KR100923197B1 - Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods - Google Patents

Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods Download PDF

Info

Publication number
KR100923197B1
KR100923197B1 KR1020070124815A KR20070124815A KR100923197B1 KR 100923197 B1 KR100923197 B1 KR 100923197B1 KR 1020070124815 A KR1020070124815 A KR 1020070124815A KR 20070124815 A KR20070124815 A KR 20070124815A KR 100923197 B1 KR100923197 B1 KR 100923197B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
double
organic light
layer
blue
Prior art date
Application number
KR1020070124815A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090058156A (en
Inventor
장지근
Original Assignee
단국대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 단국대학교 산학협력단 filed Critical 단국대학교 산학협력단
Priority to KR1020070124815A priority Critical patent/KR100923197B1/en
Publication of KR20090058156A publication Critical patent/KR20090058156A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100923197B1 publication Critical patent/KR100923197B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/15Hole transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14Carrier transporting layers
    • H10K50/16Electron transporting layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • H10K50/171Electron injection layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/27Combination of fluorescent and phosphorescent emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90Multiple hosts in the emissive layer

Abstract

본 발명은 단일 청색 호스트의 중간 부분에 황색 또는 적색 도펀트(dopant)를 선택적으로 도핑하여 상하 양면으로 발광되는 새로운 백색유기발광소자 (White Organic Light Emitting Devices: WOLED)를 제작하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a technique for fabricating a new white organic light emitting device (WOLED), which selectively emits yellow or red dopants in a middle portion of a single blue host and emits light on both sides.

이 기술은 단일 청색 호스트에 에너지 전이가 가능한 한 종류의 도펀트를 선택적으로 도핑하여 "미도프(undoped)층/도프(doped)층/미도프(undoped)층"의This technique selectively dope one type of dopant capable of energy transfer to a single blue host, thereby reducing the " undoped layer / doped layer / undoped layer "

상태로 대칭된 2-파장 발광층을 구성함으로써 제조공정이 간단하면서도 동작 특성이 안정된 양면 발광 백색 OLED를 제작할 수 있다는 데 그 특징이 있다.By constructing a symmetrical two-wavelength light emitting layer in a state, it is characterized in that a two-sided light emitting white OLED having a simple manufacturing process and stable operation characteristics can be manufactured.

종래의 백색 OLED는 대부분 청ㆍ황 2-파장 발광 구조를 통해서 하부 방향으로 혼합된 백색 빛을 얻고 있다. 이러한 구조에서는 발광 파장이 비대칭적으로 혼합됨으로 하부(양극) 방향으로 나가는 빛과 상부(음극) 방향으로 나가는 빛의 색깔은 서로 다르다. 또한 상부 전극은 불투명한 금속을 사용해야 하기 때문에 상부 방향으로 빛이 전극을 투과해 나올 수 없다.Conventional white OLEDs mostly obtain white light mixed downward through a blue / yellow 2-wavelength light emitting structure. In this structure, the emission wavelengths are asymmetrically mixed so that the color of the light exiting in the lower (anode) direction and the light exiting in the upper (cathode) direction are different. In addition, since the upper electrode must use an opaque metal, light cannot penetrate the electrode upward.

순수 백색을 양면으로 발광하는 OLED를 개발하기 위해서는 발광층의 구조를 청ㆍ황ㆍ청의 대칭 구조로 제작하여야 하며 음극으로 일함수가 작은 투명 전극을 사용해야 한다. 그러나 청ㆍ황ㆍ청의 발광층 구조에서 청색과 황색의 호스트 및 도펀트 물질이 다를 경우, 발광층의 형성에 사용되는 형광 재료의 종수가 많아지고 증착시스템의 구성이나 공정과정은 그만큼 복잡하게 나타난다. 또한 쉽게 증착이 가능한 낮은 일함수를 갖는 투명 전극재료도 찾아볼 수 없는 실정이므로 아직까지 양면 발광 백색 OLED는 개발, 보고된 바가 없다.In order to develop OLEDs emitting pure white light on both sides, the light emitting layer must be manufactured in a symmetrical structure of blue, yellow, and blue, and a transparent electrode having a small work function is used as a cathode. However, when the blue and yellow host and dopant materials are different in the light emitting layer structure of blue, yellow, and blue, the number of fluorescent materials used to form the light emitting layer increases, and the configuration and process of the deposition system are complicated. In addition, since a transparent electrode material having a low work function that can be easily deposited cannot be found, a double-side emission white OLED has not been developed and reported.

본 발명에서는 하나의 호스트에 하나의 도펀트를 "미도프(undoped)층/도프In the present invention, one dopant in one host is " undoped layer / dope

(doped)층/미도프(undoped)층"의 상태로 선택 도핑하여 청ㆍ황ㆍ청의 대칭 발광층을 구성함으로써 제조공정이 간단하면서도 동작 특성이 안정된 양면 발광 백색 OLED를 저비용으로 제작할 수 있게 되는 유용한 효과를 얻고 있다.Selective doping in the state of "doped layer / undoped layer" to form a symmetric light emitting layer of blue, yellow, and blue, which makes it possible to manufacture a double-sided light emitting white OLED with a simple manufacturing process and stable operation characteristics at low cost. Is getting.

또한 Al 금속을 이용하여 상부 전극을 빗살(comb) 구조로 실현함으로써, 특별히 낮은 일함수를 갖는 투명 전극재료의 사용 없이도 양면 발광을 가능하게 하고 있다.In addition, the upper electrode is realized in a comb structure using Al metal, thereby enabling double-sided light emission without using a transparent electrode material having a particularly low work function.

본 발명에서 청구되는 기술은 양면 발광 WOLED에 대한 새로운 소자 기술이며, 순수 백색의 고성능 백색 유기발광소자를 저 비용으로 구현할 수 있게 함으로써 양면 조명 및 양면 디스플레이 개발에 실용적으로 활용된다.The technology claimed in the present invention is a novel device technology for double-sided light-emitting WOLEDs, and it is practically utilized in the development of double-sided lighting and double-sided display by enabling the implementation of pure white high-performance white organic light-emitting device at low cost.

OLED, WOLED, 백색유기발광소자, 양면 발광, 발광 스펙트럼 OLED, WOLED, white organic light emitting device, double-sided emission, emission spectrum

Description

양면 발광 백색유기발광다이오드 및 그의 제조 방법{Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods}Two side emission white organic light emitting diodes and their fabrication methods

본 발명은 단일 청색 호스트에 선택적 도핑 기술을 이용하여 구조가 간단하면서도 양면 발광특성을 나타내는 백색유기발광다이오드(White Organic Light Emitting Diodes: WOLED)의 제안과 이를 이용한 소자제작 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a proposal of white organic light emitting diodes (WOLEDs) having a simple structure and showing double-sided light emission characteristics by using a selective doping technique on a single blue host and a device fabrication technology using the same.

양면 발광특성을 나타내는 백색유기발광소자 대한 개발 보고는 아직까지 찾아볼 수 없는데, 이는 백색 발광이 여러 파장의 빛을 혼합하여 얻어지고, 발광층의 구조가 비대칭적으로 나타나며, 투명음극을 형성해야하는 문제점이 있어서 순수 백색의 양면 발광을 얻기가 어렵기 때문이다.Development reports of white organic light emitting diodes showing double-sided emission characteristics have not been found yet. This is because white light emission is obtained by mixing light of various wavelengths, the structure of the light emitting layer appears asymmetrically, and there is a problem of forming a transparent cathode. This is because it is difficult to obtain pure white double-sided light emission.

주지하는 바와 같이, 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)는 발광 유기물을 전기적으로 여기 시켜 발광시키는 디스플레이 소자로서 저전력 구동, 자체 발광, 넓은 시야각, 높은 해상도와 천연색 실현, 빠른 응답속도 등의 장점을 갖고 있다. 이러한 OLED는 휴대폰 외부 창, PDA, 카메라, 시계, 사무 용기기, 자동차등의 정보 표시창으로 널리 활용되면서 관련 부품소재시장도 급성장하고 있으며, OLED관련 부품소재시장은 지난 2004년 이후 연평균 약 70%로 고속 성장하고 있다. 특히, 백색유기발광다이오드(White Organic Light Emitting Diodes: WOLED)는 디스플레이 응용 외에 여러 가지 광원으로도 시장이 넓어, 가격과 성능 면에서 제조기술을 혁신할 수 있는 새로운 WOLED 기술의 개발 가치는 그 예측이 어려울 정도로 막대하다. As is well known, an organic light emitting diode (OLED) is a display device that electrically excites light emitting organic materials to emit light, and has advantages such as low power driving, self-emission, wide viewing angle, high resolution and natural colors, and fast response speed. Have As OLED is widely used as information display window of cell phone exterior window, PDA, camera, watch, office container, automobile, etc., the related parts material market is growing rapidly, and OLED related parts material market has averaged about 70% annually since 2004. It is growing fast. In particular, White Organic Light Emitting Diodes (WOLEDs) have a broad market with various light sources in addition to display applications, and the development value of new WOLED technology that can innovate manufacturing technology in terms of price and performance is unpredictable. Huge enough to be difficult

현재 상용화가 이루어지고 있는 OLED는 저분자 물질로 구성되는 다층형 구조를 갖는다. OLED는 전극으로부터 발광층까지 다층박막을 통해 전자와 정공의 주입과 이동, 그리고 발광층에서 엑시톤(excition)의 형성과 재결합에 의하여 발광 물질의 밴드 갭에 해당하는 고유의 빛을 발산한다. 특히, WOLED는 컬러 필터를 이용하여 R/G/B 화소를 기존의 복잡한 공정을 거치지 않고 쉽게 만들 수 있다는 장점 때문에 천연색(full color) 디스플레이 개발에 사용되고 있으며, 액정표시소자(Liquid Crystal Display: LCD)에 백라이트 장치(backlight unit: BLU)의 면광원으로도 활용이 모색되고 있다. Currently commercialized OLED has a multi-layered structure composed of low molecular materials. The OLED emits unique light corresponding to the band gap of the light emitting material by injection and movement of electrons and holes through the multilayer thin film from the electrode to the light emitting layer, and formation and recombination of excitons in the light emitting layer. In particular, WOLED is being used to develop full color displays due to the advantage that color filters can easily make R / G / B pixels without going through a complicated process, and are used for liquid crystal display (LCD). It is also being used as a surface light source of a backlight unit (BLU).

OLED의 발광층은 보통 호스트(host)-도펀트(dopant) 시스템으로 구성되며 발광색은 호스트-도펀트 조합에 의해 결정된다. 일반적으로 호스트는 높은 에너지 갭을 가지며 호스트에서 형성된 엑시톤은 보다 낮은 에너지 갭을 갖는 도펀트로 에너지 전이를 이룬다. 백색 발광을 이루기 위해서는 2-파장 이상의 색상 혼합이 이루어져야 하는데, 혼합에 필요한 각각의 발광색을 구현하기 위하여 보통 각 색상에 따른 호스트와 각 호스트에 따른 도펀트들이 구분적으로 사용되어 왔다.  The light emitting layer of an OLED is usually composed of a host-dopant system and the emission color is determined by the host-dopant combination. In general, the host has a high energy gap and the excitons formed in the host undergo energy transfer to dopants having a lower energy gap. In order to achieve white light emission, two-wavelength or more color mixing should be performed. In order to implement each emission color required for mixing, a host according to each color and a dopant according to each host have been used separately.

백색광을 구현하기 위해서는 청색, 녹색, 적색의 3-파장 빛을 혼합하는 방식이 가장 이상적이지만, 3-색 간의 균형적 혼합이 어렵고 장시간 사용시 R/G/B 발광 물질들의 특성 변화와 열화(degradation)되는 정도가 달라 일정한 비율의 색 혼합이 안정적으로 유지되지 않는다. In order to realize white light, it is ideal to mix three-wavelength light of blue, green, and red, but it is difficult to balance the three colors and change the characteristics and degradation of R / G / B light emitting materials for long time use. Different levels of color mixing do not remain stable.

따라서 최근에는 도 1에서 보인 바와 같이, 청색과 황색(또는 적색)의 2-파장 빛을 혼합하도록 한 WOLED가 연구되고 있다. 2-파장 WOLED는 기본적으로 소자 제작에서 사용되는 형광 물질의 수를 줄인 것이며, 발광색의 수가 적으므로 색상 혼합의 어려움과 경시 효과를 어느 정도 해결할 수 있으며, 3-파장 방식보다 발광층의 구성이 간단하여 제작이 용이하다는 장점을 갖는다. 그러나 2-파장 방식의 WOLED도 청색과 황색을 발하는 발광층의 형광 재료가 서로 다를 경우, 예로 청색 발광층(11)에는 호스트-1과 도펀트-1이 사용되고 황색 발광층(12)에는 호스트-2와 도펀트-2가 사용되는 경우, 공정의 용이성이나 동작의 안정성 등에 있어서 3-파장 방식의 문제점으로부터 크게 개선되지는 않는다. Recently, as shown in FIG. 1, a WOLED has been studied to mix two wavelengths of blue and yellow (or red) light. Two-wavelength WOLEDs basically reduce the number of fluorescent materials used in device fabrication, and because the number of emitting colors is small, it is possible to solve the difficulty of color mixing and the effects over time, and the light emitting layer is simpler than the three-wavelength method. It has the advantage of easy manufacturing. However, in the two-wavelength WOLED, when the fluorescent material of the light emitting layer emitting blue and yellow is different from each other, for example, the host-1 and the dopant-1 are used in the blue light emitting layer 11 and the host-2 and the dopant- in the yellow light emitting layer 12. When 2 is used, it does not greatly improve from the problems of the three-wavelength method in the ease of the process, the stability of the operation, and the like.

또한 도 1과 같은 일반 2-파장 적층 구조의 WOLED를 살펴보면, 도 2에서 보인 바와 같이 빛의 혼합이 상하 비대칭 구조로 나타나므로 하부 양극 방향으로 나오는 빛(21)과 상부 음극으로 나가는 빛(22)의 스펙트럼 분포나 발광색은 서로 다르게 나타난다. 이는 빛의 발생 위치와 진행 경로가 다르기 때문에 각 물질에서의 광 흡수와 이에 따른 광 혼합 세기가 달라지기 때문이다. 나아가 상부 전극은 불투명한 금속으로 덮여 있으므로 상부 방향으로 빛이 전극을 투과해 나올 수 없다.In addition, when looking at the WOLED of the general two-wave stack structure as shown in FIG. 1, as shown in FIG. 2, the light mixture appears as a vertical asymmetric structure, so that the light 21 coming out in the direction of the lower anode and the light 22 exiting the upper cathode are shown. The spectral distribution and the emission color of are different. This is because the light generation position and the propagation path of the light are different, and thus the light absorption and the light mixing intensity of each material are different. Furthermore, since the upper electrode is covered with an opaque metal, light cannot penetrate the electrode upward.

만일 양면으로 순수 백색을 발하는 고성능 WOLED를 저 비용으로 구현할 수 있다면 양면 조명 및 양면 디스플레이의 개발에 그 응용이 이루어질 수 있다. 그러나 이를 위해서는 발광층의 구조를 청ㆍ황ㆍ청의 대칭 구조로 제작하고 음극으로 일함수가 작은 투명 전극을 사용해야 하는데, 발광층의 형성에 사용되는 형광 재료의 종수가 많아지면 증착시스템의 구성이나 공정과정은 그만큼 복잡하게 나타나고, 저온 증착이 가능한 낮은 일함수를 갖는 투명전극 재료도 아직까지 찾아볼 수 없는 실정이다.If high-performance WOLED emitting pure white on both sides can be realized at low cost, the application can be made in the development of double-sided lighting and double-sided display. However, for this purpose, the structure of the light emitting layer should be manufactured in a symmetrical structure of blue, yellow, and blue, and a transparent electrode having a small work function as a cathode should be used. When the number of fluorescent materials used to form the light emitting layer increases, As such, the transparent electrode material having a low work function capable of low temperature deposition has not been found yet.

본 발명은 하나의 호스트와 하나의 도펀트 물질만을 사용하여 백색 발광층을 구성하고, 빛의 혼합을 상하 대칭적으로 나타나게 하여 양면으로 나가는 빛의 스펙트럼을 동일하게 만들고, 또한 불투명 금속 음극을 사용하고도 빛이 음극 방향으로 나올 수 있게 함으로써 제조 방법이 쉬우면서 동작 특성이 안정된 양면 발광 백색유기발광다이오드를 제공함에 있다.The present invention constitutes a white light emitting layer using only one host and one dopant material, makes the light mixture appear up and down symmetrically so that the spectrum of light exiting from both sides is the same, and also the light is used even if an opaque metal cathode is used. The present invention provides a double-sided light emitting white organic light emitting diode that is easy to manufacture and stable in operating characteristics by being able to come out in the direction of the cathode.

본 발명은 이러한 목적을 달성하기 위하여 글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서, 단일 청색 호스트에 황색 또는 적색 도펀트를 "미도프/도프/미도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하여서 된 양면 발광 백색유기발광다이오드를 제공하거나, 단일 청색 호스트에 청색과 황색 도펀트를 사용하여 "청색 도펀트의 도프/황색 도펀트의 도프/청색 도펀트의 도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하고, 또는 단일 청색 호스트에 청색과 적색 도펀트를 사용하여"청색 도펀트의 도프/적색 도펀트의 도프/청색 도펀트의 도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하여서 된 양면 발광 백색유기발광다이오드를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a known organic light emitting diode in which an ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on a glass. Or to provide a double-sided light emitting white organic light emitting diode in which a red dopant is distributed in a "doped / doped / undoped" state to implement a light emitting layer, or using a blue and yellow dopant in a single blue host to "dope / yellow a blue dopant. The light emitting layer is formed by distributing the dopant / doped blue dopant, or by using blue and red dopants in a single blue host, and distributing it in the “doped blue dopant / red dopant / doped blue dopant” state. It provides a double-sided light emitting white organic light emitting diode by implementing a light emitting layer.

아울러, 전술한 단일 호스트와 도펀트는 유기 발광 고분자 물질 또는 유기 발광 저분자 물질 또는 유기 발광 올리고머 또는 유기 발광 저분자 물질의 공중합체 또는 유기 발광 고분자 물질의 공중합체 또는 유기 발광 올리고머 물질의 공중합체이며, 호스트가 청색 형광물질 또는 청색 인광물질이고, 도펀트가 황색 형광물질 또는 적색 형광물질 또는 황색 인광물질 또는 적색 인광물질이다. In addition, the aforementioned single host and the dopant may be an organic light emitting polymer material or an organic light emitting low molecular material or an organic light emitting oligomer or a copolymer of an organic light emitting low molecular material or a copolymer of an organic light emitting polymer material or a copolymer of an organic light emitting oligomeric material. It is a blue phosphor or a blue phosphor, and the dopant is a yellow phosphor or a red phosphor or a yellow phosphor or a red phosphor.

또한 발광층의 형성 방법으로는 진공 증착법 또는 스핀 코팅법 또는 잉크젯 인쇄법 또는 용액 주조법을 이용하여 형성 할 수 있다.In addition, the light emitting layer may be formed by vacuum deposition, spin coating, inkjet printing, or solution casting.

아울러, 전술한 목적을 달성하기 위하여 글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서, 빗살무늬 또는 그물망 모양의 금속 전극을 사용하여 음극 방향으로 빛을 방출시키는 음극전극 구조를 갖는 양면 발광 백색유기발광다이오드를 제공한다.In addition, in order to achieve the above object, in the known organic light emitting diode in which ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on a glass, a comb-shaped pattern or a mesh is formed. It provides a double-sided light emitting white organic light emitting diode having a cathode electrode structure for emitting light in the direction of the cathode using a metal electrode of.

이와 같이 본 발명에서는 단일 청색 호스트에 에너지 전이가 가능한 한 종류의 황색 도펀트를 선택적으로 도핑하여 황색 도펀트가 미도프된 층/도프된 층/미도프된 층이 순차적으로 적층된 상태로 대칭된 청ㆍ황 2 파장 발광층을 구성하고, 음극 전극의 구조를 빗살 무늬형으로 구성하여 전극의 열린 부분으로 빛을 끌어내는 방법을 활용함으로써 새로운 구조의 양면 발광 WOLED를 제작할 수 있으며, 제안된 구조는 배합되는 물질이 단순하므로 다양한 물질의 복잡한 특성 변화와 혼합에서 오는 불안정한 동작 특성을 개선하여 높은 색 안정성과 고효율 특성을 구현할 수 있다. 나아가, 본 발명의 소자는 구조가 간단하므로 공정이 단순화되어 저가로 다량 생산을 가능하게 하는 실용성을 갖는다.Thus, in the present invention, by selectively doping one type of yellow dopant capable of energy transfer to a single blue host, the symmetrical blue, symmetrical state with the yellow dopant-doped layer / doped layer / undoped layer sequentially stacked is provided. By constructing the sulfur 2 wavelength light emitting layer, and constructing the structure of the cathode electrode in the shape of a comb-tooth, it is possible to manufacture a double-sided light-emitting WOLED of a new structure by using a method of drawing light to the open part of the electrode, the proposed structure is a material to be mixed This simplicity improves complex color changes and unstable operating characteristics resulting from mixing, resulting in high color stability and high efficiency. Furthermore, the device of the present invention has a practicality because the structure is simple and the process is simplified to enable mass production at low cost.

이러한 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the present invention in more detail with reference to the accompanying drawings as follows.

본 발명에서 양면 발광 WOLED 발광층의 대표적 예를 도 3에 보였다. 도 3에서 백색 발광층(31,32,33)은 단일 청색 호스트에 에너지 전이가 가능한 황색 도펀트를"미도프(undoped)층/도프(doped)층/미도프(undoped)층"의 상태로 선택 도핑하여 만들어진다. 이 발광층의 구조는 상하 대칭이므로 도프 영역(32)에서 발광되는 황색 빛과 미도프 영역(31,33)에서 발광되는 청색 빛의 혼합되는 양상은 상하 양 방향으로 거의 비슷하게 나타난다. 따라서 상ㆍ하 양방향으로 진행하는 빛(34,35)의 스펙트럼과 세기는 거의 동일한 상태로 주어진다. A representative example of the double-sided light emitting WOLED light emitting layer in the present invention is shown in FIG. 3. In FIG. 3, the white light emitting layers 31, 32, and 33 selectively dope a yellow dopant capable of energy transfer to a single blue host in the state of "undoped layer / doped layer / undoped layer". Is made. Since the structure of the light emitting layer is vertically symmetrical, the mixing of yellow light emitted from the dope region 32 and blue light emitted from the undoped regions 31 and 33 is almost similar in the vertical direction. Therefore, the spectrum and intensity of the light 34 and 35 traveling in both the up and down directions are given in almost the same state.

도 3의 발광층은 진공증착 방식으로 만들 수 있으며, 제작 과정으로는 먼저 호스트만을 증착하다가(31) 도중에 도펀트를 호스트와 함께 증착시키고(32), 이 후 적절한 두께가 얻어지면 다시 도펀트를 끄고 호스트만 증착시키면(33) 호스트가"미도프/도프/미도프"상태로 선택 도핑된 백색 발광층이 얻어진다. 이러한 제조 기법은 한가지 호스트에 한가지 도펀트를 사용하므로 발광 물질의 구성이 최소화되며, 상하 대칭으로 백색 혼합을 위한 청ㆍ황ㆍ청 3층 발광 영역의 형성을 도중에 증착원(evaporation source)의 교체 없이 단일 층을 형성하듯 한꺼번에 간단하게 제작할 수 있다. The light emitting layer of FIG. 3 may be made by vacuum deposition. In the manufacturing process, only the host is first deposited (31), and the dopant is deposited with the host (32). Then, when the appropriate thickness is obtained, the dopant is turned off again and only the host is released. Deposition (33) yields a white light emitting layer in which the host is selectively doped with " undoped / doped " This manufacturing technique minimizes the composition of the luminescent material by using one dopant in one host, and forms a blue, yellow, and blue three-layer light emitting region for white mixing in a vertically symmetric manner without changing the evaporation source. You can make it as simple as forming a layer.

OLED의 음극은 형광체로 전자를 원활히 주입하기 위해 일함수가 낮은 금속 (Al 등)이 이용되는데, 금속 전극은 불투명하므로 상부쪽으로 진행되는 빛은 금속 표면에서 반사되어 빛이 투과되지 않는다. 이러한 문제를 해결하는 방법으로 음극 전극의 구조를 빗살 무늬형 또는 망형으로 구성(41)하여 전극의 열린 부분으로 빛을 끌어내는 방법(42)을 활용한다. 이러한 발명을 이용하는 대표적 구조 예를 도 4에 보였다. 도 4의 방법은 물론 금속이 덮여있는 부분에서 광손실이 발생(43)하지만 금속 패턴의 적절한 설계와 빛의 산란을 잘 이용하면 음극방향으로 방출되는 대부분의 빛을 끌어낼 수 있다.The cathode of the OLED is a metal (Al, etc.) having a low work function is used to smoothly inject electrons into the phosphor. Since the metal electrode is opaque, the light traveling upwards is reflected from the metal surface so that no light is transmitted. In order to solve this problem, the structure of the cathode electrode 41 has a comb-pattern or mesh shape 41 to draw light to the open part of the electrode. A representative structural example using this invention is shown in FIG. 4. In the method of FIG. 4, light loss occurs 43 in the metal covered portion, but by using the proper design of the metal pattern and the light scattering well, most of the light emitted in the direction of the cathode can be extracted.

본 발명을 이용하여 제작되는 양면 발광 WOLED의 구조 예를 도 5에 보였다. 도 5에 보인 구조와 동작 원리를 상세히 설명하면 다음과 같다. An example of the structure of a double-sided light-emitting WOLED fabricated using the present invention is shown in FIG. 5. Hereinafter, the structure and operation principle shown in FIG. 5 will be described in detail.

먼저, 빛이 투과되어 외부로 발광되는 글라스(Glass) 판 위에 ITO(Indium Tin Oxide)박막을 형성하여야 한다. 이는 양극 전극으로 활용되며, 가시영역에서 투명하고 전도성이 높으며, 일함수가 커서 그 위에 형성되는 정공 주입층(51)(Hole Injection Layer: HIL)의 HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital) 준위로 정공을 주입(50)한다. 이러한 정공 주입층(51)은 양극에서 정공 수송층(52)(Hole Transport Layer: HTL)으로 정공을 효율적으로 주입하기 위한 매개층의 기능을 담당하게 된다. 이러한 정공 수송층(52)으로 주입된 정공은 하부 청색 발광층(53), 중간 황색 발광층(54), 상부 청색 발광층(55)으로 구성된 발광층(Emissive Layer)으로 전달되며, 전자의 흐름에 대하여는 차단 기능을 갖는다. First, an indium tin oxide (ITO) thin film must be formed on a glass plate through which light is transmitted and emitted to the outside. It is used as an anode electrode, and injects holes at the highest Occupied Molecular Orbital (HOMO) level of the hole injection layer 51 (HIL) formed on the transparent, high conductivity, large work function in the visible region. (50). The hole injection layer 51 serves as a medium layer for efficiently injecting holes from the anode to the hole transport layer 52 (HTL). The holes injected into the hole transport layer 52 are transferred to an emissive layer including a lower blue light emitting layer 53, a middle yellow light emitting layer 54, and an upper blue light emitting layer 55, and block a flow of electrons. Have

한편, 정공과 결합되기 위한 전자는 음극에서 공급된다. 이러한 음극은 알루미늄(Aluminium, Al)으로 제작되어 전도성이 높으며, 입사광을 반사시킨다. 전자 주입층(58)(Electron Injection Layer:EIL)은 음극에서 전자 수송층(57)( Electron Transport Layer: ETL)으로 전자를 효율적으로 주입하기 위한 매개층의 기능을 가지며, 음극에서 출발한 전자는 전자 주입층(58)을 통과하여 전자 수송층(57)의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위로 주입(59)된다. 그 결과 전자 수송층(57)은 음극에서 주입된 전자를 발광층으로 전달시키게 된다. 이에 따라 발광층(53,54,55)에서는 엑시톤(exciton)의 형성과 재결합(56)에 의하여 형광 물질에 따른 고유의 빛을 발산하게 되는 것이다.On the other hand, electrons to be combined with the holes are supplied from the cathode. The cathode is made of aluminum (Aluminum, Al), high conductivity, and reflects incident light. The electron injection layer 58 (EIL) has a function of an intermediate layer for efficiently injecting electrons from the cathode to the electron transport layer (ETL), and the electrons from the cathode are electrons. The injection layer 58 is injected 59 into the Low Unoccupied Molecular Orbital (LUMO) level of the electron transport layer 57. As a result, the electron transport layer 57 transfers electrons injected from the cathode to the light emitting layer. Accordingly, the light emitting layers 53, 54, and 55 emit light inherent to the fluorescent material by the formation of excitons and recombination 56.

도 5의 발광층(53,54,55)에서, 발광층 영역은 도펀트가 없을 경우(53, 55) 발광 호스트가 갖는 고유의 빛인 청색을 내며, 도핑된 발광층(54) 영역에서 는 호스트-도펀트 간의 에너지 전이에 의해 보색의 빛인 황색을 발한다. 이 때 보색 관계의 2-파장 발광색이 적절한 세기로 혼합되는 경우 순수한 백색 발광이 얻어지게 된다. 경우에 따라서는 청색 발광층(53,55)의 청색 발광효율을 증대시키기 위해 이들 영역(53,55)에 새로운 청색 도펀트를 추가시킬 수 있다. 이 경우에는 한 호스트에 두 가지 도펀트가 사용되는 백색 발광층을 갖는다.  In the light emitting layers 53, 54 and 55 of FIG. 5, the light emitting layer region emits blue light, which is inherent to the light emitting host when there is no dopant (53, 55), and the energy between the host and the dopant in the doped light emitting layer 54 region. The transition gives off yellow, which is a complementary color. At this time, pure white light emission is obtained when the two-wavelength emission colors of complementary colors are mixed at an appropriate intensity. In some cases, new blue dopants may be added to the regions 53 and 55 to increase the blue light emission efficiency of the blue light emitting layers 53 and 55. In this case, it has a white light emitting layer in which two dopants are used in one host.

도 4와 도 5로 보인 원리를 이용하여 구체적으로 하방으로부터 Glass/ITO/ Using the principle shown in Figures 4 and 5 specifically from below Glass / ITO /

2-TNATA/NPB/GDI-602(Rb)/Alq3/LiF/Al이 적층된 WOLED의 구체적인 실시 예를 도 6에 도시하였다. 도 6의 GDI-602(Rb) 발광층(64,65,66)에서 황색 발광 물질인 루브렌(Rubrene : Rb) 도펀트는 GDI-602 형광호스트에 미도프(64)/도프(65)/미도프(66) 상태로 선택적으로 분포된다. GDI-602 그 자체는 보통 청색발광의 호스트 재료로 사용되지만 루브렌이 도핑될 경우 황색발광이 가능하므로, 루브렌을 GDI-602 형광체에 미도프(64)/도프(65)/미도프(66) 상태로 선택 도핑하면 단일 형광 호스트로 WOLED를 제작할 수 있게 된다.6 illustrates a specific example of WOLED in which 2-TNATA / NPB / GDI-602 (Rb) / Alq 3 / LiF / Al is stacked. In the GDI-602 (Rb) light emitting layers 64, 65, and 66 of FIG. 6, rubrene (Rb) dopant, which is a yellow light emitting material, is dope 64 / dope 65 / dope to a GDI-602 fluorescent host. It is selectively distributed in the state (66). GDI-602 itself is usually used as a host material for blue light emission, but yellow light can be emitted when rubrene is doped, so rubene is dope (64) / dope 65 / midop (66) to the GDI-602 phosphor. Selective doping with) allows the fabrication of WOLEDs with a single fluorescent host.

이와 같은 발명에 의하여 WOLED를 제조하기 위해서는 도 10의 흐름도 에서 보는 바와 같이, 먼저 글라스 판상에 ITO 전극(61)을 형성하고, ITO 전극의 표면을 적절히 플라스마 처리한다. 유기물 증착 전에 선행 플라스마 처리는 반드시 실시되 어야 하며, 플라스마 공정은 양극으로부터 정공주입 장벽을 낮추고, 표면 오염제거 및 ITO와 유기막 간의 접착력 개선에 기여하게 된다. 플라스마 처리 후 고진공 상태에서 유기 박막과 금속이 인시추(In-Situ) 방식으로 증착되는데, 유기물 형성의 첫 단계로는 정공 주입층으로 2-TNATA(62)를, 정공 수송층으로 NPB(63)를 증착한다.In order to manufacture the WOLED according to the present invention, as shown in the flowchart of FIG. 10, first, an ITO electrode 61 is formed on a glass plate, and the surface of the ITO electrode is appropriately plasma treated. Prior plasma treatment must be carried out before organic deposition, and the plasma process contributes to lowering the hole injection barrier from the anode, decontaminating the surface and improving adhesion between the ITO and the organic film. After the plasma treatment, the organic thin film and the metal are deposited in the in-situ method under high vacuum. The first step of forming the organic material is 2-TNATA 62 as the hole injection layer and NPB 63 as the hole transport layer. Deposit.

다음으로 발광층을 증착하는 단계에서는 먼저 GDI602를 미도프 상태로 50~150Å 범위의 두께로 증착한 후(64), GDI602와 루브렌을 50:3의 성장 비율로 동시 증착하여 100~300Å 두께 범위의 GDI602:루브렌(6%) 층(65)을 형성하고, 이어서 다시 루브렌을 차단하고 GDI602 만을 50~150Å 범위의 두께로 미도프 상태(66)로 증착한다.Next, in the step of depositing the light emitting layer, first, GDI602 is deposited in a thickness of 50 to 150Å in a dope state (64), and then GDI602 and rubrene are simultaneously deposited at a growth ratio of 50: 3 to have a thickness of 100 to 300Å. GDI602: Rubene (6%) layer 65 is formed, and then again blocked rubrene and only GDI602 is deposited in the undoped state 66 to a thickness in the range of 50-150 kV.

이러한 발광층의 형성 방법으로는 진공 증착법 또는 스핀 코팅법 또는 잉크젯 인쇄법 또는 용액 주조법을 이용하여 형성 할 수 있다.The light emitting layer may be formed by vacuum deposition, spin coating, inkjet printing, or solution casting.

이 후 전자 수송층으로서의 Alq3(67)를 형성한 후, 빗살 무늬형 금속마스크를 씌워 전자 주입층으로서의 LiF(68)를, 음극으로서의 Al(69)을 형성함으로써 소자 제조의 기본 공정이 완성된다. Subsequently, after forming Alq 3 (67) as an electron transporting layer, the basic process of element manufacture is completed by forming the LiF 68 as an electron injection layer and forming Al (69) as a cathode by covering the comb-shaped metal mask.

이러한 발명에 의해 제작된 소자의 상ㆍ하부로 발광되는 빛의 스펙트럼을 도 7에 보였다. 도 7에서 제시된 바와 같이 10V 전압에서 상부로 발광하는 백색광 의 스펙트럼(72)과 하부로 발광하는 백색광의 스펙트럼(71) 은 청색의 440nm 파장과 황색의 560nm 파장 등의 중심 파장들이 일치하고, 분포 모양도 유사하여 양면으로 방출되는 빛의 특성이 비슷하게 나타나고 있음을 볼 수 있다. 본 발명에 의한 제작된 WOLED는 인가전압을 변화시킨 경우에도 발광되는 빛의 중심파장 위치는 전압에 관계없이 일정하며, 청색과 황색의 상대적 세기 비율도 넓은 동작전압 범위(6~12V)에서 일정하게 나타났다. The spectrum of the light emitted to the upper and lower parts of the device fabricated by this invention is shown in FIG. 7. As shown in FIG. 7, the spectrum 72 of white light emitting upwards at 10V voltage and the spectrum 71 of white light emitting downwards coincide with central wavelengths such as a wavelength of 440 nm of blue and a wavelength of 560 nm of yellow. Similarly, it can be seen that the characteristics of light emitted to both sides are similar. In the WOLED fabricated according to the present invention, even when the applied voltage is changed, the center wavelength position of the emitted light is constant regardless of the voltage, and the relative intensity ratio of blue and yellow is also constant in the wide operating voltage range (6-12V). appear.

본 발명에 의하여 제조된 WOLED의 하부로 방출되는 빛에 대한 6V 내지 10V의 인가전압에 따른 CIE(Commission Internationale de I'Eclairage) 색좌표의 변화를 도 8에 보였다. 도 8에서 볼 수 있듯이 낮은 인가전압에서 발광색은 다소 황백색을 나타내었으나 전압이 증가함에 따라 소자의 발광색은 청색 방향으로 이동하며, 10V 부근에서 CIE 색좌표는 (0.33,0.33)으로 순수한 백색 발광이 얻어졌다. 이러한 발광 특성은 상부로 방출되는 빛에 대해서도 동일하게 나타나며, 상부로 방출되는 빛에 대한 인가전압에 따른 CIE 색좌표의 변화를 도 9에 보였다.8 illustrates changes in the Commission Internationale de I'Eclairage (CIE) color coordinates according to an applied voltage of 6V to 10V for the light emitted to the bottom of the WOLED manufactured by the present invention. As shown in FIG. 8, the emission color was slightly yellowish white at low applied voltage, but as the voltage was increased, the emission color of the device shifted to the blue direction, and pure white light emission was obtained with the CIE color coordinate of (0.33,0.33) near 10V. . The luminescence properties are the same for the light emitted to the top, and the change in the CIE color coordinates according to the applied voltage to the light emitted to the top is shown in FIG. 9.

아울러, 전술한 단일 호스트와 도펀트는 유기 발광 고분자 물질 또는 유기 발광 저분자 물질 또는 유기 발광 올리고머 물질이며 이들 물질의 공중합체로도 가능하다. 또한 호스트는 청색의 형광물질이나 인광물질이고, 도펀트는 황색 또는 적색의 형광물질이나 인광물질로도 가능하다. In addition, the aforementioned single host and dopant may be an organic light emitting polymer material, an organic light emitting low molecular material, or an organic light emitting oligomeric material, and may be a copolymer of these materials. The host may be a blue phosphor or a phosphor, and the dopant may be a yellow or red phosphor or a phosphor.

도 1은 종래의 청ㆍ황 2-파장 발광층에 의한 백색 발광구조를 보인 설명도.1 is an explanatory view showing a white light emitting structure by a conventional blue / yellow two-wavelength light emitting layer.

도 2는 종래의 청ㆍ황 2-파장 발광층에서 상ㆍ하 양면으로 빛이 비대칭적으로 혼합, 방출되는 구조를 보인 설명도. 2 is an explanatory view showing a structure in which light is asymmetrically mixed and emitted from both the upper and lower sides of a conventional blue / yellow 2-wavelength light emitting layer.

도 3은 본 발명에서 단일 청색 호스트에 하나의 황색 도펀트를 미도프/도프/미도프 상태로 선택 도핑하여 만든 청ㆍ황ㆍ청 대칭 구조를 이용한 양면 백색발광 구조를 보인 설명도.FIG. 3 is an explanatory view showing a double-sided white light emitting structure using a blue, yellow, and blue symmetric structure formed by selectively doping one yellow dopant in a dope / dope / undoped state to a single blue host in the present invention.

도 4는 본 발명에서 음극으로 광 방출을 위해 사용된 빗살무늬형의 금속전극 구조를 보인 설명도.Figure 4 is an explanatory view showing a comb-tooth-shaped metal electrode structure used for light emission to the cathode in the present invention.

도 5는 에너지대 구조를 통해 전자와 정공의 흐름에 의한 엑시톤(exciton)의 형성과 양면 발광 과정을 보인 설명도. 5 is an explanatory diagram showing the formation of excitons by the flow of electrons and holes through the energy band structure and the double-sided light emission process;

도 6은 도 5의 원리를 이용하여 본 발명에 의해 제작된 구체적인 실시 예의 설명도.6 is an explanatory diagram of a specific embodiment produced by the present invention using the principle of FIG.

도 7은 본 발명에 의하여 제조된 양면 백색 유기발광소자의 상ㆍ하부로 방출된 발광 스펙트럼의 다이어그램.7 is a diagram of the emission spectrum emitted to the top and bottom of the double-sided white organic light emitting device manufactured by the present invention.

도 8는 본 발명에 의하여 제조된 양면 백색 유기발광소자의 인가 전압에 따른 하부 방출의 CIE 색좌표 변화도.8 is a change in the CIE color coordinates of the lower emission according to the applied voltage of the double-sided white organic light emitting device manufactured by the present invention.

도 9는 본 발명에 의하여 제조된 양면 백색 유기발광소자의 인가 전압에 따른 상부 방출의 CIE 색좌표 변화도.9 is a CIE color coordinate change diagram of the upper emission according to the applied voltage of the double-sided white organic light emitting device manufactured by the present invention.

도 10는 본 발명에 의한 양면 백색 유기발광소자의 제조 방법을 도시한 흐름 도.10 is a flow diagram illustrating a method of manufacturing a double-sided white organic light emitting device according to the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

11: 청색 발광층   11: blue light emitting layer

12: 황색 발광층    12: yellow light emitting layer

21: 청ㆍ황 2-파장 백색 발광에서 하부 방향으로 빛의 혼합   21: Mixing of light in the downward direction in blue / yellow 2-wavelength white light emission

22: 청ㆍ황 2-파장 백색 발광에서 상부 방향으로 빛의 혼합   22: Mixing of light in the upward direction in blue / yellow 2-wave white light emission

31: 미도프/도프/미도프 대칭 발광 구조에서 도핑이 되지 않은 하부 청색발광층   31: Undoped lower blue light emitting layer in the dope / dope / undoped symmetric light emitting structure

32: 미도프/도프/미도프 대칭 발광 구조에서 도핑된 황색 발광층   32: doped yellow light emitting layer in the dope / dope / dope symmetric light emitting structure

33: 미도프/도프/미도프 대칭 발광 구조에서 도핑이 되지 않은 상부   33: Undoped top in mid-doped / doped symmetric light emitting structure

청색 발광층       Blue light emitting layer

34: 미도프/도프/미도프 대칭 발광 구조에서 하부방향으로 빛의 혼합   34: Mixing light downward in a dope / dope / dope symmetric light emitting structure

35: 미도프/도프/미도프 대칭 발광 구조에서 상부방향으로 빛의 혼합   35: Light mixing upwards in a dope / dope / dope symmetric light emitting structure

41: 빗살무늬형 음극 구조   41: comb-shaped cathode structure

42: 금속으로 덮여 있지 않은 부분으로 빛의 방출   42: Emission of light to parts not covered with metal

43: 금속으로 덮여 있는 부분에서 빛의 반사   43: Reflection of light in areas covered with metal

50: 양극(ITO)으로부터 정공의 주입   50: Injection of holes from the anode (ITO)

51: 정공 주입층   51: hole injection layer

52: 정공 수송층   52: hole transport layer

53: 하부 청색 발광층   53: lower blue light emitting layer

54: 중간 황색 발광층   54: intermediate yellow light emitting layer

55: 상부 청색 발광층   55: top blue light emitting layer

56: 엑시톤(Exciton)의 형성과 재결합   56: Exciton Formation and Recombination

57: 전자 수송층   57: electron transport layer

58: 전자 주입층   58: electron injection layer

59: 음극에서 전자 주입층을 통한 전자 수송층으로 전자의 주입   59: Injection of electrons from the cathode to the electron transport layer through the electron injection layer

61: 양극으로서의 ITO   61: ITO as anode

62: 정공 주입층으로서의 2-TNATA   62: 2-TNATA as a hole injection layer

63: 정공 수송층으로서의 NPB   63: NPB as a hole transport layer

64: 하부 청색 발광층으로서의 미도프된 GDI-602   64: Undoped GDI-602 as a lower blue light emitting layer.

65: 중간 황색 발광층으로서의 루브렌이 6% 도핑된 GDI-602   65: GDI-602 doped with rubrene as a medium yellow light emitting layer 6%

66: 상부 청색 발광층으로서의 미도프된 GDI-602   66: undoped GDI-602 as top blue light emitting layer

67: 전자 수송층으로서의 Alq3   67: Alq3 as the electron transport layer

68: 전자 주입층으로서의 LiF   68: LiF as an electron injection layer

69: 음극으로서의 Al   69: Al as cathode

71: 10V 전압에서 하부로 발광하는 백색광의 스펙트럼   71: spectrum of white light emitting downwards at a voltage of 10 V

72: 10V 전압에서 상부로 발광하는 백색광의 스펙트럼   72: spectrum of white light emitting upwards at a voltage of 10 V

Claims (25)

글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서,In a known organic light emitting diode in which an ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on glass, 단일 청색 호스트에 황색 도펀트를 "미도프/도프/미도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하며,Yellow dopant is distributed in a "blue light" state in a single blue host to form a light emitting layer, 투과공을 가지는 금속 전극을 사용하여 음극 방향으로 빛을 방출시키는 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that it has an electrode structure for emitting light toward the cathode using a metal electrode having a transmission hole. 글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서,In a known organic light emitting diode in which an ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on glass, 단일 청색 호스트에 적색 도펀트를 "미도프/도프/미도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하며,The red dopant is distributed in a "mid-doped / doped-doped" state on a single blue host to realize a light emitting layer, 투과공을 가지는 금속 전극을 사용하여 음극 방향으로 빛을 방출시키는 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that it has an electrode structure for emitting light toward the cathode using a metal electrode having a transmission hole. 글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서,In a known organic light emitting diode in which an ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on glass, 단일 청색 호스트에 청색과 황색 도펀트를 사용하여 "청색 도펀트의 도프/황색 도펀트의 도프/청색 도펀트의 도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하며,A light emitting layer is implemented by distributing blue and yellow dopants in a single blue host in a "dope of a blue dopant / dope of a yellow dopant / dope of a blue dopant". 투과공을 가지는 금속 전극을 사용하여 음극 방향으로 빛을 방출시키는 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that it has an electrode structure for emitting light toward the cathode using a metal electrode having a transmission hole. 글라스위에 ITO 및 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 금속전극이 순차적으로 적층 하여서 된 공지의 유기발광다이오드에 있어서,In a known organic light emitting diode in which an ITO, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a metal electrode are sequentially stacked on glass, 단일 청색 호스트에 청색과 적색 도펀트를 사용하여"청색 도펀트의 도프/적색 도펀트의 도프/청색 도펀트의 도프" 상태로 분포시켜 발광층을 구현하며,A light emitting layer is implemented by distributing blue and red dopants in a single blue host in a "dope of blue dopant / dope of red dopant / dope of blue dopant" state, 투과공을 가지는 금속 전극을 사용하여 음극 방향으로 빛을 방출시키는 전극 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that it has an electrode structure for emitting light toward the cathode using a metal electrode having a transmission hole. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기 발광 저분자 물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are organic light emitting low molecular weight materials. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기 발광 고분자임을 특징으로 하는 양면 발광 백 색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are organic light emitting polymers. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기 발광 올리고머임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are organic light emitting oligomers. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기 발광 저분자 물질의 공중합체임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are copolymers of organic light emitting low molecular weight materials. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기 발광 고분자 물질의 공중합체임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are a copolymer of an organic light emitting polymer material. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 단일 호스트와 도펀트가 유기발광 올리고머 물질의 공중합체임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the single host and the dopant are a copolymer of an organic light emitting oligomeric material. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 호스트가 청색 형광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오 드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the host is a blue phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 호스트가 청색 인광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, wherein the host is a blue phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 도펀트가 황색 형광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the dopant is a yellow phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 도펀트가 적색 형광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the dopant is a red phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 도펀트가 황색 인광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the dopant is a yellow phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 도펀트가 적색 인광물질임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오 드.A double-sided white organic light emitting diode, wherein the dopant is a red phosphor. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 발광층을 진공 증착법으로 형성함을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the light emitting layer is formed by a vacuum deposition method. 청구항1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 발광층을 스핀 코팅법으로 형성함을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the light emitting layer is formed by spin coating. 청구항1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 발광층을 잉크젯 인쇄법으로 형성함을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, wherein the light emitting layer is formed by an inkjet printing method. 청구항1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 4, 발광층을 용액 주조법으로 형성함을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.A double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the light emitting layer is formed by a solution casting method. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 전술한 투과공은 빗살무늬 모양임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광 다이오드.The above-mentioned transmission hole is a double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the shape of the comb. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 전술한 투과공은 그물망 모양임을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.The above-mentioned transmission hole is a double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the net shape. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 전술한 전극 구조는 음극전극 구조를 사용하는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드.The above-described electrode structure is a double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that using the cathode electrode structure. 글라스 판상에 ITO 전극을 형성하고 전극의 표면을 플라즈마 처리 한 후 유기 박막과 금속을 증착 시켜서 된 공지의 유기발광다이오드의 제조 방법에 있어서,In the known method of manufacturing an organic light emitting diode, the ITO electrode is formed on a glass plate, the surface of the electrode is plasma treated, and an organic thin film and a metal are deposited. 유기 박막 증착 과정에 정공 주입층과 정공 수송층을 증착하고, 하부는 청색 발광층, 중간은 황색 발광층 또는 적색 발광층 중 어느 하나로 된 발광층, 상부는 청색 발광층으로 대칭 적층된 2 파장 대칭 발광층을 진공 증착법, 스핀 코팅법, 잉크젯 인쇄법, 용액 주조법 중의 어느 하나를 이용하여 증착하며, 전자 수송층을 형성하고, 빗살 무늬형 또는 그믈망형의 금속 마스크를 씌워 전자 주입층과 음극으로서의 LiF/Al을 형성함을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드의 제조 방법.In the organic thin film deposition process, a hole injection layer and a hole transporting layer are deposited, and a lower wavelength blue light emitting layer, a middle light emitting layer made of any one of a yellow light emitting layer or a red light emitting layer, and a top of the two wavelength symmetric light emitting layer symmetrically stacked with a blue light emitting layer are vacuum deposited and spinned. It is deposited by any one of coating method, inkjet printing method, and solution casting method, and forms an electron transporting layer, and forms an electron injection layer and LiF / Al as a cathode by covering a comb-patterned or grating-shaped metal mask. A method for producing a double-sided light emitting white organic light emitting diode. 청구항 24에 있어서,The method of claim 24, 전술한 2 파장 대칭 발광층을 증착하는 단계는 처음 청색 발광층을 50~150Å 범위의 두께로 증착한 후, 다음 황색 또는 적색 발광층 중 어느 하나를 100~ 300Å 두께범위로 형성하고, 마지막 청색 발광층을 50~150Å 두께 범위로 증착하는 것을 특징으로 하는 양면 발광 백색유기발광다이오드의 제조 방법.In the step of depositing the two-wavelength symmetric light emitting layer described above, the first blue light emitting layer is deposited to a thickness in a range of 50 to 150 microns, and then either one of the following yellow or red light emitting layers is formed to a thickness in a range of 100 to 300 microns, and the last blue light emitting layer is 50 to A method for producing a double-sided light emitting white organic light emitting diode, characterized in that the deposition in the 150 Å thickness range.
KR1020070124815A 2007-12-04 2007-12-04 Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods KR100923197B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070124815A KR100923197B1 (en) 2007-12-04 2007-12-04 Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070124815A KR100923197B1 (en) 2007-12-04 2007-12-04 Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090058156A KR20090058156A (en) 2009-06-09
KR100923197B1 true KR100923197B1 (en) 2009-10-22

Family

ID=40988678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070124815A KR100923197B1 (en) 2007-12-04 2007-12-04 Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100923197B1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872255A (en) * 2014-04-03 2014-06-18 华映视讯(吴江)有限公司 Organic light emitting diode
US9587172B2 (en) 2008-10-01 2017-03-07 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8513655B2 (en) 2009-12-22 2013-08-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic light emitting diode and manufacturing method thereof
KR101097337B1 (en) 2010-03-05 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting display device
KR101901246B1 (en) * 2011-12-02 2018-09-27 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of fabricating the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08245956A (en) * 1995-03-08 1996-09-24 Olympus Optical Co Ltd Luminous material and luminous element using the same
JP2005294066A (en) 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp Light emitting display device and its driving method
KR100594775B1 (en) 2003-12-22 2006-06-30 한국전자통신연구원 White organic light emitting device
KR100862068B1 (en) 2007-03-29 2008-10-09 단국대학교 산학협력단 White Organic Light Emitting Devices using the Selective Doping Method in a Single Blue Host

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08245956A (en) * 1995-03-08 1996-09-24 Olympus Optical Co Ltd Luminous material and luminous element using the same
KR100594775B1 (en) 2003-12-22 2006-06-30 한국전자통신연구원 White organic light emitting device
JP2005294066A (en) 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Corp Light emitting display device and its driving method
KR100862068B1 (en) 2007-03-29 2008-10-09 단국대학교 산학협력단 White Organic Light Emitting Devices using the Selective Doping Method in a Single Blue Host

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9587172B2 (en) 2008-10-01 2017-03-07 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode and method of manufacturing the same
CN103872255A (en) * 2014-04-03 2014-06-18 华映视讯(吴江)有限公司 Organic light emitting diode

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090058156A (en) 2009-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9379344B2 (en) Display panel and display device
Zhang et al. Efficient and Color Stable White Quantum‐Dot Light‐Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Over 23%
US10205112B2 (en) Organic light-emitting diode display panel and organic light-emitting diode display device
CN108029162B (en) Organnic electroluminescent device, lighting device and display device
KR102378408B1 (en) Organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
US20200295093A1 (en) Plasmonic pholed arrangement for displays
JP2009302586A (en) Laminate of pin type organic light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP2005072012A (en) Light emitting device and manufacturing method therefor
CN103779387B (en) Oled display panel and display device
US20070087469A1 (en) Particulate for organic and inorganic light active devices and methods for fabricating the same
US11217762B2 (en) Surface-plasmon-pumped light emitting devices
TW201022375A (en) Color conversion film using polymeric dye, and multicolor light emitting organic el device
KR20130070771A (en) Organic light emitting diodes
CN107611276B (en) Organic Light Emitting Diode and display panel
CN106449715A (en) An organic light-emitting display panel and a manufacturing method thereof
TW200950175A (en) Organic electroluminescence device and method of fabricating the same, and illuminator
KR100923197B1 (en) Two Side Emission White Organic Light Emitting Diodes and their Fabrication Methods
JP5856948B2 (en) Electroluminescence device
JP2004281087A (en) Organic el device and organic el display
Xu et al. Solution-processed multiple exciplexes via spirofluorene and S-triazine moieties for red thermally activated delayed fluorescence emissive layer OLEDs
US20210280812A1 (en) Organic electroluminescent devices containing a near-infrared down-conversion layer
KR100862068B1 (en) White Organic Light Emitting Devices using the Selective Doping Method in a Single Blue Host
KR102009804B1 (en) Organic light emitting diode display device and method for manufacturing the same
KR100594775B1 (en) White organic light emitting device
Li et al. Color tunable organic light emitting diodes using Eu complex doping

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121011

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131004

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141010

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee