KR100951562B1 - 전자종이 입자의 필터링 방법 - Google Patents

전자종이 입자의 필터링 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자종이 입자의 필터링 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자종이 셀 내에 입자를 충전하여, 상기 입자와 다른 극성을 가진 전극에 충전된 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 이동된 입자는 제거하고, 이동하지 않은 입자에 다시 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이번엔 이동하지 않은 입자를 제거하여, 이동한 입자를 취하는 즉 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위에서 동작하는 입자를 필터링 하여 전자종이 패널을 형성하는 전자종이 입자의 필터링 방법에 관한 것이다.
따라서, 전자종이 구동 시에 가해지는 구동전압이 일정하게 유지하여 안정되게 할 수 있으며 구동전압을 낮추며 입자의 수명을 늘리는 효과가 있다.
입자, 필터링(Filtering), 에이징(Aging), 질량(mass), 전하(charge).

Description

전자종이 입자의 필터링 방법{Filtering method of electronic paper particle}
본 발명은 전자종이 입자의 필터링 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자종이 셀 내에 입자를 충전하여, 상기 입자와 다른 극성을 가진 전극에 충전된 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 이동된 입자는 제거하고, 이동하지 않은 입자에 다시 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이번엔 이동하지 않은 입자를 제거하여, 이동한 입자를 취하는 즉 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위에서 동작하는 입자를 필터링 하여 전자종이 패널을 형성하는 전자종이 입자의 필터링 방법에 관한 것이다.
전자종이 기술은 전기장에 의한 마이크로 입자의 빠른 이동을 이용하여 일정한 공간 내에 부유하는 대전된 입자를 정전기적으로 이동시켜 색을 표시하는 기술로서, 어떠한 극에서든 이동이 일어난 후에는 메모리 효과로 인하여 전압을 제거해도 입자들의 위치변화가 없기 때문에 이미지가 사라지지 않아 마치 종이에 잉크로 인쇄되는 것과 같은 효과를 얻을 수 있다.
즉, 자체적인 발광은 하지 않지만 시각 피로도가 대단히 낮아 실제 책을 보 는 것과 같은 편안한 감상이 가능하며 패널의 유연성이 뛰어나 구부릴 수 있는 정도가 높으며 그 두께 역시 대단히 얇게 형성할 수 있어 미래형 평판 표시 기술로 큰 기대를 모으고 있다. 또한 언급한 바와 같이 한번 표시된 이미지가 패널을 리셋하지 않는 한 오랜 시간 유지되기 때문에 소비전력이 극히 낮아 휴대용 표시 장치로서의 활용성이 뛰어나다. 특히 간단한 공정 및 저가 재료에 의한 낮은 가격은 전자종이 표시패널의 대중화에 기여할 것으로 예상되고 있다.
일반적으로 전자종이에 입자에 대해 알려져 있는 기술은 입자를 전자종이 내부에 형성된 셀 내에 충전하는 방법에 대해 많은 기술이 나왔지만 구동전압을 낮추기 위해 충전되는 입자를 필터링하는 기술은 현재 공지된 사실이 없다. 이처럼 상기와 같이 전자종이의 셀 내부에 충전되는 입자를 일정한 범주에 있는 전하량을 가진 입자들로만 구동한다면 전자종이를 구동시키기 위해 가해지는 임의의 구동전압에 모든 입자가 움직이게 하기 때문에 보다 안정한 입자의 구동이 이루어지며, 입자에 과전압이 걸리지 않기 때문에 입자의 수명이 길어지며, 구동전압 또한 낮아진다.
상기와 같은 문제점을 해결 하기 위해 안출된 본 발명의 목적은, 전자종이 내의 셀에 충전된 입자를 필터링하여 일정한 전하량, 더 정확하게는 전하량 대 입자질량(e/m), 또는 전하량 대 입자의 크기(e/r)을 가진 입자들로 전자종이를 형성하는 전자종이 입자의 필터링 방법을 제공하는데 있다.
