KR100948614B1 - 응답속도가 향상된 액정, 이를 포함하는 액정 표시장치 및액정표시장치 제조방법 - Google Patents

응답속도가 향상된 액정, 이를 포함하는 액정 표시장치 및액정표시장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 액정 표시장치의 액정은 액정의 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이하이고, 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위인 경우, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위이고, 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위인 경우, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위에 포함된다. 본 발명은 액정의 응답속도를 향상시키는 효과가 있다.
액정, 응답속도, 수직배향, 굴절율 이방성, 유전율 이방성

Description

응답속도가 향상된 액정, 이를 포함하는 액정 표시장치 및 액정표시장치 제조방법{LIQUID CRYSTAL MATERIAL HAVING ENHANCED RESPONSE TIME, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS}
도 1은 종래의 액정을 포함하는 패턴된 수직배향(PVA) 모드 액정 표시장치에서의 전압 상승 구간에서의 응답파형을 도시한 그래프이다.
도 2는 패턴된 수직배향 (Patterned Vertically Aligned) 모드의 액정표시장치를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 B-B' 선에 따른 단면도이다.
도 4a는 액정표시장치의 데이터 라인 인접 영역에서 액정 지시 방향을 설명하기 위한 개략적 평면도이다.
도 4b는 액정표시장치의 데이터 라인 인접 영역에서의 편광축과 액정지시 방향을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 의한 액정을 포함하는 액정 표시장치에서의 전압 상승 구간에서의 응답파형을 도시한 그래프이다.
도 6은 액정 물성에 따른 전압과 투과율간의 관계를 도시한 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
110: 박막 트랜지스터 120: 게이트 라인
130: 데이터 라인 140: 화소전극
150a: 제 1 돌출부 150b: 제 2 돌출부
160: 제 3 전극 102: 게이트 절연막
100: 제 1 기판 200: 제 2 기판
210: 광 차단층 220: 공통전극
본 발명은 액정 및 이를 포함하는 액정 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면 응답속도가 향상된 액정 및 이를 포함하는 액정 표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 응답 속도 및 투과율을 향상하기 위한 액정표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 각 화소를 스위칭하는 박막 트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor)가 형성된 TFT 기판과, 공통 전극이 형성된 공통 전극 기판 및 두 기판 사이에 밀봉된 액정으로 구성된다. 여기서, 액정표시장치는 두 개의 기판에 구성된 두 개의 투명 전극사이에 전압을 인가하여 액정을 구동시키고, 광의 투과율을 제어함으로써 화상을 디스플레이한다.
최근 들어, 액정표시장치의 수요는 증가하고 있으며, 액정표시장치에 대한 요구도 다양화하고 있다. 특히, 시각 특성이나 표시 품질의 개선이 강하게 요구되고 있어, 이를 실현하기 위하여 수직 배향(Vertically Aligned) 모드의 액정표시장치가 개발되었다.
VA 모드의 액정표시장치는, 대향하는 면에 수직 배향 처리가 실행된 2개의 기판과, 양 기판 사이에 밀봉된 네거티브 타입의 유전율 이방성(Negative type dielectric constant anisotropy)을 갖는 액정으로 구성되어 있다.
상기 액정의 분자는 수직(homeotropic) 배향의 성질을 갖고 있어, 양 기판 사이에 전압이 인가되지 않을 때에는 기판면에 대하여 대략 수직 방향으로 정렬되고, 블랙(black)으로 디스플레이된다. 또한, 양 기판 사이에 소정의 전압이 인가될 때에는 기판면에 대략 수평 방향으로 정렬되고, 화이트(white)로 디스플레이된다. 한편, 상기 전압보다 작은 전압이 인가되었을 때에는 기판면에 대하여 비스듬하게 경사져 배향한다.
도 1은 종래의 액정을 포함하는 패턴된 수직배향(PVA) 모드 액정 표시장치에서의 전압 상승 구간에서의 응답파형을 도시한 그래프이다.
도 1을 참조하면, 종래 액정을 사용하는 액정 표시장치의 경우 첫 번째 프레임에서 투과도가 낮아져 커스프(cusp, C)가 나타난다. 커스프(C)가 발생하는 원인으로는 박막 트랜지스터의 구동시 액정 배열이 바뀌면서 일어나는 다이내믹 커패시턴스(dynamic capacitance) 때문이다. 액정은 장축 방향과 단축 방향의 유전율이 다르므로 전압이 인가되어 배열이 변화하게 되면 커패시턴스가 변화하게 된다.
굴절율 이방성 Δn의 값이 0.082인, 종래의 액정의 경우 커스프(C)의 위치는 포화전압(saturation voltage, A)의 90%이하에 위치하게 되는데, 이러한 커스프(C)의 위치가 포화전압(A)의 90% 이하에 나타나게 되면, 전압 상승의 지연원인이 된다.
도 1에서 보이는 바와 같이, 종래의 액정을 사용하는 액정표시장치의 경우 커스프(C)의 위치가 포화전압(A)의 90%위치인 B지점 아래에 위치하여 첫 번째 프레임에서 도달되지 못하고, 두 번째 프레임에 이르러서야 B지점 위로 상승하게 된다.
따라서, 액정의 응답속도가 지연되어 고속 동영상의 구현에 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 제 1 목적은 액정 표시장치의 응답속도를 향상하기 위한 액정을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 제 2 목적은 이러한 응답속도가 향상된 액정을 포함하는 액정 표시장치를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 제 3 목적은 이러한 액정 표시장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 액정은 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 것을 특징으로 한다. 이때의 액 정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위이다.
또한 이러한 목적을 달성하기 위한 또다른 액정은 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 한다. 이때의 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위이다.
또한 본 발명에 의한 액정 표시장치는 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향하게 배치되며, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 게재되고, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 액정을 포함한다. 이때의 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위이다.
또한 본 발명에 의한 또다른 액정 표시장치는 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판과, 상기 제 1 기판과 대향하게 배치되며, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판 및 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 게재되고, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 포함한다. 이때의 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위이다.
본 발명에 의한 액정 표시장치의 제조방법에 의하면, 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판이 제조되고, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판을 제조된다. 이후, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 주입한다. 이때의 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위이다.
본 발명에 의한 액정 표시장치의 또다른 제조방법에 의하면, 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판이 제조되고, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판을 제조된다. 이후, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 주입한다. 이때의 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
액정셀의 네마틱 액정 분자들의 헬름홀츠 자유 에너지밀도는 액정 분자들의 탄성에너지 밀도와 액정층에 가해지는 전자기장에 의한 에너지 밀도의 합으로 표현된다. 액정의 배열 변화에 의한 탄성에너지 밀도는 액정이 벌어지는 경우(Spray), 꼬이는 경우(Twist) 및, 휘는 경우(band)에 발생한다. 각각의 경우 발생하는 탄성에너지 밀도의 합과 전기장에 의한 에너지 밀도 1/2(DㆍE)를 합하여 헬름홀츠 자유에너지 밀도를 구한다.
액정의 탄성에 의한 에너지는 다음의 식으로 표현된다.
Figure 112003029225737-pat00001
Figure 112003029225737-pat00002
수학식 1에서 n은 액정의 방향자이고, k11, k22 및 k33은 각각 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant), 꼬임 탄성계수(twist elastic constant) 및 휨 탄성계수(bend elastic constant)를 의미한다. 액정의 방향자 벡터 n을 (cosθcosφ, cosθsinφ, sinθ)로 하여 위의 수학식 1에 적용하고 단위면적당 헬름홀츠 자유에너지(Free energy) F를 구하면 다음의 수학식 2로 표현된다.
Figure 112003029225737-pat00003
Figure 112003029225737-pat00004
상기 수학식 2에서 Δε은 굴절율 이방성(dielectric constant anisotropy)로서, Δε = ε|| - ε⊥로서 ε|| 와 ε⊥는 각각 액정의 장축 방향의 유전율과 액정의 단축 방향의 유전율을 의미한다.
변분법(Variational method)을 이용하여 헬름홀츠 자유에너지가 최소가 되는 조건을 나타내는 미분 방정식인 오일러-라그랑즈 방정식(Euler-Lagrange equation)을 구하면 아래의 수학식 3 및 수학식 4로 표현된다.
Figure 112003029225737-pat00005
Figure 112003029225737-pat00006
Figure 112003029225737-pat00007
위의 수학식 4는 탄성과 점성력에 의한 토크와 외부인가 전압사이의 균형을 표현하고 있으므로 수학식 4의 좌측식에 γ1(∂θ/∂t)를 대입하고(여기서 γ1은 회전점도(rotational viscosity)를 나타낸다), 경계조건을 적용한 후, θ=θ(z)[1-exp(t/τr)]을 대입하여 증가 시간 상수 τr을 구하면 아래의 수학식 5에서 보이는 바와 같다.
Figure 112003029225737-pat00008
를 얻는다.
마찬가지로 감소 시간상수 τd를 구하면 아래의 수학식 6으로 표현된다.
Figure 112003029225737-pat00009
을 얻는다. 위의 식에서 증가 시간상수는 대략적으로 인가 전압의 제곱에 반비례하므로 충분히 높은 접압을 인가하는 경우 상승시간은 10ms이하로 빠르다. 그러나 실제의 패턴된 수직 배향모드(PVA)의 경우, 박막 트랜지스터 구동을 사용하기 때문에 상승시간은 10ms이상으로 느려지게 된다.
하나의 프레임 간격은 약 6.7ms이므로, 두 번째 프레임에 이르러서야 상승시간에 도달하게 된다.
이와같이 액정의 응답속도가 지연되는 경우, 액정의 배열을 변화시키기 위한 전극에 초기에 오버 드라이버 전압을 인가하는 장치를 부가하는 등의 액정 표시장치의 구조를 변경하여 액정의 응답속도를 향상시킬 수 있으며, 또한 액정 자체의 물성을 변화시켜 응답속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에서는 액정 표시장치의 구조를 변경하지 않고, 액정의 특성을 변경시켜 응답속도를 향상시킨다. 따라서 본 발명에 의한 액정 표시장치는 아래에서 기술되는 구조에 한정되지 아니하며, 예시적으로 도시한 액정 표시장치 이외에도 적용될 수 있다. 예컨테 화소전극이 V자 형상을 같는 세브론 구조에도 적용될 수 있다.
이하 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 패턴된 수직배향 (Patterned Vertically Aligned) 모드의 액정표시장치를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 1의 B-B' 선에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 PVA 모드의 액정표시장치는 박막 트랜지스터(110)가 형성된 제1 기판(100), 광을 차폐시키기 위한 광차단층(210)이 형성된 제2 기판(200) 및 상기 두 기판 사이에 개재되는 액정층(도시되지 않음) 을 포함한다. 또한, 제1 기판(100)의 하부 및 제2 기판(200)의 상부에는 백라이트 어셈블리(도시되지 않음)로부터 발생된 광 중 소정 광축의 광만을 선택적으로 투과시키기 위한 편광판(도시되지 않음)이 각각 구성된다.
여기서, 제1 기판(100)은 평행한 복수의 게이트 라인(120), 게이트 라인(120)에 수직하며 평행하게 배열된 복수의 데이터 라인(130), 게이트 라인(120) 및 데이터 라인(130)이 교차된 영역에 형성된 화소전극(140)을 갖는다. 또한, 제2 기판(200)은 광차단층(210) 상부에 형성된 공통전극(220)을 포함한다.
이러한 액정표시장치는 화소내의 액정분자를 멀티-도메인(multi-domain)이나 서로 다른 복수의 방향으로 배열시키기 위한 제1 내지 제3 전극(150,160,170)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(150)은 제1 기판(100) 상에 형성되고, 제2 및 제3 전극(160,170)은 제2 기판(200) 상에 형성된다.
상기 제1 전극(150)은 데이터 라인(130)에 대하여 소정의 기울기를 갖고, A-A'선을 중심으로 대칭되어 형성된 제1 돌출부(150a) 및 데이터 라인(130)에 인접하는 제1 돌출부(150a)의 단부가 데이터 라인(130)과 평행하도록 연장되어 형성된 제2 돌출부(150b)를 포함한다.
여기서, 제2 돌출부(150b)는 제2 기판(200)상의 광차단층(210)에 의해 완전히 커버된다. 즉, 광차단층(210)은 데이터 라인(130)을 중앙에 두고 좌우에 형성된 제2 돌출부(150b)의 끝단보다 소정 폭만큼 더 넓은 폭을 가지도록 형성된다. 이때, 광차단층(210)은 약 28㎛의 폭을 갖는다. 또한, 제1 전극(150)과 화소전극(140)은 게이트 절연막(102)에 의해 절연상태를 유지하고, 제2 돌출부(150b)와 데이터 라인(130)과의 간격은 약 5.5㎛이다.
한편, 제2 전극(160)은 V자 형상을 갖도록 형성되고, 제1 전극(150)과 제2 전극(160)은 교대로 배열되며 서로 평행이다. 제3 전극(170)은 제2 전극(160)의 절곡된 부분으로부터 데이터 라인(130)쪽으로 연장되어 형성된다. 이때, 제3 전극(170)은 Y자 형상을 갖는다. 여기서, 제2 전극(160) 및 제3 전극(170)은 상기한 형상을 갖도록 제2 기판(200)상의 공통전극(220)의 일부가 제거됨에 따라 형성된다. 이러한 구조는 앞에서 설명한 바와 같이 예시적인 것이며 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
상기한 바와 같이 구성되는 액정표시장치에서 데이터 라인 인접 영역에서의 액정의 지시 방향을 첨부 도면을 참조하여 설명한다.
도 4a는 액정표시장치의 데이터 라인 인접 영역에서 액정 지시 방향을 설명하기 위한 개략적 평면도이고, 도 4b는 액정표시장치의 데이터 라인 인접 영역에서의 편광축과 액정지시 방향을 나타낸 도면이다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 액정표시장치의 화소전극(140)은 데이터 라인 인접 영역에 형성된 제2 돌출부(150b)를 완전히 덮도록 오버랩되어 형성된다.
일반적으로, 네가티브 타입의 유전 상수 이방성을 갖는 액정은 편광축에 대하여 45°틸트(tilt)된다. 그러나, 종래 기술에 따른 액정표시장치의 화소전극(140)의 끝단 부위에서 액정은 전계가 인가되지 않은 상태에서는 수직방향으로 서 있는 블랙 모드 상태(300)를 유지한다. 한편, 전계가 인가되는 초기에 액정은 편광축(310)과 동일한 방향으로 틸트되고, 이후에 끝단 부위 이외의 액정의 영향을 받아 편광축(310)의 45°로 틸트된다.
따라서, 이러한 액정표시장치는 화소전극의 끝단 부분의 액정이 전계 인가초기에 편광축과 동일한 방향을 갖다가, 이후에 편광축의 45°로 틸트되는 2 스텝-모션(step-motion)을 유발한다. 따라서 이러한 2 스텝-모션 또한 액정의 응답속도 지연의 한 원인으로 작용한다.
그럼에도 불구하고 아래에서 기술하는 액정을 사용하는 경우 커스프의 위치가 포화전압의 90%이상에 위치하여 응답속도가 상승된다.
도 5는 본 발명에 의한 액정을 포함하는 액정 표시장치에서의 전압 상승 구간에서의 응답파형을 도시한 그래프이다.
본 실험에서의 구동전압은 고전압은 10.6V, 저전압으로는 2.2V를 사용하였으며, 셀갭은 3.75μm이다.
본 실험에 사용된 액정은 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 액정의 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.0825 범위이고, 유전율 이방성 Δε은 -5.0 인 액정에 대한 그래프이다.
액정이 영상을 표현하기 위해서는 굴절율 이방성을 필요로 하고, 또한 전기적으로 액정을 배열을 제어하기 위해서는 유전율 이방성을 필요로 한다. 단일 액정의 종류로는 요구되는 특정범위의 성질에 부합되도록 할 수 없으므로 일반적으로 대략 10 내지 20여개의 액정을 혼합하여 제조한다.
단일 액정의 성질은 널리 알려져 있으며, 또한 단일 액정물질로부터 혼합액정의 성질을 예측하는 컴퓨터 프로그램이 많이 활용되고 있다.
따라서, 굴절율 이방성과 유전율 이방성이 본 발명의 범위에 대응하도록 액정을 제작하는 것은 당업자에게 용이한 사항이므로 상설하지 아니한다.
도 5의 그래프에서 알 수 있듯이 위 범위의 액정을 사용하는 경우, 커스프(C)의 위치가 포화전압(Saturation voltage, A)의 90%에 해당하는 상승시간의 위에 위치한다. 대략적으로 커스프(C)는 포화전압의 95%정도에서 형성된다.
이러한 패턴은 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위내에서 유사하게 관측된다.
그러나, 굴절율 이방성 Δn의 범위가 0.07보다 작게되면 종래 액정과 같이, 커스프(C)의 위치가 포화전압(A)의 90%이하에서 형성되므로 액정의 응답속도가 향상되지 아니한다.
한편, 굴절율 이방성 Δn의 범위가 0.09의 범위를 넘어서면, 시인성(Visibility)이 악화된다.
도 6은 액정 물성에 따른 전압과 투과율간의 관계를 도시한 그래프이다.
도 6의 그래프 a는 위의 도 5의 액정, 즉 굴절율 이방성 Δn의 값은 0.0825 범위이고, 유전율 이방성 Δε은 -5.0 인 액정에 대응하는 그래프이고, 그래프 b는 굴절율 이방성 Δn값은 0.1011 범위이고, 유전율 이방성 Δε은 -3.3 인 액정에 대응하는 그래프이고, 그래프 c는 종래의 액정 즉, 굴절율 이방성 Δn의 값이 0.082인 액정에 대응하는 그래프이다.
그래프 a와 그래프 b는 종래의 그래프 c에 비해 전압이 급격히 상승되어 포화전압에 도달한다.
또한 유전율 이방성 Δε의 차이에 따라서 시인성을 악화시키지 아니하면서 응답속도가 상승하는 액정의 굴절율 이방성 Δn값이 상이하게 된다.
즉, 액정의 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위인 경우, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위일 때 액정 표시장치의 시인성을 악화시키지 아니하면서, 액정의 응답속도를 향상시킨다.
한편 액정의 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위인 경우, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위일 때 액정 표시장치의 시인성을 악화시키지 아니하면서, 액정의 응답속도를 향상시킨다.
본 발명에 의한 액정 표시장치에 의하면, 액정의 응답속도가 향상되어 고속의 동영상의 구현에 적합하다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영 역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

  1. 액정 표시장치에 사용되는 액정으로서, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 것을 특징으로 하는 액정.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위인 것을 특징으로 하는 액정.
  3. 액정 표시장치에 사용되는 액정으로서, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 하는 액정.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위인 것을 특징으로 하는 액정.
  5. 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 대향하게 배치되며, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 게재되고, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 포함하는 액정 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위인 것을 특징으로 액정 표시장치.
  7. 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판;
    상기 제 1 기판과 대향하게 배치되며, 제 2 전극을 포함하는 제 2 기판; 및
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 게재되고, 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 포함하는 액정 표시장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위인 것을 특징으로 하는 액정.
  9. 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판을 제조하는 단계;
    제 2 전극을 포함하는 제 2 기판을 제조하는 단계;
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.09 내지 0.11 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 주입하는 단계를 포함하는 액정 표시장치 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -3.0 내지 -3.8 범위인 것을 특징으로 액정 표시장치 제조방법.
  11. 제 1 전극을 포함하는 제 1 기판을 제조하는 단계;
    제 2 전극을 포함하는 제 2 기판을 제조하는 단계;
    상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 벌어짐 탄성계수(spray elastic constant) 및 휨 탄성계수(band elastic constant)는 각각 13 ×10-13N 이상이고, 굴절율 이방성 Δn의 범위는 0.07 내지 0.09 범위인 것을 특징으로 하는 액정을 주입하는 단계를 포함하는 액정 표시장치 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 액정의 유전율 이방성 Δε은 -4.0 내지 -5.0 범위인 것을 특징으로 액정 표시장치 제조방법.
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