KR100931371B1 - Semiconductor wire grid polarizer and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 와이어 그리드의 재질을 금속과 유사한 컨덕티비티를 갖는 반도체 물질로 제조함으로써, 외부에서 전계 제어를 통해 투과율과 반사율을 조절할 수 있는 반도체 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법를 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 실현하기 위한 수단으로서 본 발명의 반도체 와이어 그리드 편광판은, 기판(10) 상에 와이어 그리드가 형성되고, 그 위로 유전층(11)과 게이트 전극(30)이 적층되어 이루어지며, 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 와이어 그리드 편광판은, 기판(10) 상에 게이트 전극(30) 및 유전층(11)이 순차적으로 적층된 구조로 이루어지고, 그 위에 와이어 그리드가 형성되어 이루어지며, 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명은 이러한 편광판의 제조방법, 이를 이용한 광학표시장치 및 광학기기를 포함한다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wire grid polarizer and a method of manufacturing the same. In particular, a semiconductor wire that can adjust transmittance and reflectance through electric field control by manufacturing a material of a wire grid from a semiconductor material having a similarity to that of a metal. It is an object of the present invention to provide a grid polarizer and a manufacturing method thereof. As a means for realizing this, in the semiconductor wire grid polarizer of the present invention, a wire grid is formed on a substrate 10, and a dielectric layer 11 and a gate electrode 30 are stacked thereon, and the wire grid is an external electric field. The semiconductor material is characterized in that the conductivity is formed of a semiconductor material. In addition, the semiconductor wire grid polarizer according to the present invention has a structure in which the gate electrode 30 and the dielectric layer 11 are sequentially stacked on the substrate 10, and a wire grid is formed thereon, and the wire grid Is characterized in that it is formed of a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field. In addition, the present invention includes a manufacturing method of such a polarizing plate, an optical display device and an optical device using the same.

반도체 와이어 그리드 편광판, 게이트 전극, 반도체 물질 Semiconductor wire grid polarizer, gate electrode, semiconductor material

Description

반도체 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법{Semiconductor Wire Grid Polarizer and Method thereof}Semiconductor wire grid polarizer and its manufacturing method {Semiconductor Wire Grid Polarizer and Method

본 발명은 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 외부 전계 제어로 반사율과 투과율을 조절할 수 있는 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wire grid polarizer and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a wire grid polarizer and a method for manufacturing the same, which can adjust reflectance and transmittance by external electric field control.

최근 들어 액정표시장치라든가 광학기기의 발달로 편광판에 대한 수요가 급격하게 늘어나고 있다.Recently, the demand for polarizers is rapidly increasing due to the development of liquid crystal displays and optical devices.

이러한 편광판은 편광 효율과 투과율을 높일 수 있는 방향으로 연구가 진행되고 있는데, 근래에 와서는 그 한가지 대안으로 평판형의 편광판(Plannar Polarizer)에 대한 연구가 많이 이루어지고 있다.Such polarizers are being researched in a direction to increase polarization efficiency and transmittance. Recently, as one alternative, a planar polarizer has been studied.

그 중에서도 금속 와이어를 어레이 형태가 되도록 일정한 간격으로 배치하여 전자기파의 편광을 선택적으로 투과시키거나 반사시키는 와이어 그리드 편광판에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.Among them, researches on wire grid polarizers for selectively transmitting or reflecting polarization of electromagnetic waves by arranging metal wires at regular intervals to form an array have been actively conducted.

통상적으로 와이어 그리드 편광판은 전도성이 높은 금속을 이용하여 제작하고 있다. 이러한 와이어 그리드 편광판은 금속 와이어의 배열 간격이 전자기파의 파장보다 짧을 경우 금속 와이어와 평행한 편광 성분, 즉 S파가 반사되고 수직인 P파만이 투과하게 된다.Usually, the wire grid polarizer is manufactured using a metal with high conductivity. In the wire grid polarizer, when the arrangement interval of the metal wires is shorter than the wavelength of the electromagnetic wave, only the P wave that is polarized and perpendicular to the metal wire, that is, the S wave is reflected is transmitted.