(e:입자의 전하량, m:입자의 질량, r:입자의 반지름)
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 전자종이 입자의 필터링 방법은, 기판의 일면에 전극을 구비하고 상기 전극에 격벽을 구성하여 셀을 형성한 제1 패널과, 기판의 일면에 전극을 구비하고 상기 전극에 격벽을 구성하여 셀을 형성한 제2 패널, 및 기판과 전극으로 구성한 충전판을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서, 상기 제1 패널의 셀 내에 입자를 충전하는 단계와; 상기 제1 패널의 상면에 충전판을 결합하여 상기 제1 패널의 전극과 충전판의 전극에 입자의 문턱전압(Vth) 보다 낮은 전압(Vth1)을 인가하여 충전판과 충전판으로 이동된 입자를 제거하고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및 상기 이동하지 않은 입자를 가진 제1 패널 상면에 제2 패널을 결합하여 문턱전압(Vth) 보다 높은 전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 제2 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 이루어 지는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 또 다른 전자종이 입자의 필터링 방법은, 형틀기판의 일면에 형틀전극을 구비하고 상기 형틀전극의 타면에 격벽을 이용하여 형틀홈을 형성한 형틀(Pattern mold)과, 기판의 일면에 전극을 구비하여 형성한 패널을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서, 상기 형틀의 형틀홈 내에 입자를 충전하는 단계와; 상기 패널의 전극과 형틀전극에 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 패널로 이동된 입자를 버리고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및 상기 이동하지 않은 입자를 가진 형틀에 상기 패널을 결합하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 또 다른 전자종이 입자의 필터링 방법은, 형틀기판의 일면에 형틀전극을 구비하고 상기 형틀전극의 타면에 격벽을 이용하여 형틀홈을 형성한 형틀(Pattern mold)과, 기판의 일면에 전극을 구비하여 형성한 패널을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서, 상기 형틀의 형틀홈 내에 입자를 충전하는 단계와; 상기 패널에 격벽을 더 구비한 패널의 전극과 형틀전극에 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 상기 패널로 이동된 입자를 버리고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및 상기 이동하지 않은 입자를 가진 형틀에 상기 패널을 결합하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 구성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 문턱전압(Vth)는 필터링하여 충전된 입자의 평균 문 턱전압인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 문턱전압(Vth)은 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 전자종이 입자의 필터링 방법은 전자종이 내의 입자를 일정 범위 내의 문턱전압의 크기를 가진 입자들로 필터링함으로써, 전자종이 구동 시에 가해지는 임의의 구동전압에 모든 입자가 움직이게 하기 때문에 보다 안정한 입자의 구동이 이루어지며, 입자에 과전압이 걸리지 않기 때문에 입자의 수명이 길어지며, 구동전압 또한 낮아지는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부한 도면에 의거하여 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 따른 입자 필터링 방법에서 (a)는 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 입자를 이동시키는 것을 보인 도면이고 (b)는 문턱전압(Vth) 보다 큰전압(Vth2)를 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)과 같거나 작은 입자를 이동시키는 것을 보인 도면이다.
이때, 문턱전압(Vth)이라 함은 전자회로 분야에서 통상적으로 사용하는 바와 같이 OFF 상태에서 ON 상태, 또는 ON 상태에서 OFF상태로 어떤 상태가 변화하는 시점을 말하며, 전자종이를 비롯한 디스플레이 소자에서는 패널 표면에서 관찰된 반사율의 변화시점을 의미하는데,
본원발명에서의 문턱전압(Vth)은 입자의 움직임이 현격하게 많아지는 시점을 말하며, 즉, 반사율의 변화가 시작되는 시점의 전압을 의미한다.
도 1(a)에 도시한 바와 같이, 본 발명은 형틀 또는 패널에 입자를 충전한 상태에서 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 이동한 입자를 버리고 이동하지 않은 입자(문턱전압이 Vth1보다 큰 입자)를 취한다.
또한, 도1(b)에 도시한 바와 같이, 도1(a)에서 이동되지 않은 입자(Vth1 <Vth)에 대하여 문턱전압 Vth보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)보다 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 이동하지 않은 입자를 제거하고 이동한 입자(문턱전압이 큰전압(Vth2)과 같거나 작은 입자)를 취한다.
상기와 같은 방법을 통해 같은 문턱 전압에서 동작하는 입자를 이용하여 전자종이를 구동하기 때문에 대조비를 향상시킬수 있게 됩니다.
입자들로부터 문턱전압(Vth), 문턱전압이 낮은 전압(Vth1), 및 문턱전압이 큰 전압(Vth2)를 구분하는 이유는 제조사에서 제조하는 입자에 따라 각각 문턱전압이 다르기 때문에 본원 발명과 같은 필터링을 거쳐 문턱전압이 같은 입자를 찾는다.
또한, 입자 사이즈가 커지면 전하량이 증가하지만 동시에 질량도 증가하기 때문에 입자 운동 에너지는 전하량과 질량의 비에 의해 결정되어, 입자의 제조사가 채로 걸러내는 기계적인 방법은 q/m을 일정범위에 있도록 필터링하는 것이 불가능하여 본 발명의 실시 예와 같은 방법으로 필터링한다.
상기와 같은 방법에 의해 입자를 필터링하여 형성하는 전자종이의 하부전극 표면에 접촉되어 있는 입자가 상부전극의 표면으로 운동하는 원리를 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 구동전압(V4)은 하부전극의 표면에 위치한 입자가 대전하는데 필요한 제1 전압(V1)과, 상기 입자가 하부전극의 표면과의 접촉에너지에 해당하는 제2 전압(V2), 및 상기 하부전극에서 상부전극으로 입자가 이동하는데 필요한 운동에너지에 해당하는 제3 전압(V3)이다. 이때, 상기 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)는 에이징 전압 및 중간전압을 결정하는 요인(factor)이 된다.
이때, 에이징 전압은 구동전압을 인기하기 전에 입자의 충전 및 방전을 원활하게 하기 위한 다수개의 펄스로 이루어진 전압으로 일반적으로 PDP 분야에서 사용되는 용어이다.
또한, 중간전압은 구동전압을 낮추기 위하여 사전에 미리 인가되어 있는 전압이다. 다른 분야에서는 기준전압 또는 유지전압이라고 한다.
그러나, 종래의 구동전압(V4)은 제1 전압(V1), 제2 전압(V2), 및 제3 전압 (V3)을 합한 값에 해당되지만, 본 발명에 의한 구동전압(V4)은 제1 전압(V1)과 제2 전압(V2)이 이미 선행되었기에 제3 전압(V3)의 전압만으로 구동될 수 있어, 구동전압(V4)의 절대치가 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)만큼 낮아지게 되는 효과가 있다.
이는 구동 IC를 제작할 때 최대전압이 낮아짐으로 인하여 가격인하와 성능향상과 입자의 수명을 길게 하는데 기여하는 효과가 있다.
도 2는 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 1 실시 예를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 제1 패널(301) 및 제2 패널(301’)은 기판(302, 302’), 전극(303, 303’) 및 격벽(304, 304’)으로 구성하며, 충전판(307)은 기판(308) 및 전극(309)을 포함하여 구성한다.
여기서, 상기 제1 패널(301) 및 제2 패널(301’)은 기판(302, 302’) 일면에 전극(303, 303’)을 형성하고, 상기 전극(303, 303’)의 타면에 셀(미도시)과 셀(미도시)을 구분하기 위해 일정간격을 두고 격벽(304, 304’)을 형성한다. 이때, 상기 제1 패널(301)및 제2 패널(301’)은 상판 또는 하판인 것이 바람직하다.
여기서, 상기 충전판(307)은 기판(308) 일면에 전극(309)을 형성한다. 이때, 상기 제1 패널(301), 제2 패널(301’) 및 충전판(307)은 통상적 장치임이 바람직하다.
상기와 같이 격벽(304, 304’)을 구비하여 셀(미도시)과 셀(미도시)을 형성한 제1 패널(301), 제2 패널(301’), 및 충전판(307)을 이용하여 입자를 필터링하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 기판(302)의 일면에 전극(303)을 구비하고 상기 전극(303)에 격벽(304)을 구성하여 셀을 형성한 제1 패널(301)과 기판(302’)의 일면에 전극(303’)을 구비하고 상기 전극(303’)에 격벽(304’)을 구성하여 셀을 형성한 제2 패널(301’), 및 기판(308) 일면에 전극(309)을 형성한 충전판(307)을 구비한다.
이어서, 상기 제1 패널(301)의 셀 내에 입자(305)를 충전한다. 이때, 상기 입자(305)가 전하를 띠는 것은 자명하다. 또한, 상기 입자(305)의 문턱전압이라 함은 입자(305)가 움직이기 시작할 때의 전압을 의미하며, 본 발명에서의 문턱전압은 충전된 입자(305)의 평균값인 문턱전압(Vth)로 도시한다.
이때, 충전된 평균값인 문턱전압(Vth)은 움직임이 현격하게 많아지는 시점의 입자들을 의미한다.
이어서, 도 2(a)와 같이, 상기 제1 패널(301)의 전극(303)과 전극(309)에 입자(305)의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압(Vth)이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 전극(309)으로 이동한 입자(305)와 충전판(307)을 제거하고 이동하지 않은 입자(305)를 취한다. 다시 말해, 도 2(b)에 도시한 제1 패널(301)의 셀에 남아있는 입자(305)는 작은전압(Vth1)을 가진 입자를 제외한 입자임이 바람직하며 이는 문턱전압이 작은전압(Vth1)보다 큰 전압을 가진 입자임이 바람직하다.
이어서, 도 2(c)에 도시한 바와 같이, 상기 작은전압(Vth1)을 가진 입자(305)를 제외한 입자(305)만을 가진 제1 패널(301)의 상면으로 또 다른 제2패널(301’)을 결합하여 상기 문턱전압이 작은전압(Vth1)보다 큰전압(Vth2)를 가진 입자(305)에 대하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)보다 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉, 제1 패널(301)에 남아 이동하지 않은 입자(305)를 버리고 이동한 입자(305)를 취한다.
이때, 제1 패널(301)에 남아 이동하지 않은 입자(305)는 질소건 또는 동일한 극성의 전압에 의해 입자를 제거한다.
다시 말해, 상기 제1 패널(301)에 남아있는 입자(305)는 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)의 입자(305)이므로 제거하고, 상기 제2 패널(301’)에 이동한 입자는 문턱전압이 큰전압(Vth2)과 같거나 작은전압(Vth1)보다 큰 전압을 가진다.
즉, 상기 문턱전압(Vth)은 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위인 것이 바람직하다.
도 3는 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 2 실시 예를 나타낸 도면이 다.
도3에 도시한 바와 같이, 형틀(Patterned mold, 510)은 형틀기판(511)의 일면에 형틀전극(512)을 형성하고 상기 형틀기판(511)이 형성되지 않은 타면에 형틀격벽(513)을 형성하고, 일정간격을 두고 형틀격벽(513)을 형성하여 형틀홈(514)을 형성한다.
여기서, 패널(501)은 기판(502) 일면에 전극(503)을 형성한다. 이때, 상기 패널(501)은 격벽(미도시)이 형성되지 않지만 입자(505)가 충전되는 위치를 셀(506)이라고 하며, 상기 패널(501)은 격벽을 가지고 있지 않은 패널(501)이며, 이러한 패널은 플렉시블(Flexible) 디스플레이에 적용하기 용이하다.
상기와 같이, 상기 패널(501)과 형틀(510)을 이용하여 입자(505)를 필터링(Filtering)하는 방법은 다음과 같다.
먼저, 형틀기판(511)의 일면에 형틀전극(512)을 구비하고 상기 형틀전극(512)의 타면에 형틀격벽(513)을 이용하여 형틀홈(514)을 형성한 형틀(510)과 격벽을 구비하지 않은 패널(501)을 구비한다.
이어서, 상기 형틀(510)의 형틀홈(514) 내에 임의의 문턱전압을 가진 입자(505)들을 충전한다. 이때, 상기 입자(505)가 전하를 띠는 것은 자명하다. 또한, 상기 입자(505)의 문턱전압이라 함은 입자(505)가 움직이기 시작할 때의 전압을 의미하며, 본 발명에서의 문턱전압은 충전된 입자(505)의 평균 값인 문턱전압(Vth)로 도시한다.
이어서, 도 3(a)에 도시한 바와 같이, 상기 패널(501)의 전극(503)과 형틀전 극(512)에 입자(505)의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압(Vth)이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 패널(501)으로 이동한 입자를 버리고 이동하지 않고 상기 형틀(501)에 남아있는 입자(505)를 취한다. 다시 말해 상기 패널(501)로 이동한 입자(505)의 전압은 문턱전압(Vth)보다 작은 작은전압(Vth1)을 가진 입자임이 바람직하다.
이어서, 도 3(b)에 도시한 바와 같이, 상기 작은전압(Vth1)을 가진 입자를 제외한 입자를 가진 상기 형틀(510)의 상면에 상기 패널(501)을 다시 결합하여 상기 문턱전압이 작은전압(Vth1)보다 큰 입자에 대하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)보다 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 이동하지 않은 입자를 버리고 이동한 입자(505)를 취한다. 다시 말해, 상기 형틀(510)에 남아있는 입자(505)는 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)의 입자(505)이므로 제거하고, 상기 패널(501)에 이동한 입자(505)가 문턱전압(Vth)와 같거나 작은전압(Vth1)보다 큰 전압을 가진다.
즉, 상기 문턱전압(Vth)은 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위인 것이 바람직하다.
도 4은 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 3 실시 예를 나타낸 도면이다.
도4에 도시한 바와 같이, 형틀(Patterned mold, 410)은 형틀기판(411)의 일면에 형틀전극(412)을 형성하고 상기 형틀기판(411)이 형성되지 않은 타면에 형틀격벽(413)을 형성하여 패널(401)의 셀(406)과 같은 위치에 형틀홈(414)을 형성할수 있으며, 선택적으로 형성할 수도 있음이 바람직하다. 이때, 상기 형틀홈(414)는 컬러입자 주입용으로 사용될 수 있음이 바람직하다.
여기서, 패널(401)은 기판(402) 일면에 전극(403)을 형성하며, 상기 전극(403)의 타면에 셀(406)과 셀(406)을 구분하기 위해 일정간격을 두고 격벽(404)을 형성한다. 이때, 상기 패널(401)은 상판 또는 하판인 것이 바람직하다.
이때, 상기 패널(401) 및 형틀(410)은 통상적 장치임이 바람직하다.
상기와 같이, 구성된 패널(401)과 형틀(410)을 이용하여 입자(405)를 필터링하는 방법은 다음과 같다.
먼저 본 발명은 형틀기판(411)의 일면에 형틀전극(412)을 구비하고 상기 형틀전극의 타면에 형틀격벽(413)을 이용하여 형틀홈(414)을 형성한 형틀(Pattern mold)과 기판(402)의 일면에 전극(403)을 구비하고 상기 전극에 격벽을 구성하여 셀을 형성한 패널을 구비한다.
이어서, 상기 형틀(410)의 형틀홈(414) 내에 임의의 문턱전압을 가진 입자(405)들을 충전한다. 이때, 상기 입자(405)가 전하를 띠는 것은 자명하다. 또한, 상기 입자(405)의 문턱전압이라 함은 입자(405)가 움직이기 시작할 때의 전압을 의미하며, 본 발명에서의 문턱전압은 충전된 입자(405)의 평균값인 문턱전압(Vth)로 도시한다.
이어서, 도4(a)에 도시한 바와 같이, 상기 패널(401)의 전극(403)과 형틀전극(412)에 입자(405)의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 패널(401)로 이동한 입 자(405)를 버리고 이동하지 않고 상기 형틀(410)에 남아있는 입자(405)를 취한다. 다시 말해, 상기 패널(401)로 이동한 입자(405)의 전압은 문턱전압(Vth) 보다 작은 작은전압(Vth1)을 가진 입자임이 바람직하다.
이어서, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 상기 작은전압(Vth1)을 가진 입자를 제외한 입자를 가진 상기 형틀(410)의 상면에 상기 패널(401)을 다시 결합하여 상기 문턱전압이 작은전압(Vth1)보다 큰 전압을 가진 입자에 대하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)보다 작은 문턱전압을 가진 입자, 즉 이동하지 않은 입자(405)는 제거하고 상기 패널(401)로 이동한 입자(405)를 취한다. 다시 말해, 상기 형틀(410)에 남아있는 입자(405)는 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)의 입자(405)이므로 제거하고, 상기 패널(401)에 이동한 입자(405)가 문턱전압(Vth)와 같거나 작은전압(Vth1)보다 큰 전압을 가진다. 이때, 상기 입자(405) 제거는 통상적인 방법에 따른다. 또한, 상기 문턱전압(Vth)은 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위인 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 따라서 본 발명의 권리 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 청구범위뿐만 아니라, 이와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 입자 필터링 방법에서 (a)는 문턱전압Vth보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 문턱전압이 작은전압(Vth1)과 같거나 작은 입자를 이동시키는 것을 보인 도면이고, (b)는 문턱전압(Vth) 보다 큰전압(Vth2)를 인가하여 문턱전압이 큰전압(Vth2)과 같거나 작은 입자를 이동시키는 것을 보인 도면
도 2는 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 1 실시 예를 나타낸 도면.
도 3은 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 2 실시 예를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명에 따른 입자 필터링 방법의 제 3 실시 예를 나타낸 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
301 : 제1 패널 301’: 제2 패널
401, 501 : 패널 302, 302’, 402, 502 : 기판
303, 303’, 403, 503 : 전극 304, 304’, 404 : 격벽
305, 405, 505 : 입자 406, 506 : 셀
307 : 충전판 308 : 기판
309 : 전극 410, 510 : 형틀
411, 511 : 형틀기판 412, 512 : 형틀전극
413, 513 : 형틀격벽 414, 514 : 형틀홈

Claims (5)

  1. 기판의 일면에 전극을 구비하고 상기 전극에 격벽을 구성하여 셀을 형성한 제1 패널과, 기판의 일면에 전극을 구비하고 상기 전극에 격벽을 구성하여 셀을 형성한 제2 패널, 및 기판과 전극으로 구성한 충전판을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서,
    상기 제1 패널의 셀 내에 입자를 충전하는 단계와;
    상기 제1 패널의 상면에 충전판을 결합하여 상기 제1 패널의 전극과 충전판의 전극에 입자의 문턱전압(Vth) 보다 낮은 전압(Vth1)을 인가하여 충전판과 충전판으로 이동된 입자를 제거하고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및
    상기 이동하지 않은 입자를 가진 제1 패널 상면에 제2 패널을 결합하여 문턱전압(Vth) 보다 높은 전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 제2 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 전자종이 입자의 필터링 방법.
  2. 형틀기판의 일면에 형틀전극을 구비하고 상기 형틀전극의 타면에 형틀격벽을 이용하여 형틀홈을 형성한 형틀(Pattern mold)과, 기판의 일면에 전극을 구비하여 형성한 패널을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서,
    상기 형틀의 형틀홈 내에 입자를 충전하는 단계와;
    상기 패널의 전극과 형틀전극에 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 패널로 이동된 입자를 버리고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및
    상기 이동하지 않은 입자를 가진 형틀에 상기 패널을 결합하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 구성하는 것을 특징으로 하는 전자종이 입자의 필터링 방법.
  3. 형틀기판의 일면에 형틀전극을 구비하고 상기 형틀전극의 타면에 격벽을 이용하여 형틀홈을 형성한 형틀(Pattern mold)과, 기판의 일면에 전극을 구비하여 형성한 패널을 구비한 전자종이 제조방법에 있어서,
    상기 형틀의 형틀홈 내에 입자를 충전하는 단계와;
    상기 패널에 격벽을 더 구비한 패널의 전극과 형틀전극에 입자의 문턱전압(Vth)보다 작은전압(Vth1)을 인가하여 상기 패널로 이동된 입자를 버리고 이동하지 않은 입자를 취하는 단계; 및
    상기 이동하지 않은 입자를 가진 형틀에 상기 패널을 결합하여 문턱전압(Vth)보다 큰전압(Vth2)을 인가하여 이동하지 않은 입자를 버리고 상기 패널로 이동한 입자를 필터링하여 취하는 단계;로 구성하는 것을 특징으로 하는 전자종이 입자의 필터링 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 문턱전압(Vth)는 필터링하여 충전된 입자의 평균 문턱전압인 것을 특징으로 하는 전자종이 입자의 필터링 방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 문턱전압(Vth)은 작은전압(Vth1) < 문턱전압(Vth) ≤ 큰전압(Vth2)의 범위인 것을 특징으로 하는 전자종이 입자의 필터링 방법.
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