KR100995925B1 - Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET - Google Patents

Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET Download PDF

Info

Publication number
KR100995925B1
KR100995925B1 KR1020080045901A KR20080045901A KR100995925B1 KR 100995925 B1 KR100995925 B1 KR 100995925B1 KR 1020080045901 A KR1020080045901 A KR 1020080045901A KR 20080045901 A KR20080045901 A KR 20080045901A KR 100995925 B1 KR100995925 B1 KR 100995925B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
jfet
power supply
source
gate
input power
Prior art date
Application number
KR1020080045901A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090120048A (en
Inventor
김종현
백주원
류명호
강인호
Original Assignee
한국전기연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전기연구원 filed Critical 한국전기연구원
Priority to KR1020080045901A priority Critical patent/KR100995925B1/en
Publication of KR20090120048A publication Critical patent/KR20090120048A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100995925B1 publication Critical patent/KR100995925B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/44—Circuits or arrangements for compensating for electromagnetic interference in converters or inverters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/08104—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 노말리온 특성을 갖는 JFET를 오프라인 전원공급 장치에 바로 사용하기 위한 보호 장치에 관한 것으로, AC입력전원으로부터 EMI필터, 정류다이오드, DC링크커패시터를 거쳐 오프라인 전원을 공급하기 위한 JFET를 보호하기 위한 장치에 있어서, 상기 AC입력전원이 0이 아닌 경우에는 DC링크 커패시터를 충전할 때 발생하는 초기 돌입 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키고, 상기 AC입력전원이 0인 경우에는 JFET에 흐르는 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키며, 상기 AC입력전원이 정상상태인 경우에는 상기 전원공급 장치의 기동저항 또는 변압기 보조권선으로부터 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 따라 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기 과도상태의 전류를 이용하여 JFET의 게이트-소스에 충분한 음의 전압이 공급되도록 하여 제어전원이 투입되어 전원공급 장치가 동작될 때까지는 JFET의 노말리온 특성을 막고 노말리오프 되도록 하여 과전류로부터 JFET를 보호하여 JFET를 오프라인 전원공급 장치에 바로 사용할 수 있도록 하여 JFET의 사용 가능성을 대폭 향상시키고, 안정적인 오프라인 전원의 공급이 가능하도록 한 이점이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a protection device for directly using a JFET having a normality characteristic in an offline power supply device. In the apparatus for the AC input power, if the non-zero input power is sensed the initial inrush current generated when charging the DC link capacitor to apply a negative voltage to the gate-source of the JFET, the AC input power is 0 In this case, the current flowing through the JFET is sensed to apply a negative voltage to the gate-source of the JFET. When the AC input power is in a normal state, the starting resistance of the power supply or the auxiliary winding of the transformer is applied to the gate-source of the JFET. JFET protection device for normalization characteristics characterized by applying a negative voltage is a technical point. This allows the JFET gate-source to be supplied with a sufficient negative voltage using an initial transient current that begins to supply power to the power supply, until the control power is turned on and the power supply is operated. By blocking the Leone characteristic and normalizing off, it protects the JFET from overcurrent so that the JFET can be used directly in the off-line power supply, which greatly improves the availability of the JFET and enables stable off-line power supply.

JFET 노말리온 노말리오프 오프라인 전원 공급  JFET Normally Normally Off-Line Power Supply

Description

노말리온 특성에 대한 ＪＦＥＴ 보호 장치{Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET}Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET

본 발명은 노말리온 특성을 갖는 JFET를 오프라인 전원공급 장치에 바로 사용하기 위한 보호 장치에 관한 것으로, 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기 과도상태로부터 제어전원이 투입되어 전원공급 장치가 정상적으로 동작될 때까지 JFET의 노말리온 특성을 막고 JFET가 노말리오프 되도록 하여 초반 노말리온 특성으로 인한 과전류로부터 JFET를 보호하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a protection device for directly using a JFET having a normality characteristic in an offline power supply, wherein the control power is supplied from an initial transient state in which power is supplied to the power supply, and the power supply operates normally. The present invention relates to a device for protecting the JFET from overcurrent due to early normalization by blocking the normality of the JFET and allowing the JFET to be normally off.

Si MOSFET(metaloxidesemiconductor field-effect transistor)는 처음에는 SiC(silicon carbide)를 사용하는 스위칭 소자로 가장 유망할 것이라고 생각되었으나, SiO2-SiC 접합에 어려움이 있으며 이 문제를 해결하기 위해서는 많은 시간이 필요한 실정이다.Si MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) was initially thought to be the most promising switching device using silicon carbide (SiC), but it is difficult to connect SiO 2 -SiC and it takes much time to solve this problem. .

한편, JFET(junction field effect transistor)는 SiO2-SiC 접합을 가지고 있지 않아 상업적으로 사용하기에 유리한 장점을 가지고 있다.On the other hand, the junction field effect transistor (JFET) does not have a SiO2-SiC junction, which is advantageous for commercial use.

이러한 JFET는 MOSFET의 노말리오프(normally-off) 특성과는 달리 노말리온(normally-on) 특성을 가지고 있는데, 이것은 JFET에 아무런 전압이 가해 지지 않을 때 JFET가 동작함을 의미한다.The JFET has a normally-on characteristic, unlike the normally-off characteristic of the MOSFET, which means that the JFET operates when no voltage is applied to the JFET.

특히 이런 특성으로 인해 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기의 과도상태에서 큰 전류가 흐르게 되고, 이로 인해 JFET가 파손될 수 있다. 이러한 JFET의 노말리온 특성은 오프라인 전원공급 장치에 JFET를 사용하는데 있어서 한계를 가져왔다.In particular, this characteristic causes a large current to flow in the initial transient state when the power supply begins to supply power, which can damage the JFET. The normality of these JFETs has limited the use of JFETs for off-line power supplies.

또한, 이러한 JFET의 노말리온 특성을 개선하기 위해 실리콘 MOSFET를 cascade로 사용하는 방법과 콰지오프(quasi-off) 특성을 갖는 SiC JFET를 개발하였으나 SiC의 JFET의 장점을 모두 살리지 못하고 있는 실정이다.In addition, in order to improve the normality characteristics of the JFET, a silicon MOSFET is used as a cascade and a SiC JFET having quasi-off characteristics has been developed, but the advantages of the SiFET's JFET are not being utilized.

상기 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기 과도상태의 전류를 이용하여 JFET의 게이트-소스에 충분한 음의 전압이 공급되도록 하여 제어전원이 투입되어 전원공급 장치가 동작될 때까지는 JFET의 노말리온 특성을 막고 노말리오프 되도록 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치를 그 해결과제로 한다.In order to solve the above problem, the present invention uses a current in an initial transient state in which power is supplied to a power supply, so that a sufficient negative voltage is supplied to the gate-source of the JFET so that the control power is supplied to the power supply. The challenge is to provide a JFET protection device for normalization characteristics that prevents and normalizes the normalization characteristics of the JFET until it is operated.

상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, AC입력전원으로부터 EMI필터, 정류다이오드, DC링크커패시터를 거쳐 오프라인 전원을 공급하기 위한 JFET를 보호하기 위한 장치에 있어서, 상기 AC입력전원이 0이 아닌 경우에는 DC링크 커패시터를 충전할 때 발생하는 초기 돌입 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키고, 상기 AC입력전원이 0인 경우에는 JFET에 흐르는 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키며, 상기 AC입력전원이 정상상태인 경우에는 상기 전원공급 장치의 기동저항 또는 변압기 보조권선으로부터 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치를 기술적 요지로 한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a device for protecting a JFET for supplying off-line power supply from an AC input power source via an EMI filter, a rectifying diode, and a DC link capacitor, wherein the AC input power source is not zero. The initial inrush current generated when charging the DC link capacitor is sensed to apply a negative voltage to the gate-source of the JFET. When the AC input power is 0, the current flowing through the JFET is sensed to provide the gate-source of the JFET. A negative voltage is applied, and when the AC input power is in a normal state, a negative voltage is applied to a gate-source of the JFET from a starting resistor or a transformer auxiliary winding of the power supply device. JFET protection is a technical subject.

상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기 과도상태의 전류를 이용하여 JFET의 게이트-소스에 충분한 음의 전 압이 공급되도록 하여 제어전원이 투입되어 전원공급 장치가 동작될 때까지는 JFET의 노말리온 특성을 막고 노말리오프 되도록 하여 과전류로부터 JFET를 보호하여 JFET를 오프라인 전원공급 장치에 바로 사용할 수 있도록 하여 JFET의 사용 가능성을 대폭 향상시키고, 안정적인 오프라인 전원의 공급이 가능하도록 한 효과가 있다.According to the above-described problem solving means, the present invention, by supplying a negative power supply to the gate-source of the JFET by using a current in the initial transient state that the power supply to the power supply is supplied to supply the power supply Until the device is operated, the JFET's normalization characteristics are prevented and normally off, protecting the JFET from overcurrent, allowing the JFET to be used directly in an off-line power supply, greatly improving the availability of the JFET and providing stable off-line power. There is one effect that makes this possible.

도 1은 본 발명에 따른 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치의 주요부에 대한 회로도이고, 도 2는 본 발명에 따라 AC입력전원이 0이 아닌 경우, 입력전원이 최대일 때(가)와 작을 때(나)의 JFET 게이트-소스 전압과 JFET에 흐르는 전류를 측정한 데이타를 나타낸 도이며, 도 3은 본 발명에 따라 AC입력전원이 0인 경우, JFET 게이트-소스 전압과 JFET에 흐르는 전류를 측정한 데이타를 나타낸 도이다.1 is a circuit diagram of the main part of the JFET protection device for the normalization characteristics according to the present invention, Figure 2 is when the input power is the maximum when the AC input power is non-zero, when the input power is not 0 according to the invention (B) shows the data of measuring the JFET gate-source voltage and the current flowing through the JFET. FIG. 3 shows the JFET gate-source voltage and the current flowing in the JFET when the AC input power is 0 according to the present invention. A diagram showing one data.

도시된 바와 같이 본 발명은 노말리온 특성을 가지는 JFET를 오프라인 전원공급 장치에 바로 사용하기 위한 보호 장치에 관한 것이다.As shown, the present invention relates to a protection device for directly using a JFET having normality characteristics in an offline power supply.

일반적인 오프라인 전원공급 장치는 도 1과 같이 AC입력전원으로부터 EMI 필터, 정류다이오우드(BD1), DC링크(link)커패시터 C4 등을 반드시 가지고 있으며, 회로 구조 (forward, flyback, push-pull, half bridge, full bridge 컨버터 등)에 따라 이후의 구성도는 달라진다.A general offline power supply device must have an EMI filter, a rectifying diode (BD1), a DC link capacitor C4, etc. from an AC input power source as shown in FIG. 1, and a circuit structure (forward, flyback, push-pull, half bridge, The overall configuration depends on the full bridge converter, etc.).

도 1에서는 그 중에서 가장 사용 빈도가 높은 forward와 flyback 컨버터를 예로 들었으나, 본 특허에서 제안하는 방법은 다른 회로 구조에서도 마찬가지로 적용 될 수 있다.In FIG. 1, the most frequently used forward and flyback converters are taken as an example, but the method proposed in the present patent may be similarly applied to other circuit structures.

먼저 JFET의 구동 측을 살펴보면 JFET의 게이트-소스 전압은 VC1 , VC2 , VC3 중 최고전압과 펄스트랜스(PT1)를 통해 인가되는 구동신호의 합이 인가된다. 전원공급 장치에 전력이 공급되기 시작하는 초기엔 전원공급 장치가 동작을 시작하지 않았기 때문에 펄스트랜스(PT1)를 통해 인가되는 구동신호와 주변압기로부터 에너지를 받는 VC3의 전압은 없다. First, look at the driving side of the JFET, the gate-source voltage of the JFET is V C1 , V C2 , V C3 The sum of the highest voltage and the driving signal applied through the pulse transformer PT1 is applied. Since the power supply did not start at the beginning when power was supplied to the power supply, there is no driving signal applied through the pulse transformer PT1 and the voltage of V C3 receiving energy from the peripheral voltage.

이때의 회로의 동작 원리를 살펴보면, 먼저 AC입력전원이 투입되면 입력전류는 EMI필터를 지나고 정류다이오우드를 거쳐 DC링크 커패시터 C4를 충전한다. 이러한 전류를 초기 돌입전류(in rush 전류)라고 하는 데, 이 전류는 AC입력전원 전압이 "0"이 아닌 모든 구간에서 발생한다.Looking at the operating principle of the circuit at this time, first, when the AC input power is turned on, the input current passes through the EMI filter and then through the rectifying diode to charge the DC link capacitor C4. This current is called the inrush current, and this current occurs in every section where the AC input supply voltage is not "0".

본 발명에서는 이러한 초기 돌입전류를 전류센스(CT1)를 이용하여 전압 VC1을 만들어 낸다. 초기 돌입전류를 이용하여 만들어진 VC1의 전압이 AC입력전원 전압이 "0"에 접근하는 경우를 제외하고는 도 2와 같이 JFET의 게이트-소스에 음 전압을 충분히 공급하여, 노말리온 특성으로 인해 JFET가 초기에 동작하는 것을 막아주게 된다. 이러한 경우가 대부분의 경우이며 90% 이상이다.In the present invention, the initial inrush current is used to generate the voltage V C1 using the current sense CT1. Except for the case where the voltage of V C1 made by using the initial inrush current approaches the "0" voltage of the AC input power source, as shown in FIG. 2, the negative voltage is sufficiently supplied to the gate-source of the JFET. This prevents the JFET from running early. This is the case in most cases and over 90%.

즉, 도 2는 AC입력전원 전압이 "0"이 아닌 영역 중 입력이 최대일 때와 작을 때(40V)를 각각 나타낸 것이며, JFET의 게이트-소스 전압과 과도 상태에서 JFET에 흐르는 전류를 보여주는 것으로, AC입력전원 전압이 작을 때에도 JFET의 게이트-소스 전압이 -30V 정도 발생하여 전류가 전혀 흐르지 않는 JFET의 노말리온 특성을 막는 것을 확인할 수 있었다. That is, FIG. 2 shows the maximum and small input voltages (40 V) among the regions where the AC input power supply voltage is not "0", and shows the current flowing through the JFET in the gate-source voltage and transient state of the JFET. In addition, the gate-source voltage of the JFET is generated about -30V even when the AC input power supply voltage is small, which prevents the normal current characteristic of the JFET where no current flows.

그러나, 도 3과 같이 AC입력전원 전압이 "0"에 접근하는 경우는 돌입전류 발생량이 작아 충분한 VC1 전압을 만들지 못해 JFET의 노말리온 특성을 막지 못하고 큰 전류가 발생하게 된다.However, when the AC input power supply voltage approaches the "0" as shown in Figure 3 decreases the inrush current amount sufficient V C1 The failure to create a voltage does not prevent the JFET's normality characteristics and generates a large current.

위와 같이 AC입력전원 전압이 "0"에 접근하여 JFET의 노말리온 특성을 막지 못하는 경우를 대비하여 JFET의 전류를 센싱하는 전류센스(CT2)를 사용하였다. 즉, AC입력전원 전압이 "0"에 접근하여 기동하는 경우, JFET에 과전류가 발생하면 전류센스 CT2는 VC2의 전압을 만들고 이 전압은 JFET의 게이트-소스에 음 전압을 공급하여 JFET를 off 시키는 작용을 하여 과전류 발생을 막게 되는 것이다.As described above, the current sense (CT2) for sensing the current of the JFET was used in case the AC input power supply voltage approached "0" and prevented the normalization characteristic of the JFET. In other words, when the AC input power supply voltage approaches "0" and the JFET is overcurrent, the current sense CT2 creates a voltage of V C2 , which supplies a negative voltage to the gate-source of the JFET to turn off the JFET. This action is to prevent overcurrent generation.

즉, 도 3에 도시된 바와 같이, AC입력전원 전압이 "0"인 영역에서는, JFET에 2A 정도의 작은 전류만 흐르고 JFET가 노말리오프(normally-off)됨을 보여 주고 있다. That is, as shown in FIG. 3, in the region where the AC input power supply voltage is "0", only a small current of about 2A flows through the JFET and the JFET is normally-off.

그리고, 정상상태에서는 상기 전원공급 장치의 기동저항 또는 변압기 보조권선 등으로부터 전류센스 CT2가 JFET 게이트-소스에 음의 VC2의 전압을 인가하여 노말리온 특성에 대해 노말리오프되도록 하며, 한편 정상상태에서 음의 전압이 JFET 게이트-소스에 인가되어도 펄스 변압기 (PT1)를 통해 충분히 구동 전압을 받기 때문에 회로 자체에 영향을 미치지는 않게 되어 정상적인 작동이 가능하게 된다.In the steady state, the current sense CT2 applies a negative voltage of V C2 to the JFET gate-source from the starting resistor or the transformer auxiliary winding of the power supply device, thereby normalizing the normality characteristic. Even though a negative voltage at is applied to the JFET gate-source, it is sufficiently driven by the pulse transformer (PT1) and thus does not affect the circuit itself, allowing normal operation.

도 1 - 본 발명에 따른 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치의 주요부에 대한 회로도.1-Circuit diagram of the main part of the JFET protection device for the normalization characteristic according to the present invention.

도 2 - 본 발명에 따라 AC입력전원이 0이 아닌 경우, 입력전원이 최대일 때(가)와 작을 때(나)의 JFET 게이트-소스 전압과 JFET에 흐르는 전류를 측정한 데이타를 나타낸 도.Fig. 2 shows data of measuring the JFET gate-source voltage and the current flowing in the JFET when the AC input power is not 0, when the input power is maximum and when the input power is maximum.

도 3 - 본 발명에 따라 AC입력전원이 0인 경우, JFET 게이트-소스 전압과 JFET에 흐르는 전류를 측정한 데이타를 나타낸 도.Fig. 3 shows data of measuring the JFET gate-source voltage and the current flowing in the JFET when the AC input power source is 0 according to the present invention.

Claims (3)

