하고 있으나, 이는 하나의 예에 불과하며, 본 발명의 반응기(110)는 석영(Quartz) 등과 같이 열에 강한 유전체(부도체) 성질을 가지는 재질의 반응기가 사용될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버가 적용된 탄소나노튜브 생산설비의 일예를 개략적으로 나타낸 구성도이다.
도 2는 도 1의 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버의 반응기를 나타낸 도면이다.
*도면 부호 설명*
10 : 합성기판 100 : 반응챔버
110 : 반응기 120 : 제1 플랜지
121 : 가스공급라인 122 : 실링부재
130 : 제2 플랜지 131 : 가스배기라인
132 : 실링부재 140 : 가열기
150 : 제어기 160 : 보트
170 : 접지부재 180 : 냉각수단
181 : 냉각유체공급라인 182 : 냉각라인
183 : 검출부 184 : 제어부
185 : 냉각유체공급원

Claims (6)

  1. 탄소나노튜브를 생성하는 반응챔버에 있어서,
    합성기판이 로딩되거나 언로딩되어 상기 합성기판 상에 상기 탄소나노튜브의 생성이 이루어지는 반응기;
    상기 반응기의 외부에 배치되어 상기 반응기를 가열하는 가열기;
    상기 가열기를 제어하는 제어기; 및
    상기 반응기의 외부와 상기 가열기 사이에 구비되어 상기 반응기의 외부면이 상기 가열기의 바디에 접지되도록 하는 접지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 접지부재를 가지는 탄소나노튜브 반응챔버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 접지부재는
    전기의 도통이 가능한 금속재질의 오링(O-Ring) 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응챔버.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반응기는
    상기 반응기의 일측에 배치되는 제1 플랜지 및 상기 반응기의 타측에 배치되는 제2 플랜지를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응챔버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 접지부재는
    상기 반응기의 제1 플랜지 측과 제2 플랜지 측 내지 상기 반응기의 중앙부에 적어도 하나 이상이 끼워지도록 구비되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응챔버.
  5. 제1항에 있어서, 상기 접지부재는
    상기 반응기를 가열하는 가열기에 의하여 접지부재가 손상되는 것을 방지하기 위한 냉각수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응챔버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 냉각수단은,
    상기 접지부재의 일면에 형성되는 냉각라인;
    상기 냉각라인으로 냉각유체를 공급하는 냉각유체공급라인;
    상기 냉각유체의 온도를 조절하는 온도조절부재;
    상기 냉각유체공급라인 또는 냉각라인에 설치되어 상기 냉각유체의 상태를 검출하는 검출부; 및
    상기 검출부로부터 검출 데이터를 전송받아 상기 냉각유체의 상태가 설정조건을 벗어나는지 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 반응챔버.
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