이러한 종래의 금속 와이어를 그리드로 형성하는 편광판은 소정의 간격 이하로 제조하는 것이 어렵기 때문에 투과시킬 수 있는 파장에 한계가 있다.Since a polarizing plate for forming such a conventional metal wire into a grid is difficult to manufacture at a predetermined interval or less, there is a limit to a wavelength that can be transmitted.

본 발명은 반도체 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 와이어 그리드의 재질을 금속과 유사한 컨덕티비티를 갖는 반도체 물질로 제조함으로써, 외부에서 전계를 통해 투과율과 반사율을 조절할 수 있는 반도체 와이어 그리드 편광판 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wire grid polarizer and a method for manufacturing the same. In particular, a semiconductor wire grid capable of controlling transmittance and reflectivity through an electric field by manufacturing a material of the wire grid from a semiconductor material having a similarity to that of metal. Its purpose is to provide a polarizing plate and a method of manufacturing the same.

이를 실현하기 위한 수단으로서 본 발명에 따른 제1실시예로서 반도체 와이어 그리드 편광판은,As a means for realizing this, the semiconductor wire grid polarizer as the first embodiment according to the present invention,

기판(10) 상에 와이어 그리드가 형성되고, 그 위로 유전층(11)과 게이트 전극(30)이 적층되어 이루어지며,A wire grid is formed on the substrate 10, and a dielectric layer 11 and a gate electrode 30 are stacked thereon,

와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The wire grid is formed of a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field.

또한, 본 발명에 따른 제2실시예로서 반도체 와이어 그리드 편광판은, In addition, the semiconductor wire grid polarizer according to the second embodiment of the present invention,

기판(10) 상에 게이트 전극(30) 및 유전층(11)이 순차적으로 적층된 구조로 이루어지고, 그 위에 와이어 그리드가 형성되어 이루어지며,The gate electrode 30 and the dielectric layer 11 are sequentially stacked on the substrate 10, and a wire grid is formed thereon.

와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The wire grid is formed of a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field.

또한, 기판(10)은 플렉시블 타입 또는 하드타입의 투명기판인 것을 특징으로 한다.In addition, the substrate 10 is characterized in that the transparent substrate of the flexible type or hard type.

또한, 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs 및 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor material is any one selected from carbon nanotubes, organic semiconductor materials, silicon, GaAs and nanowires.

또한, 와이어 그리드는 인접한 와이어 그리드간의 간격에 따라 투과율과 반사율이 달라지는 것을 특징으로 하며, 특히 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드 방식으로 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the wire grid is characterized in that the transmittance and reflectance is different depending on the distance between the adjacent wire grid, in particular the wire grid is characterized in that it is formed by the transfer method or stamping method.

이때의 와이어 그리드 간격은 자외선 영역을 투과할 수 있도록 200-300nm로 형성하거나, 가시광선 영역을 투과할 수 있도록 380-780nm로 형성하거나, 적외선 영역을 투과할 수 있도록 780-1000nm로 형성할 수 있다.At this time, the wire grid spacing may be formed at 200-300nm to transmit the ultraviolet region, 380-780nm to transmit the visible region, or 780-1000nm to transmit the infrared region. .

또한, 본 발명에 따른 편광판은 게이트 전극(30)을 통해 외부 전계로 투과율과 반사율을 제어할 수 있다. 특히, 본 발명에 따른 편광판은 원형, 사각형 또는 다각형의 형태로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the polarizing plate according to the present invention can control the transmittance and reflectance with an external electric field through the gate electrode 30. In particular, the polarizing plate according to the present invention is characterized in that it is formed in the form of a circle, a square or a polygon.