AC입력전원으로부터 EMI필터, 정류다이오드, DC링크커패시터를 거쳐 오프라인 전원을 공급하기 위한 JFET를 보호하기 위한 장치에 있어서,A device for protecting a JFET for supplying off-line power from an AC input power source via an EMI filter, a rectifying diode, and a DC link capacitor, 상기 AC입력전원이 0이 아닌 경우에는 DC링크 커패시터를 충전할 때 발생하는 초기 돌입 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치.When the AC input power is not 0, JFET protection device for the normality characteristics, characterized in that for applying a negative voltage to the gate-source of the JFET by sensing the initial inrush current generated when charging the DC link capacitor. AC입력전원으로부터 EMI필터, 정류다이오드, DC링크커패시터를 거쳐 오프라인 전원을 공급하기 위한 JFET를 이용한 오프라인 전원공급 장치에 있어서,In the offline power supply using a JFET for supplying offline power from the AC input power through the EMI filter, rectifier diode, DC link capacitor, 상기 AC입력전원이 0인 경우에는 JFET에 흐르는 전류를 센싱하여 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치.When the AC input power is 0, JFET protection device for the normality characteristics, characterized in that for sensing the current flowing through the JFET to apply a negative voltage to the gate-source of the JFET. AC입력전원으로부터 EMI필터, 정류다이오드, DC링크커패시터를 거쳐 오프라인 전원을 공급하기 위한 JFET를 이용한 오프라인 전원공급 장치에 있어서,In the offline power supply using a JFET for supplying offline power from the AC input power through the EMI filter, rectifier diode, DC link capacitor, 상기 AC입력전원이 정상상태인 경우에는 상기 전원공급 장치의 기동저항 또는 변압기 보조권선으로부터 JFET의 게이트-소스에 음의 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 노말리온 특성에 대한 JFET 보호 장치.And a negative voltage is applied to the gate-source of the JFET from a starting resistor or a transformer auxiliary winding of the power supply when the AC input power is in a normal state.
KR1020080045901A 2008-05-19 2008-05-19 Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET KR100995925B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080045901A KR100995925B1 (en) 2008-05-19 2008-05-19 Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080045901A KR100995925B1 (en) 2008-05-19 2008-05-19 Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090120048A KR20090120048A (en) 2009-11-24
KR100995925B1 true KR100995925B1 (en) 2010-11-22

Family

ID=41603431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080045901A KR100995925B1 (en) 2008-05-19 2008-05-19 Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100995925B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2557295B (en) * 2016-12-05 2022-07-20 Trw Ltd Control for electric power steering

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11177401A (en) 1997-12-12 1999-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Switching circuit
US20060055446A1 (en) 2004-09-10 2006-03-16 Liang-Pin Tai Electronic circuits utilizing normally-on junction field-effect transistor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11177401A (en) 1997-12-12 1999-07-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Switching circuit
US20060055446A1 (en) 2004-09-10 2006-03-16 Liang-Pin Tai Electronic circuits utilizing normally-on junction field-effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090120048A (en) 2009-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7355368B2 (en) Efficient in-rush current limiting circuit with dual gated bidirectional hemts
TWI573362B (en) System controller and method for protecting the power converter
US7136292B1 (en) Power supply and method for regulating supply voltage
US5920475A (en) Circuit and method for controlling a synchronous rectifier converter
US7276883B2 (en) Self-driven synchronous rectified boost converter with inrush current protection using bidirectional normally on device
US7116563B2 (en) Dual mode over-current protection for switching mode power converter
US9350259B2 (en) Synchronous rectifier control for a double-ended isolated power converter
US20110210713A1 (en) Power conversion apparatus and control method for power conversion apparatus
US10270354B1 (en) Synchronous rectifier controller integrated circuits
WO2005109617A1 (en) Power factor improving circuit and switching power supply
JP7212262B2 (en) switching power supply
KR20170118068A (en) Semiconductor device for power control
CN104158141A (en) Self-power circuit for protecting relay
US7394675B2 (en) Power supplying apparatus and power supplying method
US8466668B2 (en) Transient differential switching regulator
JP4983177B2 (en) Power supply overheat detection circuit
KR100995925B1 (en) Protection circuit for normalliy-on characteristics of JFET
CN111953332A (en) Device and method for performing efficient power switch by using cascode gallium nitride
JP2008289334A (en) Switching power supply device, and power supply control method
US11682979B2 (en) Rectifier circuit, power supply device, and rectifier circuit drive method
CN111213308B (en) Auxiliary converter circuit and method of operating the same
KR20100052640A (en) Protection circuit of power supply applied junction field effect transistor
KR101911259B1 (en) Power transforming apparatus and air conditioner including the same
KR100995922B1 (en) A protection circuit for a normally-ondepletion mode JFET and the power apparatus
Janssen GreenChip SR: Synchronous rectifier controller IC

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130923

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee