KR100984095B1 - Thermoelectric module unit and the manufacturing process - Google Patents

Thermoelectric module unit and the manufacturing process Download PDF

Info

Publication number
KR100984095B1
KR100984095B1 KR1020090058735A KR20090058735A KR100984095B1 KR 100984095 B1 KR100984095 B1 KR 100984095B1 KR 1020090058735 A KR1020090058735 A KR 1020090058735A KR 20090058735 A KR20090058735 A KR 20090058735A KR 100984095 B1 KR100984095 B1 KR 100984095B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
guide passage
thermoelectric semiconductor
semiconductor device
lead wire
Prior art date
Application number
KR1020090058735A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
정세진
Original Assignee
정세진
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 정세진 filed Critical 정세진
Priority to KR1020090058735A priority Critical patent/KR100984095B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100984095B1 publication Critical patent/KR100984095B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/82—Connection of interconnections
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Abstract

PURPOSE: A thermoelectric module unit and a manufacturing process are provided to prevent an adhesive filled into a guide path from flowing into the side of a housing by forming a guide path on the top of the housing. CONSTITUTION: A guide path(22) guiding a lead line of a thermoelectric semiconductor element(30) is formed in a housing. The thermoelectric semiconductor element is accommodated in a receiving space(21) of the housing. A first block(40) is fixed to one side of the housing by an adhesive (A). A second block(50) is fixed to the other side of the housing by the adhesive. The entrance(22a) of the guide path is communicated with the receiving space.

Description

열전반도체소자 유니트 및 그 제조방법{Thermoelectric module unit and the manufacturing process}Thermoelectric semiconductor device unit and its manufacturing process {Thermoelectric module unit and the manufacturing process}

본 발명은 열전반도체소자유니트에 관한 것으로, 특히 열전반도체소자의 리드선을 인출안내하는 안내통로를 종래와 같이 하우징 측면에 형성하지 않고 몸체 상부를 향해 터널형상으로 관통시켜 그 출구가 리드선보다 상부에 위치되도록 하여 리드선을 밀폐시키기 위해 안내통로에 충전된 접착제가 중력에 의해 안내통로를 기밀가능하게 매립하고, 접착제가 하우징 측면으로 흘러내리거나 또는 하우징 수납공간으로 유입되는 것을 방지하여 조립공정을 간편하게 하면서도 불량품 양산을 줄일 수 있는 열전반도체소자유니트 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thermoelectric semiconductor device unit, and in particular, the guide passage for guiding the lead wire of the thermoelectric semiconductor device is not formed on the side of the housing as in the prior art, but through the tunnel shape toward the upper part of the body, the outlet is located above the lead wire. To seal the lead wires, the adhesive filled in the guide passages is hermetically filled with the guide passages by gravity, and the adhesive process is prevented from flowing down to the side of the housing or entering the housing storage space, which simplifies the assembly process and prevents defects. The present invention relates to a thermoelectric semiconductor device unit capable of reducing mass production and a method of manufacturing the same.

열전반도체소자유니트는 냉매를 순환시키기 위해 압축기를 가동시키는 기존의 냉각방식을 탈피한 차세대 환경친화적인 냉각방식으로서, 소형이면서도 세라믹 재질로 이루어진 박판의 열전반도체소자 양측면이 전극전환을 통해 간단하게 냉각과 가열을 동시에 수행하여 상온의 대상물을 -30∼+180C 까지 일정하게 유지하는 기능을 하게 되므로 현재 냉,온관련 산업분야에서 널리 사용되고 있는 유용한 제품이다.The thermoelectric semiconductor device unit is a next-generation environmentally friendly cooling system that breaks the conventional cooling system that operates a compressor to circulate the refrigerant. Both sides of the thin and ceramic thin-walled thermoelectric semiconductor device are simply cooled by switching electrodes. It is a useful product that is widely used in the field of cold and temperature-related industries because it functions to keep the object at room temperature constant at -30 ~ + 180C by simultaneously heating.

일반적인 열전반도체소자유니트(1)는 도 1과 같이 몸체 중앙에 수납공간(2a)이 관통되고 상기 수납공간(2a) 단부 둘레에 단턱(2b)이 형성되는 하우징(2), 리드선(3a)이 상기 하우징(2) 외부로 노출되게 상기 하우징(2)의 수납공간(2a)에 수납되는 열전반도체소자(3), 상기 열전반도체소자(3) 일측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(2)의 수납공간(2a) 일측 단부에 접착제로 접착고정되어 폐쇄하는 제1블록(4), 상기 열전반도체소자(3) 타측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(2)의 단턱(2b)에 접착제로 접착고정되어 수납공간(2a) 타측 단부를 폐쇄하는 제2블록(5)으로 구성된다. A general thermoelectric semiconductor device unit 1 has a housing 2 and a lead wire 3a through which an accommodating space 2a penetrates the center of a body and a step 2b is formed around an end of the accommodating space 2a as shown in FIG. 1. The thermoelectric semiconductor element 3 accommodated in the accommodation space 2a of the housing 2 so as to be exposed to the outside of the housing 2 and the thermoelectric semiconductor element 3 in close contact with one side of the housing 2. Adhesively bonded to the step 2b of the housing 2 in a state of being in close contact with the other side surface of the first block 4, the thermoelectric semiconductor element 3, which is adhesively fixed to one end of the storage space (2a) It is fixed and consists of a second block (5) for closing the other end of the storage space (2a).

이와 같이 구성된 열전반도체소자유니트(1)는 제1블록(4)에 냉각 또는 가열되는 내용물을 보관하는 저장용기(V)가 밀착고정되고, 제2블록(5)에 열전반도체소자(3)에서 발생되는 방열하는 방열판(H)이 고정되는 형태로 사용되는 것이 보통이다.The thermoelectric semiconductor device unit 1 configured as described above has a storage container V for tightly fixing the contents to be cooled or heated in the first block 4, and the thermoelectric semiconductor device 3 at the second block 5. It is common to use a form in which the heat sink (H) for radiating heat generated is fixed.

이러한 열전반도체소자유니트(1)는 관통된 하우징(2)의 수납공간(2a)이 제1,2블록(4)(5)으로 폐쇄되고, 상기 제1,2블록(4)(5) 사이에는 열전반도체소자(3)가 밀착고정되며, 수납공간(2a) 내부로 공기와 습기가 침투하지 않도록 하우징(2)과 제1,2블록(4)(5) 사이는 에폭시와 같은 접착제(6)를 이용하여 기밀 및 수밀 가능하게 밀폐된다. The thermoelectric semiconductor device unit 1 has a receiving space 2a of the penetrating housing 2 closed by first and second blocks 4 and 5, and between the first and second blocks 4 and 5, respectively. The thermoelectric semiconductor device 3 is tightly fixed therebetween, and an adhesive such as epoxy is formed between the housing 2 and the first and second blocks 4 and 5 so that air and moisture do not penetrate into the storage space 2a. ) Is hermetically and watertightly sealed.

열전반도체소자유니트(1)는 열전반도체소자(3)에 전원을 공급하기 위해 리드선(3a)을 하우징(2) 외부로 인출시켜야 하는데, 종래의 경우에는 도 2 내지 도 4와 같이 하우징(2) 저면 측면 양측에 안내통로(2c)를 형성하였다. The thermoelectric semiconductor device unit 1 should lead the lead wire 3a out of the housing 2 to supply power to the thermoelectric semiconductor device 3. In the conventional case, the housing 2 may be as shown in FIGS. 2 to 4. Guide passages 2c were formed on both sides of the bottom face.

그런데, 이와 같이 하우징(2) 저면 측면을 관통시켜 안내통로(2c)를 형성하게 되면, 제조과정에서 상기 안내통로(2c)를 통해 리드선(3a)을 하우징(2) 외부로 인출시킨 다음 접착제(7)를 안내통로(2c) 및 단턱(2b)에 형성된 홈(2b-1)에 충전시키고 제2블록(5)을 단턱(2b)에 접착시켜 수납공간(2a)을 밀폐시켜야 하는데, 이 과정에서 접착제(7)가 경화되기 전에 안내통로(2c) 외부 또는 수납공간(2a) 내부로 흘러내리는 문제가 발생되었다.However, when the guide passage 2c is formed by penetrating the side surface of the bottom surface of the housing 2 as described above, the lead wire 3a is drawn out of the housing 2 through the guide passage 2c in the manufacturing process, and then the adhesive ( 7) to fill the groove (2b-1) formed in the guide passage (2c) and step (2b) and to seal the storage space (2a) by adhering the second block (5) to the step (2b), this process In this case, a problem occurs that the adhesive 7 flows out of the guide passage 2c or into the storage space 2a before the adhesive 7 is cured.

다시 말해, 리드선(3a)을 인출안내하기 위해 하우징(2) 측면에 관통되게 형성된 안내통로(2c)는 길이방향이 개방된 상태로 관통되어 있으므로, 접착제(7)를 충전하게 되면 상기 접착제(7)가 경화되는 과정에서 중력에 의해 하우징(2) 외부 또는 수납공간(2a)으로 흘러내리는 문제가 발생하였다.In other words, the guide passage 2c formed to penetrate the side of the housing 2 to guide the lead wire 3a is penetrated in an open state in the longitudinal direction. In the process of hardening), a problem occurs that the gravity flows down to the outside of the housing 2 or the storage space 2a.

이와 같이 리드선(3a)을 매립하기 위해 상기 안내통로(2c)에 충전되는 접착제(7)가 안내통로(2c)에서 흘러내리면, 그 흘러내리는 양만큼 안내통로(2c)에 틈새가 발생하게 되고, 상기 틈새로 이로 인하여 결국 하우징(2)의 수납공간(2a)은 수밀,기밀이 유지되지 않는다. In this way, when the adhesive 7 filled in the guide passage 2c to bury the lead wire 3a flows down from the guide passage 2c, a gap occurs in the guide passage 2c by the amount of the flow down. Due to this gap, the receiving space 2a of the housing 2 is not kept watertight or confidential.

따라서, 종래 열전반도체소자유니트(1)는 열전반도체소자(3)에서 발생하는 저온과 고온이 수납공간(2a)에서 서로 공존하게 되므로 열효율이 저하되는 단점이 있었다.Therefore, the conventional thermoelectric semiconductor device unit 1 has a disadvantage in that the thermal efficiency is lowered because the low temperature and the high temperature generated in the thermoelectric semiconductor device 3 coexist with each other in the storage space 2a.

이에 본 발명은 상술한 바와 같은 종래 열전반도체소자유니트의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 열전반도체소자의 리드선을 인출안내하는 안내통로를 종래와 같이 하우징 측면에 형성하지 않고 몸체 상부를 향해 터널형상으로 관통시켜 그 출구가 리드선보다 상부에 위치되도록 하여 리드선을 밀폐시키기 위해 안내통로에 충전된 접착제가 중력에 의해 안내통로를 기밀가능하게 매립하고, 접착제가 하우징 측면으로 흘러내리거나 또는 하우징 수납공간으로 유입되는 것을 방지하여 조립공정을 간편하게 하면서도 불량품 양산을 줄일 수 있는 열전반도체소자유니트 및 그 제조방법을 제공함에 있다.Accordingly, the present invention is to solve the problems of the conventional thermoelectric semiconductor device unit as described above, the purpose of which is to guide the lead wire of the thermoelectric semiconductor device withdrawal guide to the upper side of the body without forming a guide passage on the side of the housing as conventional In order to seal the lead wire by penetrating through the tunnel shape so that its exit is located above the lead wire, the adhesive filled in the guide path is filled with airtight filling of the guide path by gravity, and the adhesive flows to the side of the housing or the housing is received. The present invention provides a thermoelectric semiconductor device unit and a method of manufacturing the same, which can prevent the inflow of space and simplify the assembly process while reducing the mass production of defective products.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 열전반도체소자유니트는, 몸체 중앙에 수납공간이 관통되고 열전반도체소자의 리드선을 안내하는 안내통로가 형성되는 하우징, 리드선이 상기 하우징의 안내통로를 통해 외부로 노출되게 상기 하우징의 수납공간에 수납되는 열전반도체소자, 상기 열전반도체소자 일측면과 열전달물질을 이용하여 밀착된 상태로 상기 하우징 일측면에 접착제로 접착고정되는 제1블록, 상기 열전반도체소자 타측면과 열전달물질을 이용하여 밀착된 상태로 상기 하우징의 타측면에 접착제로 접착고정되는 제2블록을 포함하는 열전반도체소자유니트에 있어서,The thermoelectric semiconductor device unit of the present invention for achieving the above object is a housing in which the receiving space penetrates in the center of the body and the guide passage for guiding the lead wire of the thermoelectric semiconductor element is formed, the lead wire is exposed to the outside through the guide passage of the housing The first block to be adhesively fixed to the one side surface of the housing in a state in which the thermoelectric semiconductor device accommodated in the housing space of the housing, the one side surface of the thermoelectric semiconductor device and the heat transfer material in close contact with the other side, and the other side of the thermal semiconductor element In the thermoconductor device unit comprising a second block that is adhesively fixed to the other side of the housing in a state of being in close contact with the heat transfer material,

상기 하우징의 리드선 안내통로는 사방이 폐쇄된 상태로 관통된 터널형태로 형성되고, 상기 안내통로의 입구는 수납공간과 연통되고 출구는 열전반도체소자에 연결된 리드선의 시작점 보다 상부에 위치하며, 상기 안내통로의 출구로 투입되는 접착제에 의해 리드선이 인출된 안내통로가 밀폐되는 것을 특징으로 한다.The lead wire guide passage of the housing is formed in the form of a tunnel penetrated in a closed state on all sides, the inlet of the guide passage is in communication with the storage space and the outlet is located above the start point of the lead wire connected to the thermoelectric semiconductor element, the guide The guide passage in which the lead wire is drawn out is sealed by the adhesive introduced into the outlet of the passage.

이상과 같이 구성되는 본 발명의 열전반도체소자유니트는 리드선을 안내하는 안내통로가 사방이 폐쇄된 상태로 관통된 터널형태로 형성되고 안내통로의 출구가 열전반도체소자에 연결된 리드선의 시작점보다 상부에 위치하므로 제조과정에서 리드선을 안내통로 외부로 인출한 상태에서 안내통로 출구로 공급되는 접착제는 안내통로 출구 외부로는 배출되지 않고 중력에 의해 입구 쪽으로 진입하되 수납공간에 갇힌 공기의 저항, 접착제의 경화진행에 따라 증대되는 점성, 안내통로 내벽에서의 전단응력 등에 의해 수납공간으로는 진입하지 않고 안내통로 내에 갇혀 출구 쪽에 집중된 상태로 경화되어 안내통로를 밀폐하게 된다. The thermoelectric semiconductor device unit of the present invention configured as described above is formed in the form of a tunnel through which guide passages for guiding lead wires are closed in all directions and the exit of the guide passage is located above the start point of the lead wire connected to the thermoelectric semiconductor element. Therefore, when the lead wire is drawn out of the guide passage in the manufacturing process, the adhesive supplied to the guide passage exit is not discharged to the outside of the guide passage exit but enters the entrance by gravity, but the resistance of air trapped in the storage space and the curing of the adhesive proceed. Due to the increase in viscosity, the shear stress in the inner wall of the guide passage is not entered into the storage space, but is trapped in the guide passage and hardened in a concentrated state at the exit side to seal the guide passage.

따라서, 본 발명은 종래 리드선 안내통로에 충전된 접착제가 외부로 유출됨에 의해 형성된 틈새가 원천적으로 발생하지 않아 하우징의 수납공간을 수밀,기밀 가능하게 밀폐시킬 수 있고, 이로 인하여 열전반도체소자가 수납된 수납공간은 공기의 이동이 차단되어 열효율을 높일 수 있는 장점을 가지게 된다.Therefore, the present invention does not naturally generate a gap formed by leaking the adhesive filled in the lead wire guide passage to the outside, thereby sealing the receiving space of the housing in a watertight and airtight manner, and thus the thermoelectric semiconductor element is housed therein. The storage space has the advantage that the movement of air is blocked to increase the thermal efficiency.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 열전반도체소자유니트의 구성 및 그 제조방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and manufacturing method of the thermoelectric semiconductor device unit according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 일 실시예 열전반도체소자유니트의 단면도이고, 도 6은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 다른 실시예 확대도이며, 도 7은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 또 다른 실시예 확대도이다. 도 8은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 또 다른 실시예 확대도이고, 도 9는 본 발명에 따른 안내통로가 몸체 상부를 관통하여 형성된 것을 보인 하우징 저면 사진이며, 도 10은 본 발명에 따른 안내통로를 확대해서 보인 하우징 저면 사진이다. 도 11은 본 발명에 따른 하우징 평면 사진이고, 도 12는 본 발명에 따른 안내보스에 안내공이 형성된 것을 보인 하우징 정면사진이며, 도 13은 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 실제품 저면 사진이다. 도 14는 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 실제품 확대 사진이고, 도 15는 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 상태의 분해 사시 사진이며, 도 16은 안내통로가 수평으로 형성된 하우징의 수납공간에 충전재가 삽입된 단면도이다. 도 17은 본 발명에 따른 안내통로에 피복이 벗겨진 리드선과 수납공간에 충전재가 수납된 상태의 도면이다.5 is a cross-sectional view of an embodiment thermoelectric semiconductor device unit according to the present invention, Figure 6 is an enlarged view of another embodiment in which the lead wire according to the present invention is drawn out of the housing, Figure 7 is a lead wire according to the present invention outside the housing It is an enlarged view of another embodiment withdrawn. 8 is an enlarged view of another embodiment in which the lead wire according to the present invention is drawn out to the outside of the housing, and FIG. 9 is a bottom view of the housing showing that the guide passage according to the present invention is formed through the upper portion of the housing, and FIG. The bottom of the housing is shown in enlarged view of the guide passage. Figure 11 is a plan view of the housing according to the present invention, Figure 12 is a front view of the housing showing that the guide hole is formed in the guide boss according to the present invention, Figure 13 is a bottom photo of the actual product drawn lead wire in the guide passage according to the present invention . Figure 14 is an enlarged picture of the actual product lead wire is drawn in the guide passage according to the present invention, Figure 15 is an exploded perspective picture of the lead wire is drawn in the guide passage according to the present invention, Figure 16 is a housing formed with the guide passage horizontal It is a cross-sectional view of the filler is inserted into the storage space. 17 is a view showing a state in which a filler is accommodated in a lead wire and a storage space in which a guide line is peeled off in a guide passage according to the present invention.

본 발명이 적용되는 열전반도체소자유니트(10)는 통상의 경우와 같이 몸체 중앙에 수납공간(21)이 관통되고 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 안내하는 안내통로(22)가 형성되는 하우징(20), 리드선(31)이 상기 하우징(20)의 안내통로(22)를 통해 외부로 노출되게 상기 하우징(20)의 수납공간(21)에 수납되는 열전반도체소자(30), 상기 열전반도체소자(30) 일측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(20) 일측면에 접착제(A)로 접착고정되는 제1블록(40), 상기 열전반도체소자(30) 타측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(20)의 타측면에 접착제(A)로 접착고정되는 제2블록(50)을 포함한다.In the thermoelectric semiconductor device unit 10 to which the present invention is applied, a guide passage 22 through which the storage space 21 penetrates in the center of the body and guides the lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor device 30 is formed as in the usual case. The thermoelectric semiconductor device 30, which is accommodated in the housing space 21 of the housing 20 so that the housing 20 and the lead wire 31 are exposed to the outside through the guide passage 22 of the housing 20. In the state in close contact with the one side of the thermoelectric semiconductor device 30, the first block 40, which is fixed to the housing 20 side by the adhesive (A), in close contact with the other side of the thermoelectric semiconductor device 30 The second block 50 is fixed to the other side of the housing 20 by the adhesive (A).

이러한 열전반도체소자유니트(10)에 있어서, 본 발명은 상기 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 안내하기 위해 하우징(20) 몸체에 형성된 안내통로(22)는, 사방이 폐쇄된 터널형태로 관통되며 그 입구(22a)는 수납공간(21)과 연통되고 출구(22b)는 열전반도체소자(30)에 연결된 의 리드선(31)의 시작점보다 상부에 위치하게 된다.In the thermoelectric semiconductor device unit 10, the present invention is a guide passage 22 formed in the housing 20 body for guiding the lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor device 30, the tunnel shape is closed on all sides The inlet 22a communicates with the storage space 21 and the outlet 22b is positioned above the starting point of the lead wire 31 connected to the thermoelectric semiconductor element 30.

이와 같이 리드선(31)을 인출안내하기 위한 안내통로(22)의 출구(22b)가 리드선(31)의 시작점보다 상부에 위치하게 되면, 제조공정에서 제조과정에서 리드선(31)을 안내통로(22) 외부로 인출한 상태에서 안내통로 출구(22b)로 공급되는 접착제(A)는 안내통로 출구 외부로는 배출되지 않고 중력에 의해 입구쪽으로 진입하되 수납공간에 갇힌 공기의 저항, 접착제의 경화진행에 따라 증대되는 점성, 안내통로의 내벽에서의 전단응력 등에 의해 수납공간으로는 진입하지 않고 안내통로 내에 갇힌 상태로 경화되어 안내통로를 밀폐하게 된다. 그러므로 중력이 발생된 접착제(A)는 리드선(31)이 관통된 안내통로(22)에 그대로 충전된 상태에서 안내통로(22)를 기밀가능하게 밀폐시키게 된다. When the outlet 22b of the guide passage 22 for guiding the lead wire 31 is located above the start point of the lead wire 31 as described above, the lead wire 31 is guided through the lead wire 31 during the manufacturing process in the manufacturing process. The adhesive (A) supplied to the guide passage outlet (22b) in the state drawn out is not discharged to the outside of the guide passage exit, but enters the inlet by gravity, but the resistance of the air trapped in the storage space, Due to the increase in viscosity, shear stress in the inner wall of the guide passage, etc., it hardens in a state trapped in the guide passage without entering the storage space to seal the guide passage. Therefore, the adhesive A generated by gravity causes the guide passage 22 to be hermetically sealed in a state where the lead wire 31 is filled in the guide passage 22 therethrough.

따라서, 본 발명은 열전반도체소자유니트(10)를 제조할 때 리드선(31)이 통과하는 안내통로(22)를 접착제(A)로 밀폐시킬 때 접착제(A)가 외부로 유출되지 않게 되므로, 종래와 같이 접착제(A)의 외부 유출로 인한 틈새가 발생되지 않게 되므로 틈새 형성으로 인한 제반 문제점을 간단히 해결할 수 있다. Therefore, in the present invention, since the adhesive A is not leaked to the outside when the guide passage 22 through which the lead wire 31 passes through is manufactured when the thermoelectric semiconductor device unit 10 is manufactured, the adhesive A is not leaked to the outside. As described above, the gap caused by the external leakage of the adhesive A is not generated, and thus, the problems caused by the gap formation can be easily solved.

본 발명의 하우징(20)에 형성된 안내통로(22)는 여러 가지 실시예 형태로 제작할 수 있다. The guide passage 22 formed in the housing 20 of the present invention can be manufactured in various embodiments.

즉, 상기 안내통로(22)는 도 5와 같이 직선의 터널형태를 가지고 상방향으로 관통되며 그 출구(22b)는 하우징(20)의 몸체 상면 또는 측면에 노출된다. 도면에서 는 출구(22b)가 상면에 노출되는 것을 보이고 있다. 상기 안내통로(22)는 도 9 내지 도 10과 같이 입구(22a)에 리드선(31) 삽입을 용이하게 할 수 있도록 하우징(20)의 수납공간(21)과 연통되게 안내홈(22c)이 절개되는 것이 좋다.That is, the guide passage 22 has a straight tunnel shape as shown in FIG. 5 and penetrates upwards, and the outlet 22b is exposed to the upper or side surface of the body of the housing 20. The figure shows that the outlet 22b is exposed on the top surface. 9 through 10, the guide groove 22c is cut in communication with the storage space 21 of the housing 20 so that the lead wire 31 can be easily inserted into the inlet 22a. It is good to be.

또한, 상기 안내통로(22)에는 출구(22b)에 접착제(A)가 입구(22a)측으로 유입되는 것을 저지하기 위한 돌기(22d)를 돌설할 수도 있다. Further, the guide passage 22 may protrude a protrusion 22d to the outlet 22b to prevent the adhesive A from flowing into the inlet 22a.

본 발명의 열전반도체소자유니트(10) 제조공정은 도 5와 같이 하우징(20)에 열전반도체소자(30)를 수용한 상태에서 리드선(31)을 안내통로(22)에 관통시켜 외부로 인출시키고, 접착제(A)를 이용하여 제1,2블록(40)(50)을 하우징(20)에 접착고정시킨다. 이와 동시에 또는 후에 상기 안내통로(22) 출구(22b)에 접착제(A)를 공급하게 되면 접착제(A)는 입구(22a)측으로 약간 유입된다. 이와 같이 출구(22b)에 공급된 접착제(A)가 입구(22a)측으로 약간 유입되는 이유는 하우징(20)의 수납공간(21)은 이미 제1,2블록에 의해 밀폐되어 있기 때문에 수납공간(21)은 안내통로(22)를 제외하고 모든 부분이 폐쇄되어 공기 흐름이 차단된다.In the manufacturing process of the thermoelectric semiconductor device unit 10 of the present invention, the lead wire 31 passes through the guide passage 22 in a state in which the thermoelectric semiconductor device 30 is accommodated in the housing 20 and drawn out to the outside. Using the adhesive (A), the first and second blocks 40 and 50 are fixed to the housing 20. At the same time or later, when the adhesive A is supplied to the outlet 22b of the guide passage 22, the adhesive A flows slightly toward the inlet 22a. The reason why the adhesive A supplied to the outlet 22b flows slightly toward the inlet 22a is because the storage space 21 of the housing 20 is already sealed by the first and second blocks. 21 is closed except for the guide passage 22 to block the air flow.

이러한 상태에서 상기 안내통로(22)의 출구(22b)에 접착제(A)를 공급하면 접착제(A)는 중력에 의해 입구(22a)측으로 약간 유입되면서 비로소 수납공간(21)을 완전하게 밀폐시키게 된다. 따라서, 접착제(A)는 밀폐된 수납공간(21)으로 더 이상 침투하지 못하므로 하우징(20)의 수납공간(21)까지 흐르지 않게 되므로 도 5와 같이 안내통로(22) 출구(22b)측에 집중되어 안내통로(22)를 기밀가능하게 밀폐시키게 된다.In this state, when the adhesive A is supplied to the outlet 22b of the guide passage 22, the adhesive A is slightly introduced into the inlet 22a by gravity to completely close the storage space 21. . Therefore, since the adhesive A no longer penetrates into the sealed storage space 21, the adhesive A does not flow to the storage space 21 of the housing 20, so as to the outlet 22b side of the guide passage 22 as shown in FIG. 5. It is concentrated so that the guide passage 22 can be hermetically sealed.

따라서, 본 발명의 열전반도체소자유니트(10)는 접착제(A)가 밀폐된 하우 징(20)의 수납공간(21)에 의해 안내통로(22) 출구(22b)측에 경화 고착되므로, 종래와 같이 접착제(A)가 안내통로(22)에서 흘러내려 틈새가 발생하는 문제가 원천적으로 제거된다.Therefore, the thermoelectric semiconductor device unit 10 of the present invention is hardened and fixed to the guide passage 22 outlet 22b by the storage space 21 of the housing 20 in which the adhesive A is sealed. Likewise, the problem that the adhesive A flows out of the guide passage 22 and generates a gap is eliminated at the source.

만약, 하우징(20)의 수납공간(21)이 완전히 밀폐되지 않을 경우에 안내통로(22) 출구(22b)에 공급된 접착제(A)는 하우징(20)의 수납공간(21) 방향으로 흘러들어 가는 문제가 발생하는데, 이러한 현상을 방지할 수 있도록 도 6과 같이 안내통로(22)에 차단부재(22e)를 충전시킬 수 있다.If the storage space 21 of the housing 20 is not completely sealed, the adhesive A supplied to the outlet 22b of the guide passage 22 flows in the direction of the storage space 21 of the housing 20. The thin problem occurs, so that the blocking member 22e may be filled in the guide passage 22 as shown in FIG. 6 to prevent this phenomenon.

참고로, 본 발명에 사용되는 접착제(A)는 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 것이면 모두 적용될 수 있으며, 바람직하게는 에폭시를 사용하는 것이 좋다. 에폭시는 열을 가하기 전에는 마치 물과 같은 액체 상태를 유지하고, 열을 가하면 경화되는 특징이 있다. For reference, the adhesive (A) used in the present invention may be applied as long as the object of the present invention can be achieved, preferably epoxy is used. Epoxy is characterized by maintaining a liquid state such as water before applying heat, and curing when heated.

따라서, 본 발명의 열전반도체소자유니트(10) 제조 공정에서 안내통로(22)의 출구(22b)에 에폭시를 공급하게 되면 에폭시는 초기에 물과 같아 중력에 의해 밀폐된 수납공간(21)방향으로 약간 흘러들어가 멈추게 되고, 이후 가열하면 도 5와 같이 출구(22b)측에서 그대로 경화된다.Therefore, when the epoxy is supplied to the outlet 22b of the guide passage 22 in the manufacturing process of the thermoelectric semiconductor device 10 of the present invention, the epoxy is initially equal to the water and toward the storage space 21 sealed by gravity. It flows in and stops slightly, and when it heats afterwards, it hardens | cures as it is in the outlet 22b side as shown in FIG.

본 발명의 안내통로(22)는 출구(22b)와 연통되는 위치에 접착제(A)를 수용보관하기 위한 안내보스(22f)가 돌출되는 것이 좋다. 이와 같이 안내보스(22f)를 형성하는 이유는 접착제(A)가 입구(22a)방향으로 많이 흘러들어가지 못하므로 접착 제(A) 부족으로 안내통로(22) 밀폐력이 약화되는 것을 방지하기 위한 것이다. The guide passage 22 of the present invention preferably protrudes a guide boss 22f for accommodating and storing the adhesive A at a position in communication with the outlet 22b. The reason for forming the guide boss 22f is to prevent the adhesive passage A from weakening in the direction of the inlet 22a so that the sealing force of the guide passage 22 is weakened due to the lack of the adhesive A. .

따라서, 상기 안내보스(22f)에 접착제(A)를 충분히 수용하게 되면 그 많큼 안내통로(22)의 밀폐력은 향상된다.Therefore, when the adhesive A is sufficiently accommodated in the guide boss 22f, the sealing force of the guide passage 22 is improved as much.

상기 안내보스(22f)는 리드선(31)이 측면으로 배출될 수 있도록 측면에 배출홈(22f-1)이 형성되는 것이 좋다. 이와 같이 리드선(31)이 배출홈(22f-1)을 통해 측면으로 배출되면, 제1블록(40)에 저장용기(V) 조립할 때 상기 배출홈(22f-1)으로 배출된 리드선(31)이 저장용기(V) 조립에 방해가 되지 않는다.The guide boss 22f may have a discharge groove 22f-1 formed at a side thereof so that the lead wire 31 may be discharged to the side. When the lead wire 31 is discharged to the side through the discharge groove 22f-1 as described above, the lead wire 31 discharged to the discharge groove 22f-1 when the storage container V is assembled to the first block 40. It does not interfere with the assembly of the storage container (V).

본 발명의 안내통로(22)의 다른 실시예는 도 6과 같이 곡선의 터널형태로 관통되며 그 출구(22b)는 하우징(20)의 몸체 상면 또는 측면에 노출되게 구성할 수 있다. 이 경우도 안내통로(22)의 출구(22b)는 리드선(31)보다 상부에 위치하게 된다. Another embodiment of the guide passage 22 of the present invention is penetrated in the form of a curved tunnel as shown in Figure 6 and the outlet 22b can be configured to be exposed to the upper or side of the body of the housing 20. Also in this case, the outlet 22b of the guide passage 22 is located above the lead wire 31.

본 발명의 안내통로(22)의 또 다른 실시예는 도 7과 같이 직각의 터널형태로 관통되며 그 출구(22b)는 하우징(20)의 몸체 상면 또는 측면에 노출되게 구성할 수 있다.Another embodiment of the guide passage 22 of the present invention is penetrated in the form of a right angle tunnel as shown in Figure 7 and the outlet 22b may be configured to be exposed to the upper surface or side of the body of the housing 20.

본 발명의 안내통로(22)의 또 다른 실시예는 도 8과 같이 상부변곡점(22g)과 하부변곡점(22h)을 갖는 곡선의 터널형태를 가지고 상방향으로 관통되며 그 출구(22b)는 하우징(20)의 몸체 상면 또는 측면에 노출되게 구성할 수 있다.Another embodiment of the guide passage 22 of the present invention has a curved tunnel shape having an upper inflection point 22g and a lower inflection point 22h as shown in FIG. 8, and the outlet 22b passes through the housing 22. 20) can be configured to be exposed to the upper or side surface of the body.

이와 같이 상,하부변곡점(22g)(22h)을 갖는 곡선형태의 안내통로(22)는 상부변곡점(22g)과 하부변곡점(22h) 사이의 높이차가 발생하게 된다. 따라서 안내통 로(22) 출구(22b)에 공급된 접착제(A)는 상기 높이차를 극복하여야만 수납공간(21)으로 흐를 수 있게 되므로 상기 곡선형태의 안내통로(22)는 접착제(A)가 수납공간(21)으로 유입되는 것을 구조적으로 차단하게 된다.As described above, the curved guide passage 22 having the upper and lower inflection points 22g and 22h generates a height difference between the upper inflection point 22g and the lower inflection point 22h. Therefore, the adhesive (A) supplied to the outlet 22b of the guide passage 22 can flow to the storage space 21 only when the adhesive gap A must be overcome, so that the curved guide passage 22 has the adhesive A. It is structurally blocked to flow into the storage space (21).

한편, 본 발명의 또 다른 실시예 열전반도체소자유니트(100)는 도 16과 같이 하우징(20)의 하부가 개구되게 수평방향으로 관통된 안내통로(220)가 형성되는 경우에 접착제(A)가 수납공간(21) 내부로 유입되는 것을 방지할 수 있도록 열전반도체소자(30)와 하우징(20) 사이의 수납공간(21)에 충전재(230)를 수납한다. 이러한 구성은 본 발명이 안내통로(220) 양측, 다시 말해, 하우징(20) 외부 또는 하우징(20)의 내부 수납공간(21)으로 접착제(A)가 유출되어 틈새가 발생하는 것을 방지하는 것이므로 본 발명의 기술적 사상에 해당된다 하겠다.On the other hand, according to another embodiment of the present invention thermoelectric semiconductor device unit 100, the adhesive (A) is formed in the case where the guide passage 220 penetrated in the horizontal direction so that the lower portion of the housing 20 is opened as shown in FIG. The filler 230 is accommodated in the storage space 21 between the thermoelectric semiconductor element 30 and the housing 20 so as to prevent the inflow into the storage space 21. This configuration is because the present invention prevents the adhesive A from leaking out of both sides of the guide passage 220, that is, the housing 20 or the inner storage space 21 of the housing 20, so that a gap is generated. It corresponds to the technical idea of the invention.

더 구체적으로, 상기 열전반도체소자유니트는(100), 몸체 중앙에 수납공간(21)이 관통되고 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 안내하는 안내통로(220)가 측면 길이방향으로 개구된 상태로 수평으로 관통된 하우징(20), 리드선(31)이 상기 하우징(20)의 안내통로(220)를 통해 외부로 노출되게 상기 하우징(20)의 수납공간(21)에 수납되는 열전반도체소자(30), 상기 열전반도체소자(30) 일측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(20) 일측면에 접착제(A)로 접착고정되는 제1블록(40), 상기 열전반도체소자(30) 타측면과 밀착된 상태로 상기 하우징(20)의 타측면에 접착제(A)로 접착고정되는 제2블록(50)을 포함하는 열전반도체소자유니트(100)에 있어서,More specifically, in the thermoelectric semiconductor device unit 100, a receiving passage 21 penetrates in the center of the body and a guide passage 220 for guiding the lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor device 30 opens in the lateral length direction. In which the housing 20 and the lead wire 31 are horizontally penetrated in a closed state, the thermoelectric semiconductor is accommodated in the storage space 21 of the housing 20 so that the housing 20 and the lead wire 31 are exposed to the outside through the guide passage 220 of the housing 20. The first block 40 and the thermoelectric semiconductor element 30 are fixed to each other by the adhesive (A) on one side of the housing 20 while being in close contact with one side of the element 30 and the thermoelectric semiconductor element 30. In the thermoelectric semiconductor device unit 100 comprising a second block 50 is fixed to the other side of the housing 20 by the adhesive (A) in close contact with the side,

상기 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 안내하기 위해 하우징(20) 몸체에 형성된 안내통로(220)에 리드선(31)을 배치한 상태에서 하우징(20)과 제2블록(50)을 접착제(A)로 고정하여 수납공간(21)을 폐쇄할 때 안내통로(22)에 충전된 접착제(A)가 수납공간(21) 내부로 유입되지 않도록 열전반도체소자(30)와 수납공간(21) 사이에 충전재(230)가 수납되게 한다.In order to guide the lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor device 30, the housing 20 and the second block 50 are disposed in a state in which the lead wire 31 is disposed in the guide passage 220 formed in the housing 20 body. When the adhesive space (A) is closed to close the storage space (21), the thermoelectric semiconductor element (30) and the storage space (21) so that the adhesive (A) filled in the guide passage (22) does not flow into the storage space (21). The filler 230 is accommodated therebetween.

이와 같이 수납공간(21)에 충전재(230)가 수납되면 수납공간(21)은 빈 공간이 발생하지 않아 접착제(A)가 수납공간(21)으로 침투하지 못하게 된다.When the filler 230 is accommodated in the storage space 21 as described above, the empty space does not occur in the storage space 21 such that the adhesive A does not penetrate into the storage space 21.

상기 충전재(230)는 열전반도체소자(30) 주변에 채워짐을 감안하면 열전달을 차단하는 단열재가 좋다. Considering that the filler 230 is filled around the thermoelectric semiconductor element 30, a heat insulating material that blocks heat transfer is preferable.

한편, 상기와 같이 하우징(20)의 측면에 수평으로 안내통로(22)가 형성되는 열전반도체소자유니트(100)는 안내통로(220)와 접촉하는 리드선(31) 부분은 피복이 벗겨진 상태에서 접착제(A)로 매립하는 것이 좋다. 이는 피복이 벗겨진 리드선(31)은 내부 금속선(31a)이 노출되는데, 상기 금속선(31a)은 접착제(A)가 그 표면에 매립되어 코팅되므로 피복과 금속선(31a) 사이를 통해 외부공기가 수납공간(21) 내부로 유입되는 것을 완벽하게 차단하는 효과가 있다. 물론 이 경우 금속선(31a) 근처의 피복재에도 접착제(A)가 도포되면 피복에도 접착제가 코팅되는 효과가 있다.On the other hand, as described above, the thermoelectric semiconductor device unit 100 in which the guide passage 22 is horizontally formed on the side of the housing 20 has a portion of the lead wire 31 contacting the guide passage 220 in a state where the coating is peeled off. It is good to bury in (A). This is because the lead wire 31 with the coating peeled off exposes the internal metal wire 31a. The metal wire 31a is coated with the adhesive A embedded on the surface thereof, so that the external air is spaced between the coating and the metal wire 31a. (21) There is an effect that completely blocks the flow into. Of course, in this case, when the adhesive A is applied to the coating material near the metal wire 31a, the adhesive is coated on the coating.

한편, 본 발명에 따른 열전반도체소유니트의 제조방법은 다음과 같다.On the other hand, the manufacturing method of the thermoelectric semiconductor unit according to the present invention is as follows.

먼저, 하우징(20)에 형성된 안내통로(22)가 리드선(31)보다 상부에 위치한 열전반도체소자유니트(10) 제조방법을 설명한다.First, a method of manufacturing the thermoelectric semiconductor device unit 10 in which the guide passage 22 formed in the housing 20 is located above the lead wire 31 will be described.

상기 열전반도체소자유니트(10) 제조방법은, The thermoelectric semiconductor device unit 10 manufacturing method,

1) 열전반도체소자(30)와 제1블록(40)을 열전달물질을 이용하여 면접촉상태로 접착시키는 단계;1) bonding the thermoconductor element 30 and the first block 40 to a surface contact state using a heat transfer material;

2) 상기 열전반도체소자(30)가 하우징(20)의 수납공간(21) 내부에 위치하도록 상기 제1블록(40)을 하우징(20)의 수납공간(21)에 삽입하여 그 외측면이 하우징(20) 외부로 돌출되게 장착하는 단계;2) The first block 40 is inserted into the storage space 21 of the housing 20 so that the thermoelectric semiconductor element 30 is located inside the storage space 21 of the housing 20, and the outer surface thereof is disposed in the housing 20. 20, protrudingly mounted to the outside;

3)상기 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 하우징(20)에 형성된 터널형상의 안내통로(22)에 삽입하여 상기 리드선(31)보다 상부에 위치한 안내통로(22)의 출구(22b)를 통해 배출시켜 리드선(31)을 외부로 인출시키는 단계;3) The lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor element 30 is inserted into the tunnel-shaped guide passage 22 formed in the housing 20 so that the outlet 22b of the guide passage 22 located above the lead wire 31 is inserted. Discharging the lead wire 31 to the outside;

4) 상기 하우징(20)의 수납공간(21)에 수납된 열전반도체소자(30)와 열전달물질을 이용하여 면접촉된 상태로 밀착되고 하우징(20)의 수납공간(21)을 밀폐할 수 있도록 제2블록(50)을 하우징(20)에 접착제(A)로 접착고정하는 단계;4) to be in close contact with the surface of the heat conducting semiconductor element 30 accommodated in the accommodating space 21 of the housing 20 by using a heat transfer material and to seal the accommodating space 21 of the housing 20. Bonding the second block 50 to the housing 20 with an adhesive A;

4) 상기 제1블록(40)과 하우징(20)의 수납공간(21) 사이에 형성된 틈새에 접착제(A)를 공급하여 접착고정하는 단계; 및 4) supplying and fixing the adhesive (A) to a gap formed between the first block 40 and the housing space 21 of the housing 20; And

5) 상기 리드선(31)이 배출되는 안내통로(22) 출구(22b)에 접착제(A)를 접착고정시켜 밀폐시키는 단계;를 포함한다.5) and sealing the adhesive (A) by fixing the adhesive (A) to the guide passage 22, the outlet 22b from which the lead wire 31 is discharged.

여기서, 상기 제 2)단계 및 제 3)단계는 동시에 수행 또는 제 3단계를 제 2)단계 이전에 수행할 수 있다.Here, the second step and the third step may be performed simultaneously or the third step may be performed before the second step.

또한, 상기 제 4)단계 및 제 5)단계는 동시에 수행 또는 제 5)단계를 제 4) 단계 이전에 수행할 수 있다.In addition, steps 4) and 5) may be simultaneously performed or step 5) may be performed before step 4).

상기 열전반도체소자(30) 양측면은 열전달물질을 이용하여 제1,2블록(40)(50)과 밀착되는데, 상기 열전달물질은 열전반도체소자(30)와 제1,2블록(40)(50)의 접면부에 발생된 거칠기에 의한 공극을 채워져 그 접면부를 매끈하게 처리하여 열전달이 원할하게 수행할 수 있도록 하는 것이다. 이러한 열전달물질은 열전도그리스를 사용하면 좋다. Both sides of the thermoconductor element 30 are in close contact with the first and second blocks 40 and 50 using a heat transfer material, and the heat transfer material is the thermoconductor element 30 and the first and second blocks 40 and 50. By filling the voids caused by the roughness generated in the contact portion of the) to smooth the contact portion so that the heat transfer can be performed smoothly. The heat transfer material may be a heat transfer grease.

상기와 같은 열전반도체소자유니트(10) 제조방법은 제1블록(40)을 하우징(20)의 수납공간(21)에 삽입할 때 도 5와 같이 제1블록(40)의 걸림턱(41)이 하우징(20)에 걸림고정될 때까지 삽입하고, 이렇게 삽입된 제1블록(40)은 하우징(20)의 수납공간(21) 일측을 폐쇄하게 되는데, 그 외측면이 하우징(20) 외부로 돌출되어 저장용기(V) 등이 밀착고정된다. 여기서, 상기 수납공간(21) 일측을 폐쇄하는 제1블록(40)은 아직 접착제(A)에 의해 고정된 상태가 아니고 단순히 수납공간(21)에 돌출되게 삽입된 상태가 된다.In the method of manufacturing the thermoelectric semiconductor device unit 10 as described above, when the first block 40 is inserted into the accommodation space 21 of the housing 20, the locking step 41 of the first block 40 is illustrated in FIG. 5. Inserted until it is fixed to the housing 20, the inserted first block 40 is to close one side of the storage space 21 of the housing 20, the outer surface of the housing 20 to the outside It protrudes and the storage container V etc. is fixed closely. Here, the first block 40 closing one side of the storage space 21 is not yet fixed by the adhesive A, and is simply inserted to protrude into the storage space 21.

