KR100994648B1 - The plasma monitoring method and the plasma monitoring apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 모니터링 방법 및 그 장치를 제공한다. 이 방법은 플라즈마를 구속하는 챔버의 창문을 통하여 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 단계, 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하는 단계, 및 상기 기준신호와 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계를 포함한다. The present invention provides a plasma monitoring method and apparatus thereof. The method comprises the steps of: generating an optical signal by measuring a spectrum emitted by the plasma through a window of a chamber confining the plasma, extracting a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in the transmittance of the window, and the reference signal And extracting a signal change amount using the optical signal.

플라즈마, 광학 방출, 모니터링 Plasma, optical emission, monitoring

Description

플라즈마 모니터링 방법 및 그 장치{THE PLASMA MONITORING METHOD AND THE PLASMA MONITORING APPARATUS}Plasma monitoring method and apparatus therefor {TH PLASMA MONITORING METHOD AND THE PLASMA MONITORING APPARATUS}

본 발명은 플라즈마 모니터링 장치 및 그 방법에 관한 것이다..The present invention relates to a plasma monitoring apparatus and a method thereof.

플라즈마 공정은 플라즈마 도움 화학 기상 증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) 또는 건식 식각(Dry Etch)에 사용된다. 상기 플라즈마 공정에서 광 방출 스펙트럼(optical emission spectrum:OES)은 최종점 검출(end point detection:EPD)등에 사용된다.Plasma processes are used for plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) or dry etching. In the plasma process, an optical emission spectrum (OES) is used for end point detection (EPD) and the like.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 플라즈마 챔버의 오염을 고려한 플라즈마 모니터링 방법을 제공한다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a plasma monitoring method in consideration of contamination of the plasma chamber.

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는 플라즈마 챔버의 오염을 고려한 플라즈마 모니터링 장치를 제공한다.One technical problem to be solved by the present invention is to provide a plasma monitoring apparatus considering the contamination of the plasma chamber.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법은 플라즈마를 구속하는 챔버의 창문을 통하여 상기 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 단계, 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하는 단계, 및 상기 기준신호와 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a plasma monitoring method includes generating an optical signal by measuring a spectrum emitted by a plasma through a window of a chamber confining a plasma, and taking a reference from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window. Extracting a signal, and extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 산출하는 단계는 상기 광학 신호의 시간에 따른 변화를 이용하여 감소율을 계산하는 단계,및 상기 감소율과 공정 시간의 내적을 이용하여 상기 기준 신호를 추출하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of calculating the reference signal from the optical signal in consideration of the decrease in the transmittance of the window is to calculate a reduction rate using a change over time of the optical signal, and the reduction rate and process The method may include extracting the reference signal using a dot product of time.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계는 상기 광학 신호에서 상기 기준 신호를 뺀 차이 값을 생성하는 단계, 및 상기 신호 변화량은 상기 차이 값의 함수로 결정하는 단계를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the step of extracting the signal change amount using the reference signal and the optical signal is to generate a difference value obtained by subtracting the reference signal from the optical signal, and the signal change amount of the difference value Determining by a function may include.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 각각의 상기 기판이 처리되는 단위 공정 시간은 동일하고, 상기 공정 시간은 처리된 기판 수와 상기 단위 공정 시간의 내적으로 주어질 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the unit processing time for processing each of the substrates is the same, and the processing time is given internally of the number of processed substrates and the unit processing time. Can be.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 측정된 광학 신호로 설정할 수 있다.In one embodiment of the invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set to an optical signal measured at the immediately processed substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 측정된 광학 신호를 1차 이 상의 함수로 피팅하여 설정할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set by fitting an optical signal measured at the immediately processed substrate as a function of at least one order.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 최초의 기판의 상기 광학 신호를 기준 신호로 설정할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chamber may process a plurality of substrates, and set the optical signal of the first substrate as a reference signal.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 기판의 처리 후 최초 소정의 시간 동안 측정된 상기 광학 신호의 평균으로 설정할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the chamber may process a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set to an average of the optical signals measured during the first predetermined time after processing of the substrate.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광학 신호는 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 측정하여 생성될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the optical signal may be generated by measuring over a plurality of spectral regions.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기준신호는 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 추출할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the reference signal may be extracted in consideration of a decrease in the transmittance of the window for a plurality of spectral regions.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 신호 변화량은 각각의 파장에 대하여 계산되고, 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 합산될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the signal change amount may be calculated for each wavelength and summed over a plurality of spectral regions.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 모니터링 방법은 상기 챔버를 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the invention, the plasma monitoring method may further comprise the step of controlling the chamber.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상인 경우 공정 경고 신호를 발생시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, if the signal change amount is greater than the threshold signal change amount may generate a process warning signal.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상인 경우, 상기 신호 변화량에 영향을 미친 특정 파장을 검출하는 단계를 더 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, if the signal change amount is greater than the threshold signal change amount, the method may further include detecting a specific wavelength affecting the signal change amount.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상 인 경우 경고 신호를 발생시킬 수 있다.In one embodiment of the present invention, if the signal change amount is greater than the threshold signal change amount may generate a warning signal.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 챔버를 제어하는 단계는 상기 광학 신호의 감소량이 임계값 이상인 경우 경고 신호를 발생시키는 것 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present disclosure, the controlling of the chamber may further include generating a warning signal when the amount of reduction of the optical signal is greater than or equal to a threshold value.

본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 신호 변화량은 아크 감지, 챔버의 리크, 챔버 내부 조건의 변화, 및 종료점 검출 중에서 적어도 하나를 나타낼 수 있다.In one embodiment of the present invention, the signal change amount may represent at least one of arc detection, chamber leak, change of chamber internal conditions, and endpoint detection.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치는 창문을 포함하는 챔버에 감금된 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 분광 감지부, 상기 창문을 통하여 방출된 광을 집광하여 상기 분광 감지부에 전달하는 수광부, 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하고, 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 처리부, 및 상기 신호 변화량을 이용하여 상기 챔버를 제어하는 제어부를 포함한다.Plasma monitoring device according to an embodiment of the present invention is a spectroscopic sensing unit for generating an optical signal by measuring the spectrum emitted by the plasma confined to the chamber including a window, by collecting the light emitted through the window to detect the spectroscopy A light receiving unit for transmitting to the unit, a processing unit for extracting a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window, extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal, and the chamber using the signal change amount It includes a control unit for controlling.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법은 창문의 투과율 감소에 따른 빛의 세기 변화를 측정하여 챔버벽 상태 및 플라즈마를 모니터링할 수 있다. 따라서, 플라즈마를 이용하는 박막 CVD 장비 및 플라즈마를 이용한 건식 식각 장비 등에 적용하면, 실시간으로 플라즈마 상태변화, 챔버벽 상태변화 그리고 아크 및 리크 감지(leak detection)가 가능하여, 공정의 신뢰성 및 재현성을 향상시킬 수 있다. Plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention can monitor the chamber wall state and the plasma by measuring the change in the intensity of the light according to the decrease in the transmittance of the window. Therefore, when applied to thin film CVD equipment using plasma and dry etching equipment using plasma, it is possible to change the plasma state, chamber wall state and arc and leak detection in real time, thereby improving process reliability and reproducibility. Can be.

통상적으로, OES는 플라즈마 챔버의 창문를 통과한 빛을 측정하여 얻어진다. 그러나, 상기 챔버에서 공정이 진행됨에 따라 상기 창문의 투과율은 물질에 의하여 코팅 또는 증착되어 변할 수 있다. 따라서, 시간에 따라, 상기 창문을 투과하여 측정되는 빛의 세기는 변할 수 있다. 상기 챔버 내의 플라즈마 공정 상태의 일관성 있는 모니터링을 위하여, 상기 창문를 투과하여 측정되는 빛의 세기는 상기 창문의 투과율 변화에 따른 보정을 요한다. Typically, OES is obtained by measuring the light passing through the window of the plasma chamber. However, as the process progresses in the chamber, the transmittance of the window can change by coating or depositing with a material. Thus, over time, the intensity of light measured through the window may vary. For consistent monitoring of the plasma process conditions in the chamber, the intensity of light measured through the window requires correction as the window's transmittance changes.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치는 챔버의 윈도우의 내벽에 물질 증착에 따른 투과율을 보정하여, 아크 감지, 리크(leak) 검출, EPD 측정, 챔버벽 상태 모니터링 등을 할 수 있다.Plasma monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention can correct the transmittance according to the material deposition on the inner wall of the window of the chamber, it is possible to perform arc detection, leak detection, EPD measurement, chamber wall condition monitoring.

플라즈마의 방출광은 챔버 벽의 오염 또는 증착, 챔버 내부의 상태 변화 등에 따라 변할 수 있다. 상기 챔버 벽은 상기 창문을 포함할 수 있다. 상기 챔버벽 또는 챔버 창문의 오염에 기인하여 시간에 따라 상기 창문을 통과한 빛의 강도는 감소할 수 있다. 상기 챔버는 복수의 기판을 연속적으로 처리할 수 있다.The emitted light of the plasma may change due to contamination or deposition of the chamber walls, changes in state inside the chamber, and the like. The chamber wall may comprise the window. The intensity of light passing through the window may decrease over time due to contamination of the chamber wall or chamber window. The chamber may process a plurality of substrates continuously.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법은 플라즈마를 이용하는 박막 CVD공정장비 및 플라즈마를 이용한 건식 식각공정장비 등에 적용할 수 있다. 실시간으로 플라즈마 상태변화 및/또는 챔버벽 상태변화를 측정할 수 있다. 이에 따라, 플라즈마 공정의 생산성 및 재현성이 향상될 수 있다.The plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention may be applied to a thin film CVD process equipment using plasma and a dry etching process equipment using plasma. The plasma state change and / or the chamber wall state change can be measured in real time. Accordingly, productivity and reproducibility of the plasma process can be improved.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치를 설명하는 개념도이다. 도 1을 참조하면, 상기 플라즈마 모니터링 장치는 창문(16)을 포함하고 플라즈마(11)를 감금하는 챔버(10), 상기 플라즈마(11)가 방출하는 스펙트럼을 측 정하여 광학 신호를 생성하는 분광 감지부(60), 상기 창문(16)을 통하여 방출된 광을 집광하여 상기 분광 감지부(60)에 전달하는 수광부(50), 상기 창문(16)의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하고 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 처리부(70), 및 상기 신호 변화량을 이용하여 상기 챔버(10)를 제어하는 제어부(80)를 포함한다.1 is a conceptual diagram illustrating a plasma monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, the plasma monitoring apparatus includes a window 16, a chamber 10 confining the plasma 11, and a spectroscopic sensing unit configured to generate an optical signal by measuring a spectrum emitted by the plasma 11. 60, a light receiving unit 50 which collects the light emitted through the window 16 and transmits it to the spectroscopic sensing unit 60, and receives a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window 16. And a processing unit 70 for extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal, and a controller 80 controlling the chamber 10 using the signal change amount.

상기 챔버(10)는 가스 및/또는 플라즈마(11)를 포함할 수 있다. 상기 챔버(10)의 압력은 대기압 이하인 것에 한하는 것은 아니다. 상기 챔버(10)는 유전체 및/또는 도체를 포함할 수 있다. 상기 챔버(10)는 가스 유입구(미도시) 및 가스 배출구(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 챔버(10)는 플라즈마 발생기(18)를 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 발생기(20)는 상기 챔버(10)에 상기 플라즈마(11)를 형성할 수 있다. 상기 플라즈마(11)를 발생시키는 방법은 축전 결합 방전 또는 유도 결합 방전에 한정되는 것은 아니다. 상기 챔버(10)는 기판(12) 및 상기 기판(12)을 지지하는 기판 홀더(14)를 포함할 수 있다. 상기 기판(12)은 플라즈마 처리 후 교환될 수 있다. 상기 플라즈마 처리는 식각 공정 또는 증착 공정일 수 있다. 상기 창문(16)에 오염물질(40)이 증착될 수 있다. 상기 창문(16)은 플라즈마가 방출한 스펙트럼을 상기 챔버(10) 외부로 전달하는 수단일 수 있다. 상기 창문(16)은 투명한 유전체일 수 있다. 상기 창문(16) 및/또는 상기 챔버(10)의 내벽은 오염물질(40)에 의하여 코팅 또는 증착될 수 있다. 상기 오염물질(40)이 상기 챔버(10)의 내벽에 증착됨에 따라, 상기 창문(10)의 광의 투과율은 감소할 수 있다. The chamber 10 may include a gas and / or a plasma 11. The pressure in the chamber 10 is not limited to below atmospheric pressure. The chamber 10 may comprise a dielectric and / or a conductor. The chamber 10 may include a gas inlet (not shown) and a gas outlet (not shown). The chamber 10 may include a plasma generator 18. The plasma generator 20 may form the plasma 11 in the chamber 10. The method of generating the plasma 11 is not limited to capacitively coupled discharges or inductively coupled discharges. The chamber 10 may include a substrate 12 and a substrate holder 14 supporting the substrate 12. The substrate 12 may be exchanged after the plasma treatment. The plasma treatment may be an etching process or a deposition process. Contaminants 40 may be deposited on the window 16. The window 16 may be a means for transmitting the spectrum emitted by the plasma to the outside of the chamber 10. The window 16 may be a transparent dielectric. The inner wall of the window 16 and / or the chamber 10 may be coated or deposited by contaminants 40. As the pollutant 40 is deposited on the inner wall of the chamber 10, the light transmittance of the window 10 may decrease.

상기 분광 감지부(60)는 분광기(monochromator or grating, 미도시) 및 광 센서(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 광 센서는 광 증폭기(photo-multiplier), CIS(cmos image sensor), 및 CCD(charge coupled device) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 분광 감지부(60)는 데이터 획득 및 분석 시스템(data acquisition and analysis system, 미도시)을 포함할 수 있다. 상기 분광기는 상기 플라즈마의 스펙트럼을 파장에 따라 분광할 수 있다. 상기 광 센서는 상기 분광기의 분광된 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성할 수 있다. 상기 광학 신호는 디지털화되어 이진 정보로 데이터 획득 및 분석 시스템에 저장될 수 있다. 상기 분광 감지부(60)는 동시에 복수의 스펙트럼 또는 순차적으로 복수의 스펙트럼을 측정하여 상기 광학 신호를 생성할 수 있다. 상기 분광 감지부(60)는 연속적으로 상기 플라즈마의 스펙트럼을 상기 광신 신호로 변환할 수 있다.The spectroscopic detector 60 may include a spectrometer (monochromator or grating, not shown) and an optical sensor (not shown). The optical sensor may include at least one of a photo-multiplier, a cmos image sensor, and a charge coupled device (CCD). The spectroscopic sensing unit 60 may include a data acquisition and analysis system (not shown). The spectrometer may spectrograph the spectrum of the plasma according to the wavelength. The optical sensor may generate an optical signal by measuring the spectroscopic spectrum of the spectrometer. The optical signal may be digitized and stored in a data acquisition and analysis system as binary information. The spectroscopic detector 60 may generate the optical signal by simultaneously measuring a plurality of spectra or a plurality of spectra sequentially. The spectroscopic detector 60 may continuously convert the spectrum of the plasma into the optical signal.

상기 처리부(70)는 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하고, 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출할 수 있다. 상기 챔버(10)에서 공정이 진행됨에 따라, 상기 창문은 오염될 수 있다. 따라서, 상기 창문의 투과율은 감소할 수 있다. 상기 투과율 감소는 상기 광학 신호의 신호 대 노이즈비(signal to noise ratio)를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 투과율 감소를 고려하지 않은 플라즈마 모니터링 방법은 부정확할 수 있다. 상기 처리부(70)는 시간에 따른 상기 광학 신호를 저장하는 저장부(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 처리부(70)는 상기 광학 신호를 이용하여 상기 기준신호를 추출할 수 있다. 상기 기준신호를 추출하는 방법은 후술한다. 상기 처리부(70)는 상기 기준신호와 상기 광학 신호를 처리하여 신호 변화량을 산출할 수 있다. 상기 처리부(70)는 컴퓨터 또는 프로그램 로직 디바이스(program logic device: PLD)를 포함할 수 있다.The processor 70 may extract a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in the transmittance of the window, and extract a signal change amount using the reference signal and the optical signal. As the process progresses in the chamber 10, the window may be contaminated. Thus, the transmittance of the window can be reduced. The reduction in transmittance can reduce the signal to noise ratio of the optical signal. Therefore, the plasma monitoring method without considering the decrease in transmittance may be inaccurate. The processor 70 may include a storage unit (not shown) that stores the optical signal over time. The processor 70 may extract the reference signal using the optical signal. A method of extracting the reference signal will be described later. The processor 70 may process the reference signal and the optical signal to calculate a signal change amount. The processing unit 70 may include a computer or a program logic device (PLD).

상기 제어부(80)는 상기 신호 변화량을 입력받아 상기 경고신호를 발생시킬 수 있다. 상기 경고신호는 상기 챔버(10)를 제어할 수 있다. 구체적으로, 상기 챔버(10)의 제어는 처리 공정의 종료, 가스의 유량 조절, 및 플라즈마 발생기의 전력 조절 중에서 적어도 하나일 수 있다. 상기 제어부(80)는 표시장치(미도시)를 포함할 수 있고, 상기 제어부(80)는 상기 경고신호를 상기 표시장치에 표시할 수 있다.The controller 80 may receive the signal change amount and generate the warning signal. The warning signal may control the chamber 10. Specifically, the control of the chamber 10 may be at least one of terminating the processing process, adjusting the flow rate of gas, and adjusting the power of the plasma generator. The controller 80 may include a display device (not shown), and the controller 80 may display the warning signal on the display device.

플라즈마는 가스에 따라 고유의 스펙트럼을 방출할 수 있다. OES를 이용한 종료 점 검출(end point detection)은 상기 플라즈마의 스펙트럼 중에서 특정한 파장, 또는 복수 개의 특정한 파장을 이용할 수 있다. 그러나, 식각 공정에서 종료점 검출은 개방 면적 비(open area ratio, 비식각될 면적에 대한 식각될 면적의 비)가 감소함에 따라 더 넓은 대역의 복수의 파장에 대한 상기 광학 신호를 사용할 필요가 있다.Plasma can emit its own spectrum depending on the gas. End point detection using OES may use a specific wavelength or a plurality of specific wavelengths in the spectrum of the plasma. However, endpoint detection in the etching process requires the use of the optical signal for a plurality of wavelengths in a wider band as the open area ratio (the ratio of the area to be etched to the area to be etched) is reduced.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 설명한다.A plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2 및 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 흐름도이다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 플라즈마 모니터링 방법은 창문을 포함하고 플라즈마를 구속하는 챔버를 제공하는 단계(S100), 상기 창문을 통하여 상기 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 단계(S200), 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호 를 추출하는 단계(S300), 및 상기 기준신호와 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계(S400)를 포함한다.2 and 3 are flowcharts illustrating a plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention. 2 and 3, the plasma monitoring method includes providing a chamber including a window and confining a plasma (S100), and generating an optical signal by measuring a spectrum emitted by the plasma through the window. (S200), extracting a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window (S300), and extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal (S400).

상기 챔버를 제공하는 단계(S100)는 상기 챔버에 가스를 공급하여, 플라즈마를 형성할 수 있다. 상기 챔버는 창문을 포함할 수 있다. 또한, 상기 챔버는 플라즈마를 상기 챔버의 내부 공간에 구속할 수 있다. 상기 챔버를 제공하는 단계는 챔버를 설치하고 초기 세정하는 것을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 초기 세정을 한 직후, 상기 챔버 벽 또는 상기 창문은 오염되지 않을 수 있다. 상기 챔버를 제공하는 단계는 기판을 로딩하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 기판을 로딩하고 플라즈마를 생성하여 상기 기판을 처리할 수 있다. 상기 기판의 처리는 식각 또는 증착 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 기판의 처리가 진행됨에 따라, 상기 챔버 벽 또는 상기 창문은 오염될 수 있다.In the providing of the chamber (S100), a gas may be supplied to the chamber to form a plasma. The chamber may comprise a window. In addition, the chamber may confine the plasma to the interior space of the chamber. Providing the chamber may include installing and initial cleaning the chamber. Accordingly, immediately after the initial cleaning, the chamber wall or the window may not be contaminated. Providing the chamber may include loading a substrate. The substrate may be loaded and plasma generated to process the substrate. Treatment of the substrate may include at least one of etching or deposition. As processing of the substrate proceeds, the chamber wall or window may become contaminated.

상기 광학 신호를 측정하는 단계는 분광 감지부를 통하여 상기 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정할 수 있다. 상기 광학 신호는 파장에 따라 어레이를 구성할 수 있다. 상기 어레이의 각 상기 광학 신호는 단파장 또는 특정 밴드의 파장의 빛의 강도에 비례할 수 있다. 상기 광학 신호는 시간에 따라 순차적으로 생성될 수 있다. 상기 어레이의 수는 상기 분광 감지부의 광 센서의 수와 일치할 수 있다.The measuring of the optical signal may measure the spectrum emitted by the plasma through a spectroscopic detector. The optical signal may form an array according to a wavelength. Each of the optical signals of the array may be proportional to the intensity of light of short wavelength or wavelength of a particular band. The optical signal may be sequentially generated over time. The number of arrays may match the number of optical sensors of the spectroscopic sensing unit.

상기 광학 신호는 I(0,t), I(1,t),.. I(N,t)로 표시될 수 있다. 여기서 N은 어레이의 수 또는 상기 광 센서의 수이다. 상기 광학 신호는 시간(t)에 따라 연속적으로 측정될 수 있다. 상기 광학 신호의 시간에 따른 감소율은 A(i,t)=(I(i,t)-I(i,t=0))/t 로 표시될 수 있다. 여기서 i는 0 내지 N 중에서 어느 하나일 수 있 다. 여기서, i는 파장에 따라 결정될 수 있다.The optical signal may be represented by I (0, t), I (1, t), .. I (N, t). Where N is the number of arrays or the number of optical sensors. The optical signal can be measured continuously over time t. The rate of decrease of the optical signal over time may be expressed as A (i, t) = (I (i, t) −I (i, t = 0)) / t. I may be any one of 0 to N. Here, i may be determined according to the wavelength.

상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 상기 기준신호를 산출하는 단계(S200)는 상기 광학 신호의 시간에 따른 변화를 이용하여 감소율을 계산하는 단계(S310), 및 상기 감소율과 공정 시간의 내적을 이용하여 상기 기준 신호를 추출하는 단계(S320)를 포함할 수 있다.The step of calculating the reference signal from the optical signal in consideration of the decrease in the transmittance of the window (S200) is a step of calculating a reduction rate using a change over time of the optical signal (S310), and the reduction rate of the process time The method may include extracting the reference signal using an inner product (S320).

상기 창문의 투과율이 감소함에 따라, 상기 광학 신호가 감소할 수 있다. 또한, 규격화된 감소율(A(i,t))은 오차 범위 내에서 일정할 수 있다. 즉, A(i,t)/I(i,t=0)는 일정할 수 있다. 따라서 R(i,t)= -A(i,t)/I(i,t=0) *t 또는 -(I(i,t)/I(i,t=0)-1)은 상기 광학 신호의 감소량을 나타낼 수 있다. 또한 상기 감소량(R(i,t))은 상기 챔버 벽 또는 상기 창문에 증착되 오염물질의 증착 두께에 비례할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 감소량이 임계 감소량( Rc)보다 크면, 상기 챔버의 세정 조건이 충족될 수 있다.As the transmittance of the window decreases, the optical signal may decrease. In addition, the normalized reduction rate A (i, t) may be constant within the error range. That is, A (i, t) / I (i, t = 0) may be constant. Thus R (i, t) = -A (i, t) / I (i, t = 0) * t or-(I (i, t) / I (i, t = 0) -1) is the optical It can represent the amount of reduction of the signal. The reduction amount R (i, t) may also be proportional to the deposition thickness of the contaminant deposited on the chamber wall or the window. According to one embodiment of the present invention, if the reduction amount is greater than the threshold reduction amount Rc, the cleaning conditions of the chamber may be satisfied.

상기 기준 신호(Ir(i,t))는 상기 감소율과 공정 시간의 내적을 이용하여 구할 수 있다. 즉, Ir(i,t)= A(i,t)*t+ Ir(i,t=0) 같이 표시될 수 있다. 여기서, t는 공정 시간을 의미하고, Ir(i,t=0)는 초기 기준신호이다. 상기 초기 기준 신호는 상기 챔버가 오염되지 않은 상태의 광학 신호로 선택될 수 있다.The reference signal Ir (i, t) may be obtained using the dot product of the reduction rate and the process time. That is, it may be expressed as Ir (i, t) = A (i, t) * t + Ir (i, t = 0). Here, t means process time, and Ir (i, t = 0) is an initial reference signal. The initial reference signal may be selected as an optical signal in which the chamber is not contaminated.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 각각의 상기 기판이 처리되는 단위 공정 시간은 동일할 수 있다. 상기 공정 시간은 처리된 기판 수와 상기 단위 공정 시간의 내적으로 주어질 수 있다. 이에 따라, 상기 기준신호는 각 기판의 처리가 진행되는 단위 공정 시간 동안에 일정한 값을 가 질 수 있다. According to a modified embodiment of the present invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the unit process time for processing each of the substrates may be the same. The processing time can be given internally by the number of substrates processed and the unit processing time. Accordingly, the reference signal may have a constant value during a unit process time during which each substrate is processed.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 생성된 광학 신호로 설정할 수 있다. 본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 각 기판의 처리 중에, 상기 기준 신호는 직전의 처리된 기판에서 생성된 상기 광학 신호의 특정 시간의 값으로 설정될 수 있다. 상기 특정 시간은 상기 직전 처리 기판의 처리 공정의 최종 시간 또는 최초 시간일 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the chamber may process a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set to an optical signal generated from the immediately processed substrate. According to a modified embodiment of the present invention, during processing of each substrate, the reference signal may be set to a value of a specific time of the optical signal generated in the immediately processed substrate. The specific time may be a final time or an initial time of the treatment process of the immediately preceding treatment substrate.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 측정된 광학 신호를 1차 이상의 함수로 피팅하여 설정할 수 있다. According to a modified embodiment of the present invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set by fitting an optical signal measured at the immediately processed substrate as a function of one or more orders of magnitude.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 최초의 기판의 상기 광학 신호를 상기 기준 신호로 설정할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the chamber may process a plurality of substrates and set the optical signal of the first substrate as the reference signal.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 상기 기판의 처리 시작 후 최초 소정의 시간 동안 측정된 상기 광학 신호의 평균으로 설정될 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the chamber processes a plurality of substrates, and the reference signal of the substrate being processed may be set to an average of the optical signals measured during the first predetermined time after the start of processing of the substrate. have.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 광학 신호는 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 측정할 수 있다. 따라서, 각 파장에 따라 상기 광학 신호 및 상기 기준 신호가 생성될 수 있다. 상기 복수의 스펙트럼 영역은 상기 분광 감지부가 측정할 수 있는 파장 대역 또는 일부 파장 대역을 포함할 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the optical signal can be measured for a plurality of spectral regions. Therefore, the optical signal and the reference signal may be generated according to each wavelength. The plurality of spectral regions may include a wavelength band or a portion of wavelength bands that the spectroscopic sensor can measure.

상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계(S400)는 상기 광학 신호에서 상기 기준 신호를 뺀 차이 값을 생성하는 단계, 및 상기 신호 변화량은 상기 차이 값의 함수로 결정하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 변화량(S)은 Extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal (S400) may include generating a difference value obtained by subtracting the reference signal from the optical signal, and determining the signal change amount as a function of the difference value. It may include. For example, the signal change amount S is

S(t)=(Ir(0,t)-I(0,t))2 +(Ir(1,t)-I(1,t))2+...(Ir(N,t)-I(N,t))2 로 주어질 수 있다. 상기 신호 변화량(S)을 구하는 함수는 다양하게 변형될 수 있다. 상기 신호 변화량은 특정 파장에 대하여만 수행될 수 있고, 특정의 파장 영역에 대하여 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 변화량은 각각의 파장에 대하여 계산되고, 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 합산될 수 있다.S (t) = (Ir (0, t) -I (0, t)) 2 + (Ir (1, t) -I (1, t)) 2 + ... (Ir (N, t)- I (N, t)) 2 can be given. The function for obtaining the signal change amount S may be modified in various ways. The signal change amount may be performed only for a specific wavelength and may be performed for a specific wavelength region. For example, the signal change amount may be calculated for each wavelength and summed over a plurality of spectral regions.

본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법은 상기 챔버를 제어하는 단계(S500)를 포함할 수 있다. 상기 신호 변화량(S)이 임계 신호 변화량(Sc) 이상인 경우, 상기 신호 변화량에 영향을 미친 특정 파장을 검출할 수 있다.The plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention may include controlling the chamber (S500). When the signal change amount S is equal to or greater than the threshold signal change amount Sc, a specific wavelength which affects the signal change amount can be detected.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 챔버를 제어하는 단계(S500)는 상기 광학 신호의 감소량(R)이 임계값(Rc) 이상인 경우 경고 신호를 발생시킬 수 있다(S510,520). 이 경우, 상기 임계값은 상기 챔버의 세정 조건일 수 있다. 상기 신호 변화량은 아크 감지, 챔버의 리크, 챔버 내부 조건의 변화, 및 종료점 검출 중에서 적어도 하나를 나타낼 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, the controlling of the chamber (S500) may generate a warning signal when the reduction amount R of the optical signal is greater than or equal to the threshold value Rc (S510, 520). In this case, the threshold may be a cleaning condition of the chamber. The signal change amount may represent at least one of arc detection, chamber leak, change in chamber internal condition, and endpoint detection.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 타이밍도이다. 도 4를 참조하면, 챔버가는 창문을 포함한다. 상기 챔버는 플라즈마를 구속한다. 광학 신호(I(i,t))는 상기 창문을 통하여 상기 플라즈마가 방출하는 스 펙트럼을 측정하여 생성된다. 상기 챔버는 복수의 기판을 처리할 수 있다. 기판은 M개일 수 있다. 각각의 기판의 단위 처리 시간(Tu)는 같을 수 있다. 상기 처리 시간(t)은 상기 챔버에 플라즈마가 생성된 시간만을 포함할 수 있다. 기준신호(Ir(i,t))는 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 추출한다. 구체적으로, 현재 처리하는 기판이 3번째인 경우(k=3), 상기 기준신호(Ir(i,t))는 k=2인 기판 처리 공정의 종료점의 상기 광학신호(I(i,t=2*Tu))로 선택될 수 있다. 신호 변화량(S(t))는 상기 기준신호(Ir(i,t))와 상기 광학 신호(I(i,t))의 차이의 절대값일 수 있다. 다만, 신호변화량(S)은 추출된 상기 광학 신호의 모든 파장에 대하여 합산될 수 있다. 여기서, i는 파장을 의미한다. 따라서, 상기 신호변화량(S)은 상기 창문의 투과율 감소에도 불구하고 규격화될 수 있다. 상기 신호변화량(S)이 임계신호변화량(Sc) 이상인 경우, 경고 신호(ALM)을 발생시킬 수 있다. 또한, 초기 광학 신호(I(i,t=0))와 상기 광학 신호(I(i,t))의 차이인 감소량(R(i,t))이 임계값(Rc) 이상인 경우, 경고 신호(ALM)가 발생할 수 있다. 상기 경고신호를 이용하여 챔버를 제어할 수 있다.4 is a timing diagram illustrating a plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention. Referring to Figure 4, the chamber includes a window. The chamber confines the plasma. The optical signal I (i, t) is produced by measuring the spectrum emitted by the plasma through the window. The chamber may process a plurality of substrates. There may be M substrates. The unit processing time Tu of each substrate may be the same. The processing time t may include only the time when the plasma is generated in the chamber. The reference signal Ir (i, t) is extracted from the optical signal in consideration of the decrease in the transmittance of the window. Specifically, when the substrate currently being processed is the third (k = 3), the reference signal Ir (i, t) is the optical signal I (i, t =) at the end of the substrate processing process where k = 2. 2 * Tu)). The signal change amount S (t) may be an absolute value of the difference between the reference signal Ir (i, t) and the optical signal I (i, t). However, the signal change amount S may be summed for all wavelengths of the extracted optical signal. Here, i means wavelength. Thus, the signal change amount S can be normalized despite the decrease in the transmittance of the window. When the signal change amount S is greater than or equal to the threshold signal change amount Sc, a warning signal ALM may be generated. In addition, when the reduction amount R (i, t), which is the difference between the initial optical signal I (i, t = 0) and the optical signal I (i, t), is greater than or equal to the threshold value Rc, a warning signal. (ALM) may occur. The chamber may be controlled using the warning signal.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 장치를 설명하는 개념도이다.1 is a conceptual diagram illustrating a plasma monitoring apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 흐름도이다.2 and 3 are flowcharts illustrating a plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 모니터링 방법을 설명하는 타이밍도이다.4 is a timing diagram illustrating a plasma monitoring method according to an embodiment of the present invention.

Claims (18)

삭제delete 플라즈마를 구속하는 챔버의 창문을 통하여 상기 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 단계;Generating an optical signal by measuring a spectrum emitted by the plasma through a window of a chamber confining the plasma; 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하는 단계; 및Extracting a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window; And 상기 기준신호와 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계를 포함하고,Extracting an amount of signal change using the reference signal and the optical signal, 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 산출하는 단계는:The step of calculating a reference signal from the optical signal in consideration of the decrease in the transmittance of the window is: 상기 광학 신호의 시간에 따른 변화를 이용하여 감소율을 계산하는 단계;및Calculating a reduction rate using the change over time of the optical signal; and 상기 감소율과 공정 시간의 내적을 이용하여 상기 기준 신호를 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And extracting the reference signal using the dot product of the reduction rate and the process time. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 단계는Extracting a signal change amount using the reference signal and the optical signal 상기 광학 신호에서 상기 기준 신호를 뺀 차이 값을 생성하는 단계; 및Generating a difference value by subtracting the reference signal from the optical signal; And 상기 신호 변화량은 상기 차이 값의 함수로 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Determining the amount of signal change as a function of the difference value. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고,The chamber processes a plurality of substrates, 각각의 상기 기판이 처리되는 단위 공정 시간은 동일하고,The unit process time for each substrate is processed is the same, 상기 공정 시간은 처리된 기판 수와 상기 단위 공정 시간의 내적으로 주어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Wherein said process time is given internally of the number of substrates processed and said unit process time. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고,The chamber processes a plurality of substrates, 처리중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 측정된 광학 신호로 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And the reference signal of the substrate being processed is set to an optical signal measured at the immediately processed substrate. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고,The chamber processes a plurality of substrates, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 직전의 처리된 기판에서 측정된 광학 신호를 1차 이상의 함수로 피팅(fitting)하여 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And the reference signal of the substrate being processed is set by fitting an optical signal measured at the immediately processed substrate as a function of at least one order. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버는 연속적으로 M개의 기판을 처리하고,The chamber continuously processes M substrates, M은 2이상의 정수이고,M is an integer of 2 or more, 첫 번째 기판의 상기 광학 신호를 기준 신호로 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And setting the optical signal of the first substrate as a reference signal. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 챔버는 복수의 기판을 처리하고,The chamber processes a plurality of substrates, 처리 중인 기판의 상기 기준신호는 기판의 처리 후 최초 소정의 시간 동안 측정된 상기 광학 신호의 평균으로 설정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And the reference signal of the substrate being processed is set to an average of the optical signals measured during the first predetermined time after processing of the substrate. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광학 신호는 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 측정하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.The optical signal is measured over a plurality of spectral regions. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 기준신호는 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 추출하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.The reference signal is a plasma monitoring method, characterized in that for extracting a plurality of spectral region in consideration of the decrease in the transmittance of the window. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 신호 변화량은 각각의 파장에 대하여 계산되고, 각각의 파장에 대하여 계산된 상기 신호 변화량은 복수의 스펙트럼 영역에 대하여 합산되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.Wherein the amount of signal change is calculated for each wavelength and the amount of signal change calculated for each wavelength is summed over a plurality of spectral regions. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 챔버를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And controlling the chamber. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상인 경우 공정 경고 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And generating a process warning signal when the signal change amount is equal to or greater than a threshold signal change amount. 제 13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상인 경우,When the signal change amount is more than a threshold signal change amount, 상기 신호 변화량에 영향을 미친 특정 파장을 검출하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And detecting a specific wavelength affecting the amount of change of the signal. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 신호 변화량이 임계 신호 변화량 이상인 경우 경고 신호를 발생시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And generating a warning signal when the signal change amount is equal to or greater than a threshold signal change amount. 제 15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 챔버를 제어하는 단계는Controlling the chamber 상기 광학 신호의 감소량이 임계값 이상인 경우 경고 신호를 발생시키는 것 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And generating a warning signal when the amount of reduction of the optical signal is greater than or equal to a threshold value. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 신호 변화량은 아크 감지, 챔버의 리크, 챔버 내부 조건의 변화, 및 종료점 검출 중에서 적어도 하나를 나타내는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 방법.And the signal change amount represents at least one of arc detection, chamber leak, change in chamber internal condition, and end point detection. 창문을 포함하는 챔버에 감금된 플라즈마가 방출하는 스펙트럼을 측정하여 광학 신호를 생성하는 분광 감지부;A spectroscopic sensor configured to generate an optical signal by measuring a spectrum emitted by the plasma confined to the chamber including the window; 상기 창문을 통하여 방출된 광을 집광하여 상기 분광 감지부에 전달하는 수광부;A light receiver configured to collect light emitted through the window and transmit the light to the spectroscope; 상기 창문의 투과율 감소를 고려하여 상기 광학 신호로부터 기준신호를 추출하고, 상기 기준신호과 상기 광학 신호를 이용하여 신호 변화량을 추출하는 처리부; 및A processor configured to extract a reference signal from the optical signal in consideration of a decrease in transmittance of the window, and extract a signal change amount using the reference signal and the optical signal; And 상기 신호 변화량을 이용하여 상기 챔버를 제어하는 제어부를 포함하고,A control unit for controlling the chamber by using the signal change amount, 상기 기준 신호는 상기 광학 신호의 시간에 따른 변화를 이용한 감소율과 공정 시간의 내적을 이용하여 추출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 모니터링 장치.The reference signal is a plasma monitoring device, characterized in that the extraction using the product of the reduction rate using the change over time of the optical signal and the process time.
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