한편, 본 발명에 따른 반도체 와이어 그리드 편광판의 제조방법은,On the other hand, the manufacturing method of the semiconductor wire grid polarizer according to the present invention,

기판(10) 상에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S100);Forming a wire grid on the substrate 10 with a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field (S100);

와이어 그리드를 감싸도록 유전층(11)을 형성하는 단계(S200);Forming a dielectric layer 11 to surround the wire grid (S200);

유전층(11) 위로 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S300);를 포함하여 이루어진다.Forming a gate electrode 30 over the dielectric layer 11 (S300).

또한, 본 발명에 따른 또 다른 편광판의 제조방법으로서, Moreover, as another manufacturing method of the polarizing plate which concerns on this invention,

기판(10) 상에 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S100');Forming a gate electrode 30 on the substrate 10 (S100 ′);

게이트 전극(30) 상에 유전층(11)을 형성하는 단계(S200');Forming a dielectric layer 11 on the gate electrode 30 (S200 ′);

유전층(11) 위에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S300');를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.And forming a wire grid on the dielectric layer 11 with a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field (S300 ′).

또한, 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서, 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs, 및 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 한다.In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), the semiconductor material is any one selected from carbon nanotubes, organic semiconductor materials, silicon, GaAs, and nanowires.

특히, 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서, 반도체 와이어 그리드의 간격을 자외선을 투과시킬 수 있도록 200-300nm 간격으로 형성하거나, 가시광선 영역을 투과시킬 수 있도록 380-780nm 간격으로 형성하거나, 적외선을 투과시킬 수 있도록 780-1000nm 간격으로 형성할 수 있다.In particular, in the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), the interval of the semiconductor wire grid is formed at intervals of 200-300nm to transmit ultraviolet rays, or at intervals of 380-780nm to transmit visible region. In order to transmit infrared rays, it may be formed at intervals of 780-1000 nm.

또한, 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서, 반도체 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드로 형성하는 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), characterized in that the semiconductor wire grid is formed by a transfer method or a stamping method.

본 발명에 따르면, 다음과 같은 효과가 있다.According to the present invention, the following effects are obtained.

1) 반도체를 이용하여 와이어 그리드를 제조함으로써 외부 전계의 변화에 따라 컨덕티비티의 조정으로 빛의 투과율과 반사율을 조절할 수 있다.1) By manufacturing a wire grid using semiconductors, the transmittance and reflectance of light can be controlled by adjusting the conductance according to the change of the external electric field.

2) 외부 전계의 변화에 의한 투과율과 반사율 조절 및 반도체 와이어 그리드의 간격을 달리 함으로써, 와이어 그리드 편광판의 작동범위를 가시광선 영역까지 넓힐 수 있기 때문에 디스플레이 분야라든가 다양한 광학 기기에의 적용이 가능하다.2) By varying the transmittance and reflectance due to the change of the external electric field and the distance between the semiconductor wire grids, the operating range of the wire grid polarizer can be extended to the visible light range, and thus it is applicable to display fields and various optical devices.

3) 통상의 반도체 공정을 통해 반도체 와이어 그리드를 제작하기 때문에 제 작이 용이하다.3) It is easy to manufacture because the semiconductor wire grid is manufactured through the normal semiconductor process.

4) 와이어 그리드를 반도체물질로 제조하여 외부 전계 효과로 구동되기 때문에 빛의 반응성(턴온/오프)이 빠르다.4) Since the wire grid is made of semiconductor material and driven by the external electric field effect, the light reactivity (turn on / off) is fast.

5) 나노공정을 통해 반도체 와이어 그리드를 제조할 수 있기 때문에 반도체 와이어간의 간격 조절이 용이하고, 또한 편광판의 두께를 얇게 제작할 수 있다.5) Since the semiconductor wire grid can be manufactured through the nano process, the gap between the semiconductor wires can be easily controlled, and the thickness of the polarizing plate can be made thin.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 대하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 그리드 편광판의 제조방법을 설명하기 위한 일실시예의 플로우챠트이고, 도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따라 각 단계별로 형성 상태를 보여주는 사시도이다.1 is a flow chart of an embodiment for explaining a method of manufacturing a semiconductor grid polarizer according to the present invention, Figures 2a to 2c is a perspective view showing a state of formation in each step according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일실시예에 따른 반도체 그리드 편광판의 제조방법은 크게 3단계로 구분된다. 와이어 그리드 형성단계(S100), 유전층 형성단계(S200), 그리고 게이트전극 형성단계(S300)를 순차적으로 거치게 된다.Method for manufacturing a semiconductor grid polarizer according to an embodiment of the present invention is largely divided into three steps. The wire grid forming step S100, the dielectric layer forming step S200, and the gate electrode forming step S300 are sequentially performed.

우선, 기판(10) 상에 와이어 그리드를 형성하는 단계(S100)이다. 여기서, 기판(10)은 편광판의 특성상 빛이 투과할 수 있도록 투명한 재질로 제조된 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 기판은 딱딱한 하드형을 이용할 수도 있고 종이처럼 쉽게 접힐 수 있는 플렉시블 타입을 기판(10)으로서 이용할 수도 있으나, 여기서는 플렉시블 타입의 기판(10)을 이용하여 본 발명에 따른 편광판을 플렉시블 타입으로 제조하는 것이 더욱 바람직하다.First, a step of forming a wire grid on the substrate 10 (S100). Here, it is preferable that the substrate 10 is made of a transparent material so that light can pass through due to the characteristics of the polarizing plate. In addition, the substrate may be a hard type or may be a flexible type that can be easily folded like a paper 10 as the substrate 10, but here, using the flexible type substrate 10 to manufacture a polarizing plate according to the present invention to a flexible type More preferred.

이와 같은 기판(10)을 이용하여 도 2a에서와 같이, 기판(10) 상에 반도체물질을 이용하여 반도체 와이어 그리드(20)를 형성한다. 이때 이용되는 반도체물질은 특정 조건에서 금속과 같은 컨덕티비티를 갖는 물질이면 어떠한 것이라도 사용이 가능하며, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs, 및 나노와이어 중에서 어느 한 가지를 이용하는 것이 바람직하다.Using the substrate 10 as shown in FIG. 2A, the semiconductor wire grid 20 is formed on the substrate 10 using a semiconductor material. In this case, any semiconductor material used may be used as long as it has a material such as metal under specific conditions. In a preferred embodiment of the present invention, carbon nanotubes, organic semiconductor materials, silicon, GaAs, and nanowires may be used. It is preferable to use either one.

반도체 와이어 그리드(20)의 형성 방법은 증착이라든가 산화와 같이 도전층(반도체물질층)을 형성한 후 식각이나 리소그래피를 이용한 패턴 형성 등의 방법을 통해서도 가능하며, 이 외에도 트랜스퍼 메소드나 스탬핑 메소드 방식을 통해서도 반도체 와이어 그리드(20)를 형성할 수 있다.The method of forming the semiconductor wire grid 20 may be formed by forming a conductive layer (semiconductor material layer), such as deposition or oxidation, and then forming a pattern using etching or lithography. In addition, a transfer method or a stamping method may be used. The semiconductor wire grid 20 can also be formed through.

또한, 반도체 와이어 그리드(20)는 투사되는 빛의 파장에 따라 특정 파장만 투과시킬 수 있도록 그리드 간격을 달리하여 제작할 수 있다. 예를 들어, 반도체 와이어 그리드(20)간의 간격을 자외선 영역인 경우 200-300nm, 가시광선 영역인 경우 380-780nm, 그리고 적외선 영역인 경우 780-1000nm로 각각 달리 제조하여 파장에 따라 가시광선 영역뿐만 아니라 적외선 영역의 파장까지도 투과 범위를 확장할 수 있다.In addition, the semiconductor wire grid 20 may be manufactured by varying the grid spacing so as to transmit only a specific wavelength according to the wavelength of the projected light. For example, the spacing between the semiconductor wire grids 20 is 200-300 nm in the ultraviolet region, 380-780 nm in the visible region, and 780-1000 nm in the infrared region, respectively. In addition, the transmission range can be extended to the wavelength of the infrared region.

2단계로 반도체 와이어 그리드(20)를 감싸는 형태가 되도록 유전층(11)을 형성하는 단계(S200)를 거친다. In step S200, the dielectric layer 11 is formed to form a shape surrounding the semiconductor wire grid 20.

유전층(11)은 후술할 게이트전극(30)과 반도체 와이어 그리드(20)와의 전기 적 접촉을 차단하기 위한 일종의 차단막으로, 일반적으로 반도체 공정에서 많이 이용되는 증착이나 산화 등의 방법으로 형성한다. 도 2b는 유전층(11)이 형성된 상태를 보여준다.The dielectric layer 11 is a kind of blocking film for blocking electrical contact between the gate electrode 30 and the semiconductor wire grid 20 to be described later. The dielectric layer 11 is generally formed by a deposition or oxidation method commonly used in a semiconductor process. 2B shows a state in which the dielectric layer 11 is formed.

또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 유전층(11)은 통상적으로 많이 이용되는 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, SiON를 포함하여 게이트 유전층으로서 이용할 수 있는 재질은 어떠한 것이라도 이용이 가능하다.In addition, in the preferred embodiment of the present invention, the dielectric layer 11 may be any material that can be used as the gate dielectric layer, including silicon oxide, silicon nitride, and SiON which are commonly used.

마지막 단계로 게이트 전극을 형성하는 단계(S300)이다.The last step is to form a gate electrode (S300).

게이트 전극(30)은 외부로부터 전계를 가하여 투과율과 반사율을 제어하기 위한 투명한 전극을 말하는 것으로, 일반적으로 게이트 전극에 이용되는 전극재료라면 어떠한 것이라도 이용이 가능하다. 도 2c에서와 같이, 유전층(11) 위에 게이트 전극(30)을 형성함으로써, 층상 구조 사이에 반도체 와이어 그리드(20)가 형성된 구조로 이루어지게 하여 본 발명의 편광판을 플렉시블 타입으로 제조하는 것이 바람직하다.The gate electrode 30 refers to a transparent electrode for controlling the transmittance and the reflectance by applying an electric field from the outside, and generally, any gate material can be used as long as it is an electrode material used for the gate electrode. As shown in FIG. 2C, the gate electrode 30 is formed on the dielectric layer 11 to form a structure in which the semiconductor wire grid 20 is formed between the layered structures, thereby manufacturing the polarizing plate of the present invention in a flexible type. .

한편, 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 도 3에서 도시한 바와 같이 또 다른 제조방법으로 편광판을 제조할 수 있다.On the other hand, as another embodiment according to the present invention, a polarizing plate can be manufactured by another manufacturing method as shown in FIG.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 그리드 편광판의 제조방법을 설명하기 위한 다른 실시예의 플로우챠트이다. 여기서의 제조방법은 상술한 일실시예에서의 제조방법중 그 순서에 차이가 있다. 즉, 기판(10)상에 게이트 전극(30)을 먼저 형 성하는 단계(S100')를 진행하고, 그 다음에 유전층(11)을 형성하는 단계(S200')를 거친 다음, 마지막으로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S300')를 거친다.3 is a flowchart of another embodiment for explaining a method of manufacturing a semiconductor grid polarizer according to the present invention. The manufacturing method here is different in the order of the manufacturing method in the above-described embodiment. That is, the process of forming the gate electrode 30 on the substrate 10 first (S100 '), followed by the step of forming the dielectric layer 11 (S200'), and finally the wire grid To form a step (S300 ').

여기서, 각 단계(S100'~S300')는 그 순서에서만 차이가 있을 뿐 상술한 일실시예에서의 제조방법을 그대로 따르기 때문에, 여기서는 각 단계별 제조 과정에 대한 설명은 생략한다.Here, since each step (S100 '~ S300') only differs in that order, and follows the manufacturing method in the above-described embodiment as it is, description of each step manufacturing process is omitted here.

특히, 반도체 와이어 그리드의 형성단계(S300')가 최종 단계에서 이루어지기 때문에, 기판(10)상에 유전층(11)과 게이트전극(30)이 적층된 구조로 이루어지게 되어, 이렇게 제조된 편광판은 하드타입으로 제조하는 경우 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 경우 기판(10) 역시 하드형 기판을 이용하는 것이 바람직하다.In particular, since the forming step S300 ′ of the semiconductor wire grid is performed in the final step, the dielectric layer 11 and the gate electrode 30 are stacked on the substrate 10. It is preferable to use when manufacturing by hard type. In this case, it is preferable that the substrate 10 also uses a hard substrate.

한편, 본 발명은 상술한 2가지의 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법에 의해 제조되는 반도체 와이어 그리드 편광판을 포함한다. 특히, 이 편광판은 그 형태에 있어서, 원형 또는 사각형의 형태를 포함하는 다각형 형태로 제작하여 사용 목적에 따라 그 형태를 달리 제작하여 이용하는 것이 가능하다.On the other hand, the present invention includes a semiconductor wire grid polarizer produced by the two methods of manufacturing a semiconductor wire grid polarizer described above. In particular, this polarizing plate can be produced in a polygonal form including a circular or quadrangular form, and its shape can be produced and used differently according to the purpose of use.

또한, 본 발명에 따른 편광판 및 그 제조방법으로 제조된 편광판을 적용하는 광학부재(예를 들어, 편광판이 구비된 렌즈라든가 카메라의 모듈, 또는 LED)에 적용할 수 있다. 또한, 이러한 광학부재를 이용하는 디스플레이 장치라든가 광학기긱 등에도 적용이 가능하다.Further, the present invention can be applied to an optical member (for example, a lens having a polarizing plate or a module of a camera, or an LED) applying the polarizing plate manufactured by the polarizing plate and the manufacturing method thereof according to the present invention. In addition, the present invention can be applied to a display device or an optical device using such an optical member.

비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정이나 변형을 하는 것이 가능하다. 따라서 첨부된 특허청구의 범위는 본 발명의 요지에서 속하는 이러한 수정이나 변형을 포함할 것이다.Although the present invention has been described in connection with the above-mentioned preferred embodiments, it is possible to make various modifications or variations without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the appended claims will cover such modifications and variations as fall within the spirit of the invention.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 그리드 편광판의 제조방법을 설명하기 위한 일실시예의 플로우챠트.1 is a flow chart of an embodiment for explaining a method for manufacturing a semiconductor grid polarizer according to the present invention.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일실시예에 따라 각 단계별로 형성 상태를 보여주는 사시도.Figures 2a to 2c is a perspective view showing a state formed in each step in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 그리드 편광판의 제조방법을 설명하기 위한 다른 실시예의 플로우챠트.Figure 3 is a flow chart of another embodiment for explaining a method for manufacturing a semiconductor grid polarizer according to the present invention.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 다른 실시예에 따라 각 단계별로 형성 상태를 보여주는 사시도.Figures 4a to 4c is a perspective view showing a state formed in each step in accordance with another embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

10 : 기판10: substrate

11 : 유전층11: dielectric layer

20 : 반도체 와이어 그리드20: semiconductor wire grid

30 : 게이트 전극30: gate electrode

Claims (18)

기판(10) 상에 와이어 그리드가 형성되고, 그 위로 유전층(11)과 게이트 전극(30)이 적층된 구조로 이루어지며,A wire grid is formed on the substrate 10, and the dielectric layer 11 and the gate electrode 30 are stacked thereon. 상기 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The wire grid polarizer of claim 1, wherein the wire grid is formed of a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field. 기판(10) 상에 게이트 전극(30) 및 유전층(11)이 순차적으로 적층되고, 그 위에 와이어 그리드가 형성된 구조로 이루어지며,The gate electrode 30 and the dielectric layer 11 are sequentially stacked on the substrate 10, and a wire grid is formed thereon. 상기 와이어 그리드는 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 가변되는 반도체물질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The wire grid polarizer of claim 1, wherein the wire grid is formed of a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 기판(10)은 플렉시블 타입 또는 하드타입의 투명기판인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The substrate 10 is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that the flexible type or hard type of transparent substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs 및 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The semiconductor material is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that any one selected from carbon nanotubes, organic semiconductor material, silicon, GaAs and nanowires. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 와이어 그리드는 인접한 와이어 그리드간의 간격에 따라 투과율과 반사율이 달라지는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The wire grid is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that the transmittance and reflectance is different depending on the distance between the adjacent wire grid. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The wire grid is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed by the transfer method or stamping method. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 간격은 자외선 영역을 투과할 수 있도록 200-300nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The gap is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed in 200-300nm to transmit the ultraviolet region. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 간격은 가시광선 영역을 투과할 수 있도록 380-780nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The gap is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed in 380-780nm to transmit the visible light region. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, wherein 상기 간격은 적외선 영역을 투과할 수 있도록 780-1000nm로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The gap is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed in 780-1000nm to transmit the infrared region. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 편광판은 상기 게이트 전극(30)을 통해 외부 전계로 투과율과 반사율이 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The polarizing plate is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that the transmittance and reflectance is controlled by an external electric field through the gate electrode (30). 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 편광판은 원형, 사각형 또는 다각형의 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판.The polarizing plate is a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed in the form of a circle, a square or a polygon. 기판(10) 상에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S100);Forming a wire grid on the substrate 10 with a semiconductor material whose conductivity is changed by an external electric field (S100); 상기 와이어 그리드를 감싸도록 유전층(11)을 형성하는 단계(S200);Forming a dielectric layer (11) to surround the wire grid (S200); 상기 유전층(11) 위로 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S300);를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.And forming a gate electrode (30) on the dielectric layer (11) (S300). 기판(10) 상에 게이트 전극(30)을 형성하는 단계(S100');Forming a gate electrode 30 on the substrate 10 (S100 ′); 상기 게이트 전극(30) 상에 유전층(11)을 형성하는 단계(S200');Forming a dielectric layer (11) on the gate electrode (30); 상기 유전층(11) 위에 외부 전계에 의해 컨덕티비티가 변하는 반도체물질로 와이어 그리드를 형성하는 단계(S300');를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.And forming a wire grid on the dielectric layer (11) with a semiconductor material whose conductance is changed by an external electric field (S300 '). 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), 상기 반도체물질은 카본나노튜브, 유기반도체물질, 실리콘, GaAs, 나노와이어 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.The semiconductor material is a method of manufacturing a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that any one selected from carbon nanotubes, organic semiconductor material, silicon, GaAs, nanowires. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), 상기 반도체 와이어 그리드의 간격을 자외선을 투과시킬 수 있도록 200-300nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.Method of manufacturing a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that for forming a gap of the semiconductor wire grid at intervals of 200-300nm so as to transmit ultraviolet rays. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), 상기 반도체 와이어 그리드의 간격을 가시광선 영역을 투과시킬 수 있도록 380-780nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.The semiconductor wire grid polarizer manufacturing method characterized in that the interval of the semiconductor wire grid is formed at intervals of 380-780nm so as to transmit a visible light region. 제 14 항에 있어서, The method of claim 14, 상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), 상기 반도체 와이어 그리드의 간격은 적외선을 투과시킬 수 있도록 780-1000nm 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.The gap of the semiconductor wire grid is a semiconductor wire grid polarizer manufacturing method characterized in that formed in the interval of 780-1000nm so as to transmit infrared light. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 반도체 와이어 그리드 형성단계(S100, S300')에서,In the semiconductor wire grid forming step (S100, S300 '), 상기 반도체 와이어 그리드는 트랜스퍼 메소드 또는 스탬핑 메소드로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 와이어 그리드 편광판 제조방법.The semiconductor wire grid manufacturing method of a semiconductor wire grid polarizer, characterized in that formed by a transfer method or a stamping method.
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