KR100984314B1 - Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency - Google Patents
Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency Download PDFInfo
- Publication number
- KR100984314B1 KR100984314B1 KR1020080133193A KR20080133193A KR100984314B1 KR 100984314 B1 KR100984314 B1 KR 100984314B1 KR 1020080133193 A KR1020080133193 A KR 1020080133193A KR 20080133193 A KR20080133193 A KR 20080133193A KR 100984314 B1 KR100984314 B1 KR 100984314B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistor
- bipolar transistor
- transistor
- constant current
- load
- Prior art date
Links
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 고효율 LED 조명기기에 사용되는 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode, 이하 LED)를 구동하기 위한 온도보상 정전류 회로에 관한 것으로, 상세하게는 고전위 전압원; 상기 고전위 전압원과 일 단이 접속되며 다수개의 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode) 어레이를 포함하는 부하; 상기 고전위 전압원과 상기 부하 사이에 순방향 직렬 구비되는 다이오드; 상기 다이오드와 상기 부하 사이에 직렬 구비되는 제1저항; 상기 다이오드와 상기 제1저항 간의 제1노드와 접속된 에미터(emitter) 및 상기 제1저항과 상기 부하간의 제2노드와 제2저항으로 접속된 베이스(base)를 갖는 제1바이폴라 트랜지스터(BJT; Bipolar Junction Transistor); 상기 제 1바이폴라 트랜지스터의 콜렉터(collector)와 접속된 베이스(base), 상기 제2노드와 제4저항으로 접속된 베이스 및 기저 전압원과 접속된 에미터(emitter)를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터; 및 상기 부하의 타단과 기저 전압원 사이에 직렬 구비되며, 상기 제4저항과 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터(emitter)간의 노드에 접속된 게이트(gate)를 갖는 트랜지스터(transistor);를 포함하여 구성되는 특징이 있다.The present invention relates to a temperature compensation constant current circuit for driving a light emitting diode (LED) used in a high efficiency LED lighting device, specifically, a high potential voltage source; A load connected at one end to the high potential voltage source and including a plurality of light emitting diode (LED) arrays; A diode provided in series between the high potential voltage source and the load; A first resistor provided in series between the diode and the load; A first bipolar transistor (BJT) having an emitter connected to a first node between the diode and the first resistor and a base connected to a second node and a second resistor between the first resistor and the load. Bipolar Junction Transistor); A second bipolar transistor having a base connected to a collector of the first bipolar transistor, a base connected to the second node and a fourth resistor, and an emitter connected to a base voltage source; And a transistor provided in series between the other end of the load and a base voltage source, the transistor having a gate connected to a node between the fourth resistor and the emitter of the second bipolar transistor. There is a characteristic to become.
발광 다이오드, 고효율, 정전류, 구동회로, 온도 보상, 펄스폭 변조 Light Emitting Diode, High Efficiency, Constant Current, Driving Circuit, Temperature Compensation, Pulse Width Modulation
Description
본 발명은 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode)를 구동하기 위한 정전류 회로에 관한 것으로, 상세하게는 펄스폭 변조(PWM; Pulse Width Modulation)형 정전류를 구동하여, 온도 보상 능력이 있는 고효율 정전류 회로에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
표시 장치(display device)의 소형화, 경량화가 요구됨에 따라, LCD(liquid crystal display), EL(electroluminescence), LED(Light Emitting Diode, 이하 LED)등이 차세대 표시 장치로 주목받고 있다. As miniaturization and weight reduction of display devices are required, liquid crystal displays (LCDs), electroluminescence (EL), and light emitting diodes (LEDs) are attracting attention as next generation display devices.
이중, LED는 에너지 절감 효과가 뛰어나고 반 영구적으로 사용가능한 장점이 있으며, 낮은 휘도 문제를 해결한 고휘도 LED의 수요가 급증하고 있다.Among them, LED has excellent energy saving effect and can be used semi-permanently, and the demand for high brightness LED that solves low luminance problem is increasing rapidly.
그러나, 이러한 고휘도 LED는 소비 전력이 비교적 높아 고효율 에너지 절감형 LED 구동 회로에 대한 연구가 시급한 실정이며, 이를 위해, 소자수를 가능한 줄이며 온도나 전원 전압이 변동해도 일정한 정전류를 생성하는 정전류 회로에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. However, these high-brightness LEDs have a relatively high power consumption, which is an urgent need for research on high-efficiency energy-saving LED driving circuits. Research is actively underway.
도 1은 종래의 저항기를 이용한 전류 제어 멀티칩 LED(소비전력 0.2W급) 조명 4구 회로의 일 예로, 비교적 회로가 간단하나, 그 소비전력이 약 1440mW로 크며, 정전류 방식이 아니므로 회로의 안정성이 떨어지는 단점이 있다.Figure 1 is an example of a four-circuit circuit of a current controlled multi-chip LED (power consumption 0.2W) lighting using a conventional resistor, the circuit is relatively simple, but the power consumption is large, about 1440mW, it is not a constant current method of the circuit There is a disadvantage of poor stability.
도 2는 종래의 저항기를 이용한 전류 제어 멀티칩 LED(소비전력 0.2W급) 조명 4구 회로의 다른 예로, 회로가 간단하며, 소비 전력이 약 960mW로 적은 반면, 도 1과 유사하게 정전류 방식이 아니므로, 회로의 안정성이 떨어지게 된다.2 is another example of a four-circuit current-controlled multi-chip LED (power consumption 0.2W class) lighting circuit using a conventional resistor. If not, the stability of the circuit is reduced.
도 3은 종래의 정전류 IC(Integrated Circuit)를 이용한 전류제어 멀티칩 LED(소비전력 0.2W급) 조명 4구 회로의 일 예로, 회로가 비교적 간단하고, 정전류 방식으로 회로 안정성이 뛰어난 장점이 있으나, 소비전력이 약 1440mW로 크며, 정전류 IC의 사용으로 제조 단가가 큰 단점이 있다.3 is an example of a four-circuit current-controlled multi-chip LED (power consumption 0.2W class) lighting circuit using a conventional constant current IC (Integrated Circuit), the circuit is relatively simple, there is an advantage of excellent circuit stability in the constant current method, The power consumption is large, about 1440mW, and the manufacturing cost is large due to the use of a constant current IC.
도 4는 종래의 정전압 IC(Integrated Circuit)를 이용한 전압제어 멀티칩 LED(소비전력 0.2W급) 조명 4구 회로의 일 예로, 회로가 간단하나, 소비전력이 약 1440mW로 크며, 정전압 IC 사용으로 제조 단가가 크고, 정전류 IC 사용시 보다 회로 안정성이 떨어지는 단점이 있다.4 is an example of a four-circuit circuit of a voltage controlled multi-chip LED (power consumption 0.2W) lighting using a conventional constant voltage IC (Integrated Circuit), the circuit is simple, but the power consumption is large, about 1440mW, using a constant voltage IC The manufacturing cost is high, and the circuit stability is lower than that of the constant current IC.
상술한 문제점들을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 발광 다이오드를 구동하 는 정전류 회로로, 고가의 소자를 사용하지 않고 작은 회로 소자수로 구성되며, 소비 전력이 작고 고 에너지 효율을 가지며, 온도가 변화되어도 안정적인 정전류를 제공하는 온도 보상 기능을 가지며, 펄스폭 변조(PWM; Pulse Width Modulation)형 정전류를 구동하기 위한 정전류 회로를 제공하는 것이다. An object of the present invention for solving the above problems is a constant current circuit for driving a light emitting diode, consisting of a small number of circuit elements without the use of expensive elements, small power consumption, high energy efficiency, temperature changes The present invention provides a constant current circuit for driving a pulse width modulation (PWM) type constant current, which has a temperature compensation function that provides a stable constant current even if it is.
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 고전위 전압원; 상기 고전위 전압원과 일 단이 접속되며 다수개의 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode) 어레이를 포함하는 부하; 상기 고전위 전압원과 상기 부하 사이에 순방향 직렬 구비되는 다이오드; 상기 다이오드와 상기 부하 사이에 직렬 구비되는 제1저항; 상기 다이오드와 상기 제1저항 간의 제1노드와 접속된 에미터(emitter) 및 상기 제1저항과 상기 부하간의 제2노드와 제2저항으로 접속된 베이스(base)를 갖는 제1바이폴라 트랜지스터(BJT; Bipolar Junction Transistor); 상기 제 1바이폴라 트랜지스터의 콜렉터(collector)와 접속된 베이스(base), 상기 제2노드와 제4저항으로 접속된 베이스 및 기저 전압원과 접속된 에미터(emitter)를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터; 및 상기 부하의 타단과 기저 전압원 사이에 직렬 구비되며, 상기 제4저항과 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 에미터(emitter)간의 노드에 접속된 게이트(gate)를 갖는 트랜지스터(transistor);를 포함하여 구성되는 특징이 있다.The LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention includes a high potential voltage source; A load connected at one end to the high potential voltage source and including a plurality of light emitting diode (LED) arrays; A diode provided in series between the high potential voltage source and the load; A first resistor provided in series between the diode and the load; A first bipolar transistor (BJT) having an emitter connected to a first node between the diode and the first resistor and a base connected to a second node and a second resistor between the first resistor and the load. Bipolar Junction Transistor); A second bipolar transistor having a base connected to a collector of the first bipolar transistor, a base connected to the second node and a fourth resistor, and an emitter connected to a base voltage source; And a transistor provided in series between the other end of the load and a base voltage source, the transistor having a gate connected to a node between the fourth resistor and the emitter of the second bipolar transistor. There is a characteristic to become.
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 제1바이폴라 트랜지스터의 에미터(emitter)와 베이스(base) 간에 접속된 캐패시터(capacitor)를 더 포함하여 구성되는 특징이 있다.The light-emitting diode temperature compensation constant current circuit according to the present invention is characterized by further comprising a capacitor connected between the emitter and the base of the first bipolar transistor.
바람직하게, 상기 제2바이폴라 트랜지스터의 베이스(base)는 제3저항으로 상기 제 1바이폴라 트랜지스터의 콜렉터(collector)와 접속된다.Preferably, the base of the second bipolar transistor is connected to a collector of the first bipolar transistor with a third resistor.
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 제2저항, 상기 제1바이폴라 트랜지스터, 상기 제3저항, 상기 제2바이폴라 트랜지스터, 상기 제4저항 및 상기 캐패시터의 정수에 의해 주파수가 결정되어 펄스폭 변조(PWM; Pulse Width Modulation)형 정전류가 구동되는 특징이 있다.In the LED compensation temperature constant current circuit according to the present invention, a frequency is determined by an integer of the second resistor, the first bipolar transistor, the third resistor, the second bipolar transistor, the fourth resistor, and the capacitor, and a pulse width thereof. Pulse width modulation (PWM) type constant current is driven.
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 부하, 상기 제1저항, 상기 제2저항, 상기 제1바이폴라 트랜지스터, 상기 제4저항, 상기 제2바이폴라 트랜지스터, 상기 트랜지스터, 및 상기 캐패시터를 일 단위체로 하여, 상기 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 둘 이상의 단위체가 병렬 연결되어 있는 특징이 있다. According to the present invention, a light emitting diode temperature compensation constant current circuit includes a single unit of the load, the first resistor, the second resistor, the first bipolar transistor, the fourth resistor, the second bipolar transistor, the transistor, and the capacitor. Thus, the LED temperature compensation constant current circuit is characterized in that the two or more units are connected in parallel.
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 부하, 상기 제1저항, 상기 제2저항, 상기 제1바이폴라 트랜지스터, 상기 제3저항, 상기 제4저항, 상기 제2바이폴라 트랜지스터, 상기 트랜지스터, 및 상기 캐패시터(capacitor)를 일 단위체로 하여, 상기 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 둘 이상의 단위체가 병렬 연결되어 있는 특징이 있다.In the light emitting diode temperature compensation constant current circuit according to the present invention, the load, the first resistor, the second resistor, the first bipolar transistor, the third resistor, the fourth resistor, the second bipolar transistor, the transistor, and Using the capacitor as a unit, the LED temperature compensation constant current circuit has two or more units connected in parallel.
바람직하게, 상기 제1바이폴라 트랜지스터는 pnp 바이폴라 트랜지스터이며, 상기 제2바이폴라 트랜지스터는 npn 바이폴라 트랜지스터이며, 상기 트랜지스터는 n형 전계효과트랜지스터(MOSFET; metal oxide semiconductor field effect transistor)이다.Preferably, the first bipolar transistor is a pnp bipolar transistor, the second bipolar transistor is an npn bipolar transistor, and the transistor is an n-type metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET).
본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로에서 상기 부하는 다수개의 멀티칩 발광 다이오드가 직렬 또는 직병렬 혼합 연결되거나, 다수개의 원칩 발광 다이오드가 직렬 또는 직병렬 혼합 연결된 특징이 있다.In the light emitting diode temperature compensation constant current circuit according to the present invention, the load is characterized in that a plurality of multi-chip light emitting diodes are connected in series or series-parallel, or a plurality of one-chip light-emitting diodes are connected in series or in series-parallel.
본 발명에 따른 발광다이오드 고효율 온도보상 정전류 회로는 고가의 정전압 또는 정전류 IC를 사용하지 않고 작은 소자수로 안정적인 정전류를 제공하는 효과가 있으며, LED 소자의 공정 변수에 따른 특성 변화에도 안정적인 출력을 갖게 하며, 주변 또는 제품 자체의 온도가 변화되어도 안정적인 정전류를 제공하고, 온도 보상을 위해 구비되는 소자들 및 캐피시터를 이용하여 펄스폭 변조(PWM; Pulse Width Modulation) 가능한 펄스폭 변조형 정전류 회로인 장점이 있다.The LED high efficiency temperature compensation constant current circuit according to the present invention has the effect of providing a stable constant current with a small number of devices without the use of expensive constant voltage or constant current IC, and has a stable output even with a characteristic change according to the process variables of the LED device. It is a pulse width modulated constant current circuit that provides stable constant current even when the ambient temperature or the product itself is changed, and can be pulse width modulated (PWM) using devices and capacitors provided for temperature compensation. .
고전위 전압이 12V(Vdd)이고 0.2W 멀티칩 LED 4구 부하의 경우, 도1, 도3, 또는 도4에 도시한 종래의 LED용 회로의 소비전력이 약 1440mW이고 회로 효율이 55.5%인 반면, 본 발명에 따른 발광다이오드 고효율 온도보상 정전류 회로는 소비전력이 약 960mW로 작으며, 회로 효율이 83.3%로 매우 높아 종래 방식 대비 에너지 절감율이 33.3%이상인 고효율 에너지 절감형 회로인 장점이 있다. In the case of a high voltage of 12V (Vdd) and a 0.2W multichip LED four-hole load, the conventional LED circuit shown in Figs. On the other hand, the light emitting diode high efficiency temperature compensation constant current circuit according to the present invention has a small power consumption of about 960mW, the circuit efficiency is very high as 83.3% has an advantage of a high efficiency energy-saving circuit having an energy saving rate of 33.3% or more compared to the conventional method.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 발광다이오드 온도보상 정전류 회 로를 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 또한 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다. Hereinafter, a light emitting diode temperature compensation constant current circuit of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The drawings introduced below are provided by way of example so that the spirit of the invention to those skilled in the art can fully convey. Accordingly, the present invention is not limited to the drawings presented below and may be embodied in other forms. Also, like reference numerals denote like elements throughout the specification.
이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다. Hereinafter, the technical and scientific terms used herein will be understood by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention. Descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily blurred are omitted.
도 5는 본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로의 일 예로, 다수개의 발광 다이오드를 부하(load1)로 가지며, 고전위 전압원(Vdd, 일 예로, DC +12V), 3개의 저항(R11, R12, R14), 두 개의 바이폴라 트랜지스터(Q11, Q12) 및 트랜지스터(Q13)를 포함하여 구성된다.5 is an example of a light emitting diode temperature compensation constant current circuit according to the present invention, having a plurality of light emitting diodes as a load (1), a high potential voltage source (V dd , for example, DC + 12V), three resistors (R11, R12, R14, two bipolar transistors Q11, Q12 and transistor Q13.
상기 고전위 전압원(DC +12V)은 다수개의 발광 다이오드(LED; Light Emitting Diode) 어레이를 포함하는 부하(load1)와 접속되어 고전위를 제공하며, 상기 고전위 전압원(Vdd)과 상기 부하(load1) 사이에 역전압을 방지하기 위한 다이오드(D1)가 순방향 직렬 구비된다.The high potential voltage source DC + 12V is connected to a load load1 including a plurality of light emitting diode (LED) arrays to provide a high potential, and the high potential voltage source V dd and the load ( A diode D1 is provided in series in order to prevent reverse voltage between the load1).
상기 다이오드(D1)와 상기 부하(load1) 사이에는 제1저항(R11)이 구비된다. A first resistor R11 is provided between the diode D1 and the load1.
상기 다이오드(D1)와 상기 제1저항(R11) 간의 제1노드(node1)와 에미터(emitter)가 접속되고, 상기 제1저항(R11)과 상기 부하(load1)간의 제2노 드(node2)와 베이스(base)가 접속된 제1바이폴라 트랜지스터(BJT; Bipolar Junction Transistor, Q11)가 구비되며, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 베이스와 상기 제2노드(node)간 제2저항(R12)이 직렬 구비된다. A first node node1 and an emitter are connected between the diode D1 and the first resistor R11, and a second node node2 between the first resistor R11 and the load1 is loaded. ) Is provided with a first bipolar transistor (BJT) connected to a base, and a second resistor (R12) between the base of the first bipolar transistor Q11 and the second node. ) Is provided in series.
상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터(collector)는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스(base)와 접속되며, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 접속된 베이스를 갖는 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스는 상기 제2노드(node2)와 제4저항(R14)으로 접속되며, 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 에미터는 기저 전압원(-Vdd, 일 예로 DC -12V)과 접속된다. The collector of the first bipolar transistor Q11 is connected to the base of the second bipolar transistor Q12, and the second bipolar has a base connected to the collector of the first bipolar transistor Q11. A base of the transistor Q12 is connected to the second node node2 and a fourth resistor R14, and the emitter of the second bipolar transistor Q12 is connected to a base voltage source (-V dd , for example, DC -12V). Connected.
상기 기저 전압원(-Vdd)은 부하(load1)와 접속되어 기저전위를 제공하며, 상기 부하(load)와 기저 전압원(-Vdd) 사이에 트랜지스터(Q13)가 직렬 구비된다.The ground voltage source (-V dd ) is connected to a load load1 to provide a ground potential, and a transistor Q13 is provided in series between the load and the ground voltage source (-V dd ).
상기 트랜지스터(Q13)의 게이트(gate)는 상기 제4저항(R14)과 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 에미터(emitter)간의 노드에 접속되어 부하(load1)에 흐르는 전류량을 제어한다. A gate of the transistor Q13 is connected to a node between the fourth resistor R14 and the emitter of the second bipolar transistor Q12 to control the amount of current flowing in the load1.
바람직하게, 도 5에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 에미터와 베이스간에 접속된 캐패시터(capacitor, C11)를 더 포함하여 구성된다.Preferably, as shown in FIG. 5, the light emitting diode temperature compensating constant current circuit according to the present invention further includes a capacitor C11 connected between the emitter and the base of the first bipolar transistor Q11.
도 5의 일 예를 기반으로 본 발명에 따른 정전류 회로의 정전류 동작을 상술한다. Based on the example of Figure 5 will be described in detail the constant current operation of the constant current circuit according to the present invention.
상기 제1 노드(node1)와 제2 노드(node 2) 사이에 구비된 제1저항(R11) 양 단의 전압이 상승하면 상기 제2저항(R12)에 의해 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)가 제1바이폴라의 콜렉터 전압을 상승시킨다. 이에 따라, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 접속된 베이스를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스전압이 상승하면, 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압은 제4저항(R14)에 의해 감소되게 된다.When the voltage across the first resistor R11 provided between the first node node1 and the
상기 트랜지스터(Q13)는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터와 게이트가 접속되므로, 상기 콜렉터의 전압 감소에 의해 트랜지스터(Q13)의 소스전압(트랜지스터(Q13)와 접속된 기저 전압)을 기준으로 한 게이트 전압(Vgs)이 감소하여 부하(load1)에 흐르는 전류를 감쇠시킨다.Since the transistor Q13 is connected to the collector and the gate of the second bipolar transistor Q12, the collector voltage is reduced based on the source voltage of the transistor Q13 (the base voltage connected to the transistor Q13). The gate voltage V gs is reduced to attenuate the current flowing to the load load1.
상기 제1 노드(node1)와 제2 노드(node 2) 사이에 구비된 제1저항(R11) 양 단의 전압이 하락하면 상기 제2저항(R12)에 의해 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)가 제1바이폴라의 콜렉터 전압을 하강시킨다. 이에 따라, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 접속된 베이스를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스전압이 하강하면, 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압은 제4저항(R14)에 의해 상승하게 된다. When the voltage across the first resistor R11 provided between the first node node1 and the
상기 콜렉터의 전압 상승에 의해 트랜지스터(Q13)의 소스전압 대비 게이트 전압(Vgs)이 증가하여 부하(load1)에 흐르는 전류를 증가시킨다.As the voltage of the collector increases, the gate voltage V gs increases with respect to the source voltage of the transistor Q13 to increase the current flowing in the
상기 제1저항 양단의 전압 변화에 따른 상술한 트랜지스터(Q13)의 전류 제어동작이 반복되며, 상기 직렬 또는 직병렬 혼합 연결된 다수개의 발광다이오드를 포 함하는 부하(load1)에 안정적인 정전류를 제공하게 된다. The above-described current control operation of the transistor Q13 according to the voltage change across the first resistor is repeated, thereby providing a stable constant current to the load load1 including a plurality of light emitting diodes connected in series or series-parallel mixing. .
도 5의 일 예를 기반으로 본 발명에 따른 정전류 회로의 온도 보상 동작을 상술한다. The temperature compensation operation of the constant current circuit according to the present invention will be described in detail with reference to the example of FIG. 5.
온도가 상승하게 되면 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 에미터 베이스간 동작점이 내려가 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터 전압을 상승시킨다. 이에 따라, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 접속된 베이스를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스전압이 상승하면, 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압은 제4저항(R14)에 의해 하강하게 된다. When the temperature increases, the operating point between the emitter bases of the first bipolar transistor Q11 is lowered to increase the collector voltage of the first bipolar transistor Q11. Accordingly, when the base voltage of the second bipolar transistor Q12 having the base connected to the collector of the first bipolar transistor Q11 rises, the collector voltage of the second bipolar transistor Q12 becomes the fourth resistor R14. Descend by
상기 콜렉터(제2바이폴라 트랜지스터의 콜렉터)의 전압 하강에 의해 트랜지스터(Q13)의 소스전압 대비 게이트 전압(Vgs)이 감소하여 트랜지스터(Q13)의 소스(source)-드레인(drain)간 전류(Ids)가 감소되어, 부하(load1)에 흐르는 전류를 감소시킨다. Due to the voltage drop of the collector (collector of the second bipolar transistor), the gate voltage V gs decreases with respect to the source voltage of the transistor Q13, so that the source-drain current Ids of the transistor Q13 is reduced. ) Is reduced, reducing the current flowing in the load (load1).
온도가 하강하게 되면 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 에미터 베이스간 동작점이 올라가 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터 전압을 하강시킨다. 이에 따라, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 접속된 베이스를 갖는 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스전압이 하강하면, 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압은 제4저항(R14)에 의해 상승하게 된다. When the temperature decreases, the operating point between the emitter bases of the first bipolar transistor Q11 is raised to lower the collector voltage of the first bipolar transistor Q11. Accordingly, when the base voltage of the second bipolar transistor Q12 having the base connected to the collector of the first bipolar transistor Q11 falls, the collector voltage of the second bipolar transistor Q12 is set to the fourth resistor R14. To rise.
상기 콜렉터(제2바이폴라 트랜지스터의 콜렉터)의 전압 상승에 의해 트랜지스터(Q13)의 소스전압 대비 게이트 전압(Vgs)이 증가하여 트랜지스터(Q13)의 소 스(source)-드레인(drain)간 전류(Ids)가 증가되어, 부하(load1)에 흐르는 전류를 증가시킨다. As the voltage of the collector (collector of the second bipolar transistor) increases, the gate voltage V gs increases with respect to the source voltage of the transistor Q13 so that the source-drain current of the transistor Q13 ( Ids is increased to increase the current flowing in the load load1.
상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 온도 변화에 의한 동작점의 변화에 따른 상술한 트랜지스터(Q13)의 전류 제어동작이 반복되며, 회로 자체 또는 회로 외부의 온도가 변화되어도 상기 직렬 또는 직병렬 혼합 연결된 다수개의 발광다이오드를 포함하는 부하(load1)에 안정적인 정전류를 제공하게 된다. The current control operation of the above-described transistor Q13 is repeated according to the change of the operating point due to the temperature change of the first bipolar transistor Q11, and the series or series-parallel mixed connection is connected even if the temperature of the circuit itself or the outside of the circuit is changed. A stable constant current is provided to a load load1 including a plurality of light emitting diodes.
도 5에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 온도 보상 정전류 회로는 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 에미터와 베이스간 접속된 캐패시터(C1)을 포함하여 구성되어, 상기 제2저항(R12), 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11), 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12), 상기 제4저항(Q14) 및 상기 캐패시터(C)의 정수에 의해 주파수가 결정되어 펄스폭 변조(PWM; Pulse Width Modulation, 이하 PWM)방식으로 구동되는 특징이 있다. As shown in FIG. 5, the temperature compensating constant current circuit according to the present invention includes a capacitor C1 connected between an emitter and a base of the first bipolar transistor Q11, and includes the second resistor R12, A frequency is determined by an integer of the first bipolar transistor Q11, the second bipolar transistor Q12, the fourth resistor Q14, and the capacitor C, thereby forming a pulse width modulation (PWM). PWM) is driven.
바람직하게, 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)는 pnp 바이폴라 트랜지스터이며, 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)는 npn 바이폴라 트랜지스터이며, 상기 트랜지스터(Q13)는 n형 전계효과트랜지스터(MOSFET; metal oxide semiconductor field effect transistor)이다.Preferably, the first bipolar transistor Q11 is a pnp bipolar transistor, the second bipolar transistor Q12 is an npn bipolar transistor, and the transistor Q13 is an n-type field effect transistor (MOSFET). transistor).
도 6은 본 발명의 발광다이오드 온도보상 정전류 회로의 다른 예를 도시한 것으로, 제1저항(R11), 제2저항(R12), 제4저항(R14), 제1바이폴라 트랜지스터(Q11), 제2바이폴라 트랜지스터(Q12), 트랜지스터(Q13), 및 캐패시터(C11)는 도 5의 구성 및 설명과 유사하다. 특징적으로, 본 발명의 발광다이오드 온도보상 정전 류 회로는 제3저항(R13)을 더 포함하여 구성되어, 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스(base)가 제3저항(R13)으로 상기 제 1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터(collector)와 접속된다.FIG. 6 shows another example of the LED compensating constant current circuit of the present invention, wherein the first resistor R11, the second resistor R12, the fourth resistor R14, the first bipolar transistor Q11, and the first resistor R11 are shown. The bipolar transistor Q12, transistor Q13, and capacitor C11 are similar to the configuration and description of FIG. In an exemplary embodiment, the light emitting diode temperature compensating electrostatic current circuit of the present invention further includes a third resistor R13, wherein the base of the second bipolar transistor Q12 is the third resistor R13. It is connected to the collector of one bipolar transistor Q11.
상기 제3저항(R13)은 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 베이스에 과전류가 흐르는 것을 방지하는 역할을 하여, 보다 안정적인 동작을 가능하게 한다. The third resistor R13 prevents an overcurrent from flowing through the base of the second bipolar transistor Q12, thereby enabling more stable operation.
도 6의 회로는 도 5를 기반으로 상술한 정전류 회로의 정전류 동작, 온도 보상 동작, 및 PWM 동작과 유사한 특성을 가지며, 상기 제1저항(R11)의 양 단 전압의 상승 또는 하락에 따라 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)는 상기 제3저항(R13)을 통하여 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압을 하강 또는 상승시키며, 온도의 상승 또는 하락에 따른 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 동작점 변화는 상기 제3저항(R13)을 통하여 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12)의 콜렉터 전압을 변화시킨다. 또한, 도 6의 회로에서, PWM 동작은 상기 제2저항(R12), 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11), 상기 제3저항(R13), 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12), 상기 제4저항(Q14) 및 상기 캐패시터(C)의 정수에 의해 주파수가 결정되게 된다.The circuit of FIG. 6 has characteristics similar to those of the constant current operation, the temperature compensation operation, and the PWM operation of the constant current circuit described above with reference to FIG. The first bipolar transistor Q11 lowers or raises the collector voltage of the second bipolar transistor Q12 through the third resistor R13 and operates the first bipolar transistor Q11 according to an increase or decrease in temperature. The point change changes the collector voltage of the second bipolar transistor Q12 through the third resistor R13. In the circuit of FIG. 6, the PWM operation includes the second resistor R12, the first bipolar transistor Q11, the third resistor R13, the second bipolar transistor Q12, and the fourth resistor ( The frequency is determined by the constant of Q14) and the capacitor C.
도 7은 본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로의 다른 예로, 도 5와 유사한 구성을 갖는 상기 부하(load1), 상기 제1저항(R11), 상기 제2저항(R12), 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11), 상기 제4저항(R14), 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12), 상기 트랜지스터(Q13), 및 상기 캐패시터(C11)를 일 단위체(unit1)로 하여, 두 개의 단위체(unit1, unit2)가 병렬 연결되어 있는 특징이 있다. 상세하게, 상기 도 5와 유사한 구성을 갖는 부하(load2), 제1저항(R21), 제2저 항(R22), 제1바이폴라 트랜지스터(Q21), 제4저항(R24), 제2바이폴라 트랜지스터(Q22), 트랜지스터(Q23), 및 캐패시터(C21)를 포함하여 구성된 단위체(unit2)와 상기 단위체(unit1)가 도 5와 유사한 상기 다이오드(D1)의 하단과 기저 전압(-Vdd)간에 병렬 연결된다. 7 is another example of a light emitting diode temperature compensating constant current circuit according to the present invention, wherein the load (load1), the first resistor (R11), the second resistor (R12), the first bipolar having a configuration similar to that of FIG. Two units (unit1, unit2) with the transistor Q11, the fourth resistor R14, the second bipolar transistor Q12, the transistor Q13, and the capacitor C11 as a unit unit1. ) Is connected in parallel. In detail, a load (load2), a first resistor (R21), a second resistor (R22), a first bipolar transistor (Q21), a fourth resistor (R24), a second bipolar transistor having a configuration similar to that of FIG.
도 8에 도시한 바와 같이 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11)의 콜렉터와 제2바이폴라 트랜지스터(Q12) 베이스간 제3저항(R13)이 구비된 도 6과 유사한 구성도 마찬가지로, 상기 부하(load1), 상기 제1저항(R11), 상기 제2저항(R12), 상기 제1바이폴라 트랜지스터(Q11), 상기 제3저항(R13), 상기 제4저항(R14), 상기 제2바이폴라 트랜지스터(Q12), 상기 트랜지스터(Q13), 및 상기 캐패시터(C11)를 일 단위체(unit1')로 하여, 세 개의 상기 단위체(unit1', unit2', unit3')가 병렬연결 될 수 있다. As shown in FIG. 8, a configuration similar to that of FIG. 6 provided with a third resistor R13 between the collector of the first bipolar transistor Q11 and the base of the second bipolar transistor Q12 is similar to the load (load1), The first resistor R11, the second resistor R12, the first bipolar transistor Q11, the third resistor R13, the fourth resistor R14, the second bipolar transistor Q12, Three units (unit1 ', unit2', unit3 ') may be connected in parallel using the transistor Q13 and the capacitor C11 as one unit (unit1').
도 7과 유사하게, 상기 세 개의 단위체(unit1', unit2', unit3')는 상기 다이오드(D1)의 하단과 기저 전압(-Vdd)간에 병렬 연결된다. Similar to FIG. 7, the three units unit1 ', unit2', and unit3 'are connected in parallel between the lower end of the diode D1 and the ground voltage (-V dd ).
도 7은 2개의 단위체(unit1, unit2)가 병렬 연결된 구성을, 도 8은 3개의 단위체(unit1', unit2', unit3')가 병렬 연결된 구성을 도시하였으나, 본 발명에 있어, 부하(load)별로 단위체가 구성되어 한 고전위 전압원에 다수개의 단위체가 접속되는 특징을 설명하기 위함이며, 병렬 연결되는 단위체의 수가 한정되는 것은 아니다. 7 illustrates a configuration in which two units (unit1, unit2) are connected in parallel, and FIG. 8 illustrates a configuration in which three units (unit1 ', unit2', unit3 ') are connected in parallel, but in the present invention, a load This is to explain the feature that a plurality of units are connected to one high-potential voltage source, and the number of units connected in parallel is not limited.
도 9 내지 도 10은 다수개의 발광 다이오드가 병렬 또는 직병렬 혼합 연결된 부하의 일 예를 도시한 것으로, 도 9에 도시한 바와 같이 본 발명의 부하는 다수개의 발광 다이오드 멀티칩(LED chip 11, LED chip 12)이 병렬 연결된 부하일 수 있으며, 도 10에 도시한 바와 같이 개별 발광 다이오드(LED 11 ~ LED 16)가 직병렬 혼합 연결된 부하일 수 있다. 상기 도 9의 단일한 멀티칩(LED chip 11 또는 LED chip 12)은 3개의 발광 다이오드로 구성된 예이며, 멀티칩 내 도시된 1~6의 숫자는 멀티칩 내에서 발광 다이오드 간 연결을 의미하며, 1번으로 고전위 전압이 인가되며, 2-3간, 4-5간 연결되고, 6번으로 기저 전압이 인가된다.9 to 10 illustrate an example of a load in which a plurality of light emitting diodes are connected in parallel or in parallel and in parallel. As illustrated in FIG. 9, the load of the present invention is a plurality of light emitting diode multichips (
도 11은 두 개의 부하(load1, load2)를 가져 도 7과 유사하게 두 단위체(unit1, unit2)로 병렬 연결된 일 예로, 각 부하가 0.2W 멀티칩 LED 2구로 구성되어, 총 0.2W 멀티칩 LED 4구(LED chip 11, LED chip 12, LED chip 21, LED chip 22) 부하를 가지는 구성 예이며, 고전위 전압에 12V(Vdd)를 인가하고 기저 전압에 -12V(-Vdd)를 인가하여 소비 전력 및 에너지 절감율을 측정한 결과, 도1, 도3, 또는 도4에 도시한 종래의 LED용 회로의 소비전력이 약 1440mW이고 회로 효율이 55.5%인 반면, 본 발명에 따른 발광다이오드 온도보상 정전류 회로는 소비전력이 약 960mW로 작으며, 회로 효율이 83.3%로 매우 높아 종래 방식 대비 에너지 절감율이 33.3%이상인 고효율 에너지 절감형 회로임을 알 수 있다. FIG. 11 is an example in which two loads (load1, load2) are connected in parallel to two units (unit1, unit2) similarly to FIG. 7, and each load is composed of two 0.2W multichip LEDs, for a total of 0.2W multichip LEDs. This configuration is an example with 4 holes (
이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 도면에 의해 설명되었으나 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. As described above, the present invention has been described with specific details and limited drawings, but various modifications and variations are possible to those skilled in the art to which the present invention pertains.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Therefore, the spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims as well as the claims to be described later will belong to the scope of the present invention. .
도 1은 종래의 LED 구동 회로의 일 예이며, 1 is an example of a conventional LED driving circuit,
도 2는 종래의 LED 구동 회로의 다른 예이며, 2 is another example of a conventional LED driving circuit,
도 3은 종래의 LED 구동 회로의 또 다른 예이며, 3 is another example of a conventional LED driving circuit,
도 4는 종래의 LED 구동 회로의 또 다른 예이며, 4 is another example of a conventional LED driving circuit,
도 5는 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 일 예이며, 5 is an example of a light emitting diode temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 6은 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 다른 예이며,6 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 7은 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 또 다른 예이며,7 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 8은 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 또 다른 예이며,8 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 9는 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 또 다른 예이며,9 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 10은 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 또 다른 예이며,10 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention;
도 11은 본 발명에 따른 발광 다이오드 온도보상 정전류 회로의 또 다른 예이다.11 is another example of the LED temperature compensation constant current circuit according to the present invention.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080133193A KR100984314B1 (en) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080133193A KR100984314B1 (en) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100074697A KR20100074697A (en) | 2010-07-02 |
KR100984314B1 true KR100984314B1 (en) | 2010-09-30 |
Family
ID=42637191
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080133193A KR100984314B1 (en) | 2008-12-24 | 2008-12-24 | Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100984314B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11837161B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and control method therefor |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980067276A (en) * | 1997-02-01 | 1998-10-15 | 오상수 | Stabilization Circuit of Voltage Regulator |
KR20000018512A (en) * | 1998-09-02 | 2000-04-06 | 김영환 | Electrostatic protecting circuit of semiconductor memory device |
KR20030067573A (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | 타이코 일렉트로닉스 에이엠피 게엠베하 | Circuit arrangement for controlling a constant current through a load |
JP2007312356A (en) | 2006-04-19 | 2007-11-29 | Sick Optex Kk | Photoelectric sensor with temperature compensation |
-
2008
- 2008-12-24 KR KR1020080133193A patent/KR100984314B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980067276A (en) * | 1997-02-01 | 1998-10-15 | 오상수 | Stabilization Circuit of Voltage Regulator |
KR20000018512A (en) * | 1998-09-02 | 2000-04-06 | 김영환 | Electrostatic protecting circuit of semiconductor memory device |
KR20030067573A (en) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | 타이코 일렉트로닉스 에이엠피 게엠베하 | Circuit arrangement for controlling a constant current through a load |
JP2007312356A (en) | 2006-04-19 | 2007-11-29 | Sick Optex Kk | Photoelectric sensor with temperature compensation |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11837161B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and control method therefor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100074697A (en) | 2010-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8063585B2 (en) | Power supply system and method for the operation of an electrical load | |
US9144127B1 (en) | AC-powered LED light engines, integrated circuits and illuminating apparatuses having the same | |
CN102318440B (en) | Many LED control | |
US8373346B2 (en) | Solid state lighting system and a driver integrated circuit for driving light emitting semiconductor devices | |
US20070273681A1 (en) | Method and apparatus to power light emitting diode arrays | |
US9301370B2 (en) | Power supply for light emitting diodes (LEDs) | |
US20100177127A1 (en) | Led driving circuit, semiconductor element and image display device | |
US8159140B2 (en) | Load driving apparatus | |
US7902770B2 (en) | Light emitting device | |
GB2534098A (en) | Over-current protection circuit, LED backlight driving circuit and liquid crystal display | |
JP2012227181A (en) | Light emission diode drive device | |
TW200822800A (en) | Light emitting diode driver and display using the same | |
US8421721B2 (en) | Light emitting diode driving apparatus | |
TWI420201B (en) | Back-light apparatus | |
TWM479564U (en) | DC to DC constant current driving circuit | |
KR100984314B1 (en) | Temperature Compensation Circuit Supplying Constant Current for Light Emitting Diode with high Efficiency | |
US11229098B2 (en) | Dimming circuit | |
CN101206836B (en) | Drive circuit for backlight module group | |
WO2014107406A1 (en) | Lighting system and color temperature adjusting circuit | |
JP2010062327A (en) | Light emitting element drive circuit | |
CN117292641A (en) | Display circuit, display method, display device and electronic equipment | |
CN102917517B (en) | Method for generating different current driving lamp bars by utilizing constant current driving chip and driving circuit thereof | |
JP2017005185A (en) | Current drive circuit and light-emitting device | |
CN102411903B (en) | Light emitting diode (LED) driving device | |
KR20100002474A (en) | Luminous device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130923 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140918 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |