KR100994549B1 - Splitter circuit - Google Patents

Splitter circuit Download PDF

Info

Publication number
KR100994549B1
KR100994549B1 KR1020090018862A KR20090018862A KR100994549B1 KR 100994549 B1 KR100994549 B1 KR 100994549B1 KR 1020090018862 A KR1020090018862 A KR 1020090018862A KR 20090018862 A KR20090018862 A KR 20090018862A KR 100994549 B1 KR100994549 B1 KR 100994549B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
power supply
output terminal
output
series
Prior art date
Application number
KR1020090018862A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090103713A (en
Inventor
가즈유키 이마가와
Original Assignee
르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 filed Critical 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
Priority to KR1020090018862A priority Critical patent/KR100994549B1/en
Publication of KR20090103713A publication Critical patent/KR20090103713A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100994549B1 publication Critical patent/KR100994549B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N7/00Television systems
    • H04N7/10Adaptations for transmission by electrical cable
    • H04N7/102Circuits therefor, e.g. noise reducers, equalisers, amplifiers
    • H04N7/104Switchers or splitters
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/36Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency band, to a common load or source

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

본 발명은 출력 포트 사이의 아이솔레이션을 개선한다. 이를 위해 본 발명은, 입력 포트(1)와, 출력 포트(2)와, 출력 포트(3)와, 입력 포트(1)와 출력 포트(2) 사이에 있으며, 입력 포트(1)의 신호를 증폭하여 출력 포트(2)에 출력하는 FET(6)와, 입력포트(1)와 출력 포트(3)사이에 있으며, 입력 포트(1)의 신호를 증폭하여 출력 포트(3)에 출력하는 FET(11)와, 출력 포트(2, 3) 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 일단을 출력 포트(2)에 접속하는, 인덕터(15)와 다이오드(17)를 직렬 형태로 포함하는 직렬 회로와, 일단의 출력 포트(3)에 접속하는 인덕터(16)와 다이오드(18)를 직렬 형태로 포함하는 직렬 회로와, 두 개의 직렬 회로의 타단과 접지와의 사이에 접속되는 저항소자(19)를 구비한다. 다이오드(17, 18)는, FET(6, 11)에 전원의 전압이 주어지는 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속된다.The present invention improves the isolation between the output ports. To this end, the present invention is located between the input port (1), the output port (2), the output port (3), between the input port (1) and the output port (2), the signal of the input port (1) FET 6 which amplifies and outputs to the output port 2 and between the input port 1 and the output port 3, the FET to amplify the signal of the input port (1) to output to the output port (3) (11) and an impedance circuit connected between the output ports (2, 3). The impedance circuit includes a series circuit including an inductor 15 and a diode 17 in series form, one end of which is connected to the output port 2, and an inductor 16 and a diode connected to the one end of the output port 3. A series circuit including (18) in series and a resistance element 19 connected between the other ends of the two series circuits and ground. The diodes 17 and 18 are connected so that a current flows in the forward direction when the voltage of the power supply is applied to the FETs 6 and 11.

아이솔레이션, 임피던스 회로 Isolation, Impedance Circuit

Description

스플리터 회로{Splitter circuit}Splitter circuit

본 발명은, 스플리터 회로에 관하여, 특히 액티브 소자를 포함하는 스플리터 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a splitter circuit, in particular to a splitter circuit comprising an active element.

스플리터 회로는 CATV/디지털TV용 STB(Set-Top-Box)/TV등에 널리 사용되고 있다. FET등의 액티브 소자를 포함하는 스플리터 회로(액티브 스플리터 회로)는, 게인(gain)이 필요한 경우에 사용된다. 이와 같은 스플리터 회로의 중요한 성능 중 하나로서, 출력 포트 간의 아이솔레이션(isolation)을 들 수 있다. 통상적으로는, 광대역화를 위해서, 출력에서 입력으로의 피드백 회로가 탑재되기 때문에, 액티브 소자인 FET의 아이솔레이션을 개선하는 것만으로는, 충분한 성능을 얻을 수 없고, FET 주변의 회로에서, 아이솔레이션을 개선할 필요가 있다.Splitter circuits are widely used in STB (Set-Top-Box) / TV for CATV / Digital TV. A splitter circuit (active splitter circuit) including an active element such as an FET is used when gain is needed. One important performance of such splitter circuits is isolation between the output ports. In general, since a feedback circuit from an output to an input is mounted for widening, sufficient performance cannot be obtained simply by improving the isolation of the FET as an active element, and the isolation is improved in the circuits around the FET. Needs to be.

도9는, 특허문헌1에 기재되어 있는 스플리터 회로의 회로도이다. 입력 단자(116)는, 용량 소자 C를 개재하여 접지함과 동시에, 인덕터 L1을 개재하여 FET Q1, Q2의 게이트에 접속된다. FET Q1은, 소스를 접지하고, 드레인을 출력 포트(118)에 접속하며, 드레인과 게이트 사이에 인덕터 L2와 저항소자 R1으로 이루어진 피드백 회로(121)를 접속한다. FET Q2는, 소스를 접지하고, 드레인을 출력 포 트(120)에 접속하고, 드레인과 게이트 사이에 인덕터 L3과 저항소자 R2로 이루어진 피드백 회로(123)을 접속한다. 또한, 출력 포트(118) 및 출력 포트(120)의 아이솔레이션을 개선하기 위해서, 저항 R3 및 인덕터 L4로 구성되는 회로(114)가 출력 포트(118, 120) 사이에 접속된다.9 is a circuit diagram of a splitter circuit described in Patent Document 1. FIG. The input terminal 116 is connected to the gates of the FETs Q1 and Q2 via the inductor L1 while being grounded via the capacitor C. The FET Q1 grounds the source, connects the drain to the output port 118, and connects a feedback circuit 121 composed of the inductor L2 and the resistor R1 between the drain and the gate. The FET Q2 grounds the source, connects the drain to the output port 120, and connects a feedback circuit 123 composed of the inductor L3 and the resistor R2 between the drain and the gate. Also, in order to improve the isolation of the output port 118 and the output port 120, a circuit 114 composed of a resistor R3 and an inductor L4 is connected between the output ports 118, 120.

