KR100972812B1 - 선택가능한 듀얼 포지션 마그네트론 - Google Patents

Abstract

듀얼 포지션 마그네트론(50)은 특히 웨이퍼(18) 상에 배리어 재료의 타겟 에지를 스퍼터링하고 타겟 중심부에 재증착되는 재료를 세정하기 위해 스퍼터링 타겟(16)의 후면에서 중심 축선(60) 주위에서 회전된다. 타겟의 세정 중에 웨이퍼 편향이 감소된다. 일 실시예에서, 아아크 형상의 마그네트론(130)이 회전축(62)에 고정된 브래킷(82)의 한 단부에서 피봇하는 피봇 아암(90) 상에 지지된다. 스프링(96)은 마그네트론이 타겟 중심부 쪽으로 압박되도록 피봇 아암을 편향시킨다. 증가된 회전비에서의 원심력은 스프링 편향력을 극복하여 타겟 에지와 정렬된 긴 마그네트론 칫수 부분을 갖는 외측 위치로 마그네트론을 이동시킨다. 마그네트론(100,102)은 어느 한 방향으로의 과도한 이동을 방지한다. 다른 기구들로는 선형 슬라이더(180)와 액츄에이터(208)가 포함된다.

Description

선택가능한 듀얼 포지션 마그네트론 {SELECTABLE DUAL POSITION MAGNETRON}

본 발명은 일반적으로 재료의 스퍼터링에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 스퍼터링을 개선하기 위해 자기장을 생성하는 마그네트론에 관한 것이다.

스퍼터링, 이와는 달리 지칭되는 물리 기상 증착(PVD)은 집적 회로의 제조에 있어서 금속 층과 관련 재료들을 증착시키는 가장 널리 알려진 방법이다. 스퍼터링은 본래, 웨이퍼 상에 일반적으로 평탄한 재료 층을 증착하는데 사용되었으며 특히, 알루미늄 전기 상호접속 라인(interconnect lines)을 증착하는데 사용되었다. 그러나, 최근에 그 중요성과 도전 정신은 고종횡비의 수직 상호접점 및 유전체 재료 내에, 그리고 유전체 재료를 통해 형성되는 유사한 수직 구조물에 사용되는 재료들을 증착하는 대로 옮겨 왔다. 구리의 금속 배선화도 그 중요성이 변화되었는데, 그 이유는 벌크(bulk) 구리가 전기화학적 도금법(ECP)에 의해 용이하게 증착될 수 있기 때문이다. 그러나, 다수의 얇은 라이너 층들은 ECP 이전에, 구리가 산화물 유전체 층으로 이동하는 것을 방지하고 구리 시드 층(seed layer)이 백금 전극을 제공하여 구리 ECP 층의 성장을 시작하게 하는 예를 들어, Ta 및 TaN과 같은 배리어 층을 필요로 한다.

얇고 균일한 층들을 고종횡비의 벽 상에 스터터 증착시킬 수 있는 기술들이 발전되어 왔다. 상업적으로 상당히 성공한 그러한 하나의 기술은 스퍼터된 원자들이 이온화됨으로써 좁은 구멍 내부로 정전기적으로 흡착될 수 있는 자체-이온화 플라즈마(SIP) 스퍼터링이다. 자체-이온화 플라즈마라고 불리는 이유는 일부의 스퍼터링된 이온들이 많은 원자나 이온들을 스퍼터링하도록 스퍼터링 타겟으로 다시 흡착됨으로써, 아르곤 작동 가스에 대한 필요성을 감소시키고 저압에서의 스퍼터링을 가능하게 하기 때문이다. 극단적인 SIP는 스퍼터된 이온들이 스퍼터링 플라즈마를 유지하는데 충분하여 아르곤의 필요성이 제거된 지속성 자체-스퍼터링(SSS)이다.

SSS 또는 SIP 스퍼터링을 일부 변경한 종래의 PVD 챔버(10)가 도 1에 개략적인 횡단면도로 도시되어 있다. 상기 도면은 미국, 캘리포니아 산타 클라라 소재의 어플라이드 머티어리얼스로부터 이용가능한 엔듀라 PVD 반응기(Endura PVD Reactor)를 기초로 한 것이다. 상기 챔버(10)는 웨이퍼 클램프(22)에 의해 히터 받침대(20) 상에 유지되는 웨이퍼(18) 상에 스퍼터 증착되는 재료, 보통 금속으로 이루어지는 적어도 정면을 갖는 스퍼터링 타겟(16)과 세라믹 절연체(14)를 통해 밀봉되어 있는 진공 챔버 몸체(12)를 포함한다. 웨이퍼 클램프(22)의 대안으로, 커버링 또는 정전기 척이 받침대(20) 내측에 결합될 수 있거나 웨이퍼가 정위치에 유지됨이 없이 받침대(20) 상에 놓일 수 있다. 타겟 재료는 알루미늄, 구리, 티타늄, 탄탈, 코발트, 니켈, 몰리브덴, 10 wt.% 미만의 합금원소를 함유하는 이들 금속의 합금, 또는 DC 스퍼터링에 순응할 수 있는 기타 금속 및 금속 합금일 수 있다. 다른 한편으로, FR 스퍼터링은 유전체 타겟으로부터 재료를 스퍼터링하는데 사용될 수 있다. 챔버 몸체(12) 내에 유지되는 접지 차폐물(24)은 챔버 벽을 스퍼터된 재료로부터 보호하고 접지 애노드를 제공한다. 선택 및 제어가능한 DC 전력원(26)은 차폐물(24)에 대해 약 -600VDC로 타겟(14)을 음편위시킨다. 종래에, 받침대(20) 및 그에 따른 웨이퍼(18)가 전기적으로 부동 상태로 유지되나, 대부분의 SIP 스퍼터링에 있어서 RF 전력원(28)은 AC 용량 결합 회로(30) 또는 더욱 복잡한 동조 및 절연 회로를 통해 받침대(20)에 결합되어서 받침대 전극(20)이 플라즈마의 존재하에서 DC 자체-바이어스 전압을 전개시킨다. 음 DC 자체-바이어스는 진보된 집적 회로의 고종횡비 구멍(hole)의 내측으로 깊숙히 고밀도 플라즈마로 생성된 양전위 스퍼터 이온들을 흡인한다. 받침대(20)가 전기적으로 부동상태를 유지할 때에도 약간의 DC 자체-바이어스를 전개한다.

제 1 가스 소오스(34)는 스퍼터링 작동 가스, 통상적으로 아르곤를 질량 유동 제어기(36)를 통해 챔버 몸체(12)로 공급한다. 예를 들어, 질화 티타늄 또는 질화 탄탈과 같은 반응성 금속 질화물의 스퍼터링에 있어서, 질소가 다른 가스 소오스(38)로부터 자체 질량 유동 제어기(40)를 통해 공급된다. 이와는 달리 산소가 Al₂O₃와 같은 산화물을 제공하도록 공급될 수 있다. 상기 가스들은 챔버 몸체(12) 내부의 다양한 위치로부터 유입될 수 있다. 예를 들어, 챔버 몸체(12)의 바닥 근처에 위치된 하나 이상의 입구 파이프가 가스를 차폐물(24)의 후면에 공급한다. 가스는 차폐물(24)의 바닥에 있는 구멍을 통해서, 또는 커버 링(22)과 차폐물(24) 및 받침대(20) 사이에 형성되는 간극(42)을 통해서 유동된다. 넓은 펌핑 포트(46)를 통해 챔버 몸체(12)에 연결되는 진공 펌핑 시스템(44)은 챔버 몸체(12)의 내측을 저압으로 유지한다. 기본 압력이 약 10^-7 Torr 또는 훨씬 더 낮게 유지될 수 있지만, 종래의 아르곤 작동 가스의 압력은 통상적으로 약 1 내지 100 milliTorr로 유지된다. 그러나, 자체-이온화 스퍼터링에 있어서, 압력은 예를 들어, 0.1 mTorr 아래로 다소 낮게 유지될 수 있다. 특히, 구리에 대한 지속성 자체-스퍼터링에 있어서는 아르곤 공급원이 정지될 수 있으며 챔버 압력은 매우 낮을 수 있다. 컴퓨터-기반 제어기(48)는 DC 전력원(26) 및 질량 유동 제어기(36,40)를 포함한 반응로를 제어한다.

아르곤이 챔버로 유입될 때, 타겟(16)과 차폐물(24) 사이의 DC 전압은 아르곤을 플라즈마로 형성하며, 양전하 아르곤 이온들은 음편위 타겟(16)으로 흡인된다. 상기 이온은 상당한 에너지로 타겟(16)과 충돌하여 타겟 입자가 타겟(16)으로부터 스퍼터되게 한다. 일부의 타겟 입자들이 웨이퍼(18)와 충돌함으로써 웨이퍼 상에 증착되고 타겟 재료 필름을 형성하게 된다. 금속 질화물의 반응성 스퍼터링에 있어서, 질소가 챔버 몸체(12) 내측으로 추가로 유입되어 스퍼터된 금속 원자와 반응하여 웨이퍼(18) 상에 금속 질화물을 형성한다.

효율적인 스퍼터링을 제공하기 위하여, 마그네트론(50)이 타겟의 후면에 위치된다. 마그네트론은 마그네트(52,54)에 이웃한 챔버 내부에 자기장을 생성하도록 자기 요크(56)에 의해 결합된 대향 마그네트(52,54)를 포함한다. 통상적으로, SIP 스퍼터링에 있어서, 마그네트론(50)은 보다 큰 자기 세기를 갖는 대향하는 외측 마그네트(54)에 의해 둘러싸인 하나 이상의 내측 마그네트론에 대해 작고 좁으며 비평형을 이루고 있다. 자기장은 전자를 포획하고, 전하의 중성화를 위해 마그네트론(50)에 인접한 챔버 내부에 고밀도 플라즈마 영역(58)을 형성하도록 이온 밀도가 증가한다. 웨이퍼(18) 상의 균일한 스퍼터링을 달성하기 위해서, 마그네트론(50)은 일반적으로, 모터(64)에 의해 구동되는 축(62)에 의해 타겟(16)의 중심부(60) 주위에서 회전한다. 통상적인 회전 속도는 50 내지 100 rpm이다. 종래의 마그네트론에 있어서, 축(62)은 마그네트(52,54)에 대해 고정되며 타겟 중심부(60)에 동심을 이룸으로써 마그네트론(50)은 타겟 중심부(60)의 주위에 일정한 트랙을 형성한다.

후(Fu)에게 허여된 미국 특허 제 6,306,265호에는 SSS 및 SIP에 유용한 여러 형태의 마그네트론이 설명되어 있다. 상기 특허에 있어서, 마그네트론은 강한 자기장을 형성해야 하며 작은 면적을 가진다. 그럼에도 불구하고, 마그네트론의 회전은 바람직하게 충분한 타겟의 침식과 균일한 스퍼터 증착을 제공해야 한다. 마그네트론은 외측 마그네트(54)와 관련된 대향 극성을 갖는 연속적인 외측 자극에 의해 둘러싸인 하나 이상의 내측 마그네트(52)와 관련된 내측 자극을 포함해야 한다. 내외측 자극은 비평형을 이루고 있다. 즉, 외측 자극에 의해 생성된 전체 자속이 적어도 1.5 배 만큼 내측 자극에 의해 생성된 것보다 실질적으로 크다. 그에 따라, 외측 자극(54)로부터의 자장선은 웨이퍼(16)를 향해 챔버의 내측으로 깊숙히 연장한다. 타겟(16)으로 DC 전력원(26)에 의해 공급되는 전력은 200mm 웨이퍼에 대해 20㎾ 정도로 높다. 그러나, 300mm 웨이퍼에 대한 공급 전력의 비율은 약간 어려움이 따른다. 그럼에도 불구하고, 높은 전력과 작은 마그네트론 영역의 조합으로 마그네트론(50) 및 그에 따른 적절한 고밀도 플라즈마 영역(58) 아래에, RF 유도 코일에 의해 제공되는 것과 같은 보조 플라즈마 공급원의 사용없이 초고전력 밀도를 생성한다. 마그네트론(50)의 형태와 크기는 본 발명의 몇몇 특징과 관련되어 있다.

타겟으로 분배되는 커다란 양의 전력과의 상호작용을 위해서, 타겟(16)의 후면은 후면 냉각 챔버(66)에 대해 밀봉될 수 있다. 냉각된 탈이온수(68) 또는 다른 냉각 액체가 타겟(16)을 냉각시키도록 냉각 챔버(66)의 내측을 통해 순환된다. 마그네트론(50)은 통상적으로, 냉각수(68) 내에 침지되며, 타겟 회전축(62)이 회전 시일(70)을 통해 후면 챔버(66)를 통과한다.

그러한 SIP 챔버(10)는 탄탈 타겟으로부터 예를 들어 TaN/Ta와 같은 배리어 층을 스퍼터링하고 구리 타겟으로부터 얇은 구리 시드 층을 스퍼터링하는데 사용될 수 있다. 상기 구조물과 연속적으로, 그리고 대칭으로 증착되는 특히, 배리어 층은 최소 측벽 커버리지 요건과 비아 보텀 씬-다운/펀치 쓰루우 공정(via bottom thin-down/punch-through process)에 중요하다. 배리어 층의 스퍼터링은 타겟 중심부에 무효한 스퍼터링을 제공하는 반면에 타겟 에지 또는 주변 영역에 집중되는 상당히 작은 마그네트론에 적합하다는 것이 발견되었다. 타겟 주변 영역으로부터 침식된 재료는 균형있는 스텝 커버리지를 달성하기 위해 적합한 입사 각도를 가진다. 또한, 소형 마그네트론은 상당히 낮은 DC 전력 공급에도 높은 전력 밀도와 그에 따른 높은 이온화율을 가진다. 그러나, 타겟 주변부에서의 타겟 침식은 타겟의 중심 영역 주위에 재증착을 유발하며 중심 영역은 더 이상 침식되지 않는다. 재증 착은 스퍼터링 또는 세정 공정 중에 제거될 필요가 있다. 세정 공정은 이후에 설명한다. 구리와 알루미늄의 경우에 균일한 타겟 침식과 높은 스퍼터링 평균치는 각각의 웨이퍼 상에 있는 얇은 배리어 층 또는 시드 층을 위해 스퍼터될 소량의 재료에 대한 우선 고려사항이 아니다.

타겟(16)의 전체 반경 위로 연장하지 않는 마그네트론을 갖는 SIP 스퍼터링을 위해서, 회전 마그네트론(50)은 타겟(16)의 전체 영역을 스캔하지 않으며 스퍼터된 재료는 비스캔 영역 상에 재증착되는 경향이 있다. 구리 재증착이 발생하나 일반적으로 심각한 문제라고 여겨지지 않는데, 그 이유는 재증착된 구리가 구리 타겟과 상당히 잘 결합되기 때문이다. 그러나, 배리어 재증착은 상당한 문제가 될 수 있다. 일부의 배리어 스퍼터링은 웨이퍼 상에 TaN 또는 TiN과 같은 금속 질화물 층을 증착하기 위한 소위, 반응성 스퍼터링이라 불리는 공정에서 질소 분위기 하에 수행된다. 질화물은 또한 금속 타겟 상에서 재증착되며 많은 웨이퍼 사이클에 걸쳐서 두껍게 성장한다. 그러한 재증착된 재료는 박리(flaking)되며 그에 따라 미립자 생성원을 제공하게 된다. 그 결과, 바람직하게는 임계 두께 이상으로 성장하는 것을 방지함으로써 재증착된 배리어 재료가 박리되는 것을 방지할 필요가 있다고 종종 고려된다.

로젠스타인 등에게 허여된 미국 특허 제 6,228,236호에는 재료의 재증착에 대한 해결책이 제시되어 있다. 상기 특허에서는 마그네트론(50)을 편심 아암에 고정하여 원심력을 제어함으로써 마그네트론 구동축(62)의 회전 방향에 따라 마그네트론이 두 개의 반경 방향 위치를 차지할 수 있게 한다. 로젠스타인 등은 반경 방 향 병진운동 기구(74)를 회전 구동축(62)과 마그네트론(50) 사이에 효과적으로 끼워넣었다. 상기 특허는 주로, 타겟의 작동 영역 외의 타겟 주변부에서의 재증착에 관한 것이다. 상기 특허는 마그네트론의 작은 반경 방향으로의 병진운동을 제공하며 회전 원둘레에 대한 마그네트론의 방위는 두 위치 사이에서 실질적으로 변경되지 않고 유지된다. 또한, 스위칭은 적어도 일부가 유체역학에 의존한다. 로젠스타인의 설계는 타겟 중심부를 세정할 수 있게 하나, 이는 마그네트론의 역회전에 의존한다. 그 대신에, 마그네트론을 역회전시킬 필요없이 다중 회전 반경 사이에서의 병진운동을 활발하게 하는 마그네트론 설계 방식을 제공하는 것이 바람직하다. 그러한 설계는 세정 모드 위치로의 도달에 필요한 시간을 최소화함으로써, 웨이퍼 증착 시간 비율을 최대화하고 그에 따라 생산성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다.

예를 들어, 홍 등에 의해 2002년 5월 21일자로 출원되어 현재, 미국 특허 제 6,841,050호로 허여된 미국 특허 출원 번호 10/152,494호, 밀러 등에 의해 2003년 4월 17일자로 출원되어 현재, 미국 특허 제 6,852,202호로 허여된 미국 출원 번호 10/418,710호와 같은, 다양한 형태의 위성 마그네트론이 제안되어 있으며, 이들 두 특허는 본 출원인에 양도되었다. 상기 위성 마그네트론 기구는 두 개의 회전 아암에 의해 생성되는 위성 궤적 내에 있는 실질적으로 모든 타겟 표면 위의 소형 마그네트론을 스캔할 수 있다. 회전 궤적을 통한 한번의 위성 스캔 방식이 재증착을 방지하는데 사용되지만, 1차적인 스퍼터링을 타겟의 상당히 좁은 방사상 영역으로 제한하는 것이 종종 바람직하다.

본 발명의 일면에 있어서, 2단계 스퍼터 공정은 외측 원형 궤적에서 이동하는 소형 마그네트론으로 타겟의 외측 에지를 스캔하는 동안 기판 상에 배리어 금속을 스퍼터 증착하는 단계 및 내측 원형 궤적에서 이동하는 상기 소형 마그네트론으로 적어도 타겟의 중심부를 스캔하는 단계를 포함한다. 상기 세정 단계는 증착될 모든 기판에 대해 매번 수행되거나 수 개의 기판마다 또는 수백 ㎾ 마다의 타겟 전력 사용 후에 수행될 수 있다.

기구가 타겟 반경에 대한 마그네트론의 유효 중심부로 이동하며 회전 축은 상이한 타겟 반경에서 마그네트론을 타겟 중심 주위에서 회전시킨다.

듀얼-포지션 마그네트론을 위한 하나의 일방향 다단 원심력 기구가 기계식 구동축에 의해 스퍼터 타겟의 중심 축선 주위에서 회전되는 브래킷 상에서 피봇운동하는 피봇 아암에 마그네트론을 지지한다. 스프링 또는 다른 편향 수단이 마그네트론을 중심 축선에 대해 하나의 반경 방향으로 편향시킨다. 구동축의 회전비에 의존하는 원심력은 상이한 편향력을 극복하기에 충분히 높게 설정될 수 있다. 그럼으로써, 회전비의 선택에 의해 마그네트론이 중심 축선으로부터 상이한 반경에서 회전할 수 있게 한다. 바람직하게, 브래킷과 피봇 판 사이에 연결되는 인장 스프링은 마그네트론 상의 원심력이 인장 스프링을 외측으로 압박하는 동안에 마그네트론을 중심 축선쪽으로 편향시킨다.

기계식 정지수단이 어느 한 방향으로의 피봇팅을 방지하는데 사용됨으로써, 회전 반경에 대한 확실한 제어를 제공한다. 정지 수단은 탄성 범퍼 또는 쇼크 업소버(shock absorber)와 같은 충격 흡수기이어야 한다.

브래킷과 피봇 아암 사이의 피봇 기구는 듀얼-포지션 마그네트론이 타겟 후면에 있는 냉각 수조에서 듀얼-포지션 마그네트론이 작동할 수 있게 하도록 적어도 하나의 역학적 시일을 포함하는 두 개의 수밀 베어링을 포함할 수 있다.

이와는 달리, 원심력 듀얼 포지션 기구는 반경 방향으로 연장하는 슬롯이 회전 브래킷 내에 형성되어 있는 선형 슬라이더로 실시될 수 있다. 마그네트론 지지대가 슬롯 내에 끼워맞춰지며 슬롯 내부에서 반경 방향으로 미끄럼 운동한다. 하나 이상의 스프링은 원심력에 의해 마그네트론을 중심으로부터 멀어지게 압박하는 동안 마그네트론을 회전 중심부 쪽으로 편향시키는데 사용될 수 있다. 지지대와 슬롯의 어느 한 단부와의 결합은 강력한 기계식 정지 수단을 제공한다.

원심력 또는 액츄에이터에 의한 마그네트론의 피봇 운동은 짧고 긴 치수를 갖는 긴 마그네트론에 유리하게 적용될 수 있다. 타겟의 에지 스퍼터링을 위해서 마그네트론이 회전 중심부로부터 반경 방향에 수직한 긴 치수를 갖는 타겟 에지 근처에 위치된다. 중심부의 세정을 위해서, 마그네트론은 회전 중심부로부터 반경 방향으로 작은 각도, 예를 들어 60도 미만으로 경사진 긴 치수를 갖는 타겟 중심부에 가깝게 위치된다.

외부에서 제어되는 액츄에이터도 마그네트론이 지지되어 있는 회전 판의 (적어도 일부분이)반경 방향으로 마그네트론을 선택적으로 이동시키는데 사용된다. 스프링과 같은 수동 편향 수단과 반대로 작동하도록 회전축을 통해 공급되는 유체에 의해 구동되고 회전 판 상에 위치되는 예를 들어, 유체 또는 공압식 액츄에이터는 액츄에이터와 편향 수단이 마그네트론을 대향된 반경 방향으로 압박하는 동안에 회전 판 상에 위치된다. 마그네트론의 운동은 회전판 상에서 선형일 수 있으며, 또한 회전판의 회전축으로부터 오프셋된 회전판상의 피봇 축선 주위에서 피봇될 수 있다.

도 1은 자체-이온화 플라즈마(SIP) 스퍼터 반응로의 개략적인 횡단면도이며,

도 2는 본 발명의 원심력 듀얼 포지션 마그네트론 기구의 실시예를 개략적으로 도시하는 도면이며,

도 3은 외측 위치에 있는 도 2의 듀얼 포지션 마그네트론의 개략적인 평면도이며,

도 4는 내측 위치에 있는 도 2의 마그네트론의 개략적인 평면도이며,

도 5는 듀얼 포지션 마그네트론의 운동 역학을 설명하는데 유용한 그래프이며,

도 6은 듀얼 포지션 마그네트론에 유용한 피봇 기구의 실시예를 도시하는 횡단면도이며,

도 7은 본 발명에 유용하게 사용될 수 있는 마그네트론의 제 1 실시예를 도시하는 사시도이며,

도 8은 마그네트론의 제 2 실시예를 도시하는 사시도이며,

도 9는 피봇 운동하는 아아크 형상의 듀얼-포지션 마그네트론의 두 개의 위치를 도시하는 개략적인 평면도이며,

도 10은 본 발명의 듀얼 포지션 마그네트론용 원심력 슬라이더의 개략적인 평면도이며,

도 11은 마그네트론을 반경 방향으로 이동시키기 위한 액츄에이터를 포함하는 기구의 개략적인 횡단면도이다.

본 발명의 일면에 따라서, 본 발명은 특히. 내화성 배리어 재료로 구성되고 반응성 스퍼터 증착에 적어도 부분적으로 사용되는 스퍼터 타겟의 하나의 환상 영역으로부터 스퍼터링하는 제 1 단계와, 스퍼터 타겟의 적어도 나머지 부분으로부터 스퍼터링하는 제 2 단계를 교대로 포함하는 두 단계의 공정을 포함한다. 두 개의 단계는 두 단계 사이에 회전하는 마그네트론의 반경 방향 위치를 이동시킴으로써 동일한 마그네트론을 사용할 수 있다. 제 2 단계는 재증착된 재료의 타겟을 세정하는데 특히 유효하다. 유리하게, 상기 두 단계에서 마그네트론은 타겟 중심 주위에서 동일한 방향으로 회전된다.

배리어를 고종횡비 구멍 내측에 스퍼터 증착하기 위해서, 상기 제 1 단계는 타겟의 중심 축선 주위에서 마그네트론을 회전시킴으로써 타겟의 주변 에지 근처에서 상당히 작고 비평형인 마그네트론을 스캔시킴으로써 유리하게 수행된다. 그 후, 마그네트론은 타겟의 중심 축선 쪽으로 이동되어서 타겟 중심부에 가까운 영역을 스캔하며 마그네트론은 동일 방위각 방향, 그러나 상이한 반경에서 스캔된다. 마그네트론이 타겟 중심부에 놓인 경우에, 마그네트론은 더욱 균일한 세정을 제공하도록 타겟 중심부 주위에서 회전된다. 반경 방향으로의 이동 중에 마그네트론을 계속해서 회전시키는 것이 통상적이지만, 에지 스퍼터링과 중심부 세정에는 통상적으로, 마그네트론이 각각의 두 위치에서 수십 회의 주기로 회전되도록 1초보다 훨씬 긴 시간을 필요로 한다.

마그네트론을 이동시키기 위한 기구는 다수의 상이한 형태를 가질 수 있다.

본 발명의 일면에 있어서, 본 발명은 도 2에 사시도로 도시되어 있으며 단일 회전 방향으로 회전 속도에 따라 두 개의 회전 반경 사이에서 스위칭 가능한 듀얼-포지션 원심력 피봇팅 마그네트론 조립체(80)를 포함한다. 마그네트론 조립체(80)는 반응기의 중심 회전 축선(60)을 중심으로 회전하는 회전 구동축(62)에 고정되는 브래킷(82)을 포함한다. 브래킷(82)의 하나의 아암의 단부는 피봇 판(84)이 피봇 축선(88)을 중심으로 피봇할 수 있게 하는 피봇 기구(86)를 통해 피봇 판(84) 아래에 회전가능하게 지지된다. 피봇 판(84)은 마그네트론(50)의 요크를 형성하도록 강자성 재료로 구성되는 후면 판(90)을 지지한다. 구성적 목적을 위해서, 후면 판(90)은 피봇 판(84)의 일부분으로서 고려될 수 있는데, 그 이유는 이들이 피봇 축선(88)을 중심으로 함께 피봇되기 때문이다. 하나의 부싱(92)이 회전 축선(60)과 피봇 기구(86) 사이의 브래킷(82)에 고정되며 다른 하나의 부싱(94)은 후면 판(90) 상의 마운트(95)에 고정된다. 인장 스프링(96)의 두 단부들은 두 개의 부싱(92,94)에 부착된다. 제 1 나이론 정지부(100)는 브래킷(82)의 한 측면에서 피봇 판(84)에 나사 결합되며 제 2 나이론 정지부(102)는 브래킷(82)의 다른 한 측면에서 후면 판(90)에 나사 결합된다. 각각의 정지부(100,102)는 나사용 관통 구멍을 갖춘 금속 노브, 및 브래킷(82)에 대한 갑작스런 접촉에 의한 충돌과 충격을 완 충시키기 위해 외측에 끼워 맞춰지는 관형의 부드럽고 탄성적인 나이론 외피를 포함한다. 스프링(96)은 제 2 정지부(102)를 갖춘 후면 판(90)의 측면을 브래킷(82) 쪽으로 편향시키고, 그에 따라 마그네트론을 회전 축선(60) 쪽으로 편향시킨다. 그러나, 내측 방향으로의 피봇팅은 브래킷(82)과 맞닿아 결합되는 제 2 정지부(102)에 의해 제한된다. 다른 한편으로, 구동축(62)의 회전으로 상당한 원심력을 마그네트론(50)과 그 관련 소자들에게 부여하여 제 2 정지부(102)를 갖춘 후면 판(90)의 측면을 회전 축선(60)으로부터 멀어지는 외측 반경 방향으로 브래킷(82)으로부터 멀어지게 민다. 그러나, 외측 방향으로의 피봇팅은 브래킷(82)과 맞닿아 결합되는 제 1 정지부(100)에 의해 제한된다. 회전 속도는 내향 스프링 편향력 또는 외향 원심력 중 어느 것이 우세하냐에 따라 결정된다.

두 개의 운동이 어떤 면에서 동등하지만 피봇 판(84)이 피봇운동하는 동안에 회전 구동축(62)이 회전되도록 하는 중요한 기술이 사용된다. 그러나, 두 운동 사이의 더욱 현저한 차이점은 마그네트론(50)은 다수의 360°회전을 위해 일정하지만 회전 축선(60)으로부터 선택된 반경에서 회전하는 반면에, 피봇 판(84)은 하나의 반경 위치로부터 다른 반경위치로 변화되면서 약 90°미만의 범위에서 피봇한다는 점이다. 기계적 편향 기술은 물체를 편향력의 방향으로 이동시키도록 압박하도록 물체에 가해지는 예정된 제한력을 의미하는 것으로 이해되나 통상적으로 실제 이동은 이동 방향과 반대인 대항력에 의존한다.

균형추(104)가 브래킷(82)의 다른 아암에 고정되며 회전 중의 진동을 감소시키도록 마그네트론(50)과 그 관련 소자들과 동일한 관성 운동을 갖도록 설계된다. 그러나, 마그네트론(50)의 관성 운동이 반경 방향 위치에 의존하므로, 균형추가 회전 축선(60)에 대해 동일한 반경 방향 운동을 한다면 균형이 개선된다. 마그네트와 같은 포지션 플래그(106)는 후면 판(90)에 고정되며, 도 1에 도시된 자기 홀 센서와 같은 포지션 센서(108)는 회전 마그네트론(50) 위의 지붕에 배열되어서 회전 마그네트(106)가 자기 센서(108)의 아래를 통과하거나 통과하지 않을 때 제어기(48)가 마그네트론의 현재 반경 방향 위치를 결정할 수 있게 한다.

본 발명의 이러한 실시예에서, 회전 구동축(60)의 회전비 변화는 원심력이 스프링 편향력을 극복할 수 있게 하여 마그네트론(50)을 제 1 외측 반경 위치에 위치시키거나, 스프링 편향력이 우세하여 마그네트론(50)을 제 2 내측 반경 위치에 위치시킨다. 도 2에 도시된 마그네트론의 위치는 원심력이 더 큰 외측 위치(OUT position)이다. 외측 위치는 도 3의 평면도에 개략적으로 도시되어 있으며, 여기서 피봇 판(84)은 강조되었으나 간단히 도시되어 있다. 회전 구동축(62)이 충분히 높은 회전비(f_out)로 하나의 회전 방향으로 회전되면, 마그네트론(50) 상의 원심력은 스프링 인장력 보다 더 켜서 피봇 판(84)과 부착된 마그네트론(50)이 브래킷(82)으로부터 도시된 외측 위치로 피봇 축선(88)을 중심으로 외측으로 피봇되게 한다. 대조적으로, 도 4에 개략적으로 도시된 내측 위치(IN position)에서, 회전 구동축(62)은 스프링 인장력이 원심력보다 더 커서 스프링(96)이 피봇 판(84)과 부착된 마그네트론(50)을 밀어 브래킷(82)을 향해, 그리고 도시된 내측 위치로 피봇 축선(88)을 중심으로 내측으로 피봇되게 하는 충분히 낮은 회전비과 동일한 회전 방향으로 회전된다. 마그네트론의 위치와 무관하게, 구동축(62)은 중앙 회전 축선(62)을 중심으로 마그네트론(50)을 계속해서 회전시키나 중앙 축선(62)으로부터의 마그네트론(50)의 반경 방향 변위는 내측 위치보다 외측 위치에서 크다. 그러므로, 마그네트론(50)은 상이한 반경 방향 위치에 있을 때 타겟의 상이한 영역을 스캔한다.

마그네트론의 운동 역학은 도 5의 그래프를 참고하여 설명될 것이다. 직선(110,111,112)은 3 개의 회전축 회전비, 즉 50rpm, 68rpm, 85rpm에 대한 피봇 판(84)과 브래킷(82) 사이의 피봇 각도의 함수로서, 마그네트론(50)에 의해 주로 가해지는 원심력에 의해 피봇판(84)에 가해지는 피봇 축선(88) 주위의 토오크를 나타낸다. 도시된 메카니즘의 구성에 있어서 항상 외측 방향인 피봇 토오크는 회전비를 증가시키며, 또한 피봇 판(84)이 마그네트론(50)을 회전 축선(62)으로부터 외측으로 이동시킬 때 피봇 각도와 함께 증가된다. 점선(113)은 피봇 각도의 함수로서 스프링(96)의 인장력에 의해 가해진 피봇 축선(88) 주위의 토오크를 나타낸다. 스프링 토오크는 항상 내측 방향이다. 순수 토오크는 원심력 토오크와 스프링 토오크 사이의 차이값이며 차이값의 부호는 피봇 판(82)이 내측 또는 외측으로 피봇하는가를 결정한다. 원심력과 스프링 토오크는 스프링 각도에 의해 영향을 받는데, 이는 스프링 길이와 마그네트론 반경의 변화로 편향력과 원심력이 변할 뿐만 아니라 브래킷의 장축선에 대해 토오크 아암의 형상이 변하기 때문이다. 쌍안정 작동(bistable operation)은 그래프에서 50rpm 및 68rpm과 같은 두 개의 회전 비(f_IN,f_OUT)이 두 개의 정지부 사이의 피봇 각도의 모든 값에 대한 스프링 토오크를 완전히 계층화하여 마그네트론의 낮은 회전비(f_IN)에서의 회전이 모든 방향의 내측 정지부로 전달되고 마그네트론의 높은 회전비(f_OUT)에서의 회전이 모든 방향의 외측 정지부로 전달되도록 선택된다.

그러나, 그러한 역학은 본래 마찰력을 가져서 늘 임의의 운동을 강요하는 회전 피봇 판(84)과 브래킷(82) 사이의 회전 시일에 의해 가해지는 토오크에 의해 복잡해 진다. 시일 토오크는 상대 운동이 없을 때 가장 크며 일단 운동이 시작되면 작아진다. 마그네트론은 브래킷(82)이 제 1 정지부(100)와 맞닿고 f_OUT = 68 rpm으로 회전하는 안정한 외측 위치에 있다고 가정하면, 회전비는 원심력 토오크가 시일 토오크를 극복하는 추가의 회전 감소분에 의해 스프링 토오크와 동일해지는 균형 지점 아래에 있을 필요가 있다. 그 후, 마그네트론은 외측 위치에 있고 f_IN = 50rpm으로 회전하는 위치(2)에 일시적으로 있게 된다. 그 후, 마그네트론은 브래킷이 제 2 정지부(102)와 맞닿고 50rpm으로 회전하는 내측 위치에 마그네트론이 있는 안정한 내측 위치로 빠르게 이동한다. 50rpm이 시일 토오크를 초과하는 이탈 지점 이하이면, 마그네트론은 회전비가 50rpm에 도달하기 이전에 위치(3)로 이동하기 시작한다. 유사하게, 안정한 위치(3)로부터 외측으로 이동하는 것이 바람직할 때, 회전비는 원심력 토오크와 스프링 토오크 사이의 차이값이 시일 토오크를 초과함으로써 68rpm으로 내측 위치에서 회전하는 지점(4)에 마그네트론을 일시적으로 위치시킬 수 있도록 충분히 상승되어야 한다. 그 후 마그네트론은 안정한 외측 위치(1)로 빠르게 외측으로 이동한다.

두 위치 사이의 전환은 회전비가 이동을 막 시작할 때보다 더 빠르거나 느리다면 가속될 수 있다. 예를 들어, 외측 위치로부터 내측 위치로 이동될 때 회전비는 비평형 토오크를 충분히 증가시키기 위해서 68rpm으로부터 50rpm 이하로 충분히 감소될 수 있다. 마그네트론이 내측 위치에 도달할 때, 회전비는 50rpm으로 감소될 수 있다. 유사하게, 내측 위치로부터 외측 위치로 이동될 때, 회전비는 50rpm으로부터 68rpm 이상으로 충분히 증가되어 이동을 시작 및 완료하며, 그 후에 68rpm 또는 그 이하로 감소될 수 있다.

마그네트론의 운동은 회전비가 변경될 때, 그리고 냉각수의 소용돌이 운동이 일반적으로 회전 브래킷(82) 및 마그네트론(50)을 따라서 안정한 상태에 도달하기 이전에 중요하게 되는 유체역학적 효과와는 무관하게 도 2, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명된다. 도 3 및 도 4에 나타낸 회전 방향은 점성 냉각수를 통해 마그네트론(50)을 당기도록 작용한다. 회전비를 증가시킬 때의 추가의 유체역학적 힘은 외측 위치를 향한 전이를 가속시키도록 작용한다. 대조적으로, 회전 방향이 도시된 것과 반대이면, 유체를 통해서 마그네트론(50)을 밀게 된다. 회전비가 감소될 때, 유체역학적 힘은 마그네트론(50)을 중심 위치 쪽으로 더욱 빠르게 가압한다.

피봇 기구는 여러 요건을 고려하여 설계되어야 한다. 피봇 기구는 냉각수 내에 침지되며, 최소의 강하율과 진동율로 마그네트론을 회전가능하게 지지하여야 하는데, 특히 그 이유는 마그네트론이 타겟 후면에 아주 근접해서 회전되어야 하기 때문이다. 피봇 기구는 회전비에 요구되는 차이를 감소시키기 위해서 시일 토오크와 다른 마찰 효과를 최소화해야 한다. 도 6에 횡단면도로 도시된 피봇 기구(86)는 만족스런 성능을 제공한다. 적어도 하나의 나사가 피봇 축선(88)에 정렬되게 스핀들(114)을 피봇 판(84)에 고정한다. 관형 스페이서(117)에 의해 분리된, 밀봉 윤활제를 갖춘 베어링(115,116) 쌍의 내측 레이스는 스핀들(110)에 나사결합되는 플랜지(118)에 의해 스핀들(114) 상에 부착된다. 베어링(115,116)의 내측 레이스는 나사에 의해 브래킷(82)에 고정된 캡(122)에 의해 상부 베어링(115)의 외측 레이스의 축방향 단부에 대해 가압되는 환형의 예비장전된 스프링(120)에 의해 브래킷(82) 상에 부착된다. 베어링(115,116)을 포함하고 있는 공동은 양 단부에서, 브래킷(82)과 캡(122) 사이의 정적 O링 시일(124) 및 스핀들(114)의 하부 외측 주변부와 브래킷(82)의 내측으로 연장하는 립(128) 사이의 동적 시일(126)에 의해 습기 환경에 대해 밀봉된다. 마찰 시일 토오크를 감소시키기 위해, 동적 시일(126)의 직경은 최소화되어야 한다.

나이론 정지부(100,102)는 NdFeB와 같은 강자성 재료의 취성과 마그네트론으로 인해 불충분한 내충격성을 제공한다. 따라서, 자동차에 사용되는 것과 유사하며, 다른 부재 상에 정지부를 더욱 유연하게 결합시키도록 피봇 판과 후면 판 상이나 브래킷 상에 장착될 수 있는 스프링 장전된 충격 흡수기로 상기 나이론 정지부를 대체하는 것이 바람직하다.

비평형 아아크 형상의 마그네트론(130)의 양호한 제 1 실시예가 도 1 및 도 2를 참조하여 도 7에 사시도로 도시되어 있다. 원통형 축선을 따른 제 1 자기 극성을 갖는 20 개의 원통형 영구 자석(132)이 후면 판(90) 상의 근접 외측 밴드에 배열되며 이는 피봇 판에 고정되는 지지대뿐만 아니라 자기 요오크로서의 역할을 한다. 반대의 자기 극성을 제공하기 위해 동일한 설계이나 역형상을 갖는 마그네트(134)가 외측 밴드 내에 아아크 형상으로 배열된다. 따라서 외측 자기 밴드는 전술한 후 특허에 설명되어 있는 바와 같이, 마그네트론이 비평형을 이루도록 두 배만큼 내측 자기 아아크의 자기 세기보다 큰 자기 세기를 가진다. 그러나, 타겟의 외측 주변부의 이온화 스퍼터링을 더욱 강조하고 자기의 측면 제한을 더욱 강화하기 위해, 중심 근처의 대향 아아크 형상 쪽에서보다 타겟 에지 근처의 아아크 형상 쪽에서 비평형이 더 크다. 외측 마그네트(132)는 밴드 형상의 자극 부품(136)에 의해서 덮여 있고 내측 마그네트(134)는 아아크 형상의 자극 부품(138)에 의해 덮여 있다. 밴드 형상의 자극 부품(136)의 유연한 볼록면(140)은 마그네트론(130)이 외측 위치에 있고 타겟 주변 근처에 있는 그 위치에서 회전할 때 타겟의 외측 주변과 일반적으로 정렬된다. 유사한 유연한 볼록면이 후면 판(90)에 존재한다. 다른 한편으로, 소형 오목면이 밴드형상의 자극 부품(136)의 다른 쪽에 위치된다. 오목면은 유연한 형상이며 첨점(尖點)을 형성한다. 자극 부품(136,138)은 타겟의 내측면에 평행한 자기장 영역을 일반적으로 형성하며 타겟의 정면에 인접되게 플라즈마 루프를 형성하는 자극 부품들 사이에 거의 일정한 간극을 갖도록 배열된다. 후면 판(90)과 자극 부품(136,138) 사이에 고정되는 비자성 분리 판(142)은 마그네트(132,134)가 정확히 끼워 맞춰짐으로써 정렬되는 구멍들을 포함한다. 마그네트론(130)의 작동 중심부는 아아크 형상의 내측 자극 부품(138) 내에 있는 마그네트(132,134)의 중력 중심부와 거의 일치한다.

마그네트론(130)이 만족스런 결과를 제공하지만, 두 개의 마그네트론 위치들 사이에 변화하는 운동학은 중력 중심이 외측 반경 방향으로 이동되어서 마그네트론이 반경 방향으로 이동될 때 관성 모멘트의 변화가 크면 개선된다. 중력의 중심이 외측으로 변위된 마그네트론(150)의 제 2 실시예가 도 8에 사시도로 도시되어 있다. 예를 들어, 비자성 스테인레스 스틸의 비-자성 얼라인먼트 및 균형추(152)가 도 7의 분리판(142)을 대체한다. 블록(152) 내부의 다우얼 핀(dowel pin)은 블록을 후면판(90)과 자극 부품(136,138)에 정렬시킨다. 나사(154)는 후면 판(90)과 블록(152)을 관통해 자극 부품(136,138) 내측으로 나사 결합되어 마그네트론을 함께 유지시킨다.

블록(152)은 밴드형 자극 부품(136)의 외측 볼록부(140)로 연장하는, 즉 마그네트론(150)이 외측 위치에 있을 때 외측 반경 방향으로 연장하는 균형추 부분(156)을 포함한다. 균형추 부분(156)은 마그네트의 길이와 실질적으로 동일한 두께를 가지며 축방향 관통 구멍(158)을 제외하면, 실질적으로 연속적인, 도시된 모든 내측 마그네트 및 도시된 모든 외측 마그네트의 외측 반경 방향 반원로 형성된다. 상기 블록(152)은 감소된 두께와 나머지 10개의 외측 마그네트(132)용 구멍을 갖는 세미-칼라부(160)도 포함한다.

아아크 형상의 마그네트론(150)은 도 7의 마그네트론(130) 보다 유연한 볼록 에지(140)에 더 가까우며 조립이 보다 용이한 몇몇 부품으로 보다 간단히 설계된 중력 중심부를 가진다. 균형추 부분(156)으로 인해 추가된 약 2㎏의 중량은 두 개 의 안정한 위치들 사이로의 전환을 용이하게 한다. 그러나, 추가된 중량은 두 개의 상이한 반경 방향 위치들에서 이동가능한 컨틸레버 구조물 상에 회전가능하게 지지되어서 도 8의 경량 설계보다 하강 및 진공과 관련된 더 많은 문제점을 제공한다. 또한, 추가된 중량은 정지부에서의 충격을 증가시킨다.

아아크 형상의 마그네트론(130,150)은 다른 방향보다 한 방향으로 실질적으로 더 긴 두 개의 자극 부품(136,138)들 사이의 간극의 외경에 의해 한정된 전체 형상을 가진다. 이러한 형상은 2 단계 스퍼터 증착 및 세정 공정에 유리하다. 도 9의 저면도에 도시한 바와 같이, 스퍼터 증착 동안에 직선으로 도시된 아아크 형상의 마그네트론(130)은 타겟(16)의 유효 에지(170) 근처에 배열되며, 이들은 커다란 칫수 부분은 회전 축선(60)으로부터 마그네트론의 중심부로 연장하는 반경에 수직하고 타겟의 원주위를 따라 정렬되며 작은 칫수 부분은 일반적으로 타겟 반경을 따라 정렬된다. 특히, 스퍼터 증착에 있어서 외측 자극(136)의 외부는 타겟(16)의 유효 에지(170) 위에 놓일 수 있다. 두 개의 자극(136,138) 사이의 간극(172)에는 일반적으로, 타겟 에지(170) 근처로부터 내측 반경 방향 쪽으로 연장하는 플라즈마 루프에 인접한 타겟(16)의 환형 영역에 대한 스퍼터링을 발생시키는 스퍼터 챔버의 내측으로 플라즈마 루프가 형성된다. 에지 스퍼터링의 일 실시예에서, 플라즈마는 타겟 반경의 외측 반원 내로 연장하는 환형 밴드를 트랙 스캔하며 타겟의 내측 반원에서는 스캔되지 않는다.

스퍼터 증착 중에, RF 소오스(28)는 배리어 재료로 등각 코팅될 고 종횡비 구멍 내측에 스퍼터된 이온들을 깊숙히 가속시키도록 웨이퍼(18)를 강력히 편향시 킨다. 마그네트론(130)은 상당히 작지만 타겟 중심부(60) 주위에서 회전하여 마그네트론 간극(172)을 포함하는 타겟 중심부(60) 주위의 환형 밴드 내에 상당히 균일한 스퍼터 침식을 생성한다. 상당히 작은 마그네트론으로 인해 환형 밴드 내의 평균 스퍼터 비율을 상당히 작게 할 수 있다. 그러나, 낮은 증착은 구리 또는 다른 금속 배선을 위해 커다란 구멍을 남겨 놓도록 얇아야 할 필요가 있는 고 종횡비 구멍 내에 배리층을 수용할 수 있게 한다.

세정 단계의 시작시에, 회전 속도는 감소되고 마그네트론(130)은 타겟 중심부(60)에 더 가까운 점선에 의해 표시된 위치로 피봇 지점(88)을 중심으로 스윙된다. 이러한 위치에서, 마그네트론(130)의 긴 칫수 부분은 타겟 원주위 보다 타겟(16)의 반경에 더 가깝게 정렬됨으로써, 타겟의 커다란 반경이 세정될 수 있게 한다. 도시한 바와 같이, 긴 칫수 부분은 회전 축선(60)으로부터의 반경으로부터 마그네트론의 중심부로 약 45도 경사져 있으나, 경사각은 0°내지 60°범위가 유리할 수 있다. 또한, 세정 위치에서의 마그네트론 간극(172)은 타겟 중심부(60)로부터 상기 간극(172)으로 연장하여 증착 위치 내에 플라즈마 루프를 형성한다. 그 결과로, 증착 단계에서 스퍼터되는 영역의 내측 반경 방향에 있는 모든 타겟은 세정 단계에서 스퍼터된다. 세정 단계에서, 웨이퍼 편향은 심지어 0까지 감소됨으로써 웨이퍼 받침대에서의 에너지 이온 플럭스가 최소화된다.

도 2에 도시된 인장 스프링(96) 이외에 다른 형태의 편향 수단이 사용될 수 있다. 압축 스프링은 브래킷(82)의 다른 측면으로 이동됨으로써 대체될 수 있다. 한 단부가 피봇 축선 근처에 고정되고 다른 단부가 피봇 판(84)이나 후면 판(90)에 고정되는 예를 들어, 판 스프링 또는 나선 스프링이 사용될 수 있다. 한 부재에 고정된 축선을 갖는 스프링 감긴 휠은 다른 부재에 고정된 다른 단부를 갖는 케이블로 씌워질 수 있다. 여기서 설명되는 편향 수단은 능동적인 편향이 가능하지만 모두 수동적인 편향 수단이다.

도 10에 평면도로 도시된 원심력 마그네트론의 다른 실시예에서, 선형 슬라이더 기구(180)는 타겟 중심 축선(60) 주위에서 회전 구동축(62)에 고정되어 회전되는 브래킷(82)을 포함한다. 반경 방향으로 연장하는 슬롯(182)은 브래킷(82) 내에 형성되어서 슬롯(182) 내에서 반경방향으로 미끄럼할 수 있는 전체 지지대 피어(184;pier)와 정렬되게 근접 수용된다. 지지대 피어(184)는 브래킷(82) 아래에 마그네트론(50)을 지지하는 반면에 지지대 비임(186)은 저마찰 경계면을 통해 브래킷(82)의 상부면 상에 지지대 피어(184)를 미끄럼 가능하게 지지한다. 도시하지 않은 상대적인 추가 마그네트론(50)의 이동에 대응하여 고정되거나 반경 방향으로 이동되는 , 슬롯(182)과 대향하는 브래킷(82)의 단부에 부착될 수 있다. 두 개의 스프링(188,190)이 각각의 단부에서, 상기 브래킷(82)에 고정된 제 1 교차 아암(192) 및 지지대 피어(184)에 고정된 제 2 교차 아암(194)에 연결됨으로써 마그네트론(50)을 타겟 중심부(60) 쪽으로 편향시킨다. 그러나, 충분히 높은 회전비에서, 회전 마그네트론(50) 상에 가해지는 원심력은 편향력을 극복하기에 충분하여 지지대 피어의 외측 단부가 슬롯(162)의 외측 단부(196)와 결합하는 도시된 외측 위치 쪽으로 마그네트론을 위치시킨다. 그러나, 충분히 낮은 회전비에서, 편향력은 지지대 피어(184)의 내측 단부가 슬롯(182)의 내측 단부(198)에 의해 지지되는 내측 위치로 마그네트론이 이동되도록 원심력을 극복한다.

외측 위치가 편향 수단 및 저 회전비에 의해 선호되며 내측 위치가 증가된 원심력 및 높은 회전비에 의해 선호되는 원심략 구동 마그네트론으로 설계하는 것도 가능하다.

상기 정지부는 분명한 쌍안정 작동을 제공한다. 그러나 마그네트론이 중간 정지부의 사용 없이 두 개의 반경 방향 위치 보다도 더 많이 회전되도록 편향 수단에 대한 원심력을 더욱 미세하게 균형 잡도록 하는 것도 가능하다.

다른 위치 조절기구를 본 발명에 적용하는 것도 가능하다. 예를 들어, 후 등의 미국 특허 제 6,692,617호에는 도 11의 개략적인 횡단면도에 도시된 능동 제어방식의 조절기구(200)가 설명되어 있다. 지지 판(202)은 타겟 축선(60)을 따라 연장하는 회전 구동축(62)의 단부에 고정되어서 마그네트론(50)을 지지한다. 마그네트론(50)을 회전 지지판(202)에 지지하는 지지 피어(204)는 지지 기둥(204)을 반경 방향으로 안내하는 지지 판(202) 내의 반경 방향 슬롯(206) 내에서 미끄럼 한다. 지지 피어(204)에 고정된 액츄에이터 아암을 갖는 공압식 또는 유압식 액츄에이터(208)는 지지판(202) 상에 지지되며 회전축(62)내에 형성되고 도시 않은 회전 커플링을 통해 유체 공급원에 연결되는 유체 라인(210)을 통해 동력을 공급받는다. 지지대 피어(204)와 지지 판(202) 사이에 연결되는 스프링(210) 또는 다른 편향 수단이 액츄에이터(208)에 의해 지지 포스트(204)에 가해지는 힘과 반대로 사용될 수 있다. 그러나, 분리 편향수단은 액츄에이터(208)가 원심력과 반대로 작용하면 제거될 수 있다. 어떤 경우에, 액츄에이터를 통해 유체 힘을 가하는 것으로 마그네 트론(50)을 회전 브래킷(82)의 반경 방향으로 이동시켜서 마그네트론을 적어도 두 개의 반경 방향 위치에 위치시킬 수 있다. 그 하나의 위치는 에지 스퍼터링을 선호하는 위치이고 다른 하나는 타겟(16) 중심부를 선호하는 위치이다. 능동 제어식 조절기구(200)는 회전비와 무관하게 마그네트론(50)의 반경 방향 조절을 가능하게 한다. 조절기구(200)가 두 개의 위치 보다 많은 위치를 가지면, 마그네트론(50)의 반경 방향 위치는 더욱 미세하게 제어될 수 있다.

하나의 액츄에이터를 기초로 하는 설계에는 대략 형상은 동일하지만 쌍안정 모드에 대한 필요성이 없는 도 2의 아아크 형상의 피봇 마그네트론을 포함한다. 대신에, 회전 반경을 제어하기 위해 회전비의 변화에 의존하는 것 이외에, 외부 제어식 액츄에이터가 예를 들어, 정지부(100)의 상부에 있는 피봇과 상기 피봇 축선(88)과 대향하는 브래킷(82)의 측면에 있는 피봇 사이에 연결되며 도 11을 참조하면 설명한 바와 같이 회전축(62) 내의 유체 라인(210)을 통해 공압력 또는 유체력이 선택적으로 공급된다. 스프링(96)은 더 이상 필요 없게 된다. 그러나, 액츄에이터가 연장될 때에만 힘을 가한다면, 스프링은 예를 들어, 전술한 피봇들 사이에 연결됨으로써 반대 방향으로 후면 판(90)을 편향시킬 것이다. 그러나, 원심력에 의해 편향력이 제공될 것이다.

다른 조절기구 예를 들어, 회전을 제어하는 하나의 축과 반경 방향을 제어하는 다른 하나의 축을 포함하는 두 개의 동축을 이루는 축도 가능하다. 상충된 공정이 작업 생산량에 영향을 끼치지만, 스퍼터 증착과 타겟 세정 공정 사이에서 교대되도록 로젠스타인의 양방향 원심력 마그네트론이 사용될 수도 있다.

단방향 이중-포지션 마그네트론의 빠른 전환 속도는 생산력에 심각한 영향을 끼치지 않고 각각의 웨이퍼에 대한 타겟을 세정할 수 있게 한다. 세정은 처리된 웨이퍼가 반응로로부터 제거된 후에, 그리고 새로운 웨이퍼가 반응로 내측에 삽입되기 이전에 실시될 수 있다. 다른 한편으로, 각각의 웨이퍼를 위한 세정은 배리어 내부에 재료를 스퍼터링하는 매우 짧은 스퍼터 주기만을 필요로 한다. 그 결과, 세정은 웨이퍼가 반응로 내에 있는 동안에 인-시츄 방식으로 수행된다. 특히, 예를 들어 TaN/Ta로 이루어지는 2층 배리어 층을 위해, 스퍼터링은 질소 분위기 하에서 예를 들어, 2 또는 3 초간의 짧은 TaN 반응성 스퍼터링 주기로 시작되며, 여기서 마그네트론은 낮은 회전비로 인해 타겟 중심부 근처에 위치된다. 짧은 초기의 내측 스퍼터링은 많은 공정 사이클 이후에 타겟 중심부에 TaN의 축적을 방지하기에 충분해야 한다. 그 후에, 증가된 회전비는 TaN의 스퍼터링이 계속되는 동안에 마그네트론을 타겟 주변 근처로 이동시킨다. 최종 Ta 스퍼터링은 타겟 주변 근처에 위치된 마그네트론으로 수행될 것이다.

본 발명이 스퍼터 위치와 타겟 세정 단계 사이에서의 마그네트론의 위치 변경과 관련하여 설명되었지만, 마그네트론은 예를 들어, 플라즈마의 생성 또는 웨이퍼 스퍼터 에칭으로의 변경과 같은 다른 목적을 위해 이동될 수도 있다. 궁(Gung) 등에 의해 2004년 5월 26일자로 출원된 발명의 명칭이 상이하게 제어가능한 4중 일렉트로마그네트 어레이인 미국 가출원 번호 60/574,905호, 및 2004년 9월 23일자로 출원된 발명의 명칭이 플라즈마 공정의 가변성 4중 일렉트로마그네트 어레이인 미국 특허 출원 번호 10/950,349호를 포함하는 상이한 작동 모드용으로 구성될 수 있 는 스퍼터 반응로가 설명되어 있으며 이들은 모두 본 발명에 참조되었다. 본 발명은 또한, 서브라마니(Subramani) 등에 의해 2004년 3월 24일자 출원된 가출원 번호 60/555,992호에 설명된 바와 같은, 타겟과 마그네트론 사이의 간극을 변화시키기 위한 기구에 의해 유리하게 실시될 수 있다. 더 많은 일반적인 기구와 공정들이 홍(Hong)등에 의해 2004년 9월 16일자로 발명의 명칭이 스퍼터 마그네트론과 타겟 사이의 간극을 변화시키기 위한 기구로 출원된 미국 특허 출원 10/942,273호에 설명되어 있으며, 이들은 모두 본 발명에 참조되었다.

본 발명이 내화성 배리어 금속, 특히 탄탈 및 그 질화물을 스퍼터링 하는 것에 관해 설명하였지만, 본 발명은 탄탈과 텅스텐과 같은 다른 배리어 금속, 및 코발트, 니켈 및 몰리브덴과 같은 규화물에 사용되는 금속에 적용될 수 있다. 본 발명은 또한 박리로 인한 재증착과 관련된, 금속 배선용 금속 및 그들 시이드 층, 특히 알루미늄에 적용될 수 있으며, 또한 다단계 공정에서 상이한 스퍼터링 특성이 바람직한 구리에도 적용될 수 있다. 두 개의 위치를 갖는 마그네트론에 의해 주어지는 적용성은 금속 또는 절연체의 RF 스퍼터링을 포함한, 다른 형태의 재료를 스퍼터링하는데 사용될 수 있다.

따라서, 본 발명은 현재의 반응로와 용이하게 결합될 수 있는 마그네트론 스캐닝 기구에 있어서 매우 작은 변경으로 스퍼터링 특성을 제어가능하게 변화시키고 스퍼터링과 타겟 세정에 대해서도 추가의 제어를 제공한다.

Claims (35)

1. 타겟 재료로 스퍼터 코팅될 기판을 지지하는 받침대와 반대 방향에 타겟을 가지며 중심 축선 주위에 배열되는 플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법으로서,

   증착 재료를 상기 기판 내부의 구멍 내측으로 스퍼터링하도록 상기 중심 축선 주위의 제 1 반경에서 중첩된 비평형 마그네트론을 회전시키는 제 1 단계, 및

   상기 제 1 단계에서 타겟에 증착되는 재료를 타겟으로부터 세정시키도록 상기 중심 축선 주위의 제 1 반경보다 작은 제 2 반경에서 상기 마그네트론을 회전시키는 제 2 단계를 포함하며,

   상기 마그네트론은 상기 중심 축선을 따라 제 1 자기 극성을 갖는 제 1 자극, 및 상기 제 1 자극을 에워싸고 상기 제 1 자기 극성과 반대의 제 2 자기 극성을 갖지며 상기 제 1 자극 보다 큰 자기 세기를 갖는 제 2 자극을 가지는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 2 반경에 위치되는 상기 마그네트론의 플라즈마 루프가 상기 중심 축선을 통과하는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 타겟은 내화성 배리어 재료를 포함하는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 제 1 단계는 상기 챔버 내측으로 질소를 유동시키는 단계를 포함하며, 상기 제 2 단계 중에는 상기 챔버 내측으로 질소가 유동되지 않는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 단계 중에, 상기 받침대는 제 1 RF 전력 레벨로 바이어스되며 상기 제 2 단계 중에, 상기 받침대는 상기 제 1 RF 전력 레벨보다 낮은 제 2 RF 전력 레벨로 바이어스되는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 마그네트론은 상기 제 1 및 제 2 단계 중에 상기 중심 축선 주위에서 동일한 방향으로 회전되는,

   플라즈마 스퍼터 반응로 챔버 내에서의 스퍼터링 방법.
7. 멀티-포지션 마그네트론으로서,

   회전 축선을 따라 연장하는 회전축과,

   상기 회전축에 고정되는 판과,

   상기 회전축선을 따라 연장하는 회전축으로부터 변위된 피봇 축선 주위의 상기 판 상에서 상기 회전축의 회전각과 무관하게 피봇하는 피봇가능한 아암, 및

   상기 판에 고정되는 마그네트론을 포함하며,

   상기 마그네트론의 중심부가 상기 피봇 축선으로부터 오프셋됨으로써, 상기 회전축은 상기 아암의 피봇에 따라서 상기 회전 축선으로부터의 복수의 반경 중에 선택된 하나의 반경에서 상기 회전 축선을 중심으로 하나의 방향으로 상기 중심부가 회전되게 하는,

   멀티-포지션 마그네트론.
8. 제 7 항에 있어서,

   상기 마그네트론은 비원형 대칭이며 긴 칫수 부분과 짧은 칫수 부분을 가지며,

   상기 중심부가 제 1 반경에서 회전할 때 상기 긴 칫수 부분이 상기 회전 축선으로부터 상기 중심부로 연장하는 선에 수직하게 연장하며,

   상기 중심부가 상기 제 1 반경 보다 작은 제 2 반경에서 회전할 때 상기 긴 칫수 부분이 상기 회전 축선으로부터 상기 중심부로 연장하는 선으로부터 60°이하로 경사져 있는,

   멀티-포지션 마그네트론.
9. 제 8 항에 있어서,

   상기 마그네트론은 중첩되어 있으며 제 1 자기 극성의 내측 자극 및 상기 제 1 자기 극성과 반대이고 상기 내측 자극을 에워싸며 환형 간극에 의해 분리되어 있는 제 2 자기 극성의 외측 자극을 포함하며,

   상기 중심부가 상기 제 1 반경에서 회전할 때 상기 환형 간극은 상기 회전 축선으로부터 분리되어 있는 환형 밴드를 스캔하며,

   상기 중심부가 상기 제 2 반경에서 회전할 때 상기 환형 간극은 상기 회전 축선을 포함하고 적어도 상기 환형 밴드쪽으로 외측 반경 방향으로 연장하는 원형 영역을 스캔하는,

   멀티-포지션 마그네트론.
10. 제 7 항에 있어서,

    상기 피봇 축선 주위에서 상기 아암의 피봇을 제어하도록 상기 판과 상기 아암 사이에 연결되는 외부 제어식 액츄에이터를 더 포함하는,

    멀티-포지션 마그네트론.
11. 제 10 항에 있어서,

    상기 회전축은 상기 액츄에이터에 연결되는 유체 라인을 포함하는,

    멀티-포지션 마그네트론.
12. 플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론으로서,

    중심 축선을 따라 연장하는 회전 구동축에 고정되어 회전 구동축과 함께 회전가능한 브래킷과,

    상기 브래킷에 고정되고 피봇 축선 주위에 피봇 아암을 피봇 가능하게 지지하는 피봇 기구와,

    상기 피봇 축선으로부터 이격되게 상기 피봇 아암 상에 지지되는 마그네트론, 및

    상기 회전 구동축의 회전에 의해 상기 마그네트론 상에 가해지는 원심력과 반대로 작용하는, 상기 피봇 아암과 상기 브래킷을 연결하는 편향 수단을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 편향 수단은 스프링을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
14. 제 13 항에 있어서,

    상기 스프링은 상기 브래킷에 고정되는 하나의 단부와 상기 피봇 판에 고정되는 다른 하나의 단부를 갖는 인장 스프링인,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
15. 제 12 항에 있어서,

    상기 피봇 축선 주위의 각각의 반대 방향으로 상기 브래킷에 대해 상기 피봇 판이 더 피봇되는 것을 방지하는 제 1 및 제 2 정지 수단을 더 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
16. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 회전 구동축의 제 1 회전비에서 상기 마그네트론은 상기 중심 축선으로부터의 제 1 반경에 배열되며 상기 회전 구동축의 제 1 회전비보다 작은 제 2 회전비에서 상기 마그네트론은 상기 중심 축선으로부터 상기 제 1 반경보다 작은 제 2 반경에 배열되는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
17. 삭제
18. 제 12 항 내지 제 15 항 중 어느 항에 있어서,

    상기 마그네트론이 상기 제 1 반경에 배열될 때 상기 중심 축선은 상기 제 2 자극 주변부의 외측을 통과하며, 상기 마그네트론이 제 2 반경에 배열될 때 상기 중심 축선은 상기 제 2 자극 주변부의 내측을 통과하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
19. 플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론으로서,

    중심 축선을 따라 연장하는 회전 구동축에 고정되어 회전 구동축과 함께 회전가능한 브래킷과,

    마그네트론과,

    상기 마그네트론을 상기 브래킷 상에 지지하고 상기 중심 축선 주위에서의 상기 마그네트론의 반경 방향 운동을 가능하게 하는 지지 기구, 및

    상기 회전 구동축의 회전에 의해 상기 마그네트론 상에 가해지는 원심력과 반대로 작용하는, 상기 지지 기구와 상기 브래킷을 연결하는 편향 수단을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
20. 제 19 항에 있어서,

    상기 편향 수단은 하나 이상의 스프링을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
21. 제 20 항에 있어서,

    상기 지지 기구는 상기 브래킷 상에 피봇 가능하게 지지되고 상기 마그네트론을 지지하는 피봇 아암을 포함하며, 상기 하나 이상의 스프링은 상기 브래킷과 상기 피봇 아암 사이에 연결되는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
22. 제 20 항에 있어서,

    상기 지지 기구는 상기 브래킷 내에 형성되는 슬롯에 끼워 맞춰지고 슬롯을 따라 미끄럼하는 지지 부재를 포함하며, 상기 하나 이상의 스프링은 상기 브래킷과 상기 지지 부재 사이에 연결되는,

    플라즈마 스퍼터 반응기용 멀티-포지션 마그네트론.
23. 플라즈마 스퍼터 반응로 내에 중심 축선을 갖는 타겟을 스캔하기 위한 듀얼 포지션 마그네트론으로서,

    상기 중심 축선 주위에서 회전가능한 회전축에 고정가능한 브래킷과,

    상기 브래킷에 고정되고 피봇 축선 주위에 피봇 판을 피봇 가능하게 지지하는 피봇 기구와,

    상기 피봇 축선으로부터 이격되게 상기 피봇 판에 고정되는 마그네트론, 및

    상기 회전축의 회전에 의해 상기 마그네트론 상에 가해지는 원심력과는 반대로 상기 중심 축선 쪽으로 상기 마그네트론을 압박하고 상기 브래킷과 상기 피봇 판을 연결하는 스프링을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응로 내에 중심 축선을 갖는 타겟을 스캔하기 위한 듀얼 포지션 마그네트론.
24. 제 23 항에 있어서,

    상기 피봇 축선 주위의 제 1 피봇 방향으로 상기 브래킷에 대한 상기 피봇 판의 추가 피봇을 방지하는 제 1 기계식 정지부, 및

    상기 제 1 피봇 방향과 반대인 제 2 피봇 방향으로 상기 브래킷에 대한 상기 피봇 판의 추가 피봇을 방지하는 제 2 기계식 정지부를 더 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응로 내에 중심 축선을 갖는 타겟을 스캔하기 위한 듀얼 포지션 마그네트론.
25. 제 24 항에 있어서,

    상기 제 1 및 제 2 기계식 정지부는 상기 피봇 판에 고정되고 상기 피봇 축선 주위에서 상기 피봇 판의 예정된 피봇시 상기 브래킷과 결합하는,

    플라즈마 스퍼터 반응로 내에 중심 축선을 갖는 타겟을 스캔하기 위한 듀얼 포지션 마그네트론.
26. 제 23 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 피봇 기구는 상기 마그네트론 주위의 물에 대해 밀봉된 베어링을 포함하는,

    플라즈마 스퍼터 반응로 내에 중심 축선을 갖는 타겟을 스캔하기 위한 듀얼 포지션 마그네트론.
27. 마그네트론 스퍼터 반응기로서,

    중심 축선 주위에 배열된 진공 챔버와,

    상기 진공 챔버의 한 단부를 밀봉하는 스퍼터 타겟과,

    상기 타겟의 정면측과 반대 방향에서 기판을 지지하는 받침대와,

    상기 중심 축선을 따라 연장하고 상기 중심 축선 주위에서 회전 가능한 회전 구동축과,

    상기 회전 구동축에 고정되어 상기 회전 구동축과 함께 회전가능한 브래킷과,

    피봇 판과,

    상기 브래킷에 고정되고 상기 중심 축선으로부터 변위된 피봇 축선 주위에서 상기 피봇 판을 피봇 가능하게 지지하는 피봇 기구와,

    상기 타겟의 후면에 인접한 상기 피봇 판 상에 지지되는 마그네트론, 및

    상기 브래킷과 상기 피봇판을 연결하고 상기 중심 축선 쪽으로 상기 피봇 축선 주위에서 피봇되도록 상기 마그네트론을 편향시키는 스프링을 포함하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기.
28. 제 27 항에 있어서,

    상기 회전 구동축의 회전으로 상기 마그네트론을 상기 중심 축선으로부터 이격되게 압박하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기.
29. 제 27 항에 있어서,

    상기 피봇 축선 주위에서 각각 반대의 피봇 방향으로 상기 브래킷에 대해 상기 피봇 판의 추가 피봇을 방지하는 제 1 및 제 2 기계식 정지부를 더 포함하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기.
30. 제 27 항에 있어서,

    상기 타겟을 냉각시키기 위한 냉각 액체용 액체 수용조를 더 포함하며, 상기 브래킷, 피봇 기구, 마그네트론, 및 스프링이 상기 액체 수용조의 내측에 배열되는,

    마그네트론 스퍼터 반응기.
31. 중심 축선 주위에서 회전 가능하며, 회전 구동축에 연결되는 브래킷 상에 피봇 가능하게 지지되고 상기 중심 축선 쪽으로 편향되는 마그네트론을 지지하는 회전 구동 축을 포함하는 마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법으로서,

    상기 중심 축선 주위의 제 1 반경에서 회전하는 제 1 위치로 상기 마그네트론이 이동되도록 상기 중심 축선 주위의 제 1 방향으로 상기 회전 구동축을 제 1 회전비로 회전시키는 제 1 단계, 및

    상기 중심 축선 주위의 상기 제 1 반경과 상이한 제 2 반경에서 회전하는, 상기 제 1 위치로부터 이격된 제 2 위치로 상기 마그네트론이 이동되도록 상기 제 1 회전비와 상이한 제 2 회전비로 상기 회전 구동축을 상기 제 1 방향으로 회전시키는 제 2 단계를 포함하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법.
32. 제 31 항에 있어서,

    상기 제 1 회전비는 상기 제 2 회전비보다 크며 상기 제 1 반경은 상기 제 2 반경보다 큰,

    마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법.
33. 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,

    상기 제 2 회전비보다 작은 제 3 회전비로 상기 회전 구동축을 회전시키도록 상기 제 1 회전 단계로부터 상기 제 2 회전 단계로 변화되는 제 1 전이 단계를 더 포함하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법.
34. 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,

    상기 마그네트론은 상기 중심 축선 쪽으로 기계적으로 그리고 수동적으로 편향되는,

    마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법.
35. 제 31 항 또는 제 32 항에 있어서,

    상기 회전 구동축의 회전에 의해 생성된 원심력은 상기 마그네트론을 상기 중심 축선으로부터 이격되게 압박하는,

    마그네트론 스퍼터 반응기의 작동 방법.

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