KR100931330B1 - 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치 - Google Patents

가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100931330B1
KR100931330B1 KR1020070112769A KR20070112769A KR100931330B1 KR 100931330 B1 KR100931330 B1 KR 100931330B1 KR 1020070112769 A KR1020070112769 A KR 1020070112769A KR 20070112769 A KR20070112769 A KR 20070112769A KR 100931330 B1 KR100931330 B1 KR 100931330B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
source gas
injection
injection unit
substrate
Prior art date
Application number
KR1020070112769A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090046553A (ko
Inventor
전영수
김경준
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020070112769A priority Critical patent/KR100931330B1/ko
Publication of KR20090046553A publication Critical patent/KR20090046553A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100931330B1 publication Critical patent/KR100931330B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

분사홀 내부에 국소 플라즈마를 발생시킴으로써, 플라즈마 처리 효율과 소스가스의 분사 효율을 향상시킨 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명은, 표면처리 공정이 수행될 프로세스 챔버 내에 구비되어 소스가스를 분사하는 가스분사유닛에 있어서, 플레이트, 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 내부에 플라즈마가 발생되는 제1 분사부, 상기 제1 분사부와 독립적으로 소스가스의 분사가 가능하도록 형성된 제2 분사부 및 상기 제1 분사부를 따라 유동하는 상기 소스가스에 의해 상기 제2 분사부 내의 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입되도록 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부를 연통시키는 연결유로를 포함하여 구성된다. 따라서, 상기 제1 분사부 내에 발생된 국소 플라즈마에 의해 플라즈마의 발생 밀도를 증가시킬 수 있으며, 플라즈마의 에너지를 기판으로 효과적으로 전달함으로써, 플라즈마에 의한 기판의 표면처리 효율과 품질을 향상시킬 수 있다.
플라즈마 기판 처리 장치, HDP, CVD, 샤워헤드, halo cathode

Description

가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치{GAS DISTRIBUTION UNIT AND APPARTUS OF PLASMA PROCESSING FOR SUBSTRATE HAVING THE GAS DISTRIBUTION UNIT}
본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판의 표면처리를 하는 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마의 밀도와 균일성을 향상시키는 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 직류(DC)나 고주파 전자계에 의해 여기된 자유전자에 의해 발생되며, 여기된 자유전자는 가스분자와 충돌하여 이온(ion)이나 전자(electron), 라디칼(radical)와 같은 활성족(active species)을 발생시킨다. 그리고 상기 활성족은 전기장 혹은 자기장이 인가되면 플라즈마 내에서 혹은 플라즈마와 접하고 있는 물체의 표면상으로 상기 활성족 입자들이 가속되거나 확산됨에 따라, 상기 물체와 상기 활성족 입자 사이에 화학적 및 물리적 반응이 발생하여 물체 표면의 특성을 변화시킨다. 이와 같이 활성족(플라즈마)에 의해 물질의 표면 특성을 변화시키는 것을 '표면처리'라고 한다.
일반적으로 반도체 제조 공정에서의 플라즈마 처리 방법이란 반응 물질을 플 라즈마 상태로 만들어 기판 상에 박막을 형성하거나, 플라즈마 상태의 반응 물질을 이용하여 기판의 표면을 세정(cleaning), 애싱(ashing) 또는 식각(etching) 처리하는 것을 말한다.
최근 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, sub-micron급의 미세 패턴에 있어서 균일한 두께의 박막을 형성하거나, 식각 또는 애싱과 같은 표면처리 품질의 향상이 중요하며, 이는 고밀도 플라즈마를 이용하여 향상시킬 수 있다.
그러나, 반도체 기판의 크기가 점차 대형화되는 추세에 따라 플라즈마 처리 장치의 크기 역시 대형화되고, 이로 인해, 플라즈마 처리 장치로 소스가스가 유입되는 부분과 나머지 부분에서 소스가스의 밀도차가 발생하게 된다. 한편, 이와 같은 소스가스의 밀도차는 표면처리 결과에 영향을 미치게 된다.
또한, 기존의 플라즈마 기판 처리 장치는 프로세스 챔버 내로 유입되는 소스가스의 상당량이 플라즈마로 변화되지 못하므로, 소스가스의 소비량이 증가하고 신속하게 소스가스와 플라즈마를 공급하는 것이 어렵다. 그리고, 이로 인해 표면처리 속도가 저하되는 문제점이 있었다.
여기서, 상기 소스가스의 공급 밀도는 샤워헤드의 형태에 밀접한 영향을 받는다. 종래의 샤워헤드에는 소스가스와 플라즈마의 반응성 입자를 기판으로 분사하는 분사홀이 형성되어 있는데, 상기 플라즈마의 반응성 입자가 상기 분사홀을 통과하는 동안 반응성이 약해지는 문제점이 있다. 특히, 종래의 플라즈마 처리 장치는 샤워헤드를 통해 프로세스 챔버 전체에 소스가스를 분사하는 구조이므로, 플라즈마 분포 밀도에 편차가 발생한 영역에 대해서 소스가스의 공급량을 조절하는 것이 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 기판 처리 장치에서, 균일하게 플라즈마를 발생시킬 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 샤워헤드를 통과하는 동안 플라즈마의 반응성 입자가 반응성이 소멸하는 것을 방지하고, 플라즈마의 에너지를 효과적으로 기판으로 전달할 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 제1 소스가스와 제2 소스가스의 공급량을 균일하게 조절할 수 있는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 플라즈마가 기판에 직접 충돌함으로써 기판이 손상되는 것을 방지하는 플라즈마 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 플라즈마를 이용하여 기판의 표면처리 공정을 수행하는 플라즈마 기판 처리 장치에서, 표면처리 공정이 수행될 프로세스 챔버 내에 구비되어 소스가스를 분사하는 가스분사유닛에 있어서, 플레이트, 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 내부에 플라즈마가 발생되는 제1 분사부, 상기 제1 분사부와 독립적으로 소스가스의 분사가 가능하도록 형성된 제2 분사부 및 상기 제1 분사부를 따라 유동하는 상기 소스가스에 의해 상기 제2 분사부 내의 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입되도록 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부를 연통시키는 연결유로를 포함하여 구성된다.
실시예에서, 상기 제1 분사부는 상기 소스가스가 상기 제1 분사부 내부에서 플라즈마로 여기될 수 있도록 상기 소스가스의 유동하는 방향을 따라 하부쪽으로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔 형태의 홀을 포함한다. 또한, 상기 제1 분사분 내부에는 국소 플라즈마가 발생하므로, 상기 제1 분사부 내부는 유전체 재질로 형성된다. 또는, 상기 플레이트 자체를 유전체 재질로 형성할 수 있다.
실시예에서, 상기 제2 분사부는 상기 플레이트 내부에 형성된 캐비티와, 상기 캐비티와 상기 플레이트 하부를 연통시키도록 형성된 복수의 홀을 포함한다.
실시예에서, 상기 연결유로는 상기 캐비티와 상기 제1 분사부를 연통시키도록 형성된다. 상세하게는, 상기 제1 분사부를 따라 유동하는 상기 소스가스에 의해 상기 제2 분사부 내의 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입되도록 연결유로가 형성된다. 또한, 상기 연결유로는 벤투리 효과에 의해 상기 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입시킬 수 있도록 미세홀이 형성된다. 여기서, 상기 연결유로의 벤투리 효과를 효율적으로 발생시킬 수 있도록, 상기 연결유로는 상기 제1 분사부에서 상기 소스가스의 유동하는 방향을 따라 상류측에 형성된다.
실시예에서, 상기 플레이트는, 복수의 제1 분사홀이 형성된 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트 하부에 결합되어 내부에 소스가스가 유동 가능한 캐비티를 형성하도록 결합된다.
한편, 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판이 수용되고, 플라즈마 발생 공간을 제공하는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 내에 구비되어, 상기 기판을 지지하는 서셉터, 상기 프로세스 챔버로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부, 상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어, 상기 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 전극부 및 상기 프로세스 챔버 내로 상기 소스가스를 분사하는 가스분사유닛을 포함하는 플라즈마 기판 처리 장치를 개시한다. 특히, 상기 플라즈마 기판 처리 장치는 균일한 밀도를 갖는 플라즈마를 발생시키고, 플라즈마 처리 효과를 향상시키기 위한 가스분사유닛을 구비한다. 상세하게는, 상기 가스분사유닛은, 복수의 제1 분사홀이 형성된 제1 플레이트, 상기 제1 플레이트 하부에 결합되어 내부에 소스가스가 유동 가능한 캐비티를 형성하도록 결합되고, 복수의 제2 분사홀이 형성된 제2 플레이트, 상기 제1 분사홀과 대응되도록 상기 제2 플레이트를 관통하여 형성되고, 내부에 플라즈마가 발생되는 제3 분사홀을 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면, 첫째, 효율적으로 균일하게 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 따라서, 기판의 표면처리 효율 및 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 기판의 표면처리 속도를 증가시킬 수 있다.
둘째, 가스분사유닛의 분사홀 내부에 헤일로 캐소드(halo cathode) 효과에 의해 국소 플라즈마를 발생시킴으로써, 플라즈마의 에너지가 효율적으로 기판에 전달될 수 있도록 하고, 기판의 표면처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
셋째, 제1 분사홀 내부에 미세홀을 형성함으로써, 벤투리 효과(venture effect)에 의해 제2 소스가스가 제1 소스가스의 유로로 유입된다. 따라서, 제1 분사홀과 제2 분사홀에서의 소스가스 분사량의 차이가 발생하는 것을 억제하고, 제1 소스가스와 제2 소스가스의 분사량을 균일하게 유지할 수 있다.
넷째, 플라즈마 입자가 기판에 직접 충돌함으로써 기판이 손상되는 것을 방지하되, 플라즈마의 에너지가 충분히 기판 상에 전달되도록 하여 표면처리 공정의 효율을 향상시킨다.
다섯째, 소스가스를 기판 상으로 신속하고 큰 손실 없이 공급할 수 있고, 소스가스의 플라즈마 발생 효율을 향상시킴으로써 소스가스의 불필요한 소비를 줄일 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치에 대해 설명한다.
도면을 참조하면, 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 프로세스 챔버(110), 서셉터(120), 가스분사유닛(130), 소스가스 공급부(140) 및 전극부(150)를 포함한다.
본 발명에서 플라즈마 기판 처리 장치(100)는 플라즈마(P)를 이용하여 기판(10)에 대한 표면처리를 수행하는 장치를 말한다. 여기서, 표면처리라 함은 상기 기판(10) 표면과 플라즈마(P)의 이온 또는 라디칼을 반응시킴으로써 상기 기판(10) 표면 특성을 변화시키는 것을 말한다. 예를 들어, 상기 표면처리 공정은 반도체 제조 공정 중에서 반도체 기판 표면에 박막을 형성하는 증착(deposition) 공정이나, 기판 표면에서 물질을 제거하는 세정(cleaning), 식각(etching), 및 애싱(ashing) 공정을 포함한다.
예를 들어, 상기 기판(10)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(10)은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판일 수 있다.
상기 소스가스는 상기 기판(10)의 종류 또는 표면처리 공정의 종류에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 상기 표면처리 공정은 표면개질(surface modification), Si 식각, 포토레지스트 식각, 살균 및 증착 중 어느 하나의 공정일 수 있다.
이하, 본 발명에서는, 반도체 기판에 대한 화학기상증착 공정을 수행하는 고밀도 플라즈마 화학기상증착(high density plasma chemical vapor deposition, HDP CVD) 장치를 예로 들어 설명하기로 한다.
그러나, 본 발명이 화학기상증착에 한정되는 것은 아니며, 본 발명에 따른 플라즈마 기판 처리 장치는 건식 세정이나 식각 및 애싱과 같은 다른 형태의 플라즈마 처리 장치에 이용될 수도 있다.
상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)이 수용되어, 상기 기판(10)에 대한 표면처리 공정이 수행된다. 예를 들어, 상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)에 대응되는 원기둥 형태를 갖는다. 그리고, 상기 프로세스 챔버(110)는 상기 기판(10)의 표면처리를 위한 플라즈마(P)가 발생되는 소정의 공간을 제공한다.
여기서, 상기 플라즈마(P)는 진공에 가까운 저압 분위기에서 형성될 수 있다. 그리고, 상기 프로세스 챔버(110)는 진공을 유지할 수 있는 밀폐 구조를 갖는다.
상기 전극부(150)는 고주파 전원이 인가된다. 그리고, 상기 전극부(150)는 상기 소스가스를 플라즈마(P) 상태로 여기시키고, 상기 발생된 플라즈마(P)를 상기 프로세스 챔버(110) 내로 제공하는 역할을 한다.
예를 들어, 상기 전극부(150)는 고주파 전원이 인가되면 전기장을 형성하는 코일이다. 특히, 상기 전극부(150)는 상기 프로세스 챔버(110) 내로 상기 플라즈마(P) 입자를 가속시키는 전기장을 발생시키도록 형성된다. 상기 전극부(150)는 상기 프로세스 챔버(110) 내에 수직 방향으로 전기장을 발생시킨다. 그리고, 상기 전극부(150)에 의해 발생하는 전기장은 상기 기판(10)의 피처리면에 대해 수직 방향으로 형성된다.
그리고, 상기 전기장 내로 상기 소스가스가 공급되면, 상기 전기장의 에너지에 의해 전자가 가속되고, 상기 가속된 전자와 상기 소스가스 분자가 서로 가속되고 충돌됨에 따라, 상기 소스가스 분자가 이온과 라디칼로 분해된다. 즉, 상기 소스가스는 플라즈마(P) 상태가 된다. 그리고, 상기 플라즈마(P)는 상기 전기장에 의 해 상기 기판(10)으로 가속되어 상기 기판(10) 표면과 반응하게 된다.
상기 플라즈마(P)는 전기장 내에 포함된 자유전자에 의해 발생되는데, 전기장으로 소스가스가 공급되면 자유전자와 소스가스의 분자가 충돌하면서 이온, 라디칼, 전자와 같은 활성족(active species)을 발생시킨다. 여기서, 상기 라디칼은 에너지에 의해 여기된 소스가스의 분자 또는 분자결합이 끊긴 원자를 의미하며, 이온과 달리 전기적으로 중성이다. 상기 활성족은 매우 불안정하여 다른 물질과의 반응성이 높으며, 상기 기판(10) 표면과 물리적 또는 화학적으로 반응하여 상기 기판(10) 표면의 특성을 변화시킨다.
상세하게는, 상기 전극부(150)는 상기 소스가스를 플라즈마(P) 상태로 여기시키고, 발생된 플라즈마(P)의 입자들을 상기 프로세스 챔버(110) 내로 가속시킬 수 있도록, 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 배치되고, 복수회 권선된 코일일 수 있다. 예를 들어, 상기 전극부(150)는 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 대응되고, 평면형의 나선형 코일 형태로 권선될 수 있다.
또한, 상기 전극부(150)의 형태와 배치는 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 상기 전극부(150)를 형성하는 코일의 크기와 권선수는 상기 소스가스를 플라즈마(P) 상태로 여기시키고, 상기 프로세스 챔버(110) 내부에 형성할 수 있는 실질적으로 다양하게 형성될 수 있을 것이다.
상기 서셉터(susceptor)(120)는 상기 프로세스 챔버(110) 하부에 구비되어, 상기 기판(10)을 지지한다. 예를 들어, 상기 서셉터(120)는 정전기력에 의해 상기 기판(10)을 고정시키는 정전척(electrostatic chuck)일 수 있다.
여기서, 상기 서셉터(120)는 접지되어 상기 전극부(150)에 대한 그라운드 전극 역할을 한다. 또는, 상기 전극부(150) 뿐만 아니라 상기 서셉터(120)에도 고주파 전원이 인가될 수 있다. 즉, 상기 서셉터(120)는 상기 표면처리 공정 동안 상기 기판(10)을 고정시킬 뿐만 아니라, 상기 플라즈마(P)의 이온과 라디칼과 같은 입자가 상기 기판(10)에 충분히 높은 에너지를 가지고 충돌할 수 있도록 바이어스 전압을 제공하게 된다.
상기 소스가스 공급부(140)는 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되어, 상기 프로세스 챔버(110) 내부로 소스가스를 공급한다. 여기서, 상기 소스가스 공급부(140)는 서로 다른 2 종류의 소스가스를 공급할 수 있다. 상기 소스가스 공급부(140)는 제1 소스가스(S1)를 공급하는 제1 소스가스 공급부(141)와 상기 제2 소스가스(S2)를 공급하는 제2 소스가스 공급부(142)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 소스가스는 상기 표면처리 공정에 따라 적당하게 선택된다. 예를 들어, 상기 제1 소스가스(S1)는 플라즈마(P) 상태로 여기되는 가스일 수 있다. 그리고, 상기 제2 소스가스(S2)는 상기 플라즈마(P)의 반응성을 이용하여 상기 기판(10) 표면과 반응하는 물질을 포함하는 가스일 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 소스가스 공급부(141)는 상기 프로세스 챔버(110) 상부에 구비되고, 상기 제1 소스가스(S1)를 상기 프로세스 챔버(110) 내로 제공하고, 플라즈마(P) 상태로 여기시킨다. 그리고, 상기 제2 소스가스 공급부(142)는 상기 가스분사유닛(130)에 연결되어, 상기 가스분사유닛(130)을 통해 상기 기판(10) 표면에 제2 소스가스(S2)를 제공한다.
상기 가스분사유닛(130)은 상기 기판(10) 상부에 구비되고, 상기 소스가스(S1, S2)와 상기 플라즈마(P)를 상기 기판(10) 표면으로 제공하기 위한 복수의 분사홀이 형성된다. 또한, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 플라즈마(P)가 발생되는 공간과 상기 기판(10)에 대한 표면처리 공정이 수행되는 공간을 분리시킨다. 그리고, 상기 가스분사유닛(130)의 상부에는 플라즈마(P)가 발생되고, 상기 가스분사유닛(130)의 하부에서는 상기 기판(10)이 수용되어 표면처리 공정이 수행된다.
이하, 도면을 참조하여 상기 가스분사유닛(130)에 대해 상세하게 설명한다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스분사유닛(130)을 설명하기 위한 단면도들이다.
상기 가스분사유닛(130)은 상기 소스가스를 분사하기 위한 복수의 분사홀(132, 134, 136)이 형성된 플레이트(131, 133) 형태를 갖는다.
상세하게는, 상기 가스분사유닛(130)은 적어도 2개 이상의 공간으로 구획되고, 상기 소스가스 공급부(140)와 연결되어, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)를 각각 독립적으로 상기 기판(10)으로 제공하는 유로를 형성한다.
특히, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 프로세스 챔버(110) 내부를 구획하고, 발생한 플라즈마(P)를 상기 기판(10)으로 전달하는 역할을 한다. 따라서, 상기 플라즈마(P)에 의한 에너지는 상기 기판(10)으로 전달되어 상기 기판(10)의 표면처리 공정이 효과적으로 수행되고, 상기 플라즈마(P) 입자가 상기 기판(10)에 충돌함에 따라 상기 기판(10)이 손상되는 것을 방지하는 효과가 있다.
상기 가스분사유닛(130)은 상기 프로세스 챔버(110) 내측에 밀착된다. 예를 들어, 상기 가스분사유닛(130)은 원반 형태를 가지며, 외주연부가 상기 프로세스 챔버(110) 내벽면에 밀착된다. 따라서, 상기 소스가스와 상기 플라즈마(P)는 상기 가스분사유닛(130)의 분사홀(132, 134, 136)을 통해서만 상기 기판(10)으로 전달된다.
그러나, 상기 가스분사유닛(130)의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 프로세스 챔버(110)의 형상에 따라 다양한 형태를 가질 수 있을 것이다. 예를 들어, 평판 디스플레이 장치의 경우 반도체 기판과 달리 사각형 또는 다각형의 기판이 사용되므로, 상기 가스분사유닛(130) 역시 사각형 또는 다각형으로 형성될 수 있을 것이다.
상기 가스분사유닛(130)은 내부에 소정의 공간이 형성되고, 서로 결합가능하도록 형성된 제1 플레이트(131)와 제2 플레이트(133)를 포함한다. 예를 들어, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)는 서로 상하로 결합되어 하나의 원형 플레이트를 형성하도록 형성될 수 있다.
상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)는 내부에 상기 제2 소스가스(S2)의 유동이 가능한 유로를 형성하도록 결합된다. 예를 들어, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)가 결합되어 그 내부에 소정 체적을 갖는 캐비티(137)가 형성된다. 그리고, 상기 캐비티(137)는 일측에서 상기 제2 소스가스 공급부(142)와 연결되되, 상기 가스분사유닛(130) 전체에 상기 제2 소스가스(S2)가 고르게 공급될 수 있도록 상호 연결된다.
여기서, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)를 결합시키는 결 합부가 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)는 후술하는 제1 분사홀(132)과 제3 분사홀(134)이 서로 연통되도록 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)가 맞물리게 결합될 수 있다. 그리고, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)의 결합된 부분에는 상기 캐비티(137)로 공급된 상기 제2 소스가스(S2)가 상기 가스분사유닛(130) 외부로 유출되는 것을 방지하기 위한 실링(sealing) 부재가 구비될 수 있다.
또한, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)는 상기 플라즈마(P)에 의해 손상되거나 아크 방전이 발생하여 상기 플라즈마(P)가 불안정해지는 것을 방지하고, 상기 플라즈마(P) 입자가 상기 플레이트(131, 133)를 통과할 수 있도록 유전체 재질로 형성됨이 바람직하다. 예를 들어, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)는 산화물 계열의 세라믹이나 폴리머 계열 수지 재질로 형성될 수 있다. 또는 상기 플레이트(131, 133)의 표면에 유전체 재질이 코팅될 수도 있을 것이다.
또한, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 플라즈마(P)가 안정적으로 발생할 수 있도록 접지될 수 있다. 물론, 상기 가스분사유닛(130)에 고주파 전원이 인가되어 또 다른 전극의 역할을 하는 것도 가능할 것이다.
상기 제1 플레이트(131)에는 상기 제1 소스가스(S1)를 분사하기 위한 복수의 제1 분사홀(132)이 형성된다. 예를 들어, 상기 제1 분사홀(132)은 상기 제1 플레이트(131)의 중심점을 기준으로 방사형으로 조밀하게 배치된다. 따라서, 상기 플라즈마(P) 상태로 여기된 제1 소스가스(S1)는 상기 제1 분사홀(132)을 통해 상기 기 판(10)에 균일하게 분사된다.
상기 제2 플레이트(133)는 상기 캐비티(137)와 상기 프로세스 챔버(110)를 연통시키도록 형성되어, 상기 제2 소스가스(S2)를 상기 기판(10)으로 분사하는 복수의 제2 분사홀(136)이 형성된다. 여기서, 상기 제2 분사홀(136) 역시, 상기 기판(10) 표면으로 균일하게 상기 제2 소스가스(S2)를 분사할 수 있도록, 상기 제2 플레이트(132) 상에 조밀하게 배치된다. 또한, 상기 제2 분사홀(136)은 상기 제1 분사홀(132)과 겹쳐지지 않도록 배치된다.
상기 제2 플레이트(133)에는 상기 제1 분사홀(132)과 대응되어 상기 제1 소스가스(S1)를 상기 기판(10)으로 제공하기 위한 제3 분사홀(134)이 형성된다. 여기서, 상기 제3 분사홀(134)은 상기 제1 분사홀(132)와 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 분사홀(136)과 겹쳐지지 않도록 형성된다.
상기 제3 분사홀(134)은 상기 제1 소스가스(S1)가 유동하는 방향을 따라 하부쪽으로 갈수록 단면적이 커지는 원뿔 형태를 가진다. 특히, 상기 제3 분사홀(134)의 경사진 벽면은 상기 제1 소스가스(S1)의 확산이 활발하게 이루어지도록 함으로써, 상기 기판(10) 표면에 균일하게 플라즈마(P)가 제공되는 효과가 있다.
상기 제3 분사홀(134) 내부에서는 헤일로 효과(Halo cathode effect)에 의해 국소 플라즈마(P2)가 발생하게 된다. 상세하게는, 도 4를 참조하면, 상기 가스분사유닛(130) 상단과 하단 사이의 전위차에 의해, 상기 제1 플레이트(131)의 상단과 상기 제2 플레이트(133)의 하단 사이에서는 소정의 전위차가 발생한다. 그리고, 이와 같은 전위차는 상기 제1 분사홀(134)에서 상기 제3 분사홀(134)을 통과하는 상 기 제1 소스가스(S1)를 플라즈마(P2) 상태로 여기시키게 된다. 즉, 상기 제1 소스가스(S1)는 상기 제3 분사홀(134) 내부에 국소 플라즈마(P2)가 발생하게 된다.
여기서, 상기 플라즈마(P) 입자 중 라디칼은 그 수명이 매우 짧기 때문에, 상기 제1 분사홀(132)을 통과하는 상기 제1 소스가스(S1)의 속도와 상기 제1 분사홀(132) 내부의 재질에 큰 영향을 받는다. 즉, 상기 제1 분사홀(132) 및 상기 제3 분사홀(134) 내부는 상기 라디칼의 환원 작용에 영향을 최소화할 수 있도록 부도체 또는 유전체 재질로 형성된다. 또는, 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133)가 플라즈마(P)에 의해 손상되거나 플라즈마(P)의 상태가 불안정해지도록 영향을 미치는 것을 방지하기 위해 상기 제1 플레이트(131)와 상기 제2 플레이트(133) 자체를 유전체 재질로 형성하는 것도 바람직하다.
상기 가스분사유닛(130)은 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)를 혼합시키고, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)의 공급량을 일정하게 유지하기 위한 연결유로(135)를 포함한다. 예를 들어, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132)을 관통하여 상기 캐비티(137)를 연통시키도록 형성된 홀이다.
특히, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132)에 비해 작은 직경을 갖는 미세홀로서, 벤투리 효과(venturi effect)에 의해 상기 제2 소스가스(S2)를 상기 제1 분사홀(132)로 유입시킨다. 따라서, 상기 제1 분사홀(132)와 상기 제3 분사홀(134)에서 분사되는 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S)의 분사량 사이의 균형을 유지할 수 있다.
이하, 상기 연결유로(135)의 동작에 대해 상세하게 설명한다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 분사홀(132)을 따라 상기 제1 소스가스(S1)가 유동함에 따라 상기 제1 분사홀(132)에 연통된 상기 연결유로(135)의 단부에는 벤투리 효과에 의해 소정의 압력 강하가 발생하므로, 상기 연결유로(135)의 양단부에 압력차가 발생하게 된다. 상기 연결유로(135)에서 상기 제1 분사홀(132)에 노출된 단부에 부압(負壓)이 형성됨에 따라 상기 캐비티(137) 내부의 상기 제2 소스가스(S2)의 일부가 상기 제1 분사홀(132)로 유입된다. 그리고, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)가 혼합되어 상기 제3 분사홀(134)로 유동하게 된다.
여기서, 상기 연결유로(135)에서 벤투리 효과를 효율적으로 발생시키기 위해서, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132)에 비해 작은 직경을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132)에서 상기 제1 소스가스(S1)의 유동 방향을 따라 상류쪽에 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132)의 내벽에 수직 방향, 즉, 상기 제1 분사홀(132)의 직경 방향으로 형성된 홀일 수 있다.
또한, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132) 내부에서 소정 간격으로 복수개의 홀이 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결유로(135)는 상기 제1 분사홀(132) 내측 벽면을 따라 90° 간격으로 4개의 미세홀이 배치될 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치(100)의 동작에 대해 설명한다.
먼저, 처리하고자 하는 대상이 되는 기판(10)을 프로세스 챔버(110)에 투입한다. 그리고, 상기 기판(10)에 대해 수행하고자 하는 표면처리 공정의 종류에 따라 적당한 소스가스를 상기 프로세스 챔버(110) 내부로 공급한다.
여기서, 상기 소스가스는 상기 표면처리 공정에 따라 적당하게 선택된다. 또한, 상기 소스가스는 플라즈마(P) 상태로 여기시키는 제1 소스가스(S1)와 상기 기판(10)과의 반응물질을 포함하는 제2 소스가스(S2)를 포함할 수 있다.
상기 소스가스가 공급되고, 전극부(150)에 고주파 전원이 인가되어 상기 프로세스 챔버(110) 내부에 전기장을 발생시킨다.
즉, 상기 전극부(150)에 고주파 전원이 인가됨에 따라, 상기 프로세스 챔버(110) 내부에는 상기 전극부(150)가 이루는 평면, 즉, 상기 프로세스 챔버(110) 상면과 수직한 방향(10)과 수직 방향으로 유도 전기장이 형성된다. 그리고, 상기 전기장 내부에서 상기 소스가스의 분자가 가속되어 서로 충돌함에 따라 상기 소스가스 분자가 이온 및 라디칼로 분해되어 플라즈마(P) 상태가 된다.
그리고, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 소스가스가 상기 프로세스 챔버(110) 내에서 효율적으로 플라즈마(P) 상태로 여기되고, 여기된 플라즈마(P)가 상기 기판(10)에 높은 에너지로 충돌하게 되므로, 상기 표면처리 공정 동안 소비되는 소스가스의 소비량을 절감시킬 수 있다.
또한, 상기 가스분사유닛(130)을 통해 상기 플라즈마(P)의 이온 또는 라디칼 입자가 상가 기판(10)에 제공되므로, 상기 플라즈마(P)의 에너지를 충분히 전달하면서도 상기 플라즈마(P) 입자가 상기 기판(10)에 직접 충돌함으로써 상기 기 판(10)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 소스가스가 빠른 속도로 확산되지 못하는 경우, 상기 소스가스 공급부(140)에 가까운 부분과 먼 부분에서 상기 플라즈마(P) 밀도의 차이가 발생할 수 있다. 그러나, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 플라즈마(P)를 효율적으로 확산시킬 수 있는 분사홀 구조를 가지므로, 상기 기판(10)에 균일한 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다. 여기서, 상기 가스분사유닛(130)은 분사홀 내부에 국소 플라즈마(P2)를 발생시킴으로써 상기 기판(10)으로 플라즈마의 에너지를 보다 효과적으로 전달할 수 있다. 또한, 상기와 같은 국소 플라즈마(P2)를 발생시킴으로써 상기 가스분사유닛(130) 상부에서 발생된 플라즈마(P)가 상기 기판(10)에 도달하기 전에 소멸되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 가스분사유닛(130)은 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)의 공급량을 균일하게 유지함으로써, 플라즈마의 밀도를 균일하게 하고, 균일한 품질의 표면처리 결과를 얻을 수 있다. 상세하게는, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2)의 유로를 연결시키는 연결유로(135)를 형성함으로써, 상기 제2 소스가스(S2)가 상기 제1 소스가스(S1)의 유로로 일부 유입되어 공급됨으로써, 상기 제1 소스가스(S1)와 상기 제2 소스가스(S2) 사이의 공급량을 일정하게 유지할 수 있다.
따라서, 상기 기판(10)에 대한 표면처리 공정, 예를 들어, 박막의 증착 또는 상기 기판(10) 표면의 식각이 균일하게 수행되어, 양호한 품질의 표면처리 결과를 얻을 수 있고, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 가스분사유닛(130)이 상기 프로세스 챔버(110) 내부의 공간을 구획함에 따라, 상기 프로세스 챔버(110) 내에서 상기 플라즈마(P)의 발생 공간의 체적은 줄어든다. 그리고, 작은 체적에 대해서 상기 플라즈마(P)의 발생 밀도의 균일도를 향상시키는 것이 용이하다.
여기서, 상기 표면처리 공정의 효율과 속도는 상기 플라즈마(P)의 밀도 즉, 상기 플라즈마(P) 내에 존재하는 이온과 라디칼의 농도에 의존하게 된다. 따라서, 이와 같은 플라즈마(P)의 밀도가 균일하게 제공될수록 상기 소스가스의 분해를 촉진시키고, 상기 기판(10)의 표면처리 속도, 예를 들어, 박막의 증착 속도 또는 상기 기판(10)의 식각 속도를 향상시키게 된다. 또한, 상기 기판(10) 표면 전체에 균일하게 플라즈마(P)가 발생되므로, 양호한 품질의 상기 기판(10)의 표면처리 결과를 얻을 수 있고, 생산성과 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 기판 처리 장치를 도시한 단면도;
도 2는 도 1의 플라즈마 기판 처리 장치에서 가스분사유닛을 설명하기 위한 분해 사시도;
도 3은 도 2의 가스분사유닛의 부분 단면도;
도 4 는 도 2의 가스분사유닛의 동작을 설명하기 위한 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 기판 100: 플라즈마 기판 처리 장치
110: 프로세스 챔버 120: 서셉터
130: 가스분사유닛 131: 제1 플레이트
132: 제1 분사홀 133: 제2 플레이트
134: 제3 분사홀 135: 연결유로
136: 제2 분사홀 137: 캐비티
140: 소스가스 공급부 141: 제1 소스가스 공급부
142: 제2 소스가스 공급부 150: 전극부
P: 플라즈마 P2: 국부 플라즈마
S1: 제1 소스가스 S2: 제2 소스가스

Claims (8)

  1. 플라즈마를 이용하여 기판의 표면처리 공정을 수행하는 플라즈마 기판 처리 장치의 가스분사유닛에 있어서,
    플레이트;
    상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 내부에 플라즈마가 발생되는 제1 분사부;
    상기 제1 분사부와 독립적으로 소스가스의 분사가 가능하도록 형성된 제2 분사부; 및
    상기 제1 분사부를 따라 유동하는 상기 소스가스에 의해 상기 제2 분사부 내의 소스가스가 상기 제1 분사부로 유입되도록 상기 제1 분사부와 상기 제2 분사부를 연통시키는 연결유로;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사유닛.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분사부는 상기 플레이트를 관통하여 형성되고, 상기 소스가스의 유동 방향을 따라 하류쪽으로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔 형태의 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 가스분사유닛.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 분사부는 상기 플레이트 내부에 형성된 캐비티와, 상기 캐비티와 상기 플레이트 하부를 연통시키도록 형성된 복수의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사유닛.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    복수의 제1 분사홀이 형성된 제1 플레이트; 및
    상기 제1 플레이트 하부에 결합되어 내부에 소스가스가 유동 가능한 캐비티를 형성하도록 결합되고, 상기 캐비티와 연통되는 복수의 제2 분사홀과, 상기 제1 분사홀과 대응되는 제3 분사홀이 형성된 제2 플레이트;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스분사유닛.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제3 분사홀은 하부로 갈수록 단면적이 증가하는 원뿔 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 가스분사유닛.
  8. 기판이 수용되고, 플라즈마 발생 공간을 제공하는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버 내에 구비되어, 상기 기판을 지지하는 서셉터;
    상기 프로세스 챔버로 소스가스를 공급하는 소스가스 공급부;
    상기 프로세스 챔버 일측에 구비되어, 상기 소스가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 전극부; 및
    상기 프로세스 챔버 내로 상기 소스가스를 분사하는 제1항, 제2항, 제3항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 가스분사유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 기판 처리 장치.
KR1020070112769A 2007-11-06 2007-11-06 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치 KR100931330B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112769A KR100931330B1 (ko) 2007-11-06 2007-11-06 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070112769A KR100931330B1 (ko) 2007-11-06 2007-11-06 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090046553A KR20090046553A (ko) 2009-05-11
KR100931330B1 true KR100931330B1 (ko) 2009-12-11

Family

ID=40856407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070112769A KR100931330B1 (ko) 2007-11-06 2007-11-06 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100931330B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101113469B1 (ko) * 2009-11-30 2012-02-29 주식회사 케이씨텍 샤워헤드 및 이를 구비하는 유기금속 화학기상증착장치
KR101279353B1 (ko) * 2011-03-10 2013-07-04 (주)제이하라 플라즈마 발생장치
KR102293196B1 (ko) * 2014-07-31 2021-08-25 주식회사티티엘 기판처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11124676A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Kokusai Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
KR20020051489A (ko) * 2000-12-22 2002-06-29 윤종용 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드
KR20030037873A (ko) * 2001-11-06 2003-05-16 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 반응가스 분사노즐

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11124676A (ja) 1997-10-22 1999-05-11 Kokusai Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置
KR20020051489A (ko) * 2000-12-22 2002-06-29 윤종용 두께 균일성을 개선하기 위한 화학기상증착 장비의 샤워헤드
KR20030037873A (ko) * 2001-11-06 2003-05-16 삼성전자주식회사 반도체 제조장치용 반응가스 분사노즐

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090046553A (ko) 2009-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4388020B2 (ja) 半導体プラズマ処理装置及び方法
TWI704845B (zh) 用於循環與選擇性材料移除與蝕刻的處理腔室
US9455133B2 (en) Hollow cathode device and method for using the device to control the uniformity of a plasma process
US8889023B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR20170026216A (ko) 이차 플라즈마 주입을 이용한 플라즈마 에칭 시스템들 및 방법들
KR20100007160A (ko) 할로우 캐소드 플라즈마 발생장치 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리장치
TW201137966A (en) Plasma treatment device and plasma treatment method
KR101496841B1 (ko) 혼합형 플라즈마 반응기
CN101506950A (zh) 使用多频率rf功率的混合rf电容和电感耦合等离子源及其使用方法
JP2006524914A (ja) プラズマ処理システム及び方法
JP4601104B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2007043148A (ja) プラズマエッチング装置
KR100931330B1 (ko) 가스분사유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치
KR100931329B1 (ko) 분사노즐유닛 및 이를 구비하는 플라즈마 기판 처리 장치
US7744720B2 (en) Suppressor of hollow cathode discharge in a shower head fluid distribution system
KR100914398B1 (ko) 플라즈마 기판 처리 장치
CN112534552B (zh) 等离子处理装置
KR100455350B1 (ko) 유도 결합형 플라즈마 발생 장치 및 방법
KR101500995B1 (ko) 플라즈마 식각장치
CN111146063B (zh) 一种等离子体反应腔进气系统
KR100899768B1 (ko) 플라즈마 기판 처리 장치
KR101146132B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
WO2010003321A1 (zh) 一种进气装置及应用该进气装置的半导体处理设备
KR100760026B1 (ko) 플라즈마 발생기를 위한 페라이트 코어 조립체 및 이를구비한 플라즈마 처리 시스템
KR20070121395A (ko) 유도 결합형 플라즈마 안테나

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee