KR100962775B1 - Double exposure apparatus for photolithography process and double exposure method using thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명의 이중노광장치는 소정 파장의 광을 공급하는 광원; 웨이퍼 상에 전사하기 위한 일정한 회로패턴이 형성된 제1 레티클이 안착되는 제1 레티클 스테이지; 웨이퍼 상에 전사하기 위한 일정한 회로패턴이 형성된 제2 레티클이 안착되고, 상기 제1 레티클 스테이지의 상부에 위치되는 제2 레티클 스테이지; 제1 레티클 또는 제2 레티클을 통과한 광을 웨이퍼의 소정 부분에 도달하도록 하는 투영렌즈; 웨이퍼가 위치되는 웨이퍼 스테이지; 상기 제1 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 상호 간의 위치를 정렬하기 위해 상기 제1 레티클 스테이지에 설치되는 제1 정렬 마크; 상기 제1 레티클 스테이지, 제2 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 상호 간의 위치를 정렬하기 위해 상기 제2 레티클 스테이지에 설치되는 제2 정렬 마크; 상기 제1 레티클 스테이지 또는 제2 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 위치를 정렬하기 위해 상기 웨이퍼 스테이지에 설치되는 웨이퍼 스테이지 정렬부; 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지와 연결되어 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지를 원하는 방향으로 이동 가능하게 하는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. The dual exposure apparatus of the present invention comprises a light source for supplying light of a predetermined wavelength; A first reticle stage on which a first reticle having a predetermined circuit pattern formed thereon for transferring on the wafer is seated; A second reticle stage on which a second reticle having a predetermined circuit pattern formed thereon for transferring on the wafer is seated, and positioned above the first reticle stage; A projection lens to allow light passing through the first or second reticle to reach a predetermined portion of the wafer; A wafer stage on which the wafer is located; A first alignment mark installed on the first reticle stage to align positions between the first reticle stage and the wafer stage; A second alignment mark installed on the second reticle stage for aligning positions of the first reticle stage, the second reticle stage, and the wafer stage; A wafer stage alignment unit installed in the wafer stage for aligning the position of the wafer stage with the first reticle stage or the second reticle stage; And moving means connected to the first and second reticle stages to move the first and second reticle stages in a desired direction.
이중노광장치, 제1 레티클 스테이지, 제2 레티클 스테이지, 제1 정렬 마크, 제2 정렬 마크, 투영렌즈, 웨이퍼 스테이지 정렬부 Dual exposure apparatus, first reticle stage, second reticle stage, first alignment mark, second alignment mark, projection lens, wafer stage alignment unit
Description
본 발명은 포토리소그래피 공정을 위한 이중노광장치 및 이를 이용한 이중노광방법에 관한 것이다. The present invention relates to a double exposure apparatus for a photolithography process and a double exposure method using the same.
일반적으로 반도체 소자는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 이온주입공정, 박막증착공정, 에칭공정 등과 같은 다수의 공정들을 반복적으로 거쳐서 제조된다.In general, a semiconductor device is manufactured through a plurality of processes repeatedly, such as a photolithography process, an ion implantation process, a thin film deposition process, an etching process, and the like.
이와 같은 공정 중에서 포토리소그래피 공정은 다시 웨이퍼 상에 광화학적 물질인 포토레지스트를 도포하는 포토레지스트 도포공정, 포토레지스트가 도포된 웨이퍼와 일정한 회로패턴이 형성된 레티클(reticle)을 서로 정렬시킨 후 소정 파장의 광을 레티클에 통과시켜 웨이퍼 상의 포토레지스트에 레티클의 일정한 회로패턴이 전사되도록 하는 노광공정, 노광공정이 완료된 웨이퍼의 포토레지스트를 현상하여 웨이퍼 상에 회로패턴을 형성하는 현상공정 등으로 구분된다.Among these processes, the photolithography process is again performed by a photoresist coating process for applying a photoresist, a photochemical material on a wafer, a photoresist-coated wafer and a reticle in which a predetermined circuit pattern is formed, and then of a predetermined wavelength. An exposure process allows light to pass through a reticle so that a predetermined circuit pattern of the reticle is transferred to a photoresist on the wafer, and a developing process of developing a photoresist of the wafer on which the exposure process is completed to form a circuit pattern on the wafer.
최근, 반도체 소자의 집적도가 증가하면서 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 밀도도 높아지고, 그 결과 패턴의 임계치수(CD; Critical Dimension)도 점점 작아지고 있다. 이로 인해, 포토리소그래피 공정에서 양호한 해상력을 얻는데 있어서 점점 한계점에 도달하고 있는 실정이다. 이와 같은 한계를 극복하기 위하여 최근에는 다양한 해상력 증대방법들을 도입하고 있는데, 그 중 하나가 이중노광방법이다.In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices increases, the density of patterns formed on a wafer also increases, and as a result, the critical dimension (CD) of the pattern also decreases. For this reason, the situation which has reached the limit gradually in obtaining a good resolution in a photolithography process. In order to overcome these limitations, various resolution enhancement methods have recently been introduced, one of which is the double exposure method.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 노광 장치는 소정 파장의 광을 공급하는 광원(1)과, 광원(1)의 하부에 놓여지고 일정 회로패턴이 형성되어 패턴에 해당하는 부분만 광을 통과시키는 레티클(2)과, 레티클(2)을 통과한 광을 웨이퍼의 소정 부분에 도달하도록 하는 투영렌즈(3)와, 웨이퍼를 고정하고 레벨을 조정해주며 공정진행에 따라 웨이퍼를 이동시켜주는 웨이퍼 스테이지(4)를 포함한다. As shown in FIG. 1, the conventional exposure apparatus includes a light source 1 for supplying light having a predetermined wavelength, a light circuit 1 disposed below the light source 1, and a predetermined circuit pattern is formed to pass only light corresponding to the pattern. A reticle (2) to be used, a projection lens (3) to allow light passing through the reticle (2) to reach a predetermined portion of the wafer, a wafer to fix the wafer, adjust the level, and move the wafer as the process proceeds. A
이중노광을 수행하기 위해서는, 제1 레티클을 웨이퍼 스테이지(4)와 정렬하여 맞춘 후, 여러 장의 웨이퍼를 차례로 노광한다. 다음에, 제1 레티클을 언로딩(unloading)한 후, 제2 레티클을 웨이퍼 스테이지(4)와 정렬하여 맞추고, 1차 노광이 끝난 웨이퍼를 다시 차례로 2차 노광한다. 그러나, 2차 노광시에 제2 레티클을 로딩한 후 정렬하면서 제1 레티클과 제2 레티클의 정렬 보정치는 달라지고, 이러한 보정치에 따라 오버레이(overlay) 수치가 달라지면, 원하는 대로 패턴이 형성되지 않는 문제점이 있었다.In order to perform the double exposure, the first reticle is aligned with the
따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 웨이퍼에 대한 1차 노광과 2차 노광시에 제1 및 제2 레티클의 정렬 오차가 생기는 것을 방지하여 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 정밀하게 노광할 수 있는 포토리소그래피 공정을 위한 이중노광장치 및 이를 이용한 이중노광방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been invented in view of the above circumstances, and it is possible to precisely expose a desired pattern on the wafer by preventing alignment errors of the first and second reticles during the first and second exposures to the wafer. An object of the present invention is to provide a double exposure apparatus for a photolithography process and a double exposure method using the same.
본 발명의 이중노광장치는 소정 파장의 광을 공급하는 광원; 웨이퍼 상에 전사하기 위한 일정한 회로패턴이 형성된 제1 레티클이 안착되는 제1 레티클 스테이지; 웨이퍼 상에 전사하기 위한 일정한 회로패턴이 형성된 제2 레티클이 안착되고, 상기 제1 레티클 스테이지의 상부에 위치되는 제2 레티클 스테이지; 제1 레티클 또는 제2 레티클을 통과한 광을 웨이퍼의 소정 부분에 도달하도록 하는 투영렌즈; 웨이퍼가 위치되는 웨이퍼 스테이지; 상기 제1 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 상호 간의 위치를 정렬하기 위해 상기 제1 레티클 스테이지에 설치되는 제1 정렬 마크; 상기 제1 레티클 스테이지, 제2 레티클 스테이지 및 웨이퍼 스테이지의 상호 간의 위치를 정렬하기 위해 상기 제2 레티클 스테이지에 설치되는 제2 정렬 마크; 상기 제1 레티클 스테이지 또는 제2 레티클 스테이지와 웨이퍼 스테이지의 위치를 정렬하기 위해 상기 웨이퍼 스테이지에 설치되는 웨이퍼 스테이지 정렬부; 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지와 연결되어 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지를 원하는 방향으로 이동 가능하게 하는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 한다. The dual exposure apparatus of the present invention comprises a light source for supplying light of a predetermined wavelength; A first reticle stage on which a first reticle having a predetermined circuit pattern formed thereon for transferring on the wafer is seated; A second reticle stage on which a second reticle having a predetermined circuit pattern formed thereon for transferring on the wafer is seated, and positioned above the first reticle stage; A projection lens to allow light passing through the first or second reticle to reach a predetermined portion of the wafer; A wafer stage on which the wafer is located; A first alignment mark installed on the first reticle stage to align positions between the first reticle stage and the wafer stage; A second alignment mark installed on the second reticle stage for aligning positions of the first reticle stage, the second reticle stage, and the wafer stage; A wafer stage alignment unit installed in the wafer stage for aligning the position of the wafer stage with the first reticle stage or the second reticle stage; And moving means connected to the first and second reticle stages to move the first and second reticle stages in a desired direction.
또한, 상기 제1 정렬 마크와 제2 정렬 마크 사이에 위치되어, 제2 정렬 마크를 통과한 광을 집광하여 제1 정렬 마크로 보내기 위한 집광렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The method may further include a condenser lens positioned between the first alignment mark and the second alignment mark to collect light passing through the second alignment mark and to send the light to the first alignment mark.
또한, 상기 웨이퍼 스테이지의 한 측부에는 1차 노광을 위한 웨이퍼가 적재되는 제1 웨이퍼 로더가, 다른 측부에는 2차 노광을 위한 웨이퍼가 적재되는 제2 웨이퍼 로더가 구비된 것을 특징으로 한다.In addition, one side of the wafer stage is characterized in that the first wafer loader is loaded with the wafer for the first exposure, the other side is characterized in that the second wafer loader is loaded with the wafer for the secondary exposure.
또한, 상기 웨이퍼 스테이지 정렬부는 투영렌즈로부터 투과된 광을 투과시키는 정렬 개구와, 상기 정렬 개구로 투과된 광을 반사시키는 반사판과, 상기 반사판으로부터 반사된 광의 양을 검출하는 센서를 포함하는 것을 특징으로 한다.The wafer stage alignment unit may include an alignment opening for transmitting the light transmitted from the projection lens, a reflection plate for reflecting the light transmitted through the alignment opening, and a sensor for detecting the amount of light reflected from the reflection plate. do.
본 발명의 이중노광방법은 일정한 회로패턴이 형성된 제1 레티클이 안착되는 제1 레티클 스테이지와, 일정한 회로패턴이 형성된 제2 레티클이 안착되고 상기 제1 레티클 스테이지의 상부에 위치되는 제2 레티클 스테이지와, 상기 제1 레티클 스테이지의 위치를 정렬하기 위해 상기 제1 레티클 스테이지에 설치되는 제1 정렬 마크와, 상기 제2 레티클 스테이지의 위치를 정렬하기 위해 상기 제2 레티클 스테이지에 설치되는 제2 정렬 마크와, 제1 레티클 또는 제2 레티클을 통과한 광을 웨이퍼의 소정 부분에 도달하도록 하는 투영렌즈와, 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지와 연결되어 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지를 원하는 방향으로 이동 가능하게 하는 이동수단을 포함하는 이중노광장치에서, 제1 레티클이 제1 레티클 스테이지 위에 안착된 상태에서 광원으로부터의 광을 제1 정렬 마크 및 투영렌즈를 통해 투과시켜 상기 제1 레티클 스테이지의 위치를 정렬하는 단계; 광원으로부터의 1차 노광에 의해 제1 레티클 상의 패턴을 복수의 웨이퍼 상에 차례로 전사시키는 단계; 상기 제1 레티클 스테이지 및 제1 정렬 마크가 위치된 상태에서 그 위에 상기 제2 레티클 스테이지 및 제2 정렬 마크를 위치시키는 단계; 제2 레티클이 제2 레티클 스테이지 위에 안착된 상태에서 광원으로부터의 광을 제2 정렬 마크, 제1 정렬 마크 및 투영렌즈를 통해 차례로 투과시켜 상기 제2 레티클 스테이지의 위치를 정렬하는 단계; 상기 이동 수단에 의해 상기 제1 레티클 스테이지를 비노광 위치로 이동시키는 단계; 광원으로부터의 2차 노광에 의해 제2 레티클 상의 패턴을 복수의 웨이퍼 상에 차례로 전사시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.The dual exposure method of the present invention includes a first reticle stage on which a first reticle having a constant circuit pattern is seated, a second reticle stage on which a second reticle with a constant circuit pattern is formed and positioned on an upper portion of the first reticle stage; A first alignment mark installed in the first reticle stage to align the position of the first reticle stage, and a second alignment mark installed in the second reticle stage to align the position of the second reticle stage; A projection lens configured to reach the predetermined portion of the wafer with the light passing through the first or second reticle, and the first and second reticle stages to move the first and second reticle stages in a desired direction. In a double exposure apparatus including a moving means for causing the light source, the light source in a state that the first reticle is seated on the first reticle stage Transmitting light from the light through the first alignment mark and the projection lens to align the position of the first reticle stage; Sequentially transferring a pattern on the first reticle onto the plurality of wafers by primary exposure from a light source; Positioning the second reticle stage and the second alignment mark thereon with the first reticle stage and the first alignment mark positioned; Aligning the position of the second reticle stage by sequentially transmitting the light from the light source through the second alignment mark, the first alignment mark, and the projection lens while the second reticle is seated on the second reticle stage; Moving the first reticle stage to a non-exposed position by the moving means; And sequentially transferring the pattern on the second reticle onto the plurality of wafers by secondary exposure from the light source.
또한, 상기 제2 레티클 스테이지의 위치를 정렬하는 단계는 제1 정렬 마크와 제2 정렬 마크 사이에 위치된 집광렌즈를 통해, 상기 제2 정렬 마크를 통과한 광을 집광하여 제1 정렬 마크로 보내는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The aligning of the second reticle stage may include collecting light passing through the second alignment mark and passing the light to the first alignment mark through a condenser lens positioned between the first alignment mark and the second alignment mark. It characterized in that it further comprises.
본 발명에 따르면, 웨이퍼에 대한 1차 노광과 2차 노광시에 제1 및 제2 레티클의 정렬 오차가 생기는 것을 방지하여 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 정밀하게 노광할 수 있는 장점이 있다. According to the present invention, it is possible to accurately expose a desired pattern on the wafer by preventing an alignment error between the first and second reticles during the first and second exposures to the wafer.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Here, in adding reference numerals to the elements of each drawing, it should be noted that the same elements are denoted by the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings.
도 2는 본 발명에 따른 이중노광장치(100)의 구성을 도시하는 도면이다. 2 is a diagram illustrating a configuration of a
상기 이중노광장치(100)는 광원(10), 제1 레티클 스테이지(20), 제1 정렬 마 크(22), 제2 레티클 스테이지(30), 제2 정렬 마크(32), 투영렌즈(40), 웨이퍼 스테이지(50), 웨이퍼 스테이지 정렬부(51, 52, 53)를 포함한다. The
상기 광원(10)은 웨이퍼를 노광하기 위한 소정 파장의 광을 공급한다. The
제1 레티클 스테이지(20) 상에는, 광원(10)으로부터 출사되는 광을 투과시켜 웨이퍼(도시 안됨) 상에 원하는 패턴을 전사할 수 있도록 일정한 회로패턴이 형성되어 있는 제1 레티클(21)이 안착된다. On the first reticle stage 20, a
제1 레티클 스테이지(20)의 상부에는 제2 레티클 스테이지(30)가 위치된다. 상기 제2 레티클 스테이지(30) 상에는, 일정한 회로패턴이 형성되어 있는 제2 레티클(31)이 안착된다. The
상기 제1 또는 제2 레티클(21, 31)을 통과한 광은 투영렌즈(40)를 통해 투과되어 웨이퍼 상의 소정 부분에 도달되어 웨이퍼를 노광시킨다. 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지(50) 위에 안착되어, 원하는 패턴을 웨이퍼 위에 전사할 수 있도록 정렬된다. Light passing through the first or
상기 제1 및 제2 레티클 스테이지(20, 30)에는 각각 제1 및 제2 정렬 마크(22, 32)가 설치되어, 제1 레티클 스테이지(20) 또는 제2 레티클 스테이지(30)와 웨이퍼 스테이지(50) 상호 간의 위치를 정렬할 수 있다. The first and
상기 웨이퍼 스테이지(50)에는 상기 제1 레티클 스테이지(20) 또는 제2 레티클 스테이지(30)와 웨이퍼 스테이지(50)의 위치를 정렬하기 위해 웨이퍼 스테이지 정렬부(51, 52, 53)가 설치된다. The
또한, 상기 제1 및 제2 레티클 스테이지(20, 30)는 이동수단(35)과 연결되 어, 제1 및 제2 레티클 스테이지(20, 30)가 원하는 방향으로 이동될 수 있다. In addition, the first and
본 발명에 따른 웨이퍼의 이중노광 방법은 다음과 같다.The double exposure method of the wafer according to the present invention is as follows.
먼저, 제1 레티클(21)을 제1 레티클 스테이지(20) 상에 안착시킨다. 다음에, 광원(10)으로부터의 광을 제1 정렬 마크(22) 및 투영렌즈(40)를 통해 투사하여, 웨이퍼 스테이지(50) 상의 정렬 개구(51)를 통해 투과시킨다. 정렬 개구(51)를 통해 투과된 광은 반사판(52)에 의해 반사되어 센서(53)로 들어가고, 상기 센서(53)는 입사된 광량으로부터 제1 레티클(21)의 정렬이 맞게 되었는지를 판단한다. 예를 들어, 제1 레티클 스테이지(20) 또는 웨이퍼 스테이지(50)를 상하 좌우로 움직이면서 센서에 투과된 광량이 가장 많을 때, 제1 레티클 스테이지(20)가 맞게 정렬된 것으로 판단할 수 있다. First, the
제1 레티클 스테이지(20)의 위치가 정렬되면, 웨이퍼 스테이지(50) 우측에 위치한 제1 웨이퍼 로더(61)에 적재되어 있던 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지(50) 상에 안착시켜 정렬시킨다. 다음에, 광원(10)으로부터의 1차 노광에 의해 제1 레티클(21) 상의 패턴을 웨이퍼 상에 전사시킨다. 1차 노광이 끝난 웨이퍼는 웨이퍼 스테이지(50) 좌측에 위치한 제2 웨이퍼 로더(62)로 이동된다. When the position of the first reticle stage 20 is aligned, the wafers loaded on the
2차 노광을 위해서는, 먼저 제1 레티클(21)이 정렬된 상태에서, 제2 레티클(31)을 상기 제2 레티클 스테이지(30) 위에 안착시킨다. 다음에, 광원(10)으로부터의 광을 제2 정렬 마크(32), 제1 정렬 마크(22) 및 투영렌즈(40)를 통해 차례로 투사하여, 웨이퍼 스테이지(50) 상의 정렬 개구(51)를 통해 투과시킨다. 이때, 제2 정렬 마크(32)를 통과한 빛이 산란된 것은 제1 정렬 마크(22)와 제2 정렬 마크(32) 사이에 위치한 집광 렌즈(25)를 통해 모아져서, 다시 제1 정렬 마크(22)를 통과할 수 있게 한다. 웨이퍼 스테이지(50) 상의 정렬 개구(51)를 통해 투과된 광은 반사판(52)에 의해 반사되어, 센서(53)로 들어가고, 상기 센서(53)는 투과된 광량으로부터 제2 레티클(31)의 정렬이 맞게 되었는지를 판단한다. For the second exposure, first, the
제1 레티클(21)과 제2 레티클(31)의 정렬을 실행하기 위한 제1 및 제2 정렬 마크(22, 32)에는 예를 들어, 같은 위치에 동일한 형태의 마크가 형성될 수 있다. 이와 같이, 광원(10)으로부터의 광이 동일한 형태의 제1 및 제2 정렬 마크(22, 32)를 통과하여 센서(53)에 투과된 광량으로부터 제1 및 제2 레티클(21, 31)이 정확하게 정렬되었는지를 판단할 수 있다. For example, marks of the same shape may be formed on the first and
제2 레티클(31)의 정렬이 완료되면, 상기 제1 레티클 스테이지(20)는 이동수단(35)에 의해 비노광 위치로 이동된다. 다음에, 제2 웨이퍼 로더(62)에 적재되어 있던 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지(50) 상에 안착되어 정렬된다. 다음에, 광원(10)으로부터의 2차 노광에 의해 제2 레티클(31) 상의 패턴을 웨이퍼 상에 전사시킨다. 2차 노광이 끝난 웨이퍼는 다음 공정을 위해 이동된다. When the alignment of the
이와 같이, 본 발명의 제2 레티클(31)은 제1 레티클(21)이 노광 위치에 있는 상태에서 제1 및 제2 정렬 마크(22, 32)를 통해 정렬이 이루어지므로, 종래에 비해 제2 레티클(31)의 정렬이 보다 정확하게 이루어질 수 있다. 따라서, 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 보다 정밀하게 전사할 수 있게 된다. As described above, since the
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.
도 1은 종래기술의 노광장치의 구성을 나타내는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The figure which shows the structure of the exposure apparatus of a prior art.
도 2는 본 발명의 이중노광장치의 구성을 도시하는 도면.2 is a diagram showing a configuration of a double exposure apparatus of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 광원10: light source
20 : 제1 레티클 스테이지20: first reticle stage
21 : 제1 레티클21: first reticle
22 : 제1 정렬 마크22: first alignment mark
30 : 제2 레티클 스테이지30: second reticle stage
31 : 제2 레티클31: second reticle
32 : 제2 정렬 마크32: second alignment mark
35 : 이동 수단35: means of transportation
40 : 투영렌즈40: projection lens
50 : 웨이퍼 스테이지50: wafer stage
51 : 정렬 개구51: alignment opening
52 : 반사판52: reflector
53 : 센서53: sensor
61 : 제1 웨이퍼 로더61: first wafer loader
62 : 제2 웨이퍼 로더62: second wafer loader
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