이상과 같은 구성의 스플리터 회로에 있어서, FET Q1 및 FET Q2가 동작하고 있을 때, 출력 포트(118)에서 입력된 RF신호는, 회로(114)를 통과하는 신호와, FET Q1의 피드백 회로(121) 또는 FET Q1을 통과하는 신호로 분기된다. 회로(121) 또는 FET Q1을 통과한 신호는, 나아가 패스(110, 112)를 통과하여, FET Q2에 입력 되어 증폭된다. 이 때, 위상이 180도 시프트 되어, 출력 포트(120)로 출력된다. 한편, 회로(114)를 통과한 신호는, 위상 시프트 되지 않은 채, 출력 포트(120)로 도달한다. 그래서, 출력 포트(120)에서는, 위상이 시프트되어 있지 않는 신호와, 180도 시프트 된 신호로 각각 캔슬되어 출력 포트(120)에서의 신호는 감쇠하고, 아이솔레이션이 개선된다.In the splitter circuit having the above-described configuration, when the FET Q1 and the FET Q2 are operating, the RF signal input from the output port 118 is a signal passing through the circuit 114 and the feedback circuit 121 of the FET Q1. Or branch to signal passing through FET Q1. The signal passing through the circuit 121 or the FET Q1 further passes through the paths 110 and 112 and is input to the FET Q2 and amplified. At this time, the phase is shifted by 180 degrees and output to the output port 120. On the other hand, the signal passing through the circuit 114 arrives at the output port 120 without being phase shifted. Therefore, the output port 120 is canceled by a signal whose phase is not shifted and a signal shifted by 180 degrees, respectively, so that the signal at the output port 120 is attenuated, and the isolation is improved.

또한, 마찬가지로 동작하는 회로가 특허문헌 2에 있어서도 기재되어 있다.Moreover, the circuit which operates similarly is also described in patent document 2. As shown in FIG.

특허문헌 1 : 미국 특허 제 5045822호 명세서Patent Document 1: US Patent No. 5045822

특허문헌 2 : 미국 특허 제 6577198호 명세서Patent Document 2: US Patent No. 6577198

이하의 분석은 본 발명에 있어서 주어진다. The following analysis is given in the present invention.

도9에 있어서, FET Q1 및 Q2가 ON상태일 때는, 아이솔레이션이 개선된다. 그러나, FET Q1 및 Q2가 OFF상태일 때는, FET Q1, Q2는, RF신호에 대해서 거의 오픈되게 되고, 출력 포트(118)에서 입력된 신호는, 회로(114)를 통과하여 출력 포트(120)에 출력되어 버리고 말아, 아이솔레이션이 열화된다. 따라서, 스플리터 회로의 전원이 OFF일 때는, 출력 포트(118, 120)에 접속된 회로, 디바이스가 서로 영향을 받게 된다. In Fig. 9, the isolation is improved when the FETs Q1 and Q2 are in the ON state. However, when the FETs Q1 and Q2 are in the OFF state, the FETs Q1 and Q2 are almost open to the RF signal, and the signal input from the output port 118 passes through the circuit 114 to output the output port 120. The output is deteriorated. Therefore, when the power supply of the splitter circuit is OFF, the circuits and devices connected to the output ports 118 and 120 are affected by each other.

도10은, 종래 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다. 도10에 있어서, 곡선A는 FET Q1, Q2가 동작 상태일 때의 특성이며, 곡선B는 FET Q1, Q2가 OFF일 때의 특성이다. 도10의 곡선B에 나타낸 바와 같이, FET가 오프일 때는 아이솔레이션이 악화되고 있는 것을 알 수 있다.Fig. 10 is a diagram showing isolation characteristics in a conventional circuit. In Fig. 10, curve A is a characteristic when FETs Q1 and Q2 are in operation, and curve B is a characteristic when FETs Q1 and Q2 are OFF. As shown by curve B in Fig. 10, it can be seen that the isolation is deteriorated when the FET is off.

본 발명의 하나의 어스펙트(aspect)(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제1의 출력 단자와, 제2의 출력 단자와, 입력 단자와 제1의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제1의 출력 단자에 출력하는 제1의 증폭기와, 입력 단자와 제2의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제2의 출력 단자에 출력하는 제2의 증폭기와, 제1 및 제2의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되고, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.A splitter circuit according to one aspect (side) of the present invention is located between an input terminal, a first output terminal, a second output terminal, and an input terminal and a first output terminal. And a first amplifier for amplifying the signal of the input terminal and outputting the signal to the first output terminal, and between the input terminal and the second output terminal. And a second amplifier and an impedance circuit connected between the first and second output terminals. The impedance circuit is configured to have a predetermined impedance when the first power supply is supplied to the first and second amplifiers, and to be open when the first power supply is not supplied to the first and second amplifiers. do.

본 발명의 다른 어스펙트(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제i (i=1~n인 정수, n은 2 이상의 정수)의 출력 단자와, 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와, 제j(j=1~n-1인 정수) 및 제k(k=j+1~n인 정수)의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비하며, 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.The splitter circuit according to another aspect (side) of the present invention includes an input terminal, an output terminal of the i th (an integer of i = 1 to n, n is an integer of 2 or more), an input terminal and an i th output terminal, The i-th amplifier which amplifies the signal of the input terminal and outputs it to the i-th output terminal, and j (an integer of j = 1 to n-1) and k (an integer of k = j + 1 to n). And an impedance circuit connected between the output terminals of < RTI ID = 0.0 >) < / RTI > and the impedance circuit becomes a predetermined impedance when the first power source is supplied to the jth and kth amplifiers, and the first power source is the jth and It is configured to be open when it is not supplied to the amplifier of k.

본 발명의 또 다른 어스펙트(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제i (i=1~n인 정수, n은 2 이상의 정수)의 출력 단자와, 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와, 제1~제n의 출력 단자 중 2개 이상의 출력 단자에 접속되는 임피던스 회로를 구비하며, 임피던스 회로는, 제1의 전원이 2개 이상의 출력 단자에 각각 대응하는 증폭기에 공급되는 경우에, 2개 이상의 출력 단자로부터 선택되는 2개의 출력 단자 사이가 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 공급되지 않는 경우에, 선택 되는 2개의 출력 단자에 있어서의 임피던스가 개방 상태로 되도록 구성된다.A splitter circuit according to still another aspect (side face) of the present invention includes an input terminal, an output terminal of i-th (an integer of i = 1 to n, n is an integer of 2 or more), an input terminal, and an i-th output terminal. And an i-th amplifier which amplifies the signal of the input terminal and outputs it to the i-th output terminal, and an impedance circuit connected to two or more output terminals of the first to n-th output terminals, In the impedance circuit, when a first power source is supplied to an amplifier corresponding to two or more output terminals, respectively, a predetermined impedance is established between two output terminals selected from two or more output terminals, and the first power source is turned on. When not supplied, the impedance at the two output terminals to be selected is configured to be in an open state.

본 발명에 의하면, 증폭기에 있어서의 전원 공급의 유무에 관계없이, 제1 및 제2의 출력 단자 간의 아이솔레이션을 개선할 수가 있다.According to the present invention, the isolation between the first and second output terminals can be improved regardless of the power supply in the amplifier.

