KR100987614B1 - Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound - Google Patents

Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound Download PDF

Info

Publication number
KR100987614B1
KR100987614B1 KR1020080076279A KR20080076279A KR100987614B1 KR 100987614 B1 KR100987614 B1 KR 100987614B1 KR 1020080076279 A KR1020080076279 A KR 1020080076279A KR 20080076279 A KR20080076279 A KR 20080076279A KR 100987614 B1 KR100987614 B1 KR 100987614B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
compound
preferable
alkyl group
formula
Prior art date
Application number
KR1020080076279A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090014972A (en
Inventor
다이주 시오노
다카히로 다자이
히로아키 시미즈
Original Assignee
도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Publication of KR20090014972A publication Critical patent/KR20090014972A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100987614B1 publication Critical patent/KR100987614B1/en

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10Esters
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0395Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having a backbone with alicyclic moieties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물 ; 및 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물. Compounds represented by the following general formula (I); And a polymer compound having a structural unit (a0) represented by the following General Formula (a0-1).

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008056120253-pat00001
Figure 112008056120253-pat00001

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이다][In formula, R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

Description

포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물 및 화합물 {POSITIVE RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, POLYMERIC COMPOUND, AND COMPOUND}Positive resist composition, resist pattern formation method, high molecular compound and compound {POSITIVE RESIST COMPOSITION, METHOD OF FORMING RESIST PATTERN, POLYMERIC COMPOUND, AND COMPOUND}

본 발명은 신규 고분자 화합물을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물, 그 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법, 상기 고분자 화합물, 그 고분자 화합물용 모노머로서 유용한 화합물, 그 화합물의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 있어서 중간체로서 유용한 화합물에 관한 것이다.The present invention relates to a positive resist composition containing a novel polymer compound, a resist pattern forming method using the positive resist composition, the polymer compound, a compound useful as a monomer for the polymer compound, a method of producing the compound, and a method of producing the same. A compound useful as an intermediate in the present invention.

본원은 2007 년 8 월 7 일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2007-205500, 그리고 2008 년 1 월 10 일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2008-003339호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2007-205500 for which it applied to Japan on August 7, 2007, and Japanese Patent Application No. 2008-003339 which was filed in Japan on January 10, 2008, Here it is.

리소그래피 기술에 있어서는, 예를 들어 기판 상에 레지스트 재료로 이루어지는 레지스트막을 형성하고, 그 레지스트막에 대하여, 소정의 패턴이 형성된 마스크를 통해, 광, 전자선 등의 방사선으로 선택적 노광을 실시하고, 현상 처리를 실시함으로써, 상기 레지스트막에 소정 형상의 레지스트 패턴을 형성하는 공정이 실시된다. In the lithography technique, for example, a resist film made of a resist material is formed on a substrate, and the resist film is selectively exposed to radiation such as light or electron beam through a mask having a predetermined pattern formed thereon, and then developed. By performing the above step, a step of forming a resist pattern having a predetermined shape in the resist film is performed.

노광된 부분이 현상액에 용해되는 특성으로 변화되는 레지스트 재료를 포지티브형, 노광된 부분이 현상액에 용해되지 않는 특성으로 변화되는 레지스트 재료를 네거티브형이라고 한다.The resist material in which the exposed portion is changed to the characteristic of dissolving in the developer is positive type, and the resist material in which the exposed portion is changed to the characteristic of not dissolving in the developer is called negative type.

최근, 반도체 소자나 액정 표시 소자의 제조에 있어서는, 리소그래피 기술의 진보에 따라 급속히 패턴의 미세화가 진행되고 있다.In recent years, in manufacture of a semiconductor element and a liquid crystal display element, refinement | miniaturization of a pattern is progressing rapidly with the advance of the lithography technique.

미세화 수법으로는, 일반적으로 노광 광원의 단파장화가 실시되고 있다. 구체적으로는, 종래에는 g 선, i 선으로 대표되는 자외선이 사용되고 있었는데, 현재는 KrF 엑시머 레이저나, ArF 엑시머 레이저를 사용한 반도체 소자의 양산이 개시되고 있다. 또한, 이들 엑시머 레이저보다 단파장인 F2 엑시머 레이저, 전자선, EUV (극자외선) 나 X 선 등에 대해서도 검토가 실시되고 있다.As a miniaturization method, shortening of the exposure light source is generally performed. Specifically, ultraviolet rays typified by g-line and i-line have conventionally been used, but mass production of semiconductor devices using KrF excimer lasers and ArF excimer lasers is now disclosed. In addition, studies have been conducted on F 2 excimer lasers, electron beams, EUV (extreme ultraviolet rays), X-rays, and the like, which are shorter than those excimer lasers.

레지스트 재료에는, 이들 노광 광원에 대한 감도, 미세한 치수의 패턴을 재현할 수 있는 해상성 등의 리소그래피 특성이 요구된다. The resist material is required for lithographic characteristics such as sensitivity to these exposure light sources and resolution capable of reproducing a pattern of fine dimensions.

이러한 요구를 만족시키는 레지스트 재료로서, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 기재 성분과, 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물이 사용되고 있다.As a resist material that satisfies these requirements, a chemically amplified resist composition containing a base component whose solubility in an alkaline developer is changed by the action of an acid and an acid generator which generates an acid by exposure is used.

예를 들어 포지티브형의 화학 증폭형 레지스트 조성물로는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 수지 성분 (베이스 수지) 과, 산발생제 성분을 함유하는 것이 일반적으로 사용되고 있다. 이러한, 레지스트 조성물을 사용하여 형성되는 레지스트막은, 레지스트 패턴 형성시에 선택적 노광을 실시 하면, 노광부에 있어서, 산발생제로부터 산이 발생되고, 그 산의 작용에 의해 수지 성분의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되어, 노광부가 알칼리 현상액에 대하여 가용성이 된다.For example, as a positive chemically amplified resist composition, one containing a resin component (base resin) in which solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid and an acid generator component are generally used. Such a resist film formed by using a resist composition, when selective exposure is performed at the time of forming a resist pattern, an acid is generated from an acid generator in the exposed portion, and the solubility of the resin component in the alkaline developer by the action of the acid. This increases, so that the exposed portion becomes soluble to the alkaline developer.

현재, ArF 엑시머 레이저 리소그래피 등에 있어서 사용되는 레지스트의 베이스 수지로는, 193㎚ 부근에서의 투명성이 우수하므로, (메트)아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위를 주사슬에 갖는 수지 (아크릴계 수지) 등이 일반적으로 사용되고 있다 (예를 들어 특허 문헌 1 참조).Currently, as a base resin of a resist used in ArF excimer laser lithography, etc., since transparency is excellent in the vicinity of 193 nm, resin (acrylic resin) etc. which have a structural unit derived from (meth) acrylic acid ester in a principal chain are common. (See Patent Document 1, for example).

여기에서, 「(메트)아크릴산」이란, α 위치에 수소 원자가 결합한 아크릴산과, α 위치에 메틸기가 결합한 메타크릴산의 일방 또는 양방을 의미한다. 「(메트)아크릴산에스테르」 란, α 위치에 수소 원자가 결합한 아크릴산에스테르와, α 위치에 메틸기가 결합한 메타크릴산에스테르의 일방 또는 양방을 의미한다. 「(메트)아크릴레이트」 란, α 위치에 수소 원자가 결합한 아크릴레이트와, α 위치에 메틸기가 결합한 메타크릴레이트의 일방 또는 양방을 의미한다.Here, "(meth) acrylic acid" means one or both of acrylic acid which the hydrogen atom couple | bonded with the (alpha) position, and methacrylic acid which the methyl group couple | bonded with the (alpha) position. "(Meth) acrylic acid ester" means one or both of the acrylic acid ester which the hydrogen atom couple | bonded with the (alpha) position, and the methacrylic acid ester which the methyl group couple | bonded with the (alpha) position. "(Meth) acrylate" means one or both of the acrylate which the hydrogen atom couple | bonded with the (alpha) position, and the methacrylate which the methyl group couple | bonded with the (alpha) position.

특허 문헌 1 : 일본 공개특허공보 2003-241385호Patent Document 1: Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-241385

향후, 리소그래피 기술의 새로운 진보, 응용 분야의 확대 등이 예상되는 가운데, 리소그래피 용도에 사용할 수 있는 신규 재료에 대한 요구가 높아지고 있다.In the future, while new advances in lithography technology and expansion of applications are anticipated, there is an increasing demand for new materials that can be used for lithography applications.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 포지티브형 레지스트 조성물의 기재 성분으로서 이용할 수 있는 신규 고분자 화합물, 그 고분자 화합물용 모노머로서 유용한 화합물 및 그 제조 방법, 상기 제조 방법에 있어서 중간체로서 유용한 화합물, 상기 고분자 화합물을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물, 그리고 그 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of the said situation, The novel high molecular compound which can be used as a base component of a positive resist composition, the compound useful as a monomer for this polymer compound, its manufacturing method, the compound useful as an intermediate in the said manufacturing method, said It is an object to provide a positive resist composition containing a high molecular compound, and a resist pattern forming method using the positive resist composition.

상기의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하의 구성을 채용하였다.In order to achieve the above object, the present invention adopts the following configuration.

즉, 본 발명의 제 1 양태는, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 기재 성분 (A), 및 노광에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 를 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물로서,That is, the 1st aspect of this invention is a positive type resist containing the base component (A) which the solubility to alkaline developing solution increases by the action of an acid, and the acid generator component (B) which generate | occur | produces an acid by exposure. As a composition,

상기 기재 성분 (A) 가 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (A1) 을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물이다.The said base component (A) contains the high molecular compound (A1) which has a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1), It is a positive resist composition characterized by the above-mentioned.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112008056120253-pat00002
Figure 112008056120253-pat00002

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가 (價) 의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이다][Wherein, R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, A is a C 2 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and B is a C 1 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent Hydrocarbon group, and R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

본 발명의 제 2 양태는, 상기 제 1 양태의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 알칼리 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 레지스트 패턴 형성 방법이다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a process of forming a resist film on a support using the positive resist composition of the first aspect, a process of exposing the resist film, and an alkali development of the resist film to form a resist pattern. It is a resist pattern formation method containing.

본 발명의 제 3 양태는, 하기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는 고분자 화합물 (이하, 고분자 화합물 (A1) 이라고 한다) 이다.3rd aspect of this invention is a high molecular compound (henceforth a high molecular compound (A1)) which has a structural unit (a0) represented by the following general formula (a0-1).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112008056120253-pat00003
Figure 112008056120253-pat00003

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이다][In formula, R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

본 발명의 제 4 양태는, 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ) 이라고 한다) 이다.A 4th aspect of this invention is a compound represented by the following general formula (I) (henceforth a compound (I)).

[화학식 3](3)

Figure 112008056120253-pat00004
Figure 112008056120253-pat00004

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이다][In formula, R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

본 발명의 제 5 양태는, 하기 일반식 (Ⅰ-1) 로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-2) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ-3) 으로 나타내는 화합물을 얻는 공정, 및5th aspect of this invention is a process of making the compound represented by the following general formula (I-3) react with the compound represented by the following general formula (I-1), and the compound represented by the following general formula (I-2), And

하기 일반식 (Ⅰ-3) 으로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-4) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물의 제조 방법 (이하, 제 1 제조 방법이라고 한다) 이다.A process of reacting a compound represented by the following General Formula (I-3) with a compound represented by the following General Formula (I-4) to obtain a compound represented by the following General Formula (I); It is a manufacturing method (henceforth a 1st manufacturing method) of the compound represented by I).

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112008056120253-pat00005
Figure 112008056120253-pat00005

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이고, X10 및 X12 는 각각 독립적으로 수산기 또는 할로겐 원자로서, X10 및 X12 중 어느 하나 일방이 수산기이고, 타방이 할로겐 원자이고, X11 은 할로겐 원자이다][In formula, R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, X 10 and X 12 are each independently a hydroxyl group or a halogen atom, one of X 10 and X 12 is a hydroxyl group, the other is a halogen atom, and X 11 is a halogen atom ]

본 발명의 제 6 양태는, 하기 일반식 (Ⅰ-5) 로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-2) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합 물의 제조 방법 (이하, 제 2 제조 방법이라고 한다) 이다.A sixth aspect of the present invention includes a step of reacting a compound represented by the following general formula (I-5) with a compound represented by the following general formula (I-2) to obtain a compound represented by the following general formula (I). It is a manufacturing method (henceforth a 2nd manufacturing method) of the compound represented by following General formula (I) characterized by the above-mentioned.

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112008056120253-pat00006
Figure 112008056120253-pat00006

[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이고, X11 은 할로겐 원자이다][Wherein, R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, A is a C 2 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C 1 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and X 11 is a halogen atom]

본 발명의 제 7 양태는, 하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅱ) 라고 한다) 이다.7th aspect of this invention is a compound represented by the following general formula (II) (henceforth a compound (II)).

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112008056120253-pat00007
Figure 112008056120253-pat00007

[식 중, A' 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소 기이고, B' 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2' 는 산해리성 용해 억제기이다][Wherein A 'is a C2 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, B' is a C1 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, and R 2 ' is an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

본 명세서 및 청구의 범위에 있어서, 「알킬기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬, 분기사슬 및 고리형 1 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다. 또한, 「알킬렌기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직사슬, 분기사슬 및 고리형 2 가의 포화 탄화수소기를 포함하는 것으로 한다.In this specification and a claim, unless otherwise indicated, a "alkyl group" shall contain a linear, branched chain, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon group. In addition, "alkylene group" shall contain a straight chain, a branched chain, and a cyclic divalent saturated hydrocarbon group unless there is particular notice.

「저급 알킬기」는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기이다.A "lower alkyl group" is a C1-C5 alkyl group.

「할로겐화알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.The "halogenated alkyl group" is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are substituted with halogen atoms, and examples of the halogen atoms include fluorine atom, chlorine atom, bromine atom and iodine atom.

「구성 단위」란, 고분자 화합물 (중합체, 공중합체) 을 구성하는 모노머 단위 (단량체 단위) 를 의미한다.A "structural unit" means the monomeric unit (monomer unit) which comprises a high molecular compound (polymer, a copolymer).

「노광」은 방사선의 조사 전반 (全般) 을 포함하는 개념으로 한다."Exposure" is taken as the concept including the whole radiation irradiation.

본 발명에 의하면, 포지티브형 레지스트 조성물의 기재 성분으로서 이용할 수 있는 신규 고분자 화합물, 그 고분자 화합물용 모노머로서 유용한 화합물 및 그 제조 방법, 상기 제조 방법에 있어서 중간체로서 유용한 화합물, 상기 고분자 화합물을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물, 그리고 그 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, a novel high molecular compound that can be used as a base component of a positive resist composition, a compound useful as a monomer for the polymer compound, a method for producing the compound, a compound useful as an intermediate in the production method, and a positive containing the polymer compound A resist pattern formation method and the resist pattern formation method using the positive resist composition can be provided.

《화합물 (Ⅰ)》<Compound (Ⅰ) >>

맨 처음으로, 본 발명의 제 4 양태의 화합물 (Ⅰ) 에 대해 설명한다.First, the compound (I) of the 4th aspect of this invention is demonstrated.

화합물 (Ⅰ) 은, 상기 일반식 (Ⅰ) 로 나타낸다.Compound (I) is represented by the said General formula (I).

식 (Ⅰ) 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이다.In formula (I), R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group.

R1 의 저급 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다.The lower alkyl group of R 1 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert- Butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group and the like.

R1 의 할로겐화 저급 알킬기는, 상기 저급 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.The halogenated lower alkyl group of R 1 is a group in which part or all of the hydrogen atoms of the lower alkyl group are substituted with halogen atoms. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is especially preferable.

R1 로는, 수소 원자, 저급 알킬기 또는 불소화 저급 알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수 용이성에서, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 가장 바람직하다.As R 1 , a hydrogen atom, a lower alkyl group or a fluorinated lower alkyl group is preferable, and from an industrial availability, it is most preferable that it is a hydrogen atom or a methyl group.

A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이다. 탄화수소기가 「치환기를 갖는다」란, 그 탄화수소기에 있어서의 수소 원자의 일부 또는 전부가, 수소 원자 이외의 기 또는 원자로 치환되어 있는 것을 의미한다.A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent. A hydrocarbon group "has a substituent" means that part or all of the hydrogen atoms in the hydrocarbon group are substituted with groups or atoms other than hydrogen atoms.

탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다.The hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

여기에서, 본 청구의 범위 및 명세서에 있어서의 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 갖지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것으로 정의한다. 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 갖지 않는 탄화수소기를 의미한다.Here, the term "aliphatic" in the claims and the specification is defined as meaning relative to aromatics, meaning groups, compounds and the like having no aromaticity. An aliphatic hydrocarbon group means the hydrocarbon group which does not have aromaticity.

A 에 있어서의 지방족 탄화수소기는, 포화이어도 되고, 불포화이어도 되며, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.The aliphatic hydrocarbon group in A may be saturated or unsaturated, and is preferably saturated.

지방족 탄화수소기로서, 보다 구체적으로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 지방족 탄화수소기, 구조 중에 고리를 함유하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다.As an aliphatic hydrocarbon group, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in a structure, etc. are mentioned more specifically.

직사슬형 또는 분기사슬형 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 2 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 2 ∼ 5 가 더욱 바람직하고, 2 가 가장 바람직하다.The linear or branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8, still more preferably 2 to 5, and most preferably 2.

직사슬형 지방족 탄화수소기로는, 직사슬형 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 에틸렌기 [-(CH2)2-], 트리메틸렌기 [-(CH2)3-], 테트라메틸렌기 [-(CH2)4-], 펜타메틸렌기 [-(CH2)5-] 등을 들 수 있다.As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, an ethylene group [-(CH 2 ) 2- ], trimethylene group [-(CH 2 ) 3- ], tetramethylene group [ -(CH 2 ) 4- ], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5- ], and the like.

분기사슬형 지방족 탄화수소기로는, 분기사슬형 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -CH(CH2CH3)CH2- 등의 알킬에틸렌 기 ; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬트리메틸렌기 ; -CH(CH3)CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2CH2- 등의 알킬테트라메틸렌기 등의 알킬알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬알킬렌기에 있어서의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기가 바람직하다.As the branched chain aliphatic hydrocarbon group, a branched chain alkylene group is preferable, and specifically, -CH (CH 3 )-, -CH (CH 2 CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2- , -C Alkylmethylene groups such as (CH 3 ) (CH 2 CH 3 ) —, —C (CH 3 ) (CH 2 CH 2 CH 3 ) —, and —C (CH 2 CH 3 ) 2 —; -CH (CH 3 ) CH 2- , -CH (CH 3 ) CH (CH 3 )-, -C (CH 3 ) 2 CH 2- , -CH (CH 2 CH 3 ) CH 2- , -CH (CH Alkyl ethylene groups such as 2 CH 3 ) CH 2- ; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH (CH 3) CH 2 - alkyl trimethylene group and the like; -CH (CH 3) CH 2 CH 2 CH 2 - and the like can be mentioned alkyl groups such as alkyl groups, such as tetramethylene -, -CH 2 CH (CH 3 ) CH 2 CH 2. As an alkyl group in an alkylalkylene group, a C1-C5 linear alkyl group is preferable.

사슬형 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 그 치환기로는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 저급 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.The chain aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, an oxygen atom (= O), and the like.

고리를 함유하는 지방족 탄화수소기로는, 고리형 지방족 탄화수소기 (지방족 탄화수소 고리로부터 수소 원자를 2 개 제거한 기), 그 고리형 지방족 탄화수소기가 전술한 사슬형 지방족 탄화수소기의 말단에 결합되거나 또는 사슬형 지방족 탄화수소기의 도중에 개재되는 기 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (a group obtained by removing two hydrogen atoms from an aliphatic hydrocarbon ring), and the cyclic aliphatic hydrocarbon group bonded to the terminal of the aforementioned chain aliphatic hydrocarbon group or a chain aliphatic group. The group etc. which are interposed in the middle of a hydrocarbon group are mentioned.

고리형 지방족 탄화수소기는, 탄소수가 3 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 12 인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that carbon number is 3-20, and, as for a cyclic aliphatic hydrocarbon group, it is more preferable that it is 3-12.

고리형 지방족 탄화수소기는, 다고리형기이어도 되고, 단고리형기이어도 된다. 단고리형기로는, 탄소수 3 ∼ 6 의 모노시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 모노시클로알칸으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 예시할 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a monocycloalkane having 3 to 6 carbon atoms is preferable, and cyclopentane, cyclohexane and the like can be exemplified as the monocycloalkane.

다고리형기로는, 탄소수 7 ∼ 12 의 폴리시클로알칸으로부터 2 개의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하고, 그 폴리시클로알칸으로서 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다.As the polycyclic group, a group in which two hydrogen atoms are removed from a polycycloalkane having 7 to 12 carbon atoms is preferable, and specifically, as the polycycloalkane, adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, tetra Cyclododecane etc. are mentioned.

고리형 지방족 탄화수소기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 저급 알킬기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 저급 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. As a substituent, a C1-C5 lower alkyl group, a fluorine atom, a C1-C5 fluorinated lower alkyl group substituted by the fluorine atom, an oxygen atom (= O), etc. are mentioned.

A 로는, 직사슬형 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직사슬형 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 5 의 직사슬형 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 에틸렌기가 가장 바람직하다.As A, a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a C2-C5 linear alkylene group is still more preferable, and an ethylene group is the most preferable.

B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이다.B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent.

B 에 있어서의 탄화수소기로는, 상기 A 에서 예시한 것과 동일한 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기, 및 치환기를 갖고 있어도 되는 메틸렌기를 들 수 있다. 메틸렌기가 갖고 있어도 되는 치환기로는, 상기 사슬형 지방족 탄화수소기가 갖고 있어도 되는 치환기로서 예시한 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.As a hydrocarbon group in B, the methylene group which may have a C2 or more bivalent hydrocarbon group and substituent which are the same as what was illustrated by said A is mentioned. As a substituent which the methylene group may have, the thing similar to the substituent illustrated as the substituent which the said linear aliphatic hydrocarbon group may have is mentioned.

B 로는, 직사슬형 또는 분기사슬형 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 특히 메틸렌기 또는 알킬메틸렌기가 바람직하다.As B, a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group or an alkylmethylene group is particularly preferable.

알킬메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬형 알킬기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.The alkyl group in the alkylmethylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferred, and a methyl group is most preferred.

R2 는 산해리성 용해 억제기이다. 산해리성 용해 억제기는, 당해 화합물 (Ⅰ) 을 사용하여 얻어지는 고분자 화합물을, 산발생제 성분과 함께 포지티브형 레 지스트 조성물에 배합하였을 때에, 노광에 의해 그 산발생제 성분으로부터 발생된 산의 작용에 의해 해리되는 산해리성을 가짐과 함께, 그 해리 전에는, 당해 고분자 화합물 전체를 알칼리 현상액에 대하여 난용으로 하는 알칼리 용해 억제성을 갖는 것이다.R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group. When the acid dissociable, dissolution inhibiting group is blended into a positive type resist composition with an acid generator component using a high molecular compound obtained using the compound (I), It has an acid dissociation property which dissociates by, and before dissociation, it has alkali dissolution inhibiting property which makes the whole said high molecular compound hard-soluble with an alkaline developing solution.

R2 의 산해리성 용해 억제기로는, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지의 산해리성 용해 억제기로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 일반적으로는, (메트)아크릴산 등에 있어서의 카르복시기와 고리형 또는 사슬형 제 3 급 알킬에스테르를 형성하는 기 ; 알콕시알킬기 등의 아세탈형 산해리성 용해 억제기 등이 널리 알려져 있다. 또한, 「(메트)아크릴산에스테르」 란, α 위치에 수소 원자가 결합한 아크릴산에스테르와, α 위치에 메틸기가 결합한 메타크릴산에스테르의 일방 또는 양방을 의미한다.As an acid dissociable, dissolution inhibiting group of R <2> , what has been proposed as an acid dissociable, dissolution inhibiting group of the base resin for chemically amplified resist can be used. Generally, the group which forms a cyclic or chain | strand-type tertiary alkyl ester with the carboxyl group in (meth) acrylic acid etc .; Acetal acid dissociable, dissolution inhibiting groups, such as an alkoxyalkyl group, are widely known. In addition, "(meth) acrylic acid ester" means the one or both of the acrylate ester which the hydrogen atom couple | bonded with the (alpha) position, and the methacrylic acid ester which the methyl group couple | bonded with the (alpha) position.

여기에서, 「제 3 급 알킬에스테르」 란, 카르복시기의 수소 원자가, 사슬형 또는 고리형 알킬기로 치환됨으로써 에스테르를 형성하고 있고, 그 카르보닐옥시기 (-C(O)-O-) 의 말단의 산소 원자에, 상기 사슬형 또는 고리형 알킬기의 제 3 급 탄소 원자가 결합되어 있는 구조를 나타낸다. 이 제 3 급 알킬에스테르에 있어서는, 산이 작용하면, 산소 원자와 제 3 급 탄소 원자 사이에서 결합이 절단된다.Here, the "tertiary alkyl ester" means ester by being substituted with a chain or cyclic alkyl group by the hydrogen atom of a carboxyl group, and of the terminal of the carbonyloxy group (-C (O) -O-) The structure which the tertiary carbon atom of the said chain | strand or cyclic alkyl group couple | bonded with the oxygen atom is shown. In this tertiary alkyl ester, when an acid acts, the bond is cleaved between the oxygen atom and the tertiary carbon atom.

또한, 상기 사슬형 또는 고리형 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 된다.In addition, the chain or cyclic alkyl group may have a substituent.

이하, 카르복시기와 제 3 급 알킬에스테르를 구성함으로써, 산해리성으로 되어 있는 기를, 편의상 「제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기」 라고 한 다.Hereinafter, group which becomes acid dissociation by making a carboxy group and tertiary alkyl ester are called "tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group" for convenience.

제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기로는, 지방족 분기사슬형 산해리성 용해 억제기, 지방족 고리형기를 함유하는 산해리성 용해 억제기를 들 수 있다.Examples of the tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group include an aliphatic branched chain acid dissociable, dissolution inhibiting group and an acid dissociable, dissolution inhibiting group containing an aliphatic cyclic group.

「지방족 분기사슬형」 이란, 방향족성을 갖지 않는 분기사슬형 구조를 갖는 것을 나타낸다.The "aliphatic branched chain" means having a branched chain structure having no aromaticity.

「지방족 분기사슬형 산해리성 용해 억제기」 의 구조는, 탄소 및 수소로 이루어지는 기 (탄화수소기) 인 것에 한정은 되지 않지만, 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, 그 탄화수소기는 포화 또는 불포화의 어느 것이어도 되는데, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.Although the structure of an "aliphatic branched-type acid dissociable, dissolution inhibiting group" is not limited to the group (hydrocarbon group) which consists of carbon and hydrogen, It is preferable that it is a hydrocarbon group. Moreover, although the hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, it is preferable that it is normally saturated.

지방족 분기사슬형 산해리성 용해 억제기로는, 예를 들어, -C(R71)(R72)(R73) 으로 나타내는 기를 들 수 있다. 식 중, R71 ∼ R73 은, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 알킬기이다. -C(R71)(R72)(R73) 으로 나타내는 기는, 탄소수가 4 ∼ 8 인 것이 바람직하고, 구체적으로는 tert-부틸기, tert-펜틸기, tert-헵틸기 등을 들 수 있다.As an aliphatic branched-type acid dissociable, dissolution inhibiting group, group represented by -C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ) is mentioned, for example. In formula, R <71> -R <73> is a C1-C5 linear alkyl group each independently. The group represented by -C (R 71 ) (R 72 ) (R 73 ) preferably has 4 to 8 carbon atoms, and specific examples thereof include tert-butyl group, tert-pentyl group and tert-heptyl group. .

「지방족 고리형기」 는, 방향족성을 갖지 않는 단고리형기 또는 다고리형기인 것을 나타낸다.An "aliphatic cyclic group" represents a monocyclic group or a polycyclic group having no aromaticity.

지방족 고리형기는, 치환기를 갖고 있어도 되고, 갖고 있지 않아도 된다. 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 저급 알킬기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소 수 1 ∼ 5 의 불소화 저급 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.The aliphatic cyclic group may or may not have a substituent. As a substituent, a C1-C5 lower alkyl group, a fluorine atom, a C1-C5 fluorinated lower alkyl group substituted by the fluorine atom, an oxygen atom (= O), etc. are mentioned.

지방족 고리형기의, 치환기를 제외한 기본 고리의 구조는, 탄소 및 수소로 이루어지는 기 (탄화수소기) 인 것에 한정은 되지 않지만, 탄화수소기인 것이 바람직하다. 또한, 「탄화수소기」 는 포화 또는 불포화의 어느 것이어도 되는데, 통상적으로는 포화인 것이 바람직하다.Although the structure of the basic ring of an aliphatic cyclic group except a substituent is not limited to being a group (carbon group) which consists of carbon and hydrogen, It is preferable that it is a hydrocarbon group. The hydrocarbon group may be either saturated or unsaturated, but is usually saturated.

지방족 고리형기는, 다고리형기인 것이 바람직하다.It is preferable that an aliphatic cyclic group is a polycyclic group.

지방족 고리형기로는, 예를 들어 저급 알킬기, 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 디시클로데칸, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.As the aliphatic cyclic group, for example, polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a lower alkyl group, a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, may be used. The group etc. which removed more than one hydrogen atom are mentioned. More specifically, it is one or more from monocycloalkane, such as cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkane, such as adamantane, norbornane, isobornane, dicyclodecane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. The group etc. which removed the hydrogen atom are mentioned.

지방족 고리형기를 함유하는 산해리성 용해 억제기로는, 예를 들어, (ⅰ) 1 가의 지방족 고리형기의 고리 골격 상에 제 3 급 탄소 원자를 갖는 기 ; (ⅱ) 1 가의 지방족 고리형기와, 이것에 결합하는 제 3 급 탄소 원자를 갖는 분기사슬형 알킬렌을 갖는 기 등을 들 수 있다.Examples of the acid dissociable, dissolution inhibiting group containing an aliphatic cyclic group include (iii) a group having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of a monovalent aliphatic cyclic group; And (ii) a group having a monovalent aliphatic cyclic group and a branched alkylene having a tertiary carbon atom bonded thereto.

(ⅰ) 1 가의 지방족 고리형기의 고리 골격 상에 제 3 급 탄소 원자를 갖는 기의 구체예로는, 예를 들어, 하기 일반식 (1-1) ∼ (1-9) 로 나타내는 기 등을 들 수 있다.(Iii) Specific examples of the group having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of the monovalent aliphatic cyclic group include, for example, groups represented by the following general formulas (1-1) to (1-9); Can be mentioned.

(ⅱ) 지방족 고리형기와, 이것에 결합하는 제 3 급 탄소 원자를 갖는 분기사슬형 알킬렌을 갖는 기의 구체예로는, 예를 들어, 하기 일반식 (2-1) ∼ (2-6) 으로 나타내는 기 등을 들 수 있다.(Ii) As a specific example of group which has an aliphatic cyclic group and the branched chain alkylene which has the tertiary carbon atom couple | bonded with this, For example, following General formula (2-1)-(2-6) The group represented by) is mentioned.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112008056120253-pat00008
Figure 112008056120253-pat00008

[식 중, R14 는 저급 알킬기이고, g 는 0 ∼ 8 의 정수이다][Wherein, R 14 is a lower alkyl group and g is an integer of 0 to 8]

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112008056120253-pat00009
Figure 112008056120253-pat00009

[식 중, R15 및 R16 은, 각각 독립적으로 알킬기이다][Wherein, R 15 and R 16 are each independently an alkyl group]

R14 ∼ R16 의 알킬기로는, 저급 알킬기가 바람직하고, 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기가 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 메틸기, 에틸기 또는 n-부틸기가 바람직하고, 메틸기 또는 에틸기가 보다 바람직하다.As an alkyl group of R <14> -R < 16 >, a lower alkyl group is preferable and a linear or branched alkyl group is preferable. Specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group and neopentyl group. Among these, a methyl group, an ethyl group, or n-butyl group is preferable, and a methyl group or ethyl group is more preferable.

g 는 0 ∼ 3 의 정수가 바람직하고, 1 ∼ 3 의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2 가 더욱 바람직하다.The integer of 0-3 is preferable, as for g, the integer of 1-3 is more preferable, and 1 or 2 is further more preferable.

「아세탈형 산해리성 용해 억제기」 는, 일반적으로, 카르복시기, 수산기 등의 알칼리 가용성기 말단의 수소 원자와 치환하여 산소 원자와 결합되어 있다. 그리고, 노광에 의해 산이 발생되면, 이 산이 작용하여, 아세탈형 산해리성 용해 억제기와, 당해 아세탈형 산해리성 용해 억제기가 결합한 산소 원자 사이에서 결합이 절단된다.The "acetal acid dissociable, dissolution inhibiting group" is generally substituted with a hydrogen atom at the terminal of an alkali-soluble group such as a carboxyl group or a hydroxyl group and bonded to an oxygen atom. When an acid is generated by exposure, the acid acts to break the bond between the acetal-type acid dissociable, dissolution inhibiting group and the oxygen atom bonded to the acetal-type acid dissociable, dissolution inhibiting group.

아세탈형 산해리성 용해 억제기로는, 예를 들어 하기 일반식 (p1) 로 나타내는 기를 들 수 있다.As an acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group, group represented by the following general formula (p1) is mentioned, for example.

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112008056120253-pat00010
Figure 112008056120253-pat00010

[식 중, R1', R2' 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 저급 알킬기를 나타내 고, n 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고, Y 는 저급 알킬기 또는 지방족 고리형기를 나타낸다][Wherein, R 1 ′ and R 2 ′ each independently represent a hydrogen atom or a lower alkyl group, n represents an integer of 0 to 3, and Y represents a lower alkyl group or an aliphatic cyclic group]

상기 식 중, n 은 0 ∼ 2 의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1 이 보다 바람직하고, 0 이 가장 바람직하다.In said formula, it is preferable that n is an integer of 0-2, 0 or 1 is more preferable, and 0 is the most preferable.

R1', R2' 의 저급 알킬기로는, 상기 R 의 저급 알킬기와 동일한 것을 들 수 있고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.Examples of the lower alkyl group of R 1 ' and R 2' include the same as those of the lower alkyl group of R, a methyl group or an ethyl group is preferred, and a methyl group is most preferred.

본 발명에 있어서는, R1', R2' 중 적어도 1 개가 수소 원자인 것이 바람직하다. 즉, 산해리성 용해 억제기 (p1) 이, 하기 일반식 (p1-1) 로 나타내는 기인 것이 바람직하다.In the present invention, at least one of R 1 ′ and R 2 ′ is preferably a hydrogen atom. That is, it is preferable that acid dissociable, dissolution inhibiting group (p1) is group represented by the following general formula (p1-1).

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112008056120253-pat00011
Figure 112008056120253-pat00011

[식 중, R1', n, Y 는 상기와 동일하다][Wherein, R 1 ′ , n, Y are the same as described above]

Y 의 저급 알킬기로는, 상기 R 의 저급 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.As a lower alkyl group of Y, the same thing as the lower alkyl group of said R is mentioned.

Y 의 지방족 고리형기로는, 종래 ArF 레지스트 등에 있어서 다수 제안되어 있는 단고리 또는 다고리형 지방족 고리형기 중에서 적당히 선택하여 사용할 수 있고, 예를 들어 상기 「지방족 고리형기」 와 동일한 것을 예시할 수 있다.As the aliphatic cyclic group of Y, any of monocyclic or polycyclic aliphatic cyclic groups that have been proposed in the conventional ArF resist or the like can be appropriately selected and used, and examples thereof can be the same as those described above for the "aliphatic cyclic group".

또한, 아세탈형 산해리성 용해 억제기로는, 하기 일반식 (p2) 로 나타내는 기도 들 수 있다.Moreover, as an acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group, the air represented by the following general formula (p2) is mentioned.

[화학식 11][Formula 11]

Figure 112008056120253-pat00012
Figure 112008056120253-pat00012

[식 중, R17, R18 은 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기 또는 수소 원자이고, R19 는 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기이다. 또는, R17 및 R19 가 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬렌기로서, R17 의 말단과 R19 의 말단이 결합하여 고리를 형성하고 있어도 된다][Wherein, R 17 and R 18 are each independently a linear or branched alkyl group or a hydrogen atom, and R 19 Is a linear, branched or cyclic alkyl group. Or R 17 And R 19 are each independently a linear or branched alkylene group, and the terminal of R 17 and the terminal of R 19 may be bonded to each other to form a ring.]

R17, R18 에 있어서, 알킬기의 탄소수는 바람직하게는 1 ∼ 15 이고, 직사슬형, 분기사슬형의 어느 것이어도 되고, 에틸기, 메틸기가 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다.R 17 , R 18 WHEREIN: Carbon number of an alkyl group becomes like this. Preferably it is 1-15, any of a linear type and a branched chain type may be sufficient, an ethyl group and a methyl group are preferable, and a methyl group is the most preferable.

특히 R17, R18 의 일방이 수소 원자이고, 타방이 메틸기인 것이 바람직하다.It is preferable that especially one of R <17> , R <18> is a hydrogen atom, and the other is a methyl group.

R19 는 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기이고, 탄소수는 바람직하게는 1 ∼ 15 이고, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형의 어느 것이어도 된다.R 19 Is a linear, branched or cyclic alkyl group, and carbon number is preferably 1 to 15, and may be any of linear, branched or cyclic.

R19 가 직사슬형, 분기사슬형인 경우에는 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 바람직하고, 에틸기, 메틸기가 더욱 바람직하고, 특히 에틸기가 가장 바람직하다.R 19 When is linear or branched, it is preferable that it is C1-C5, an ethyl group and a methyl group are more preferable, and ethyl group is the most preferable especially.

R19 가 고리형인 경우에는 탄소수 4 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 아다만탄으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 바람직하다.R 19 When a cyclic | annular form is cyclic, it is preferable that it is C4-C15, It is more preferable that it is C4-C12, and C5-C10 is the most preferable. Specifically, the group which removed one or more hydrogen atoms from polycycloalkane, such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, may be used. It can be illustrated. Specific examples thereof include a monocycloalkane such as cyclopentane and cyclohexane, a group obtained by removing one or more hydrogen atoms from a polycycloalkane such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclododecane And the like. Especially, the group remove | excluding one or more hydrogen atoms from adamantane is preferable.

또한, 상기 식에 있어서는, R17 및 R19 가 각각 독립적으로 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬렌기 (바람직하게는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기) 로서 R19 의 말단과 R17 의 말단이 결합되어 있어도 된다.In the above formula, R 17 And R 19 Are independently a linear or branched alkylene group (preferably an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms), and the terminal of R 19 and the terminal of R 17 may be bonded to each other.

이 경우, R17 과 R19 와, R19 가 결합한 산소 원자와, 그 산소 원자 및 R17 이 결합한 탄소 원자에 의해 고리형기가 형성되어 있다. 그 고리형기로는, 4 ∼ 7 원자 고리가 바람직하고, 4 ∼ 6 원자 고리가 보다 바람직하다. 그 고리형기의 구체예로는, 테트라히드로피라닐기, 테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다.In this case, R 17 And R 19 With, R 19 Is an oxygen atom bonded to the oxygen atom and R 17 A cyclic group is formed by this bonded carbon atom. As this cyclic group, a 4-7 membered ring is preferable and a 4-6 membered ring is more preferable. Specific examples of the cyclic group include tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group and the like.

아세탈형 산해리성 용해 억제기의 구체예로는, 예를 들어, 하기 식 (3-1) ∼ (3-12) 로 나타내는 기 등을 들 수 있다.As a specific example of an acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group, group represented by following formula (3-1)-(3-12) etc. are mentioned, for example.

[화학식 12][Formula 12]

Figure 112008056120253-pat00013
Figure 112008056120253-pat00013

[식 중, R13 은 수소 원자 또는 메틸기이고, g 는 상기와 동일하다][Wherein, R 13 is a hydrogen atom or a methyl group, g is the same as above]

본 발명에 있어서, R2 는, 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기인 것이 바람직하고, 상기 서술한 (ⅰ) 1 가의 지방족 고리형기의 고리 골격 상에 제 3 급 탄소 원자를 갖Ⅱ는 기가 보다 바람직하고, 그 중에서도, 일반식 (1-1) 로 나타내는 기가 바람직하다.In the present invention, R 2 is preferably a tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group, and group II having a tertiary carbon atom on the ring skeleton of the (i) monovalent aliphatic cyclic group described above More preferably, the group represented by general formula (1-1) is especially preferable.

화합물 (Ⅰ) 로는, 하기 일반식 (Ⅰ') 또는 (Ⅱ') 로 나타내는 화합물이 바람직하고, 특히 하기 일반식 (Ⅰ') 로 나타내는 화합물이 바람직하다.As compound (I), the compound represented by the following general formula (I ') or (II') is preferable, and the compound represented with the following general formula (I ') is especially preferable.

[화학식 13][Formula 13]

Figure 112008056120253-pat00014
Figure 112008056120253-pat00014

[식 중, R1, R14 는 각각 상기와 동일하고, R10 은 수소 원자 또는 메틸기이고, a 는 2 ∼ 10 의 정수이고, n 은 0 ∼ 3 의 정수이다][In formula, R <1> , R <14> is the same as the above, R <10> is a hydrogen atom or a methyl group, a is an integer of 2-10, n is an integer of 0-3.]

a 는 2 ∼ 5 의 정수가 바람직하고, 2 가 가장 바람직하다.The integer of 2-5 is preferable, and 2 is a most preferable.

화합물 (Ⅰ) 은, 특별히 한정되지 않지만, 후술하는 제 1 제조 방법 또는 제 2 제조 방법에 의해 제조할 수 있다.Although compound (I) is not specifically limited, It can manufacture by the 1st manufacturing method or 2nd manufacturing method mentioned later.

상기 서술한 본 발명의 화합물 (Ⅰ) 은, 종래 알려지지 않은 신규한 것이다.The compound (I) of this invention mentioned above is a novel thing conventionally unknown.

화합물 (Ⅰ) 은, 포지티브형 레지스트 조성물의 기재 성분으로서 사용할 수 있는 고분자 화합물의 제조용으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 즉, 화합물 (Ⅰ) 은, 중합성을 갖는 화합물로, 고분자 화합물 (중합체, 공중합체) 의 모노머로서 사용할 수 있다.Compound (I) can be used suitably for manufacture of the high molecular compound which can be used as a base component of a positive resist composition. That is, compound (I) is a compound which has a polymerizability, and can be used as a monomer of a high molecular compound (polymer, a copolymer).

화합물 (Ⅰ) 을 모노머로서 사용함으로써, 상기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 함유하는 본 발명의 고분자 화합물 (A1) 을 제조할 수 있다.By using compound (I) as a monomer, the high molecular compound (A1) of this invention containing the structural unit (a0) represented by the said general formula (a0-1) can be manufactured.

《제 1 제조 방법》<< first manufacturing method >>

다음으로, 제 1 제조 방법 (본 발명의 제 5 양태의 제조 방법) 에 대해 설명한다.Next, a 1st manufacturing method (manufacturing method of the 5th aspect of this invention) is demonstrated.

제 1 제조 방법은, 상기 일반식 (Ⅰ-1) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ-1) 이라고 한다) 과, 상기 일반식 (Ⅰ-2) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ-2) 라고 한다) 을 반응시켜 상기 일반식 (Ⅰ-3) 으로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ-3) 이라고 한다) 을 얻는 공정 (이하, 제 1 공정이라고 한다), 및 화합물 (Ⅰ-3) 과, 하기 일반식 (Ⅰ-4) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ-4) 라고 한다) 을 반응시켜 화합물 (Ⅰ) 을 얻는 공정 (이하, 제 2 공정이라고 한다) 을 포함한다.A 1st manufacturing method is a compound represented by the said General formula (I-1) (henceforth a compound (I-1)), and a compound represented by the said General formula (I-2) (henceforth a compound (I-2) ) To react to obtain a compound represented by the general formula (I-3) (hereinafter referred to as compound (I-3)) (hereinafter referred to as first step), and compound (I-3) And the process (henceforth a 2nd process) which reacts with the compound represented by the following general formula (I-4) (henceforth a compound (I-4)), and obtains compound (I).

식 (Ⅰ-1) ∼ (Ⅰ-4) 중의 R1, A, B, R2 는, 각각 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1, A, B, R2 와 동일하다.Equation (Ⅰ-1) ~ (Ⅰ -4) R 1, A, B, R 2 is in, respectively, is the same as R 1, A, B, R 2 in the formula (Ⅰ).

X10 및 X12 는 각각 독립적으로 수산기 또는 할로겐 원자로서, X10 및 X12 중 어느 일방이 수산기이고, 타방이 할로겐 원자이고, X11 은 할로겐 원자이다. 그 할로겐 원자로는, 브롬 원자, 염소 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다.X 10 and X 12 are each independently a hydroxyl group or a halogen atom, one of X 10 and X 12 is a hydroxyl group, the other is a halogen atom, and X 11 is a halogen atom. Examples of the halogen atom include bromine atom, chlorine atom, iodine atom and fluorine atom.

X10 또는 X12 의 할로겐 원자로는, 반응성이 우수하기 때문에, 염소 원자, 브 롬 원자가 바람직하다.The halogen atom of X 10 or X 12 is preferably a chlorine atom or a bromine atom because of excellent reactivity.

X11 로는, 반응성이 우수하기 때문에, 브롬 원자 또는 염소 원자가 바람직하고, 브롬 원자가 특히 바람직하다.As X 11 , since it is excellent in reactivity, a bromine atom or a chlorine atom is preferable, and a bromine atom is particularly preferable.

「제 1 공정」`` First step ''

화합물 (Ⅰ-1) 과 화합물 (Ⅰ-2) 는, 공지된 방법에 의해 반응시킬 수 있다. 예를 들어, 반응 용매 중, 염기의 존재하에서, 화합물 (Ⅰ-1) 및 화합물 (Ⅰ-2) 를 접촉시키는 방법을 들 수 있다. 그 방법은, 예를 들어, 염기의 존재하, 화합물 (Ⅰ-1) 이 반응 용매에 용해된 용액에 화합물 (Ⅰ-2) 를 첨가함으로써 실시할 수 있다.Compound (I-1) and compound (I-2) can be reacted by a well-known method. For example, the method of making compound (I-1) and compound (I-2) contact in presence of a base in a reaction solvent is mentioned. The method can be performed, for example, by adding compound (I-2) to a solution in which compound (I-1) is dissolved in a reaction solvent in the presence of a base.

화합물 (Ⅰ-1), 화합물 (Ⅰ-2) 로는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 합성해도 된다.As a compound (I-1) and a compound (I-2), a commercially available thing may be used and you may synthesize | combine.

화합물 (Ⅰ-1) 은, X10 이 수산기인 경우에는 2 가 알코올이고, X10 이 할로겐 원자인 경우에는 할로겐화알코올이다. 화합물 (Ⅰ-1) 로는 2 가 알코올 또는 할로겐화알코올이면 특별히 한정되지 않는다. 2 가 알코올의 구체예로는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올 등을 들 수 있다. 할로겐화알코올의 구체예로는, 2-브로모-1-에탄올, 3-클로로-1-프로판올, 4-클로로-1-부탄올, 5-클로로-1-펜탄올 등을 들 수 있다.Compound (I-1) is a dihydric alcohol when X 10 is a hydroxyl group, and halogenated alcohol when X 10 is a halogen atom. The compound (I-1) is not particularly limited as long as it is a dihydric alcohol or a halogenated alcohol. Specific examples of the dihydric alcohol include ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, and the like. Specific examples of the halogenated alcohols include 2-bromo-1-ethanol, 3-chloro-1-propanol, 4-chloro-1-butanol, 5-chloro-1-pentanol, and the like.

화합물 (Ⅰ-2) 로는, 2-메틸-2-아다만틸옥시카르보닐메틸클로라이드, 2-에틸-2-아다만틸옥시카르보닐메틸클로라이드, 1-메틸-1-시클로헥실옥시카르보닐메틸클 로라이드, 1-에틸-1-시클로헥실옥시카르보닐메틸클로라이드, 1-메틸-1-시클로펜틸옥시카르보닐메틸클로라이드, 1-에틸-1-시클로펜틸옥시카르보닐메틸클로라이드 등을 들 수 있다.Examples of the compound (I-2) include 2-methyl-2-adamantyloxycarbonylmethyl chloride, 2-ethyl-2-adamantyloxycarbonylmethyl chloride, and 1-methyl-1-cyclohexyloxycarbonyl Methyl chloride, 1-ethyl-1-cyclohexyloxycarbonylmethyl chloride, 1-methyl-1-cyclopentyloxycarbonylmethyl chloride, 1-ethyl-1-cyclopentyloxycarbonylmethylchloride, and the like. Can be.

반응 용매로는, 원료인 화합물 (Ⅰ-1) 및 화합물 (Ⅰ-2) 를 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 구체적으로는, 테트라히드로푸란 (THF), 아세톤, 디메틸포름아미드 (DMF), 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭사이드 (DMSO), 아세토니트릴 등을 들 수 있다.As a reaction solvent, what is necessary is just to be able to melt | dissolve compound (I-1) and compound (I-2) which are raw materials, and specifically, tetrahydrofuran (THF), acetone, dimethylformamide (DMF), and dimethylacetic acid. Amide, dimethyl sulfoxide (DMSO), acetonitrile, etc. are mentioned.

염기로는, 예를 들어 수소화나트륨, K2CO3 등의 무기 염기 ; 트리에틸아민, 4-디메틸아미노피리딘 (DMAP), 피리딘 등의 유기 염기 등을 들 수 있다.Examples of the base include, for example, sodium hydride, inorganic bases such as K 2 CO 3; Organic bases such as triethylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), pyridine and the like.

제 1 공정에 있어서는, 특히 수소화나트륨이 바람직하게 사용된다.In the first step, sodium hydride is particularly preferably used.

화합물 (Ⅰ-2) 의 첨가량은, 화합물 (Ⅰ-1) 에 대하여, 대략 1 ∼ 100 몰 배량이 바람직하고, 1 ∼ 50 몰 배량이 보다 바람직하다.About 1-100 mol double amount is preferable with respect to compound (I-1), and, as for the addition amount of compound (I-2), 1-50 mol double amount is more preferable.

반응 온도는, 0 ∼ 50℃ 가 바람직하고, 5 ∼ 40℃ 가 보다 바람직하고, 실온에서의 반응이 가장 바람직하다.0-50 degreeC is preferable, as for reaction temperature, 5-40 degreeC is more preferable, and reaction at room temperature is the most preferable.

반응 시간은, 화합물 (Ⅰ-1) 및 화합물 (Ⅰ-2) 의 반응성이나 반응 온도 등에 따라서도 상이한데, 통상적으로 1 ∼ 24 시간이 바람직하고, 3 ∼ 12 시간이 보다 바람직하다.Although reaction time changes also with reactivity, reaction temperature, etc. of a compound (I-1) and a compound (I-2), 1 to 24 hours are preferable normally, and 3 to 12 hours are more preferable.

반응 종료 후, 반응액은, 그대로 다음의 공정에 사용해도 되고, 반응액 중의 화합물 (Ⅰ-3) 을 단리, 정제해도 된다. 단리, 정제에는, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있고, 예를 들어 농축, 용매 추출, 결정화, 재결정, 크로마토그래피 등을 어느 하나 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.After completion | finish of reaction, a reaction liquid may be used for the next process as it is, and you may isolate and refine | compound compound (I-3) in a reaction liquid. A conventionally well-known method can be used for isolation | separation and purification, For example, concentration, solvent extraction, crystallization, recrystallization, chromatography, etc. can be used individually or in combination of 2 or more types.

「제 2 공정」`` 2nd process ''

화합물 (Ⅰ-3) 과 화합물 (Ⅰ-4) 를 반응시키는 방법으로는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 제 1 공정에서 얻어진 화합물 (Ⅰ-3) 이 용해된 용액에, 염기의 존재하에서, 화합물 (Ⅰ-4) 를 첨가하는 방법을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a method of making compound (I-3) and compound (I-4) react, For example, in the presence of a base in the solution in which the compound (I-3) obtained by the 1st process was dissolved, And the method of adding compound (I-4).

화합물 (Ⅰ-3) 이 용해된 용액으로는, 제 1 공정에서 얻어진 반응액을 그대로 사용해도 되고, 그 반응액으로부터 단리, 정제한 화합물 (Ⅰ-3) 을 반응 용매에 용해시킨 용액을 사용해도 된다.As a solution in which compound (I-3) is dissolved, the reaction solution obtained in the first step may be used as it is, or a solution in which compound (I-3) isolated and purified from the reaction solution is dissolved in a reaction solvent is used. do.

반응 용매로는, 원료인 화합물 (Ⅰ-3) 을 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 예를 들어 제 1 공정에서 예시한 반응 용매와 동일한 것을 들 수 있다.What is necessary is just to be able to melt | dissolve compound (I-3) which is a raw material as a reaction solvent, For example, the thing similar to the reaction solvent illustrated by the 1st process is mentioned.

염기로는, 제 1 공정에서 예시한 염기와 동일한 것을 들 수 있다. 제 2 공정에 있어서는, 특히 트리에틸아민이 바람직하게 사용된다.As a base, the thing similar to the base illustrated by the 1st process is mentioned. Especially in a 2nd process, triethylamine is used preferably.

화합물 (Ⅰ-4) 로는, 화합물 (Ⅰ-1) 로서 2 가 알코올을 사용하는 경우에는, X12 가 할로겐 원자인 화합물을 사용하고, 화합물 (Ⅰ-1) 로서 할로겐화알코올을 사용하는 경우에는 X12 가 수산기인 화합물을 사용한다.As the compound (I-4), in the case of using a dihydric alcohol as the compound (I-1), a compound in which X 12 is a halogen atom is used, and in the case of using a halogenated alcohol as the compound (I-1), X The compound whose 12 is a hydroxyl group is used.

화합물 (Ⅰ-4) 의 첨가량은, 화합물 (Ⅰ-3) 에 대하여, 대략 1 ∼ 2 몰 배량이 바람직하고, 1 ∼ 1.5 몰배가 보다 바람직하다.About 1-2 mol double quantity is preferable with respect to compound (I-3), and, as for the addition amount of compound (I-4), 1-1.5 mol double is more preferable.

반응 온도는, 0 ∼ 50℃ 가 바람직하고, 5 ∼ 40℃ 가 보다 바람직하고, 실 온에서의 반응이 가장 바람직하다.0-50 degreeC is preferable, as for reaction temperature, 5-40 degreeC is more preferable, and reaction at room temperature is the most preferable.

반응 시간은, 화합물 (Ⅰ-3) 및 (Ⅰ-4) 의 반응성이나 반응 온도 등에 따라서도 상이한데, 통상적으로 1 ∼ 24 시간이 바람직하고, 3 ∼ 12 시간이 보다 바람직하다.Although reaction time changes also with reactivity, reaction temperature, etc. of compound (I-3) and (I-4), 1 to 24 hours are preferable normally, and 3 to 12 hours are more preferable.

반응 종료 후, 반응액 중의 화합물 (Ⅰ) 을 단리, 정제해도 된다. 단리, 정제에는, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있고, 예를 들어 농축, 용매 추출, 결정화, 재결정, 크로마토그래피 등을 어느 하나 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.After completion of the reaction, the compound (I) in the reaction solution may be isolated and purified. A conventionally well-known method can be used for isolation | separation and purification, For example, concentration, solvent extraction, crystallization, recrystallization, chromatography, etc. can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 공정에서 얻어지는 화합물의 구조는, 1H-핵자기 공명 (NMR) 스펙트럼법, 13C-NMR 스펙트럼법, 19F-NMR 스펙트럼법, 적외선 흡수 (IR) 스펙트럼법, 질량 분석 (MS) 법, 원소 분석법, X 선 결정 회절법 등의 일반적인 유기 분석법에 의해 확인할 수 있다.The structure of the compound obtained in the above process is 1 H-nuclear magnetic resonance (NMR) spectroscopy, 13 C-NMR spectroscopy, 19 F-NMR spectroscopy, infrared absorption (IR) spectroscopy, mass spectrometry (MS), It can confirm by general organic analysis methods, such as an element analysis method and X-ray crystal diffraction method.

《제 2 제조 방법》<< second manufacturing method >>

다음으로, 제 2 제조 방법 (본 발명의 제 6 양태의 제조 방법) 에 대해 설명한다.Next, a 2nd manufacturing method (manufacturing method of 6th aspect of this invention) is demonstrated.

제 2 제조 방법은, 상기 일반식 (Ⅰ-5) 로 나타내는 화합물 (이하, 화합물 (Ⅰ-5) 라고 한다) 과, 화합물 (Ⅰ-2) 를 반응시켜 화합물 (Ⅰ) 을 얻는 공정 (이하, 제 1' 공정이라고 한다) 을 포함한다.The second production method is a step of reacting a compound represented by the general formula (I-5) (hereinafter referred to as compound (I-5)) with compound (I-2) to obtain compound (I) 1st process).

식 (Ⅰ-5), (Ⅰ-2) 중의 R1, A, B, R2 는, 각각 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1, A, B, R2 와 동일하다.Equation (Ⅰ-5), R 1 , A, B, R 2 in (Ⅰ-2), it is respectively the same as R 1, A, B, R 2 in the formula (Ⅰ).

X11 은 할로겐 원자이다. 그 할로겐 원자로는, 브롬 원자, 염소 원자, 요오드 원자, 불소 원자 등을 들 수 있다.X 11 is a halogen atom. Examples of the halogen atom include bromine atom, chlorine atom, iodine atom and fluorine atom.

X11 로는, 반응성이 우수하기 때문에, 브롬 원자 또는 염소 원자가 바람직하고, 브롬 원자가 특히 바람직하다.As X 11 , since it is excellent in reactivity, a bromine atom or a chlorine atom is preferable, and a bromine atom is particularly preferable.

「제 1' 공정」"1st process"

화합물 (Ⅰ-5) 와 화합물 (Ⅰ-2) 는, 공지된 방법에 의해 반응시킬 수 있다. 예를 들어, 반응 용매 중, 염기의 존재하에서, 화합물 (Ⅰ-5) 및 화합물 (Ⅰ-2) 를 접촉시키는 방법을 들 수 있다. 그 방법은, 예를 들어, 염기의 존재하, 화합물 (Ⅰ-5) 가 반응 용매에 용해된 용액에 화합물 (Ⅰ-2) 를 첨가함으로써 실시할 수 있다.Compound (I-5) and compound (I-2) can be reacted by a well-known method. For example, the method of making compound (I-5) and compound (I-2) contact in presence of a base in a reaction solvent is mentioned. The method can be performed, for example, by adding compound (I-2) to a solution in which compound (I-5) is dissolved in a reaction solvent in the presence of a base.

화합물 (Ⅰ-5), 화합물 (Ⅰ-2) 로는, 시판되는 것을 사용해도 되고, 합성해도 된다. 예를 들어 화합물 (Ⅰ-5) 의 구체예로는, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.As a compound (I-5) and a compound (I-2), a commercially available thing may be used and you may synthesize | combine. For example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, etc. are mentioned as a specific example of a compound (I-5). Can be.

반응 용매로는, 원료인 화합물 (Ⅰ-5) 및 화합물 (Ⅰ-2) 를 용해시킬 수 있는 것이면 되고, 구체적으로는, 테트라히드로푸란 (THF), 아세톤, 디메틸포름아미드 (DMF), 디메틸아세트아미드, 디메틸술폭사이드 (DMSO), 아세토니트릴 등을 들 수 있다.As a reaction solvent, what is necessary is just to be able to melt | dissolve compound (I-5) and compound (I-2) which are raw materials, and specifically, tetrahydrofuran (THF), acetone, dimethylformamide (DMF), and dimethylacetate Amide, dimethyl sulfoxide (DMSO), acetonitrile, etc. are mentioned.

염기로는, 예를 들어 수소화나트륨, K2CO3, Cs2CO3 등의 무기 염기 ; 트리에틸아민, 4-디메틸아미노피리딘 (DMAP), 피리딘 등의 유기 염기 등을 들 수 있다. 제 1' 공정에 있어서는, 특히 수소화나트륨이 바람직하게 사용된다.Examples of the base include, for example, sodium hydride, inorganic bases such as K 2 CO 3, Cs 2 CO 3; Organic bases such as triethylamine, 4-dimethylaminopyridine (DMAP), pyridine and the like. In the 1 'process, sodium hydride is especially used preferably.

화합물 (Ⅰ-2) 의 첨가량은, 화합물 (Ⅰ-5) 에 대하여, 대략 1 ∼ 2 몰 배량이 바람직하고, 1 ∼ 1.5 몰배가 보다 바람직하다.About 1-2 mol double quantity is preferable with respect to compound (I-5), and, as for the addition amount of compound (I-2), 1-1.5 mol double is more preferable.

반응 온도는, 0 ∼ 50℃ 가 바람직하고, 5 ∼ 40℃ 가 보다 바람직하고, 실온에서의 반응이 가장 바람직하다.0-50 degreeC is preferable, as for reaction temperature, 5-40 degreeC is more preferable, and reaction at room temperature is the most preferable.

반응 시간은, 화합물 (Ⅰ-5) 및 화합물 (Ⅰ-2) 의 반응성이나 반응 온도 등에 따라서도 상이한데, 통상적으로 1 ∼ 24 시간이 바람직하고, 3 ∼ 12 시간이 보다 바람직하다.Although reaction time changes also with reactivity, reaction temperature, etc. of a compound (I-5) and a compound (I-2), 1 to 24 hours are preferable normally, and 3 to 12 hours are more preferable.

반응 종료 후, 반응액 중의 화합물 (Ⅰ) 을 단리, 정제해도 된다. 단리, 정제에는, 종래 공지된 방법을 이용할 수 있고, 예를 들어 농축, 용매 추출, 결정화, 재결정, 크로마토그래피 등을 어느 하나 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.After completion of the reaction, the compound (I) in the reaction solution may be isolated and purified. A conventionally well-known method can be used for isolation | separation and purification, For example, concentration, solvent extraction, crystallization, recrystallization, chromatography, etc. can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 공정에서 얻어지는 화합물의 구조는, 1H-NMR 스펙트럼법, 13C-NMR 스펙트럼법, 19F-NMR 스펙트럼법, 적외선 흡수 (IR) 스펙트럼법, 질량 분석 (MS) 법, 원소 분석법, X 선 결정 회절법 등의 일반적인 유기 분석법에 의해 확인할 수 있다.The structure of the compound obtained by the said process is 1 H-NMR spectral method, 13 C-NMR spectral method, 19 F-NMR spectral method, infrared absorption (IR) spectrum method, mass spectrometry (MS) method, elemental analysis method, X-ray It can confirm by general organic analysis methods, such as a crystal diffraction method.

《화합물 (Ⅱ)》<Compound (II) >>

다음으로, 본 발명의 제 7 양태의 화합물 (Ⅱ) 에 대해 설명한다.Next, the compound (II) of the seventh aspect of the present invention will be described.

화합물 (Ⅱ) 는, 상기 일반식 (Ⅱ) 로 나타낸다.Compound (II) is represented by the said General formula (II).

식 (Ⅱ) 중의 X10, A', B', R2' 는, 각각 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 X10, A, B, R2 와 동일하다.X <10> , A ', B', and R <2>' in formula (II) are the same as X <10> , A, B and R <2> in said general formula (I), respectively.

화합물 (Ⅱ) 는, 상기 화합물 (Ⅰ-3) 과 동일하게 하여 제조할 수 있다. 즉, 상기 제 1 제조 방법에 있어서의 제 1 공정과 동일한 공정에 의해 제조할 수 있다.Compound (II) can be manufactured similarly to the said compound (I-3). That is, it can manufacture by the process similar to the 1st process in the said 1st manufacturing method.

화합물 (Ⅱ) 는, 상기 서술한 제 1 제조 방법에 있어서, 화합물 (Ⅰ-3) 으로서 이용할 수 있다.Compound (II) can be used as compound (I-3) in the above-mentioned first manufacturing method.

《고분자 화합물 (A1)》<< polymeric compound (A1) >>

다음으로, 본 발명의 제 3 양태의 고분자 화합물 (A1) 에 대해 설명한다.Next, the high molecular compound (A1) of 3rd aspect of this invention is demonstrated.

고분자 화합물 (A1) 은, 상기 일반식 (a0-1) 로 나타내는 구성 단위 (a0) 을 갖는다.A high molecular compound (A1) has a structural unit (a0) represented by the said general formula (a0-1).

일반식 (a0-1) 중의 R1, A, B, R2 는, 각각 상기 일반식 (Ⅰ) 중의 R1, A, B, R2 와 동일하다. R 1, A, B, R 2 in the general formula (a0-1), it is respectively the same as R 1, A, B, R 2 in the formula (Ⅰ).

구성 단위 (a0-1) 로는, 특히 하기 일반식 (a0-1-1) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하다.Especially as a structural unit (a0-1), the structural unit represented with the following general formula (a0-1-1) is preferable.

[화학식 14][Formula 14]

Figure 112008056120253-pat00015
Figure 112008056120253-pat00015

식 (a0-1-1) 중의 R1, a, R10, R14 는, 각각 상기 일반식 (Ⅰ') 중의 R1, a, R10, R14 와 동일하다.Formula (a0-1-1) of R 1, a, R 10, R 14 , it is respectively the same as R 1, a, R 10, R 14 in the formula (Ⅰ ').

고분자 화합물 (A1) 에 함유되는 구성 단위 (a0) 은, 1 종이어도 되고, 2 종 이상이어도 된다.1 type may be sufficient as the structural unit (a0) contained in a high molecular compound (A1), and 2 or more types may be sufficient as it.

고분자 화합물 (A1) 은, 구성 단위 (a0) 만으로 이루어지는 중합체이어도 되고, 추가로 다른 구성 단위를 함유하는 공중합체이어도 된다.The high molecular compound (A1) may be a polymer composed only of the structural unit (a0), or may be a copolymer containing another structural unit.

고분자 화합물 (A1) 중, 구성 단위 (a0) 의 비율은, 당해 구성 단위 (a0) 과, 후술하는 구성 단위 (a1) 의 합계 비율 (구성 단위 (a1) 을 갖지 않는 경우에는 구성 단위 (a0) 의 비율) 이, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위 에 대하여, 10 ∼ 80 몰% 가 되는 양이 바람직하고, 20 ∼ 70 몰% 가 되는 양이 보다 바람직하고, 25 ∼ 50 몰% 가 되는 양이 가장 바람직하다. 하한값 이상으로 함으로써, 레지스트 조성물로 하였을 때에 용이하게 패턴을 얻을 수 있고, 상한값 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 밸런스를 맞출 수 있다.In the high molecular compound (A1), the ratio of the structural unit (a0) is a total ratio between the structural unit (a0) and the structural unit (a1) described later (structural unit (a0) Ratio) is preferably in an amount of 10 to 80 mol%, more preferably in an amount of 20 to 70 mol%, and more preferably 25 to 50 mol%, based on the total constitutional units of the polymer compound (A1). The amount to be most preferred. By setting it as the lower limit or more, a pattern can be easily obtained when it is set as a resist composition, and it can balance with the other structural unit by setting it as the upper limit or less.

특히, 당해 고분자 화합물 (A1) 을 함유하는 포지티브형 레지스트 조성물의 해상성, 라인 에지 러프니스 등의 리소그래피 특성이 향상되기 때문에, 구성 단위 (a0) 의 비율이, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여, 10 몰% 이상인 것이 바람직하고, 20 몰% 이상이 보다 바람직하다.In particular, since lithographic characteristics such as resolution and line edge roughness of the positive resist composition containing the polymer compound (A1) are improved, the proportion of the structural unit (a0) constitutes the whole of the polymer compound (A1). It is preferable that it is 10 mol% or more with respect to a structural unit, and 20 mol% or more is more preferable.

본 발명의 고분자 화합물 (A1) 이, 구성 단위 (a0) 이외의 다른 구성 단위를 함유하는 공중합체인 경우, 구성 단위 (a0) 이외의 다른 구성 단위로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지에 사용되고 있는 임의의 구성 단위이어도 된다.When the high molecular compound (A1) of this invention is a copolymer containing structural units other than a structural unit (a0), it does not specifically limit as other structural units other than a structural unit (a0), and is a chemical amplification type so far Arbitrary structural units used for the base resin for resist may be used.

바람직한 구성 단위로서, 구체적으로는, 이하의 구성 단위 (a1) ∼ (a3) 등의 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등을 들 수 있다.As a preferable structural unit, the structural unit guide | induced from acrylic acid esters, such as the following structural units (a1)-(a3), etc. are mentioned specifically ,.

이들 중, 고분자 화합물 (A1) 은, 구성 단위 (a0) 에 더하여, 추가로 구성 단위 (a2) 를 갖는 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that a high molecular compound (A1) has a structural unit (a2) further in addition to a structural unit (a0).

또한, 고분자 화합물 (A1) 은, 구성 단위 (a0) 에 더하여, 또는 구성 단위 (a0) 및 구성 단위 (a2) 에 더하여, 추가로 구성 단위 (a3) 을 갖는 것이 바람직하다.In addition, the polymer compound (A1) preferably has a structural unit (a3) in addition to the structural unit (a0), or in addition to the structural unit (a0) and the structural unit (a2).

여기에서, 본 명세서 및 청구의 범위에 있어서, 「아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위」 란, 아크릴산에스테르의 에틸렌성 이중 결합이 개열되어 구성되는 구성 단위를 의미한다.Here, in this specification and a claim, a "structural unit derived from an acrylate ester" means the structural unit in which the ethylenic double bond of an acrylate ester is cleaved and comprised.

「아크릴산에스테르」 는, α 위치의 탄소 원자에 수소 원자가 결합되어 있는 아크릴산에스테르 외에, α 위치의 탄소 원자에 치환기 (수소 원자 이외의 원자 또는 기) 가 결합되어 있는 것도 포함하는 개념으로 한다. 치환기로는, 저급 알킬기, 할로겐화 저급 알킬기 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위의 α 위치 (α 위치의 탄소 원자) 란, 특별히 언급이 없는 한, 카르보닐기가 결합되어 있는 탄소 원자를 의미한다."Acrylic acid ester" is taken as the concept including what the substituent (atoms other than a hydrogen atom or group) couple | bonded with the carbon atom of an alpha position in addition to the acrylate ester with which the hydrogen atom is couple | bonded with the carbon atom of the alpha position. As a substituent, a lower alkyl group, a halogenated lower alkyl group, etc. are mentioned. In addition, the alpha position (carbon atom of an alpha position) of the structural unit derived from an acrylate ester means the carbon atom to which the carbonyl group couple | bonded unless there is particular notice.

아크릴산에스테르에 있어서, α 위치의 치환기로서의 저급 알킬기, 할로겐화 저급 알킬기로는, 상기 R1 의 저급 알킬기, 할로겐화 저급 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.In acrylate ester, the lower alkyl group and halogenated lower alkyl group as a substituent of the (alpha) position are the same as the lower alkyl group and halogenated lower alkyl group of said R < 1 >.

아크릴산에스테르의 α 위치에 결합되어 있는 것은, 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 저급 알킬기 또는 불소화 저급 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 공업상의 입수 용이성에서, 수소 원자 또는 메틸기인 것이 가장 바람직하다.It is preferable that the thing couple | bonded with the (alpha) position of an acrylate ester is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, It is more preferable that it is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a fluorinated lower alkyl group, From an industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group Is most preferred.

<구성 단위 (a2)><Structural unit (a2)>

구성 단위 (a2) 는, 락톤 함유 고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다.Structural unit (a2) is a structural unit derived from the acrylate ester containing a lactone containing cyclic group.

여기에서, 락톤 함유 고리형기란, -O-C(O)- 구조를 포함하는 하나의 고리 (락톤 고리) 를 함유하는 고리형기를 나타낸다. 락톤 고리를 첫 번째 고리로서 세어서, 락톤 고리만인 경우에는 단고리형기, 추가로 다른 고리 구조를 갖는 경우에는, 그 구조에 상관없이 다고리형기라고 칭한다.Here, a lactone containing cyclic group represents the cyclic group containing one ring (lactone ring) containing a -O-C (O)-structure. When a lactone ring is counted as a 1st ring and it is a lactone ring only, it is called a polycyclic group irrespective of its structure, when it has only a monocyclic group and when it has another ring structure.

구성 단위 (a2) 의 락톤 고리형기는, 고분자 화합물 (A1) 을 레지스트막의 형성에 사용한 경우, 레지스트막의 기판에 대한 밀착성을 높이거나, 물을 함유하는 현상액과의 친화성을 높이는 데에 있어서 유효한 것이다.When the high molecular compound (A1) is used for formation of a resist film, the lactone cyclic group of a structural unit (a2) is effective in improving adhesiveness with respect to the board | substrate of a resist film, or improving affinity with the developing solution containing water. .

구성 단위 (a2) 로는, 특별히 한정되지 않고 임의의 것을 사용할 수 있다.As a structural unit (a2), it does not specifically limit but arbitrary things can be used.

구체적으로는, 락톤 함유 단고리형기로는, γ-부티로락톤으로부터 수소 원자 1 개를 제거한 기를 들 수 있다. 또한, 락톤 함유 다고리형기로는, 락톤 고리를 갖는 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸으로부터 수소 원자 하나를 제거한 기를 들 수 있다.Specifically, the lactone-containing monocyclic group includes a group in which one hydrogen atom is removed from γ-butyrolactone. Moreover, as a lactone containing polycyclic type group, the group remove | excluding one hydrogen atom from bicycloalkane, tricycloalkane, and tetracycloalkane which has a lactone ring is mentioned.

구성 단위 (a2) 의 예로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a2-1) ∼ (a2-5) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (a2) include structural units represented by general formulas (a2-1) to (a2-5) shown below.

[화학식 15][Formula 15]

Figure 112008056120253-pat00016
Figure 112008056120253-pat00016

[식 중, R 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, R' 는 수소 원자, 저급 알킬기, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기 또는 -COOR'' 이고, 상기 R'' 는 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 15 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기이고, m 은 0 또는 1 의 정수이고, A'' 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기 또는 산소 원자이다][Wherein R is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, R 'is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a C1-C5 alkoxy group or -COOR' ', and R' 'is a hydrogen atom or carbon number Is a linear, branched or cyclic alkyl group of 1 to 15, m is an integer of 0 or 1, and A '' is an alkylene group or oxygen atom of 1 to 5 carbon atoms.]

일반식 (a2-1) ∼ (a2-5) 에 있어서의 R 은 상기 구성 단위 (a0) 에 있어서의 R1 과 동일하다.R in General Formulas (a2-1) to (a2-5) is the same as R 1 in the structural unit (a0).

R' 의 저급 알킬기로는, 상기 R1 의 저급 알킬기와 동일하다.The lower alkyl group of R 'is the same as the lower alkyl group of R 1 .

R'' 가 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기인 경우에는 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 더욱 바람직하다.When R '' is a linear or branched alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, and it is more preferable that it is C1-C5.

R'' 가 고리형 알킬기인 경우에는 탄소수 3 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 12 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 구체적으로는 불소 원자 또는 불소화알킬기로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 되는 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.When R '' is a cyclic alkyl group, it is preferable that it is C3-C15, It is more preferable that it is C4-C12, and C5-C10 is the most preferable. Specifically, the group which removed one or more hydrogen atoms from polycycloalkane, such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane and tetracycloalkane, which may or may not be substituted with a fluorine atom or a fluorinated alkyl group, may be used. It can be illustrated. Specifically, a group in which one or more hydrogen atoms are removed from monocycloalkanes such as cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclododecane Etc. can be mentioned.

A'' 의 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기로서, 구체적으로는, 메틸렌기, 에틸렌기, n-프로필렌기, 이소프로필렌기 등을 들 수 있다.As a C1-C5 alkylene group of A '', a methylene group, an ethylene group, n-propylene group, an isopropylene group, etc. are mentioned specifically ,.

일반식 (a2-1) ∼ (a2-5) 중, R' 는, 공업상 입수가 용이하다는 점 등을 고려하면, 수소 원자가 바람직하다.In consideration of the fact that R 'is industrially available in general formulas (a2-1) to (a2-5), hydrogen atoms are preferable.

식 (a2-1) 중, γ-부티로락톤 고리에 대한 산소 원자 (-O-) 의 결합 위치는, 특별히 한정되지 않지만, α 위치 또는 β 위치가 바람직하다.In the formula (a2-1), the bonding position of the oxygen atom (—O—) to the γ-butyrolactone ring is not particularly limited, but the α position or the β position is preferable.

이하에, 상기 일반식 (a2-1) ∼ (a2-5) 의 구체적인 구성 단위를 예시한다.Specific structural units of the general formulas (a2-1) to (a2-5) are shown below.

[화학식 16][Formula 16]

Figure 112008056120253-pat00017
Figure 112008056120253-pat00017

[화학식 17][Formula 17]

Figure 112008056120253-pat00018
Figure 112008056120253-pat00018

[화학식 18][Formula 18]

Figure 112008056120253-pat00019
Figure 112008056120253-pat00019

[화학식 19][Formula 19]

Figure 112008056120253-pat00020
Figure 112008056120253-pat00020

[화학식 20][Formula 20]

Figure 112008056120253-pat00021
Figure 112008056120253-pat00021

구성 단위 (a2) 로는, 상기 일반식 (a2-1) ∼ (a2-5) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 일반식 (a2-1) ∼ (a2-3) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 보다 바람직하다. 그 중에서도, 화학식 (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-1-3), (a2-1-4), (a2-2-1), (a2-2-2), (a2-3-1), (a2-3-2), (a2-3-9) 및 (a2-3-10) 으로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하다.As the structural unit (a2), at least one member selected from the group consisting of structural units represented by the general formulas (a2-1) to (a2-5) is preferable, and general formulas (a2-1) to (a2-3) It is more preferable than at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of structural units represented by the following. Among them, the chemical formulas (a2-1-1), (a2-1-2), (a2-1-3), (a2-1-4), (a2-2-1), and (a2-2-2) At least 1 sort (s) chosen from the group which consists of structural units represented by (a) -3- (1), (a2-3-1), (a2-3-2), (a2-3-9), and (a2-3-10) is preferable.

구성 단위 (a2) 로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the structural unit (a2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

고분자 화합물 (A1) 중, 구성 단위 (a2) 의 비율은, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여, 5 ∼ 60 몰% 가 바람직하고, 10 ∼ 55 몰% 가 보다 바람직하고, 20 ∼ 55 몰% 가 더욱 바람직하다. 하한값 이상으로 함으로써 구성 단위 (a2) 를 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한값 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 밸런스를 맞출 수 있다.5-60 mol% is preferable with respect to the total of all the structural units which comprise a polymeric compound (A1), and, as for the ratio of a structural unit (a2) in a high molecular compound (A1), 10-55 mol% is more preferable. , 20-55 mol% is more preferable. By setting it as the lower limit or more, the effect by containing a structural unit (a2) is fully acquired, and setting it as the upper limit or less can balance the other structural unit.

<구성 단위 (a3)><Structural unit (a3)>

구성 단위 (a3) 은, 극성기 함유 지방족 탄화수소기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위이다.The structural unit (a3) is a structural unit derived from an acrylate ester containing a polar group-containing aliphatic hydrocarbon group.

고분자 화합물 (A1) 이 구성 단위 (a3) 을 가짐으로써, 고분자 화합물 (A1) 의 친수성이 높아지고, 현상액과의 친화성이 높아져, 노광부에서의 알칼리 용해성이 향상되고, 해상성의 향상에 기여한다.When the high molecular compound (A1) has a structural unit (a3), the hydrophilicity of the high molecular compound (A1) increases, the affinity with the developing solution increases, alkali solubility in the exposed portion is improved, and contributes to improvement of resolution.

극성기로는, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 히드록시알킬기 등을 들 수 있고, 특히 수산기가 바람직하다.As a polar group, a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, the hydroxyalkyl group in which one part of the hydrogen atoms of an alkyl group were substituted by the fluorine atom, etc. are mentioned, Especially a hydroxyl group is preferable.

지방족 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형 탄화수소기 (바람직하게는 알킬렌기) 나, 다고리형 지방족 탄화수소기 (다고리형기) 를 들 수 있다. 그 다고리형기로는, 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 레지스트 조성물용 수지에 있어서, 다수 제안되어 있는 것 중에서 적당히 선택하여 사용할 수 있다. 그 다고리형기의 탄소수는 7 ∼ 30 인 것이 바람직하다.As an aliphatic hydrocarbon group, a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group (preferably alkylene group) and a polycyclic aliphatic hydrocarbon group (polycyclic group) are mentioned. As the polycyclic group, for example, a resin for a resist composition for an ArF excimer laser can be appropriately selected from among those proposed in a large number. It is preferable that carbon number of this polycyclic group is 7-30.

그 중에서도, 수산기, 시아노기, 카르복시기, 또는 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 히드록시알킬기를 함유하는 지방족 다고리형기를 포함하 는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 보다 바람직하다. 그 다고리형기로는, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 예시할 수 있다. 구체적으로는, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 이들 다고리형기 중에서도, 아다만탄으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 노르보르난으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기, 테트라시클로도데칸으로부터 2 개 이상의 수소 원자를 제거한 기가 공업상 바람직하다.Especially, the structural unit derived from the acrylate ester containing the aliphatic polycyclic group containing the hydroxyalkyl group in which one part of the hydrogen atoms of a hydroxyl group, a cyano group, a carboxy group, or an alkyl group is substituted by a fluorine atom is more preferable. Examples of the polycyclic group include groups in which two or more hydrogen atoms have been removed from bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. Specifically, the group remove | excluding two or more hydrogen atoms from polycycloalkane, such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclo dodecane, etc. are mentioned. Among these polycyclic groups, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from adamantane, a group in which two or more hydrogen atoms are removed from norbornane, and a group in which two or more hydrogen atoms are removed from tetracyclododecane are industrially preferable.

구성 단위 (a3) 으로는, 극성기 함유 지방족 탄화수소기에 있어서의 탄화수소기가 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형 또는 분기사슬형 탄화수소기일 때에는, 아크릴산의 히드록시에틸에스테르로부터 유도되는 구성 단위가 바람직하고, 그 탄화수소기가 다고리형기일 때에는, 하기 식 (a3-1) 로 나타내는 구성 단위, (a3-2) 로 나타내는 구성 단위, (a3-3) 으로 나타내는 구성 단위를 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a structural unit (a3), when the hydrocarbon group in a polar group containing aliphatic hydrocarbon group is a C1-C10 linear or branched hydrocarbon group, the structural unit derived from the hydroxyethyl ester of acrylic acid is preferable, and this hydrocarbon When group is a polycyclic group, the structural unit represented by following formula (a3-1), the structural unit represented by (a3-2), and the structural unit represented by (a3-3) are mentioned as a preferable thing.

[화학식 21][Formula 21]

Figure 112008056120253-pat00022
Figure 112008056120253-pat00022

(식 중, R 은 상기와 동일하고, j 는 1 ∼ 3 의 정수이고, k 는 1 ∼ 3 의 정수이고, t' 는 1 ∼ 3 의 정수이고, l 은 1 ∼ 5 의 정수이고, s 는 1 ∼ 3 의 정수이다)(In formula, R is the same as the above, j is an integer of 1-3, k is an integer of 1-3, t 'is an integer of 1-3, l is an integer of 1-5, s is Is an integer of 1 to 3)

식 (a3-1) 중, j 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 1 인 것이 더욱 바람직하다. j 가 2 인 경우에는, 수산기가 아다만틸기의 3 위치와 5 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다. j 가 1 인 경우에는, 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-1), j is preferably 1 or 2, and more preferably 1. When j is 2, it is preferable that the hydroxyl group is couple | bonded with the 3rd and 5th positions of an adamantyl group. When j is 1, it is preferable that the hydroxyl group is couple | bonded with the 3-position of an adamantyl group.

j 는 1 인 것이 바람직하고, 특히 수산기가 아다만틸기의 3 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that j is 1, and it is especially preferable that the hydroxyl group is couple | bonded with the 3-position of an adamantyl group.

식 (a3-2) 중, k 는 1 인 것이 바람직하다. 시아노기는 노르보르닐기의 5 위치 또는 6 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-2), k is preferably 1. The cyano group is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

식 (a3-3) 중, t' 는 1 인 것이 바람직하다. l 은 1 인 것이 바람직하 다. s 는 1 인 것이 바람직하다. 이들은 아크릴산의 카르복시기의 말단에 2-노르보르닐기 또는 3-노르보르닐기가 결합되어 있는 것이 바람직하다. 불소화알킬알코올은 노르보르닐기의 5 또는 6 위치에 결합되어 있는 것이 바람직하다.In formula (a3-3), t 'is preferably 1. l is preferably 1. s is preferably 1. It is preferable that these have the 2-norbornyl group or 3-norbornyl group couple | bonded with the terminal of the carboxy group of acrylic acid. The fluorinated alkyl alcohol is preferably bonded to the 5 or 6 position of the norbornyl group.

구성 단위 (a3) 으로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the structural unit (a3), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

고분자 화합물 (A1) 중, 구성 단위 (a3) 의 비율은, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여, 5 ∼ 50 몰% 가 바람직하고, 5 ∼ 40 몰% 가 보다 바람직하고, 5 ∼ 35 몰% 가 더욱 바람직하다. 하한값 이상으로 함으로써 구성 단위 (a3) 을 함유시키는 것에 의한 효과가 충분히 얻어지고, 상한값 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 밸런스를 맞출 수 있다.5-50 mol% is preferable with respect to the whole structural unit which comprises a high molecular compound (A1), and, as for the ratio of a structural unit (a3), in a high molecular compound (A1), 5-40 mol% is more preferable, 5 35 mol% is more preferable. By setting it as the lower limit or more, the effect by containing a structural unit (a3) is fully acquired, and setting it as the upper limit or less can balance the other structural unit.

<구성 단위 (a1)><Structural unit (a1)>

고분자 화합물 (A1) 은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 구성 단위 (a0) 에 해당하지 않는, 산해리성 용해 억제기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 (a1) 을 갖고 있어도 된다.The polymer compound (A1) may have a structural unit (a1) derived from an acrylate ester containing an acid dissociable, dissolution inhibiting group that does not correspond to the structural unit (a0) within a range that does not impair the effects of the present invention. .

구성 단위 (a1) 에 있어서의 산해리성 용해 억제기로는, 상기 R2 의 산해리성 용해 억제기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As an acid dissociable, dissolution inhibiting group in a structural unit (a1), the thing similar to what was illustrated as an acid dissociable, dissolution inhibiting group of said R <2> is mentioned.

구성 단위 (a1) 로는, 하기 일반식 (a1-0-1) 로 나타내는 구성 단위 및 하기 일반식 (a1-0-2) 로 나타내는 구성 단위로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상이 바람직하다.As a structural unit (a1), 1 or more types chosen from the group which consists of a structural unit represented by the following general formula (a1-0-1) and the following general formula (a1-0-2) are preferable.

[화학식 22][Formula 22]

Figure 112008056120253-pat00023
Figure 112008056120253-pat00023

[식 중, R 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기를 나타내고 ; X1 은 산해리성 용해 억제기를 나타낸다][Wherein, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; X 1 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group]

[화학식 23][Formula 23]

Figure 112008056120253-pat00024
Figure 112008056120253-pat00024

[식 중, R 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기를 나타내고 ; X2 는 산해리성 용해 억제기를 나타내고 ; Y2 는 알킬렌기 또는 지방족 고리형기를 나타낸다][Wherein, R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group; X 2 represents an acid dissociable, dissolution inhibiting group; Y 2 represents an alkylene group or an aliphatic cyclic group]

일반식 (a1-0-1) 에 있어서, R 의 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기는, 상기 아크릴산에스테르의 α 위치에 결합되어 있어도 되는 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기와 동일하다.In general formula (a1-0-1), the lower alkyl group or halogenated lower alkyl group of R is the same as the lower alkyl group or halogenated lower alkyl group which may be bonded to the α position of the acrylate ester.

X1 은, 산해리성 용해 억제기이면 특별히 한정되지는 않고, 예를 들어 상기 서술한 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기, 아세탈형 산해리성 용해 억제기 등을 들 수 있고, 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기가 바람직하다.If X 1 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, it will not be specifically limited, For example, the above-mentioned tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group, acetal type acid dissociable, dissolution inhibiting group, etc. are mentioned, Alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting groups are preferred.

일반식 (a1-0-2) 에 있어서, R 은 상기와 동일하다.In general formula (a1-0-2), R is the same as the above.

X2 는, 식 (a1-0-1) 중의 X1 과 동일하다.X 2 is the same as X 1 in Formula (a1-0-1).

Y2 는 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기 또는 2 가의 지방족 고리형기이고, 그 지방족 고리형기로는, 수소 원자가 2 개 이상 제거된 기가 사용되는 것 이외에는 상기 「지방족 고리형기」 의 설명과 동일한 것을 사용할 수 있다.Y 2 is preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a divalent aliphatic cyclic group, and the aliphatic cyclic group is the same as described above for the aliphatic cyclic group except that a group having two or more hydrogen atoms removed is used. Can be used.

Y2 가 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬렌기인 경우, 탄소수 1 ∼ 6 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 특히 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 3 인 것이 가장 바람직하다.When Y <2> is a C1-C10 alkylene group, it is more preferable that it is C1-C6, It is especially preferable that it is C1-C4, It is most preferable that it is C1-C3.

Y2 가 2 가의 지방족 고리형기인 경우, 시클로펜탄, 시클로헥산, 노르보르난, 이소보르난, 아다만탄, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸으로부터 수소 원자가 2 개 이상 제거된 기인 것이 특히 바람직하다.When Y <2> is a divalent aliphatic cyclic group, it is especially preferable that 2 or more hydrogen atoms were removed from cyclopentane, cyclohexane, norbornane, isobornane, adamantane, tricyclodecane, and tetracyclododecane. .

구성 단위 (a1) 로서, 보다 구체적으로는, 하기 일반식 (a1-1) ∼ (a1-4) 로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다.Specific examples of the structural unit (a1) include structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-4) shown below.

[화학식 24][Formula 24]

Figure 112008056120253-pat00025
Figure 112008056120253-pat00025

[상기 식 중, X' 는 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기를 나타내고, Y 는 탄소수 1 ∼ 5 의 저급 알킬기, 또는 지방족 고리형기를 나타내고 ; n 은 0 ∼ 3 의 정수를 나타내고 ; Y2 는 상기와 동일하고 ; R 은 상기와 동일하고, R1', R2' 는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 5 의 저급 알킬기를 나타낸다][In the formula, X 'represents a tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group, and Y represents a C1-5 lower alkyl group or an aliphatic cyclic group; n represents an integer of 0 to 3; Y 2 is the same as above; R is the same as above, and R 1 ' and R 2' each independently represent a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.]

식 중, X' 는 상기 X1 에 있어서 예시한 제 3 급 알킬에스테르형 산해리성 용해 억제기와 동일한 것을 들 수 있다.In formula, X 'is the same as the tertiary alkyl ester type acid dissociable, dissolution inhibiting group illustrated in said X <1> .

R1', R2', n, Y 로는, 각각 상기 서술한 「아세탈형 산해리성 용해 억제기」의 설명에서 예시한 일반식 (p1) 에 있어서의 R1', R2', n, Y 와 동일한 것을 들 수 있다. R 1 ', R 2', n, Y roneun, each described above in the "acetal-type acid dissociable, dissolution inhibiting group" a general formula (p1) illustrated in the description of R 1 ', R 2', n, Y And the same thing as.

Y2 로는, 상기 서술한 일반식 (a1-0-2) 에 있어서의 Y2 와 동일한 것을 들 수 있다.As Y <2> , the same thing as Y <2> in general formula (a1-0-2) mentioned above is mentioned.

이하에, 상기 일반식 (a1-1) ∼ (a1-4) 로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다.Specific examples of the structural units represented by general formulas (a1-1) to (a1-4) are shown below.

[화학식 25][Formula 25]

Figure 112008056120253-pat00026
Figure 112008056120253-pat00026

[화학식 26][Formula 26]

Figure 112008056120253-pat00027
Figure 112008056120253-pat00027

[화학식 27][Formula 27]

Figure 112008056120253-pat00028
Figure 112008056120253-pat00028

[화학식 28][Formula 28]

Figure 112008056120253-pat00029
Figure 112008056120253-pat00029

[화학식 29][Formula 29]

Figure 112008056120253-pat00030
Figure 112008056120253-pat00030

[화학식 30][Formula 30]

Figure 112008056120253-pat00031
Figure 112008056120253-pat00031

[화학식 31][Formula 31]

Figure 112008056120253-pat00032
Figure 112008056120253-pat00032

[화학식 32][Formula 32]

Figure 112008056120253-pat00033
Figure 112008056120253-pat00033

[화학식 33][Formula 33]

Figure 112008056120253-pat00034
Figure 112008056120253-pat00034

[화학식 34][Formula 34]

Figure 112008056120253-pat00035
Figure 112008056120253-pat00035

[화학식 35][Formula 35]

Figure 112008056120253-pat00036
Figure 112008056120253-pat00036

상기 중에서도, 일반식 (a1-1) 로 나타내는 구성 단위가 바람직하고, 구체적 으로는 (a1-1-1) ∼ (a1-1-6) 및 (a1-1-35) ∼ (a1-1-41) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Among the above, the structural unit represented by general formula (a1-1) is preferable, and specifically, (a1-1-1)-(a1-1-6) and (a1-1-35)-(a1-1-) It is more preferable to use at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of 41).

또한, 구성 단위 (a1) 로는, 특히 식 (a1-1-1) ∼ 식 (a1-1-4) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-1-01) 로 나타내는 것이나, 식 (a1-1-35) ∼ (a1-1-41) 의 구성 단위를 포괄하는 하기 일반식 (a1-1-02) 도 바람직하다.In addition, as a structural unit (a1), especially represented by the following general formula (a1-1-01) which covers the structural unit of Formula (a1-1-1)-a formula (a1-1-4), and Formula (a1) The following general formula (a1-1-02) which covers the structural unit of -1-35)-(a1-1-41) is also preferable.

[화학식 36][Formula 36]

Figure 112008056120253-pat00037
Figure 112008056120253-pat00037

(식 중, R 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기를 나타내고, R11 은 저급 알킬기를 나타낸다)(Wherein R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, and R 11 represents a lower alkyl group)

[화학식 37][Formula 37]

Figure 112008056120253-pat00038
Figure 112008056120253-pat00038

(식 중, R 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기를 나타내 고, R12 는 저급 알킬기를 나타낸다. h 는 1 ∼ 3 의 정수를 나타낸다)(Wherein R represents a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, and R 12 represents a lower alkyl group. H represents an integer of 1 to 3)

일반식 (a1-1-01) 에 있어서, R 에 대해서는 상기와 동일하다.In general formula (a1-1-01), R is the same as above.

R11 의 저급 알킬기는, R 에 있어서의 저급 알킬기와 동일하고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.The lower alkyl group of R 11 is the same as the lower alkyl group in R, and a methyl group or an ethyl group is preferable.

일반식 (a1-1-02) 에 있어서, R 에 대해서는 상기와 동일하다.In general formula (a1-1-02), R is the same as above.

R12 의 저급 알킬기는 R 에 있어서의 저급 알킬기와 동일하고, 메틸기 또는 에틸기가 바람직하고, 에틸기가 가장 바람직하다.The lower alkyl group of R 12 is the same as the lower alkyl group in R, preferably a methyl group or an ethyl group, and most preferably an ethyl group.

h 는 1 또는 2 가 바람직하고, 2 가 가장 바람직하다.h is preferably 1 or 2, most preferably 2;

고분자 화합물 (A1) 에 있어서, 구성 단위 (a1) 로는, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In the high molecular compound (A1), as the structural unit (a1), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

고분자 화합물 (A1) 중, 구성 단위 (a1) 의 비율은, 상기 서술한 바와 같이, 구성 단위 (a0) 과 구성 단위 (a1) 의 합계 비율이, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위에 대하여, 10 ∼ 80 몰% 가 되는 양이 바람직하고, 20 ∼ 70 몰% 가 되는 양이 보다 바람직하고, 25 ∼ 50 몰% 가 되는 양이 가장 바람직하다. 하한값 이상으로 함으로써, 레지스트 조성물로 하였을 때에 용이하게 패턴을 얻을 수 있고, 상한값 이하로 함으로써 다른 구성 단위와의 밸런스를 맞출 수 있다.As mentioned above, the ratio of a structural unit (a1) in a high molecular compound (A1) is a total ratio of a structural unit (a0) and a structural unit (a1) to all the structural units which comprise a high molecular compound (A1). The amount which becomes 10-80 mol% with respect to it is preferable, The amount which becomes 20-70 mol% is more preferable, The amount which becomes 25-50 mol% is the most preferable. By setting it as the lower limit or more, a pattern can be easily obtained when it is set as a resist composition, and it can balance with the other structural unit by setting it as the upper limit or less.

<구성 단위 (a4)><Structural unit (a4)>

고분자 화합물 (A1) 은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 구 성 단위 (a0) ∼ (a3) 이외의 다른 구성 단위 (a4) 를 함유하고 있어도 된다.The high molecular compound (A1) may contain structural units (a4) other than the said structural unit (a0)-(a3) in the range which does not impair the effect of this invention.

구성 단위 (a4) 는, 상기 서술한 구성 단위 (a0) ∼ (a3) 으로 분류되지 않는 다른 구성 단위이면 특별히 한정되는 것이 아니고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트용 수지에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것을 사용할 수 있다.The structural unit (a4) is not particularly limited as long as it is another structural unit which is not classified into the structural units (a0) to (a3) described above, and is not particularly limited for ArF excimer lasers and KrF excimer lasers (preferably for ArF excimer lasers). A large number of conventionally known ones can be used as used for resins for resists such as

구성 단위 (a4) 로는, 예를 들어 산비해리성 지방족 다고리형기를 포함하는 아크릴산에스테르로부터 유도되는 구성 단위 등이 바람직하다. 그 다고리형기는, 예를 들어 상기 구성 단위 (a1) 인 경우에 예시한 것과 동일한 것을 예시할 수 있고, ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 레지스트 조성물의 수지 성분에 사용되는 것으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것을 사용할 수 있다.As the structural unit (a4), for example, a structural unit derived from an acrylate ester containing an acid non-dissociable aliphatic polycyclic group is preferable. The polycyclic group can exemplify the same as those exemplified in the case of the structural unit (a1), for example, and a resist composition such as an ArF excimer laser or a KrF excimer laser (preferably an ArF excimer laser). As what is used for the resin component of the above, many conventionally known things can be used.

특히 트리시클로데카닐기, 아다만틸기, 테트라시클로도데카닐기, 이소보르닐기, 노르보르닐기에서 선택되는 적어도 1 종이면, 공업상 입수하기 쉬운 등의 점에서 바람직하다. 이들 다고리형기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기를 치환기로서 갖고 있어도 된다.It is especially preferable at the point of at least 1 type chosen from tricyclo decanyl group, adamantyl group, tetracyclo dodecanyl group, isobornyl group, norbornyl group, and easy industrial acquisition. These polycyclic groups may have a C1-C5 linear or branched alkyl group as a substituent.

구성 단위 (a4) 로서, 구체적으로는, 하기 일반식 (a4-1) ∼ (a4-5) 의 구조인 것을 예시할 수 있다.As a structural unit (a4), what is a structure of the following general formula (a4-1) (a4-5) can be illustrated specifically ,.

[화학식 38][Formula 38]

Figure 112008056120253-pat00039
Figure 112008056120253-pat00039

(식 중, R 은 상기와 동일하다)(Wherein R is the same as above)

이러한 구성 단위 (a4) 를 고분자 화합물 (A1) 에 함유시키는 경우, 고분자 화합물 (A1) 중의 구성 단위 (a4) 의 비율은, 고분자 화합물 (A1) 을 구성하는 전체 구성 단위의 합계에 대하여, 1 ∼ 30 몰% 가 바람직하고, 10 ∼ 20 몰% 가 보다 바람직하다.When such a structural unit (a4) is contained in the high molecular compound (A1), the ratio of the structural unit (a4) in the high molecular compound (A1) is 1 to 1 based on the total of all the structural units constituting the high molecular compound (A1). 30 mol% is preferable and 10-20 mol% is more preferable.

본 발명에 있어서, 고분자 화합물 (A1) 은, 구성 단위 (a0), (a2) 및 (a3) 을 갖는 공중합체인 것이 바람직하다. 그 공중합체로는, 구성 단위 (a0), (a2) 및 (a3) 으로 이루어지는 공중합체, 구성 단위 (a0), (a2), (a3) 및 (a4) 로 이루어지는 공중합체, 구성 단위 (a0), (a2), (a3) 및 (a1) 로 이루어지는 공중합체 등을 들 수 있다.In the present invention, the polymer compound (A1) is preferably a copolymer having the structural units (a0), (a2) and (a3). As this copolymer, the copolymer which consists of structural units (a0), (a2), and (a3), the copolymer which consists of structural units (a0), (a2), (a3), and (a4), and a structural unit (a0) and copolymers made of (a2), (a3) and (a1).

고분자 화합물 (A1) 로는, 특히 하기 식 (A1-11) 에 나타내는 3 종의 구성 단위를 갖는 공중합체가 바람직하다.Especially as a high molecular compound (A1), the copolymer which has three types of structural units represented by following formula (A1-11) is preferable.

[화학식 39][Formula 39]

Figure 112008056120253-pat00040
Figure 112008056120253-pat00040

[식 중, R1, a, R10, R14 는, 각각 상기와 동일하다][In formula, R <1> , a, R <10> , R <14> is the same as the above, respectively.]

식 (A1-11) 중의 R1, a, R10, R14 는, 각각 상기 일반식 (a0-1-1) 중의 R1, a, R10, R14 와 동일하다.Formula (A1-11) of R 1, a, R 10, R 14 , it is respectively the same as R 1, a, R 10, R 14 in the formula (a0-1-1).

또한, R 은 상기 구성 단위 (a2), (a3) 등에서 예시한 R 과 동일하고, 복수의 R 은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.In addition, R is the same as R illustrated in the structural units (a2), (a3) and the like, and a plurality of Rs may be the same as or different from each other.

고분자 화합물 (A1) 은, 화합물 (Ⅰ), 및 필요에 따라 다른 구성 단위를 유도하는 모노머를, 예를 들어 아조비스이소부티로니트릴 (AIBN) 과 같은 라디칼 중합 개시제를 사용한 공지된 라디칼 중합 등에 의해 중합시킴으로써 얻을 수 있다.The high molecular compound (A1) is a compound (I) and a monomer which induces other structural units as necessary by, for example, known radical polymerization using a radical polymerization initiator such as azobisisobutyronitrile (AIBN) or the like. It can obtain by superposing | polymerizing.

또한, 고분자 화합물 (A1) 에는, 상기 중합시에, 예를 들어 HS-CH2-CH2-CH2-C(CF3)2-OH 와 같은 연쇄 이동제를 병용하여 사용함으로써, 말단에 -C(CF3)2-OH 기를 도입해도 된다. 이와 같이, 알킬기의 수소 원자의 일부가 불소 원자로 치환된 히드록시알킬기가 도입된 공중합체는, 현상 결함의 저감이나 LER (라인 에지 러프니스 : 라인 측벽의 불균일한 요철) 의 저감에 유효하다.In the polymer compound (A1), a chain transfer agent such as, for example, HS-CH 2 -CH 2 -CH 2 -C (CF 3 ) 2 -OH is used in combination at the time of the polymerization so that -C at the terminal is used. (CF 3) 2 -OH groups may be introduced. Thus, the copolymer into which the hydroxyalkyl group in which one part of the hydrogen atoms of the alkyl group was substituted by the fluorine atom was introduce | transduced is effective in reducing a developing defect and reducing LER (line edge roughness: uneven unevenness of a line side wall).

고분자 화합물 (A1) 의 질량 평균 분자량 (Mw) (겔 퍼미에이션 크로마토그래피에 의한 폴리스티렌 환산 기준) 은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 2000 ∼ 50000 이 바람직하고, 3000 ∼ 30000 이 보다 바람직하고, 5000 ∼ 20000 이 특히 바람직하다. 이 범위의 상한보다 작으면, 레지스트로서 사용하는 데에 충분한 레지스트 용제에 대한 용해성이 있고, 이 범위의 하한보다 크면, 내드라이에칭성이나 레지스트 패턴 단면 형상이 양호하다.Although the mass mean molecular weight (Mw) (polystyrene conversion basis by gel permeation chromatography) of a high molecular compound (A1) is not specifically limited, 2000-50000 are preferable, 3000-30000 are more preferable, 5000-20000 This is particularly preferred. If it is smaller than the upper limit of this range, there is solubility in a resist solvent sufficient for use as a resist, and if it is larger than the lower limit of this range, dry etching resistance and resist pattern cross-sectional shape are favorable.

또한 분산도 (Mw/Mn) 는 1.0 ∼ 5.0 이 바람직하고, 1.0 ∼ 3.0 이 보다 바람직하고, 1.2 ∼ 2.5 가 가장 바람직하다. 또, Mn 은 수평균 분자량을 나타낸다.Moreover, 1.0-5.0 are preferable, as for dispersion degree (Mw / Mn), 1.0-3.0 are more preferable, and 1.2-2.5 are the most preferable. In addition, Mn represents a number average molecular weight.

상기 본 발명의 고분자 화합물 (A1) 은, 종래 알려지지 않은 신규한 것이다.The polymer compound (A1) of the present invention described above is novel.

고분자 화합물 (A1) 은, 예를 들어 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) 와 함께 포지티브형 레지스트 조성물에 배합된 경우, 노광 (방사선의 조사)에 의해 산발생제 성분 (B) 로부터 산이 발생되면, 그 산의 작용에 의해, 구성 단위 (a0) 중의 R2 와, 그에 결합한 산소 원자 사이의 결합이 절단되어, R2 가 해리된다. 그 결과, 고분자 화합물 (A1) 의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대된다.For example, when the high molecular compound (A1) is blended into the positive resist composition together with the acid generator component (B) which generates an acid by irradiation with radiation, the acid generator component (by When an acid is generated from B), by the action of the acid, the bond between R 2 in the structural unit (a0) and the oxygen atom bonded thereto is cleaved, and R 2 is dissociated. As a result, the solubility of the high molecular compound (A1) in the alkaline developer is increased.

따라서, 고분자 화합물 (A1) 은, 화학 증폭형의 포지티브형 레지스트 조성물의 베이스 수지로서 유용하고, 하기 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물의 기재 성분 (A) 로서 바람직하게 사용할 수 있다.Therefore, a high molecular compound (A1) is useful as a base resin of the chemically amplified positive resist composition, and can be used suitably as a base component (A) of the positive resist composition of this invention below.

《포지티브형 레지스트 조성물》<< positive resist composition >>

다음으로, 본 발명의 제 1 양태의 포지티브형 레지스트 조성물에 대해 설명한다.Next, the positive resist composition of the first aspect of the present invention will be described.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 기재 성분 (A) (이하, (A) 성분이라고 한다), 및 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 산발생제 성분 (B) (이하, (B) 성분이라고 한다) 를 함유한다. 여기에서, 「기재 성분」이란, 막 형성능을 갖는 유기 화합물이다.The positive resist composition of the present invention is a base component (A) (hereinafter referred to as component (A)) in which solubility in an alkaline developer is increased by the action of an acid, and acid generation which generates an acid by irradiation with radiation. 1st component (B) (henceforth a component (B)) is contained. Here, a "base component" is an organic compound which has a film forming ability.

이러한 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서는, 방사선이 조사 (노광) 되면, (B) 성분으로부터 산이 발생되고, 그 산의 작용에 의해 (A) 성분의 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대된다. 그 때문에, 레지스트 패턴의 형성에 있어서, 당해 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 얻어지는 레지스트막에 대하여 선택적 노광을 실시하면, 당해 레지스트막의, 노광부의 알칼리 현상액인 대한 가용성이 증대되는 한편, 미노광부의 알칼리 현상액에 대한 용해성은 변화되지 않기 때문에, 알칼리 현상을 실시함으로써 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In such a positive resist composition, when radiation is irradiated (exposed), an acid is generated from the component (B), and the solubility of the component (A) in the alkaline developer is increased by the action of the acid. Therefore, in the formation of the resist pattern, selective exposure of the resist film obtained by using the positive resist composition increases the solubility of the resist film as an alkali developer of the exposed portion, while increasing the alkali developer of the unexposed portion. Since the solubility to is not changed, a resist pattern can be formed by performing alkali development.

<(A) 성분>&Lt; Component (A) >

(A) 성분은, 상기 서술한 본 발명의 고분자 화합물 (A1) 을 함유한다.(A) component contains the high molecular compound (A1) of this invention mentioned above.

(A) 성분에 있어서, 고분자 화합물 (A1) 은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.In (A) component, a polymeric compound (A1) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

(A) 성분 중의 고분자 화합물 (A1) 의 비율은, (A) 성분의 총 질량에 대하여, 50 ∼ 100 질량% 가 바람직하고, 80 ∼ 100 질량% 가 보다 바람직하고, 100 질량% 이어도 된다.50-100 mass% is preferable with respect to the gross mass of (A) component, as for the ratio of the high molecular compound (A1) in (A) component, 80-100 mass% is more preferable, and 100 mass% may be sufficient as it.

(A) 성분은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 상기 고분자 화합물 (A1) 이외의 「산의 작용에 의해 알칼리 현상액에 대한 용해성이 증대되는 기재 성분」(이하, (A2) 성분이라고 한다) 을 함유해도 된다.(A) component is a "base component which the solubility to alkaline developing solution increases by the action of an acid" other than the said high molecular compound (A1) in the range which does not impair the effect of this invention (Hereinafter, it is (A2) component. May be contained).

이러한 (A2) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 화학 증폭형 포지티브형 레지스트 조성물용 기재 성분으로서 종래부터 알려져 있는 다수의 것 (예를 들어 ArF 엑시머 레이저용, KrF 엑시머 레이저용 (바람직하게는 ArF 엑시머 레이저용) 등의 베이스 수지) 으로부터 임의로 선택하여 사용하면 된다. 예를 들어 ArF 엑시머 레이저용 베이스 수지로는, 상기 구성 단위 (a1) 을 필수의 구성 단위로서 갖고, 임의로 상기 구성 단위 (a2) ∼ (a4) 를 추가로 갖는 것을 들 수 있다.It does not specifically limit as such (A2) component, Many conventionally known as a base component for chemically amplified positive resist compositions (for example, for ArF excimer laser, for KrF excimer laser (preferably ArF excimer) What is necessary is just to select arbitrarily from base resins, such as laser). For example, as base resin for ArF excimer laser, what has the said structural unit (a1) as an essential structural unit, and further has the said structural units (a2)-(a4) arbitrarily is mentioned.

(A2) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (A2), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

본 발명의 레지스트 조성물 중, (A) 성분의 함유량은, 형성하고자 하는 레지스트 막두께 등에 따라 조정하면 된다.What is necessary is just to adjust content of (A) component in the resist composition of this invention according to the resist film thickness to be formed.

<(B) 성분><(B) component>

(B) 성분으로는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 화학 증폭형 레지스트용 산발생제로서 제안되어 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 산발생제로는, 지금까지 요오드늄염이나 술포늄염 등의 오늄염계 산발생제, 옥심술포네이트계 산발생제, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류 등의 디아조메탄계 산발생제, 니트로벤질술포네이트계 산발생제, 이미노술포네이트계 산발생제, 디술폰계 산발생제 등 다종의 것이 알려져 있다.It does not specifically limit as (B) component, What has been proposed as an acid generator for chemically amplified resist until now can be used. Examples of such acid generators include onium salt acid generators such as iodonium salts and sulfonium salts, oxime sulfonate acid generators, bisalkyl or bisarylsulfonyl diazomethanes, and poly (bissulfonyl) diazos. Many kinds of diazomethane-based acid generators such as methane, nitrobenzylsulfonate-based acid generators, iminosulfonate-based acid generators and disulfone-based acid generators are known.

오늄염계 산발생제로서, 예를 들어 하기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 로 나타내는 화합물을 사용할 수 있다.As an onium salt type acid generator, the compound represented by following General formula (b-1) or (b-2) can be used, for example.

[화학식 40][Formula 40]

Figure 112008056120253-pat00041
Figure 112008056120253-pat00041

[식 중, R1'' ∼ R3'', R5'' ∼ R6'' 는, 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타내고 ; 식 (b-1) 에 있어서의 R1'' ∼ R3'' 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 되고 ; R4'' 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 할로겐화알킬기, 아릴기, 또는 알케닐기를 나타내고 ; R1'' ∼ R3'' 중 적어도 1 개는 아릴기를 나타내고, R5'' ∼ R6'' 중 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다][Wherein, R 1 ″ to R 3 ″ and R 5 ″ to R 6 ″ each independently represent an aryl group or an alkyl group; Any two of R <1> -R < 3 >> in a formula (b-1) may combine with each other, and may form a ring with the sulfur atom in a formula; R 4 '' represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group, or an alkenyl group which may have a substituent; At least one of R 1 '' to R 3 '' represents an aryl group, and at least one of R 5 '' to R 6 '' represents an aryl group]

식 (b-1) 중, R1'' ∼ R3'' 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸 다. 또, 식 (b-1) 에 있어서의 R1'' ∼ R3'' 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성해도 된다.In formula (b-1), R <1> -R < 3 >> respectively independently represents an aryl group or an alkyl group. Moreover, any two of R <1> -R <3> in Formula (b-1) may combine with each other, and may form a ring with the sulfur atom in a formula.

또한, R1'' ∼ R3'' 중, 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다. R1'' ∼ R3'' 중, 2 이상이 아릴기인 것이 바람직하고, R1'' ∼ R3'' 의 전부가 아릴기인 것이 가장 바람직하다.In addition, at least 1 represents an aryl group in R <1> -R <3> . R 1 '' ~ R 3 ' ' of the two or more are preferable, and an aryl group, R 1 '' ~ R 3 ' ' is an aryl group all of it is most preferred.

R1'' ∼ R3'' 의 아릴기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기로서, 그 아릴기는, 그 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 수산기 등으로 치환되어 있어도 되고, 치환되어 있지 않아도 된다.There is no restriction | limiting in particular as an aryl group of R <1> -R <3>" , For example, as a C6-C20 aryl group, one or all of the hydrogen atoms of this aryl group are an alkyl group, an alkoxy group, and a halogen atom Or a hydroxyl group or the like, or may not be substituted.

아릴기로는, 저가로 합성 가능한 점에서, 탄소수 6 ∼ 10 의 아릴기가 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 페닐기, 나프틸기를 들 수 있다.As an aryl group, a C6-C10 aryl group is preferable at the point which can be synthesize | combined at low cost. Specifically, a phenyl group and a naphthyl group are mentioned, for example.

상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다.As an alkyl group which the hydrogen atom of the said aryl group may be substituted, the C1-C5 alkyl group is preferable, and it is most preferable that they are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, n-butyl group, and a tert- butyl group.

상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 알콕시기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다.As an alkoxy group which the hydrogen atom of the said aryl group may substitute, the C1-C5 alkoxy group is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, tert-butok A timing is preferable and a methoxy group and an ethoxy group are the most preferable.

상기 아릴기의 수소 원자가 치환되어 있어도 되는 할로겐 원자로는, 불소 원 자가 바람직하다.As a halogen atom in which the hydrogen atom of the said aryl group may be substituted, a fluorine atom is preferable.

R1'' ∼ R3''의 알킬기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 해상성이 우수한 점에서, 탄소수 1 ∼ 5 인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기, 시클로펜틸기, 헥실기, 시클로헥실기, 노닐기, 데카닐기 등을 들 수 있고, 해상성이 우수하고, 또한 저가로 합성 가능한 점에서 바람직한 것으로서 메틸기를 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as an alkyl group of R <1> -R <3>" , For example, a C1-C10 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. It is preferable that it is C1-C5 from the point which is excellent in resolution. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, n-pentyl group, cyclopentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, nonyl group, decanyl group, etc. are mentioned. A methyl group is mentioned at the point which is excellent in the resolution, and can be synthesize | combined at low cost.

식 (b-1) 에 있어서의 R1'' ∼ R3'' 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 황 원자를 포함시켜 3 ∼ 10 원자 고리를 형성하고 있는 것이 바람직하고, 5 ∼ 7 원자 고리를 형성하고 있는 것이 특히 바람직하다. When any two of R 1 '' to R 3 '' in formula (b-1) combine with each other to form a ring together with a sulfur atom in the formula, a sulfur atom is included to form a 3 to 10 membered ring. It is preferable that it is done, and it is especially preferable to form the 5-7 membered ring.

식 (b-1) 에 있어서의 R1'' ∼ R3'' 중, 어느 2 개가 서로 결합하여 식 중의 황 원자와 함께 고리를 형성하는 경우, 나머지 1 개는 아릴기인 것이 바람직하다. 상기 아릴기는, R1'' ∼ R3'' 의 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.When any two of R <1> -R <3> in Formula (b-1) combine with each other and form a ring with the sulfur atom in a formula, it is preferable that the other one is an aryl group. Examples of the aryl group include the same aryl groups as R 1 ″ to R 3 ″ .

R4'' 는, 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기, 할로겐화알킬기, 아릴기 또는 알케닐기를 나타낸다.R 4 '' represents an alkyl group, a halogenated alkyl group, an aryl group or an alkenyl group which may have a substituent.

R4'' 에 있어서의 알킬기는, 직사슬형, 분기사슬형, 고리형의 어느 하나이어 도 된다.The alkyl group for R 4 ″ may be either linear, branched or cyclic.

상기 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 인 것이 가장 바람직하다.As said linear or branched alkyl group, it is preferable that it is C1-C10, It is more preferable that it is C1-C8, It is most preferable that it is C1-C4.

상기 고리형 알킬기로는, 탄소수 4 ∼ 15 인 것이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 10 인 것이 더욱 바람직하고, 탄소수 6 ∼ 10 인 것이 가장 바람직하다.As said cyclic alkyl group, it is preferable that it is C4-C15, It is more preferable that it is C4-C10, It is most preferable that it is C6-C10.

R4'' 에 있어서의 할로겐화알킬기로는, 상기 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. 그 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다.As a halogenated alkyl group in R < 4 >>, the group in which one part or all part of the hydrogen atom of the said linear, branched or cyclic alkyl group was substituted by the halogen atom is mentioned. As this halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is preferable.

할로겐화알킬기에 있어서는, 당해 할로겐화알킬기에 함유되는 할로겐 원자 및 수소 원자의 합계 수에 대한 할로겐 원자 수의 비율 (할로겐화율 (%)) 이, 10 ∼ 100% 인 것이 바람직하고, 50 ∼ 100% 인 것이 바람직하고, 100% 가 가장 바람직하다. 그 할로겐화율이 높을수록, 산의 강도가 강해지므로 바람직하다.In a halogenated alkyl group, it is preferable that the ratio (halogenation rate (%)) of the number of halogen atoms with respect to the total number of the halogen atoms and hydrogen atoms contained in the said halogenated alkyl group is 10 to 100%, and it is 50 to 100% Preferably, 100% is the most preferable. The higher the halogenation rate is, the more preferable the acid strength becomes.

상기 R4'' 에 있어서의 아릴기는, 탄소수 6 ∼ 20 의 아릴기인 것이 바람직하다.It is preferable that the aryl group in said R < 4 >> is a C6-C20 aryl group.

상기 R4'' 에 있어서의 알케닐기는, 탄소수 2 ∼ 10 의 알케닐기인 것이 바람직하다.It is preferable that the alkenyl group in said R < 4 >> is a C2-C10 alkenyl group.

상기 R4'' 에 있어서, 「치환기를 갖고 있어도 된다」란, 상기 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기, 할로겐화알킬기, 아릴기 또는 알케닐기에 있어서의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기 (수소 원자 이외의 다른 원자 또는 기) 로 치환되어 있어도 된다는 것을 의미한다.In said R <4>"," it may have a substituent "means that one part or all part of the hydrogen atom in the said linear, branched or cyclic alkyl group, halogenated alkyl group, aryl group, or alkenyl group is a substituent ( Atom or group other than a hydrogen atom) may be substituted.

R4'' 에 있어서의 치환기의 수는 1 개이어도 되고, 2 개 이상이어도 된다.The number of substituents in R 4 '' may be one or two or more.

상기 치환기로는, 예를 들어, 할로겐 원자, 헤테로 원자, 알킬기, R5-O- [식 중, R5 는 1 가의 방향족 유기기, 1 가의 지방족 탄화수소기 또는 히드록시알킬기이다] 로 나타내는 기, R51-O-C(O)- [식 중, R51 은, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 되는 1 가의 지방족 탄화수소기이다] 로 나타내는 기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent include a group represented by a halogen atom, a hetero atom, an alkyl group, R 5 -O- [wherein R 5 is a monovalent aromatic organic group, a monovalent aliphatic hydrocarbon group or a hydroxyalkyl group], The group represented by R <51> -OC (O)-[In formula, R <51> is the monovalent aliphatic hydrocarbon group which may contain the hetero atom], etc. are mentioned.

상기 할로겐 원자, 알킬기로는, R4'' 에 있어서, 할로겐화알킬기에 있어서의 할로겐 원자, 알킬기로서 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있다.As said halogen atom and an alkyl group, the thing similar to what was illustrated as a halogen atom and an alkyl group in a halogenated alkyl group in R <4>' is mentioned.

상기 헤테로 원자로는, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 등을 들 수 있다.An oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom etc. are mentioned as said hetero atom.

상기 R5-O- 로 나타내는 기에 있어서, R5 의 1 가의 방향족 유기기로는, 페닐기, 비페닐 (biphenyl) 기, 플루오레닐 (fluorenyl) 기, 나프틸기, 안트릴 (anthryl) 기, 페난트릴기 등의, 방향족 탄화수소의 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 아릴기 ; 이들 아릴기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴기 ; 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴알킬기 등을 들 수 있다.In the group represented by R 5 -O-, the monovalent aromatic organic group of R 5 is a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, or phenanthryl Aryl groups obtained by removing one hydrogen atom from a ring of an aromatic hydrocarbon such as a group; Heteroaryl group by which some carbon atoms which comprise the ring of these aryl groups were substituted by hetero atoms, such as an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom; Aryl alkyl groups, such as a benzyl group, a phenethyl group, 1-naphthylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, and 2-naphthylethyl group, etc. are mentioned.

상기 아릴알킬기 중의 알킬 사슬의 탄소수는, 1 ∼ 4 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 2 인 것이 보다 바람직하고, 1 인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that it is 1-4, as for carbon number of the alkyl chain in the said arylalkyl group, it is more preferable that it is 1-2, and it is especially preferable that it is one.

이들 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴알킬기는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 할로겐화알킬기, 알콕시기, 수산기, 할로겐 원자 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기에 있어서의 알킬기 또는 할로겐화알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 8 인 것이 바람직하고, 탄소수가 1 ∼ 4 인 것이 더욱 바람직하다. 또한, 그 할로겐화알킬기는, 불소화알킬기인 것이 바람직하다. 그 할로겐 원자는, 불소 원자, 염소 원자, 요오드 원자, 브롬 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자인 것이 바람직하다.These aryl groups, heteroaryl groups, and arylalkyl groups may have substituents, such as a C1-C10 alkyl group, a halogenated alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, and a halogen atom. It is preferable that carbon number is 1-8, and, as for the alkyl group or halogenated alkyl group in this substituent, it is more preferable that it is 1-4. Moreover, it is preferable that this halogenated alkyl group is a fluorinated alkyl group. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, an iodine atom and a bromine atom, and are preferably fluorine atoms.

R5 의 1 가의 방향족 유기기로는, 아릴알킬기가 바람직하고, 아릴메틸기가 보다 바람직하고, 나프틸메틸기가 가장 바람직하다.As a monovalent aromatic organic group of R <5> , an arylalkyl group is preferable, an arylmethyl group is more preferable, and a naphthylmethyl group is the most preferable.

R5 의 1 가의 지방족 탄화수소기로는, 예를 들어, 탄소수 1 ∼ 15 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 1 가의 포화 탄화수소기, 또는, 탄소수 2 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기사슬형 1 가의 지방족 불포화 탄화수소기를 들 수 있다.Examples of the monovalent aliphatic hydrocarbon group for R 5 include a linear, branched or cyclic monovalent saturated hydrocarbon group having 1 to 15 carbon atoms, or a linear or branched chain 1 having 2 to 5 carbon atoms. The aliphatic unsaturated hydrocarbon group can be mentioned.

직사슬형 1 가의 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데카닐기 등을 들 수 있다.Examples of the linear monovalent saturated hydrocarbon group include methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group and decanyl group.

분기사슬형 1 가의 포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 1-메틸에틸기, 1-메틸프로필기, 2-메틸프로필기, 1-메틸부틸기, 2-메틸부틸기, 3-메틸부틸기, 1-에틸부 틸기, 2-에틸부틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 3-메틸펜틸기, 4-메틸펜틸기 등을 들 수 있다.Examples of the branched monovalent saturated hydrocarbon group include 1-methylethyl group, 1-methylpropyl group, 2-methylpropyl group, 1-methylbutyl group, 2-methylbutyl group, 3-methylbutyl group, 1 -Ethyl butyl group, 2-ethyl butyl group, 1-methyl pentyl group, 2-methyl pentyl group, 3-methyl pentyl group, 4-methyl pentyl group, etc. are mentioned.

고리형 1 가의 포화 탄화수소기로는, 다고리형기, 단고리형기의 어느 것이어도 되고, 예를 들어, 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 모노시클로알칸이나, 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개의 수소 원자를 제거한 기 등을 들 수 있다.The cyclic monovalent saturated hydrocarbon group may be any of a polycyclic group and a monocyclic group, for example, one hydrogen atom from polycycloalkane such as monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane and tetracycloalkane And the like from which the product was removed. More specifically, it is 1 from monocyclo alkanes, such as cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, and polycyclo alkanes, such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane, and tetracyclo dodecane. The group remove | excluding two hydrogen atoms is mentioned.

직사슬형 1 가의 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 비닐기, 프로페닐기 (알릴기), 부티닐기 등을 들 수 있다.As a linear monovalent unsaturated hydrocarbon group, a vinyl group, a propenyl group (allyl group), butynyl group etc. are mentioned, for example.

분기사슬형 1 가의 불포화 탄화수소기로는, 예를 들어, 1-메틸프로페닐기, 2-메틸프로페닐기 등을 들 수 있다.As a branched monovalent unsaturated hydrocarbon group, a 1-methyl propenyl group, 2-methyl propenyl group, etc. are mentioned, for example.

R5 의 1 가의 지방족 탄화수소기의 탄소수는, 2 ∼ 4 가 바람직하고, 3 이 특히 바람직하다.2-4 are preferable and, as for carbon number of the monovalent aliphatic hydrocarbon group of R <5> , 3 is especially preferable.

R5 의 히드록시알킬기는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 1 가의 포화 탄화수소기의 적어도 1 개의 수소 원자가 수산기로 치환된 것이다. 직사슬형 또는 분기사슬형 1 가의 포화 탄화수소기의 1 개 또는 2 개의 수소 원자가 수산기로 치환된 것이 바람직하다. 구체적으로는 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 1-히 드록시프로필기, 2-히드록시프로필기, 3-히드록시프로필기, 2,3-디히드록시프로필기 등을 들 수 있다.In the hydroxyalkyl group of R 5 , at least one hydrogen atom of a linear, branched or cyclic monovalent saturated hydrocarbon group is substituted with a hydroxyl group. It is preferable that one or two hydrogen atoms of the linear or branched monovalent saturated hydrocarbon group are substituted with hydroxyl groups. Specifically, a hydroxymethyl group, hydroxyethyl group, 1-hydroxypropyl group, 2-hydroxypropyl group, 3-hydroxypropyl group, 2,3-dihydroxypropyl group, etc. are mentioned.

R5 의 1 가의 히드록시알킬기의 탄소수는 1 ∼ 10 이 바람직하고, 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 6 이 특히 바람직하고, 1 ∼ 3 이 가장 바람직하다.1-10 are preferable, as for carbon number of the monovalent hydroxyalkyl group of R <5> , 1-8 are more preferable, 1-6 are especially preferable, and 1-3 are the most preferable.

상기 R51-O-C(O)- 로 나타내는 기에 있어서, R51 에 있어서의 1 가의 지방족 탄화수소기로는, 상기 R5 의 1 가의 지방족 탄화수소기로 예시한 것과 동일한 것을 들 수 있고, 특히 고리형 알킬기가 바람직하다. 그 고리형 알킬기는, 치환기를 갖고 있어도 된다.In the group represented by the above-mentioned R 51 -OC (O)-, the monovalent aliphatic hydrocarbon group for R 51 includes the same ones as those exemplified for the monovalent aliphatic hydrocarbon group for R 5 , particularly preferably a cyclic alkyl group. Do. The cyclic alkyl group may have a substituent.

그 치환기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 저급 알킬기, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 5 의 불소화 저급 알킬기, 산소 원자 (=O) 등을 들 수 있다.As this substituent, a C1-C5 lower alkyl group, a fluorine atom, a C1-C5 fluorinated lower alkyl group substituted by the fluorine atom, an oxygen atom (= O), etc. are mentioned.

1 가의 지방족 탄화수소기는, 헤테로 원자를 함유하고 있어도 된다. 예를 들어 헤테로 원자를 함유하는 고리형 알킬기로는, 하기 식 (L1) ∼ (L5), (S1) ∼ (S4) 로 나타내는 기 등을 들 수 있다.The monovalent aliphatic hydrocarbon group may contain the hetero atom. For example, as a cyclic alkyl group containing a hetero atom, the group etc. represented by following formula (L1)-(L5), (S1)-(S4) are mentioned.

[화학식 41][Formula 41]

Figure 112008056120253-pat00042
Figure 112008056120253-pat00042

[식 중, Q'' 는 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기, -O-, -S-, -O-R94- 또는 -S-R95- 이고, R94 및 R95 는 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기이고, m 은 0 또는 1 의 정수이다][Wherein Q '' is an alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, -O-, -S-, -OR 94 -or -SR 95- , and R 94 and R 95 are each independently alkyl having 1 to 5 carbon atoms; Is a len group and m is an integer of 0 or 1;

식 (b-2) 중, R5'' 및 R6'' 는 각각 독립적으로 아릴기 또는 알킬기를 나타낸다. R5'' 및 R6'' 중, 적어도 1 개는 아릴기를 나타낸다. R5'' 및 R6'' 의 양방이 아릴기인 것이 바람직하다.In formula (b-2), R < 5 >> and R <6>" respectively independently represent an aryl group or an alkyl group. At least one of R 5 '' and R 6 '' represents an aryl group. It is preferable that both of R 5 '' and R 6 '' are aryl groups.

R5'' 및 R6'' 의 아릴기로는, R1'' ∼ R3'' 의 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the aryl group for R 5 ″ and R 6 ″ include the same aryl groups as R 1 ″ to R 3 ″ .

R5'' 및 R6'' 의 알킬기로는, R1'' ∼ R3'' 의 알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of the alkyl groups of R 5 '' and R 6 '' include the same alkyl groups as those of R 1 '' to R 3 '' .

이들 중에서, R5'' 및 R6'' 는 양방 모두 페닐기인 것이 가장 바람직하다.Among them, R 5 '' and R 6 '' are most preferably both phenyl groups.

식 (b-2) 중의 R4'' 로는 상기 식 (b-1) 의 R4'' 와 동일한 것을 들 수 있다.Examples of R 4 ″ in the formula (b-2) include the same ones as R 4 ″ in the formula (b-1).

식 (b-1), (b-2) 로 나타내는 오늄염계 산발생제의 구체예로는, 디페닐요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오드늄의 트리플루오로메탄술포네이트 또는 노나플루오로부탄술포네이트, 트리페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-메틸페닐)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디메틸(4-히드록시나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 모노페닐디메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 디페닐모노메틸술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메틸페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, (4-메톡시페닐)디페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 트리(4-tert-부틸)페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디페닐(1-(4-메톡시)나프틸)술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포 네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트, 디(1-나프틸)페닐술포늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-페닐테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메틸페닐)테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트; 1-(4-에톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-n-부톡시나프탈렌-1-일)테트라히드로티오페늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-페닐테트라히드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-히드록시페닐)테트라히드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(3,5-디메틸-4-히드록시페닐)테트라히드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 ; 1-(4-메틸페닐)테트라히드로티오피라늄의 트리플루오로메탄술포네이트, 그 헵타플루오로프로판술포네이트 또는 그 노나플루오로부탄술포네이트 등을 들 수 있다.As a specific example of the onium salt type acid generator represented by Formula (b-1) and (b-2), the trifluoromethane sulfonate or nonafluoro butane sulfonate of diphenyl iodonium, bis (4-tert- Butylphenyl) trifluoromethanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate of iodonium, trifluoromethanesulfonate of triphenylsulfonium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof, tri ( Trifluoromethanesulfonate of 4-methylphenyl) sulfonium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof, trifluoromethanesulfonate of dimethyl (4-hydroxynaphthyl) sulfonium, its Heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of monophenyldimethylsulfonium, heptafluoropropanesulfonate or its nonafluoro Butane sulfonate; Trifluoromethanesulfonate of diphenylmonomethylsulfonium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof, trifluoromethanesulfonate of (4-methylphenyl) diphenylsulfonium, heptafluoro Ropropansulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, trifluoromethanesulfonate of (4-methoxyphenyl) diphenylsulfonium, heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, tri ( Trifluoromethanesulfonate of 4-tert-butyl) phenylsulfonium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof, and diphenyl (1- (4-methoxy) naphthyl) sulfonium Trifluoromethanesulfonate, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof, trifluoromethanesulfonate of di (1-naphthyl) phenylsulfonium, heptafluoro Propanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1-phenyltetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-methoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-ethoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-n-butoxynaphthalen-1-yl) tetrahydrothiophenium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1-phenyltetrahydrothiopyranium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiopyranium, heptafluoropropanesulfonate or nonafluorobutanesulfonate thereof; Trifluoromethanesulfonate of 1- (4-methylphenyl) tetrahydrothiopyranium, its heptafluoropropanesulfonate or its nonafluorobutanesulfonate, and the like.

또한, 이들 오늄염의 아니온부가 메탄술포네이트, n-프로판술포네이트, n-부탄술포네이트, n-옥탄술포네이트로 치환된 오늄염도 사용할 수 있다.Moreover, the onium salt in which the anion part of these onium salt was substituted by methanesulfonate, n-propanesulfonate, n-butanesulfonate, n-octanesulfonate can also be used.

또한, 상기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 에 있어서, 아니온부를 하기 일반식 (b-3) 또는 (b-4) 로 나타내는 아니온부로 치환한 오늄염계 산발생제도 사용할 수 있다 (카티온부는 (b-1) 또는 (b-2) 와 동일).In addition, in the said general formula (b-1) or (b-2), the onium salt type acid generator which substituted the anion part by the anion part represented by the following general formula (b-3) or (b-4) can also be used. (The cation part is the same as (b-1) or (b-2).).

[화학식 42][Formula 42]

Figure 112008056120253-pat00043
Figure 112008056120253-pat00043

[식 중, X'' 는, 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 2 ∼ 6 의 알킬렌기를 나타내고 ; Y'', Z'' 는, 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기를 나타낸다][Wherein, X '' represents an alkylene group having 2 to 6 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom; Y '' and Z '' each independently represent an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom]

X'' 는, 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬렌기이고, 그 알킬렌기의 탄소수는 2 ∼ 6 이고, 바람직하게는 탄소수 3 ∼ 5, 가장 바람직하게는 탄소수 3 이다.X '' is a linear or branched alkylene group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkylene group has 2 to 6 carbon atoms, preferably 3 to 5 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms. to be.

Y'', Z'' 는, 각각 독립적으로 적어도 1 개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기이고, 그 알킬기의 탄소수는 1 ∼ 10 이고, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 7, 보다 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 3 이다.Y '' and Z '' are each independently a linear or branched alkyl group in which at least one hydrogen atom is substituted with a fluorine atom, and the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, preferably 1 to 7 carbon atoms. Preferably it is C1-C3.

X'' 의 알킬렌기의 탄소수 또는 Y'', Z'' 의 알킬기의 탄소수는, 상기 탄소 수의 범위 내에서, 레지스트 용매에 대한 용해성도 양호하다는 등의 이유에 의해, 작을수록 바람직하다.The carbon number of the alkylene group of X '' or the carbon number of the alkyl group of Y '' and Z '' is preferably smaller, for the reason that the solubility in the resist solvent is also good within the range of the carbon number.

또한, X'' 의 알킬렌기 또는 Y'', Z'' 의 알킬기에 있어서, 불소 원자로 치환되어 있는 수소 원자의 수가 많을수록, 산의 강도가 강해지고, 또한 200㎚ 이하의 고에너지광이나 전자선에 대한 투명성이 향상되기 때문에 바람직하다. 그 알킬렌기 또는 알킬기 중의 불소 원자의 비율, 즉 불소화율은, 바람직하게는 70 ∼ 100%, 더욱 바람직하게는 90 ∼ 100% 이고, 가장 바람직하게는, 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬렌기 또는 퍼플루오로알킬기이다.In addition, in the alkylene group of X '' or the alkyl group of Y '', Z '', the more the number of hydrogen atoms substituted with fluorine atoms, the stronger the strength of the acid, and the higher energy light or electron beam of 200 nm or less. It is preferable because the transparency to the resin is improved. The proportion of the fluorine atom in the alkylene group or the alkyl group, that is, the fluorination rate, is preferably 70 to 100%, more preferably 90 to 100%, and most preferably, perfluoroalkyl in which all hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. Ethylene group or perfluoroalkyl group.

또한, 하기 일반식 (b-5) 또는 (b-6) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 술포늄염을 오늄염계 산발생제로서 사용할 수도 있다.Moreover, the sulfonium salt which has the cation part represented by following General formula (b-5) or (b-6) can also be used as an onium salt type acid generator.

[화학식 43][Formula 43]

Figure 112008056120253-pat00044
Figure 112008056120253-pat00044

[식 중, R41 ∼ R46 은 각각 독립적으로 알킬기, 아세틸기, 알콕시기, 카르복시기, 수산기 또는 히드록시알킬기이고 ; n1 ∼ n5 는 각각 독립적으로 0 ∼ 3 의 정수이고, n6 은 0 ∼ 2 의 정수이다][Wherein, R 41 to R 46 are each independently an alkyl group, an acetyl group, an alkoxy group, a carboxyl group, a hydroxyl group or a hydroxyalkyl group; n 1 to n 5 Are each independently an integer of 0 to 3, n 6 is an integer of 0 to 2]

R41 ∼ R46 에 있어서, 알킬기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기가 바람직하고, 그 중에서도 직사슬형 또는 분기사슬형 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기 또는 tert-부틸기인 것이 특히 바람직하다.In R 41 to R 46 , the alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group, and methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, and n-butyl. It is especially preferable that it is a group or a tert- butyl group.

알콕시기는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알콕시기가 바람직하고, 그 중에서도 직사슬 또는 분기사슬형 알콕시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 특히 바람직하다.The alkoxy group is preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkoxy group, particularly preferably a methoxy group and an ethoxy group.

히드록시알킬기는, 상기 알킬기 중의 1 개 또는 복수 개의 수소 원자가 히드록시기로 치환된 기가 바람직하고, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기 등을 들 수 있다.The hydroxyalkyl group is preferably a group in which one or a plurality of hydrogen atoms in the alkyl group is substituted with a hydroxy group, and examples thereof include a hydroxymethyl group, a hydroxyethyl group, and a hydroxypropyl group.

R41 ∼ R46 에 부여된 부호 n1 ∼ n6 이 2 이상의 정수인 경우, 복수의 R41 ∼ R46 은 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.Symbols n 1 to n 6 assigned to R 41 to R 46; When it is an integer of 2 or more, some R <41> -R <46> may be the same respectively and may differ.

n1 은, 바람직하게는 0 ∼ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이고, 더욱 바람직하게는 0 이다.n 1 Silver is preferably 0 to 2, more preferably 0 or 1, and even more preferably 0.

n2 및 n3 은, 바람직하게는 각각 독립적으로 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 0 이다.n 2 and n 3 are preferably each independently 0 or 1, and more preferably 0.

n4 는, 바람직하게는 0 ∼ 2 이고, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다.n 4 becomes like this. Preferably it is 0-2, More preferably, it is 0 or 1.

n5 는, 바람직하게는 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 0 이다.n 5 becomes like this. Preferably it is 0 or 1, More preferably, it is zero.

n6 은, 바람직하게는 0 또는 1 이고, 보다 바람직하게는 1 이다.n 6 becomes like this. Preferably it is 0 or 1, More preferably, it is 1.

식 (b-5) 또는 (b-6) 으로 나타내는 카티온부를 갖는 술포늄염의 아니온부는, 특별히 한정되지 않고, 지금까지 제안되어 있는 오늄염계 산발생제의 아니온부와 동일한 것이어도 된다. 이러한 아니온부로는, 예를 들어 상기 일반식 (b-1) 또는 (b-2) 로 나타내는 오늄염계 산발생제의 아니온부 (R4''SO3 -) 등의 불소화알킬술폰산 이온 ; 상기 일반식 (b-3) 또는 (b-4) 로 나타내는 아니온부 등을 들 수 있다.The anion part of the sulfonium salt which has a cation part represented by Formula (b-5) or (b-6) is not specifically limited, It may be the same as the anion part of the onium salt type acid generator currently proposed. The anionic portion is, for example, the formula (b-1) or (b-2) an onium salt-based no moiety of the acid generator (R 4 '' SO 3 - ) represents a fluorinated alkyl sulfonic acid ion and the like; The anion part etc. which are represented by the said general formula (b-3) or (b-4) are mentioned.

본 명세서에 있어서, 옥심술포네이트계 산발생제란, 하기 일반식 (B-1) 로 나타내는 기를 적어도 1 개 갖는 화합물로서, 방사선의 조사에 의해 산을 발생시키는 특성을 갖는 것이다. 이러한 옥심술포네이트계 산발생제는, 화학 증폭형 레지스트 조성물용으로서 많이 사용되고 있기 때문에, 임의로 선택하여 사용할 수 있다.In this specification, an oxime sulfonate-type acid generator is a compound which has at least 1 group represented by following General formula (B-1), and has a characteristic which generate | occur | produces an acid by irradiation of a radiation. Since these oxime sulfonate-type acid generators are used abundantly for chemical amplification resist compositions, they can be selected arbitrarily and used.

[화학식 44][Formula 44]

Figure 112008056120253-pat00045
Figure 112008056120253-pat00045

(식 (B-1) 중, R31, R32 는 각각 독립적으로 유기기를 나타낸다)(In Formula (B-1), R 31 and R 32 each independently represent an organic group.)

R31, R32 의 유기기는, 탄소 원자를 함유하는 기이고, 탄소 원자 이외의 원자 (예를 들어 수소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 (불소 원자, 염소 원자 등) 등) 를 갖고 있어도 된다.The organic group of R <31> , R <32> is group containing a carbon atom, and atoms other than a carbon atom (for example, a hydrogen atom, an oxygen atom, a nitrogen atom, a sulfur atom, a halogen atom (fluorine atom, a chlorine atom, etc.), etc.) You may have

R31 의 유기기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다. 이들 알킬기, 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기로는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어 불소 원자, 탄소수 1 ∼ 6 의 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기 등을 들 수 있다. 여기에서, 「치환기를 갖는다」 란, 알킬기 또는 아릴기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 치환기로 치환되어 있는 것을 의미한다.As an organic group of R <31> , a linear, branched or cyclic alkyl group or an aryl group is preferable. These alkyl groups and aryl groups may have a substituent. There is no restriction | limiting in particular as this substituent, For example, a fluorine atom, a C1-C6 linear, branched or cyclic alkyl group etc. are mentioned. Here, "having a substituent" means that one part or all part of the hydrogen atom of an alkyl group or an aryl group is substituted by the substituent.

알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 20 이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 10 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 이 더욱 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 특히 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 가장 바람직하다. 알킬기로는, 특히, 부분적 또는 완전히 할로겐화된 알킬기 (이하, 할로겐화알킬기라고 하는 경우가 있다) 가 바람직하다. 또한, 부분적으로 할로겐화된 알킬기란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미하고, 완전히 할로겐화된 알킬기란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 알킬기를 의미한다. 할로겐 원자로는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. 즉, 할로겐화알킬기는, 불소화알킬기인 것이 바람직하다.As an alkyl group, C1-C20 is preferable, C1-C10 is more preferable, C1-C8 is further more preferable, C1-C6 is especially preferable, C1-C4 is the most preferable. As the alkyl group, a partially or completely halogenated alkyl group (hereinafter sometimes referred to as a halogenated alkyl group) is preferable. In addition, the partially halogenated alkyl group means the alkyl group in which a part of hydrogen atoms were substituted by the halogen atom, and the fully halogenated alkyl group means the alkyl group in which all the hydrogen atoms were substituted by the halogen atom. As a halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc. are mentioned, A fluorine atom is especially preferable. That is, the halogenated alkyl group is preferably a fluorinated alkyl group.

아릴기는, 탄소수 4 ∼ 20 이 바람직하고, 탄소수 4 ∼ 10 이 보다 바람직하 고, 탄소수 6 ∼ 10 이 가장 바람직하다. 아릴기로는, 특히, 부분적 또는 완전히 할로겐화된 아릴기가 바람직하다. 또, 부분적으로 할로겐화된 아릴기란, 수소 원자의 일부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미하고, 완전히 할로겐화된 아릴기란, 수소 원자의 전부가 할로겐 원자로 치환된 아릴기를 의미한다.The aryl group preferably has 4 to 20 carbon atoms, more preferably 4 to 10 carbon atoms, and most preferably 6 to 10 carbon atoms. As the aryl group, a partially or fully halogenated aryl group is particularly preferable. Moreover, the partially halogenated aryl group means the aryl group in which a part of hydrogen atoms were substituted by the halogen atom, and the fully halogenated aryl group means the aryl group in which all the hydrogen atoms were substituted by the halogen atom.

R31 로는, 특히, 치환기를 갖지 않는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 불소화알킬기가 바람직하다.Especially as R <31> , a C1-C4 alkyl group or C1-C4 fluorinated alkyl group which does not have a substituent is preferable.

R32 의 유기기로는, 직사슬형, 분기사슬형 또는 고리형 알킬기, 아릴기 또는 시아노기가 바람직하다. R32 의 알킬기, 아릴기로는, 상기 R31 에서 예시한 알킬기, 아릴기와 동일한 것을 들 수 있다.As an organic group of R <32> , a linear, branched or cyclic alkyl group, an aryl group, or a cyano group is preferable. As an alkyl group and an aryl group of R <32> , the thing similar to the alkyl group and aryl group which were illustrated by said R <31> is mentioned.

R32 로는, 특히, 시아노기, 치환기를 갖지 않는 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬기, 또는 탄소수 1 ∼ 8 의 불소화알킬기가 바람직하다.Especially as R <32> , a cyano group, a C1-C8 alkyl group which does not have a substituent, or a C1-C8 fluorinated alkyl group is preferable.

옥심술포네이트계 산발생제로서, 더욱 바람직한 것으로는, 하기 일반식 (B-2) 또는 (B-3) 으로 나타내는 화합물을 들 수 있다.As an oxime sulfonate-type acid generator, the compound represented by the following general formula (B-2) or (B-3) more preferable is mentioned.

[화학식 45][Formula 45]

Figure 112008056120253-pat00046
Figure 112008056120253-pat00046

[식 (B-2) 중, R33 은, 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화 알킬기이다. R34 는 아릴기이다. R35 는 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다][In Formula (B-2), R 33 is a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 34 Is an aryl group. R 35 Is an alkyl group or a halogenated alkyl group having no substituent]

[화학식 46][Formula 46]

Figure 112008056120253-pat00047
Figure 112008056120253-pat00047

[식 (B-3) 중, R36 은 시아노기, 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다. R37 은 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기이다. R38 은 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기이다. p'' 는 2 또는 3 이다][In Formula (B-3), R 36 is a cyano group, an alkyl group having no substituent, or a halogenated alkyl group. R 37 is a divalent or trivalent aromatic hydrocarbon group. R 38 is an alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent. p '' is 2 or 3]

상기 일반식 (B-2) 에 있어서, R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 가장 바람직하다.In the general formula (B-2), the alkyl group or halogenated alkyl group having no substituent of R 33 is preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms. Do.

R33 으로는, 할로겐화알킬기가 바람직하고, 불소화알킬기가 보다 바람직하다.As R 33 , a halogenated alkyl group is preferable, and a fluorinated alkyl group is more preferable.

R33 에 있어서의 불소화알킬기는, 알킬기의 수소 원자가 50% 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 70% 이상 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 90% 이상 불소화되어 있는 것이 특히 바람직하다.R 33 It is preferable that 50% or more of the hydrogen atoms of an alkyl group are fluorinated, It is more preferable that the fluorinated alkyl group in is 70% or more, and it is especially preferable that it is 90% or more.

R34 의 아릴기로는, 페닐기, 비페닐 (biphenyl) 기, 플루오레닐 (fluorenyl) 기, 나프틸기, 안트릴 (anthryl) 기, 페난트릴기 등의, 방향족 탄화수소의 고리로부터 수소 원자를 1 개 제거한 기, 및 이들 기의 고리를 구성하는 탄소 원자의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자로 치환된 헤테로아릴기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 플루오레닐기가 바람직하다.As an aryl group for R 34 , one hydrogen atom is formed from a ring of an aromatic hydrocarbon such as a phenyl group, a biphenyl group, a fluorenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, and a phenanthryl group. And a heteroaryl group in which a part of the removed group and the carbon atoms constituting the ring of these groups are substituted with a hetero atom such as an oxygen atom, a sulfur atom, or a nitrogen atom. Among these, a fluorenyl group is preferable.

R34 의 아릴기는, 탄소수 1 ∼ 10 의 알킬기, 할로겐화알킬기, 알콕시기 등의 치환기를 갖고 있어도 된다. 그 치환기에 있어서의 알킬기 또는 할로겐화알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 8 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 4 가 더욱 바람직하다. 또한, 그 할로겐화알킬기는, 불소화알킬기인 것이 바람직하다.The aryl group of R 34 may have substituents, such as a C1-C10 alkyl group, a halogenated alkyl group, and an alkoxy group. It is preferable that carbon number is 1-8, and, as for the alkyl group or halogenated alkyl group in this substituent, C1-C4 is more preferable. Moreover, it is preferable that this halogenated alkyl group is a fluorinated alkyl group.

R35 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기는, 탄소수가 1 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 8 이 보다 바람직하고, 탄소수 1 ∼ 6 이 가장 바람직하다.The alkyl group or halogenated alkyl group not having a substituent of R 35 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and most preferably 1 to 6 carbon atoms.

R35 로는, 할로겐화알킬기가 바람직하고, 불소화알킬기가 보다 바람직하다.As R 35 , a halogenated alkyl group is preferable, and a fluorinated alkyl group is more preferable.

R35 에 있어서의 불소화알킬기는, 알킬기의 수소 원자가 50% 이상 불소화되어 있는 것이 바람직하고, 70% 이상 불소화되어 있는 것이 보다 바람직하고, 90% 이상 불소화되어 있는 것이, 발생되는 산의 강도가 높아지므로 특히 바람직하다. 가장 바람직하게는, 수소 원자가 100% 불소 치환된 완전 불소화알킬기이다.R 35 In the fluorinated alkyl group in the group, the hydrogen atom of the alkyl group is preferably 50% or more fluorinated, more preferably 70% or more fluorinated, and particularly preferably 90% or more fluorinated because the generated acid has a high strength. Do. Most preferably, it is a fully fluorinated alkyl group in which the hydrogen atom is 100% fluorine substituted.

상기 일반식 (B-3) 에 있어서, R36 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기로는, 상기 R33 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.In said general formula (B-3), the alkyl group or halogenated alkyl group which does not have a substituent of R <36> is the same as the alkyl group or halogenated alkyl group which does not have a substituent of said R <33> .

R37 의 2 또는 3 가의 방향족 탄화수소기로는, 상기 R34 의 아릴기로부터 추가로 1 또는 2 개의 수소 원자를 제거한 기를 들 수 있다.As a bivalent or trivalent aromatic hydrocarbon group of R <37> , the group remove | excluding one or two hydrogen atoms from the said aryl group of R <34> is mentioned.

R38 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기로는, 상기 R35 의 치환기를 갖지 않는 알킬기 또는 할로겐화알킬기와 동일한 것을 들 수 있다.As an alkyl group or halogenated alkyl group which does not have a substituent of R <38> , the same thing as the alkyl group or halogenated alkyl group which does not have a substituent of said R <35> is mentioned.

p'' 는 바람직하게는 2 이다.p '' is preferably 2.

옥심술포네이트계 산발생제의 구체예로는, α-(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(p-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(4-니트로벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(4-니트로-2-트리플루오로메틸벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,4-디클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-2,6-디클로로벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(2-클로로벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시벤질시아니드, α-(벤젠술포닐옥시이미노)-티엔-2-일아세토니트릴, α-(4-도데실벤젠술포닐옥시이미노)-벤질시아니드, α-[(p-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-[(도데실벤젠술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴, α-(토실옥시이미노)-4-티에닐시아니드, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헵테닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로옥테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-에틸아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-프로필아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로펜틸아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-시클로헥실아세토니트릴, α-(시클로헥실술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로펜테닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(이소프로필술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(n-부틸술포닐옥시이미노)-1-시클로헥세닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-페닐아세토니트릴, α-(트리플루오로메틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(에틸술포닐옥시이미노)-p-메톡시페닐아세토니트릴, α-(프로필술포닐옥시이미노)-p-메틸페닐아세토니트릴, α-(메틸술포닐옥시이미노)-p-브로모페닐아세토니트릴 등을 들 수 있다. Specific examples of the oxime sulfonate acid generator include α- (p-toluenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (p-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, and α- ( 4-nitrobenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (4-nitro-2-trifluoromethylbenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -4- Chlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,4-dichlorobenzyl cyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -2,6-dichlorobenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyi Mino) -4-methoxybenzylcyanide, α- (2-chlorobenzenesulfonyloxyimino) -4-methoxybenzylcyanide, α- (benzenesulfonyloxyimino) -thien-2-ylacetonitrile, α- (4-dodecylbenzenesulfonyloxyimino) -benzyl cyanide, α-[(p-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile, α-[(dodecylbenzenesulfonyloxyi Mino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile , α- (tosyloxyimino) -4-thienyl cyanide, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylaceto Nitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cycloheptenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -1-cyclooctenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenyl acetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -ethylacetonitrile, α- (propylsulfonyloxyimino) -Propyl acetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclopentylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -cyclohexylacetonitrile, α- (cyclohexylsulfonyloxyimino) -1- Cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- Sopropyl sulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclopentenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -1-cyclohex Senylacetonitrile, α- (isopropylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (n-butylsulfonyloxyimino) -1-cyclohexenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyi Mino) -phenylacetonitrile, α- (methylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsulfonyloxyimino) -phenylacetonitrile, α- (trifluoromethylsul Ponyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (ethylsulfonyloxyimino) -p-methoxyphenylacetonitrile, α- (propylsulfonyloxyimino) -p-methylphenylacetonitrile, α- ( Methylsulfonyloxyimino) -p-bromophenyl acetonitrile etc. are mentioned.

또한, 일본 공개특허공보 평9-208554호 (단락 [0012] ∼ [0014] 의 [화학식 18] ∼ [화학식 19]) 에 개시되어 있는 옥심술포네이트계 산발생제, WO2004/074242A2 (65 ∼ 85 페이지째의 Example 1 ∼ 40) 에 개시되어 있는 옥심술포네이트계 산발생제도 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, the oxime sulfonate-type acid generator disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 9-208554 (Paragraph [18]-[Formula 19] of paragraph [0012]-[0014], WO2004 / 074242A2 (65- The oxime sulfonate acid generator disclosed in Examples 1 to 40) on page 85 can also be preferably used.

또한, 바람직한 것으로서 이하의 것을 예시할 수 있다.Moreover, the following can be illustrated as a preferable thing.

[화학식 47][Formula 47]

Figure 112008056120253-pat00048
Figure 112008056120253-pat00048

디아조메탄계 산발생제 중, 비스알킬 또는 비스아릴술포닐디아조메탄류의 구체예로는, 비스(이소프로필술포닐)디아조메탄, 비스(p-톨루엔술포닐)디아조메탄, 비스(1,1-디메틸에틸술포닐)디아조메탄, 비스(시클로헥실술포닐)디아조메탄, 비스(2,4-디메틸페닐술포닐)디아조메탄 등을 들 수 있다.As a specific example of bisalkyl or bisaryl sulfonyl diazomethanes in a diazomethane-type acid generator, bis (isopropylsulfonyl) diazomethane, bis (p-toluenesulfonyl) diazomethane, bis (1,1-dimethylethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, bis (2,4-dimethylphenylsulfonyl) diazomethane, etc. are mentioned.

또한, 일본 공개특허공보 평11-035551호, 일본 공개특허공보 평11-035552호, 일본 공개특허공보 평11-035573호에 개시되어 있는 디아조메탄계 산발생제도 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, the diazomethane type acid generator disclosed in Unexamined-Japanese-Patent No. 11-035551, Unexamined-Japanese-Patent No. 11-035552, and Unexamined-Japanese-Patent No. 11-035573 can also be used preferably.

또한, 폴리(비스술포닐)디아조메탄류로는, 예를 들어 일본 공개특허공보 평11-322707호에 개시되어 있는, 1,3-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)프로판, 1,4-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)부탄, 1,6-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)헥 산, 1,10-비스(페닐술포닐디아조메틸술포닐)데칸, 1,2-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)에탄, 1,3-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)프로판, 1,6-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)헥산, 1,10-비스(시클로헥실술포닐디아조메틸술포닐)데칸 등을 들 수 있다.Moreover, as poly (bissulfonyl) diazomethanes, 1, 3-bis (phenylsulfonyl diazommethylsulfonyl) propane, 1 which is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 11-322707, 1, for example, , 4-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) butane, 1,6-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) hexane, 1,10-bis (phenylsulfonyldiazomethylsulfonyl) decane , 1,2-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) ethane, 1,3-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethylsulfonyl) propane, 1,6-bis (cyclohexylsulfonyldiazomethyl Sulfonyl) hexane, 1, 10-bis (cyclohexylsulfonyl diazommethylsulfonyl) decane, etc. are mentioned.

(B) 성분으로는, 이들 산발생제를 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.As the component (B), these acid generators may be used alone, or may be used in combination of two or more thereof.

본 발명에 있어서는, (B) 성분으로서, 치환기를 갖고 있어도 되는 불소화알킬술폰산 이온을 아니온으로 하는 오늄염계 산발생제를 사용하는 것이 바람직하다.In this invention, it is preferable to use onium salt type acid generator which makes the fluorinated alkyl sulfonate ion which may have a substituent as an (B) component anion.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 있어서의 (B) 성분의 함유량은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 0.5 ∼ 30 질량부가 바람직하고, 1 ∼ 10 질량부가 보다 바람직하다. 상기 범위로 함으로써 패턴 형성이 충분히 실시된다. 또한, 균일한 용액이 얻어지고, 보존 안정성이 양호해지기 때문에 바람직하다.0.5-30 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of (A) component, and, as for content of (B) component in the positive resist composition of this invention, 1-10 mass parts is more preferable. Pattern formation is fully performed by setting it as the said range. Moreover, since a uniform solution is obtained and storage stability becomes favorable, it is preferable.

<임의 성분><Optional ingredient>

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에는, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등을 향상시키기 위해, 추가로 임의의 성분으로서, 함질소 유기 화합물 (D) (이하, (D) 성분이라고 한다) 를 배합시킬 수 있다.In the positive resist composition of the present invention, a nitrogen-containing organic compound (D) (hereinafter referred to as component (D)) is further added as an optional component in order to improve resist pattern shape, post-exposure stability over time, and the like. It can be compounded.

이 (D) 성분은, 이미 다종 다양한 것이 제안되어 있으므로, 공지된 것으로부터 임의로 사용하면 되고, 그 중에서도 지방족 아민, 특히 제 2 급 지방족 아민이나 제 3 급 지방족 아민이 바람직하다. 여기에서, 지방족 아민이란, 1 개 이상의 지방족기를 갖는 아민으로, 그 지방족기는 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하 다.Since many kinds of this (D) component are already proposed, what is necessary is just to use arbitrarily from a well-known thing, Especially, an aliphatic amine, especially a secondary aliphatic amine and tertiary aliphatic amine is preferable. Herein, the aliphatic amine is an amine having one or more aliphatic groups, and the aliphatic group preferably has 1 to 20 carbon atoms.

지방족 아민으로는, 예를 들어, 암모니아 NH3 의 수소 원자의 적어도 1 개를, 탄소수 20 이하의 알킬기 또는 히드록시알킬기로 치환한 아민 (알킬아민 또는 알킬알코올아민) 또는 고리형 아민을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include amines (alkylamines or alkylalcoholamines) or cyclic amines in which at least one hydrogen atom of ammonia NH 3 is substituted with an alkyl group having 20 or less carbon atoms or a hydroxyalkyl group. .

알킬아민 및 알킬알코올아민의 구체예로는, n-헥실아민, n-헵틸아민, n-옥틸아민, n-노닐아민, n-데실아민 등의 모노알킬아민 ; 디에틸아민, 디-n-프로필아민, 디-n-헵틸아민, 디-n-옥틸아민, 디시클로헥실아민 등의 디알킬아민 ; 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리-n-프로필아민, 트리-n-부틸아민, 트리-n-헥실아민, 트리-n-펜틸아민, 트리-n-헵틸아민, 트리-n-옥틸아민, 트리-n-노닐아민, 트리-n-데카닐아민, 트리-n-도데실아민 등의 트리알킬아민 ; 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민, 디-n-옥탄올아민, 트리-n-옥탄올아민, 스테아릴디에탄올아민, 라우릴디에탄올아민 등의 알킬알코올아민을 들 수 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5 ∼ 10 의 트리알킬아민이나 알킬알코올아민이 바람직하고, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 스테아릴디에탄올아민이 특히 바람직하다.Specific examples of alkyl amines and alkyl alcohol amines include monoalkyl amines such as n-hexyl amine, n-heptyl amine, n-octyl amine, n-nonyl amine, and n-decyl amine; Dialkylamines such as diethylamine, di-n-propylamine, di-n-heptylamine, di-n-octylamine and dicyclohexylamine; Trimethylamine, triethylamine, tri-n-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, tri-n-pentylamine, tri-n-heptylamine, tri-n-octylamine, tri trialkylamines such as -n-nonylamine, tri-n-decanylamine and tri-n-dodecylamine; Alkyl alcohol amines such as diethanolamine, triethanolamine, diisopropanolamine, triisopropanolamine, di-n-octanolamine, tri-n-octanolamine, stearyl diethanolamine, and lauryl diethanolamine. have. Among them, trialkylamines and alkylalcoholamines having 5 to 10 carbon atoms are preferable, and tri-n-pentylamine, diethanolamine and stearyl diethanolamine are particularly preferable.

고리형 아민으로는, 예를 들어 헤테로 원자로서 질소 원자를 함유하는 복소고리 화합물을 들 수 있다. 그 복소고리 화합물로는, 단고리형인 것 (지방족 단고리형 아민) 이어도 되고, 다고리형인 것 (지방족 다고리형 아민) 이어도 된다.As a cyclic amine, the heterocyclic compound which contains a nitrogen atom as a hetero atom is mentioned, for example. The heterocyclic compound may be monocyclic (aliphatic monocyclic amine) or polycyclic (aliphatic polycyclic amine).

지방족 단고리형 아민으로서, 구체적으로는 피페리딘, 피페라진 등을 들 수 있다.Specific examples of the aliphatic monocyclic amines include piperidine and piperazine.

지방족 다고리형 아민으로는, 탄소수가 6 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센, 헥사메틸렌테트라민, 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄 등을 들 수 있다.As the aliphatic polycyclic amine, one having 6 to 10 carbon atoms is preferable, and specifically 1,5-diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene and 1,8-diazabicyclo [5.4.0] -7-undecene, hexamethylenetetramine, 1, 4- diazabicyclo [2.2.2] octane, etc. are mentioned.

그 밖의 지방족아민으로는, 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-메톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시에톡시)에틸}아민, 트리스{2-(1-에톡시프로폭시)에틸}아민, 트리스[2-{2-(2-히드록시에톡시)에톡시}에틸아민 등을 들 수 있다.Other aliphatic amines include tris (2-methoxymethoxyethyl) amine, tris {2- (2-methoxyethoxy) ethyl} amine, and tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl } Amine, tris {2- (1-methoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxyethoxy) ethyl} amine, tris {2- (1-ethoxypropoxy) ethyl} amine And tris [2- {2- (2-hydroxyethoxy) ethoxy} ethylamine and the like.

이들은 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 된다.These may be used independently and may be used in combination of 2 or more type.

(D) 성분은, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.01 ∼ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다.(D) component is used in the range of 0.01-5.0 mass parts normally with respect to 100 mass parts of (A) component.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에는, 감도 열화의 방지나, 레지스트 패턴 형상, 노광 후 시간 경과적 안정성 등의 향상의 목적에서, 임의의 성분으로서, 유기 카르복실산 그리고 인의 옥소산 및 그 유도체로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 화합물 (E) (이하, (E) 성분이라고 한다) 를 함유시킬 수 있다.The positive resist composition of the present invention comprises, as an optional component, an organic carboxylic acid, an oxo acid of phosphorus and a derivative thereof as an optional component for the purpose of preventing degradation of sensitivity, improving the shape of a resist pattern, stability over time after exposure, and the like. At least 1 sort (s) of compound (E) (henceforth a component (E) component) chosen from group can be contained.

유기 카르복실산으로는, 예를 들어 아세트산, 말론산, 시트르산, 말산, 숙신산, 벤조산, 살리실산 등이 바람직하다.As organic carboxylic acid, acetic acid, malonic acid, citric acid, malic acid, succinic acid, benzoic acid, salicylic acid, etc. are preferable, for example.

인의 옥소산 및 그 유도체로는, 인산, 포스폰산, 포스핀산 등을 들 수 있고, 이들 중에서도 특히 포스폰산이 바람직하다.Phosphoric acid, phosphonic acid, phosphinic acid, etc. are mentioned as an oxo acid and its derivative (s) of phosphorus, Among these, phosphonic acid is especially preferable.

인의 옥소산의 유도체로는, 예를 들어 상기 옥소산의 수소 원자를 탄화수소기로 치환한 에스테르 등을 들 수 있고, 상기 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬기, 탄소수 6 ∼ 15 의 아릴기 등을 들 수 있다.As a derivative of the oxo acid of phosphorus, the ester etc. which substituted the hydrogen atom of the said oxo acid with a hydrocarbon group are mentioned, for example, As a hydrocarbon group, a C1-C5 alkyl group, a C6-C15 aryl group, etc. are mentioned, for example. Can be mentioned.

인산의 유도체로는, 인산 디-n-부틸에스테르, 인산디페닐에스테르 등의 인산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the phosphoric acid derivative include phosphoric acid esters such as phosphoric acid di-n-butyl ester and phosphoric acid diphenyl ester.

포스폰산의 유도체로는, 포스폰산디메틸에스테르, 포스폰산-디-n-부틸에스테르, 페닐포스폰산, 포스폰산디페닐에스테르, 포스폰산디벤질에스테르 등의 포스폰산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the phosphonic acid derivatives include phosphonic acid dimethyl esters, phosphonic acid-di-n-butyl esters, phosphonic acid esters such as phenylphosphonic acid, phosphonic acid diphenyl esters, and phosphonic acid dibenzyl esters.

포스핀산의 유도체로는, 페닐포스핀산 등의 포스핀산에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the derivatives of phosphinic acid include phosphinic acid esters such as phenylphosphinic acid.

(E) 성분은, 1 종을 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the component (E), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

(E) 성분으로는, (A) 성분 100 질량부에 대하여, 통상적으로 0.01 ∼ 5.0 질량부의 범위에서 사용된다.As (E) component, it is normally used in 0.01-5.0 mass part with respect to 100 mass parts of (A) component.

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에는, 추가로 원하는 바에 따라, 혼화성이 있는 첨가제, 예를 들어 레지스트막의 성능을 개량하기 위한 부가적 수지, 도포성을 향상시키기 위한 계면 활성제, 용해 억제제, 가소제, 안정제, 착색제, 할레이션 방지제, 염료 등을 적절히 첨가 함유시킬 수 있다.The positive type resist composition of the present invention may further contain miscible additives, for example, additional resins for improving the performance of resist films, surfactants for improving applicability, dissolution inhibitors, plasticizers, stabilizers, as desired. , Coloring agents, antihalation agents, dyes and the like can be appropriately added.

<유기 용제 (S)><Organic Solvent (S)>

본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 재료를 유기 용제 (이하, (S) 성분이라고 하는 경우가 있다) 에 용해시켜 제조할 수 있다.The positive resist composition of the present invention can be produced by dissolving a material in an organic solvent (hereinafter sometimes referred to as component (S)).

(S) 성분으로는, 사용하는 각 성분을 용해시키고, 균일한 용액으로 할 수 있는 것이면 되고, 종래, 화학 증폭형 레지스트의 용제로서 공지된 것 중에서 임의의 것을 1 종 또는 2 종 이상 적당히 선택하여 사용할 수 있다.As (S) component, what is necessary is just to melt | dissolve each component to be used and it can be set as a uniform solution, and conventionally select arbitrary 1 type (s) or 2 or more types from the well-known as a solvent of chemically amplified resist, Can be used.

예를 들어, γ-부티로락톤 등의 락톤류 ; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 메틸-n-펜틸케톤, 메틸이소펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류 ; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류 ; 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 갖는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 갖는 화합물의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르 등의 모노알킬에테르 또는 모노페닐에테르 등의 에테르 결합을 갖는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체 [이들 중에서는, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME) 가 바람직하다] ; 디옥산과 같은 고리형 에테르류나, 락트산메틸, 락트산에틸 (EL), 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 메톡시프로피온산메틸, 에톡시프로피온산에틸 등의 에스테르류 ; 아니솔, 에틸벤질에테르, 크레질메틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 페네톨, 부틸페닐에테르, 에틸벤젠, 디에틸벤젠, 펜틸벤젠, 이소프로필벤젠, 톨루엔, 자일렌, 시멘, 메시틸렌 등의 방향족계 유기 용제 등을 들 수 있다.For example, lactones, such as (gamma) -butyrolactone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; Polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol and dipropylene glycol; Monomethyl ether, monoethyl ether of a compound having an ester bond, such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, the polyhydric alcohol or the compound having the ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether or compounds having ether bonds such as monophenyl ether [In these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferable]; Cyclic ethers such as dioxane, esters such as methyl lactate, ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate and ethyl ethoxypropionate; Anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phentol, butyl phenyl ether, ethyl benzene, diethyl benzene, pentyl benzene, isopropyl benzene, toluene, xylene, cymene, mesitylene Aromatic organic solvents, such as these, are mentioned.

이들 유기 용제는 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상의 혼합 용제로서 사용해도 된다.These organic solvents may be used independently and may be used as 2 or more types of mixed solvents.

그 중에서도, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 (PGMEA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르 (PGME), EL 이 바람직하다.Especially, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME), and EL are preferable.

또한, PGMEA 와 극성 용제를 혼합한 혼합 용매도 바람직하다. 그 배합비 (질량비) 는, PGMEA 와 극성 용제의 상용성 등을 고려하여 적당히 결정하면 되는데, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.A mixed solvent in which PGMEA and a polar solvent are mixed is also preferable. What is necessary is just to determine the compounding ratio (mass ratio) suitably in consideration of compatibility of PGMEA and a polar solvent, etc., Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it shall be in the range of 2: 8-8: 2. desirable.

보다 구체적으로는, 극성 용제로서 EL 을 배합하는 경우에는, PGMEA : EL 의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2 이다. 또한, 극성 용제로서 PGME 를 배합하는 경우에는, PGMEA : PGME 의 질량비는, 바람직하게는 1 : 9 ∼ 9 : 1, 보다 바람직하게는 2 : 8 ∼ 8 : 2, 더욱 바람직하게는 3 : 7 ∼ 7 : 3 이다.More specifically, when mix | blending EL as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: EL becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2. In addition, when mix | blending PGME as a polar solvent, the mass ratio of PGMEA: PGME becomes like this. Preferably it is 1: 9-9: 1, More preferably, it is 2: 8-8: 2, More preferably, it is 3: 7- 7: 3.

또한, (S) 성분으로서, 그 밖에는, PGMEA 및 EL 중에서 선택되는 적어도 1 종과 γ-부티로락톤의 혼합 용제도 바람직하다. 이 경우, 혼합 비율로는, 전자와 후자의 질량비가 바람직하게는 70 : 30 ∼ 95 : 5 가 된다.Moreover, as (S) component, the mixed solvent of at least 1 sort (s) chosen from PGMEA and EL and (gamma) -butyrolactone is also preferable. In this case, as a mixing ratio, the mass ratio of the former and the latter becomes like this. Preferably it is 70: 30-95: 5.

(S) 성분의 사용량은 특별히 한정되지 않지만, 기판 등에 도포 가능한 농도로, 도포 막두께에 따라 적절히 설정되는 것인데, 일반적으로는 레지스트 조성물의 고형분 농도가 2 ∼ 20 질량%, 바람직하게는 5 ∼ 15 질량% 의 범위 내가 되도록 사용된다.Although the usage-amount of (S) component is not specifically limited, Although it is a density | concentration which can be apply | coated to a board | substrate etc., it is set suitably according to the coating film thickness, Generally, solid content concentration of a resist composition is 2-20 mass%, Preferably it is 5-15. It is used so that it may be in the range of mass%.

상기 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물은, 종래 알려지지 않은 신규한 것이다.The positive resist composition of the present invention is a novel one not known in the prior art.

또한, 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물에 의하면, 지지체 상에, 높은 해상성으로 라인 에지 러프니스 (LER) 가 저감된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.In addition, according to the positive resist composition of the present invention, a resist pattern with reduced line edge roughness LER can be formed on a support with high resolution.

여기에서, LER 이란, 레지스트 패턴 측벽 표면의 거칠기 (러프니스) 를 의미한다. LER 은, 홀 패턴에 있어서의 홀 주위의 변형이나, 라인 앤드 스페이스 패턴에 있어서의 라인 폭의 편차 등의 원인이 되기 때문에, 미세한 반도체 소자의 형성 등에 악영향을 줄 우려가 있어, 그 개선이 요구되고 있다.Here, LER means the roughness (roughness) of the resist pattern sidewall surface. Since LER causes deformation of the periphery of the hole in the hole pattern, variations in the line width in the line and space pattern, etc., there is a possibility that LER may adversely affect the formation of a fine semiconductor element, and the improvement is required. have.

상기 효과가 얻어지는 이유로는, 확실하지는 않지만, 구성 단위 (a0) 의 측사슬 부분의 길이가 길고, 게다가 그 측사슬 부분에 전자 흡인성기인 산소 원자 (-O-) 가 도입되어 있기 때문에, 말단의 산해리성 용해 억제기가 해리되기 쉬워, 해리 효율이 향상되었기 때문으로 추측된다.Although the reason why the said effect is acquired is not certain, since the length of the side chain part of a structural unit (a0) is long, and the oxygen atom (-O-) which is an electron-withdrawing group is introduced in the side chain part, It is assumed that the acid dissociable, dissolution inhibiting group is likely to dissociate and the dissociation efficiency is improved.

《레지스트 패턴 형성 방법》<< resist pattern formation method >>

다음으로, 본 발명의 제 2 양태의 레지스트 패턴 형성 방법에 대해 설명한다.Next, the resist pattern formation method of the 2nd aspect of this invention is demonstrated.

본 발명의 레지스트 패턴 형성 방법은, 상기 본 발명의 포지티브형 레지스트 조성물을 사용하여 지지체 상에 레지스트막을 형성하는 공정, 상기 레지스트막을 노광하는 공정, 및 상기 레지스트막을 현상하여 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다.The resist pattern forming method of the present invention includes forming a resist film on a support using the positive resist composition of the present invention, exposing the resist film, and developing the resist film to form a resist pattern. do.

본 발명의 레지스트 패턴 형성 방법은, 예를 들어 이하와 같이 하여 실시할 수 있다.The resist pattern formation method of this invention can be performed as follows, for example.

즉, 먼저 지지체 상에, 상기 포지티브형 레지스트 조성물을 스피너 등으로 도포하고, 80 ∼ 150℃ 의 온도 조건하에서, 프리베이크 (포스트 어플라이 베이크 (PAB)) 를 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시하고, 이것에 예를 들어 ArF 노광 장치 등에 의해, ArF 엑시머 레이저광을 원하는 마스크 패턴을 통해 선택적으로 노광한 후, 80 ∼ 150℃ 의 온도 조건하에서, PEB (노광 후 가열) 를 40 ∼ 120 초간, 바람직하게는 60 ∼ 90 초간 실시한다. 이어서 이것을 알칼리 현상액, 예를 들어 0.1 ∼ 10 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 수용액을 사용하여 현상 처리하고, 바람직하게는 순수를 사용하여 물 린스를 실시하고, 건조시킨다. 또한, 경우에 따라서는, 상기 현상 처리 후에 베이크 처리 (포스트 베이크) 를 실시해도 된다. 이렇게 하여, 마스크 패턴에 충실한 레지스트 패턴을 얻을 수 있다.That is, first, the positive resist composition is coated on a support with a spinner or the like, and the prebaking (post-applied bake (PAB)) is applied for 40 to 120 seconds under a temperature condition of 80 to 150 ° C, preferably 60 to After 90 seconds and selectively exposing ArF excimer laser light through a desired mask pattern, for example, by an ArF exposure apparatus or the like, PEB (post-exposure heating) is applied under a temperature condition of 80 to 150 ° C. 120 seconds, Preferably it is 60 to 90 seconds. This is then developed using an alkaline developer, for example 0.1-10% by mass of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, preferably rinsed with pure water, and dried. In some cases, a bake treatment (post bake) may be performed after the developing treatment. In this way, a resist pattern faithful to the mask pattern can be obtained.

지지체로는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어 전자 부품용 기판이나, 이것에 소정의 배선 패턴이 형성된 것 등을 예시할 수 있다. 보다 구체적으로는, 실리콘 웨이퍼, 구리, 크롬, 철, 알루미늄 등의 금속제 기판이나, 유리 기판 등을 들 수 있다. 배선 패턴의 재료로는, 예를 들어 구리, 알루미늄, 니켈, 금 등을 사용할 수 있다.It does not specifically limit as a support body, A conventionally well-known thing can be used, For example, the board | substrate for electronic components, the thing in which the predetermined wiring pattern was formed, etc. can be illustrated. More specifically, a metal substrate such as a silicon wafer, copper, chromium, iron or aluminum, or a glass substrate can be given. As a material of a wiring pattern, copper, aluminum, nickel, gold, etc. can be used, for example.

또한, 지지체로는, 상기 서술한 기판 상에, 무기계 및/또는 유기계 막이 형성된 것이어도 된다. 무기계 막으로는, 무기 반사 방지막 (무기 BARC) 을 들 수 있다. 유기계 막으로는, 유기 반사 방지막 (유기 BARC) 을 들 수 있다.As the support, an inorganic and / or organic film may be formed on the substrate described above. An inorganic antireflection film (inorganic BARC) is mentioned as an inorganic film. As an organic type film | membrane, an organic antireflection film (organic BARC) is mentioned.

노광에 사용하는 파장은, 특별히 한정되지 않고, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑 시머 레이저, F2 엑시머 레이저, EUV (극자외선), VUV (진공 자외선), EB (전자선), X 선, 연 X 선 등의 방사선을 사용하여 실시할 수 있다. 상기 레지스트 조성물은, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB 또는 EUV, 특히 ArF 엑시머 레이저에 대하여 유효하다. The wavelength used for exposure is not specifically limited, ArF excimer laser, KrF excimer laser, F 2 excimer laser, EUV (extreme ultraviolet), VUV (vacuum ultraviolet), EB (electron beam), X-ray, soft X-ray, etc. This can be done using radiation. The resist composition is effective for KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, EB or EUV, in particular ArF excimer lasers.

레지스트막의 노광은, 공기나 질소 등의 불활성 가스 중에서 실시하는 통상적인 노광 (드라이 노광) 이어도 되고, 액침 노광이어도 된다.Exposure of a resist film may be normal exposure (dry exposure) performed in inert gas, such as air and nitrogen, or liquid immersion exposure may be sufficient as it.

액침 노광에서는, 상기 서술한 바와 같이, 노광시에, 종래에는 공기나 질소 등의 불활성 가스로 채워져 있는 렌즈와 웨이퍼 상의 레지스트막 사이의 부분을, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채운 상태에서 노광을 실시한다.In liquid immersion exposure, as described above, at the time of exposure, a portion of the lens, which is conventionally filled with an inert gas such as air or nitrogen, and a resist film on the wafer, has a refractive index greater than that of air (immersion medium). Exposure is performed in the state filled with.

보다 구체적으로는, 액침 노광은, 상기와 같이 하여 얻어진 레지스트막과 노광 장치의 최하 위치의 렌즈 사이를, 공기의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 용매 (액침 매체) 로 채우고, 그 상태에서 원하는 마스크 패턴을 통해 노광 (침지 노광) 함으로써 실시할 수 있다.More specifically, the liquid immersion exposure fills the gap between the resist film obtained as described above and the lens at the lowermost position of the exposure apparatus with a solvent (immersion medium) having a refractive index larger than that of air, and the desired mask pattern in that state. It can carry out by exposing through (immersion exposure).

액침 매체로는, 공기의 굴절률보다 크고, 또한 당해 침지 노광에 의해 노광되는 레지스트막이 갖는 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매가 바람직하다. 이러한 용매의 굴절률로는, 상기 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다.As the liquid immersion medium, a solvent having a refractive index larger than that of air and smaller than the refractive index of the resist film exposed by the immersion exposure is preferable. The refractive index of such a solvent is not particularly limited as long as it is within the above range.

공기의 굴절률보다 크고, 또한 레지스트막의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 용매로는, 예를 들어, 물, 불소계 불활성 액체, 실리콘계 용제, 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다.As a solvent which has a refractive index larger than the refractive index of air and smaller than the refractive index of a resist film, water, a fluorine-type inert liquid, a silicone type solvent, a hydrocarbon type solvent, etc. are mentioned, for example.

불소계 불활성 액체의 구체예로는, C3HCl2F5, C4F9OCH3, C4F9OC2H5, C5H3F7 등의 불소계 화합물을 주성분으로 하는 액체 등을 들 수 있고, 비점이 70 ∼ 180℃ 인 것이 바람직하고, 80 ∼ 160℃ 인 것이 보다 바람직하다. 불소계 불활성 액체가 상기 범위의 비점을 갖는 것이면, 노광 종료 후에, 액침에 사용한 매체의 제거를 간편한 방법으로 실시할 수 있기 때문에 바람직하다.Specific examples of the fluorine-based inert liquid include liquids containing fluorine-based compounds such as C 3 HCl 2 F 5 , C 4 F 9 OCH 3 , C 4 F 9 OC 2 H 5 , and C 5 H 3 F 7 as main components. It is preferable that a boiling point is 70-180 degreeC, and it is more preferable that it is 80-160 degreeC. If the fluorine-based inert liquid has a boiling point in the above-mentioned range, it is preferable since the removal of the medium used for the liquid immersion can be performed by a simple method after the end of the exposure.

불소계 불활성 액체로는, 특히, 알킬기의 수소 원자가 모두 불소 원자로 치환된 퍼플루오로알킬 화합물이 바람직하다. 퍼플루오로알킬 화합물로는, 구체적으로는, 퍼플루오로알킬에테르 화합물이나 퍼플루오로알킬아민 화합물을 들 수 있다.Especially as a fluorine-type inert liquid, the perfluoroalkyl compound in which all the hydrogen atoms of the alkyl group were substituted by the fluorine atom is preferable. Specific examples of the perfluoroalkyl compound include a perfluoroalkyl ether compound and a perfluoroalkylamine compound.

또한, 구체적으로는, 상기 퍼플루오로알킬에테르 화합물로는, 퍼플루오로(2-부틸-테트라히드로푸란) (비점 102℃) 을 들 수 있고, 상기 퍼플루오로알킬아민 화합물로는, 퍼플루오로트리부틸아민 (비점 174℃) 을 들 수 있다.Specifically, as the perfluoroalkyl ether compound, perfluoro (2-butyl-tetrahydrofuran) (boiling point 102 ° C) may be mentioned, and as the perfluoroalkylamine compound, perfluoro Rotributylamine (boiling point 174 degreeC) is mentioned.

실시예Example

다음으로, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Next, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited by these examples.

[실시예 1]Example 1

1ℓ 3 구 플라스크에 수소화나트륨 (NaH) 4.8g 을 넣고, 빙욕 (氷浴) 중에서 0℃ 로 유지한 상태에서, 300g 의 테트라히드로푸란 (THF) 을 첨가하고, 또 교반하 면서 124g 의 화합물 (1) 을 첨가하고, 10 분간 교반하였다. 그 후 30g 의 화합물 (2) 를 교반하면서 첨가하고, 12 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 흡인 여과시키고, 회수된 여과액으로부터 멸압 농축에 의해 THF 를 제거하였다. 그 후, 농축액에 물 및 아세트산에틸을 첨가하여 추출을 실시하고, 얻어진 아세트산에틸 용액을 감압 농축시키고, 칼럼 크로마토그래피 (SiO2, 헵탄 : 아세트산에틸 = 8 : 2) 로 정제를 실시하고, 프랙션을 감압 농축시키고, 또한 감압 건조시킴으로써 화합물 (3) 을 12g 얻었다.4.8 g of sodium hydride (NaH) was added to a 1 L three-necked flask, and 300 g of tetrahydrofuran (THF) was added while maintaining at 0 ° C. in an ice bath. ) Was added and stirred for 10 minutes. Thereafter, 30 g of compound (2) was added while stirring, and reacted for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was suction filtered and THF was removed from the recovered filtrate by concentration under pressure. Thereafter, water and ethyl acetate were added to the concentrate, followed by extraction. The resulting ethyl acetate solution was concentrated under reduced pressure, purified by column chromatography (SiO 2 , heptane: ethyl acetate = 8: 2) and fractionation The mixture was concentrated under reduced pressure and further dried under reduced pressure to obtain 12 g of Compound (3).

[화학식 48][Formula 48]

Figure 112008056120253-pat00049
Figure 112008056120253-pat00049

얻어진 화합물 (3) 에 대해, 1H-NMR 을 측정하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다.About the obtained compound (3), 1 H-NMR was measured. The results are shown below.

Figure 112008056120253-pat00050
Figure 112008056120253-pat00050

상기의 결과로부터, 화합물 (3) 이 하기에 나타내는 구조를 갖는다는 것을 확인할 수 있었다. From the results above, it was confirmed that the compound (3) had a structure shown below.

[화학식 49][Formula 49]

Figure 112008056120253-pat00051
Figure 112008056120253-pat00051

[실시예 2][Example 2]

300㎖ 3 구 플라스크에 5g 의 화합물 (3), 3.04g 의 트리에틸아민 (Et3N) 및 10g 의 THF 를 첨가하고, 10 분간 교반하였다. 그 후 2.09g 의 화합물 (4) 및 10g 의 THF 를 첨가하고, 실온에서 12 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 흡인 여과시키고, 회수된 여과액으로부터 감압 농축에 의해 THF 를 제거하였다. 그 후, 농축액에 물 및 아세트산에틸을 첨가하여 추출을 실시하였다. 얻어진 아세트산에틸 용액에 대해, 칼럼 크로마토그래피 (SiO2, 헵탄 : 아세트산에틸 = 8 : 2) 로 정제를 실시하고, 프랙션을 감압 농축시키고, 또한 감압 건조시킴으로써 화합물 (5) 를 4.9g 얻었다.5 g of compound (3), 3.04 g of triethylamine (Et 3 N) and 10 g of THF were added to a 300 ml three-necked flask, followed by stirring for 10 minutes. Then, 2.09 g of compound (4) and 10 g of THF were added, and reacted at room temperature for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was suction filtered, and THF was removed from the recovered filtrate by concentration under reduced pressure. Thereafter, water and ethyl acetate were added to the concentrate, followed by extraction. The obtained ethyl acetate solution was purified by column chromatography (SiO 2 , heptane: ethyl acetate = 8: 2), the fraction was concentrated under reduced pressure and dried under reduced pressure to obtain 4.9 g of compound (5).

[화학식 50][Formula 50]

Figure 112008056120253-pat00052
Figure 112008056120253-pat00052

얻어진 화합물 (5) 에 대해, 1H-NMR 을 측정하였다. 그 결과를 이하에 나타낸다. 1 H-NMR was measured for the obtained compound (5). The results are shown below.

Figure 112008056120253-pat00053
Figure 112008056120253-pat00053

상기의 결과로부터, 화합물 (5) 가 하기에 나타내는 구조를 갖는다는 것을 확인할 수 있었다.From the results above, it was confirmed that the compound (5) had a structure shown below.

[화학식 51][Formula 51]

Figure 112008056120253-pat00054
Figure 112008056120253-pat00054

[실시예 3]Example 3

1ℓ 3 구 플라스크에 NaH 4g 을 넣고, 빙욕 중에서 0℃ 로 유지한 상태에서 100g 의 THF 를 첨가하고, 또 교반하면서 10g 의 화합물 (6) 을 첨가하고, 10 분간 교반하였다. 그 후 22.07g 의 화합물 (2) 를 교반하면서 첨가하고, 12 시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 반응액을 흡인 여과시키고, 회수된 여과액으로부터 감압 농축에 의해 THF 를 제거하였다. 그 후, 농축액에 물 및 아세트산에틸을 첨가하여, 추출을 실시하였다. 얻어진 아세트산에틸 용액을 감압 농축시키고, 칼럼 크로마토그래피 (SiO2, 헵탄 : 아세트산에틸 = 8 : 2) 로 정제를 실시하고, 프랙션을 감압 농축시키고, 또한 감압 건조시킴으로써 화합물 (5) 를 10g 얻었다.Into a 1 L three-necked flask, 4 g of NaH was added, 100 g of THF was added while maintaining at 0 ° C in an ice bath, and 10 g of Compound (6) was added while stirring, followed by stirring for 10 minutes. Then, 22.07g of compound (2) was added stirring, and it was made to react for 12 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was suction filtered, and THF was removed from the recovered filtrate by concentration under reduced pressure. Thereafter, water and ethyl acetate were added to the concentrate, followed by extraction. The obtained ethyl acetate solution was concentrated under reduced pressure, purified by column chromatography (SiO 2 , heptane: ethyl acetate = 8: 2), the fraction was concentrated under reduced pressure, and dried under reduced pressure, to obtain 10 g of compound (5).

[화학식 52][Formula 52]

Figure 112008056120253-pat00055
Figure 112008056120253-pat00055

[실시예 4 (고분자 화합물 (1) 의 합성)]Example 4 (Synthesis of Polymer Compound (1))

1.18g 의 화합물 (6), 1.90g 의 실시예 2 에서 얻은 화합물 (5), 0.67g 의 화합물 (7) 을, 15.00g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 0.71m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을, 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 6.25g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다. 그 후, 반응액을 대량의 메탄올 / 물 혼합 용액에 적하하여, 반응 생성물을 석출시키는 조작을 3 회 반복하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응 생성물을 실온하에서 감압 건조시켜, 백색 분체를 얻었다.1.18 g of Compound (6), 1.90 g of Compound (5) obtained in Example 2, and 0.67 g of Compound (7) were dissolved in 15.00 g of methyl ethyl ketone. 0.71 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 6.25 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature. Thereafter, the reaction solution was added dropwise to a large amount of methanol / water mixed solution, and the operation of precipitating the reaction product was repeated three times. The reaction product thus obtained was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a white powder.

[화학식 53][Formula 53]

Figure 112008056120253-pat00056
Figure 112008056120253-pat00056

얻어진 반응 생성물을 고분자 화합물 (1) 로 한다. 그 구조식을 이하에 나타낸다.Let obtained reaction product be a high molecular compound (1). The structural formula is shown below.

이 고분자 화합물 (1) 에 대해, 600㎒ 에서의 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 38.7 / 38.0 / 23.3 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 23200 이고, 분산도는 2.31 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (1) 이, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 알 수 있었다.For this polymer compound (1), as a result of measuring carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz_ 13 C-NMR) at 600 MHz, the polymer composition (the ratio (molar ratio of each structural unit in the structural formula) is l. / m / n = 38.7 / 38.0 / 23.3. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 23200, and dispersion degree was 2.31. From this result, it turned out that the obtained high molecular compound (1) is a copolymer of a compound (6), a compound (5), and a compound (7).

[화학식 54][Formula 54]

Figure 112008056120253-pat00057
Figure 112008056120253-pat00057

[비교예 1 (고분자 화합물 (2) 의 합성)]Comparative Example 1 (Synthesis of Polymer Compound (2))

4.99g 의 상기 화합물 (6), 7.00g 의 하기 화합물 (8), 1.26g 의 상기 화합물 (7) 을, 53.00g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 5.86m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을, 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 22.08g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다. 그 후, 반응액을 대량의 메탄올 / 물 혼합 용액에 적하하여, 반응 생성물을 석출시키는 조작을 3 회 반복하였다. 이와 같이 하여 얻어진 반응 생성물을 실온하에서 감압 건조시켜, 백색 분체를 얻었다.4.99 g of the compound (6), 7.00 g of the following compound (8), and 1.26 g of the compound (7) were dissolved in 53.00 g of methyl ethyl ketone. 5.86 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 22.08 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature. Thereafter, the reaction solution was added dropwise to a large amount of methanol / water mixed solution, and the operation of precipitating the reaction product was repeated three times. The reaction product thus obtained was dried under reduced pressure at room temperature to obtain a white powder.

[화학식 55](55)

Figure 112008056120253-pat00058
Figure 112008056120253-pat00058

얻어진 반응 생성물을 고분자 화합물 (2) 로 한다. 그 구조식을 이하에 나타낸다.Let obtained reaction product be a high molecular compound (2). The structural formula is shown below.

이 고분자 화합물 (2) 에 대해, 600㎒ 에서의 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 45.0 / 44.9 / 10.1 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 8400 이고, 분산도는 1.96 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (2) 가, 화합물 (6) 과 화합물 (8) 과 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 알 수 있었다.For this polymer compound (2), as a result of measuring the carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz_ 13 C-NMR) at 600 MHz, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the structural formula) was l. / m / n = 45.0 / 44.9 / 10.1. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 8400, and dispersion degree was 1.96. From this result, it turned out that the obtained high molecular compound (2) is a copolymer of a compound (6), a compound (8), and a compound (7).

[화학식 56](56)

Figure 112008056120253-pat00059
Figure 112008056120253-pat00059

[실시예 5, 비교예 2]Example 5, Comparative Example 2

표 1 에 나타내는 각 성분을 혼합, 용해시켜 포지티브형 레지스트 조성물을 조제하였다.Each component shown in Table 1 was mixed and dissolved, and the positive resist composition was prepared.

Figure 112008056120253-pat00060
Figure 112008056120253-pat00060

표 1 중, [ ] 내의 수치는 배합량 (질량부) 을 나타낸다. 또한, 표 1 중의 기호는 각각 이하의 것을 나타낸다.In Table 1, the numerical value in [] shows a compounding quantity (mass part). In addition, the symbol in Table 1 represents the following, respectively.

(A)-1 : 고분자 화합물 (1).(A) -1: high molecular compound (1).

(A)-2 : 고분자 화합물 (2).(A) -2: high molecular compound (2).

(B)-1 : 하기 화학식 (B)-1 로 나타내는 산발생제.(B) -1: Acid generator represented by following General formula (B) -1.

(D)-1 : 트리-n-펜틸아민.(D) -1: tri-n-pentylamine.

(S)-1 : PGMEA.(S) -1: PGMEA.

(S)-2 : PGME.(S) -2: PGME.

[화학식 57](57)

Figure 112008056120253-pat00061
Figure 112008056120253-pat00061

상기 산발생제 (B)-1 은, 트리페닐술포늄브로마이드 6.99g 을 순수 125㎖ 에 용해시키고, 그 용액에 2-나프틸메틸옥시테트라플루오로에탄술폰산의 리튬염 5.50g 을 첨가하고, 실온에서 19 시간 교반한 후, 디클로로메탄 125g 을 첨가하여 교반하고, 유기상을 분액하여 취출하고, 다시 유기상을 순수 40㎖ 로 수세 (水洗) 한 후, 분액하여 유기상을 취출하고, 취출된 유기상을 농축 후, 건조시킴으로써 얻어진 것이다.The acid generator (B) -1 dissolves 6.99 g of triphenylsulfonium bromide in 125 ml of pure water, and 5.50 g of lithium salt of 2-naphthylmethyloxytetrafluoroethanesulfonic acid is added to the solution, and the room temperature is After stirring for 19 hours, 125 g of dichloromethane was added and stirred, the organic phase was separated and taken out, and the organic phase was washed with pure water 40 ml, and then separated and the organic phase was taken out, and the extracted organic phase was concentrated. It is obtained by drying.

얻어진 레지스트 조성물을 사용하여, 이하의 순서로 레지스트 패턴을 형성하고, 리소그래피 특성을 평가하였다.Using the obtained resist composition, a resist pattern was formed in the following procedure and the lithographic characteristics were evaluated.

[해상성·감도][Resolution and sensitivity]

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 유기계 반사 방지막 조성물 「ARC29A」(상품명, 브루어 사이언스사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 205℃, 60 초간 소성하여 건조시킴으로써, 막두께 77㎚ 의 유기계 반사 방지막을 형성하였다. 그 반사 방지막 상에, 상기에서 얻어진 레지스트 조성물을 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 핫 플레이트 상에서 110℃, 60 초간의 조건에서 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 120㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.The organic type antireflection film composition "ARC29A" (brand name, Brewer Science Co., Ltd.) was apply | coated using a spinner on an 8-inch silicon wafer, It baked at 205 degreeC for 60 second on a hotplate, and dried, and it was an organic type of 77 nm film thickness. An antireflection film was formed. The resist composition obtained above was apply | coated using the spinner on this antireflection film, and it pre-baked (PAB) -processes on 110 degreeC and 60 second conditions on a hotplate, and dried, and the resist of a film thickness of 120 nm A film was formed.

이어서, ArF 노광 장치 NSR-S302 (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.60, 2/3 윤대 (輪帶) 조명) 에 의해, ArF 엑시머 레이저 (193㎚) 를 마스크 패턴 (6% 하프톤) 을 통해 선택적으로 조사하였다. 그리고, 100℃, 60 초간의 조건에서 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하고, 또한 23℃ 에서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 수용액으로 30 초간의 조건에서 현상하고, 그 후 30 초간 순수를 사용하여 물 린스하고, 물을 털어내어 건조시켰다.Subsequently, ArF excimer laser (193 nm) was made to mask pattern (6% halftone) by ArF exposure apparatus NSR-S302 (made by Nikon Corporation; NA (aperture number) = 0.60, 2/3 wheel illumination). It was selectively investigated through. Then, a post-exposure heating (PEB) treatment was performed under conditions of 100 ° C. and 60 seconds, further developed at 23 ° C. with a 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution under conditions of 30 seconds, and then 30 The water was rinsed using pure water for a second time, and the water was shaken off and dried.

그 결과, 어느 예에 있어서도, 직경 130㎚, 피치 260㎚ 의 컨택트 홀 패턴이 형성되었다. 이 때의 최적 노광량 Eop (mJ/㎠), 즉 감도를 구하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.As a result, also in any example, the contact hole pattern of 130 nm in diameter and 260 nm in pitch was formed. The optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2) at this time, that is, the sensitivity was determined. The results are shown in Table 2.

[진원성][Roundness]

상기에서 형성된 직경 130㎚, 피치 260㎚ 의 컨택트 홀 패턴을, 주사형 전자 현미경 SEM 을 사용하여 상공에서 관찰하고, 홀 패턴의 진원성을 하기의 기준으로 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타낸다.The contact hole pattern of 130 nm in diameter and 260 nm in pitch formed above was observed over the air using the scanning electron microscope SEM, and the roundness of the hole pattern was evaluated on the following reference | standard. The results are shown in Table 2.

○ : 진원성이 높다.(Circle): Roundness is high.

△ : 진원성이 낮다.(Triangle | delta): Low roundness.

Figure 112008056120253-pat00062
Figure 112008056120253-pat00062

상기의 결과에 나타내는 바와 같이, 실시예 5 의 홀 패턴의 진원성은 높고, 또한 감도도 양호하였다.As shown in said result, the roundness of the hole pattern of Example 5 was high and the sensitivity was also favorable.

[실시예 6 (고분자 화합물 (3) 의 합성)]Example 6 (Synthesis of Polymer Compound (3))

6.19g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (6), 10.00g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.51g (14.88m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 78.80g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 11.16m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 32.83g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.19 g (29.76 mmol) of the compound (6), 10.00 g (29.76 mmol) of the compound (5) and 3.51 g (14.88 mmol) of the compound (7) are added to 78.80 g of methyl ethyl ketone. Dissolved. 11.16 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was made to melt | dissolve. This was dripped at 32.83 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 370㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 66g 을 조제하고, n-헵탄 370㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 370 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 66 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 370 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 13.0g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 66%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 13.0 g of white powder (yield 66%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (3) 으로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (3) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 40.4 / 39.1 / 20.5 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 8,700 이고, 분산도는 2.18 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (3), and the structural formula is shown below. Carbon 13 nuclear magnetic resonance spectrum (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (3) was measured, and the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 40.4 / 39.1 / 20.5. In addition, the mass mean molecular weight of the standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 8,700, and dispersion degree was 2.18.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (3) 이, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (3) is a copolymer of the compound (6), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 58](58)

Figure 112008056120253-pat00063
Figure 112008056120253-pat00063

[실시예 7 (고분자 화합물 (4) 의 합성)]Example 7 (Synthesis of Polymer Compound (4))

6.19g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (6), 10.00g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.51g (14.88m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 78.80g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 13.39m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 32.83g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.19 g (29.76 mmol) of the compound (6), 10.00 g (29.76 mmol) of the compound (5) and 3.51 g (14.88 mmol) of the compound (7) are added to 78.80 g of methyl ethyl ketone. Dissolved. 13.39 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 32.83 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 370㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 66g 을 조제하고, n-헵탄 370㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 370 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 66 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 370 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 14.9g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 76%).Thus, the obtained copolymer was dried at 40 degreeC for 3 days, and 14.9 g of white powder was obtained (yield 76%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (4) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (4) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 42.4 / 37.2 / 19.9 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 6,400 이고, 분산도는 1.80 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (4), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (4) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 42.4 / 37.2 / 19.9. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 6,400, and dispersion degree was 1.80.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (4) 가, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (4) is a copolymer of compound (6), compound (5), and compound (7).

[화학식 59][Chemical Formula 59]

Figure 112008056120253-pat00064
Figure 112008056120253-pat00064

[실시예 8 (고분자 화합물 (5) 의 합성)]Example 8 (Synthesis of Polymer Compound (5))

3.94g (18.94m㏖) 의 상기 화합물 (6), 10.00g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (5), 4.47g (18.94m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 73.64g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 12.17m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 30.68g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.3.94 g (18.94 mmol) of the compound (6), 10.00 g (29.76 mmol) of the compound (5) and 4.47 g (18.94 mmol) of the compound (7) in 73.64 g of methyl ethyl ketone Dissolved. 12.17 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 30.68 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 340㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 61g 을 조제하고, n-헵탄 340㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 340 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 61 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 340 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 13.8g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 75%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 13.8 g of white powder (yield 75%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (5) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (5) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 30.5 / 39.0 / 30.5 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 6,700 이고, 분산도는 1.99 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (5), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (5) were measured, and as a result, the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 30.5 / 39.0 / 30.5. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 6,700, and dispersion degree was 1.99.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (5) 가, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (5) is a copolymer of compound (6), compound (5), and compound (7).

[화학식 60](60)

Figure 112008056120253-pat00065
Figure 112008056120253-pat00065

[실시예 9 (고분자 화합물 (6) 의 합성)]Example 9 (Synthesis of Polymer Compound (6))

4.99g (23.99m㏖) 의 상기 화합물 (6), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 4.32g (18.31m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 65.24g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 11.68m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 27.18g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.4.99 g (23.99 mmol) of the compound (6), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5), and 4.32 g (18.31 mmol) of the compound (7) in 65.24 g of methyl ethyl ketone Dissolved. 11.68 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 27.18 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 12.0g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 74%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 12.0 g of white powder (yield 74%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (6) 으로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (6) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 43.2 / 29.9 / 26.9 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,500 이고, 분산도는 2.24 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (6), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (6) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 43.2 / 29.9 / 26.9. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,500, and dispersion degree was 2.24.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (6) 이, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (6) is a copolymer of the compound (6), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 61](61)

Figure 112008056120253-pat00066
Figure 112008056120253-pat00066

[실시예 10 (고분자 화합물 (7) 의 합성)]Example 10 (Synthesis of Polymer Compound (7))

6.30g (30.30m㏖) 의 상기 화합물 (6), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 2.83g (11.99m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 64.52g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 11.68m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 26.88g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.30 g (30.30 mmol) of the compound (6), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5) and 2.83 g (11.99 mmol) of the compound (7) are added to 64.52 g of methyl ethyl ketone. Dissolved. 11.68 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 26.88 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 12.0g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 74%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 12.0 g of white powder (yield 74%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (7) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (7) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 52.6 / 27.5 / 19.9 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 5,300 이고, 분산도는 1.97 이었다.The obtained copolymer is used as a high molecular compound (7), and the structural formula thereof is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (7) were measured, and as a result, the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 52.6 / 27.5 / 19.9. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 5,300, and dispersion degree was 1.97.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (7) 이, 화합물 (6) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (7) is a copolymer of the compound (6), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 62][Formula 62]

Figure 112008056120253-pat00067
Figure 112008056120253-pat00067

[실시예 11 (고분자 화합물 (8) 의 합성)]Example 11 (Synthesis of Polymer Compound (8))

2.94g (13.26m㏖) 의 하기 화합물 (9), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.13g (13.26m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 51.56g 의 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 8.76m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 75℃ 로 가열한 메틸에틸케톤 21.48g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.2.94 g (13.26 mmol) of the following compound (9), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5), and 3.13 g (13.26 mmol) of the compound (7) in 51.56 g of methyl ethyl ketone Dissolved. 8.76 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added to this solution, and it was dissolved. This was dripped at 21.48 g of methyl ethyl ketone heated at 75 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 고형분 30 질량% 까지 농축시키고, 실온에서 250㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 44g 을 조제하고, n-헵탄 250㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymerization liquid was concentrated to 30 mass% of solid content, it was dripped at 250 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Then, 44 g of THF solutions of this copolymer were prepared, and it was dripped at 250 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 9.3g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 71%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 9.3 g of white powder (yield 71%).

[화학식 63](63)

Figure 112008056120253-pat00068
Figure 112008056120253-pat00068

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (8) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (8) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 31.5 / 38.3 / 30.2 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,900 이고, 분산도는 2.13 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (8), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (8) were measured, and as a result, the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 31.5 / 38.3 / 30.2. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,900, and dispersion degree was 2.13.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (8) 이, 화합물 (9) 와 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (8) is a copolymer of the compound (9), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 64]&Lt; EMI ID =

Figure 112008056120253-pat00069
Figure 112008056120253-pat00069

[실시예 12 (고분자 화합물 (9) 의 합성)]Example 12 (Synthesis of Polymer Compound (9))

2.94g (13.26m㏖) 의 하기 화합물 (10), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.13g (13.26m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 19.61g 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 3.3m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 10.89g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.2.94 g (13.26 mmol) of the following compound (10), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5) and 3.13 g (13.26 mmol) of the compound (7) were dissolved in 19.61 g of ethyl lactate. . To this solution, 3.3 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 10.89 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 250㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 44g 을 조제하고, n-헵탄 250㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymer liquid was dripped at 250 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Then, 44 g of THF solutions of this copolymer were prepared, and it was dripped at 250 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 9.5g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 73%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 9.5 g of white powder (yield 73%).

[화학식 65](65)

Figure 112008056120253-pat00070
Figure 112008056120253-pat00070

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (9) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (9) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 31.4 / 38.4 / 30.2 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,800 이고, 분산도는 2.01 이었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (9), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (9) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 31.4 / 38.4 / 30.2. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,800, and dispersion degree was 2.01.

이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (9) 가, 화합물 (10) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (9) is a copolymer of the compound (10), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 66][Formula 66]

Figure 112008056120253-pat00071
Figure 112008056120253-pat00071

[실시예 13 (고분자 화합물 (10) 의 합성)]Example 13 (Synthesis of Polymer Compound (10))

6.30g (30.30m㏖) 의 상기 화합물 (10), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 2.83g (11.99m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 24.20g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 4.5m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 13.44g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.30 g (30.30 mmol) of the compound (10), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5) and 2.83 g (11.99 mmol) of the compound (7) are dissolved in 24.20 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 4.5 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 13.44 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC under nitrogen atmosphere for 6 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymer liquid was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 12.0g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 74%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 12.0 g of white powder (yield 74%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (10) 으로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (10) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 51.6 / 28.5 / 19.9 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,300 이고, 분산도는 2.07 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (10) 이, 화합물 (10) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (10), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (10) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 51.6 / 28.5 / 19.9. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,300, and dispersion degree was 2.07. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (10) is a copolymer of the compound (10), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 67](67)

Figure 112008056120253-pat00072
Figure 112008056120253-pat00072

[실시예 14 (고분자 화합물 (11) 의 합성)]Example 14 (Synthesis of Polymer Compound (11))

4.99g (23.99m㏖) 의 상기 화합물 (10), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 4.32g (18.31m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 24.47g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 4.4m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 13.59g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.4.99 g (23.99 mmol) of the compound (10), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5), and 4.32 g (18.31 mmol) of the compound (7) are dissolved in 24.47 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 4.4 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 13.59 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymer liquid was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 12.0g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 74%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 12.0 g of white powder (yield 74%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (11) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (11) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 42.2 / 30.9 / 26.9 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,600 이고, 분산도는 2.14 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (11) 이, 화합물 (10) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (11), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (11) were measured, and as a result, the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 42.2 / 30.9 / 26.9. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,600, and dispersion degree was 2.14. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (11) is a copolymer of the compound (10), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 68](68)

Figure 112008056120253-pat00073
Figure 112008056120253-pat00073

[실시예 15 (고분자 화합물 (12) 의 합성)]Example 15 (Synthesis of Polymer Compound (12))

6.19g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (10), 10.00g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.51g (14.88m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 29.55g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 5.2m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 16.42g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.19 g (29.76 mmol) of the compound (10), 10.00 g (29.76 mmol) of the compound (5) and 3.51 g (14.88 mmol) of the compound (7) are dissolved in 29.55 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 5.2 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 16.42 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 370㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 66g 을 조제하고, n-헵탄 370㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This copolymer was dripped at 370 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 66 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 370 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 14.8g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 75%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 14.8 g of white powder (yield 75%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (12) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (12) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 40.4 / 40.1 / 19.5 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,700 이고, 분산도는 2.11 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (12) 가, 화합물 (10) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (12), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (12) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 40.4 / 40.1 / 19.5. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,700, and dispersion degree was 2.11. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (12) is a copolymer of the compound (10), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 69][Formula 69]

Figure 112008056120253-pat00074
Figure 112008056120253-pat00074

[실시예 16 (고분자 화합물 (13) 의 합성)]Example 16 (Synthesis of Polymer Compound (13))

2.94g (13.26m㏖) 의 하기 화합물 (11), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.13g (13.26m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 19.61g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 3.3m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 10.89g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.2.94 g (13.26 mmol) of the following compound (11), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5) and 3.13 g (13.26 mmol) of the compound (7) are dissolved in 19.61 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 3.3 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 10.89 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 250㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 44g 을 조제하고, n-헵탄 250㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymer liquid was dripped at 250 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Then, 44 g of THF solutions of this copolymer were prepared, and it was dripped at 250 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 9.1g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 70%).Thus, the obtained copolymer was dried at 40 degreeC for 3 days, and 9.1g white powder was obtained (yield 70%).

[화학식 70](70)

Figure 112008056120253-pat00075
Figure 112008056120253-pat00075

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (13) 으로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (13) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 31.0 / 39.4 / 29.6 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,700 이고, 분산도는 2.06 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (13) 이, 화합물 (11) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (13), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (13) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 31.0 / 39.4 / 29.6. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,700, and dispersion degree was 2.06. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (13) is a copolymer of the compound (11), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 71](71)

Figure 112008056120253-pat00076
Figure 112008056120253-pat00076

[실시예 17 (고분자 화합물 (14) 의 합성)]Example 17 (Synthesis of Polymer Compound (14))

6.30g (30.30m㏖) 의 상기 화합물 (11), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 2.83g (11.99m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 24.20g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 4.5m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 13.44g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.30 g (30.30 mmol) of the compound (11), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5) and 2.83 g (11.99 mmol) of the compound (7) are dissolved in 24.20 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 4.5 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 13.44 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC under nitrogen atmosphere for 6 hours. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. This polymer liquid was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 12.2g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 76%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 12.2 g of white powder (yield 76%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (14) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (14) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 51.9 / 28.8 / 19.3 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,300 이고, 분산도는 2.07 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (14) 가, 화합물 (11) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (14), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (14) were measured, and as a result, the polymer composition (the ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 51.9 / 28.8 / 19.3. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,300, and dispersion degree was 2.07. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (14) is a copolymer of the compound (11), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 72](72)

Figure 112008056120253-pat00077
Figure 112008056120253-pat00077

[실시예 18 (고분자 화합물 (15) 의 합성)]Example 18 (Synthesis of Polymer Compound (15))

4.99g (23.99m㏖) 의 상기 화합물 (11), 7.00g (20.83m㏖) 의 상기 화합물 (5), 4.32g (18.31m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 24.47g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 4.4m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 13.59g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.4.99 g (23.99 mmol) of the compound (11), 7.00 g (20.83 mmol) of the compound (5), and 4.32 g (18.31 mmol) of the compound (7) are dissolved in 24.47 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 4.4 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 13.59 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 320㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 54g 을 조제하고, n-헵탄 320㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This polymer liquid was dripped at 320 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 54 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 320 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 11.6g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 71%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 11.6 g of white powder (yield 71%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (15) 로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (15) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 42.8 / 30.4 / 26.8 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,200 이고, 분산도는 2.18 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (15) 가, 화합물 (11) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (15), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (15) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 42.8 / 30.4 / 26.8. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,200, and dispersion degree was 2.18. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (15) is a copolymer of the compound (11), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 73](73)

Figure 112008056120253-pat00078
Figure 112008056120253-pat00078

[실시예 19 (고분자 화합물 (16) 의 합성)]Example 19 (Synthesis of Polymer Compound (16))

6.19g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (11), 10.00g (29.76m㏖) 의 상기 화합물 (5), 3.51g (14.88m㏖) 의 상기 화합물 (7) 을, 29.55g 의 락트산에틸에 용해시켰다. 이 용액에, 와코 순약 제조 V-601 (중합 개시제) 을 5.2m㏖ 첨가하여 용해시켰다. 이것을 질소 분위기하에서 6 시간 동안, 80℃ 로 가열한 락트산에틸 16.42g 에 적하하였다. 적하 종료 후, 반응액을 1 시간 가열 교반하고, 그 후, 반응액을 실온까지 냉각시켰다.6.19 g (29.76 mmol) of the compound (11), 10.00 g (29.76 mmol) of the compound (5), and 3.51 g (14.88 mmol) of the compound (7) are dissolved in 29.55 g of ethyl lactate. I was. To this solution, 5.2 mmol of Wako Pure Chemicals V-601 (polymerization initiator) was added and dissolved. This was dripped at 16.42 g of ethyl lactate heated at 80 degreeC for 6 hours in nitrogen atmosphere. After completion of the dropwise addition, the reaction solution was heated and stirred for 1 hour, after which the reaction solution was cooled to room temperature.

이 중합액을 실온에서 370㎖ 의 n-헵탄에 적하하여 공중합체를 석출시켰다. 계속해서, 이 공중합체의 THF 용액 66g 을 조제하고, n-헵탄 370㎖ 에 적하하여 공중합체를 석출시켰다.This copolymer was dripped at 370 ml of n-heptane at room temperature, and the copolymer was deposited. Subsequently, 66 g of THF solution of this copolymer was prepared, and it was dripped at 370 ml of n-heptane, and the copolymer was deposited.

이 공중합체를, 메탄올 / 물 = 60 / 40 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시하고, 계속해서, 메탄올 / 물 = 70 / 30 (체적비) 의 혼합 용액으로 분산시켜 공중합체를 세정하는 조작을 실시한 후, 여과 분리에 의해 회수하였다.The copolymer is dispersed in a mixed solution of methanol / water = 60/40 (volume ratio) to clean the copolymer, and then dispersed in a mixed solution of methanol / water = 70/30 (volume ratio). After performing the operation | movement which washes a copolymer, it collect | recovered by filtration separation.

이와 같이 하여 얻어진 공중합체를 40℃ 에서 3 일간 건조시켜, 13.8g 의 백색 분체를 얻었다 (수율 70%).The copolymer thus obtained was dried at 40 ° C. for 3 days to obtain 13.8 g of white powder (yield 70%).

얻어진 공중합체를 고분자 화합물 (16) 으로 하고, 그 구조식을 이하에 나타낸다. 이 고분자 화합물 (16) 에 대해, 카본 13 핵자기 공명 스펙트럼 (600㎒_13C-NMR) 을 측정한 결과, 폴리머 조성 (하기 구조식 중의 각 구성 단위의 비율 (몰비)) 은, l / m / n = 40.9 / 39.8 / 19.3 이었다. 또한, GPC 측정에 의해 구한 표준 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량은 7,700 이고, 분산도는 2.11 이었다. 이 결과로부터, 얻어진 고분자 화합물 (16) 이, 화합물 (11) 과 화합물 (5) 와 화합물 (7) 의 공중합체라는 것을 확인할 수 있었다.The obtained copolymer is made into the high molecular compound (16), and the structural formula is shown below. The carbon 13 nuclear magnetic resonance spectra (600 MHz_ 13 C-NMR) of the polymer compound (16) were measured, and as a result, the polymer composition (a ratio (molar ratio) of each structural unit in the following structural formula) was l / m / n = 40.9 / 39.8 / 19.3. In addition, the mass mean molecular weight of standard polystyrene conversion calculated | required by GPC measurement was 7,700, and dispersion degree was 2.11. From this result, it was confirmed that the obtained high molecular compound (16) is a copolymer of the compound (11), the compound (5), and the compound (7).

[화학식 74]&Lt; EMI ID =

Figure 112008056120253-pat00079
Figure 112008056120253-pat00079

[실시예 20 ∼ 33][Examples 20-33]

표 3 에 나타내는 각 성분을 혼합, 용해시켜 포지티브형 레지스트 조성물을 조제하였다.Each component shown in Table 3 was mixed and dissolved, and the positive resist composition was prepared.

Figure 112008056120253-pat00080
Figure 112008056120253-pat00080

표 3 의 [ ] 내에 나타내는 수치는 배합량 (질량부) 이다. 또한, 표 3 중의 약호는 하기의 것을 나타낸다.The numerical value shown in [] of Table 3 is a compounding quantity (mass part). In addition, the symbol of Table 3 shows the following.

(A)-3 : 고분자 화합물 (4).(A) -3: high molecular compound (4).

(B)-1 : 상기 화학식 (B)-1 로 나타내는 산발생제.(B) -1: The acid generator represented by the said general formula (B) -1.

(B)-2 : 하기 화학식 (B)-2 로 나타내는 산발생제.(B) -2: Acid generator represented by following General formula (B) -2.

(B)-3 : 하기 화학식 (B)-3 으로 나타내는 산발생제.(B) -3: Acid generator represented by following General formula (B) -3.

(D)-1 : 트리-n-펜틸아민.(D) -1: tri-n-pentylamine.

(D)-2 : 디에탄올아민(D) -2: diethanolamine

(D)-3 : 트리스(2-메톡시메톡시에틸)아민.(D) -3: tris (2-methoxymethoxyethyl) amine.

(D)-4 : 트리스{2-(2-메톡시에톡시메톡시)에틸}아민(D) -4: tris {2- (2-methoxyethoxymethoxy) ethyl} amine

(S)-1 : PGMEA.(S) -1: PGMEA.

(S)-2 : PGME.(S) -2: PGME.

[화학식 75](75)

Figure 112008056120253-pat00081
Figure 112008056120253-pat00081

[화학식 76][Formula 76]

Figure 112008056120253-pat00082
Figure 112008056120253-pat00082

얻어진 레지스트 조성물을 사용하여 이하의 순서로 레지스트 패턴을 형성하고, 리소그래피 특성을 평가하였다.The resist pattern was formed in the following procedures using the obtained resist composition, and the lithographic characteristics were evaluated.

[해상성·감도][Resolution and sensitivity]

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 유기계 반사 방지막 조성물 「ARC29A」(상품명, 브루어 사이언스사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 205℃, 60 초간 소성하여 건조시킴으로써, 막두께 77㎚ 의 유기계 반사 방지막을 형성하였다. 그 반사 방지막 상에, 상기에서 얻어진 레지스트 조성물을 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 표 3 에 나타내는 온도에서 60 초간의 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 120㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.The organic type antireflection film composition "ARC29A" (brand name, Brewer Science Co., Ltd.) was apply | coated using a spinner on an 8-inch silicon wafer, It baked at 205 degreeC for 60 second on a hotplate, and dried, and it was an organic type of 77 nm film thickness. An antireflection film was formed. The resist composition obtained above was apply | coated using the spinner on this antireflection film, respectively, and it performs 60 second prebaking (PAB) process at the temperature shown in Table 3, and forms a resist film with a film thickness of 120 nm. It was.

이어서, ArF 노광 장치 NSR-S302 (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 0.60, 2/3 윤대 조명) 에 의해, ArF 엑시머 레이저 (193㎚) 를 마스크 패턴 (6% 하프톤) 을 통해 선택적으로 조사하였다. 그리고, 표 3 에 나타내는 온도에서 60 초간의 조건에서 노광 후 가열 (PEB) 처리를 실시하고, 또한 23℃ 에서 2.38 질량% 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAH) 수용액으로 30 초간의 조건에서 현상하고, 그 후 30 초간 순수를 사용하여 물 린스하고, 물을 털어내어 건조시켰다.Subsequently, an ArF excimer laser (193 nm) was selectively selected through a mask pattern (6% halftone) by an ArF exposure apparatus NSR-S302 (manufactured by Nikon Corporation; NA (number of apertures) = 0.60, 2/3 annular illumination). Investigate. And post-exposure heating (PEB) treatment is performed on the conditions shown in Table 3 for 60 second, and it develops on the conditions for 30 second with 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution at 23 degreeC, The water was then rinsed with pure water for 30 seconds, and the water was shaken off and dried.

그 결과, 어느 예에 있어서도, 직경 140㎚, 피치 280㎚ 의 컨택트 홀 패턴이 형성되었다. 이 때의 최적 노광량 Eop (mJ/㎠), 즉 감도를 표 3 에 나타낸다.As a result, also in any example, the contact hole pattern of 140 nm in diameter and 280 nm in pitch was formed. Table 3 shows the optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2), that is, the sensitivity at this time.

[진원성][Roundness]

상기에서 형성된 직경 140㎚, 피치 280㎚ 의 컨택트 홀 패턴을, 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 상공에서 관찰하고, 홀 패턴의 진원성을 하기의 기준으로 평가하였다. 그 결과를 표 3 에 나타냈다.The contact hole pattern of 140 nm in diameter and 280 nm in pitch formed above was observed over the air using a scanning electron microscope (SEM), and the roundness of the hole pattern was evaluated on the following reference | standard. The results are shown in Table 3.

◎ : 진원성이 매우 높다 (상공에서 관찰한 홀 패턴의 원주부에 요철이 관찰되지 않고, 매우 양호한 형상이었다).(Double-circle): The roundness is very high (unevenness | corrugation was not observed in the peripheral part of the hole pattern observed from the air | atmosphere, and it was a very favorable shape).

○ : 진원성이 높다 (상공에서 관찰한 홀 패턴의 원주부에 약간 요철이 관찰되었지만, 전체적으로는 진원성이 높은 형상이었다).(Circle): High roundness (An unevenness | corrugation was observed slightly in the circumference part of the hole pattern observed from the sky, but it was a shape with high roundness as a whole).

[실시예 34 ∼ 36][Examples 34 to 36]

표 4 에 나타내는 각 성분을 혼합, 용해시켜 포지티브형 레지스트 조성물을 조제하였다.Each component shown in Table 4 was mixed and dissolved, and the positive resist composition was prepared.

Figure 112008056120253-pat00083
Figure 112008056120253-pat00083

표 4 의 [ ] 내에 나타내는 수치는 배합량 (질량부) 이다. 또한, 표 4 중의 약호는 하기의 것을 나타낸다.The numerical value shown in [] of Table 4 is compounding quantity (mass part). In addition, the symbol of Table 4 shows the following.

(A)-4 : 고분자 화합물 (6).(A) -4: high molecular compound (6).

(A)-5 : 고분자 화합물 (7).(A) -5: high molecular compound (7).

(A)-6 : 고분자 화합물 (8).(A) -6: high molecular compound (8).

(B)-3 : 상기 화학식 (B)-3 으로 나타내는 산발생제.(B) -3: Acid generator represented by the said General formula (B) -3.

(D)-5 : 스테아릴디에탄올아민.(D) -5: stearyldiethanolamine.

(S)-1 : PGMEA.(S) -1: PGMEA.

(S)-2 : PGME.(S) -2: PGME.

얻어진 레지스트 조성물을 사용하여 이하의 순서로 레지스트 패턴을 형성하고, 리소그래피 특성을 평가하였다.The resist pattern was formed in the following procedures using the obtained resist composition, and the lithographic characteristics were evaluated.

[해상성·감도] [Resolution and sensitivity]

8 인치의 실리콘 웨이퍼 상에, 유기계 반사 방지막 조성물 「ARC29」(상품명, 브루어 사이언스사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 핫 플레이트 상에서 205℃, 60 초간 소성하여 건조시킴으로써, 막두께 89㎚ 의 유기계 반사 방지막을 형성하였다. 그 반사 방지막 상에, 상기에서 얻어진 레지스트 조성물을 스피너를 사용하여 각각 도포하고, 핫 플레이트 상에서 90℃, 60 초간의 조건에서 프리베이크 (PAB) 처리를 실시하고, 건조시킴으로써, 막두께 120㎚ 의 레지스트막을 형성하였다.The organic type antireflection film composition "ARC29" (brand name, Brewer Science Co., Ltd.) was apply | coated using a spinner on an 8-inch silicon wafer, and it baked on 205 degreeC and 60 second on a hotplate, and dried, and it was an organic type of 89 nm film thickness. An antireflection film was formed. The resist composition obtained above is apply | coated using the spinner on this antireflection film, and it pre-bakes (PAB) -processes on 90 degreeC and 60 second conditions on a hotplate, and it is made to dry, and the resist of a film thickness of 120 nm A film was formed.

다음으로, 상기 레지스트막 상에, 보호막 형성용 도포액 「TSRC-002」(상품명, 도쿄 응화 공업 주식회사 제조) 를 스피너를 사용하여 도포하고, 90℃ 에서 60 초간 가열함으로써, 막두께 28㎚ 의 탑코트를 형성하였다.Next, on the said resist film, the coating liquid "TSRC-002" (brand name, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. product) for protective film formation is apply | coated using a spinner, and it heats at 90 degreeC for 60 second, and is a tower of a film thickness of 28 nm. A coat was formed.

이어서, 탑코트가 형성된 상기 레지스트막에 대하여, 액침용 ArF 노광 장치 NSR-S609B (니콘사 제조 ; NA (개구수) = 1.07, 2/3 윤대 조명, 축소 배율 1/4 배, 액침 매체 : 물) 에 의해, ArF 엑시머 레이저 (193㎚) 를 마스크 패턴 (6% 하프톤) 을 통해 선택적으로 조사하였다.Subsequently, with respect to the resist film on which the top coat was formed, the liquid immersion ArF exposure apparatus NSR-S609B (manufactured by Nikon Corporation; NA (number of openings) = 1.07, 2/3 ring zone illumination, reduced magnification 1/4 times, liquid immersion medium: water) ), The ArF excimer laser (193 nm) was selectively irradiated through a mask pattern (6% halftone).

다음으로, 보호막 제거액 「TS-Rememover-S」(상품명, 도쿄 응화 공업 주식회사 제조) 를 사용하여 탑코트를 제거하고, 그 후, 90℃ 에서 60 초간의 PEB 처리를 실시하고, 또한 23℃ 에서 2.38 질량% 의 TMAH 수용액 NMD-W (상품명, 도쿄 응화 공업 주식회사 제조) 로 30 초간의 조건에서 알칼리 현상하고, 그 후 25 초간 순수를 사용하여 물 린스하고, 물을 털어내어 건조시켰다.Next, the top coat was removed using a protective film removal liquid "TS-Rememover-S" (trade name, manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), and then subjected to PEB treatment at 90 ° C for 60 seconds, and further to 2.38 at 23 ° C. Alkali image development was carried out by mass% TMAH aqueous solution NMD-W (brand name, Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. make) for 30 second conditions, and water rinsed using pure water for 25 second after that, water was shaken off, and it dried.

그 결과, 어느 예에 있어서도, 직경 70㎚ , 피치 150㎚ 의 컨택트 홀 패턴이 형성되었다. 이 때의 최적 노광량 Eop (mJ/㎠), 즉 감도를 표 4 에 나타낸다.As a result, also in any example, the contact hole pattern of diameter 70nm and pitch 150nm was formed. Table 4 shows the optimum exposure dose Eop (mJ / cm 2), that is, the sensitivity at this time.

[진원성][Roundness]

상기에서 형성된 직경 70㎚ , 피치 150㎚ 의 컨택트 홀 패턴을, 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하여 상공에서 관찰하고, 홀 패턴의 진원성을 하기의 기준으로 평가하였다. 그 결과를 표 4 에 나타냈다.The contact hole pattern of 70 nm in diameter and 150 nm in pitch formed above was observed over the air using a scanning electron microscope (SEM), and the roundness of the hole pattern was evaluated on the following reference | standard. The results are shown in Table 4.

◎ : 진원성이 매우 높다 (상공에서 관찰한 홀 패턴의 원주부에 요철이 관찰되지 않고, 매우 양호한 형상이었다).(Double-circle): The roundness is very high (unevenness | corrugation was not observed in the peripheral part of the hole pattern observed from the air | atmosphere, and it was a very favorable shape).

○ : 진원성이 높다 (상공에서 관찰한 홀 패턴의 원주부에 약간 요철이 관찰되었지만, 전체적으로는 진원성이 높은 형상이었다).(Circle): High roundness (An unevenness | corrugation was observed slightly in the circumference part of the hole pattern observed from the sky, but it was a shape with high roundness as a whole).

Claims (21)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하기 일반식 (Ⅰ-1) 로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-2) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ-3) 으로 나타내는 화합물을 얻는 공정, 및A step of reacting a compound represented by the following General Formula (I-1) with a compound represented by the following General Formula (I-2) to obtain a compound represented by the following General Formula (I-3), and 하기 일반식 (Ⅰ-3) 으로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-4) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물의 제조 방법.A process of reacting a compound represented by the following General Formula (I-3) with a compound represented by the following General Formula (I-4) to obtain a compound represented by the following General Formula (I); The manufacturing method of the compound represented by I). [화학식 4][Formula 4]
Figure 112008056120253-pat00087
Figure 112008056120253-pat00087
[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이고, X10 및 X12 는 각각 독립적으로 수산기 또는 할로겐 원자로서, X10 및 X12 중 어느 일방이 수산기이고, 타방이 할로겐 원자이고, X11 은 할로겐 원자이다][In formula, R <1> is a hydrogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group, A is a C2 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C1 or more bivalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, X 10 and X 12 are each independently a hydroxyl group or a halogen atom, one of X 10 and X 12 is a hydroxyl group, the other is a halogen atom, and X 11 is a halogen atom]
하기 일반식 (Ⅰ-5) 로 나타내는 화합물과, 하기 일반식 (Ⅰ-2) 로 나타내는 화합물을 반응시켜 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물을 얻는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 하기 일반식 (Ⅰ) 로 나타내는 화합물의 제조 방법.A process of reacting a compound represented by the following General Formula (I-5) with a compound represented by the following General Formula (I-2) to obtain a compound represented by the following General Formula (I); The manufacturing method of the compound represented by I). [화학식 5][Chemical Formula 5]
Figure 112008056120253-pat00088
Figure 112008056120253-pat00088
[식 중, R1 은 수소 원자, 저급 알킬기 또는 할로겐화 저급 알킬기이고, A 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소기이고, B 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2 는 산해리성 용해 억제기이고, X11 은 할로겐 원자이다][Wherein, R 1 is a hydrogen atom, a lower alkyl group or a halogenated lower alkyl group, A is a C 2 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, B is a C 1 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and X 11 is a halogen atom]
하기 일반식 (Ⅱ) 로 나타내는 화합물.The compound represented by the following general formula (II). [화학식 6][Formula 6]
Figure 112008056120253-pat00089
Figure 112008056120253-pat00089
[식 중, A' 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 2 이상의 2 가의 탄화수소 기이고, B' 는 치환기를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상의 2 가의 탄화수소기이고, R2' 는 산해리성 용해 억제기이고, X10 은 수산기 또는 할로겐 원자이다][Wherein, A 'is a C 2 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, B' is a C 1 or more divalent hydrocarbon group which may have a substituent, R 2 ' is an acid dissociable, dissolution inhibiting group, and X 10 is hydroxyl or halogen atom]
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020080076279A 2007-08-07 2008-08-05 Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound KR100987614B1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2007-00205500 2007-08-07
JP2007205500 2007-08-07
JP2008003339A JP5308678B2 (en) 2007-08-07 2008-01-10 Method for producing compound, compound
JPJP-P-2008-00003339 2008-01-10

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100054530A Division KR101021456B1 (en) 2007-08-07 2010-06-09 Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090014972A KR20090014972A (en) 2009-02-11
KR100987614B1 true KR100987614B1 (en) 2010-10-13

Family

ID=40553573

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080076279A KR100987614B1 (en) 2007-08-07 2008-08-05 Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound
KR1020100054530A KR101021456B1 (en) 2007-08-07 2010-06-09 Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100054530A KR101021456B1 (en) 2007-08-07 2010-06-09 Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP5308678B2 (en)
KR (2) KR100987614B1 (en)
TW (1) TWI427416B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5184134B2 (en) * 2008-02-18 2013-04-17 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
WO2009104753A1 (en) * 2008-02-22 2009-08-27 出光興産株式会社 Compound having alicyclic structure, (meth)acrylic acid ester, and process for production of the (meth)acrylic acid ester
JP5422447B2 (en) * 2010-03-09 2014-02-19 富士フイルム株式会社 Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, and resist film and pattern forming method using the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005055890A (en) * 2003-07-24 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition and method of forming pattern using the same
JP2006002073A (en) 2004-06-18 2006-01-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Compound, polymer compound, positive type resist composition and method for forming resist pattern
JP2006028472A (en) 2004-06-18 2006-02-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Polymer compound, positive-type resist composition and method for forming resist pattern

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148234A (en) * 1991-10-02 1993-06-15 Hokuriku Seiyaku Co Ltd Alkanoic acid derivative
JPH10239848A (en) * 1997-03-03 1998-09-11 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet rays
JPH10254136A (en) * 1997-03-07 1998-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd Positive type photoresist composition for exposure with far ultraviolet ray
JP2006048075A (en) * 2003-02-20 2006-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Solvent for removing liquid immersion exposure process-use resist protection film and method for forming resist pattern by using the same
JP4622579B2 (en) * 2004-04-23 2011-02-02 住友化学株式会社 Chemically amplified positive resist composition, (meth) acrylic acid derivative and process for producing the same
WO2006095750A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Hoya Corporation (meth)acrylate compound, process for production of the compound, (meth)acrylate copolymer, process for production of the copolymer, and soft intraocular lens
JP4510695B2 (en) 2005-05-10 2010-07-28 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP4713235B2 (en) * 2005-06-15 2011-06-29 東京応化工業株式会社 Positive resist composition and resist pattern forming method
JP4975382B2 (en) * 2006-06-21 2012-07-11 東京応化工業株式会社 COMPOUND, POLYMER COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
CN101495443A (en) * 2006-08-04 2009-07-29 出光兴产株式会社 Polymerizable compound having adamantane structure, process for producing the same, and resin composition
JP4710762B2 (en) * 2006-08-30 2011-06-29 Jsr株式会社 Radiation sensitive resin composition
JP5042699B2 (en) * 2007-04-27 2012-10-03 株式会社ダイセル Polymerizable monomer having fluorine atom-containing hemiacetal ester structure, and polymer compound

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005055890A (en) * 2003-07-24 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photosensitive composition and method of forming pattern using the same
JP2006002073A (en) 2004-06-18 2006-01-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Compound, polymer compound, positive type resist composition and method for forming resist pattern
JP2006028472A (en) 2004-06-18 2006-02-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Polymer compound, positive-type resist composition and method for forming resist pattern

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012255161A (en) 2012-12-27
KR101021456B1 (en) 2011-03-15
JP5308678B2 (en) 2013-10-09
KR20100072156A (en) 2010-06-30
TWI427416B (en) 2014-02-21
JP5597677B2 (en) 2014-10-01
JP2009057534A (en) 2009-03-19
TW200925783A (en) 2009-06-16
KR20090014972A (en) 2009-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101059716B1 (en) Positive resist composition, resist pattern formation method and polymer compound
KR101387803B1 (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
KR100912848B1 (en) Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
US8088553B2 (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
KR20100083720A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound
KR20100093483A (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymer compound
KR20120064032A (en) Nevel compound
KR20110127601A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
JP2010211073A (en) Positive resist composition and resist pattern forming method
JP5285882B2 (en) POLYMER COMPOUND, POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN
KR20120007972A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
KR20120116861A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
KR100964523B1 (en) Novel compound, manufacturing method thereof, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern
KR20140014325A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
KR20080109629A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
KR20100009492A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, and novel compound and acid generator
US8211616B2 (en) Positive resist composition and method of forming resist pattern
KR101021456B1 (en) Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound
JP2011225486A (en) Resist composition, resist pattern forming method, new compound, and acid generator
JP2010185987A (en) Positive resist composition, method for forming resist pattern, and polymer compound
JP5352127B2 (en) Positive resist composition, resist pattern forming method, and polymer compound
KR20120059400A (en) Resist composition, method of forming resist pattern, polymer compound, compound
KR101108903B1 (en) Novel compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist
KR20100114461A (en) Positive resist composition and method of forming resist pattern
JP2010039143A (en) Positive resist composition, resist pattern forming method, polymer compound, and compound

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141001

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150918

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160920

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170919

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180918

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190917

Year of fee payment: 10