KR100994549B1 - Splitter circuit - Google Patents
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Abstract
본 발명은 출력 포트 사이의 아이솔레이션을 개선한다. 이를 위해 본 발명은, 입력 포트(1)와, 출력 포트(2)와, 출력 포트(3)와, 입력 포트(1)와 출력 포트(2) 사이에 있으며, 입력 포트(1)의 신호를 증폭하여 출력 포트(2)에 출력하는 FET(6)와, 입력포트(1)와 출력 포트(3)사이에 있으며, 입력 포트(1)의 신호를 증폭하여 출력 포트(3)에 출력하는 FET(11)와, 출력 포트(2, 3) 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 일단을 출력 포트(2)에 접속하는, 인덕터(15)와 다이오드(17)를 직렬 형태로 포함하는 직렬 회로와, 일단의 출력 포트(3)에 접속하는 인덕터(16)와 다이오드(18)를 직렬 형태로 포함하는 직렬 회로와, 두 개의 직렬 회로의 타단과 접지와의 사이에 접속되는 저항소자(19)를 구비한다. 다이오드(17, 18)는, FET(6, 11)에 전원의 전압이 주어지는 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속된다.The present invention improves the isolation between the output ports. To this end, the present invention is located between the input port (1), the output port (2), the output port (3), between the input port (1) and the output port (2), the signal of the input port (1) FET 6 which amplifies and outputs to the output port 2 and between the input port 1 and the output port 3, the FET to amplify the signal of the input port (1) to output to the output port (3) (11) and an impedance circuit connected between the output ports (2, 3). The impedance circuit includes a series circuit including an inductor 15 and a diode 17 in series form, one end of which is connected to the output port 2, and an inductor 16 and a diode connected to the one end of the output port 3. A series circuit including (18) in series and a resistance element 19 connected between the other ends of the two series circuits and ground. The diodes 17 and 18 are connected so that a current flows in the forward direction when the voltage of the power supply is applied to the FETs 6 and 11.
아이솔레이션, 임피던스 회로 Isolation, Impedance Circuit
Description
본 발명은, 스플리터 회로에 관하여, 특히 액티브 소자를 포함하는 스플리터 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a splitter circuit, in particular to a splitter circuit comprising an active element.
스플리터 회로는 CATV/디지털TV용 STB(Set-Top-Box)/TV등에 널리 사용되고 있다. FET등의 액티브 소자를 포함하는 스플리터 회로(액티브 스플리터 회로)는, 게인(gain)이 필요한 경우에 사용된다. 이와 같은 스플리터 회로의 중요한 성능 중 하나로서, 출력 포트 간의 아이솔레이션(isolation)을 들 수 있다. 통상적으로는, 광대역화를 위해서, 출력에서 입력으로의 피드백 회로가 탑재되기 때문에, 액티브 소자인 FET의 아이솔레이션을 개선하는 것만으로는, 충분한 성능을 얻을 수 없고, FET 주변의 회로에서, 아이솔레이션을 개선할 필요가 있다.Splitter circuits are widely used in STB (Set-Top-Box) / TV for CATV / Digital TV. A splitter circuit (active splitter circuit) including an active element such as an FET is used when gain is needed. One important performance of such splitter circuits is isolation between the output ports. In general, since a feedback circuit from an output to an input is mounted for widening, sufficient performance cannot be obtained simply by improving the isolation of the FET as an active element, and the isolation is improved in the circuits around the FET. Needs to be.
도9는, 특허문헌1에 기재되어 있는 스플리터 회로의 회로도이다. 입력 단자(116)는, 용량 소자 C를 개재하여 접지함과 동시에, 인덕터 L1을 개재하여 FET Q1, Q2의 게이트에 접속된다. FET Q1은, 소스를 접지하고, 드레인을 출력 포트(118)에 접속하며, 드레인과 게이트 사이에 인덕터 L2와 저항소자 R1으로 이루어진 피드백 회로(121)를 접속한다. FET Q2는, 소스를 접지하고, 드레인을 출력 포 트(120)에 접속하고, 드레인과 게이트 사이에 인덕터 L3과 저항소자 R2로 이루어진 피드백 회로(123)을 접속한다. 또한, 출력 포트(118) 및 출력 포트(120)의 아이솔레이션을 개선하기 위해서, 저항 R3 및 인덕터 L4로 구성되는 회로(114)가 출력 포트(118, 120) 사이에 접속된다.9 is a circuit diagram of a splitter circuit described in
이상과 같은 구성의 스플리터 회로에 있어서, FET Q1 및 FET Q2가 동작하고 있을 때, 출력 포트(118)에서 입력된 RF신호는, 회로(114)를 통과하는 신호와, FET Q1의 피드백 회로(121) 또는 FET Q1을 통과하는 신호로 분기된다. 회로(121) 또는 FET Q1을 통과한 신호는, 나아가 패스(110, 112)를 통과하여, FET Q2에 입력 되어 증폭된다. 이 때, 위상이 180도 시프트 되어, 출력 포트(120)로 출력된다. 한편, 회로(114)를 통과한 신호는, 위상 시프트 되지 않은 채, 출력 포트(120)로 도달한다. 그래서, 출력 포트(120)에서는, 위상이 시프트되어 있지 않는 신호와, 180도 시프트 된 신호로 각각 캔슬되어 출력 포트(120)에서의 신호는 감쇠하고, 아이솔레이션이 개선된다.In the splitter circuit having the above-described configuration, when the FET Q1 and the FET Q2 are operating, the RF signal input from the
또한, 마찬가지로 동작하는 회로가 특허문헌 2에 있어서도 기재되어 있다.Moreover, the circuit which operates similarly is also described in
특허문헌 1 : 미국 특허 제 5045822호 명세서Patent Document 1: US Patent No. 5045822
특허문헌 2 : 미국 특허 제 6577198호 명세서Patent Document 2: US Patent No. 6577198
이하의 분석은 본 발명에 있어서 주어진다. The following analysis is given in the present invention.
도9에 있어서, FET Q1 및 Q2가 ON상태일 때는, 아이솔레이션이 개선된다. 그러나, FET Q1 및 Q2가 OFF상태일 때는, FET Q1, Q2는, RF신호에 대해서 거의 오픈되게 되고, 출력 포트(118)에서 입력된 신호는, 회로(114)를 통과하여 출력 포트(120)에 출력되어 버리고 말아, 아이솔레이션이 열화된다. 따라서, 스플리터 회로의 전원이 OFF일 때는, 출력 포트(118, 120)에 접속된 회로, 디바이스가 서로 영향을 받게 된다. In Fig. 9, the isolation is improved when the FETs Q1 and Q2 are in the ON state. However, when the FETs Q1 and Q2 are in the OFF state, the FETs Q1 and Q2 are almost open to the RF signal, and the signal input from the
도10은, 종래 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다. 도10에 있어서, 곡선A는 FET Q1, Q2가 동작 상태일 때의 특성이며, 곡선B는 FET Q1, Q2가 OFF일 때의 특성이다. 도10의 곡선B에 나타낸 바와 같이, FET가 오프일 때는 아이솔레이션이 악화되고 있는 것을 알 수 있다.Fig. 10 is a diagram showing isolation characteristics in a conventional circuit. In Fig. 10, curve A is a characteristic when FETs Q1 and Q2 are in operation, and curve B is a characteristic when FETs Q1 and Q2 are OFF. As shown by curve B in Fig. 10, it can be seen that the isolation is deteriorated when the FET is off.
본 발명의 하나의 어스펙트(aspect)(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제1의 출력 단자와, 제2의 출력 단자와, 입력 단자와 제1의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제1의 출력 단자에 출력하는 제1의 증폭기와, 입력 단자와 제2의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제2의 출력 단자에 출력하는 제2의 증폭기와, 제1 및 제2의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되고, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.A splitter circuit according to one aspect (side) of the present invention is located between an input terminal, a first output terminal, a second output terminal, and an input terminal and a first output terminal. And a first amplifier for amplifying the signal of the input terminal and outputting the signal to the first output terminal, and between the input terminal and the second output terminal. And a second amplifier and an impedance circuit connected between the first and second output terminals. The impedance circuit is configured to have a predetermined impedance when the first power supply is supplied to the first and second amplifiers, and to be open when the first power supply is not supplied to the first and second amplifiers. do.
본 발명의 다른 어스펙트(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제i (i=1~n인 정수, n은 2 이상의 정수)의 출력 단자와, 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와, 제j(j=1~n-1인 정수) 및 제k(k=j+1~n인 정수)의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비하며, 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 제j 및 제k의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.The splitter circuit according to another aspect (side) of the present invention includes an input terminal, an output terminal of the i th (an integer of i = 1 to n, n is an integer of 2 or more), an input terminal and an i th output terminal, The i-th amplifier which amplifies the signal of the input terminal and outputs it to the i-th output terminal, and j (an integer of j = 1 to n-1) and k (an integer of k = j + 1 to n). And an impedance circuit connected between the output terminals of < RTI ID = 0.0 >) < / RTI > and the impedance circuit becomes a predetermined impedance when the first power source is supplied to the jth and kth amplifiers, and the first power source is the jth and It is configured to be open when it is not supplied to the amplifier of k.
본 발명의 또 다른 어스펙트(측면)에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자와, 제i (i=1~n인 정수, n은 2 이상의 정수)의 출력 단자와, 입력 단자와 제i의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제i의 출력 단자에 출력하는 제i의 증폭기와, 제1~제n의 출력 단자 중 2개 이상의 출력 단자에 접속되는 임피던스 회로를 구비하며, 임피던스 회로는, 제1의 전원이 2개 이상의 출력 단자에 각각 대응하는 증폭기에 공급되는 경우에, 2개 이상의 출력 단자로부터 선택되는 2개의 출력 단자 사이가 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 공급되지 않는 경우에, 선택 되는 2개의 출력 단자에 있어서의 임피던스가 개방 상태로 되도록 구성된다.A splitter circuit according to still another aspect (side face) of the present invention includes an input terminal, an output terminal of i-th (an integer of i = 1 to n, n is an integer of 2 or more), an input terminal, and an i-th output terminal. And an i-th amplifier which amplifies the signal of the input terminal and outputs it to the i-th output terminal, and an impedance circuit connected to two or more output terminals of the first to n-th output terminals, In the impedance circuit, when a first power source is supplied to an amplifier corresponding to two or more output terminals, respectively, a predetermined impedance is established between two output terminals selected from two or more output terminals, and the first power source is turned on. When not supplied, the impedance at the two output terminals to be selected is configured to be in an open state.
본 발명에 의하면, 증폭기에 있어서의 전원 공급의 유무에 관계없이, 제1 및 제2의 출력 단자 간의 아이솔레이션을 개선할 수가 있다.According to the present invention, the isolation between the first and second output terminals can be improved regardless of the power supply in the amplifier.
본 발명의 실시 형태에 관한 스플리터 회로는, 입력 단자(입력 포트)와, 제1의 출력 단자(출력 포트)와, 제2의 출력 단자와, 입력 단자와 제1의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제1의 출력 단자에 출력하는 제1의 증폭기와, 입력 단자와 제2의 출력 단자와의 사이에 있으며, 입력 단자의 신호를 증폭하여 제2의 출력 단자에 출력 하는 제2의 증폭기와, 제1 및 제2의 출력 단자 사이에 접속되는 임피던스 회로를 구비한다. 임피던스 회로는, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우에 소정의 임피던스로 되며, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우에 개방 상태로 되도록 구성된다.The splitter circuit according to the embodiment of the present invention is located between an input terminal (input port), a first output terminal (output port), a second output terminal, and an input terminal and a first output terminal. And a first amplifier for amplifying the signal of the input terminal and outputting the signal to the first output terminal, and between the input terminal and the second output terminal. And a second amplifier and an impedance circuit connected between the first and second output terminals. The impedance circuit is configured to have a predetermined impedance when the first power supply is supplied to the first and second amplifiers, and to be open when the first power supply is not supplied to the first and second amplifiers. do.
본 발명의 스플리터 회로에 있어서, 임피던스 회로는, 일단을 제1의 출력 단자에 접속하는, 제1의 인덕터와 제1의 다이오드를 직렬 형태로 포함하는 제1의 직렬 회로와, 일단을 제2의 출력 단자에 접속하는, 제2의 인덕터와 제2의 다이오드를 직렬형태로 포함하는 제2의 직렬 회로와, 제1 및 제2의 직렬 회로의 타단과 제2의 전원과의 사이에 접속되는 저항소자를 구비한다. 제1 및 제2의 다이오드는, 제1의 전원과 제2의 전원의 전압이 다른 경우에 순방향으로 전류가 흐르도록 접속되는 것이 바람직하다.In the splitter circuit of the present invention, the impedance circuit includes a first series circuit including a first inductor and a first diode in series with one end connected to a first output terminal, and one end connected to a second one. A resistor connected between a second series circuit including a second inductor and a second diode in series, connected to an output terminal, and the other end of the first and second series circuits and a second power supply; An element is provided. It is preferable that the 1st and 2nd diodes are connected so that a current may flow in a forward direction, when the voltage of a 1st power supply and a 2nd power supply differs.
본 발명의 스플리터 회로에 있어서, 제1의 전원의 전압이 제2의 전원의 전압보다 높게 설정되고, 제1의 다이오드는, 애노드(anode)를 제1의 인덕터를 개재하여 제1의 출력 단자에 접속하고, 캐소드(cathode)를 저항소자의 일단에 접속하고, 제2 의 다이오드는, 애노드를 제2의 인덕터를 개재하여 제2의 출력 단자에 접속하고, 캐소드를 저항소자의 일단에 접속하고, 저항소자의 타단을 제2의 전원에 접속하는 것이 바람직하다.In the splitter circuit of the present invention, the voltage of the first power supply is set higher than the voltage of the second power supply, and the first diode connects an anode to the first output terminal via the first inductor. Connect a cathode to one end of the resistor, the second diode connects the anode to the second output terminal via the second inductor, and connects the cathode to one end of the resistor, It is preferable to connect the other end of the resistance element to the second power source.
본 발명의 반도체 장치에 있어서, 상기 스플리터 회로를 포함하는 것이 바람직하다.In the semiconductor device of the present invention, the splitter circuit is preferably included.
본 발명의 스플리터 장치에 있어서, 저항 소자를 제외한 상기 스플리터 회로를 포함하는 반도체 장치를 포함하여, 저항 소자는, 반도체 장치의 외부에 있으며, 반도체 장치와 본딩 와이어를 개재하여 접속되도록 하여도 좋다.In the splitter device of the present invention, the semiconductor device including the above-described splitter circuit except for the resistance element may be provided outside the semiconductor device and connected to the semiconductor device via a bonding wire.
이상과 같은 스플리터 회로에 있어서, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되는 경우, 출력 단자에 있어서, 위상 시프트가 없는 신호와 180도 시프트 되는 신호에 의한 캔슬이 생긴다. 또한, 제1의 전원이 제1 및 제2의 증폭기에 공급되지 않는 경우, 출력 단자 사이가 개방 상태로 된 임피던스 회로로 차단된다. 따라서, 제1의 전원의 공급의 유무에 관계없이, 출력 단자 간의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다.In the splitter circuit as described above, when the first power source is supplied to the first and second amplifiers, cancellation occurs due to a signal without phase shift and a signal shifted by 180 degrees at the output terminal. In addition, when the first power source is not supplied to the first and second amplifiers, it is interrupted by an impedance circuit in which the output terminals are open. Therefore, the isolation between the output terminals can be maintained regardless of whether the first power is supplied.
이하, 실시예에 즉응하여, 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, it demonstrates in detail with reference to drawings, in response to an Example.
(실시예 1)(Example 1)
도 1은, 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도1에 있어서, 1은 입력 포트, 2, 3은 출력 포트를 나타낸다. 입력 포트(1)에는, DC커트용 용량 소자(5, 10)를 개재하여 증폭용의 FET(6, 11)의 게이트가 접속된다.FET(6, 11)의 소스는, 각각 소스 회로(20, 21)을 개재하여 접지된다.또한, FET(6, 11)의 드레인은, 각각 피드백 회로(4, 9)를 개재하여 입력 포트(1)에 접속됨과 동시에, 각각 출력 포트(2, 3)에도 접속된다. 또한 DC전압을 공급하기 위하여, FET(6, 11)의 게이트는, 각각 게이트 바이어스 회로(7, 12)를 개재하여 전원(8)에 접속되며, 각각의 드레인도 드레인 바이어스 회로(13, 14)를 개재하여 전원(8)에 접속된다. 게이트 바이어스 회로(7, 12) 및 드레인 바이어스 회로(13, 14)는, RF신호를 통과시키지 않는 회로, 예를 들어 인덕터, 저항소자, 이들의 조합 등으로 구성된다.1 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a first embodiment of the present invention. In Fig. 1, 1 denotes an input port, and 2 and 3 denote an output port. The
또한, 다이오드(17, 18)의 애노드는, 각각 인덕터(15, 16)를 개재하여 출력 포트(2, 3)에 접속된다. 다이오드(17)의 캐소드와 다이오드의(18)의 캐소드는, 공통으로 접속되고, 저항소자(19)를 개재하여 접지된다. 여기서, 저항 소자(19)의 저항치는, 다이오드(17, 18)의 ON저항치에 비해 충분히 큰 값으로 한다. 또한, 저항 소자(19)의 저항치는, FET(6, 11)가 동작 상태, 즉 전원(8)으로부터 예를 들어 5V의 전압이 공급되어 있는 경우에, 다이오드 17 및 18이 ON상태가 되도록 애노드, 캐소드 사이에 전압이 걸리도록, 최적화되어 있는 것으로 한다.The anodes of the
도1에 있어서, FET(6, 11)가 동작 상태인 경우, 즉 전원(8)으로부터 예를 들어 5V의 전압이 공급되어 있는 경우는, 이하와 같이 동작한다. 이 때, 다이오드(17, 18)는, 최적화 된 저항소자(19)에 의해, ON상태로 되어 있다.In Fig. 1, when the
출력포트(2)로부터 입력된 RF신호는, 피드백 회로(4) 혹은 FET(6)을 통과하는 신호와 인덕터(15)를 통과하는 신호로 분기된다. 피드백 회로(4) 혹은 FET(6)를 통과하는 신호는, FET(11)의 게이트로 입력되고, 증폭되어 출력포트(3)로 출력되며, 이 때 위상이 180도 시프트된다. 한편, 인덕터(15, 16)의 값이 작고, 저항소자(19)의 저항치가 다이오드(17, 18)의 ON저항보다 충분히 큰 경우, 인덕터(15)를 통과하는 신호는, 위상 시프트 되지 않고, 다이오드(17, 18), 인덕터(16)을 통과하여 출력포트(3)로 출력된다. 따라서, 다이오드(17, 18)의 ON저항을 최적화 하면, 출력포트(3)에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션(cancellation)이 일어나고, 출력포트(3)로부터의 신호는 감쇠하기 때문에, 포트(2, 3) 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 또한, 캔슬되는 두 개의 신호의 위상차가, 배선이나 FET특성 등의 영향으로, 180도로 되지 않는 경우에는, 인덕터(15, 16)의 인덕턴스를, 위상차가 180도로 되어 캔슬되도록 조정한다. 또한, 포트(3)로부터 입력된 RF신호에 대해서도 마찬가지로 출력포트(2)에 있어서 캔슬된다.The RF signal input from the
한편, 도1에 있어서, FET(6, 11)이 OFF상태인 경우, 즉 전원(8)이 예를 들어 0V인 경우는, 이하와 같이 동작한다. 이 때, 다이오드(17, 18)는, 애노드, 캐소드 사이에 전압이 걸리지 않기 때문에, OFF상태로 되어 있다.On the other hand, in Fig. 1, when the
출력포트(2)로부터 입력된 RF신호는, FET(6), 다이오드(17)가 OFF상태이기 때문에, 대부분이 피드백 회로 4 및 9를 개재하여 출력포트(3)로부터 출력된다. 이 경우, 피드백 회로(4, 9)는, 일반적으로 고저항이기 때문에, 출력포트(3)에 있어서의 신호는 작고, 아이솔레이션은 악화되지 않는다. 또한, 출력포트(3)로부터 입력된 RF신호에 대해서도 마찬가지로 포트(2)에 있어서 신호는 작고, 아이솔레이션은 악화되지 않는다.Since the
도 2는, 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF상태인 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다. 즉, 종래의 스플리터 회로에 있어서의 출력 포트 간의 저항 R3을, 본 실시예에서는, FET의 OFF시에 맞추어 OFF되는 다이오드(17, 18)로 치환함으로써, OFF시의 아이솔레이션 특성을 대폭으로 개선할 수가 있다(도 10의 곡선 B대 도 2의 곡선 B).Fig. 2 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the first embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in an operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in an OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF. That is, in the present embodiment, the resistance R3 between the output ports in the conventional splitter circuit is replaced with the
(실시예 2)(Example 2)
도 3은, 본 발명의 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도3에 있어서, 도1과 동일한 부호는 동일물로 나타내고, 그 설명을 생략한다. 도3의 저항소자(19a)는, 도1의 저항소자(19)와 같은 것이지만, IC의 외부 부품으로서 구성되는 점이 제1 실시예와 다르다. 22는, IC와 외부 부품으로 되는 저항소자(19a)를 접속하기 위한 본딩 와이어로, 다이오드(17, 18)의 캐소드와 저항소자(19a)의 일단을 접속한다. 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 동작은, 실시예1과 마찬가지이며, 같은 효과를 가져온다. 3 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a second embodiment of the present invention. In Fig. 3, the same reference numerals as those in Fig. 1 are represented by the same elements, and the description thereof is omitted. The
본 실시예에서는, 저항소자(19a)를 외부 부품으로 함으로써, 출력포트(2, 3) 사이의 아이솔레이션 특성을 변경하기 위한 저항소자(19a)의 저항치의 조정이, 외부에 있어서 조정 가능하며 용이하다. 또한, 저항소자(19a)로서, 적절한 온도 특성을 가지는 부품을 사용함으로써, 출력 포트 간의 아이솔레이션 특성에 있어서의 온도 특성을 개선할 수가 있다.In this embodiment, by using the
(실시예 3)(Example 3)
도 4는, 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 4에 있어서, 입력 포트 IN, 출력 포트 OUT1~OUTn, 용량 소자 C1~Cn, FET MN1~MNn, 소스 회로 SC1~SCn, 피드백 회로 FC1~FCn, 게이트 바이어스 회로 GC1~GCn, 드레인 바이어스 회로 DC1~DCn, 전원 VDD, 다이오드D12~Dnn-1, 인덕터 L12~Lnn-1, 저항소자 R12~Rn-1n은, 도1의 입력 포트(1), 출력 포트(2, 3), 용량 소자(5, 10), FET (6, 11) 소스 회로(20, 21), 피드백 회로(4, 9), 게이트 바이어스 회로(7, 12), 드레인 바이어스 회로(13, 14), 전원(8), 디이오드(17, 18), 인덕터(15, 16), 저항 소자(19)에 각각 상당하고, 마찬가지로 동작한다.4 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a third embodiment of the present invention. 4, input ports IN, output ports OUT1 to OUTn, capacitors C1 to Cn, FET MN1 to MNn, source circuits SC1 to SCn, feedback circuits FC1 to FCn, gate bias circuits GC1 to GCn, drain bias circuits DC1 to DCn, the power supply VDD, the diodes D12 to Dnn-1, the inductors L12 to Lnn-1, and the resistance elements R12 to Rn-1n are the
도 1의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 2개의 증폭부가 존재하고 있다. 이에 대하여, 도4의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 n개의 증폭부가 존재하고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이에 각각 임피던스 회로가 배치된다. 이들 임피던스 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로, 증폭부 내의 FET가 동작 상태일 때에, 출력 포트에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션이 일어나고, 출력 포트로부터의 신호는 감쇠한다. 따라서, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 한편, 2개의 증폭부 내의 FET가 OFF상태일 때에, 임피던스 회로가 하이 임피던스로 되고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션은, 악화되지 않는다.In the splitter circuit of FIG. 1, two amplification units having input terminals in common exist. On the other hand, in the splitter circuit of Fig. 4, n amplification sections having input terminals in common exist, and an impedance circuit is disposed between output terminals of the two amplification sections. These impedance circuits, like the first embodiment, cancel when a FET in the amplifier is in an operating state, between a signal whose phase is shifted by 180 degrees and a signal without phase shift, at the output port, The signal from the output port is attenuated. Thus, the isolation between the output terminals of the two amplifiers is improved. On the other hand, when the FETs in the two amplifier sections are in the OFF state, the impedance circuit becomes high impedance, and the isolation between the output terminals of the two amplifier sections does not deteriorate.
도5는, 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타낸 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF상태일 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다.Fig. 5 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the third embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in the operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in the OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF.
제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 따르면, 3분기 이상의 경우의 구성이더라도, 제1 실시예와 마찬가지로 출력 단자 사이의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다. 또한, 저항소자R12~Rn-1n을 외부 부품으로 하고, 이들을 본딩 와이어로 접속되도록 하여도 좋은 것은, 제2 실시예와 마찬가지이다. 또한, 상기에 있어서, n=2로 하면 도1과 일치한다. According to the splitter circuit according to the third embodiment, even if the configuration is three or more quarters, isolation between output terminals can be maintained similarly to the first embodiment. In addition, the resistance elements R12 to Rn-1n may be external components, and they may be connected by bonding wires in the same manner as in the second embodiment. In addition, when n = 2, it corresponds with FIG.
(실시예 4)(Example 4)
도 6은, 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 6에 있어서, 도 4와 동일한 부호는, 동일물을 나타내며, 그 설명을 생략한다. 도 6에 나타낸 스플리터 회로는, 도 4의 다이오드D12~Dnn-1, 인덕터L12~Lnn-1, 저항소자R12~Rn-1n으로 바꾸고, 다이오드D1~Dn, 인덕터L1~Ln, 저항소자R0을 구비한다.6 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 6, the same code | symbol as FIG. 4 represents the same thing, and the description is abbreviate | omitted. The splitter circuit shown in FIG. 6 is replaced with diodes D12 to Dnn-1, inductors L12 to Lnn-1, resistors R12 to Rn-1n in FIG. 4, and includes diodes D1 to Dn, inductors L1 to Ln, and resistors R0. do.
인덕터Li, 다이오드Di로 이루어진 직렬 회로는, 출력 포트 OUTi와 저항소자R0의 일단과의 사이에 구비된다. 저항소자R0는, 일단을 다이오드D1~Dn의 캐소드에 공통으로 접속되고, 타단을 접지한다.A series circuit composed of an inductor Li and a diode Di is provided between the output port OUTi and one end of the resistor R0. One end of the resistor R0 is commonly connected to the cathodes of the diodes D1 to Dn, and the other end is grounded.
이와 같은 구성의 스플리터 회로는, 입력 단자를 공통으로 하는 n개의 증폭부가 존재하고, n개의 증폭부의 출력 단자에 각각 임피던스 회로의 부분(다이오드와 인덕터의 직렬세트)이 배치된 2개의 증폭부의 사이에 1개의 임피던스회로가 형성된다. 이 임피던스 회로는, 제1 실시예와 마찬가지로, 증폭부 내의 FET가 동작 상태일 때에, 출력 포트에 있어서, 위상이 180도 시프트 된 신호와, 위상 시프트가 없는 신호와의 사이에서 캔슬레이션이 일어나고, 출력 포트로부터의 신호는 감쇠한다. 따라서, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션이 개선된다. 한편, 2개의 증폭부 내의 FET가 OFF상태일 때에, 임피던스 회로가 하이 임피던스로 되고, 2개의 증폭부의 출력 단자 사이의 아이솔레이션은, 악화되지 않는다.In the splitter circuit having such a configuration, there are n amplification parts having common input terminals, and between two amplification parts each having a portion of an impedance circuit (series of diodes and inductors) arranged at the output terminals of the n amplification parts. One impedance circuit is formed. In the impedance circuit, as in the first embodiment, when the FET in the amplifier is in an operating state, cancellation occurs between the signal whose phase is shifted by 180 degrees and the signal without phase shift in the output port. The signal from the output port is attenuated. Thus, the isolation between the output terminals of the two amplifiers is improved. On the other hand, when the FETs in the two amplifier sections are in the OFF state, the impedance circuit becomes high impedance, and the isolation between the output terminals of the two amplifier sections does not deteriorate.
도 7은, 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타낸 도이다. 곡선A는 FET가 동작 상태일 때, 곡선B는 FET가 OFF 상태일 때의 특성으로, ON, OFF에 관계없이, 양호한 아이솔레이션 특성이 유지되고 있는 것이 나타난다.Fig. 7 is a diagram showing isolation characteristics in the splitter circuit according to the fourth embodiment of the present invention. Curve A is a characteristic when the FET is in an operating state, and curve B is a characteristic when the FET is in an OFF state, and it shows that good isolation characteristics are maintained regardless of ON or OFF.
제4도의 실시예에 관한 스플리터 회로에 따르면, 3분기 이상의 경우의 구성이더라도, 제1 실시예와 마찬가지로 출력 단자 사이의 아이솔레이션을 유지할 수가 있다. 또한, 저항소자 R0을 외부 부품으로 하고, 이들을 본딩 와이어로 접지하도록 하여도 좋다는 것은, 제2 실시예와 마찬가지이다. 또한, 상기에 있어서, n=2로 하면, 도1과 일치한다.According to the splitter circuit according to the embodiment of FIG. 4, even in the case of three or more quarters, isolation between output terminals can be maintained similarly to the first embodiment. In addition, it is the same as that of 2nd Example that resistance element R0 may be made into an external component, and these may be made to ground with a bonding wire. In addition, when n = 2, it corresponds with FIG.
(실시예 5)(Example 5)
도 8은, 본 발명의 제5 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다. 도 8에 있어서, 도 6과 동일한 부호는, 동일물을 나타내며, 그 설명을 생략한다. 도 8에 나타낸 스플리터 회로는, 도 6의 다이오드D2, D4~Dn, 임피던스L2, L4~Ln을 생략한 회로이다. 이 스플리터 회로는, 출력 포트 OUT1, OUT3에 관하여, 제1 실시예에 관한 스플리터 회로와 동일 구성으로 된다.8 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fifth embodiment of the present invention. In FIG. 8, the same code | symbol as FIG. 6 represents the same thing, and the description is abbreviate | omitted. The splitter circuit shown in FIG. 8 is a circuit in which diodes D2, D4-Dn, impedance L2, and L4-Ln of FIG. 6 are omitted. This splitter circuit has the same configuration as the splitter circuit according to the first embodiment with respect to the output ports OUT1 and OUT3.
모든 출력 포트 사이의 양호한 아이솔레이션 특성이 필요 없고, 예를 들어 출력 포트 OUT1, OUT3의 사이의 아이솔레이션만 필요한 경우, 출력 포트 OUT1, OUT3에만 인덕터L1, L3 및 다이오드 D1, D3을 각각 접속한다. 이와 같은 구성에 의하면, 실시예 3, 4에 비해 회로의 간략화를 꾀할 수 있다.If good isolation characteristics between all output ports are not required, and only isolation between output ports OUT1 and OUT3 is required, for example, inductors L1, L3 and diodes D1, D3 are connected to only output ports OUT1, OUT3. According to such a structure, a circuit can be simplified compared with Example 3, 4.
또한, 상술한 특허 문헌 등의 각 개시를, 본서에 인용으로 넣는 것으로 한다. 본 발명의 전 개시(청구의 범위를 포함)의 범위 내에서, 그리고 그 기본적 기술 사상에 근거하여, 실시 형태 내지 실시예의 변경ㆍ조정이 가능하다. 또한, 본 발명의 청구의 범위의 범위 내에서 여러 가지 개시 요소의 다양한 조합 내지 선택이 가능하다. 즉, 본 발명은, 본 발명의 청구의 범위를 포함하는 전 개시, 기술적 사상에 따라 당업자라면 할 수 있을 각종 변형, 수정을 포함하는 것은 물론이다.In addition, each indication, such as the above-mentioned patent document, shall be quoted in this book. Changes and adjustments of the embodiments to the examples are possible within the scope of the entire disclosure of the present invention (including the claims) and based on the basic technical idea. In addition, various combinations and selections of various disclosed elements are possible within the scope of the claims of the present invention. That is, of course, this invention includes the various deformation | transformation and correction which a person skilled in the art can make according to the prior indication and technical idea including the Claim of this invention.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.1 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a first embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 2 is a diagram showing isolation characteristics in the splitter circuit according to the first embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.3 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a second embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a third embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 5 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the third embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 관한 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.Fig. 7 is a diagram showing the isolation characteristics in the splitter circuit according to the fourth embodiment of the present invention.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 관한 스플리터 회로의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a splitter circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
도 9는 종래의 스플리터 회로의 회로도이다.9 is a circuit diagram of a conventional splitter circuit.
도 10은 종래의 스플리터 회로에 있어서의 아이솔레이션 특성을 나타내는 도이다.10 is a diagram showing isolation characteristics in a conventional splitter circuit.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1 : 입력 포트 2, 3 : 출력 포트1:
4, 9 : 피드백 회로 5, 10 : 용량 소자4, 9:
6, 11 : FET 7, 12 : 게이트 바이어스 회로6, 11:
8 : 전원 13, 14 : 드레인 바이어스 회로8:
15, 16 : 인덕터 17, 18 : 다이오드15, 16:
19, 19a : 저항소자 20, 21 : 소스 회로19, 19a:
22 : 본딩 와이어 C1~Cn : 용량소자22: bonding wire C1 ~ Cn: capacitor
C1~Cn, D12~Dnn-1 : 다이오드 DC1~DCn : 드레인바이어스회로C1 ~ Cn, D12 ~ Dnn-1: Diode DC1 ~ DCn: Drain bias circuit
FC1~FCn : 피드백 회로 GC1~GCn : 게이트바이어스회로FC1 to FCn: Feedback circuit GC1 to GCn: Gate bias circuit
IN : 입력 포트 L1~Ln, L12~Lnn-1 : 인덕터IN: Input port L1 ~ Ln, L12 ~ Lnn-1: Inductor
MN1~MNn : FET OUT1~OUTn : 출력포트MN1 ~ MNn: FET OUT1 ~ OUTn: Output port
R0, R12~Rn-1n : 저항소자 SC1~SCn : 소스 회로R0, R12 to Rn-1n: Resistor elements SC1 to SCn: Source circuit
VDD : 전원VDD: Power
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