본 발명의 실시 형태에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자(입력 포트)와, 제1의 출력 단자(출력 포트)와, 제2의 출력 단자와, 입력 단자와 제1의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제1의 출력 단자에 출력하는 제1의 증폭기와, 입력 단자와 제2의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제2의 출력 단자에 출력 하는 제2의 증폭기와, 제1 및 제2의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.The splitter circuit according to the embodiment of the present invention is located between an input terminal (input port), a first output terminal (output port), a second output terminal, and an input terminal and a first output terminal. And a first amplifier for amplifying the signal of the input terminal and outputting the signal to the first output terminal, and between the input terminal and the second output terminal. And a second amplifier and an impedance circuit connected between the first and second output terminals. The impedance circuit is configured to have a predetermined impedance when the first power supply is supplied to the first and second amplifiers, and to be open when the first power supply is not supplied to the first and second amplifiers. do.

본 발명의 스플리터 회로에 있어서, 임피던스 회로는, 일단을 제1의 출력 단자에 접속하는, 제1의 인덕터와 제1의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제1의 직렬 회로와, 일단을 제2의 출력 단자에 접속하는, 제2의 인덕터와 제2의 다이오드를 직렬형태로 포함하는 제2의 직렬 회로와, 제1 및 제2의 직렬 회로의 타단과 제2의 전원과의 사이에 접속되는 저항소자를 구비한다. 제1 및 제2의 다이오드는, 제1의 전원과 제2의 전원의 전압이 다른 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속되는 것이 바람직하다.In the splitter circuit of the present invention, the impedance circuit includes a first series circuit including a first inductor and a first diode in series with one end connected to a first output terminal, and one end connected to a second one. A resistor connected between a second series circuit including a second inductor and a second diode in series, connected to an output terminal, and the other end of the first and second series circuits and a second power supply; An element is provided. It is preferable that the 1st and 2nd diodes are connected so that a current may flow in a forward direction, when the voltage of a 1st power supply and a 2nd power supply differs.

본 발명의 스플리터 회로에 있어서, 제1의 전원의 전압이 제2의 전원의 전압보다 높게 설정되고, 제1의 다이오드는, 애노드(anode)를 제1의 인덕터를 개재하여 제1의 출력 단자에 접속하고, 캐소드(cathode)를 저항소자의 일단에 접속하고, 제2 의 다이오드는, 애노드를 제2의 인덕터를 개재하여 제2의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 저항소자의 일단에 접속하고, 저항소자의 타단을 제2의 전원에 접속하는 것이 바람직하다.In the splitter circuit of the present invention, the voltage of the first power supply is set higher than the voltage of the second power supply, and the first diode connects an anode to the first output terminal via the first inductor. Connect a cathode to one end of the resistor, the second diode connects the anode to the second output terminal via the second inductor, and connects the cathode to one end of the resistor, It is preferable to connect the other end of the resistance element to the second power source.

본 발명의 반도체 장치에 있어서, 상기 스플리터 회로를 포함하는 것이 바람직하다.In the semiconductor device of the present invention, the splitter circuit is preferably included.

본 발명의 스플리터 장치에 있어서, 저항 소자를 제외한 상기 스플리터 회로를 포함하는 반도체 장치를 포함하여, 저항 소자는, 반도체 장치의 외부에 있으며, 반도체 장치와 본딩 와이어를 개재하여 접속되도록 하여도 좋다.In the splitter device of the present invention, the semiconductor device including the above-described splitter circuit except for the resistance element may be provided outside the semiconductor device and connected to the semiconductor device via a bonding wire.

이상과 같은 스플리터 회로에 있어서, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우, 출력 단자에 있어서, 위상 시프트가 없는 신호와 180도 시프트 되는 신호에 의한 캔슬이 생긴다. 또한, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우, 출력 단자 사이가 개방 상태로 된 임피던스 회로로 차단된다. 따라서, 제1의 전원의 공급의 유무에 관계없이, 출력 단자 간의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다.In the splitter circuit as described above, when the first power source is supplied to the first and second amplifiers, cancellation occurs due to a signal without phase shift and a signal shifted by 180 degrees at the output terminal. In addition, when the first power source is not supplied to the first and second amplifiers, it is interrupted by an impedance circuit in which the output terminals are open. Therefore, the isolation between the output terminals can be maintained regardless of whether the first power is supplied.

이하, 실시예에 즉응하여, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, it demonstrates in detail with reference to drawings, in response to an Example.

(실시예 1)(Example 1)

도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도1에 있어서, 1은 입력 포트, 2, 3은 출력 포트를 나타낸다. 입력 포트(1)에는, DC커트용 용량 소자(5, 10)를 개재하여 증폭용의 FET(6, 11)의 게이트가 접속된다.FET(6, 11)의 소스는, 각각 소스 회로(20, 21)을 개재하여 접지된다.또한, FET(6, 11)의 드레인은, 각각 피드백 회로(4, 9)를 개재하여 입력 포트(1)에 접속됨과 동시에, 각각 출력 포트(2, 3)에도 접속된다. 또한 DC전압을 공급하기 위하여, FET(6, 11)의 게이트는, 각각 게이트 바이어스 회로(7, 12)를 개재하여 전원(8)에 접속되며, 각각의 드레인도 드레인 바이어스 회로(13, 14)를 개재하여 전원(8)에 접속된다. 게이트 바이어스 회로(7, 12) 및 드레인 바이어스 회로(13, 14)는, RF신호를 통과시키지 않는 회로, 예를 들어 인덕터, 저항소자, 이들의 조합 등으로 구성된다.1 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a first embodiment of the present invention. In Fig. 1, 1 denotes an input port, and 2 and 3 denote an output port. The input port 1 is connected to the gates of the amplification FETs 6 and 11 via the DC cut capacitors 5 and 10. The sources of the FETs 6 and 11 are source circuits 20, respectively. And the ground of the FETs 6 and 11 are connected to the input port 1 via the feedback circuits 4 and 9, respectively, and the output ports 2 and 3 respectively. Is also connected. In addition, in order to supply the DC voltage, the gates of the FETs 6 and 11 are connected to the power supply 8 via the gate bias circuits 7 and 12, respectively, and the drains thereof are also connected to the drain bias circuits 13 and 14. It is connected to the power supply 8 via. The gate bias circuits 7 and 12 and the drain bias circuits 13 and 14 are composed of a circuit which does not pass the RF signal, for example, an inductor, a resistance element, a combination thereof, or the like.

또한, 다이오드(17, 18)의 애노드는, 각각 인덕터(15, 16)를 개재하여 출력 포트(2, 3)에 접속된다. 다이오드(17)의 캐소드와 다이오드의(18)의 캐소드는, 공통으로 접속되고, 저항소자(19)를 개재하여 접지된다. 여기서, 저항 소자(19)의 저항치는, 다이오드(17, 18)의 ON저항치에 비해 충분히 큰 값으로 한다. 또한, 저항 소자(19)의 저항치는, FET(6, 11)가 동작 상태, 즉 전원(8)으로부터 예를 들어 5V의 전압이 공급되어 있는 경우에, 다이오드 17 및 18이 ON상태가 되도록 애노드, 캐소드 사이에 전압이 걸리도록, 최적화되어 있는 것으로 한다.The anodes of the diodes 17 and 18 are connected to the output ports 2 and 3 via the inductors 15 and 16, respectively. The cathode of the diode 17 and the cathode of the diode 18 are connected in common and are grounded via the resistance element 19. Here, the resistance of the resistance element 19 is set to be sufficiently large as compared with the ON resistance of the diodes 17 and 18. In addition, the resistance value of the resistance element 19 is the anode so that the diodes 17 and 18 are turned on when the FETs 6 and 11 are operated, that is, when a voltage of 5 V is supplied from the power supply 8, for example. It is assumed that the voltage is optimized to apply a voltage between the cathodes.

도1에 있어서, FET(6, 11)가 동작 상태인 경우, 즉 전원(8)으로부터 예를 들어 5V의 전압이 공급되어 있는 경우는, 이하와 같이 동작한다. 이 때, 다이오드(17, 18)는, 최적화 된 저항소자(19)에 의해, ON상태로 되어 있다.In Fig. 1, when the FETs 6 and 11 are in an operating state, that is, when a voltage of, for example, 5 V is supplied from the power supply 8, the operation is performed as follows. At this time, the diodes 17 and 18 are turned ON by the optimized resistance element 19.

출력포트(2)로부터 입력된 RF신호는, 피드백 회로(4) 혹은 FET(6)을 통과하는 신호와 인덕터(15)를 통과하는 신호로 분기된다. 피드백 회로(4) 혹은 FET(6)를 통과하는 신호는, FET(11)의 게이트로 입력되고, 증폭되어 출력포트(3)로 출력되며, 이 때 위상이 180도 시프트된다. 한편, 인덕터(15, 16)의 값이 작고, 저항소자(19)의 저항치가 다이오드(17, 18)의 ON저항보다 충분히 큰 경우, 인덕터(15)를 통과하는 신호는, 위상 시프트 되지 않고, 다이오드(17, 18), 인덕터(16)을 통과하여 출력포트(3)로 출력된다. 따라서, 다이오드(17, 18)의 ON저항을 최적화 하면, 출력포트(3)에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션(cancellation)이 일어나고, 출력포트(3)로부터의 신호는 감쇠하기 때문에, 포트(2, 3) 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 또한, 캔슬되는 두 개의 신호의 위상차가, 배선이나 FET특성 등의 영향으로, 180도로 되지 않는 경우에는, 인덕터(15, 16)의 인덕턴스를, 위상차가 180도로 되어 캔슬되도록 조정한다. 또한, 포트(3)로부터 입력된 RF신호에 대해서도 마찬가지로 출력포트(2)에 있어서 캔슬된다.The RF signal input from the output port 2 is branched into a signal passing through the feedback circuit 4 or the FET 6 and a signal passing through the inductor 15. The signal passing through the feedback circuit 4 or the FET 6 is input to the gate of the FET 11, amplified and output to the output port 3, and the phase is shifted 180 degrees at this time. On the other hand, when the values of the inductors 15 and 16 are small and the resistance of the resistance element 19 is sufficiently larger than the ON resistance of the diodes 17 and 18, the signal passing through the inductor 15 is not phase shifted. The diodes 17 and 18 pass through the inductor 16 and are output to the output port 3. Therefore, by optimizing the ON resistance of the diodes 17 and 18, in the output port 3, cancellation occurs between a signal whose phase is shifted 180 degrees and a signal without phase shift, and the output is performed. Since the signal from port 3 is attenuated, the isolation between ports 2 and 3 is improved. In addition, when the phase difference between two canceled signals does not become 180 degrees due to the influence of wiring and FET characteristics, the inductance of the inductors 15 and 16 is adjusted so that the phase difference becomes 180 degrees and is cancelled. In addition, the RF signal input from the port 3 is similarly canceled by the output port 2.

한편, 도1에 있어서, FET(6, 11)이 OFF상태인 경우, 즉 전원(8)이 예를 들어 0V인 경우는, 이하와 같이 동작한다. 이 때, 다이오드(17, 18)는, 애노드, 캐소드 사이에 전압이 걸리지 않기 때문에, OFF상태로 되어 있다.On the other hand, in Fig. 1, when the FETs 6 and 11 are in the OFF state, that is, when the power source 8 is 0V, for example, the operation is performed as follows. At this time, the diodes 17 and 18 are in an OFF state because no voltage is applied between the anode and the cathode.

출력포트(2)로부터 입력된 RF신호는, FET(6), 다이오드(17)가 OFF상태이기 때문에, 대부분이 피드백 회로 4 및 9를 개재하여 출력포트(3)로부터 출력된다. 이 경우, 피드백 회로(4, 9)는, 일반적으로 고저항이기 때문에, 출력포트(3)에 있어서의 신호는 작고, 아이솔레이션은 악화되지 않는다. 또한, 출력포트(3)로부터 입력된 RF신호에 대해서도 마찬가지로 포트(2)에 있어서 신호는 작고, 아이솔레이션은 악화되지 않는다.Since the FET 6 and the diode 17 are in the OFF state, most of the RF signals input from the output port 2 are output from the output port 3 via the feedback circuits 4 and 9. In this case, since the feedback circuits 4 and 9 are generally high in resistance, the signal at the output port 3 is small and the isolation does not deteriorate. In addition, for the RF signal input from the output port 3, the signal is small at the port 2, and isolation is not deteriorated.

도 2는, 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF상태인 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다. 즉, 종래의 스플리터 회로에 있어서의 출력 포트 간의 저항 R3을, 본 실시예에서는, FET의 OFF시에 맞추어 OFF되는 다이오드(17, 18)로 치환함으로써, OFF시의 아이솔레이션 특성을 대폭으로 개선할 수가 있다(도 10의 곡선 B대 도 2의 곡선 B).Fig. 2 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the first embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in an operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in an OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF. That is, in the present embodiment, the resistance R3 between the output ports in the conventional splitter circuit is replaced with the diodes 17 and 18 which are turned OFF in accordance with the OFF state of the FET, thereby greatly improving the isolation characteristics at the OFF time. (Curve B in FIG. 10 vs. curve B in FIG. 2).

(실시예 2)(Example 2)

도 3은, 본 발명의 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도3에 있어서, 도1과 동일한 부호는 동일물로 나타내고, 그 설명을 생략한다. 도3의 저항소자(19a)는, 도1의 저항소자(19)와 같은 것이지만, IC의 외부 부품으로서 구성되는 점이 제1 실시예와 다르다. 22는, IC와 외부 부품으로 되는 저항소자(19a)를 접속하기 위한 본딩 와이어로, 다이오드(17, 18)의 캐소드와 저항소자(19a)의 일단을 접속한다. 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 동작은, 실시예1과 마찬가지이며, 같은 효과를 가져온다. 3 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a second embodiment of the present invention. In Fig. 3, the same reference numerals as those in Fig. 1 are represented by the same elements, and the description thereof is omitted. The resistive element 19a of FIG. 3 is the same as the resistive element 19 of FIG. 1, but differs from the first embodiment in that it is configured as an external component of the IC. 22 is a bonding wire for connecting the IC and the resistor 19a serving as an external component, and connects the cathodes of the diodes 17 and 18 and one end of the resistor 19a. The operation of the splitter circuit according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and has the same effect.

본 실시예에서는, 저항소자(19a)를 외부 부품으로 함으로써, 출력포트(2, 3) 사이의 아이솔레이션 특성을 변경하기 위한 저항소자(19a)의 저항치의 조정이, 외부에 있어서 조정 가능하며 용이하다. 또한, 저항소자(19a)로서, 적절한 온도 특성을 가지는 부품을 사용함으로써, 출력 포트 간의 아이솔레이션 특성에 있어서의 온도 특성을 개선할 수가 있다.In this embodiment, by using the resistance element 19a as an external component, adjustment of the resistance value of the resistance element 19a for changing the isolation characteristics between the output ports 2 and 3 can be easily adjusted externally. . In addition, by using a component having appropriate temperature characteristics as the resistance element 19a, it is possible to improve the temperature characteristics in the isolation characteristics between the output ports.

(실시예 3)(Example 3)

도 4는, 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 4에 있어서, 입력 포트 IN, 출력 포트 OUT1~OUTn, 용량 소자 C1~Cn, FET MN1~MNn, 소스 회로 SC1~SCn, 피드백 회로 FC1~FCn, 게이트 바이어스 회로 GC1~GCn, 드레인 바이어스 회로 DC1~DCn, 전원 VDD, 다이오드D12~Dnn-1, 인덕터 L12~Lnn-1, 저항소자 R12~Rn-1n은, 도1의 입력 포트(1), 출력 포트(2, 3), 용량 소자(5, 10), FET (6, 11) 소스 회로(20, 21), 피드백 회로(4, 9), 게이트 바이어스 회로(7, 12), 드레인 바이어스 회로(13, 14), 전원(8), 디이오드(17, 18), 인덕터(15, 16), 저항 소자(19)에 각각 상당하고, 마찬가지로 동작한다.4 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a third embodiment of the present invention. 4, input ports IN, output ports OUT1 to OUTn, capacitors C1 to Cn, FET MN1 to MNn, source circuits SC1 to SCn, feedback circuits FC1 to FCn, gate bias circuits GC1 to GCn, drain bias circuits DC1 to DCn, the power supply VDD, the diodes D12 to Dnn-1, the inductors L12 to Lnn-1, and the resistance elements R12 to Rn-1n are the input ports 1, the output ports 2 and 3 of FIG. 10, FETs 6, 11 source circuits 20, 21, feedback circuits 4, 9, gate bias circuits 7, 12, drain bias circuits 13, 14, power supplies 8, diodes Corresponding to (17, 18), the inductors 15, 16, and the resistive elements 19, respectively, they operate similarly.

도 1의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 2개의 증폭부가 존재하고 있다. 이에 대하여, 도4의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 n개의 증폭부가 존재하고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이에 각각 임피던스 회로가 배치된다. 이들 임피던스 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로, 증폭부 내의 FET가 동작 상태일 때에, 출력 포트에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션이 일어나고, 출력 포트로부터의 신호는 감쇠한다. 따라서, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 한편, 2개의 증폭부 내의 FET가 OFF상태일 때에, 임피던스 회로가 하이 임피던스로 되고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션은, 악화되지 않는다.In the splitter circuit of FIG. 1, two amplification units having input terminals in common exist. On the other hand, in the splitter circuit of Fig. 4, n amplification sections having input terminals in common exist, and an impedance circuit is disposed between output terminals of the two amplification sections. These impedance circuits, like the first embodiment, cancel when a FET in the amplifier is in an operating state, between a signal whose phase is shifted by 180 degrees and a signal without phase shift, at the output port, The signal from the output port is attenuated. Thus, the isolation between the output terminals of the two amplifiers is improved. On the other hand, when the FETs in the two amplifier sections are in the OFF state, the impedance circuit becomes high impedance, and the isolation between the output terminals of the two amplifier sections does not deteriorate.

도5는, 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타낸 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF상태일 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다.Fig. 5 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the third embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in the operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in the OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF.

제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 따르면, 3분기 이상의 경우의 구성이더라도, 제1 실시예와 마찬가지로 출력 단자 사이의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다. 또한, 저항소자R12~Rn-1n을 외부 부품으로 하고, 이들을 본딩 와이어로 접속되도록 하여도 좋은 것은, 제2 실시예와 마찬가지이다. 또한, 상기에 있어서, n=2로 하면 도1과 일치한다. According to the splitter circuit according to the third embodiment, even if the configuration is three or more quarters, isolation between output terminals can be maintained similarly to the first embodiment. In addition, the resistance elements R12 to Rn-1n may be external components, and they may be connected by bonding wires in the same manner as in the second embodiment. In addition, when n = 2, it corresponds with FIG.

(실시예 4)(Example 4)

도 6은, 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 6에 있어서, 도 4와 동일한 부호는, 동일물을 나타내며, 그 설명을 생략한다. 도 6에 나타낸 스플리터 회로는, 도 4의 다이오드D12~Dnn-1, 인덕터L12~Lnn-1, 저항소자R12~Rn-1n으로 바꾸고, 다이오드D1~Dn, 인덕터L1~Ln, 저항소자R0을 구비한다.6 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same code | symbol as FIG. 4 represents the same thing, and the description is abbreviate | omitted. The splitter circuit shown in FIG. 6 is replaced with diodes D12 to Dnn-1, inductors L12 to Lnn-1, resistors R12 to Rn-1n in FIG. 4, and includes diodes D1 to Dn, inductors L1 to Ln, and resistors R0. do.

인덕터Li, 다이오드Di로 이루어진 직렬 회로는, 출력 포트 OUTi와 저항소자R0의 일단과의 사이에 구비된다. 저항소자R0는, 일단을 다이오드D1~Dn의 캐소드에 공통으로 접속되고, 타단을 접지한다.A series circuit composed of an inductor Li and a diode Di is provided between the output port OUTi and one end of the resistor R0. One end of the resistor R0 is commonly connected to the cathodes of the diodes D1 to Dn, and the other end is grounded.

이와 같은 구성의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 n개의 증폭부가 존재하고, n개의 증폭부의 출력 단자에 각각 임피던스 회로의 부분(다이오드와 인덕터의 직렬세트)이 배치된 2개의 증폭부의 사이에 1개의 임피던스회로가 형성된다. 이 임피던스 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로, 증폭부 내의 FET가 동작 상태일 때에, 출력 포트에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션이 일어나고, 출력 포트로부터의 신호는 감쇠한다. 따라서, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 한편, 2개의 증폭부 내의 FET가 OFF상태일 때에, 임피던스 회로가 하이 임피던스로 되고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션은, 악화되지 않는다.In the splitter circuit having such a configuration, there are n amplification parts having common input terminals, and between two amplification parts each having a portion of an impedance circuit (series of diodes and inductors) arranged at the output terminals of the n amplification parts. One impedance circuit is formed. In the impedance circuit, as in the first embodiment, when the FET in the amplifier is in an operating state, cancellation occurs between the signal whose phase is shifted by 180 degrees and the signal without phase shift in the output port. The signal from the output port is attenuated. Thus, the isolation between the output terminals of the two amplifiers is improved. On the other hand, when the FETs in the two amplifier sections are in the OFF state, the impedance circuit becomes high impedance, and the isolation between the output terminals of the two amplifier sections does not deteriorate.

도 7은, 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타낸 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF 상태일 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다.Fig. 7 is a diagram showing isolation characteristics in the splitter circuit according to the fourth embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in an operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in an OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF.

제4도의 실시예에 관한 스플리터 회로에 따르면, 3분기 이상의 경우의 구성이더라도, 제1 실시예와 마찬가지로 출력 단자 사이의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다. 또한, 저항소자 R0을 외부 부품으로 하고, 이들을 본딩 와이어로 접지하도록 하여도 좋다는 것은, 제2 실시예와 마찬가지이다. 또한, 상기에 있어서, n=2로 하면, 도1과 일치한다.According to the splitter circuit according to the embodiment of FIG. 4, even in the case of three or more quarters, isolation between output terminals can be maintained similarly to the first embodiment. In addition, it is the same as that of 2nd Example that resistance element R0 may be made into an external component, and these may be made to ground with a bonding wire. In addition, when n = 2, it corresponds with FIG.

(실시예 5)(Example 5)

도 8은, 본 발명의 제5 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 8에 있어서, 도 6과 동일한 부호는, 동일물을 나타내며, 그 설명을 생략한다. 도 8에 나타낸 스플리터 회로는, 도 6의 다이오드D2, D4~Dn, 임피던스L2, L4~Ln을 생략한 회로이다. 이 스플리터 회로는, 출력 포트 OUT1, OUT3에 관하여, 제1 실시예에 관한 스플리터 회로와 동일 구성으로 된다.8 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 8, the same code | symbol as FIG. 6 represents the same thing, and the description is abbreviate | omitted. The splitter circuit shown in FIG. 8 is a circuit in which diodes D2, D4-Dn, impedance L2, and L4-Ln of FIG. 6 are omitted. This splitter circuit has the same configuration as the splitter circuit according to the first embodiment with respect to the output ports OUT1 and OUT3.

모든 출력 포트 사이의 양호한 아이솔레이션 특성이 필요 없고, 예를 들어 출력 포트 OUT1, OUT3의 사이의 아이솔레이션만 필요한 경우, 출력 포트 OUT1, OUT3에만 인덕터L1, L3 및 다이오드 D1, D3을 각각 접속한다. 이와 같은 구성에 의하면, 실시예 3, 4에 비해 회로의 간략화를 꾀할 수 있다.If good isolation characteristics between all output ports are not required, and only isolation between output ports OUT1 and OUT3 is required, for example, inductors L1, L3 and diodes D1, D3 are connected to only output ports OUT1, OUT3. According to such a structure, a circuit can be simplified compared with Example 3, 4.

또한, 상술한 특허 문헌 등의 각 개시를, 본서에 인용으로 넣는 것으로 한다. 본 발명의 전 개시(청구의 범위를 포함)의 범위 내에서, 그리고 그 기본적 기술 사상에 근거하여, 실시 형태 내지 실시예의 변경ㆍ조정이 가능하다. 또한, 본 발명의 청구의 범위의 범위 내에서 여러 가지 개시 요소의 다양한 조합 내지 선택이 가능하다. 즉, 본 발명은, 본 발명의 청구의 범위를 포함하는 전 개시, 기술적 사상에 따라 당업자라면 할 수 있을 각종 변형, 수정을 포함하는 것은 물론이다.In addition, each indication, such as the above-mentioned patent document, shall be quoted in this book. Changes and adjustments of the embodiments to the examples are possible within the scope of the entire disclosure of the present invention (including the claims) and based on the basic technical idea. In addition, various combinations and selections of various disclosed elements are possible within the scope of the claims of the present invention. That is, of course, this invention includes the various deformation | transformation and correction which a person skilled in the art can make according to the prior indication and technical idea including the Claim of this invention.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 2 is a diagram showing isolation characteristics in the splitter circuit according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a third embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 5 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the third embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 7 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the fourth embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제5 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

도 9는 종래의 스플리터 회로의 회로도이다.9 is a circuit diagram of a conventional splitter circuit.

도 10은 종래의 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.10 is a diagram showing isolation characteristics in a conventional splitter circuit.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1 : 입력 포트 2, 3 : 출력 포트1: input port 2, 3: output port

4, 9 : 피드백 회로 5, 10 : 용량 소자4, 9: feedback circuit 5, 10: capacitive element

6, 11 : FET 7, 12 : 게이트 바이어스 회로6, 11: FET 7, 12: gate bias circuit

8 : 전원 13, 14 : 드레인 바이어스 회로8: power supply 13, 14: drain bias circuit

15, 16 : 인덕터 17, 18 : 다이오드15, 16: inductor 17, 18: diode

19, 19a : 저항소자 20, 21 : 소스 회로19, 19a: resistor elements 20, 21: source circuit

22 : 본딩 와이어 C1~Cn : 용량소자22: bonding wire C1 ~ Cn: capacitor

C1~Cn, D12~Dnn-1 : 다이오드 DC1~DCn : 드레인바이어스회로C1 ~ Cn, D12 ~ Dnn-1: Diode DC1 ~ DCn: Drain bias circuit

FC1~FCn : 피드백 회로 GC1~GCn : 게이트바이어스회로FC1 to FCn: Feedback circuit GC1 to GCn: Gate bias circuit

IN : 입력 포트 L1~Ln, L12~Lnn-1 : 인덕터IN: Input port L1 ~ Ln, L12 ~ Lnn-1: Inductor

MN1~MNn : FET OUT1~OUTn : 출력포트MN1 ~ MNn: FET OUT1 ~ OUTn: Output port

R0, R12~Rn-1n : 저항소자 SC1~SCn : 소스 회로R0, R12 to Rn-1n: Resistor elements SC1 to SCn: Source circuit

VDD : 전원VDD: Power

Claims (11)

입력 단자와,With input terminals, 제1의 출력 단자와,A first output terminal, 제2의 출력 단자와,A second output terminal, 상기 입력 단자와 상기 제1의 출력 단자와의 사이에 있으며, 상기 입력 단자의 신호를 증폭하여 상기 제1의 출력 단자에 출력하는 제1의 증폭기와,A first amplifier between the input terminal and the first output terminal, the first amplifier amplifying a signal of the input terminal and outputting the signal to the first output terminal; 상기 입력 단자와 상기 제2의 출력 단자와의 사이에 있으며, 상기 입력 단자의 신호를 증폭하여 상기 제2의 출력 단자에 출력하는 제2의 증폭기와,A second amplifier between the input terminal and the second output terminal, the second amplifier amplifying a signal of the input terminal and outputting the signal to the second output terminal; 상기 제1 및 제2의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비하고,An impedance circuit connected between the first and second output terminals, 상기 임피던스 회로는, 제1의 전원이 상기 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스가 되고, 상기 제1의 전원이 상기 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.The impedance circuit becomes a predetermined impedance when a first power supply is supplied to the first and second amplifiers, and is opened when the first power supply is not supplied to the first and second amplifiers. A splitter circuit, configured to be in a state. 제1항에 있어서, 상기 임피던스 회로는, The method of claim 1, wherein the impedance circuit, 일단을 상기 제1의 출력 단자에 접속하는, 제1의 인덕터와 제1의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제1의 직렬 회로와,A first series circuit comprising a first inductor and a first diode in series form connecting one end to said first output terminal, 일단을 상기 제2의 출력 단자에 접속하는, 제2의 인덕터와 제2의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제2의 직렬회로와,A second series circuit comprising a second inductor and a second diode in series form connecting one end to the second output terminal; 상기 제1 및 제2의 직렬 회로의 타단과 제2의 전원과의 사이에 접속되는 저항소자를 구비하고,A resistance element connected between the other end of said first and second series circuits and a second power source; 상기 제1 및 제2의 다이오드는, 상기 제1의 전원과 제2의 전원의 전압이 다른 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.And the first and second diodes are connected so that current flows in a forward direction when the voltages of the first power supply and the second power supply are different. 제2항에 있어서, 상기 제1의 전원의 전압이 상기 제2의 전원의 전압보다 높게 설정되고,The voltage of the first power supply is set higher than the voltage of the second power supply. 상기 제1의 다이오드는, 애노드를 상기 제1의 인덕터를 개재하여 상기 제1의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 상기 저항 소자의 일단에 접속하고,The first diode connects an anode to the first output terminal via the first inductor, a cathode to one end of the resistance element, 상기 제2의 다이오드는, 애노드를 상기 제2의 인덕터를 개재하여 상기 제2의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 상기 저항 소자의 일단에 접속하고,The second diode connects an anode to the second output terminal via the second inductor, and connects a cathode to one end of the resistance element, 상기 저항 소자의 타단을 상기 제2의 전원에 접속하는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.A splitter circuit, wherein the other end of the resistor is connected to the second power supply. 입력 단자와,With input terminals, 제i (i=1~n인 정수, n은 2이상의 정수)의 출력 단자와,An output terminal of the ith (an integer of i = 1 to n, n being an integer of 2 or more), 상기 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 상기 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와, An i-th amplifier between the input terminal and the i-th output terminal, for amplifying a signal of the input terminal and outputting it to an i-th output terminal; 제j (j=1~n-1인 정수) 및 제k (k=j+1~n인 정수)의 출력 단자 사이에 접 속되는 임피던스를 구비하고,An impedance connected between the output terminals of j-th (an integer of j = 1 to n-1) and k (an integer of k = j + 1-n), 상기 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스가 되고, 상기 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.The impedance circuit has a predetermined impedance when the first power is supplied to the j-th and k-th amplifiers, and the open state is maintained when the first power is not supplied to the j-th and kth amplifiers. The splitter circuit, characterized in that configured to. 제4항에 있어서, 상기 임피던스 회로는,The method of claim 4, wherein the impedance circuit, 일단을 상기 제j의 출력 단자에 접속하는, 제j의 인덕터와 제j의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제j의 직렬 회로와,A j-th series circuit comprising a j-th inductor and a j-th diode in series with one end connected to the j-th output terminal; 일단을 상기 제k의 출력 단자에 접속하는, 제k의 인덕터와 제k의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제k의 직렬 회로와,A k-th series circuit comprising a k-th inductor and a k-th diode in series, connecting one end to said k-th output terminal, 상기 제j 및 제k의 직렬 회로의 타단과 제2의 전원과의 사이에 접속되는 저항소자를 구비하고,A resistance element connected between the second end of the j-th and k-th series circuits and a second power source; 상기 제j 및 제k의 다이오드는, 상기 제1의 전원과 제2의 전원의 전압이 다른 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.The j-th and k-th diodes are connected so that current flows in the forward direction when the voltages of the first power supply and the second power supply are different. 제5항에 있어서, 상기 제1의 전원의 전압이 상기 제2의 전원의 전압보다 높게 설정되고,The voltage of the first power supply is set higher than the voltage of the second power supply. 상기 제j의 다이오드는, 애노드를 상기 제j의 인덕터를 개재하여 상기 제j의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 상기 저항소자의 일단에 접속하며,The jth diode connects an anode to the jth output terminal via the jth inductor, and connects a cathode to one end of the resistance element. 상기 제k의 다이오드는, 애노드를 상기 제k의 인덕터를 개재하여 상기 제k의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 상기 저항소자의 일단에 접속하며,The k-th diode connects an anode to the k-th output terminal via the k-th inductor, and connects a cathode to one end of the resistance element, 상기 저항소자의 타단을 상기 제2의 전원에 접속하는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.A splitter circuit, wherein the other end of the resistor is connected to the second power supply. 입력 단자와,With input terminals, 제i (i=1~n인 정수, n은 2 이상의 정수)의 출력 단자와,An output terminal of the ith (an integer of i = 1 to n, n is an integer of 2 or more), 상기 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 상기 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와,An i-th amplifier between the input terminal and the i-th output terminal, for amplifying a signal of the input terminal and outputting it to an i-th output terminal; 제1~제n의 출력 단자 중 2개 이상의 출력 단자에 접속되는 임피던스 회로를 구비하고,An impedance circuit connected to two or more output terminals of the first to nth output terminals, 상기 임피던스 회로는, 제1의 전원이 상기 2개 이상의 출력 단자에 각각 대응하는 증폭기에 공급되는 경우에, 상기 2개 이상의 출력 단자로부터 선택되는 2개의 출력 단자 사이가 소정의 임피던스가 되고, 상기 제1의 전원이 공급되지 않는 경우에, 상기 선택되는 2개의 출력 단자에 있어서의 임피던스가 개방 상태가 되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.The impedance circuit has a predetermined impedance between two output terminals selected from the two or more output terminals when a first power source is supplied to an amplifier corresponding to the two or more output terminals, respectively. A splitter circuit, characterized in that the impedance at the two output terminals to be selected is in an open state when the power supply of 1 is not supplied. 제7항에 있어서, 상기 임피던스 회로는,The method of claim 7, wherein the impedance circuit, 상기 2개 이상의 출력 단자에 각각 대응하고, 일단을 접속하는, 인덕터와 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 각각의 직렬회로와,Respective series circuits each comprising an inductor and a diode in series, respectively corresponding to the two or more output terminals and connecting one end thereof; 상기 각각의 직렬회로의 타단과 제2의 전원과의 사이에 접속되는 저항소자 를 구비하고,A resistance element connected between the other end of each series circuit and a second power supply; 상기 다이오드는, 상기 제1의 전원과 제2의 전원의 전압이 다른 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속되는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.And the diode is connected so that current flows in the forward direction when the voltages of the first power supply and the second power supply are different. 제8항에 있어서, 상기 제1의 전원의 전압이 상기 제2의 전원의 전압보다 높게 설정되고,The voltage of the first power supply is set higher than the voltage of the second power supply. 각각의 상기 다이오드는, 애노드를 상기 인덕터를 개재하여 상기 2개 이상의 출력 단자의 각각에 접속하고, 캐소드를 상기 저항소자의 일단에 접속하며,Each said diode connects an anode to each of said at least two output terminals via said inductor, and connects a cathode to one end of said resistance element, 기 저항소자의 타단을 상기 제2의 전원에 접속하는 것을 특징으로 하는 스플리터 회로.A splitter circuit, wherein the other end of the resistive element is connected to the second power supply. 청구항 1 내지 9 중 어느 한 항에 기재된 스플리터 회로를 포함하는 반도체 장치.The semiconductor device containing the splitter circuit of any one of Claims 1-9. 상기 저항소자를 제외한 청구항 2, 3, 5, 6, 8, 9 중 어느 한 항에 기재된 스플리터 회로를 포함하는 반도체 장치를 포함하여,Including a semiconductor device comprising the splitter circuit of any one of claims 2, 3, 5, 6, 8, 9 except for the resistance element, 상기 저항소자는, 상기 반도체 장치의 외부에 있으며, The resistance element is outside the semiconductor device, 상기 저항소자의 일단은 상기 반도체 장치의 각각의 직렬회로의 타단과 본딩 와이어를 개재하여 접속되는 것을 특징으로 하는 스플리터 장치. One end of the resistance element is connected to the other end of each series circuit of the semiconductor device via a bonding wire.
KR1020090018862A 2008-03-28 2009-03-05 Splitter circuit KR100994549B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090018862A KR100994549B1 (en) 2008-03-28 2009-03-05 Splitter circuit

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2008-087242 2008-03-28
JPJP-P-2009-005664 2009-01-14
KR1020090018862A KR100994549B1 (en) 2008-03-28 2009-03-05 Splitter circuit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090103713A KR20090103713A (en) 2009-10-01
KR100994549B1 true KR100994549B1 (en) 2010-11-16

Family

ID=41533224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090018862A KR100994549B1 (en) 2008-03-28 2009-03-05 Splitter circuit

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100994549B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113655A1 (en) 2000-12-27 2002-08-22 Lautzenhiser Barry A. Divided-voltage fet power amplifiers
US20070063728A1 (en) 2005-08-18 2007-03-22 Atmel Nantes Sa Logic cell with two isolated redundant outputs, and corresponding integrated circuit

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020113655A1 (en) 2000-12-27 2002-08-22 Lautzenhiser Barry A. Divided-voltage fet power amplifiers
US20070063728A1 (en) 2005-08-18 2007-03-22 Atmel Nantes Sa Logic cell with two isolated redundant outputs, and corresponding integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090103713A (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009260929A (en) Splitter circuit
KR100705326B1 (en) Feedback-type variable gain amplifier and method of controlling the same
US8648656B2 (en) Low-noise amplifier with through-mode
US20080036538A1 (en) Rail-to-rail class ab amplifier
US10903799B2 (en) Variable gain low noise amplifying apparatus with phase distortion compensation
US20090085664A1 (en) Power amplifier having an adaptive amplifying mechanism
US9219452B2 (en) Dual mode receiver with RF splitter using programmable passive components
US6828858B2 (en) CMOS class AB power amplifier with cancellation of nonlinearity due to change in gate capacitance of a NMOS input transistor with switching
US7439805B1 (en) Enhancement-depletion Darlington device
US7560990B2 (en) Low noise amplifier and low noise amplifying method
US7663441B2 (en) Low noise amplifier
CN110808714B (en) Radio frequency power amplifier for realizing multi-band switching and anti-saturation
US10826442B2 (en) Variable gain low noise amplifier with phase compensation
US7095281B2 (en) Differential amplifier arrangement with current regulating circuit and method for operating a differential amplifier arrangement
US7443240B2 (en) AM intermediate frequency variable gain amplifier circuit, variable gain amplifier circuit and its semiconductor integrated circuit
US7969246B1 (en) Systems and methods for positive and negative feedback of cascode transistors for a power amplifier
JP2007221402A (en) Variable gain amplifier and semiconductor integrated device
US9136806B2 (en) Amplifier circuit
US7282993B2 (en) Frequency characteristics-variable amplifying circuit and semiconductor integrated circuit device
KR100994549B1 (en) Splitter circuit
US6400933B1 (en) Amplifier
KR101101617B1 (en) Power amplifier
KR101736227B1 (en) An amplifier circuit with step gain
JPWO2006095416A1 (en) High frequency amplifier with attenuator
JP2009055438A (en) Temperature compensation bias circuit, high-frequency amplifier, and high-frequency attenuator

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee