KR100987993B1 - Carbon nano tube film having excellent conductivity and optical transparency, and electronic devices and optical transmission type electrode obtained by using thereof - Google Patents

Carbon nano tube film having excellent conductivity and optical transparency, and electronic devices and optical transmission type electrode obtained by using thereof Download PDF

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Abstract

본 발명은 탄소나노튜브 필름의 기판간 접합력을 개선시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 저항을 저감시키는 방법과, 이로부터 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름을 이용하여 전자 소자 및 광 투과형 전극을 제조하는 방법에 관한 것으로, 아크 방전을 이용하여 탄소나노튜브가 흡착된 기판을 제조한 다음 상기 기판상에 유기 용매로 표면처리하여 탄소나노튜브가 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하고, 얻어진 탄소나노튜브 필름을 산화성 가스 분위기 하에 온도를 올려 비정질 탄소 및 탄소나노튜브 이외의 탄소 나노 입자들을 제거하고 산성 용액으로 촉매 금속 입자들을 제거하여 전기전도도 및 광 투과율을 개선시키며, 나아가 포토레지스트 코팅, 노광 고정, SOG 도포, 박막 증착 공정을 통해 전자 소자 제작이 가능하며, 미세 패턴 형태의 전극을 제조하는 것으로 구성되어 있다.The present invention provides a method of improving the bonding strength between carbon nanotube films and reducing the electrical bonding resistance between carbon nanotubes in a carbon nanotube film, and using the carbon nanotube film having excellent electrical conductivity and light transmittance. A method of manufacturing a device and a light transmissive electrode, comprising: preparing a substrate on which carbon nanotubes are adsorbed by using arc discharge, and then surface treating the substrate with an organic solvent to arrange the carbon nanotubes horizontally The resulting carbon nanotube film was heated in an oxidizing gas atmosphere to remove carbon nanoparticles other than amorphous carbon and carbon nanotubes, and catalyst metal particles were removed with an acidic solution to improve electrical conductivity and light transmittance. Through photoresist coating, exposure fixation, SOG coating, and thin film deposition It is possible to manufacture electronic devices, and it is composed of manufacturing electrodes of fine pattern form.

본 발명의 방법에 따르면, 탄소나노튜브 필름 제작과 함께 탄소나노튜브의 수평 배열을 도입하여 대면적화가 가능할 뿐 아니라 간단하고 저렴한 방법에 의해 탄소나노튜브 필름의 전기전도도 및 광 투과율을 개선시킬 수 있다. 또한, 이렇게 표면처리된 탄소나노튜브필름은 전자파 차폐, 전기화학적 저장장치(2차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 캐패시터)의 전극, 광 투과형 전극뿐만 아니라, 탄소나노튜브 트랜지스터, 센서 소자 및 유무기 오염원에 대한 선택적 흡착 성능을 발휘할 수 있는 필터에 사용될 수 있다. According to the method of the present invention, a large area can be obtained by introducing a horizontal arrangement of carbon nanotubes together with the production of a carbon nanotube film, and the electrical conductivity and light transmittance of the carbon nanotube film can be improved by a simple and inexpensive method. . In addition, the surface-treated carbon nanotube film is not only used for electromagnetic shielding, electrodes of electrochemical storage devices (secondary cells, fuel cells or supercapacitors), light transmitting electrodes, but also for carbon nanotube transistors, sensor elements, and organic and inorganic pollutants. It can be used in a filter that can exhibit a selective adsorption performance for.

탄소나노튜브 필름, 수평 배열, 유기용매, 전기전도도, 광 투과율 Carbon nanotube film, horizontal arrangement, organic solvent, electrical conductivity, light transmittance

Description

전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름, 및 이로부터 얻어진 전자 소자 및 광 투과형 전극 {Carbon nano tube film having excellent conductivity and optical transparency, and electronic devices and optical transmission type electrode obtained by using thereof}Carbon nanotube film having excellent conductivity and optical transparency, and electronic devices and optical transmission type electrode obtained by using according to carbon nanotube film having excellent electrical conductivity and light transmittance.

본 발명은 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름, 및 이로부터 얻어진 전자 소자 및 광 투과형 전극에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는, 탄소나노튜브 필름의 탄소나노튜브와 기판간 접합력을 증대시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 전기적 저항을 저감시키는 방법과, 이로부터 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 탄소나노튜브 필름을 이용하여 전자 소자 및 광 투과형 전극을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a carbon nanotube film having excellent electrical conductivity and light transmittance, and an electronic device and a light transmitting electrode obtained therefrom, and more specifically, to a carbon nanotube of a carbon nanotube film. By increasing the bonding force between substrates and increasing the probability of electrical bonding between carbon nanotubes in the carbon nanotube film to reduce the electrical resistance of the carbon nanotube film, and using the carbon nanotube film having excellent electrical conductivity and light transmittance A method of manufacturing an electronic device and a light transmitting electrode.

다중벽 탄소나노튜브는 직경이 수십~수백 나노미터 이내이며, 그 길이가 수 마이크로에서 수백 마이크로에 이를 정도로 구조의 비등방성이 크다. 또한, 역학적으로도 견고하고(강철의 100 배 정도), 화학적인 안정성도 뛰어나며, 열전도도가 높고, 속이 비어있는 특성을 가진다. 이러한 탄소 나노튜브는 전자파 차폐, 전 기화학적 저장장치(2차 전지,연료 전지 또는 수퍼 캐패시터)의 전극, 전계 방출 디스 플레이, 전자 증폭기, 또는 가스 센서 등에 적용하는 연구가 활발하다.Multi-walled carbon nanotubes have a diameter of several tens to hundreds of nanometers, and the structure is largely anisotropic, ranging from several micros to hundreds of microns. In addition, it is mechanically strong (about 100 times as much as steel), has excellent chemical stability, high thermal conductivity, and hollow characteristics. Such carbon nanotubes are actively applied to electromagnetic shielding, electrodes of electrochemical storage devices (secondary cells, fuel cells or supercapacitors), field emission displays, electronic amplifiers, or gas sensors.

탄소나노튜브의 비표면적은, 대체로 100 ~ 400 ㎥/g으로서 다른 활성 탄소에 비해 작은 편이지만, 전기 화학적 저장이나 가스센서 및 전자파 차폐에 우수한 성능을 보이고 있다. 그리고, 비표면적을 증가시킨 탄소나노튜브는 더욱 우수한 특성을 발휘할 것으로 보인다.Carbon nanotubes have a specific surface area of 100 to 400 m 3 / g, which is smaller than other activated carbons, but shows excellent performance in electrochemical storage, gas sensors, and electromagnetic shielding. In addition, carbon nanotubes with increased specific surface area are expected to exhibit more excellent properties.

특히, 비표면적이 증가된 탄소나노튜브는 오폐수 처리, 소각로 및 화학공정 시설에서의 유해 배기 가스의 흡착 및 제거, 전기 전자 제조과정에서의 미량의 유해가스 제거, 유해물질과 세균 등을 제거하는 필터에 응용할 수 있다.In particular, carbon nanotubes with increased specific surface area are filters for wastewater treatment, adsorption and removal of harmful exhaust gases from incinerators and chemical process facilities, removal of traces of harmful gases in electrical and electronic manufacturing, and removal of harmful substances and bacteria. Applicable to

따라서, 비표면적을 증가시키기 위한 다양한 방법들이 시도되었는데, 한 예로서, 한국특허출원 제1998-7009168에서는 합성된 탄소나노섬유에 얇은 탄소막을 피복한 다음, 증기, 이산화탄소 또는 공기를 이용하여 얇은 탄소막의 선택적 산화 등의 방법을 통한 활성화 방법 및 표면을 하나 이상의 물질과 반응 또는 접촉시켜 작용기를 부착시키는 방법을 통해 활성화시키는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 이러한 방법은 우선 탄소나노섬유에 얇은 탄소막을 피복하는 별도의 공정이 필요하므로, 대량 생산시에 비용이 상승하는 문제점을 안고 있다.Therefore, various methods for increasing the specific surface area have been attempted. For example, in Korean Patent Application No. 1998-7009168, a thin carbon film is coated on the synthesized carbon nanofibers, and then steam, carbon dioxide or air is used to Methods of activation through methods such as selective oxidation and methods of activating surfaces by reacting or contacting one or more materials to attach functional groups are disclosed. However, such a method requires a separate process of first coating a thin carbon film on carbon nanofibers, and thus has a problem in that cost increases during mass production.

또한, 한국특허출원 제2002-0030684에서는 진공 분위기 또는 불활성 분위기에서 탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유 100 중량부를 기준으로 30 내지 1000 중량부 의 알칼리 화합물과 혼합한 후 500 내지 1500℃로 20 분 내지 120 분간 처리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 또는 탄소나노섬유의 표면처리방법 및 이에 사용되는 장치를 개시하고 있다. 그러나, 이러한 고온에서의 처리는 탄소나노튜브의 결정성을 높이든지, 아니면 탄소나노튜브내에 알카리 금속의 doping을 유도하기 위한 열처리 방법으로서, 필름형태로 제작한 뒤 이를 다시 열 산화 공정 및 산 용액 식각 공정을 수행하는 것은 아닌 것이다. In addition, Korean Patent Application No. 2002-0030684 is mixed with 30 to 1000 parts by weight of an alkali compound based on 100 parts by weight of carbon nanotubes or carbon nanofibers in a vacuum atmosphere or an inert atmosphere, and then 20 minutes to 120 minutes at 500 to 1500 ° C. Disclosed is a method of treating a surface of a carbon nanotube or carbon nanofiber, and a device used therein, the method comprising treating the carbon nanotube or the carbon nanofiber. However, the treatment at high temperature is a heat treatment method for increasing the crystallinity of carbon nanotubes or inducing the doping of alkali metals in the carbon nanotubes. It is not to carry out the process.

이뿐 아니라 Zhong Chen에 의한 "Transparent, conductive carbon nanotube films", 2004, Science에 따르면, 탄소나노튜브를 분산한 뒤 이를 필터링 공정을 이용하여 필터 위에 탄소나노튜브 필름을 형성한 뒤 이를 기판상에 위치시켜 필터를 녹이는 2단계 공정을 수행하여 탄소나노튜브 필름을 형성하는 기술이 개시되어 있으나, 상기 공정에서 사용되는 필터는 나노 크기의 멤브레인을 사용하며, 고분자 계열의 나노 멤브레인과 양극 산화된 알루미늄 산화물을 이용하는 경우가 일반적으로, 이 경우 고분자 계열의 나노 멤브레인 필터의 크기에 의해서 탄소나노튜브 필름의 크기가 정해 지는데, 일반적으로 10 cm를 넘지 못하므로 대면적 공정에는 한계가 있을 뿐 아니라 또한 공정이 번거로워 탄소나노튜브 필름 제작 시간 및 비용이 많이 소요되는 단점이 있다. In addition, according to Zhong Chen's "Transparent, conductive carbon nanotube films", 2004, Science, carbon nanotubes were dispersed and formed using a filtering process to form a carbon nanotube film on a filter and placed it on a substrate. A technique of forming a carbon nanotube film by performing a two-step process of melting a filter is disclosed, but the filter used in the process uses a nano-sized membrane, and uses a polymer-based nanomembrane and anodized aluminum oxide. In general, in this case, the size of the carbon nanotube film is determined by the size of the polymer-based nano-membrane filter, which generally does not exceed 10 cm, so the large-area process is limited and the process is cumbersome. There is a disadvantage that the tube film production time and cost is high.

따라서, 본 발명은 이러한 종래 기술의 문제점과 과거로부터 요청되어온 기 술적 과제를 일거에 해결하는 것을 목적으로 한다.Therefore, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art and the technical problems that have been requested from the past.

즉, 본 발명의 목적은 아크 방전법에 의해서 생성된 탄소나노튜브를 아크 방전중에 기판을 아크 방전 챔버내에 장착하여 기판상에 흡착시킨다. 흡착된 기판을 유기 용매로 표면처리함으로써, 탄소나노튜브와 기판간 접합력을 증대시킬 뿐 아니라 대면적화가 가능한 탄소나노튜브 필름을 제작하는 방법을 제공하려는데 있다. That is, it is an object of the present invention to mount a carbon nanotube produced by the arc discharge method during the arc discharge and mount the substrate in the arc discharge chamber to adsorb it onto the substrate. By surface-treating the adsorbed substrate with an organic solvent, it is to provide a method for producing a carbon nanotube film that can increase the bonding strength between the carbon nanotubes and the substrate as well as large area.

본 발명의 다른 목적은, 이러한 방법에 의해 탄소나노튜브가 수평으로 배열되어 탄소나노튜브와 기판간 접합력 및 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 전기적 저항을 낮추어 전기전도도 및 광투과율이 우수하여, 전극이나 필터 등에 사용될 수 있는 고기능성 활성 탄소나노튜브필름을 제공하려는데 있다.Another object of the present invention is to arrange the carbon nanotubes horizontally by this method, thereby increasing the bonding force between the carbon nanotubes and the substrate and the electrical bonding probability between the carbon nanotubes, thereby lowering the electrical resistance of the carbon nanotube film, thereby reducing the electrical conductivity and the light transmittance. The superiority of the present invention is to provide a highly functional activated carbon nanotube film that can be used for electrodes or filters.

본 발명의 또다른 목적은, 이와 같이 하여 얻어진 탄소나노튜브 필름으로부터 전자 소자 및 광 투과형 전극을 제조하는 방법을 제공하려는데 있다. Another object of the present invention is to provide a method for producing an electronic device and a light transmitting electrode from the carbon nanotube film thus obtained.

본 발명의 일견지에 의하면, According to one aspect of the invention,

아크 방전 챔버내에 기판을 삽입한 후, 아크방전을 일으켜 아크 플라즈마에 의해 기화된 탄소 원자와 촉매 금속원자들이 냉각 및 응축하는 과정에서 단일벽 혹은 다중벽 탄소나노튜브가 기판에 약한 결합으로 흡착시키는 제 1공정,After the substrate is inserted into the arc discharge chamber, an arc discharge causes the single-walled or multi-walled carbon nanotubes to adsorb weakly to the substrate during the cooling and condensation of the carbon atoms and the catalytic metal atoms vaporized by the arc plasma. 1 step,

상기 제 1공정을 거친 기판에 유기 용매를 사용하여 표면처리하는 제 2공정;을 포함하는 탄소나노튜브가 기판상에 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 필름의 탄소나노튜브와 기판간 접합력을 증대시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 전기적 저항을 저감시키는 방법을 제공한다.』로 보정하고,A second step of surface treatment using an organic solvent on the substrate having undergone the first step; carbon of the carbon nanotube film comprising a carbon nanotube film including a horizontally arranged carbon nanotube film on the substrate; The present invention provides a method of reducing the electrical resistance of a carbon nanotube film by increasing the bonding force between the nanotube and the substrate and increasing the electrical bonding probability between the carbon nanotubes in the carbon nanotube film.

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본 발명의 제2견지에 의하면, According to the second aspect of the present invention,

일 견지의 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브가 수평으로 배열되어 전기전도도 및 광 투과율이 증가된 탄소나노튜브 필름을 제공한다. Carbon nanotubes prepared by one method are arranged horizontally to provide a carbon nanotube film with increased electrical conductivity and light transmittance.

본 발명의 제3견지에 의하면, According to the third aspect of the present invention,

제2견지의 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속 합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질 및 포토레지스트층을 코팅하는 단계; 를 포함하여 이루어지는 전자 소자 제작공정, 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 전자 소자 및 광 투과형 전극의 제작방법을 제공한다. Coating a metal layer, a metal alloy layer, a metal oxide, an organic thin film, a nitride, a ceramic material, and a photoresist layer on the carbon nanotube film of the second aspect; It provides an electronic device manufacturing process, an electrical conductivity and a light transmittance excellent in manufacturing an electronic device comprising a.

이하, 본 발명에 대하여 보다 상세하게 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

본 발명에서는 아크 방전 챔버내에 기판을 삽입한 후, 아크방전을 일으켜 아크 플라즈마에 의해 기화된 탄소 원자와 촉매 금속원자들이 냉각 및 응축하는 과정에서 단일벽 혹은 다중벽 탄소나노튜브가 기판에 약한 결합으로 흡착시키는 제1 공정, 상기 제 1공정을 거친 기판에 유기 용매를 사용하여 표면처리하는 제 2공정;을 포함하는 탄소나노튜브가 기판상에 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the single-walled or multi-walled carbon nanotubes are weakly bonded to the substrate in the process of cooling and condensing the carbon atoms and the catalytic metal atoms vaporized by the arc plasma after the substrate is inserted into the arc discharge chamber. A carbon nanotube film comprising a first step of adsorbing, a second step of surface treatment using an organic solvent on the substrate subjected to the first step; .

본 발명의 아크 방전법은 통상 이용가능한 방법이라면 제한없이 사용가능한 것으로, 이에 한정하는 것은 아니나 일례를 들어보면, 챔버 내부를 진공으로 만들고 여기에 300 내지 400 torr의 압력으로 아르곤 가스, 헬륨 가스나 수소가스를 흘려주면서, 챔버내에 설치된 양극 탄소봉과 음극 탄소봉 사이의 간격을 약 1 ㎜로 한 상태에서, 여기에 10 내지 30 V의 직류전압을 인가하면, 두 전극 사이에 아크가 발생하게 되고, 이러한 아크 방전에 의해 복합 다중벽 탄소나노튜브(MWNT: MultiWall NanoTube)나 단일벽 탄소나노튜브(SWNT: SingleWall NanoTube)가 제조되게 된다. 아크 방전의 전류량, 인가시간, 전압, 촉매, 불활성 분위기 등에 의해 탄소나노튜브의 종류, 크기 및 수율이 정해진다. 참고로, 다중벽 탄소나노튜브의 경우 음극쪽의 흑연 판 위에서 직접 아크 플라즈마의 영향을 직접 받고 성장하는 다중벽 탄소나노튜브는 아크 방전법에 의해서 직접 기판에 성장하기는 불가능하지만, 아크 플라즈마에 의해서 기화된 탄소와 촉매 금속의 응축 및 냉각과정에 의해서 합성된 단중벽 탄소나노튜브 및 이중벽 탄소나노튜브의 경우, 기판에 직접적인 아크 플라즈마의 영향을 받지 않고도 단중벽 탄소나노튜브 및 이중벽 탄소나노튜브가 부착될 수 있다. The arc discharge method of the present invention can be used without limitation as long as it is a conventionally available method, but is not limited thereto. For example, the inside of the chamber is made into a vacuum and argon gas, helium gas or hydrogen at a pressure of 300 to 400 torr. While flowing gas, when a DC voltage of 10 to 30 V is applied thereto while the gap between the anode carbon rod and the cathode carbon rod installed in the chamber is approximately 1 mm, an arc is generated between the two electrodes. By discharging, composite multi-walled carbon nanotubes (MWNT: MultiWall NanoTube) or single-walled carbon nanotubes (SWNT: SingleWall NanoTube) are manufactured. The type, size, and yield of carbon nanotubes are determined by the amount of arc discharge current, application time, voltage, catalyst, and inert atmosphere. For reference, in the case of multi-walled carbon nanotubes, the multi-walled carbon nanotubes grown under the influence of the arc plasma directly on the graphite plate on the cathode side cannot be directly grown on the substrate by the arc discharge method. In the case of single-walled carbon nanotubes and double-walled carbon nanotubes synthesized by condensation and cooling of vaporized carbon and catalytic metal, single-walled carbon nanotubes and double-walled carbon nanotubes are attached to the substrate without being affected by direct arc plasma. Can be.

상기 유기 용매의 종류로는 탄소나노튜브의 소수성이 매우 크고 물과 같은 용매를 이용 시 대부분의 탄소나노튜브가 기판상에서 분리되어 오히려 물 위에 뜨게 될 뿐 아니라 무극성 소재인 점을 감안하여, 극성 유기 용매, 즉, 메탄올, 아세톤, 에탄올, 트리클로로 에틸렌, 이소프로필 알콜, 톨루엔, n-헥산, DMF 등을 사용하여야 한다. 이는 상기 극성 유기 용매 함유 용액에서는 별도의 계면활성제를 사용하지 않고는 분산이 이루어지지 않기 때문이다. The organic solvent is a polar organic solvent in consideration of the fact that carbon nanotubes have a very high hydrophobicity and most carbon nanotubes are separated from the substrate and float on water as well as nonpolar materials. In other words, methanol, acetone, ethanol, trichloroethylene, isopropyl alcohol, toluene, n-hexane, DMF and the like should be used. This is because the polar organic solvent-containing solution is not dispersed without the use of a separate surfactant.

이 같은 극성 유기 용매와 상기 탄소나노튜브와 같은 무극성 소재가 반응하면 표면에너지를 줄이기 위해 급격한 응축이 발생하게 되며, 이에 따른 탄소나노튜 브의 응축은 기판상에서 수평배열 형태로 이루어지게 되는 것이다. When such a polar organic solvent reacts with a nonpolar material such as carbon nanotubes, rapid condensation occurs to reduce surface energy. Accordingly, the condensation of carbon nanotubes is in a horizontal arrangement on a substrate.

또한, 상기 유기용매의 사용량은, 침지시에는 기판이 완전히 담궈질 정도의 용량 및 표면에 도포시 표면을 완전히 덮을 용량 이상으로 처리하면 충분하며, 바람직하게는 상기 기판의 중량을 기준으로 너무 적으면 사용되는 기판의 일부에만 유기 용매가 작용하여 탄소나노튜브의 수평 배열 효과가 개선되지 않을 수 있고, 너무 많으면 탄소나노튜브 흡착시 너무 많은 영향을 주어, 기판내 탄소나노튜브의 형성을 되려 파괴시킬 수 있으므로 30 내지 1000 중량부인 것이 바람직하며, 50 내지 700 중량부인 것이 보다 바람직하고, 100 내지 500 중량부인 것이 가장 바람직하다. 이 같은 유기 용매는 기판에 침지하거나 도포하여 사용할 수 있다. In addition, the amount of the organic solvent used may be more than a capacity to completely immerse the substrate when immersed and a capacity to completely cover the surface when applied to the surface, preferably, if the amount is too small based on the weight of the substrate The organic solvent acts only on a part of the substrate to be used, so that the horizontal arrangement effect of the carbon nanotubes may not be improved, and when too much, the carbon nanotubes may have too much influence upon the adsorption of carbon nanotubes. Therefore, it is preferable that it is 30-1000 weight part, It is more preferable that it is 50-700 weight part, It is most preferable that it is 100-500 weight part. Such an organic solvent can be used by being immersed or applied to a substrate.

이 같은 유기 용매 표면처리에 의한 탄소나노튜브의 수평 배열에 대한 정확한 반응기전은 알 수 없으나, 탄소나노튜브는 매우 소수성이 두드러진 물질이므로 수용액 기반의 용액에 처리시 탄소나노튜브가 기판에서 떨어져 수용액 윗층에 뜨게 되지만, 유기 용매의 경우 탄소나노튜브가 기판에 오히려 응집되는 형태로 붙어 있는 것으로 추론되며, 또한 분위기 상태가 공기에서 유기 용매로 변화되면 오히려 탄소나노튜브의 응집이 빨리 이루어져 기판에 수평 배열되는 것으로 여겨진다. (도 1c 참조)The exact reaction of the horizontal arrangement of carbon nanotubes by surface treatment of organic solvents is not known.However, since carbon nanotubes are very hydrophobic, carbon nanotubes fall off the substrate when treated in an aqueous solution-based solution. In the case of organic solvents, carbon nanotubes are inferred in the form of agglomerates on the substrate. Also, when the atmosphere is changed from air to organic solvents, the agglomeration of carbon nanotubes occurs quickly and is horizontally arranged on the substrate. It is considered to be. (See Figure 1C)

이때 기판으로는 이에 한정하는 것은 아니나, 코닝 유리, 소다라임 유리기판, SiO2가 증착되어 있는 Si 기판, 석영기판, 사파이어 기판, GaAs 기판, MgO 기판 등을 들 수 있으며, 본 발명의 방법을 적용 가능한 탄소나노튜브 필름의 두께는 아크 방전 시간을 제어하여 조절할 수 있으며, 아크 방전 시간이 증가하면 탄소나노튜브 필름의 두께를 증대시킬 수 있다. 탄소나노튜브의 필름을 구성하는 탄소나노튜브의 직경은 단중벽 탄소나노튜브의 경우 번들(bundle) 구조를 이루고 있으며, 이때 대략 번들 구조의 두께는 30 nm 이하가 적합하다.The substrate may include, but is not limited to, a corning glass, a soda lime glass substrate, a Si substrate on which SiO 2 is deposited, a quartz substrate, a sapphire substrate, a GaAs substrate, a MgO substrate, and the like. Possible carbon nanotube film thickness can be controlled by controlling the arc discharge time, and increasing the arc discharge time can increase the thickness of the carbon nanotube film. The diameter of the carbon nanotubes constituting the film of the carbon nanotubes is a bundle structure in the case of the single-walled carbon nanotubes, and the thickness of the bundle structure is preferably about 30 nm or less.

이렇게 하여 탄소나노튜브가 수평으로 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작한 다음 산화성 가스 분위기에서 기판의 온도를 올려 비정질 탄소 및 탄소나노튜브 이외의 탄소나노입자를 제거하는 것이 바람직하다. 상기 산화성 가스 분위기는 공기, 산소, 오존, 질소산화물로부터 선택된 분위기 등을 사용하여 만들 수 있다.In this way, it is preferable to produce carbon nanotube films in which carbon nanotubes are arranged horizontally, and then raise the temperature of the substrate in an oxidizing gas atmosphere to remove carbon nanoparticles other than amorphous carbon and carbon nanotubes. The oxidizing gas atmosphere may be made using an atmosphere selected from air, oxygen, ozone, and nitrogen oxide.

이때 반응의 온도는, 앞서 설명한 바와 같이, 300 내지 420℃로서 상기 온도범위에서 비정질 탄소를 효과적으로 제거할 수 있는 것으로, 비정질 탄소의 발화는 400도 정도에서 이루어지며, 탄소나노튜브의 발화는 450도 정도의 온도에서 이루어지므로 고온에서는 탄소나노튜브가 산화되어 제거되고, 너무 저온에서는 비정질 탄소의 제거가 이루어지지 않기 때문이다. At this time, the temperature of the reaction, as described above, to effectively remove the amorphous carbon in the temperature range as 300 to 420 ℃, ignition of amorphous carbon is made at about 400 degrees, ignition of carbon nanotubes 450 degrees This is because the carbon nanotubes are oxidized and removed at a high temperature because the carbon nanotubes are removed at a high temperature, and amorphous carbon is not removed at too low a temperature.

또한, 처리시간은 앞서 상술한 바와 같이 20∼360분 정도 처리하는 것이 적당하며, 처리시간이 너무 짧으면 비정질 탄소가 충분히 제거되지 않으며, 반대로 너무 길면 경제적으로 바람직하지 않다.In addition, the treatment time is preferably 20 to 360 minutes as described above, if the treatment time is too short, the amorphous carbon is not sufficiently removed, on the contrary too long is economically undesirable.

이와 동시에 혹은 순차적으로 질산, 염산, 황산, 왕수, 불산 용액으로부터 선택된 1종 이상의 산성 용액으로 처리하여 촉매 금속 입자 및 촉매 금속 산화물을 제거하는 것이 바람직하다. 참고로, 아크 방전법에 의해 성장된 탄소나노튜브의 경우 촉매 금속입자(Ni, Fe, Co, Mo, Pt, Pd, Au들의 혼합물 혹은 단일 금속입자)를 함유하고 있으며, 특히 이들은 탄소나노튜브의 표면 및 끝 부분에 강하게 흡착되어 있는데, 30∼60% 농도의 산을 이용하여 특히 5분 이상 처리하면 이들을 효과적으로 제거할 수 있다. At the same time or sequentially, it is preferable to remove the catalyst metal particles and the catalyst metal oxide by treating with one or more acid solutions selected from nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqua regia, hydrofluoric acid solution. For reference, carbon nanotubes grown by the arc discharge method contain catalytic metal particles (a mixture of Ni, Fe, Co, Mo, Pt, Pd, Au, or single metal particles). It is strongly adsorbed on the surface and the tip, and it can be effectively removed by treating with acid at 30-60% concentration, especially for 5 minutes or more.

이때 농도가 낮은 산을 이용할 경우 그만큼 촉매 금속 입자의 제거 시간이 길어 질 것이고, 너무 농도가 높은 산을 이용시 식각 공정 시간이 너무 짧아지는 단점을 지니므로 바람직하지 않다.In this case, when the acid having a low concentration is used, the removal time of the catalyst metal particles will be longer, and the etching process time is too short when the acid having a high concentration is used, which is not preferable.

상술한 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브가 수평으로 배열되어 전기전도도 및 광 투과율이 증가된 탄소나노튜브 필름을 제공할 수 있다. 상술한 바와 같이, 본 발명에 의해 제조된 탄소나노튜브 필름은 기판상에 수평 배열되어 기판과 높은 접합력을 갖기 때문에, 탄소나노튜브의 열 산화 공정 및 습식 식각 공정 동안에 탄소나노튜브 필름이 기판에서 떨어지는 현상을 방지할 수 있다. The carbon nanotubes prepared by the above-described method may be horizontally arranged to provide a carbon nanotube film having increased electrical conductivity and light transmittance. As described above, since the carbon nanotube film prepared by the present invention is arranged horizontally on the substrate and has a high bonding strength with the substrate, the carbon nanotube film falls off from the substrate during the thermal oxidation process and the wet etching process of the carbon nanotubes. The phenomenon can be prevented.

본 발명의 방법은 단지 탄소나노튜브의 수평 배열을 도입하는 것 이외에, 기타의 화합물을 사용하여 탄소나노튜브 등의 표면에 관능 기를 도입하는 것에도 용이하게 응용될 수 있으며, 이러한 내용들은 본 발명의 범주에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The method of the present invention can be easily applied not only to introducing a horizontal arrangement of carbon nanotubes, but also to introducing functional groups on the surface of carbon nanotubes using other compounds. It should be interpreted as being included in the category.

이뿐 아니라, 상기 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질을 증착하여, 포토레지스트층을 코팅하는 단계; 를 통하여 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 전자 소자 및 광 투과형 전극도 제작가능하다. In addition, depositing a metal layer, a metal alloy layer, a metal oxide, an organic thin film, a nitride, a ceramic material on the carbon nanotube film, coating a photoresist layer; Through the electronic device and the light transmission type electrode having excellent electrical conductivity and light transmittance can also be manufactured.

구체적으로는, 포토레지스트 코팅을 통한 노광 공정, 이를 통한 탄소나노튜브 필름 패턴의 형성, 필름 패턴 형성을 통한 미세 전자 소자 제작이 가능하며, 미세 전자 소자 위에 질화물 및 세라믹과 같은 절연층을 증착하여, 독립적인 전자 소자의 제작이 가능하며, 이 부분에 금속층과 같은 전극을 형성하여, 탄소나노튜브 필름 트랜지스터 및 탄소나노튜브 필름 다이오드의 제작이 가능하다. Specifically, the exposure process through the photoresist coating, the carbon nanotube film pattern formed through this, it is possible to manufacture a microelectronic device by forming a film pattern, by depositing an insulating layer such as nitride and ceramic on the microelectronic device, It is possible to fabricate an independent electronic device, and by forming an electrode such as a metal layer on the portion, it is possible to manufacture a carbon nanotube film transistor and a carbon nanotube film diode.

또한 전극층 형성을 통해, 가스 센서 및 바이오 센서 등을 제작할 수 있으며, 유기 반도체 및 무기 반도체 물질의 증착을 통해 발광 소자 및 수광 소자를 제작 할 수 있으며, 탄소나노튜브 태양 광 전지 제작에 활용될 수 있다. In addition, through the formation of the electrode layer, it is possible to manufacture a gas sensor and biosensor, and to produce a light emitting device and a light receiving device through the deposition of organic semiconductor and inorganic semiconductor material, can be utilized in the production of carbon nanotube solar cell. .

본 발명의 방법에 따르면, 탄소나노튜브 필름 제작과 함께 탄소나노튜브의 수평 배열을 도입하여 대면적화가 가능할 뿐 아니라 간단하고 저렴한 방법에 의해 탄소나노튜브 필름의 전기전도도 및 광투과율을 증가시킬 수 있다. 또한, 이렇게 표면처리된 탄소나노튜브필름은 전자파 차폐, 전기화학적 저장장치(2차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 캐패시터)의 전극, 광 투과형 전극뿐만 아니라, 탄소나노튜브 트랜지스터, 센서 소자 및 유무기 오염원에 대한 선택적 흡착 성능을 발휘할 수 있는 필터에 사용될 수 있다. According to the method of the present invention, in addition to the carbon nanotube film production, the horizontal arrangement of the carbon nanotubes can be introduced to enable a large area, and the electric conductivity and the light transmittance of the carbon nanotube film can be increased by a simple and inexpensive method. . In addition, the surface-treated carbon nanotube film is not only used for electromagnetic shielding, electrodes of electrochemical storage devices (secondary cells, fuel cells or supercapacitors), light transmitting electrodes, but also for carbon nanotube transistors, sensor elements, and organic and inorganic pollutants. It can be used in a filter that can exhibit a selective adsorption performance for.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 참조하여 발명의 내용을 더욱 상술하지만, 본 발명의 범주가 그것에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the content of the present invention will be described in more detail with reference to Examples according to the present invention, but the scope of the present invention is not limited thereto.

[[ 실시예Example 1 : 유기용매 표면처리] 1: surface treatment of organic solvent]

아크 방전 챔버내에 SiO2가 증착되어 있는 Si 기판을 삽입한 후, 아크방전을 일으켜 아크 플라즈마에 의해 기화된 탄소 원자와 촉매 금속원자들이 냉각 및 응축하는 과정에서 단일벽 혹은 다중벽 탄소나노튜브가 기판에 약한 결합으로 흡착시켰다. 상기 기판을 메탄올에 기판이 완전히 담궈질 정도의 용량으로 수초동안 침지시켰다. 종래 아크 방전법에 의해 얻어진 탄소나노튜브 필름은 도 1(a)(b)로서, 그리고 본 발명의 방법에 의해 얻어진 탄소나노튜브 필름은 도 1(c)에 도시하였다. After inserting the Si substrate on which SiO 2 is deposited into the arc discharge chamber, single-walled or multi-walled carbon nanotubes are formed during the cooling and condensation of the carbon atoms and the catalytic metal atoms vaporized by the arc plasma. Adsorbed by weak binding to. The substrate was immersed for several seconds at a capacity such that the substrate was completely immersed in methanol. The carbon nanotube film obtained by the conventional arc discharge method is shown in FIG.

종래 얻어진 탄소나노튜브 필름은 도 1(a)(b)에서 보듯이, 거의 모든 탄소나노튜브가 기판에 부착되지 않은 상태로 서로 엉켜 있는데 반하여, 본 발명의 방법에 따른 탄소나노튜브 필름은 도 1(c)에서 보듯이, 에탄올과 같은 유기 용매 처리시 기판상에 탄소나노튜브를 수평으로 배열할 뿐 아니라 서로 응축되어 필름을 형성하는 것을 확인할 수 있었다. 이로써, 유기 용매를 사용하여 표면 처리하면 기판과 탄소나노튜브간 접합력을 증대시킬 수 있음을 추론할 수 있다. Conventionally obtained carbon nanotube films are entangled with each other in a state in which almost all carbon nanotubes are not attached to a substrate, as shown in FIG. 1 (a) (b), whereas the carbon nanotube films according to the method of the present invention are shown in FIG. 1. As shown in (c), it was confirmed that the carbon nanotubes were not only horizontally arranged on the substrate but also condensed with each other to form a film during treatment with an organic solvent such as ethanol. Thus, it can be inferred that surface treatment using an organic solvent can increase the bonding strength between the substrate and the carbon nanotubes.

[[ 실시예Example 2 : 산화성  2: oxidative 분위기하Atmosphere 열처리 및 산성 용액 처리] Heat treatment and acid solution treatment]

상술한 실시예 1에서 얻어진 탄소나노튜브 필름을 산소 분위기에서 400℃에서 60 분간 수행하여 비정질 탄소 및 탄소나노튜브 이외의 탄소나노 입자를 제거하였다. 이때, 탄소나노튜브 필름의 산화성 가스 분위기를 확인하기 위하여 TGA 데이터를 측정하고 이를 도 2에 그래프로서 나타내었다. The carbon nanotube film obtained in Example 1 was performed at 400 ° C. for 60 minutes in an oxygen atmosphere to remove carbon nanoparticles other than amorphous carbon and carbon nanotubes. In this case, in order to confirm the oxidizing gas atmosphere of the carbon nanotube film, TGA data was measured and shown as a graph in FIG. 2.

도 2에서 보듯이, 비정질 탄소의 제거가 360 ℃에서 이루어지며, 이에 따른 무게 감소 및 400 ℃에서는 거의 탄소나노튜브의 연소가 이루어지지 않음을 확인할 수 있었다. As shown in Figure 2, the removal of amorphous carbon is made at 360 ℃, it was confirmed that the weight reduction and the combustion of carbon nanotubes almost does not occur at 400 ℃.

또한, 산화성 분위기하 열처리 온도를 확인하기 위하여, DTA 측정 결과 400℃에서 비정질 탄소의 산화 반응 발생을 확인하였고 450℃에서 단일벽 탄소나노튜브의 산화 반응 발생할 수 있었으며, 이로부터 열처리시 온도는 400℃부근에서 수행하는 것이 바람직한 것을 확인하였다. 이같이 산화성 분위기하에서 열처리한 시편의 주사전자현미경(SEM) 사진을 도 3에 도시하였다. 도 3에서 보듯이, 주사전자현미경 사진에서 수평 배열이 뚜렷이 확인되었다.In addition, in order to confirm the heat treatment temperature under an oxidizing atmosphere, DTA measurement confirmed that the oxidation reaction of amorphous carbon occurred at 400 ° C. and that the oxidation reaction of single-walled carbon nanotubes occurred at 450 ° C. From this, the temperature during the heat treatment was 400 ° C. It was confirmed that it is preferable to carry out in the vicinity. Scanning electron microscope (SEM) photographs of the specimens heat-treated under an oxidizing atmosphere are shown in FIG. 3. As shown in FIG. 3, the horizontal arrangement was clearly observed in the scanning electron micrograph.

그런 다음 50% 염산 용액에서 5분간 처리하여 촉매 금속 및 촉매 금속 산화물을 제거하고, 상기 정제 공정 처리에 따른 투과도 변화 및 열산화 정제 및 산 정제 공정을 통해 얻어진 필름의 광학적 특성 결과를 측정하고 도 4에 도시하였다. Then 5 minutes in 50% hydrochloric acid solution to remove the catalyst metal and catalyst metal oxide, the purification Transmittance change according to the process and the optical properties of the film obtained through the thermal oxidation purification and acid purification process was measured and shown in FIG.

도 4에서 보듯이, 얻어진 탄소나노튜브 필름의 전기전도도 및 광 투과율을 높일 수 있었으며, 이는 상술한 실시예 1의 유기 용매 적용처리에 의해 기판상에 탄소나노튜브를 수평으로 배열함으로써 기판과 탄소나노튜브간 접합력을 증대시키는데 부가하여 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 광 투과율을 높일 수 있음을 입증하는 것이다. As shown in FIG. 4, the electrical conductivity and the light transmittance of the obtained carbon nanotube film could be increased, which was arranged by horizontally arranging the carbon nanotubes on the substrate by the organic solvent application process of Example 1 described above. In addition to increasing the adhesion between the tubes, it is proved that the light transmittance of the carbon nanotube film can be increased by increasing the probability of electrical bonding between the carbon nanotubes.

본 발명이 속한 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 이상의 내용을 바탕으로 본 발명의 범주내에서 다양한 응용 및 변형이 가능할 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains, various applications and modifications are possible within the scope of the present invention based on the above description.

도 1은 아크 방전법에 의해 성장된 탄소나노튜브 필름의 유기용매를 처리하지 않은 사진 (1a)(1b)와 본 발명의 일 실시예에 의해 유기용매를 처리한 사진(1c)이고; 1 is a photograph (1a) (1b) not treated with an organic solvent of a carbon nanotube film grown by an arc discharge method and a photograph (1c) treated with an organic solvent according to an embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 의해 성장된 탄소나노튜브 필름의 산화성 가스 분위기를 확인하는 TGA 데이터를 도시한 그래프이고; 2 is a graph showing TGA data confirming an oxidizing gas atmosphere of a carbon nanotube film grown by an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 의해 산화성 분위기하에서 열처리한 시편의 주사전자현미경 사진이고; 3 is a scanning electron micrograph of a specimen heat-treated under an oxidizing atmosphere according to one embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 의해 성장된 탄소나노튜브 필름의 정제 공정 처리에 따른 투과도 변화 및 열 산화 정제 및 산 정제 공정을 통해 순도가 높은 탄소나노튜브로 이루어진 필름의 광학적 특성 결과를 도시한 도면 및 그래프이다. Figure 4 shows the optical properties of the film made of carbon nanotubes of high purity through the change in permeability and thermal oxidation purification and acid purification process of the carbon nanotube film grown by an embodiment of the present invention. One drawing and a graph.

Claims (16)

아크 방전 챔버내에 기판을 삽입한 후, 아크방전을 일으켜 아크 플라즈마에 의해 기화된 탄소 원자와 촉매 금속원자들이 냉각 및 응축하는 과정에서 단일벽 혹은 다중벽 탄소나노튜브가 기판에 약한 결합으로 흡착시키는 제1 공정;After the substrate is inserted into the arc discharge chamber, an arc discharge causes the single-walled or multi-walled carbon nanotubes to adsorb weakly to the substrate during the cooling and condensation of the carbon atoms and the catalytic metal atoms vaporized by the arc plasma. 1 step; 상기 제 1공정을 거친 기판에 유기 용매를 사용하여 표면처리하는 제 2공정;을 포함하는 탄소나노튜브가 기판상에 수평 배열된 탄소나노튜브 필름을 제작하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 필름의 탄소나노튜브와 기판간 접합력을 증대시키고 탄소나노튜브 필름내 탄소나노튜브간 전기적 접합 확률을 높여 탄소나노튜브 필름의 전기적 저항을 저감시키는 방법A second step of surface treatment using an organic solvent on the substrate having undergone the first step; carbon of the carbon nanotube film comprising a carbon nanotube film including a horizontally arranged carbon nanotube film on the substrate; The method of reducing the electrical resistance of carbon nanotube films by increasing the bonding force between nanotubes and substrates and increasing the probability of electrical bonding between carbon nanotubes in carbon nanotube films. 제1항에 있어서, 상기 표면처리시 사용되는 유기 용매로는 메탄올, 아세톤, 에탄올, 트리클로로 에틸렌, 이소프로필 알콜, 톨루엔, n-헥산 및 DMF로부터 선택 된 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 1, wherein the organic solvent used in the surface treatment is selected from methanol, acetone, ethanol, trichloroethylene, isopropyl alcohol, toluene, n-hexane and DMF. 제2항에 있어서, 상기 유기 용매는 기판이 완전히 담궈질 정도의 함량으로 기판을 침지하거나 기판 표면을 완전히 덮을 함량으로 도포하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 2, wherein the organic solvent is applied to an amount that will submerge the substrate or cover the surface of the substrate to an extent that the substrate is completely immersed. 제1항에 있어서, 상기 기판으로는 코닝 유리, 소다라임 유리기판, SiO2가 증착되어 있는 Si 기판, 석영기판, 사파이어 기판, GaAs 기판, MgO 기판으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 1, wherein the substrate is selected from a corning glass, a soda-lime glass substrate, a Si substrate on which SiO 2 is deposited, a quartz substrate, a sapphire substrate, a GaAs substrate, and a MgO substrate. 제1항에 있어서, 상기 표면처리하는 제 2공정에 이어서, 산화성 가스 분위기하에 기판을 열처리하는 제 3공정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 1, further comprising: a third step of heat treating the substrate in an oxidizing gas atmosphere following the second step of surface treatment; Method further comprising a 제5항에 있어서, 상기 산화성 가스 분위기는 공기, 산소, 오존, 질소산화물로부터 선택된 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 5, wherein the oxidizing gas atmosphere is selected from air, oxygen, ozone, nitrogen oxides. 제5항에 있어서, 상기 열처리 조건은 300∼420℃ 범위내에서 20∼360분간 수행하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 5, wherein the heat treatment conditions are performed for 20 to 360 minutes in the range of 300 to 420 ℃ 제5항에 있어서, 상기 열처리하는 제 3공정에 이어서, 산성용액으로 처리하는 제 4공정; 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법6. The method of claim 5, further comprising: a fourth step of treating with an acidic solution following the third step of heat treatment; Method further comprising a 제8항에 있어서, 상기 산성 용액은 질산, 염산, 황산, 왕수, 불산 용액으로부터 선택된 1종 이상으로 30∼60%의 농도로 처리하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 8, wherein the acidic solution is treated with at least one selected from nitric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, aqua regia, hydrofluoric acid solution at a concentration of 30 to 60%. 제1항 내지 제9항중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 탄소나노튜브가 수평으로 배열되어 전기전도도 및 광투과율이 증가된 탄소나노튜브 필름The carbon nanotube film of which the carbon nanotubes prepared by the method of any one of claims 1 to 9 are arranged horizontally to increase electrical conductivity and light transmittance. 제10항의 탄소나노튜브 필름에 포토레지스트 코팅공정, 노광 공정, SOG 도포 공정, 박막 증착 공정을 순차적으로 수행하는 것을 포함하여 이루어지는 전자 소자 제작방법The method of manufacturing an electronic device comprising sequentially performing a photoresist coating process, an exposure process, an SOG coating process, and a thin film deposition process on the carbon nanotube film of claim 10. 제10항의 탄소나노튜브 필름에 포토레지스트 코팅공정, 노광 공정, SOG 도포 공정, 박막 증착 공정을 순차적으로 수행하는 것을 포함하여 이루어지는 광 투과형 전극 제작방법A method of manufacturing a light transmissive electrode comprising sequentially performing a photoresist coating process, an exposure process, an SOG coating process, and a thin film deposition process on the carbon nanotube film of claim 10 제11항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅 공정은 상기 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속 합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질을 증착하여, 포토레지스트 층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 11, wherein the photoresist coating process comprises depositing a metal layer, a metal alloy layer, a metal oxide, an organic thin film, a nitride, and a ceramic material on the carbon nanotube film to coat the photoresist layer. 제11항의 방법에 의해 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 전자 소자An electronic device having excellent electrical conductivity and light transmittance obtained by the method of claim 11 제12항의 방법에 의해 얻어진 전기전도도 및 광 투과율이 우수한 광 투과형 전극A light transmissive electrode excellent in electrical conductivity and light transmittance obtained by the method of claim 12 제12항에 있어서, 상기 포토레지스트 코팅 공정은 상기 탄소나노튜브 필름 상에 금속층, 금속 합금층, 금속 산화물, 유기박막, 질화물, 세라믹 물질을 증착하여, 포토레지스트 층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법The method of claim 12, wherein the photoresist coating process comprises depositing a metal layer, a metal alloy layer, a metal oxide, an organic thin film, a nitride, and a ceramic material on the carbon nanotube film to coat the photoresist layer.
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