이후, 하우징(20)의 수납공간(21) 내부에 열전반도체소자(30)를 수용한 상태에서 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 안내통로(22)에 삽입하여 하우징(20) 외부로 인출시키게 되는데, 상기 안내통로(22)는 그 출구(22b)가 리드선(31)보다 상부에 위치하여 후공정에서 접착제(A)가 상기 출구(22b)에 공급될 때 접착제(A)가 입구측으로 약간 흘러들어가게 하여 종래 문제점으로 지적된 단점, 즉 접착제(A)가 하우징(20) 외부로 흘러나오는 문제를 해결하였다.Thereafter, the lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor device 30 is inserted into the guide passage 22 in the state where the thermoelectric semiconductor device 30 is accommodated in the accommodation space 21 of the housing 20, thereby externally the housing 20. The guide passage 22 has an outlet 22b located above the lead wire 31 so that the adhesive A enters the outlet 22b when the adhesive A is supplied to the outlet 22b in a later process. Slightly flowed to the side has solved the disadvantage that is pointed out as a conventional problem, that is, the adhesive (A) flows out of the housing 20.

이와 같이 리드선(31)이 하우징(20) 외부로 인출된 다음에는 하우징(20)과 제2블록(50) 접면부에 접착제(A)를 도포한 후 열을 가하여 상기 접착제(A)인 에폭시를 경화시켜 제2블록(50)을 하우징(20)에 접착고정시킨다. 따라서 접착제(A)에 의한 고정은 제1블록(40)보다 제2블록(50)이 먼저 수행된다.After the lead wire 31 is drawn out of the housing 20 as described above, an adhesive A is applied to the housing 20 and the contact surface of the second block 50 and then heated to apply epoxy, which is the adhesive A. By curing, the second block 50 is fixed to the housing 20 by adhesion. Therefore, the fixing by the adhesive A is performed before the second block 50 than the first block 40.

그런 다음에, 상기 제1블록(40)과 하우징(20) 사이의 틈새에 접착제(A)를 공급하고, 안내통로(22) 출구(22b)에 접착제(A)를 공급한 후 열을 가하여 틈새 및 안내통로(22)를 밀폐시키게 된다.Then, the adhesive A is supplied to the gap between the first block 40 and the housing 20, the adhesive A is supplied to the outlet 22b of the guide passage 22, and then the heat is applied to the gap. And the guide passage 22 is sealed.

여기서, 상기 틈새 및 안내통로(22)의 밀폐의 순서는 동시에 할 수도 있고, 2 중에서 어느 하나를 먼저 그리고 나머지를 나중에 할 수 있다.Here, the closing of the gap and the guide passage 22 may be performed at the same time, and any one of the two may be performed first and the rest later.

상기 제1블록(40)과 하우징(20) 사이의 틈새 그리고 안내통로(22)의 출구(22b)를 각각 접착제(A)로 밀폐시킬 때, 접착제(A)로 사용된 에폭시는 열을 받기 전에는 물과 같이 점성을 거의 갖지 않은 액체이나, 상기 틈새를 통해 수납공간(21) 내부까지 깊이 침투하지 못한다. When the gap between the first block 40 and the housing 20 and the outlet 22b of the guide passage 22 are respectively sealed with an adhesive A, the epoxy used as the adhesive A is before being heated. Liquid, which has little viscosity, such as water, does not penetrate deeply into the storage space 21 through the gap.

왜냐하면, 상기 제1블록(40)이 접착제(A)에 의해 먼저 수납공간(21) 하부를 밀폐하고 있으므로 수납공간(21) 상부의 틈새 및 안내통로(22) 출구(22b)에 에폭시가 공급되면 수납공간(21) 내부는 밀폐되어 수납공간(21) 내부의 공기가 출입하지 못하므로 에폭시는 내부 공기에 차단되어 깊이 침투하지 못하게 된다.Because the first block 40 is first sealed by the adhesive (A) to the lower portion of the storage space 21, when the epoxy is supplied to the gap 22 and the guide passage 22 outlet 22b of the upper storage space 21. Since the interior of the storage space 21 is sealed and the air inside the storage space 21 does not enter and exit, the epoxy is blocked by the internal air and does not penetrate deeply.

이러한 상태에서 상기 제조과정 중인 열전반도체소자유니트(10)에 열을 가하게 되면 에폭시는 점차 점성이 높이지면서 반죽상태가 되고, 이후 수납공간(21) 내부에 저장된 공기는 가열된 열에 의해 반죽상태의 에폭시를 통과하면서 증발되고, 상기 공기의 증발이 완료된 시점에서 에폭시는 경화되어 틈새 및 안내통로(22) 출구(22b)를 기밀상태로 밀폐시키게 된다. 따라서 수납공간(21) 내부는 거의 진공상태가 되어 열전반도체소자(30)는 열효율이 향상된다.In this state, when the heat is applied to the thermoelectric semiconductor device unit 10 in the manufacturing process, the epoxy becomes a viscous state gradually increasing in viscosity, and then the air stored in the storage space 21 is epoxy in the kneaded state by heated heat. At the time when the evaporation of the air is completed, the epoxy is cured to seal the gap 22 and the outlet 22b in an airtight state. Therefore, the inside of the storage space 21 is almost in a vacuum state, the thermoelectric semiconductor device 30 is improved thermal efficiency.

다음은 하우징(20)의 안내통로는 하부가 개구되고 수평으로 관통된 열전반도소자유니트(100) 제조방법을 설명한다.Next, the guide passage of the housing 20 will be described a method of manufacturing the thermoelectric semiconductor device unit 100 is opened and horizontally penetrated.

상기 열전반도체소자유니트(100) 제조방법은, The thermoelectric semiconductor device unit 100 manufacturing method,

1) 열전반도체소자(30)와 제1블록(40)을 열전달물질을 이용하여 면접촉상태로 접착시키는 단계;1) bonding the thermoconductor element 30 and the first block 40 to a surface contact state using a heat transfer material;

2) 상기 열전반도체소자(30)가 하우징(20)의 수납공간(21) 내부에 위치하도록 상기 제1블록(40)을 하우징(20)의 수납공간(21)에 삽입하여 그 외측면이 하우징(20) 외부로 돌출되게 장착하는 단계;2) The first block 40 is inserted into the storage space 21 of the housing 20 so that the thermoelectric semiconductor element 30 is located inside the storage space 21 of the housing 20, and the outer surface thereof is disposed in the housing 20. 20, protrudingly mounted to the outside;

3)상기 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 하부가 개구되게 수평방향으로 관통된 상기 하우징(20)의 안내통로(220)에 삽입하여 외부로 인출시키고, 상기 리드선(31) 중 피복이 벗겨겨 노출된 금속선(31a)을 안내통로(220)에 위치시키는 단계;3) The lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor element 30 is inserted into the guide passage 220 of the housing 20 penetrated in the horizontal direction so that the lower portion is opened, and drawn out to the outside, and the lead wire 31 is covered with the lead wire 31. Positioning the peeled and exposed metal wire 31 a on the guide passage 220;

4) 상기 하우징(20)의 수납공간(21)에 수납된 열전반도체소자(30)와 열전달물질을 이용하여 밀착된 상태로 하우징(20)의 수납공간(21)을 밀폐할 수 있도록 제2블록(50)이 접착되는 하우징(20)의 접면부 및 안내통로(220)에 접착제(A)를 도포하여 상기 제2블록(50)을 하우징(20)에 접착고정시키는 단계; 및4) a second block to seal the storage space 21 of the housing 20 in a state of being in close contact with the thermoelectric semiconductor element 30 and the heat transfer material accommodated in the storage space 21 of the housing 20; Adhesively fixing the second block 50 to the housing 20 by applying an adhesive A to the contact portion and the guide passage 220 of the housing 20 to which the 50 is bonded; And

5) 상기 제1블록(40)과 하우징(20)의 수납공간(21) 사이에 형성된 틈새에 접착제(A)를 공급하여 접착고정하는 단계;를 포함한다.5) supplying and fixing the adhesive (A) to the gap formed between the first block 40 and the housing space 21 of the housing 20;

여기서, 상기 제 2)단계 및 제 3)단계는 동시에 수행 또는 제 3단계를 제 2)단계 이전에 수행할 수 있다.Here, the second step and the third step may be performed simultaneously or the third step may be performed before the second step.

또한, 상기 제 4)단계 및 제 5)단계는 동시에 수행 또는 제 5)단계를 제 4)단계 이전에 수행할 수 있다.In addition, step 4) and step 5) may be performed simultaneously or step 5) may be performed before step 4).

다른 실시예의 상기 열전반도체소자유니트(100) 제조방법은, The thermoelectric semiconductor device unit 100 manufacturing method of another embodiment,

1) 열전반도체소자(30)와 제1블록(40)을 열전달물질을 이용하여 면접촉상태로 접착시키는 단계;1) bonding the thermoconductor element 30 and the first block 40 to a surface contact state using a heat transfer material;

2) 상기 열전반도체소자(30)가 하우징(20)의 수납공간(21) 내부에 위치하도록 상기 제1블록(40)을 하우징(20)의 수납공간(21)에 삽입하여 그 외측면이 하우징(20) 외부로 돌출되게 장착하는 단계;2) The first block 40 is inserted into the storage space 21 of the housing 20 so that the thermoelectric semiconductor element 30 is located inside the storage space 21 of the housing 20, and the outer surface thereof is disposed in the housing 20. 20, protrudingly mounted to the outside;

3)상기 열전반도체소자(30)의 리드선(31)을 하부가 개구되게 수평방향으로 관통된 상기 하우징(20)의 안내통로(220)에 삽입하여 외부로 인출시키고, 상기 리드선(31) 중 피복이 벗겨겨 노출된 금속선(31a)을 안내통로(220)에 위치시키는 단계;3) The lead wire 31 of the thermoelectric semiconductor element 30 is inserted into the guide passage 220 of the housing 20 penetrated in the horizontal direction so that the lower portion is opened, and drawn out to the outside, and the lead wire 31 is covered with the lead wire 31. Positioning the peeled and exposed metal wire 31 a on the guide passage 220;

4) 상기 열전반도체소자(30) 외측 수납공간(21)에 충전재(230)를 충전시키는 단계;4) filling the filling material 230 in the outer accommodating space 21 of the thermoelectric semiconductor device 30;

5) 상기 열전반도체소자(30)와 열전달물질을 이용하여 밀착된 상태로 하우 징(20)의 수납공간(21)을 밀폐할 수 있도록 제2블록(50)이 접착되는 하우징(20)의 접면부 및 안내통로(220)에 접착제(A)를 도포하여 상기 리드선(31)의 금속선(31a)이 접착제(A)에 매립된 상태로 상기 제2블록(50)을 하우징(20)에 접착고정시키는 단계; 및 5) contact of the housing 20 to which the second block 50 is adhered to seal the accommodating space 21 of the housing 20 in a state of being in close contact with the thermoconductor element 30 and the heat transfer material. Adhesive A is applied to the surface portion and the guide passage 220 to fix the second block 50 to the housing 20 with the metal wire 31 a of the lead wire 31 embedded in the adhesive A. Making a step; And

6) 상기 제1블록(40)과 하우징(20)의 수납공간(21) 사이에 형성된 틈새에 접착제(A)를 공급하여 접착고정하는 단계;를 포함한다.And 6) supplying and fixing the adhesive A to a gap formed between the first block 40 and the accommodation space 21 of the housing 20.

상기와 같은 열전반도체소자유니트(100) 제조방법은 열전반도체소자(30), 제1,2블록(40)(50)의 조립순서는 안내통로(220) 출구(22b)가 리드선(31)보다 상부에 위치한 열전반도체소자유니트(10) 제조방법과 동일하다. In the method of manufacturing the thermoelectric semiconductor device unit 100 as described above, the assembling order of the thermoelectric semiconductor device 30 and the first and second blocks 40 and 50 is that the outlet 22b of the guide passage 220 is smaller than the lead wire 31. It is the same as the manufacturing method of the thermoelectric semiconductor device unit 10 located above.

다만, 리드선(31)이 피복이 벗겨지고, 상기 벗겨진 부분의 금속선(31a)이 안내통로(220)에 위치되고, 상기 안내통로(220)는 접착제(A)에 의해 도포되어 금속선(31a) 및 이 금속선(31a) 주변 피복이 접착제(A)에 의해 코팅되어 높은 기밀성을 유지할 수 있다는 점에서 약간의 차이가 있다. 그리고, 수납공간(21)의 빈 공간, 즉 상기 열전반도체소자(30) 외측 수납공간(21)에 충전재(230)를 충전시키는 것에 차이가 있다.However, the lead wire 31 is peeled off, and the metal wire 31a of the stripped portion is positioned in the guide passage 220, and the guide passage 220 is applied by the adhesive A to the metal wire 31 a and There is a slight difference in that the coating around the metal wire 31a is coated with the adhesive A to maintain high airtightness. In addition, there is a difference in that the filler 230 is filled in the empty space of the storage space 21, that is, the outer storage space 21 of the thermoelectric semiconductor device 30.

상기 충전재(230)의 기능은 구성의 설명에서 자세히 설명하였으므로 더 자세한 설명은 생략한다.Since the function of the filler 230 has been described in detail in the description of the configuration, a detailed description thereof will be omitted.

도 1은 종래 발명에 따른 열전반도체소자유니트 및 사용상태의 단면도1 is a cross-sectional view of a thermoelectric semiconductor device unit and a use state according to the related art

도 2는 종래 발명에 따른 하우징의 안내통로를 보인 실제품 사진Figure 2 is a picture of the actual product showing the guide passage of the housing according to the prior invention

도 3은 종래 발명에 따른 하우징의 안내통로에 리드선이 관통된 정면 사진Figure 3 is a front view of the lead wire through the guide passage of the housing according to the prior invention

도 4는 종래 발명에 따른 하우징의 안내통로에 리드선이 관통된 평면 사진Figure 4 is a plan view of the lead wire through the guide passage of the housing according to the prior invention

도 5는 본 발명에 따른 일 실시예 열전반도체소자유니트의 단면도5 is a cross-sectional view of an embodiment thermoelectric semiconductor device unit according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 다른 실시예 확대도6 is an enlarged view of another embodiment of a lead wire drawn out of the housing according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 또 다른 실시예 확대도7 is an enlarged view of another embodiment in which the lead wire according to the present invention is drawn out of the housing;

도 8은 본 발명에 따른 리드선이 하우징 외부로 인출된 또 다른 실시예 확대도8 is an enlarged view of another embodiment in which the lead wire according to the present invention is drawn out of the housing;

도 9는 본 발명에 따른 안내통로가 몸체 상부를 관통하여 형성된 것을 보인 하우징 저면 사진Figure 9 is a bottom view of the housing showing that the guide passage according to the invention formed through the upper body

도 10은 본 발명에 따른 안내통로를 확대해서 보인 하우징 저면 사진Figure 10 is a bottom view of the housing shown in an enlarged guide passage according to the present invention

도 11은 본 발명에 따른 하우징 평면 사진11 is a plan view of the housing according to the present invention

도 12는 본 발명에 따른 안내보스에 안내공이 형성된 것을 보인 하우징 정면사진12 is a front view of the housing showing that the guide hole is formed in the guide boss according to the present invention

도 13은 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 실제품 저면 사진Figure 13 is a bottom photo of the actual product drawn lead wire in the guide passage according to the invention

도 14는 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 실제품 확대 사진Figure 14 is an enlarged photograph of the actual product drawn lead wire in the guide passage according to the present invention

도 15는 본 발명에 따른 안내통로에 리드선이 인출된 상태의 분해 사시 사진15 is an exploded perspective photograph of a lead wire drawn out in a guide passage according to the present invention;

도 16은 안내통로가 수평으로 형성된 하우징의 수납공간에 충전재가 삽입된 단면도16 is a cross-sectional view of the filler is inserted into the storage space of the housing the guide passage is formed horizontally

도 17은 본 발명에 따른 안내통로에 피복이 벗겨진 리드선과 수납공간에 충전재가 수납된 상태의 도면FIG. 17 is a view illustrating a state in which a filler is stored in a lead wire and a storage space in which a guide line is peeled off in a guide passage according to the present invention; FIG.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 열전반도체소자유니트 20: 하우징10: thermoelectric semiconductor device unit 20: housing

20c: 안내통로 20c-1 : 안내홈20c: guideway 20c-1: guideway

20c-2 : 구멍 30 : 리드선 20c-2: Hole 30: Lead wire

Claims (17)

몸체 중앙에 수납공간이 관통되고 열전반도체소자의 리드선을 안내하는 안내통로가 형성되는 하우징, 리드선이 상기 하우징의 안내통로를 통해 외부로 노출되게 상기 하우징의 수납공간에 수납되는 열전반도체소자, 상기 열전반도체소자 일측면과 밀착된 상태로 상기 하우징 일측면에 접착제로 접착고정되는 제1블록, 상기 열전반도체소자 타측면과 밀착된 상태로 상기 하우징의 타측면에 접착제로 접착고정되는 제2블록을 포함하는 열전반도체소자유니트에 있어서,A housing in which a storage space penetrates in the center of the body and a guide passage for guiding the lead wires of the thermoelectric semiconductor elements is formed, a thermoelectric semiconductor element housed in a storage space of the housing such that the lead wires are exposed to the outside through the guide passage of the housing, and the thermoelectric And a first block adhered and fixed to the one side of the housing in close contact with one side of the semiconductor device, and a second block adhered and adhered to the other side of the housing in close contact with the other side of the thermoelectric semiconductor device. In the thermoelectric semiconductor device unit, 상기 하우징의 리드선 안내통로는 사방이 폐쇄된 상태로 관통된 터널형태로 형성되고, 상기 안내통로의 입구는 수납공간과 연통되고 출구는 열전반도체소자에 연결된 리드선의 시작점 보다 상부에 위치하며, 상기 안내통로의 출구로 투입되는 접착제에 의해 리드선이 인출된 안내통로가 밀폐되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The lead wire guide passage of the housing is formed in the form of a tunnel penetrated in a closed state on all sides, the inlet of the guide passage is in communication with the storage space and the outlet is located above the start point of the lead wire connected to the thermoelectric semiconductor element, the guide A thermoelectric semiconductor device unit, characterized in that the guide passage in which the lead wire is drawn out by the adhesive injected into the outlet of the passage is sealed. 제 1항에 있어서, 상기 안내통로는 직선의 터널형태를 가지고 상방향으로 관통되며 그 출구는 하우징의 몸체 상면 또는 측면에 노출되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The thermoelectric semiconductor device unit according to claim 1, wherein the guide passage has a straight tunnel shape and penetrates upwardly, and an outlet thereof is exposed to the upper or side surface of the body of the housing. 제 1항에 있어서, 상기 안내통로는 곡선의 터널형태 또는 상부 변곡점과 하 부변곡점을 갖는 곡선의 터널형태를 가지고 상방향으로 관통되며 그 출구는 하우징의 몸체 상면 또는 측면에 노출되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The guide passage of claim 1, wherein the guide passage has a curved tunnel shape or a curved tunnel shape having an upper inflection point and a lower inflection point and penetrates upwardly, and an outlet thereof is exposed to an upper surface or a side of a body of the housing. Thermoelectric Semiconductor Unit. 제 1항에 있어서, 상기 안내통로는 각형의 터널형태를 가지고 상방향으로 관통되며 그 출구는 하우징의 몸체 상면 또는 측면에 노출되는 것을 포함하며,The method of claim 1, wherein the guide passage has a rectangular tunnel shape and penetrates upwards, the outlet of which is exposed to the top or side of the body of the housing, 여기서, 상기 각형은 예각, 직각, 또는 둔각 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.Here, the square is a thermoelectric semiconductor device unit, characterized in that selected from acute angle, right angle, or obtuse angle. 제 1항에 있어서, 상기 안내통로의 입구는 리드선 삽입을 용이하게 할 수 있도록 수납공간과 연통되게 안내홈이 절개된 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The thermoelectric semiconductor device unit according to claim 1, wherein the inlet of the guide passage has a guide groove cut in communication with the storage space to facilitate insertion of the lead wire. 제 1항에 있어서, 상기 안내통로의 내측에 접착제 유입을 저지하는 돌기가 돌출된 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The thermoelectric semiconductor device unit according to claim 1, wherein a projection for preventing the introduction of the adhesive protrudes inside the guide passage. 몸체 중앙에 수납공간이 관통되고 열전반도체소자의 리드선을 안내하는 안내통로가 형성되는 하우징, 리드선이 상기 하우징의 안내통로를 통해 외부로 노출되게 상기 하우징의 수납공간에 수납되는 열전반도체소자, 상기 열전반도체소자 일측면과 밀착된 상태로 상기 하우징 일측면에 접착제로 접착고정되는 제1블록, 상기 열전반도체소자 타측면과 밀착된 상태로 상기 하우징의 타측면에 접착제로 접착고정되는 제2블록을 포함하는 열전반도체소자유니트에 있어서,A housing in which a storage space penetrates in the center of the body and a guide passage for guiding the lead wires of the thermoelectric semiconductor elements is formed, a thermoelectric semiconductor element housed in a storage space of the housing such that the lead wires are exposed to the outside through the guide passage of the housing, and the thermoelectric And a first block adhered and fixed to the one side of the housing in close contact with one side of the semiconductor device, and a second block adhered and adhered to the other side of the housing in close contact with the other side of the thermoelectric semiconductor device. In the thermoelectric semiconductor device unit, 상기 하우징의 리드선 안내통로는 사방이 폐쇄된 상태로 관통된 터널형태로 형성되고, 상기 안내통로의 입구는 수납공간과 연통되고 출구는 열전반도체소자에 연결된 리드선의 시작점 보다 상부에 위치하며, 상기 안내통로의 출구로 투입되는 접착제에 의해 리드선이 인출된 안내통로가 밀폐되고, 상기 출구와 연통되는 위치에 접착제를 수용보관하기 위한 안내보스가 돌출되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.The lead wire guide passage of the housing is formed in the form of a tunnel penetrated in a closed state on all sides, the inlet of the guide passage is in communication with the storage space and the outlet is located above the start point of the lead wire connected to the thermoelectric semiconductor element, the guide And a guide passage through which the lead wire is drawn out by the adhesive introduced into the outlet of the passage, and a guide boss for accommodating and storing the adhesive at a position in communication with the outlet. 제 7항에 있어서, 상기 안내통로에 접착제가 수납공간 내부로 유입되지 않도록 하기 위한 차단부재가 충전되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트. 8. The thermoelectric semiconductor device unit according to claim 7, wherein the guide passage is filled with a blocking member to prevent adhesive from flowing into the storage space. 제 7항에 있어서, 상기 안내보스는 리드선이 측면으로 배출될 수 있도록 측면에 배출홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전반도체소자유니트.8. The thermoelectric semiconductor device unit according to claim 7, wherein the guide boss has a discharge groove formed at a side thereof so that the lead wire can be discharged to the side. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
KR1020090058735A 2009-06-30 2009-06-30 Thermoelectric module unit and the manufacturing process KR100984095B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090058735A KR100984095B1 (en) 2009-06-30 2009-06-30 Thermoelectric module unit and the manufacturing process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090058735A KR100984095B1 (en) 2009-06-30 2009-06-30 Thermoelectric module unit and the manufacturing process

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100004145A Division KR100991746B1 (en) 2010-01-17 2010-01-17 Thermoelectric module unit and the manufacturing process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100984095B1 true KR100984095B1 (en) 2010-09-28

Family

ID=43010479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090058735A KR100984095B1 (en) 2009-06-30 2009-06-30 Thermoelectric module unit and the manufacturing process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100984095B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104346A (en) * 2021-01-18 2022-07-26 전주대학교 산학협력단 Thermoelectric device unit

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653927U (en) * 1992-12-28 1994-07-22 日本精機株式会社 Instrumentation
KR20030076859A (en) * 2002-03-23 2003-09-29 조해광 Structure for cooling device of using the semiconductor thermoelectric element
JP2004079622A (en) * 2002-08-12 2004-03-11 Saginomiya Seisakusho Inc Sealing structure for lead wire leader, and method for sealing lead wire leader

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653927U (en) * 1992-12-28 1994-07-22 日本精機株式会社 Instrumentation
KR20030076859A (en) * 2002-03-23 2003-09-29 조해광 Structure for cooling device of using the semiconductor thermoelectric element
JP2004079622A (en) * 2002-08-12 2004-03-11 Saginomiya Seisakusho Inc Sealing structure for lead wire leader, and method for sealing lead wire leader

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220104346A (en) * 2021-01-18 2022-07-26 전주대학교 산학협력단 Thermoelectric device unit
KR102473032B1 (en) * 2021-01-18 2022-12-01 전주대학교 산학협력단 Thermoelectric device unit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102569616B (en) Methods of forming semiconductor light emitting device packages and molded semiconductor light emitting device strips
TWI485221B (en) Selective cure of adhesive in modular assemblies
US6652795B2 (en) Production method for semiconductor devices using resin molding mold
JP4598053B2 (en) Casing for electronic circuit and method for sealing the casing
KR19990037124A (en) Manufacturing Method of Semiconductor Device and Resin Sealing Device
CN102315178A (en) Semiconductor device
CN107078130B (en) Semiconductor module
WO2021169205A1 (en) Potting mold, potting apparatus, and potting method
WO1998008251A1 (en) Semiconductor and method for manufacturing the same
KR100574582B1 (en) Method for making electronic devices including silicon and ltcc
KR100984095B1 (en) Thermoelectric module unit and the manufacturing process
JP2006246560A (en) Rotor manufacturing method of permanent magnet motor and curing degree prediction method
KR100991746B1 (en) Thermoelectric module unit and the manufacturing process
US9161473B2 (en) Surface mount electronic component
US20090023253A1 (en) Semiconductor Device and Method of Making Same
JP2012033884A (en) Package for semiconductor device, manufacturing method of the same and semiconductor device
MX2015003066A (en) Molds for insert molding, injection molding method, and resin molded product formed by mold.
EP3824494A1 (en) Power semiconductor module and method of forming the same
US5904955A (en) Encapsulation means and method
US11855268B2 (en) Battery apparatus for an electrically driven vehicle
JP2012056289A (en) Insert molding method and insert molding device
JP2002506287A (en) Mold component, method for sealing electronic component disposed on mold and carrier
US8689438B2 (en) Seal apparatus and method of manufacturing the same
US20090261535A1 (en) Device and method for hermetically sealing a cavity in an electronic component
US11804628B2 (en) Thermal management device for battery

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130913

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140304

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150818

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee